CN104538351B - 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104538351B
CN104538351B CN201410851459.2A CN201410851459A CN104538351B CN 104538351 B CN104538351 B CN 104538351B CN 201410851459 A CN201410851459 A CN 201410851459A CN 104538351 B CN104538351 B CN 104538351B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulating layer
electrode
light emitting
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410851459.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104538351A (zh
Inventor
辛龙宝
廖金龙
王美丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410851459.2A priority Critical patent/CN104538351B/zh
Publication of CN104538351A publication Critical patent/CN104538351A/zh
Priority to PCT/CN2015/094757 priority patent/WO2016107313A1/zh
Priority to US15/320,506 priority patent/US10163997B2/en
Priority to EP15874993.7A priority patent/EP3242344B1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104538351B publication Critical patent/CN104538351B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置。所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。

Description

有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管阵列基板、一种有机发光二极管显示装置以及一种有机发光二极管阵列基板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)因其具有自发光、反应快、色彩丰富等特点而日益成为重要的显示器件。在现有技术中，OLED阵列基板的结构比较复杂，通常涉及薄膜晶体管和有机发光二极管结构，其中，薄膜晶体管的栅极、源、漏极、有机发光二极管的阴极、阳极等多种结构需要采用很多次构图工艺来实现。这导致OLED阵列基板的制作工艺比较复杂。
另外，在有机发光二极管中形成均匀稳定的有机发光材料层非常重要，特别是采用喷墨打印技术时，一旦有机发光材料的墨滴不能在墨滴容纳单元中均匀地铺展，可能会导致云纹(Mura)等缺陷。这会制约OLED阵列基板的产品良率。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机发光二极管阵列基板，其易于制作且具有更高的产品良率。
本发明的目的还在于提供一种有机发光二极管阵列基板的制作方法以及包含上述有机发光二极管阵列基板的有机发光二极管显示装置。
为了实现上述发明目的，本发明的技术方案通过以下方式来实现：
本发明的实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：
通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；
在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；
对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及
将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。
在一实施例中，所述制造方法在形成所述容纳腔之后、将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层之前还包括：
通过容纳腔对与有源层同层形成的第一电极进行过曝光处理以提高其导电性。
在一实施例中，所述过曝光处理采用的光线波长在200nm至400nm之间，处理时间在0.5分钟至2分钟之间。
在一实施例中，经过曝光处理后的第一电极具有亲液性。
在一实施例中，所述第一绝缘层为刻蚀阻挡层。
在一实施例中，所述含有有机发光材料的溶液与所述刻蚀阻挡层表面的接触角小于0度。
在一实施例中，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。
在一实施例中，所述第二绝缘层为像素界定层。
在一实施例中，所述含有有机发光材料的溶液与所述像素界定层表面的接触角大于30度。
在一实施例中，所述像素界定层的材料为有机氟材料。
在一实施例中，所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。
在一实施例中，在形成所述刻蚀阻挡层之后、形成第二绝缘层之前，所述方法还包括：
在所述刻蚀阻挡层上形成源、漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接。
在一实施例中，所述制造方法在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之前，还包括：
在基底上形成薄膜晶体管的栅极；
在栅极上及未被栅极覆盖的基底上形成栅极绝缘层，所述有源层和第一电极形成在栅极绝缘层上。
在一实施例中，所述制造方法在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之后，形成刻蚀阻挡层之前，还包括：
在所述薄膜晶体管的有源层、所述有机发光二极管的第一电极和未被所述薄膜晶体管的有源层及所述有机发光二极管的第一电极覆盖的基底上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接，
其中，在对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔的步骤中，对所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层、第二绝缘层一起进行构图工艺以形成暴露出第一电极的容纳腔。
在一实施例中，所述栅极绝缘层具有亲液性。
本发明的一实施例提供一种有机发光二极管阵列基板，包括：
薄膜晶体管，具有有源层；
有机发光二极管，所述有机发光二级管包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与第二电极之间的有机发光材料层；和
在所述有源层及有机发光二极管的第一电极上方自下至上依次形成的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；其中
所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极同层设置且材料相同；所述第一绝缘层和第二绝缘层中形成有将第一电极暴露于有机发光材料层的容纳腔，所述容纳腔用以容纳所述有机发光材料层。
在一实施例中，所述第一绝缘层为刻蚀阻挡层。
在一实施例中，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。
在一实施例中，所述第二绝缘层为像素界定层。
在一实施例中，所述像素界定层的材料为有机氟材料。
在一实施例中，所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。
在一实施例中，所述薄膜晶体管还包括：
位于所述刻蚀阻挡层上方的源极和漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接；
栅极，所述栅极位于所述有源层的上方或下方；以及
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间。
在一实施例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述栅极位于所述基底上，所述栅极绝缘层布置成将所述栅极以及未被栅极覆盖的基底与所述有源层及所述第一电极分隔开。
在一实施例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述有源层和所述第一电极位于所述基底上，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述第一电极上方并与所述第一绝缘层和第二绝缘层一起形成所述容纳腔。
本发明的实施例还提供一种有机发光二极管显示装置，包括：
根据前述任一实施例所述的有机发光二极管阵列基板。
本发明的上述技术方案中的至少一个方面能够通过将有机发光二极管的一个电极和薄膜晶体管的有源层同层形成来简化工艺和通过疏液层和亲液层的组合结构来提高有机发光材料层的平坦度，进而可以提高有机发光二极管阵列基板的制造良率。
附图说明
图1示出根据本发明的一实施例的有机发光二极管阵列基板的制造方法的示意图；
图2示出亲液性的第一绝缘层和疏液性的第二绝缘层对于含有有机发光材料的溶液作用的示意图；
图3示出根据本发明的一实施例的底栅型有机发光二极管阵列基板的包含薄膜晶体管和有机发光二极管的局部的示意图；
图4示出根据本发明的一实施例的顶栅型有机发光二极管阵列基板的包含薄膜晶体管和有机发光二极管的局部的示意图；
图5示出根据本发明的一实施例的顶发射型的有机发光二极管显示单元的示意图；以及
图6示出根据本发明的一实施例的有机发光二极管显示单元制造方法的示意性流程图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号表示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
本发明的实施例提供了一种包括薄膜晶体管和有机发光二极管的有机发光二极管阵列基板的制造方法。在该制造方法中，首先通过成膜工艺形成氧化物半导体层并对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成薄膜晶体管的有源层108与有机发光二极管的第一电极101，如图1(a)所示。之后，在有源层108和有机发光二极管的第一电极101上依次形成第一绝缘层102和第二绝缘层103，如图1(b)所示，所述第一绝缘层102为亲液层，所述第二绝缘层103为疏液层。然后，对第一绝缘层102和第二绝缘层103进行构图工艺形成暴露出第一电极101的容纳腔104，如图1(c)所示。之后，将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔104中后进行干燥处理以形成有机发光材料层201，如图1(d)所示。
由于采用了将有源层108和第一电极101在一次构图工艺(例如沉积、光刻、显影、蚀刻等)中同层形成的方式，有机发光二极管阵列基板的制造工艺被明显地简化了。而在现有技术中，有源层108和第一电极101是在两次构图工艺中形成的，与之相比，根据本发明的实施例的制造方法可以减少有机发光二极管阵列基板的整个制造过程中的构图工艺次数，提高制作效率及良品率。
如上所述，第一绝缘层102为亲液层，第二绝缘层103为疏液层，这有助于改善有机发光材料层201的平坦度。尤其，对于以喷墨打印方式来实现有机发光材料层201的情形更是如此。用于形成容纳腔104的第一绝缘层102和第二绝缘层103的疏液性及亲液性对于注入容纳腔104中的含有有机发光材料的溶液的表面的平坦性具有明显的影响。如图2所示，如果容纳腔104的壁整体由具有疏液表面的疏液层形成，则含有有机发光材料的溶液(例如成墨滴的形式)在容纳腔104中的上表面会呈上凸形状(如图2中左上图所示)，而如果容纳腔104的壁整体由具有亲液表面的亲液层形成，则含有有机发光材料的溶液在容纳腔中的上表面会呈下凹形状(如图2中左下图所示)。这种明显的上凸或下凹形状可能会导致显示中出现斑纹。而在本发明的实施例中，容纳腔104的壁采用的疏液性的第二绝缘层103和亲液性的第一绝缘层102组合的形式，这样，亲液层和疏液层的效应可以被相互冲抵而使得容纳腔104中的有机发光材料的液滴的上表面趋向于平坦，如图2中右图所示。为了获得更好的效果，可以将第二绝缘层103的厚度比第一绝缘层102的厚度小得多。例如，第二绝缘层103的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。作为示例，疏液性的第二绝缘层103的厚度可以为200～500nm，亲液性的第一绝缘层102的厚度可以为800～2000nm。与采用单一亲液层或疏液层的方案相比，这种亲液层和疏液层组合的结构可以提高有机发光二极管显示器件中有机发光材料层的平坦度，使所述注入的含有有机发光材料的溶液(例如从喷墨打印装置喷射出的有机发光材料液滴)能够均一地铺展在容纳腔104中，以避免显示中出现斑纹缺陷。
作为示例，所述含有有机发光材料的溶液可以为水性液体，所述第二绝缘层103可以为疏水层，所述第一绝缘层102可以为亲水层。
本领域技术人员应当理解，亲液层意味着该层表面易于与液体(在本申请中是含有有机发光材料的溶液)亲和，或者说易于被液体所润湿。相应地，疏液层意味着该层表面不易于与液体(在本申请中是含有有机发光材料的溶液)亲和，或者说不易于被液体所润湿。层的亲液性和疏液性可以依赖于材料和表面处理。
层的亲液性和疏液性可以用与液体的接触角来表示。作为示例，所述含有有机发光材料的溶液与第二绝缘层103的表面的接触角可以大于30度。作为示例，所述含有有机发光材料的溶液与第一绝缘层102的表面的接触角可以小于0度。例如，像素界定层103可以由有机氟材料、有机硅材料、无机纳米材料或感光材料形成。蚀刻阻挡层102例如可以由氧化硅、氧化铝物或无机绝缘层形成。
在一实施例中，氧化物半导体层可以为金属氧化物层，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IGZO)等。作为示例，在形成所述容纳腔104之后、将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔104中后进行干燥处理以形成有机发光材料层201之前，还可以通过容纳腔104对与有源层108同层形成的第一电极101进行过曝光处理以提高其导电性，例如提高与有机发光二极管中的其它材料的功函数的匹配性。该第一电极101不仅可以与有源层108同层形成，还可以与能够由该氧化物半导体层形成的其它功能层同层形成以进一步简化工艺。
作为示例，上述过曝光处理采用的光波长可以在200nm小于等于至400nm之间，处理时间可以在0.5分钟至2分钟之间。作为示例，经过曝光处理后的第一电极101可以具有亲液性。作为示例，第二绝缘层103可以是像素界定层。作为示例，第一绝缘层102可以是刻蚀阻挡层。
作为示例，形成第一绝缘层(例如刻蚀阻挡层)102之后、形成第二绝缘层103之前，根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板的制作方法还可以包括：在第一绝缘层102上形成源、漏极109、110，所述源、漏极109、110分别通过位于所述第一绝缘层102中的第一过孔139和第二过孔140与有源层108电连接，所述漏极通过位于所述第一绝缘层102中的第三过孔141与第一电极101电连接。由此，可以方便地形成薄膜晶体管的除有源层108之外的各个部件。
作为示例，在形成所述薄膜晶体管的有源层108与所述有机发光二极管的第一电极101之前，根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板的制作方法还可以包括：在基底106上形成薄膜晶体管的栅极107；和在栅极107上及未被栅极107覆盖的基底106上形成栅极绝缘层105，所述有源层108和第一电极101形成在栅极绝缘层105上。由此制成的有机发光二极管阵列基板为底栅型有机发光二极管阵列基板，如图3所示。作为示例，还可以在基底106上形成栅极107的同时在基底106上与容纳腔104对应的位置上形成反光层120，即该反光层120与栅极107同层形成，从而在不增加构图工艺次数的情况下形成顶发射型的有机发光二极管阵列基板，如图5所示。
替代地，作为示例，在形成所述薄膜晶体管的有源层108与所述有机发光二极管的第一电极101之后、形成第一绝缘层(例如刻蚀阻挡层)102之前，根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板的制作方法还可以包括：在所述薄膜晶体管的有源层108、所述有机发光二极管的第一电极101和未被所述薄膜晶体管的有源层及所述有机发光二极管的第一电极101覆盖的基底上形成栅极绝缘层105；在所述栅极绝缘层105上形成栅极；所述源、漏极分别通过位于所述第一绝缘层102和所述栅极绝缘层105中的第一过孔139和第二过孔140与所述有源层108电连接，所述漏极通过位于所述第一绝缘层102和所述栅极绝缘层105中的第三过孔141与所述有机发光二极管的第一电极101电连接。在对所述第一绝缘层102、第二绝缘层103进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔104的步骤中，对所述栅极绝缘层105与所述第一绝缘层102、第二绝缘层103一起进行构图工艺以形成暴露出第一电极的容纳腔104。制成的有机发光二极管阵列基板为顶栅型有机发光二极管阵列基板，如图4所示。在该示例中，栅极绝缘层105例如可以为亲液层。
图6示出了根据本发明的实施例的有机发光二极管显示单元制造方法的示意性流程图。如前所述，该有机发光二极管显示单元制造方法300可以包括：
步骤301：通过成膜工艺形成氧化物半导体层并对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；
步骤302：在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；
步骤303：对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及
步骤305：将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。
采用本发明的实施例的制造方法，不仅第一电极和有源层可以由同一次构图工艺实现，而且相比于第一电极和有源层处于两个不同的层的情况，可以省去用于分隔这两个层的绝缘层，进一步简化工艺。再者，在形成容纳腔时，可以对第一绝缘层和第二绝缘层一起进行刻蚀以使工艺进一步简化。
作为示例，在步骤303和305之间还可以包括可选的步骤304(如图中虚线框所示)：通过容纳腔对与有源层同层形成的第一电极进行过曝光处理以提高其导电性。
本发明的实施例还提供了一种有机发光二极管阵列基板，该有机发光二极管阵列基板200可以包括：薄膜晶体管211，具有有源层108；有机发光二极管212，所述有机发光二级管212包括第一电极101、第二电极202和设置在所述第一电极101与第二电极202之间的有机发光材料层201；和位于在所述有源层108及有机发光二极管的第一电极101上方自下至上依次形成的第一绝缘层102和第二绝缘层103。所述第一绝缘层102为亲液层，所述第二绝缘层103为疏液层。所述有源层108和所述有机发光二极管的第一电极101同层设置且材料相同。所述第一绝缘层102和第二绝缘层103中形成有将第一电极暴露于有机发光材料层201的容纳腔104，所述容纳腔104用以容纳所述有机发光材料层201。
由于有源层108和第一电极101同层设置且材料相同，因此它们可以以同一构图工艺形成，这可以在制作有机发光二极管阵列基板200过程中减少构图工艺的次数，提高制作效率及良品率。
另外，由于采用了由第一绝缘层102和第二绝缘层103组成的亲液层和疏液层组合结构，根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板200中的有机发光材料层的平坦度能够得到改善，使用于形成有机发光材料层而注入容纳腔的含有有机发光材料的溶液(例如从喷墨打印装置喷射出的有机发光材料液滴)能够均一地铺展在容纳腔104中，以抑制如斑纹、咖啡环等缺陷。为了获得更好的效果，可以将第二绝缘层103的厚度比第一绝缘层102的厚度小得多。例如，第二绝缘层103的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。
作为示例，第一绝缘层102可以为刻蚀阻挡层，第二绝缘层103可以为像素界定层。在一示例中，在制作过程中用于形成有机发光材料层而注入容纳腔的含有有机发光材料的溶液与刻蚀阻挡层表面的接触角小于0度，与像素界定层表面的接触角大于30度。
在一示例中，所述薄膜晶体管211还可以包括：位于第一绝缘层(例如刻蚀阻挡层)102上方的源极109和漏极110，所述源、漏极分别通过位于所述第一绝缘层102中的第一过孔139和第二过孔140与所述有源层108电连接，所述漏极110通过位于第一绝缘层102中的第三过孔141与所述有机发光二极管的第一电极101电连接；栅极107，所述栅极位于所述有源层108的上方或下方；以及栅极绝缘层105，所述栅极绝缘层105位于所述有源层108和所述栅极107之间。由此，可以方便地形成薄膜晶体管211的除有源层108之外的各个部件。该薄膜晶体管211可用于在显示元件工作时对有机发光二极管电极层的电压进行控制，例如驱动有机发光材料发光或停止发光。
在一示例中，如图3和图5所示，所述有机发光二极管阵列基板200还可以包括基底106，所述栅极107位于所述基底106上，所述栅极绝缘层105布置成将所述栅极107以及未被栅极107覆盖的基底106与所述有源层108及所述第一电极101分隔开。
在另一示例中，如图4所示，所述有机发光二极管阵列基板200还可以包括基底106，所述有源层108和所述第一电极101位于所述基底106上，所述栅极绝缘层105位于所述有源层108和所述第一电极101上方并与所述第一绝缘层102和第二绝缘层103一起形成所述容纳腔104。由此，容纳腔104可以由第一绝缘层102、第二绝缘层103和栅极绝缘层105一起刻蚀形成，工艺得以简化。
在一示例中，根据本发明的实施例的有机发光二极管阵列基板200还可以包括上下电极连接结构111，如图1所示。该上下电极连接结构111包括与下电极1111、上电极1112和将两者连接的接触孔1113。下电极1111可以与栅极107同层设置。所述上下电极连接结构111可以用于为有机发光二极管阵列基板中的各个电极供电。
作为示例，第一电极101、栅极绝缘层105和基板106都可以是透光的，以供容纳腔104中的有机发光材料在电压作用下发出的光能够从第一电极101透射出。
作为示例，如图5所示，在所述栅极绝缘层105下方的基板106上设有反光层120，所述反光层120的位置与所述容纳腔104的底部相对。该反光层120可以将有机发光材料朝向底部(例如透过有机发光二极管的第一电极101)发出的光向有机发光二极管的顶部反射。作为示例，所述反光层120可以由金属材料制成，例如铝、铝银合金、钼或钼合金等。图3-5中的箭头指示光发射方向。为了简化工艺，在一示例中，反光层120可以与栅极107同层形成且材料相同。
作为示例，所述容纳腔104的壁与垂直于有机发光二极管电极层101方向的夹角可以小于30度。这可以使墨滴容纳单元更易于制造，不易出现短路的情况。
需要说明的是，为了更好地满足有机发光二极管的工作需要，还可以在有机发光二极管的第一电极101和有机发光材料层201之间设置空穴传输层和空穴注入层，还可以在有机发光材料层有机发光材料层201和第二电极202之间设置电极传输层和电子注入层。
在本发明的实施例中，第一电极101可以是有机发光二极管的阳极，第二电极202可以是有机发光二极管的阴极，反之亦然。
为了满足有机发光二极管显示器件200的具体功能的要求，还可以在有机发光二极管阵列基板200中设置例如电容器119(如图1中左虚线框所示)等元件。
在本发明的实施例中，容纳腔104可以容纳有机发光二极管显示器件工作所需的任伺一种颜色的有机发光材料，例如红色的、绿色的、蓝色的等等。
本发明的实施例还提供了一种包括上述任一实施例中所述的有机发光二极管阵列基板200的有机发光二极管显示装置。
需要说明的是，本实施例所提供的OLED显示装置可为WOLED(White OrganicLight-Emitting Diode，白光有机发光二极管)显示装置，也可为POLED(Polymer OrganicLight-Emitting Diode，聚合物有机发光二极管)显示装置等。
另外，本实施例中的OLED显示装置可以为OLED显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然结合附图对本发明进行了说明，但是附图中公开的实施例旨在对本发明优选实施方式进行示例性说明，而不能理解为对本发明的一种限制。
虽然本发明总体构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (23)

1.一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：
通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；
在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成层叠结构，所述第二绝缘层层叠在所述第一绝缘层上方；
对所述层叠结构进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及
将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层，
其中，所述第一绝缘层是刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中在形成所述容纳腔之后、将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层之前还包括：
通过容纳腔对与有源层同层形成的第一电极进行过曝光处理以提高其导电性。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述过曝光处理采用的光线波长在200nm至400nm之间，处理时间在0.5分钟至2分钟之间。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中经过曝光处理后的第一电极具有亲液性。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述含有有机发光材料的溶液与所述刻蚀阻挡层表面的接触角小于0度。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二绝缘层为像素界定层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述含有有机发光材料的溶液与所述像素界定层表面的接触角大于30度。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述像素界定层的材料为有机氟材料。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中形成所述刻蚀阻挡层之后、形成第二绝缘层之前，所述方法还包括：
在所述刻蚀阻挡层上形成源、漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之前，还包括：
在基底上形成薄膜晶体管的栅极；
在栅极上及未被栅极覆盖的基底上形成栅极绝缘层，所述有源层和第一电极形成在栅极绝缘层上。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其中在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之后，形成刻蚀阻挡层之前，还包括：
在所述薄膜晶体管的有源层、所述有机发光二极管的第一电极和未被所述薄膜晶体管的有源层及所述有机发光二极管的第一电极覆盖的基底上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接，
其中，在对所述层叠结构进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔的步骤中，对所述栅极绝缘层与所述层叠结构一起进行构图工艺以形成暴露出第一电极的容纳腔。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中所述栅极绝缘层具有亲液性。
15.一种有机发光二极管阵列基板，包括：
薄膜晶体管，具有有源层；
有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与第二电极之间的有机发光材料层；和
在所述有源层及有机发光二极管的第一电极上方自下至上依次形成的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层，
其中，所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极同层设置且材料相同，
所述第一绝缘层和第二绝缘层中形成有将第一电极暴露于有机发光材料层的容纳腔，所述容纳腔用以容纳所述有机发光材料层，
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成层叠结构，所述第二绝缘层层叠在所述第一绝缘层上方，
其中，所述第一绝缘层是刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管阵列基板，其中所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。
17.根据权利要求15所述的有机发光二极管阵列基板，其中所述第二绝缘层为像素界定层。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管阵列基板，其中所述像素界定层的材料为有机氟材料。
19.根据权利要求15-18中任一项所述的有机发光二极管阵列基板，其中所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。
20.根据权利要求15-18中任一项所述的有机发光二极管阵列基板，所述薄膜晶体管还包括：
位于所述刻蚀阻挡层上方的源极和漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接；
栅极，所述栅极位于所述有源层的上方或下方；以及
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述栅极位于所述基底上，所述栅极绝缘层布置成将所述栅极以及未被栅极覆盖的基底与所述有源层及所述第一电极分隔开。
22.根据权利要求20所述的有机发光二极管阵列基板，其中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述有源层和所述第一电极位于所述基底上，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述第一电极上方并与所述第一绝缘层和第二绝缘层一起形成所述容纳腔。
23.一种有机发光二极管显示装置，包括：
根据权利要求15-22中任一项所述的有机发光二极管阵列基板。
CN201410851459.2A 2014-12-31 2014-12-31 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置 Active CN104538351B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410851459.2A CN104538351B (zh) 2014-12-31 2014-12-31 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
PCT/CN2015/094757 WO2016107313A1 (zh) 2014-12-31 2015-11-17 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
US15/320,506 US10163997B2 (en) 2014-12-31 2015-11-17 OLED array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus
EP15874993.7A EP3242344B1 (en) 2014-12-31 2015-11-17 Organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method therefor, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410851459.2A CN104538351B (zh) 2014-12-31 2014-12-31 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104538351A CN104538351A (zh) 2015-04-22
CN104538351B true CN104538351B (zh) 2018-06-08

Family

ID=52853855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410851459.2A Active CN104538351B (zh) 2014-12-31 2014-12-31 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10163997B2 (zh)
EP (1) EP3242344B1 (zh)
CN (1) CN104538351B (zh)
WO (1) WO2016107313A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538351B (zh) * 2014-12-31 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102360093B1 (ko) * 2015-07-22 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN105826358B (zh) * 2016-05-24 2019-02-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN107425032B (zh) * 2017-04-24 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 用于制备显示装置的方法以及显示装置
CN107527939B (zh) * 2017-08-17 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
CN109671856A (zh) * 2017-10-13 2019-04-23 中华映管股份有限公司 有机发光二极管结构及其制造方法
CN109698215B (zh) * 2017-10-23 2024-06-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107887423B (zh) * 2017-11-14 2019-08-13 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN110277420B (zh) * 2018-03-16 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2020082358A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Structure of 3d nand memory device and method of forming the same
CN109461846A (zh) * 2018-10-29 2019-03-12 福州大学 一种基于喷墨打印的像素界定层及其制备方法
CN111293231B (zh) * 2020-02-24 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 Woled显示基板及其制作方法、woled显示装置
CN112234089B (zh) * 2020-10-16 2022-07-29 青岛三顺智能电器有限公司 一种oled显示面板以及显示屏
WO2022104739A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793457A (en) * 1995-11-06 1998-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Fabrication process of liquid crystal display element
CN1429051A (zh) * 2001-12-18 2003-07-09 精工爱普生株式会社 显示装置以及电子仪器
CN101076211A (zh) * 2006-05-19 2007-11-21 精工爱普生株式会社 设备、膜形成方法及设备的制造方法
CN103681773A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP5519532B2 (ja) * 2010-04-19 2014-06-11 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびそれを備えた有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN102651455B (zh) * 2012-02-28 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件、amoled器件及其制造方法
CN104538351B (zh) * 2014-12-31 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793457A (en) * 1995-11-06 1998-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Fabrication process of liquid crystal display element
CN1429051A (zh) * 2001-12-18 2003-07-09 精工爱普生株式会社 显示装置以及电子仪器
CN101076211A (zh) * 2006-05-19 2007-11-21 精工爱普生株式会社 设备、膜形成方法及设备的制造方法
CN103681773A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10163997B2 (en) 2018-12-25
US20170186828A1 (en) 2017-06-29
WO2016107313A1 (zh) 2016-07-07
CN104538351A (zh) 2015-04-22
EP3242344B1 (en) 2021-08-25
EP3242344A1 (en) 2017-11-08
EP3242344A4 (en) 2018-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104538351B (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
KR101990116B1 (ko) 유기발광장치 및 그것의 제조방법
US9373814B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display panel, pixel define layer (PDL) and preparation method thereof
US11362148B2 (en) Quantum dot display panel and manufacturing method thereof
TWI549286B (zh) 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
KR101339000B1 (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
CN104244485B (zh) 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备
KR102416742B1 (ko) 투명 표시 장치
WO2016056364A1 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP2015015241A (ja) 有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法
JP2005093396A5 (zh)
CN104716091A (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件
JP2013054863A (ja) 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器
KR102096887B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
WO2015143838A1 (zh) Oled像素结构及其制备方法，oled显示面板及oled显示器
CN109920923A (zh) 有机发光二极管器件及制备方法、显示面板、显示装置
CN106067474A (zh) 有机发光显示装置
JP2007108469A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置及び電子機器
TW201445787A (zh) 發光顯示裝置
CN107026189A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20140127382A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20160172424A1 (en) Organic light-emitting device
JP2016126860A (ja) 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
CN110853509B (zh) 显示面板及其制备方法
KR20140070142A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant