JP2007311237A - デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隔壁の近傍に生じる膜の偏りを防止し、均一な膜を形成することのできるデバイスを提供する。
【解決手段】本発明のデバイスは、隔壁Ｂと、前記隔壁Ｂによって区画された領域に設けられた膜Ｆと、前記隔壁Ｂによって区画された領域の外周部に設けられた溝Ｄと、を有する。膜Ｆは、液体材料Ｌを隔壁Ｂによって区画された領域に配置することにより形成されており、溝Ｄの表面の一部は、膜Ｆによって覆われている。
【選択図】図１

Description

本発明は、デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法に関するものである。

近年、電子デバイスの製造方法として液相法を用いたデバイスの開発が進められている。例えば、特許文献１〜３では、有機ＥＬ装置の形成材料（正孔注入材料、発光材料）を液滴吐出法により基体上に配置する技術が開示されている。

図１５は、液滴吐出法を用いた膜形成方法を説明するための説明図である。図１５に示すように、従来の膜形成方法では、まず、膜Ｆを形成する領域の周囲に隔壁Ｂを形成する（図１５（ａ））。そして、この隔壁Ｂの表面をＣＦ_４プラズマ処理等により撥液性に加工した後、隔壁Ｂによって区画された領域に、機能性材料を含む液体材料Ｌを吐出する。そして、この液体材料Ｌを乾燥することにより、機能性材料の膜Ｆを析出させる（図１５（ｂ））。
特開２００１−２９１５８３号公報 特開２００２−５６９８０号公報 特開２００４−２３５１２８号公報

しかしながら、隔壁Ｂを用いて膜を形成すると、図１５（ｂ）のように膜の端部Ｆ２，Ｆ３が大きく盛り上がり、均一な膜が形成できないという問題があった。これは次の理由によると考えられる。一般に基体上に配置された液体は縁（エッジ）において乾燥の進行が速い。従って、液体の乾燥過程においては、液体の縁において溶質の濃度がまず飽和濃度に達し、析出し始める。一方、液体内部には、液体の縁で蒸発により失われた液体を補給するため、液体中央部から液体周縁部に向かう液体の流れが生じる。この結果、液体中央部の溶質は、その流れに従って液体周縁部に運ばれ、液滴の乾燥に伴って周縁部からの析出を促進する。そして、このような液体の流れが隔壁Ｂの開口領域内で生じると、隔壁Ｂの近傍で膜の表面がＭ字状又はＵ字状に盛り上がった状態に形成され、膜の平坦性が損なわれるのである。

このように膜が偏った状態で形成されると、その上に形成される膜の平坦性及び膜厚の均一性にも影響が生じる。例えば、有機ＥＬ素子を形成する場合、隔壁に区画された領域に正孔注入／輸送層と発光層を順次形成するが、正孔注入／輸送層の平坦性が悪いと、その上に形成される発光層の平坦性も悪化し、発光特性に大きなむらが生じるようになる。

そこで、特許文献１では、液滴吐出法で液滴を２回以上吐出することで、凹みや未塗布部分の修正を行ない、膜を平坦化する技術が開示されている。また、特許文献２では、シリコン系化合物或いはフッ素系化合物からなるレベリング剤を添加し、膜を平坦化する技術が開示されている。さらに、特許文献３では、正孔注入／輸送層上に隔壁をパターニングして、正孔注入／輸送層の凹凸の影響をなくす技術が開示されている。

しかしながら、特許文献１の方法では、複数回の吐出において同一溶媒を用いると、先に形成した膜が溶媒に再溶解してしまうため、溶媒の選択が制限されてしまうと問題がある。また、特許文献２の方法では、レベリング剤の発光特性への影響が問題となる。さらに、特許文献３の方法では、十分に高い隔壁を形成した場合に液滴の乾燥開始位置が安定せず、膜厚が不均一になってしまうという問題がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、隔壁の近傍に生じる膜の偏りを防止し、均一な膜を形成することのできる膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。また、このような方法により形成された膜を備えることにより特性の均一化を図ることのできるデバイスを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明のデバイスは、隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁によって区画された領域の外周部に設けられた溝と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、隔壁の近傍に溝が形成されているので、液相法で膜を形成する場合に、膜の端部に形成される盛り上がりが抑制され、平坦性の良い膜が得られるようになる。この理由としては、隔壁近傍に運ばれた溶質（機能性材料）が溝内に収容されること、溝によって隔壁近傍の液体の対流が変わること、等が考えられており、また実験的にも、溝を形成することによって隔壁近傍の膜の盛り上がりが解消されることが検証されている。

本発明においては、前記溝は、前記膜が形成される領域を囲むように環状に形成されることが望ましい。
この構成によれば、隔壁近傍に環状に形成される膜の偏りを解消し、膜全体で高い平坦性を実現することができる。

本発明においては、前記溝は、前記隔壁からの距離に応じて深さが異なることが望ましい。
膜の盛り上がりは、隔壁によって区画された領域の外周部から中央部にかけてテーパ状に形成される。したがって、このテーパ状の盛り上がりに対応して溝の深さを変化させることで、平坦性の良い膜を形成することができる。例えば、膜がＵ字状に形成される場合には、隔壁によって区画された領域の最外周部で最も溝の深さが深くなるようにすることが望ましい。また、膜がＭ字状に形成される場合には、上記領域の最外周部よりも中央部側で最も溝の深さが深くなるようにすることが望ましい。

本発明の膜形成方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、前記隔壁によって区画される領域の外周部に溝を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、前記液体材料を乾燥して前記溝を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、隔壁の近傍に溝が形成されているので、膜の端部に形成される盛り上がりが抑制され、平坦性の良い膜が得られるようになる。この理由としては、隔壁近傍に運ばれた溶質（機能性材料）が溝内に収容されること、溝によって隔壁近傍の液体の対流が変わること、等が考えられており、また実験的にも、溝を形成することによって隔壁近傍の膜の盛り上がりが解消されることが検証されている。

なお、本明細書において「機能性材料」とは、電気・電子的機能（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等）、光学的機能（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的機能（硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的機能（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的機能（耐摩耗性等）、熱的機能（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体的機能（生体適合性、抗血栓性等）等の種々の機能を持った材料をいう。また、機能性材料を含む液体材料とは、液体材料中に含まれる固形成分を膜化することによって、上述の機能を有する膜（機能膜）を形成し得るものをいう。例えば、発光装置における発光層を形成する場合には、機能性材料として蛍光あるいはリン光を有する材料を用いればよく、カラーフィルタを形成する場合には、顔料等の微粒子着色材料を用いればよい。また、液晶装置の透明画素電極を形成する場合には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の微粒子導電材料を用いればよい。

本発明においては、前記溝は、前記隔壁を形成する工程と同じ工程で形成されることが望ましい。
この方法によれば、溝を形成するための新たな工程が必要なくなるので、製造が容易になる。また、従来の工程からの移行も容易である。例えば、隔壁をエッチング等でパターニングする場合、隔壁の近傍に深いエッチングの掘り込みを形成すれば、隔壁と溝とを同時に形成することができる。

本発明においては、前記液体材料を配置する工程に際し、前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する親液領域を形成することが望ましい。
前述のように、基体上に配置された液体は、その縁において溶質が局所的に析出する。そして、その析出した溶質によって液体の縁がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液体の収縮（外径の収縮）が抑制される。ここで、隔壁の表面に親液領域が形成されていないと、液体材料の乾燥が開始する点がばらつき、均一な膜厚のパターンを形成することができない。例えば、図１５（ｂ）においては、隔壁近傍に堆積する膜Ｆ２，Ｆ３の膜厚がばらつき、その影響で、中央部の膜Ｆ１においても膜中央部と膜周縁部とで膜厚が異なったものとなる。また、このような乾燥開始位置のばらつきは画素毎に不均一に発生するため、画素毎に均一な膜を形成することが困難になり、その結果、有機ＥＬ装置等の発光デバイスに適用した場合に、発光むらや暗点等の表示不良が生じる場合があった。一方、本発明のように隔壁の表面に親液領域を設けると、液体の縁が親液領域の形成された位置に固定されるので、このような乾燥開始位置のばらつきが生じなくなる。したがって、液体材料の乾燥過程においては、親液領域の形成された位置が乾燥の開始点となって液体材料の乾燥が行なわれ、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜の厚みが不均一になる等の問題は生じない。

なお、以後の説明においては、上述した現象、すなわち、縁で析出した溶質によって乾燥に伴う液体の収縮が抑制される現象を「ピニング」と呼び、このピニングが生じる位置を「ピニングポイント」と呼ぶ。本方法は、隔壁の表面に親液性の領域を設けることで、液体材料のピニングポイント、すなわち液体材料の乾燥の開始される位置を制御するものである。

また、本明細書において「親液性」とは、隔壁によって区画される領域に配置される液体材料に対して親和性を示す特性をいい、「撥液性」とは、液体材料に対して非親和性を示す特性をいう。上記の方法において、親液領域は、該親液領域が形成されない隔壁の表面に比べて相対的に親液性の高い状態に形成されていればよい。隔壁の表面は撥液性を有することが望ましいが、親液性を有していても相対的に親液領域よりも親液性の小さい状態に形成されていれば、液体材料の液面は親液領域の形成された位置に固定することができる。

本発明においては、前記隔壁は、前記液体材料に対して親液性を有する親液層と、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層とを含み、前記隔壁の表面に露出した前記親液層によって前記親液領域が形成されることが望ましい。
この方法によれば、容易に隔壁の表面に親液領域を形成することができる。

本発明においては、前記隔壁の形成工程は、前記親液層を形成する工程と、前記親液層上に前記撥液層を形成する工程と、前記撥液層をパターニングする工程と、前記撥液層をマスクとして前記親液層をパターニングする工程と、を含むことが望ましい。
この方法によれば、親液層と撥液層を面一に形成することができるので、親液層と撥液層の位置ずれによって生じる膜の不均一性を防止することができる。従来の隔壁の形成方法では、親液層と撥液層とを一層ずつ形成していく方法が一般的であった。このため、親液層と撥液層との間に微妙な位置ずれを生じる場合があり、この位置ずれが膜の平坦性に影響を与えることがあった。しかし、本発明のように撥液層をマスクとして親液層をパターニングする方法では、両者の間に位置ずれを生じることがなく、膜の平坦性及び膜厚の均一性も優れたものとなる。また、親液層をパターニングするためのレジストマスクの形成が不要になるので、工程が簡単になるといった利点もある。

本発明においては、前記親液層の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることが望ましい。
基体上に配置された液体材料は、乾燥初期において凸形の液面を成しているが、液量が少なくなるにつれて隔壁の内壁に引っ張られるように断面凹形の液面形状となっていく。この際、液体材料の液面は親液層の上面の位置に固定（ピニング）されるため、形成される膜の厚みは、隔壁によって区画された領域の外周部（隔壁近傍）と中央部のいずれにおいても親液層の厚みと略同じ厚みに制御されることになる。したがって、本方法によれば、形成される膜の厚みを膜全体で均一に制御することができ、平坦性に優れた膜が形成されるようになる。

本発明のデバイスの製造方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、前記膜を形成する工程が、前述した本発明の膜形成方法により行なわれることを特徴とする。
この方法によれば、隔壁の近傍に生じる膜の偏りを防止し、均一な膜を形成することができるので、得られるデバイスも均一な特性を有するものとなる。

本発明においては、前記デバイスは、電極と、前記電極上に形成された前記膜とを備えており、前記溝を形成する工程は、前記電極の表面を部分的に除去することにより行なわれるものとすることができる。この場合、前記電極を部分的に除去する工程は、前記電極の表面を部分的に除去する工程であることが望ましい。
この方法によれば、電極を加工することのみによって容易に本発明の効果を実現することができる。また、電極を厚み方向に完全に除去せずに、電極の表面部分のみを除去することで、開口率等の低下を防止することができる。

本発明においては、前記デバイスは、電極と、前記電極上に形成された前記膜とを備えており、前記溝を形成する工程は、前記電極の外周部の前記隔壁を部分的に除去することにより行なわれるものとすることができる。例えば、隔壁をエッチング等でパターニングする場合、隔壁の近傍に深いエッチングの掘り込みを形成すれば、隔壁と溝とを同時に形成することができる。
この方法によれば、隔壁を加工することのみによって容易に本発明の効果を実現することができる。

本発明においては、前記デバイスは、前記電極上に、正孔注入／輸送層と発光層とを含む膜を備えており、前記膜を形成する工程は、前記隔壁によって区画された領域に前記正孔注入／輸送層の形成材料を含む液体材料を配置して前記正孔注入／輸送層を形成する工程と、前記正孔注入／輸送層上に前記発光層の形成材料を含む液体材料を配置して前記発光層を形成する工程と、を含むものとすることができる。
この方法によれば、正孔注入／輸送層の表面が平坦に形成できるため、この上に形成される発光層も平坦且つ均一に形成することが可能になる。したがって、得られる発光デバイスの発光特性も均一なものとなる。なお、隔壁の近傍には溝が形成されているため、最下層である正孔注入／輸送層の厚みは隔壁の近傍で大きくなるが、正孔注入／輸送層のような導電性の膜においては、膜厚の変化は導電性に大きく影響することはない。したがって、隔壁の近傍とそれ以外の部分で発光特性に大きなむらが生じることはない。

以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。

［膜形成方法］
図１は、本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。本発明の膜形成方法は、基体上に液体材料を配置することにより膜を形成する膜形成方法であって、基体上に前記液体材料Ｌを配置する領域を区画する隔壁Ｂを形成する工程と、前記隔壁Ｂによって区画された領域に機能性材料を含む液体材料Ｌを配置する工程（図１（ａ））と、前記液体材料Ｌを乾燥して前記機能性材料からなる膜Ｆを形成する工程（図１（ｂ））と、を有する。また、前記液体材料Ｌを配置するに際し、前記隔壁Ｂによって区画された領域の外周部に溝Ｄを形成する工程を含み（図１（ａ））、前記溝によって膜Ｆの端部の盛り上がりを抑制し、それにより、平坦性の良い膜を形成することを特徴とする。

隔壁Ｂは、基体上に設けられており、例えば、樹脂等の有機物あるいは無機物からなる。溝Ｄは、液体材料Ｌを配置する領域を囲むように環状に形成されることが望ましい。また、液体材料Ｌとしては、水系及び有機系のいずれも適用される。

膜Ｆが平坦化される理由としては、隔壁近傍に運ばれた溶質（機能性材料）が溝内に収容されること、溝によって隔壁近傍の液体の対流が変わること、等が考えられており、また実験的にも、溝の形成によって隔壁近傍の膜の盛り上がりが解消されることが検証されている。例えば、１００ｎｍ程度の深さの溝Ｄを形成した場合、これまで７ｎｍ程度の膜の盛り上がりが形成されていたところが、１ｎｍ程度の膜の盛り上がりに抑えられることが確認されている。

図２は、隔壁Ｂの他の構成を示す図である。図２において、隔壁Ｂは、液体材料Ｌに対して親液性を有する親液層Ｂ１と、液体材料Ｌに対して撥液性を有する撥液層Ｂ２によって構成されている。この構成においては、隔壁Ｂの表面に前記液体材料Ｌに対して親液性を有する親液領域（親液層Ｂ１）が形成されているため、液体材料Ｌの乾燥過程においては、液体材料Ｌの液面が親液層Ｂ１と撥液層Ｂ２の境界部に固定（ピニング）された状態で乾燥が進む。すなわち、液体材料Ｌの乾燥開始位置（ピニングポイント）は親液層Ｂ１と撥液層Ｂ２の境界部に確実に固定されるようになり、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜Ｆの均一性、平坦性が阻害される等の問題は生じない。

親液層Ｂ１と撥液層Ｂ２の側壁面は、例えば、互いに面一に形成されることが望ましい。また、親液層Ｂ１の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることが望ましい。このような隔壁Ｂは、例えば、親液層Ｂ１を形成する工程と、親液層Ｂ１上に撥液層Ｂ２を形成する工程と、撥液層Ｂ２をパターニングする工程と、撥液層Ｂ２をマスクとして親液層Ｂ１をパターニングする工程と、を含む工程により形成することができる。

従来の隔壁の形成方法では、親液層Ｂ１と撥液層Ｂ２とを一層ずつ形成していく方法が一般的であった。このため、親液層Ｂ１と撥液層Ｂ２との間に微妙な位置ずれを生じる場合があり、この位置ずれが膜の平坦性に影響を与えることがあった。しかし、本方法のように撥液層Ｂ２をマスクとして親液層Ｂ１をパターニングする方法では、両者の間に位置ずれを生じることがなく、膜の平坦性及び膜厚の均一性も優れたものとなる。また、親液層Ｂ１をパターニングするためのレジストマスクの形成が不要になるので、工程が簡単になるといった利点もある。また、親液層Ｂ１の厚みを形成される膜の厚みと略同じとした場合、膜の厚みは、隔壁Ｂによって区画された領域の外周部（隔壁近傍）と中央部のいずれにおいても親液層Ｂ１の厚みと略同じ厚みに制御されることになる。したがって、形成される膜の厚みを膜全体で均一に制御することができ、平坦性に優れた膜が形成されるようになる。

図３は、溝Ｄの他の構成を示す図である。図３において、溝Ｄは、隔壁Ｂからの距離に応じて深さが異なるように形成されている。図１５（ｂ）に示したように、膜の盛り上がりは、隔壁Ｂによって区画された領域の外周部から中央部にかけてテーパ状に形成される。したがって、このテーパ状の盛り上がりに対応して溝Ｄの深さを変化させることで、平坦性の良い膜を形成することが可能になる。例えば、膜がＵ字状に形成される場合には、隔壁Ｂによって区画された領域の最外周部で最も溝Ｄの深さが深くなるようにすることが望ましい。また、膜がＭ字状に形成される場合には、上記領域の最外周部よりも中央部側で最も溝Ｄの深さが深くなるようにすることが望ましい。

ここで、上記膜形成方法における液体材料の配置技術、すなわち、隔壁Ｂによる窪みの内部に液体材料Ｌを配置する技術としては、液滴吐出法（いわゆるインクジェット法）、ディスペンスコート法、あるいはスピンコート法など、各種コート法の適用が可能である。上記コート法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。

液滴吐出技術（インクジェット法）としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式（ピエゾ方式）は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。

［デバイスの構成］
図４は、本発明のデバイスの一実施形態であるアクティブマトリクス型の表示装置（有機ＥＬ装置）を示す部分斜視図である。この表示装置１は、上記本発明の膜形成方法を用いて作製される有機ＥＬ素子を発光素子として備える。また、この表示装置１は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。

表示装置１は、基体２上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、陽極である画素電極１１１、発光層を含む発光部１１、陰極である対向電極１２、及び封止部３等を備えている。

基体２としては、例えば、ガラス基板が用いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。

基体２上には、発光領域としての複数の画素領域Ａがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤（Ｒｅｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の各色に対応する画素領域Ａが所定の配列で並ぶ。各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、その近傍には信号線１０２、共通給電線１０３、走査線１０１及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Ａの平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。

封止部３は、水や酸素の侵入を防いで対向電極１２あるいは発光部１１の酸化を防止するものであり、基体２に塗布される封止樹脂、及び基体２に貼り合わされる封止基板（又は封止缶）６０４等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止基板６０４は、ガラスや金属等からなり、基体２と封止基板６０４とはシール剤を介して貼り合わされている。基体２の内側には乾燥剤が配置されており、基板間に形成された空間には不活性ガスを充填した不活性ガス充填層６０５が形成されている。

画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第１の薄膜トランジスタ１２２と、この薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第２の薄膜トランジスタ１２３と、この薄膜トランジスタ１２３を介して共通給電線１０３に電気的に接続したときに共通給電線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、画素電極１１１と対向電極１２との間に挟み込まれる発光部１１とが設けられている。発光部１１は、発光層としての有機ＥＬ層を含む層（機能層）を含み、発光素子である有機ＥＬ素子１０は、画素電極１１１、対向電極１２、及び発光部１１等を含んで構成される。

画素領域Ａでは、走査線１０１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１２３の導通状態が決まる。また、第２の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して共通給電線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに発光部１１を通じて対向電極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、発光部１１が発光する。

表示装置１においては、発光部１１から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、発光部１１から基体２の反対側に発した光が対向電極１２により反射されて、その光が回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射される（ボトムエミッション型）。なお、対向電極１２として、透明な材料を用いることにより対向電極側から発光する光を出射させることもできる（トップエミッション型）。この場合、対向電極用の透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。

ここで、図５に示す平面構造を説明する。図５は、表示装置１に備えられた各画素Ａの平面構造を示す図であって、（ａ）は画素Ａのうち主にＴＦＴ等の画素駆動部分を示す図であり、（ｂ）は画素間を区画する隔壁１１２等を示す図である。図５に示すように、画素領域Ａは、平面視略矩形状の画素電極１１１の四辺が、上述した信号線１０２、共通給電線１０３、走査線１０１によって囲まれた配置となっている。画素領域Ａの四辺は、隔壁１１２によって囲まれている。隔壁１１２は、画素電極１１１の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部１１２ｇを有しており、この開口部１１２ｇに有機ＥＬ素子が形成されている。

画素電極１１１の外周部には、該画素電極１１１を部分的に除去して形成された段差１１１ｓが形成されている。段差１１１ｓは画素電極１１１の四辺に沿って形成されており、該段差１１１ｓによって画素電極１１１の中央部に凸状部１１１ｐが形成されている。隔壁１１２と凸状部１１１ｐとの間には隙間が形成されており、この隙間に形成された段差１１１ｓによって、隔壁Ｂの近傍に環状の溝Ｄが形成されている。

図６は、上記表示装置１における画素領域Ａ近傍の断面構造を拡大した図である。図６には、１つの画素領域Ａが示されている。図６に示すように、基体２上には、シリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ｂ及びドレイン領域１４１ａが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成され、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上に透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ｂ、１４１ａにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４６、１４５が形成されている。なお、下地保護膜２ｃから第２層間絶縁膜１４４ｂまでの層によって回路素子部１４が形成されている。

第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が共通給電線１０３に接続されている。このように、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２も形成されているが、図６ではこれらの図示を省略している。

発光部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々の上に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０（正孔注入／輸送層１１０ａ）の間に備えられて各機能層１１０を区画する隔壁１１２とを主体に構成されている。また、機能層１１０上には対向電極１２が配置されている。発光素子である有機ＥＬ素子１０は、画素電極１１１、対向電極１２、及び機能層１１０等を含んで構成される。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されており、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、１５０ｎｍ程度がよい。また、画素電極１１１の外周部には、画素電極１１１の表面を部分的に除去して形成された段差１１１ｓが形成されている。この段差１１１ｓの高さは２〜１００ｎｍの範囲が好ましく、より望ましくは、５〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、各画素電極１１１…の間には、隔壁１１２が備えられている。

隔壁１１２は、基体２側から順に、第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂを備えている。第１隔壁層１１２ａは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と第１隔壁層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。第１隔壁層１１２ａの表面には、第２隔壁層１１２ｂが形成されている。

第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂは、画素電極１１１上に開口部を有しており、これらが連通して隔壁１１２の開口部１１２ｇを形成している。第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂの開口部は互いに面一に形成されており、これらが連通して開口部１１２ｇを形成している。

第１隔壁層１１２ａは、例えば、酸化シリコン等の無機材料からなる。第１隔壁層１１２ａの厚さ（高さ）は、例えば、５０〜２００ｎｍの範囲に設定される。第２隔壁層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はシランカップリング剤等の耐熱性、耐溶媒性のある有機材料からなる。第２隔壁層１１２ｂの厚さ（高さ）は、例えば、１〜１０ｎｍ程度に設定される。なお、上記隔壁の厚さは一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

なお、隔壁１１２は上述した２層構造のものに限らず、有機物層若しくは無機物層からなる単層構造のものを用いてもよい。この場合、有機物層としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性の高い材料が用いられる。また、無機物層としては、ポリシラザン、ポリシロキサン等が用いられる。また、ポリシロキサン等を含有した有機・無機ハイブリッド材料を用いることもできる。

第１隔壁層１１２ａの表面は親液性に加工されている。また、第２隔壁層１１２ｂの表面は撥液性に加工されている。撥液性を示す領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。また、第２隔壁層１１２ｂがトリメトキシシラン等のシランカップリング剤からなる場合、そのシランカップリング剤の末端の官能基を選択することにより、第２隔壁層１１２ｂの表層の濡れ性（撥液性）を制御することができる。

機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成してもよい。例えば、電子輸送層を形成してもよい。

正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａの内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、対向電極１２から注入される電子が再結合し、発光が得られる。

発光層１１０ｂは、赤色を発光可能な赤色発光材料、緑色を発光可能な緑色発光材料、及び青色を発光可能な青色発光材料の３種類の発光材料を含み、白色を発光するように構成されている。発光層１１０ｂは表示領域全体を覆うように形成されており、各画素に共通の発光層となっている。発光層１１０ｂで生じた白色光は、図示略のカラーフィルタを透過することによって着色され、カラー表示を行なうようになっている。

正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、この他にも、特に限定されることなく公知の様々な材料が使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。さらに、正孔注入／輸送層の形成材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等も適用される。

また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。

正孔注入／輸送層１１０ａの上面は第１隔壁層１１２ａと第２隔壁層１１２ｂとの境界部に配置されている。第１隔壁層１１２ａの厚みは正孔注入／輸送層１１０ａの厚みと略同じであり、第１隔壁層１１２ａの上面と正孔注入／輸送層１１０ａの上面によって連続する平坦面が形成されている。発光層１１０ｂは第２隔壁層１１２ｂ及び正孔注入／輸送層１１０ａの上面を覆って表示領域全体に形成されている。発光層１１０ｂはスピンコート法等により形成されており、発光層１１０ｂの上面は平坦に形成されている。

対向電極１２は、発光部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この対向電極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。

このとき、発光層に近い側の対向電極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。

また、対向電極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、アルミニウムの他、銀、又はアルミニウムと銀の積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミニウム上に酸化シリコン、窒化シリコン等からなる酸化防止用の保護層を設けてもよい。

なお、本実施形態では、隔壁１１２の近傍に一定の深さの溝Ｄを形成したが、溝Ｄの形態は必ずしもこのような形態に限られるものではない。例えば、図７（ａ）は、図６に示した溝Ｄの形態を模式的に示したものである。この形態では、画素電極（電極）１１１の外周部に垂直な段差１１１ｓを設けることにより、溝Ｄの深さを一定の深さに形成しているが、図７（ｂ）のように、画素電極１１１の外周部にテーパ状の段差１１１ｓを設けることにより、溝Ｄの深さを隔壁１１２からの距離に応じて異ならせることもできる。また、図７（ｃ）に示すように、段差１１２ｓを画素電極１１１ではなく隔壁１１２に設けることにより、画素電極１１１の外周部に溝Ｄを形成することもできる。この形態では、段差１１２ｓ（すなわち溝Ｄ）を画素電極１１１の外周部の隔壁１１２を部分的に除去することにより形成している。さらに、図７（ｄ）に示すように、隔壁１１２にテーパ状の段差１１２ｓを形成することにより、溝Ｄの深さを隔壁１１２からの距離に応じて異ならせることもできる。なお、図７（ｃ）及び図７（ｄ）の形態では、溝Ｄを形成する工程を隔壁１１２を形成する工程と同じ工程で行なうことにより、製造工程の簡略化が図られる。

［デバイスの製造方法］
次に、本発明のデバイスの製造方法の一実施形態として、上記表示装置１の製造方法を説明する。ここでは、（１）隔壁形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）対向電極形成工程を中心に説明する。

（１）隔壁形成工程
まず、図８に示すように、公知の手法を用いて、基体２上に回路素子部１４及び画素電極１１１を形成し、この回路素子部１４上に、第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂからなる隔壁１１２を形成する。画素電極１１１の外周部には、エッチングにより段差１１１ｓを形成する。エッチングは画素電極１１１の表面部分のみに行ない、画素電極１１１を貫通しないようにする。こうすることで、開口率の低下を防止することができる。また、隔壁１１２は、段差１１１ｓとの間に隙間を空けて形成し、隔壁１１２の近傍に段差１１１ｓによって構成される溝Ｄを形成する。

第１隔壁層１１２ａは、正孔注入／輸送層形成工程及び発光層形成工程で使用する液体材料（第１組成物、第２組成物）に対して親液性を有する親液層として形成される。また、第２隔壁層１１２ｂは、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層として形成される。また、必要に応じて、第１隔壁層１１２ａの表面に親液処理が施され、第２隔壁層１１２ｂの表面に撥液処理が施される。

第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂには画素電極１１１上に互いに連通する開口部が形成される。第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂの開口部は面一に形成される。第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂは１層ずつパターニングしても良いし、第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂを形成した後、第２隔壁層上に設けた共通のマスクを用いて第１隔壁層１１２ａ及び第２隔壁層１１２ｂをドライエッチング等で一括してパターニングしても良い。

（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に、図９に示すように、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて、正孔注入／輸送層の形成材料を含む第１組成物（液体材料）１１０ｃを画素電極１１１上に吐出する。第１組成物１１０ｃの吐出は、インクジェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２を隔壁１１２の開口位置に配置し、インクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対的に移動させながら行なう。

第１組成物１１０ｃとしては、前述した正孔注入／輸送層形成材料を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、第１組成物１１０ｃの組成は上記例に限定されるものではない。

第１組成物１１０ｃの吐出量は、隔壁１１２による窪み（開口）の大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物を一度に隔壁間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第１組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第１組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。

吐出された第１組成物１１０ｃの液滴は、親液処理された画素電極１１１の電極面上に広がり、隔壁１１２間に充填される。隔壁１１２表面（上面１１２ｆ）が撥液性に加工されているので、仮に、第１組成物１１０ｃが所定の吐出位置から外れて隔壁１１２の上面１１２ｆに吐出されたとしても、その上面１１２ｆで第１組成物１１０ｃの液滴がはじかれ、隔壁１１２の開口部１１２ｇに転がり込む。

続いて、図１０に示すように、画素電極１１１上に配置された第１組成物１１０ｃを乾燥し、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層の膜を形成する。この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とするのが好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

第１組成物１１０ｃは、その乾燥過程において図１０に示すようにその液面が徐々に低下し、最終的に第１組成物中の溶質（正孔注入／輸送層の形成材料）のみが析出して正孔注入／輸送層を形成する。このとき、隔壁１１２の側壁面には親液層である第１隔壁層１１２ａが露出しているため、第１組成物１１０ｃの液面が親液層である第１隔壁層１１２ａと撥液層である第２隔壁層１１２ｂとの境界部で固定（ピニング）され、この境界部が乾燥の開始点となって溶質の堆積が隔壁１１２の開口領域全体で均一に行なわれる。また、第１隔壁層１１２ａの厚みは正孔注入／輸送層の厚みと略同じに形成されているため、形成される正孔注入／輸送層の厚みは、隔壁１１２によって区画された領域の外周部（隔壁近傍）と中央部のいずれにおいても第１隔壁層１１２ａの厚みと略同じ厚みに制御される。

図１１は、正孔注入／輸送層１１０ａを形成した状態を示す図である。図１１において、正孔注入／輸送層１１０ａは第１隔壁層１１２ａの開口領域全体に均一な厚みで形成されている。また、第１隔壁層１１２ａの厚みと正孔注入／輸送層１１０ａの厚みが略同じであることから、第１隔壁層１１２ａの上面と正孔注入／輸送層１１０ａの上面とで連続した平坦面が形成されている。

（３）発光層形成工程
次に、図１２に示すように、スピンコート法により、隔壁１１２及び正孔注入／輸送層１１０ａ上の全面に、発光層の形成材料を含む第２組成物を塗布し、これを乾燥することにより、発光層１１０ｂの膜を形成する。第２組成物としては、前述した発光層形成材料を非極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。なお、第２組成物を塗布する方法としては、スピンコート法の他に、ディップコート法や、ノズルコート法、ブレードコート法などの方法を用いても良い。

発光層１１０ｂは、スピンコート法等により形成されることにより、表面が平坦に形成される。正孔注入／輸送層１１０ａの表面も平坦に形成されていることから、発光層１１０ｂの厚みは画素電極１１１上において均一な厚みに形成される。

（４）対向電極形成工程
次に、図１３に示すように、発光層１１０ｂ上の全面に対向電極１２を形成する。対向電極１２は複数の材料を積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばカルシウム、バリウム等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にフッ化リチウム等を薄く形成した方がよい場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばアルミニウムを用いる事もできる。また、対向電極１２上に、酸化防止のために酸化シリコン、窒化シリコン等の保護層を設けてもよい。

以上の工程により、基体２上に発光部１１が形成され、有機ＥＬ素子１０が形成される。この後、有機ＥＬ素子が形成された基体２を封止し、基体２の配線に対向電極１２を接続するとともに、基体２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、表示装置１が完成する。

［電子機器］
図１４は、上記表示装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図１４に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の表示装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の表示装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る表示装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な表示装置となっている。

上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの機器においても、高画質表示が可能になっている。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。 本発明の膜形成方法の他の例を示す図である。 本発明の膜形成方法の他の例を示す図である。 本発明のデバイスの一例である表示装置の構成を模式的に示す図である。 同表示装置の１画素の構成を示す平面図である。 表示装置における画素領域近傍の断面構造を拡大した図である。 隔壁の近傍に設けられる溝の形態例を示す断面模式図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 電子機器の一例を示す斜視構成図。 従来の膜形成方法を概念的に示す図である。

符号の説明

１…表示装置（デバイス）、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１０ｃ…第１組成物（液体材料）、１１１…画素電極（電極）、１１１ｓ…段差、１１２…隔壁、１１２ａ…第１隔壁層（親液層）、１１２ｂ…第２隔壁層（撥液層）、１１２ｇ…開口部（隔壁によって区画された領域）、１１２ｓ…段差、Ｂ…隔壁、Ｄ…溝、Ｆ…膜、Ｌ…液体材料

Claims (14)

1. 隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁によって区画された領域の外周部に設けられた溝と、を有することを特徴とするデバイス。
2. 前記溝は、前記膜が形成される領域を囲むように環状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
3. 前記溝は、前記隔壁からの距離に応じて深さが異なることを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイス。
4. 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、
   前記隔壁によって区画される領域の外周部に溝を形成する工程と、
   前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、
   前記液体材料を乾燥して前記溝を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする膜形成方法。
5. 前記溝は、前記隔壁を形成する工程と同じ工程で形成されることを特徴とする請求項４に記載の膜形成方法。
6. 前記液体材料を配置する工程に際し、前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する親液領域を形成することを特徴とする請求項４又は５に記載の膜形成方法。
7. 前記隔壁は、前記液体材料に対して親液性を有する親液層と、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層とを含み、前記隔壁の表面に露出した前記親液層によって前記親液領域が形成されることを特徴とする請求項６に記載の膜形成方法。
8. 前記隔壁の形成工程は、前記親液層を形成する工程と、前記親液層上に前記撥液層を形成する工程と、前記撥液層をパターニングする工程と、前記撥液層をマスクとして前記親液層をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の膜形成方法。
9. 前記親液層の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることを特徴とする請求項７又は８に記載の膜形成方法。
10. 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、
    前記膜を形成する工程が、請求項４〜９のいずれかの項に記載の膜形成方法により行なわれることを特徴とするデバイスの製造方法。
11. 前記デバイスは、電極と、前記電極上に形成された前記膜とを備えており、
    前記溝を形成する工程は、前記電極を部分的に除去することにより行なわれることを特徴とする請求項１０に記載のデバイスの製造方法。
12. 前記電極を部分的に除去する工程は、前記電極の表面を部分的に除去することにより行なわれることを特徴とする請求項１１に記載のデバイスの製造方法。
13. 前記デバイスは、電極と、前記電極上に形成された前記膜とを備えており、
    前記溝を形成する工程は、前記電極の外周部の前記隔壁を部分的に除去することにより行なわれることを特徴とする請求項１０に記載のデバイスの製造方法。
14. 前記デバイスは、前記電極上に、正孔注入／輸送層と発光層とを含む膜を備えており、
    前記膜を形成する工程は、前記隔壁によって区画された領域に前記正孔注入／輸送層の形成材料を含む液体材料を配置して前記正孔注入／輸送層を形成する工程と、前記正孔注入／輸送層上に前記発光層の形成材料を含む液体材料を配置して前記発光層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかの項に記載のデバイスの製造方法。
    
    

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