JPH09330793A - 多色発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた発光効率、視認性、および発光寿命を
有するとともに、耐衝撃性にも優れた有機ＥＬ多色発光
装置を提供すること、およびこの多色発光装置の発光効
率等の性能を低下させることなく安定して、製造するこ
とができる方法を提供する。 【解決手段】 支持基板２と、この支持基板上に配設し
た有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１と、こ
の有機ＥＬ素子１からの発光を吸収して異なった可視光
の蛍光を発光し得るようにこの有機ＥＬ素子の透明電極
１ａまたは電極１ｃに対応して配設した蛍光体４とを備
え、支持基板が、有機ＥＬ素子の発光部分に対応する部
分に空隙２ａを有し、その空隙２ａに蛍光体４が埋設さ
れてなり、かつ蛍光体４および支持基板２と有機ＥＬ素
子１との間に透明な絶縁層３が配設されてなることを特
徴とする多色発光装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多色発光装置およ
びその製造方法に関する。さらに詳しくは各種発光型の
マルチカラーまたはフルカラーの薄型ディスプレイに好
適に用いられる多色発光装置およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下Ｅ
Ｌ素子という）は、自己発光のため視認性が高く、また
完全固体のため耐衝撃性に優れるという特徴を有してお
り、現在、無機、有機化合物を発光層に用いた様々なＥ
Ｌ素子が提案され、実用化が試みられている。この実用
化の一つとして、ＥＬ素子を用いた多色発光装置を挙げ
ることができる。

【０００３】この多色発光装置としては、まず白色発光
の無機ＥＬ素子に三原色（赤，緑，青）のカラーフィル
タを設置したもの、三原色に発光する無機ＥＬ素子を順
次パターニングして三原色に発光するＥＬ素子を平面に
分離配置したものがある（Semicond. Sci. Technol. 6
（1991）305-323）。しかしながら、白色光を三原色の
カラーフィルタで分解すると、三原色の一色の発光効率
が、高々白色のそれの３分の１（３３％）に限定されて
しまうという問題があった。さらに、白色光を効率よく
発光させることができる素子そのものは、まだ得られて
いないのが現状である。

【０００４】一方、ＥＬ素子のパターニングにはフォト
リソグラフィー法が使用されているが、このようなウェ
ットプロセスではＥＬ素子の効率および安定性の低下が
甚だしいことが知られている。ＥＬ素子の中でも、有機
ＥＬ素子が高輝度、高効率の発光素子として有望である
ことが知られている。特に、発光層が有機物であるた
め、種々の発光色が有機物の分子設計により得られる可
能性が高く、有機ＥＬ素子の実用化の一つとして、多色
発光装置への応用が期待されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機Ｅ
Ｌ素子においても、外部からの水蒸気、酸素、および有
機物のガス等の化学的要因により、黒点の発生に付随し
て輝度の低下等の劣化が起こり、また、素子構成が低分
子の有機物の積層体であるため、熱、または衝撃等の物
理的（機械的）要因により比較的破壊しやすいという問
題があった。したがって、多色化のために、三原色（Ｒ
ＧＢ）の発光をする各々の有機ＥＬ素子を平面的に分離
配置する方法は、フォトリソグラフィー法のように、ウ
ェットな、または熱処理のあるプロセスでは困難であっ
た。従って、近年では、有機ＥＬ素子の発光部分に対応
する部分（積層または並列）に、有機ＥＬ素子の発光を
吸収して可視光の蛍光を発光する蛍光体層を設置する技
術が開示されている（特開平３−１５２８９７号公
報）。この技術によれば、例えば有機ＥＬ素子の青色ま
たは青緑色の発光に対し、より長波長の可視光への蛍光
に変換が可能である。この技術の応用として緑または赤
色に変換できる蛍光体層を平面的に分離配置した多色
（三原色）発光装置が開示されている（特開平５−２５
８８６０号公報）。

【０００６】ここで、蛍光体層を設置するメリットは、
カラーフィルタを設置した場合と比較して高効率の多色
発光が期待できることにある。すなわち、有機ＥＬ素子
からの青色発光に対して、蛍光体の青色発光の吸収効率
が少なくとも８０％以上であるとして、次に吸収した光
に対して少なくとも８０％以上の効率で蛍光を発光する
各種の蛍光材料が知られている。従って、８０％の吸収
効率と８０％の蛍光効率とを仮定すると、有機ＥＬ素子
の青色発光の６４％が長波長の可視光に変換することが
できる計算になる。

【０００７】このようにして有機ＥＬ素子と蛍光体層を
用いて多色発光装置を得ることができるが、特開平５−
２５８８６０号公報によると、その多色発光装置の構成
として以下のように提案している。すなわち、図１３に
示すように透明基板上１１に有機ＥＬ素子１の発光を吸
収してそれぞれ緑色，赤色の蛍光を発光する蛍光体４
Ｒ，４Ｇを平面的に分離配置し、その蛍光体４Ｒ，４Ｇ
を含む透明基板１１上に有機モノマーまたはオリゴマー
の重合および／または架橋物、ゾルゲルガラス技法によ
る透明な電気絶縁性硬質平面化層（保護層）７をスピン
キャストして積層し、その平面化層７上に有機ＥＬ素子
１の透明電極１ａを配置している。

【０００８】また、別の構成として、透明な電気絶縁性
である平坦な硬質要素を蛍光体上にスピンキャストする
代わりに、単に蛍光体表面に配置したり、基板の上面に
蛍光体を付着させる代わりに平面化層の機能を発揮する
硬質要素の下面に蛍光体を付着させることも挙げられて
いるが（図１０）、図１３の構成の方が好ましいと記載
されている。しかし、図１３に示す構成の場合、有機モ
ノマーまたはオリゴマーの重合および／または架橋物の
平面化層上に有機ＥＬ素子の透明電極を配置しただけで
は、平面化層の有機物に微量に吸着または含まれている
水蒸気，酸素またはモノマー等のガスによって、有機Ｅ
Ｌ素子の発光寿命を著しく低下させ、不均一な発光とな
らざるを得ないという問題があった。また、ゾルゲルガ
ラス技法による平面化層の作製には通常４００℃以上の
高温処理が必要で、このため、有機物の蛍光体を劣化さ
せることになる。そこで、蛍光体を劣化させない熱処理
（最大２５０℃程度）で、ゾルゲルガラス平面化層を作
製すると、水または有機物が残存しているため、先と同
じ理由で、有機ＥＬ素子の発光寿命を著しく低下させる
という問題があった。また、前記の別構成の場合、硬質
要素について明確な説明が必ずしも十分になされなかっ
た。

【０００９】一方、無機ＥＬ素子のガラス基板の裏面に
カラーフィルタを印刷したガラス板を配置する方法が開
示されている（特開昭５７−１１９４９４号公報）。し
かし、この方法では、先に記載したようにカラーフィル
タによる発光効率のロスが容易に予想されることに加え
て、無機ＥＬ素子とカラーフィルタとを独立して製造す
るため、例えば無機ＥＬ素子の基板の厚さを厚くしない
と（おおよそ７００μｍ以上）、基板のそり、ゆがみの
問題が発生し、安定してＥＬ素子を作製することができ
なかった。しかもその基板を厚くした結果、カラーフィ
ルタとＥＬ素子とのギャップが広がり、多色発光させる
場合、所望の発光色以外の発光色が漏れ出て、視野角が
著しく低下するという問題があった。

【００１０】本発明は上述の問題に鑑みなされたもので
あり、優れた発光効率、視認性、および発光寿命を有す
るとともに、耐衝撃性にも優れた有機ＥＬ多色発光装置
を提供すること、およびこの多色発光装置の発光効率等
の性能を低下させることなく安定して、製造することが
できる方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【発明が解決しようとする手段】上記目的を達成するた
め、本願発明によれば、支持基板と、この支持基板上に
配設した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
と、この有機ＥＬ素子からの発光を吸収して異なった可
視光の蛍光を発光し得るようにこの有機ＥＬ素子の透明
電極または電極に対応して配設した蛍光体層とを備えた
多色発光装置において、支持基板が、有機ＥＬ素子の発
光部分に対応する部分に空隙を有し、その空隙蛍光体が
埋設されてなり、かつ蛍光体層および支持基板と有機Ｅ
Ｌ素子との間に透明な絶縁層が配設されてなることを特
徴とする多色発光装置が提供される。

【００１２】また、その好ましい態様として、前記支持
基板が、金属からなるものであることを特徴とする多色
発光装置が提供される。

【００１３】また、その好ましい態様として、前記支持
基板が、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシ
ウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、
シリコン、ゲルマニウム、タンタルからなる群から選ば
れる一種以上の金属または合金からなることを特徴とす
る多色発光装置が提供される。

【００１４】また、その好ましい態様として、前記支持
基板および／または透明な絶縁層が、無機酸化物を含む
ものであることを特徴とする多色発光装置が提供され
る。

【００１５】また、その好ましい態様として、前記支持
基板および／または透明な絶縁層で無機酸化物が、酸化
ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタンからなる群から
選ばれる一種以上の酸化物を含むものであることを特徴
とする多色発光装置が提供される。

【００１６】また、その好ましい態様として、前記支持
基板および／または透明な絶縁層が、ガラス板であるこ
とを特徴とする多色発光装置が提供される。

【００１７】また、支持基板に、有機ＥＬ素子の発光を
吸収して異なった可視光の蛍光を発光する蛍光体層を配
置し、かつ有機ＥＬ素子をその透明電極または電極が蛍
光体層に対応するように配設する多色発光装置の製造方
法において、 １）支持基板の一の面上に、透明な絶縁層および透明電
極を順次積層する工程、 ２）支持基板の他の面の、有機ＥＬ素子の発光部分に対
応する部分をエッチングして、支持基板に空隙を形成す
る工程、 ３）透明電極をパターニングする工程、 ４）支持基板の空隙に蛍光体層を埋設する工程 ５）透明電極上に有機物層、および電極を順次積層して
有機ＥＬ素子を作製する工程、 を有することを特徴とする多色発光装置の製造方法が提
供される。

【００１８】さらに、支持基板に、有機ＥＬ素子の発光
を吸収して異なった可視光の蛍光を発光する蛍光体層を
配置し、かつ有機ＥＬ素子をその透明電極または電極が
蛍光体に対応するように配設する多色発光装置の製造方
法において、 １）ガラス板からなる支持基板の一の面上に透明電極を
成膜する工程、 ２）支持基板の他の面の、有機ＥＬ素子の発光部分に対
応する部分をエッチングして、支持基板に空隙を形成す
る工程、 ３）透明電極をパターニングする工程、 ４）支持基板の空隙に蛍光体層を埋設する工程、 ５）透明電極上に有機物層、および電極を順次積層して
有機ＥＬ素子を作製する工程、 を有することを特徴とする多色発光装置の製造方法が提
供される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の多色発光装置およ
びその製造方法の実施の形態を具体的に説明する。本発
明の有機ＥＬ多色発光装置としては、有機ＥＬ素子の発
光が減衰，散乱されず、効率よく蛍光体層に吸収され、
かつ、発光した可視光の蛍光が減衰，散乱されず、外部
へ取り出せる構成であることが必要である。本発明の多
色発光装置の基本的な構成としては、図１に示すものを
挙げることができる。すなわち、支持基板２が、有機Ｅ
Ｌ素子１の発光部分に対応する部分に空隙２ａを有し、
その空隙２ａに蛍光体層４および支持基板２と有機ＥＬ
素子１との間に透明な絶縁層３が配設されている。この
ような構成とすることにより、有機ＥＬ素子１の有機物
層（発光層）１ｂから発光した光は、透明電極１ａ、透
明な絶縁層３を透過し、蛍光体層４に吸収され、有機Ｅ
Ｌ素子１の光よりも長波長の蛍光（異なった可視光）を
発光して、視認される。なお、空隙２ａに埋設された蛍
光体層は、複数の異なる蛍光体層であってもよい。

【００２０】この構成をさらに応用した例として、図１
における蛍光体層４を複数個並置した図２に示すものを
挙げることができる。ここで、蛍光体層４は、異なった
蛍光を発する層であり、例えば、有機ＥＬ素子１の発光
色が青の場合には、青色光を吸収して緑色領域の蛍光を
発する蛍光体層４Ｇ、青色光を吸収して赤色領域の蛍光
を発する蛍光体層４Ｒを支持基板２の空隙２ａにそれぞ
れ埋設する。一方蛍光体層４を埋設しない空隙２ａを残
す。その結果、蛍光体層４が埋設されていない空隙２ａ
から有機ＥＬ素子１の青色光がそのまま発光し、埋設さ
れた蛍光体層４Ｇ，４Ｒからは、それぞれ緑色領域の
光、赤色領域の光が発光し、三原色の発光が可能とな
り、マルチカラーまたはフルカラー化（多色発光）を実
現することができる。

【００２１】また、図３に示すように、有機ＥＬ素子１
の発光色が青緑の場合は、青色純度を高めるために、前
記蛍光体層が埋設されていない空隙２ａに青色カラーフ
ィルタ５Ｂを埋設してもよい。

【００２２】また、図４に示すように、蛍光体層からの
蛍光色の色純度を高めるために、蛍光体層の蛍光を発光
する側に、それぞれ緑色カラーフィルタ５Ｇ，赤色カラ
ーフィルタ５Ｒを配置してもよい。

【００２３】また、図５および図６に示すように、支持
基板２の外光による反射を防止し、多色発光の視認性を
高めるために、例えば青色カラーフィルタ５Ｂまたは、
蛍光体層４の間にブラックマトリックス６を配置しても
よい。さらに、ここで各空隙２ａの空隙側面２ｂは、不
透明なものとすることが好ましく、光を反射または、散
乱させるような面とすれば、さらに好ましい。このよう
な構成とすることにより、図６に示すように蛍光体層４
からの発光の横漏れを防止し、効率よく光を取出し、視
認性に優れた多色発光装置を得ることができる。

【００２４】なお、透明な絶縁層３と支持基板２との接
合は、特に制限はなく、例えば単に、支持基板２上への
透明な絶縁層３の物理的な吸着であったり、接着剤によ
る化学的な接着であってもよい。透明な絶縁層３の支持
基板２への接合力を高めるために、支持基板２の表面を
粗して微小の凹凸を作製し、透明な絶縁層３の吸着面積
を大きくしてもよい。

【００２５】図７に示すように、透明な絶縁層３とし
て、例えばガラス板を支持基板２に接合させる場合は、
接着層（接着剤）１２を介して化学的に接着させてもよ
い。透明な絶縁層３と支持基板２とが同一の基板（例え
ばガラス板）であれば接着層（接着剤）１２を介すこと
は必ずしも必要ではない。また、支持基板２の表面処理
（例えば酸化処理）によって、支持基板２の表面に透明
な絶縁層を形成しておいてもよい。

【００２６】さらに、図８に示すように、蛍光体層４上
（またはカラーフィルタ５Ｂ、もしくはブラックマトリ
ックス６上）に透明な保護層８を配置してもよい。

【００２７】また、図９に示すように、有機ＥＬ素子１
上に、ガラス板等の封止板９を設け、その間隙に不活性
流体（窒素、アルゴン等の不活性ガス、フッ化炭化水素
等）１０を封入させて、封止するのが一般的である。

【００２８】以下、本発明に用いられる構成要素につい
て具体的に説明する。 支持基板 本発明で用いられる支持基板としては、透明性を問わ
ず、多色発光装置を支えるに十分な剛直な材料が好まし
い。特に、高精細な表示をする場合には、有機ＥＬ素子
と蛍光体層とのギャップが大きいと有機ＥＬ素子の発光
が隣接する蛍光体層に吸収され所望の発光色が得られ
ず、視野角を小さくしてしまう場合がある。そのため、
透明な絶縁層の厚さを小さくする必要があるが、厚さを
小さくすると、多色発光装置の耐衝撃性等の機械的強度
を弱めることになる。本発明では、支持基板を配置する
ことにより多色発光装置を補強して耐衝撃性等の機械的
強度を高めている。

【００２９】具体的な材料としては、例えば、ガラス
板、セラミック板、プラスチック板（ポリカーボネー
ト、アクリル、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミド、ポリエステル樹脂等）、金属板、およ
び後述する絶縁層と同じ材料からなる板等を挙げること
ができるが、もろくなく、耐衝撃性等の機械的強度に優
れた金属が好ましい。金属を用いることにより透明な絶
縁層の厚さが小さく、支持基板の金属の厚さが小さい場
合でも相当の補強効果がある。具体的には、ステンレ
ス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、
亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマ
ニウム、タンタルからなる群から選ばれる一種以上の金
属または合金からなる材料が好ましい。このような材料
は、エッチング処理等により、空隙形成の加工性に優
れ、しかも支持基板として剛直な材料であって、コスト
的に安価な材料であるので好ましい。また、先述のよう
に、空隙を形成した際に、空隙の側面に金属光沢を出す
こともできるので、蛍光体層からの発光を反射または散
乱して、効率よく光を取出し視認性に優れた多色発光装
置を得ることができる。支持基板の板厚は、特に制限は
ないが、高精細表示を行う多色発光装置については空隙
の形成を高精細にしなければならないので、多色発光装
置を支える剛直さがある範囲であって、可能な限り薄く
することが必要である。通常は５μｍ〜３ｍｍの範囲で
あり、好ましくは、７μｍ〜７００μｍさらに好ましく
は、１０μｍ〜３００μｍである。

【００３０】透明な絶縁層 有機ＥＬ素子の発光が減衰または散乱されず効率よく蛍
光体層に吸収されるような透明な層（可視光の透過率５
０％以上）であって、電気的に絶縁性の層であることが
必要であり、前記条件を満たすならば先に記載した支持
基板の材料であってもよい。有機物としては、具体的に
は、光硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂のよう
に、アクリレート系、メタクリレート系の重合、架橋硬
化物を挙げることができる。また、メラミン樹脂，フェ
ノール樹脂，アルキド樹脂，エポキシ樹脂，ポリウレタ
ン樹脂，ポリエステル樹脂，マレイン酸樹脂，ポリアミ
ド樹脂、およびポリメチルメタクリレート，ポリアクリ
レート，ポリカーボネート，ポリビニルアルコール，ポ
リビニルピロリドン，ヒドロキシエチルセルローズ，カ
ルボキシメチルセルロース等の透明樹脂を挙げることが
きる。また、フッ素樹脂であってもよい。例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリ
フルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフッ化
ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）
等を挙げることができる。

【００３１】一方、無機物としては特に制限はないが、
例えば無機酸化物、窒化物、フッ化物等を挙げることが
できる。ここで、有機ＥＬ素子の発光寿命を低下させる
ものとして、水蒸気、酸素またはモノマー等の有機物の
ガスが問題となるが、本発明に用いられる透明な絶縁層
は、その物性として、水蒸気、酸素またはモノマー等の
有機物のガスを発生させる要因を保有していないこと、
および外部からの侵入を遮断し得ることが要求される。
具体的には、特に透明な絶縁層中に含まれている水が
熱分析（示差熱分析ＤＴＡ、示差操作熱量測定ＤＳＣ）
により、０．１重量％以下であり、水蒸気または酸素の
透明な絶縁層に体するガス透過係数が、ＪＩＳ Ｋ７１
２６の気体透過度試験方法等により、それぞれ１０^-13
ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ² ・ｓ・ｃｍＨｇ以下であれば、黒点
の発生などによる有機ＥＬ素子の発光寿命の低下を制御
することができる。このような物性を有する材料として
は表１および表２に示す無機酸化物が好ましい。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】

【００３４】無機物の中でも、酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂ ）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂ ）、酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）、酸化ゲルマ
ニウム（ＧｅＯ₂ ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ほう酸
（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バ
リウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジルコニア（Ｚ
ｒＯ₂ ）、酸化ナトリウム（Ｎａ₂ Ｏ）、酸化リチウム
（Ｌｉ₂ Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ₂ Ｏ）等の無機酸化物
を挙げることができるが、酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、酸化チタンが、その層（膜）の透明性が高く、その
製膜温度が比較的低温（２５０℃以下）であるので、製
膜の面で好ましい。また、無機酸化物の中でもガラス板
（すなわち、ガラス状態となった無機酸化物）は、特に
水蒸気、酸素またはモノマー等の劣化ガスを遮断する効
果が大きいのでより好ましい。具体的には、ソーダー石
灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガ
ラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、バ
リウムホウケイ酸ガラス等を挙げることができる。な
お、ここで無機酸化物層は、その組成として、無機酸化
物を主に含むものであればよく、窒化物（例えばＳｉ₃
Ｎ₄ ）や、フッ化物が含まれていてもよい。ガラス板を
含めた無機酸化物が好ましいのは、具体的に有機ＥＬ素
子の透明電極として、通常よくつかわれるＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）等の無機の導電性透明材料を用いるこ
とができるためであり、また相互の親和性がよく密着性
がよいためである。また、透明な絶縁層としては、有機
ＥＬ素子側に無機（酸化物）層、支持基板側に有機物層
の二層として、有機ＥＬ素子の劣化も防止し、かつ蛍光
体層を支持するようにしてもよい。このような透明な絶
縁層の厚さは、高精細な表示を行なう多色発生装置につ
いては可能な限り小さくすることが必要である。ただ
し、水蒸気または酸素のガス透過を抑制するためには
０．０１μｍ以上の厚さが必要である。なお、蛍光体層
を支持しなければならないので、通常は１μｍ〜３ｍ
ｍ、より好ましくは、１０μｍ〜２００μｍである。

【００３５】接着層 本発明においては、必要に応じて接着層が用いられる。
具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系
オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬
化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気
硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキ
シ系などの光硬化，熱硬化および化学硬化型（二液混
合）を挙げることができる。接着剤の粘度としては低粘
度（約１００ｃｐ以下）のものが貼り合わせ時に気泡が
かみこまず、均一に貼り合わせが可能であるので、好ま
しい。この接着層の厚さは、０．１μｍから２００μｍ
程度が好ましく、蛍光体層と有機ＥＬ素子のギャップに
よる有機ＥＬ素子の発光漏れを限なく低減する（視野角
の向上）ため、なるべく膜厚を小さくすることが好まし
い。

【００３６】蛍光体層 本発明に用いられる蛍光体層としては、例えば、蛍光色
素、蛍光顔料のみからなるもの、蛍光色素、蛍光顔料を
バインダー樹脂中に溶解または分散させたものであっ
て、固体状態のものを挙げることができる。この蛍光体
層は、支持基板の空隙に埋設される。具体的には近紫外
光からは紫色の有機ＥＬ素子の発光から青色発光に変換
する蛍光色素としては、１，４−ビス（２−メチルスチ
リル）ベンゼン（以下Ｂｉｓ−ＭＳＢ）、トランス−
４，４’−ジフェニルスチルベン（以下ＤＰＳ）等のス
チルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン
（以下クマリン４）等のクマリン系色素を挙げることが
できる。次に、青色または青緑色の有機ＥＬ素子の発光
から緑色発光に変換する蛍光色素については、例えば、
２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリ
フロルメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリ
ン（以下クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾ
リル）−７−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン
６）、３−（２’−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン７）等のクマ
リン色素、他クマリン色素系染料であるがベーシックイ
エロー５１、また、ソルベントイエロー１１、ソルベン
トイエロー１１６等のナフタルイミド色素を挙げること
ができる。また、青色から緑色の有機ＥＬ素子の発光か
ら橙色から赤色発光に変換する蛍光色素については、例
えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−
ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（以下ＤＣ
Ｍ）等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ
−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）
−ピリジニウム−パークロレート（以下ピリジン１）等
のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ，ロ
ーダミン１０１，スルホローダミン１０１等のローダミ
ン系色素、他にオキサジン系，ピラジン系が挙げられ
る。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染
料、分散染料等）も蛍光性があれば可能である。また、
前記蛍光色素をポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビ
ニル、塩ビ酢ビ共重合体、アルキッド樹脂芳香族スルホ
ンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグア
ナミン樹脂等の樹脂中にあらかじめ練りこんで顔料（蛍
光顔料）化したものでもよい。また、これらの蛍光色素
または蛍光顔料は、必要に応じて、単独または混合して
用いる。特に赤色への蛍光変換効率が低いので、上記色
素または顔料を混合して用いて、有機ＥＬ素子の発光か
ら蛍光への変換効率を高めることもできる。一方、バイ
ンダー樹脂は、透明な（可視光５０％以上）材料が好ま
しい。たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂が挙げられ
る。なお、蛍光体層を平面的に分離配置するために、フ
ォトリソグラフィー法が適用できる感光性樹脂も選ばれ
る。例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ
皮酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビ
ニル基を有する光硬化型レジスト材料が挙げられる。ま
た、印刷法を用いる場合には、透明な樹脂を用いた印刷
インキ（メジウム）が選ばれる。例えば、ポリ塩化ビニ
ル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹
脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルメタ
クリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキ
シエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の
透明樹脂を用いることができる。蛍光体層の膜厚は、有
機ＥＬ素子の発光を十分に吸収し、蛍光を発生する機能
を妨げるものでなければ制限はなく、通常蛍光色素によ
り若干異なるが、１０ｎｍ〜１ｍｍ程度が適当である。
また、特に蛍光体層が蛍光色素とバインダー樹脂（蛍光
顔料の樹脂部分を含む）からなるものは、蛍光色素の濃
度が、蛍光の濃度消光を起こすことなく、かつ、有機Ｅ
Ｌ素子の発光を十分吸収できる範囲であればよい。蛍光
色素の種類によるが、使用するバインダー樹脂に対して
１〜１０^-4ｍｏｌ／ｋｇ程度が適当である。なお、特に
有機ＥＬ素子の発光から赤色への蛍光変換効率が低いの
で、蛍光体層を重ねて蛍光変換効率を挙げることも可能
である。

【００３７】カラーフィルタおよびブラックマトリッ
クス 本発明において必要に応じて用いられるカラーフィルタ
およびブラックマトリックスは、例えば、公知の市販材
料を選んで、フォトリソグラフィー法または印刷法等の
方法で所望の位置に所望のパターニング を行うことに
よって形成することができる。

【００３８】保護層 本発明において、必要に応じて用いられる保護層は、多
色発光装置の外側にある蛍光体層やカラーフィルタ（ブ
ラックマトリックスを含む）が物理的に傷つくこと、外
部の環境因子（水、酸素、光）により劣化するのを保護
するために用いられる。その材料としては、透明な（可
視光５０％以上）材料であることが好ましい。具体的に
は、絶縁層と同様に、光硬化型樹脂および／または熱硬
化型樹脂のように、アクリレート系、メタクリレート系
の重合、または架橋硬化物を挙げることができる。ま
た、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マ
レイン酸樹脂、ポリアミド樹脂のモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリ
レート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルローズ、カ
ルボキシメチルセルロース等の透明樹脂を挙げることが
きる。蛍光体の耐光性を高めるために、保護層中に紫外
線吸収剤を添加してもよい。

【００３９】有機ＥＬ素子 本発明に用いられる有機ＥＬ素子においては、有機物層
として、再結合領域および発光領域を少なくとも有する
ものが用いられる。この再結合領域および発光領域は、
通常発光層に存在するため、本発明においては、有機物
層として発光層のみを用いてもよいが、必要に応じ、発
光層以外に、たとえば正孔注入層，電子注入層，有機半
導体層，電子障壁層，付着改善層なども用いることがで
きる。

【００４０】次に本発明に用いられる有機ＥＬ素子の代
表的な構成例を示す。もちろん、これに限定されるもの
ではない。 （１）透明電極（陽極）／発光層／電極（陰極） （２）透明電極（陽極）／正孔注入層／発光層／電極
（陰極） （３）透明電極（陽極）／発光層／電子注入層／電極
（陰極） （４）透明電極（陽極）／正孔注入層／発光層／電子注
入層／電極（陰極） （５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極 （６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極 （７）陽極／正孔注入層／発光層／付着改善層／陰極 などの構造を挙げることができる。これらの中で、通常
（４）の構成が好ましく用いられる。

【００４１】−１．透明電極（例えば陽極） 陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，
合金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物
質とするものが好ましく用いられる。このような電極物
質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ，ＩＴＯ，
ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。陽
極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等
の方法で、薄膜を形成させることにより作製することが
できる。このように発光層からの発光を陽極から取り出
す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きく
することが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百
Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、
通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの
範囲で選択される。

【００４２】−２．発光層 有機ＥＬ素子の発光材料は主に有機化合物であり、具体
的には所望の色調により次のような化合物が挙げられ
る。まず、紫外域から紫色の発光を得る場合には、下記
の一般式であらわされる化合物が挙げられる。

【００４３】

【化１】

【００４４】この一般式において、Ｘは下記化合物を示
す。

【００４５】

【化２】

【００４６】ここでｎは、２，３，４または５である。
また、Ｙは下記化合物を示す。

【００４７】

【化３】

【００４８】上記化合物のフェニル基，フェニレン基，
ナフチル基に炭素数１〜４のアルキル基，アルコキシ
基，水酸基，スルホニル基，カルボニル基，アミノ基，
ジメチルアミノ基またはジフェニルアミノ基等が単独ま
たは複数置換したものであってもよい。また、これらは
互いに結合し、飽和５員環，６員環を形成してもよ。ま
た、フェニル基，フェニレン基，ナフチル基にパラ位で
結合したものが、結合性がよく平滑な蒸着膜の形成のた
めに好ましい。具体的には以下の化合物である。特に、
ｐ−クォーターフェニル誘導体，ｐ−クィンクフェニル
誘導体が好ましい。

【００４９】

【化４】

【００５０】

【化５】

【００５１】

【化６】

【００５２】

【化７】

【００５３】次に、青色から緑色の発光を得るために
は、例えば、ベンゾチアゾール系，ベンゾイミダゾール
系，ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物，スチリルベンゼン系化合物を
挙げることができる。

【００５４】具体的に化合物名を示せば、例えば、特開
昭５９−１９４３９３号公報に開示されているものを挙
げることができる。その代表例としては２，５−ビス
（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス
（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）ス
チルベン、４，４’−ビス［５，７−ジ−（２−メチル
−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］スチルベ
ン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベ
ンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−
α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］
チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル
−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４ジ
オフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２
−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス
（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−
２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２
−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−
ｄ］オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２−２’
−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾー
ル等のベンゾチアゾール系、２−［２−［４−（２−ベ
ンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾ
ール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］
ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光
増白剤を挙げることができる。さらに、他の有用な化合
物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ１
９７１，６２８〜６３７頁および６４０頁に列挙されて
いる。

【００５５】前記キレート化オキシノイド化合物として
は、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報に開示され
ているものを用いることができる。その代表例として
は、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス
（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ
［ｆ］−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス
（８−キノリノ−ル）インジウム、トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノール
リチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガ
リウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシ
ウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−
キノリノニル）メタン］等の８−ヒドロキシキノリン系
金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げること
ができる。

【００５６】また、前記スチリルベンゼン系化合物とし
ては、例えば欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州
特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを
用いることができる。その代表例としては、１，４−ビ
ス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３
−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチ
ルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−
ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス
（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−
メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス
（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等を挙げ
ることができる。

【００５７】また、特開平２−２５２７９３号公報に開
示されているジスチリルピラジン誘導体も発光層の材料
として用いることができる。その代表例としては、２，
５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビ
ス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２
−（１−ナフチル））ビニル］ピラジン、２，５−ビス
（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２
−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス
［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジン等を挙げるこ
とができる。その他のものとして、例えば欧州特許第０
３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系
化合物も発光層の材料として用いることもできる。

【００５８】さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物、およびスチリルベンゼン系化
合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（J. Appl.
Phys., 第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３ブタジエン（以上Appl. Phys.
Lett.,第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタル
イミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリ
レン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサ
ジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、ま
たは第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによっ
て開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン誘
導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラジリン誘
導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタ
ジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロ
ロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、
スチリルアミン誘導体（Appl. Phys. Lett.,第５６巻，
Ｌ７９９（１９９０年））、クマリン系化合物（特開平
２−１９１６９４号公報）、国際公開公報ＷＯ９０／１
３１４８やAppl. Phys. Lett.,vol 58,18,P1982(1991)
に記載されているような高分子化合物等も、発光層の材
料として用いることができる。

【００５９】本発明では、特に発光層の材料として、芳
香族ジメチリディン系化合物（欧州特許第０３８８７６
８号明細書や特開平３−２３１９７０号公報に開示のも
の）を用いることが好ましい。具体例としては、１，４
−フェニレンジメチリディン、４，４−フェニレンジメ
チリディン、２，５−キシレンジメチリディン、２，６
−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジ
メチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリデ
ィン、９，１０−アントラセンジイルジルメチリディ
ン、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニル
ビニル）ビフェニル、（以下、ＤＴＢＰＢＢｉと略記す
る）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビ
フェニル（以下ＤＰＶＢｉと略記する）等、およびそれ
らの誘導体を挙げることができる。

【００６０】さらに、特開平５−２５８８６２号公報等
に記載されている一般式（Ｒ₂ −Ｑ）₃ −ＡＬ−Ｏ−Ｌ
であらわされる化合物も挙げられる。（上記式中、Ｌは
フェニル部分を不運でなる炭素原子６〜２４個の炭化水
素であり、Ｏ−Ｌはフェニラート配位子であり、Ｑは置
換８−キノリノラート配位子を表し、Ｒ₂ はアルミニウ
ム原子に置換８−キノリノラート配位子が２個上回り結
合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリ
ノラート環置換基を表す） 具体的には、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（パラ−フェニルフェノラ
ート）アルミニウム（III ）（以下ＰＣ−７）、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラー
ト）アルミニウム（III ）（以下ＰＣ−１７）等が挙げ
られる。その他、特開平６−９９５３号公報等によるド
ーピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光を得る
方法が挙げられる。この場合、ホストとしては上記に記
載した発光材料、ドーパントとしては、青色から緑色に
までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記記
載のホストとして用いられているものと同様な蛍光色素
を挙げることができる。具体的には、ホストとしてジス
チリルアリーレン骨格の発光材料、特に好ましくは例え
ばＤＰＶＢｉ、ドーパントとしてはジフェニルアミノビ
ニルアリーレン、特に好ましくは例えばＮ，Ｎ−ジフェ
ニルアミノビニルベンゼン（ＤＰＡＶＢ）を挙げること
ができる。上記前記材料を用いて、発光層を形成する方
法としては、例えば蒸着法，スピンコート法，ＬＢ法等
の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に
分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜と
は、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜
や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化さ
れ形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、
ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構
造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違に
より区分することができる。また、特開昭５７−５１７
８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と
材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをス
ピンコート法等により薄膜化することによっても、発光
層を形成することができる。このようにして、形成され
る発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じ
て適宜選択することができるた、通常５ｎｍ〜５μｍの
範囲が好ましい。有機ＥＬ素子の発光層は以下の機能を
併せ持つものである。すなわち、注入機能；電界印加
時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することがで
き、陰極または電子注入層より電子を注入することがで
きる機能、輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を
電界の力で移動させる機能、発光機能；電子と正孔の
再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能、があ
る。但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやす
さに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度であ
らわされる輸送能に大小があてもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。 −３．正孔注入層 次に、正孔注入層は、必ずしも本発明に用いられる素子
に必要なものではないが、発光性能の向上のために用い
た方が好ましいものである。この正孔注入層は発光層へ
の正孔注入を助ける層であって、正孔移動度が大きく、
イオン化エネルギーが、通常５．５ｅＶ以下と小さい。
このような正孔注入層としては、より低い電界で正孔を
発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度
が、たとえば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少
なくとも １０^-6ｃｍ²／Ｖ・秒であればなお好ましい。
このような正孔注入材料については、前記の好ましい性
質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝
材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されている
ものや、ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。

【００６１】具体例としては、例えばトリアゾール誘導
体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オ
キサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号
明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１
６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体
（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２
０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細
書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号
公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１
０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８
６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−
３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピ
ラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８
８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−
１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５
６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同
５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公
報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジ
アミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細
書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２
号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３
４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−
１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体
（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１
８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細
書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３
２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細
書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３
５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５
５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公
報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１
０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導
体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、
オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号
明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体
（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、
ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明
細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０
６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６
７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１
１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平
２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報、同６１−２２８４
５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２
２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３
６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−
３０２５５号公報、同６０−９３４４５号公報、同６０
−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同
６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体
（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラ
ン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共
重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−
２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリ
ゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることが
できる。正孔注入層の材料としては上記のものを使用す
ることができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−
２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級
アミン化合物およびスチリルアミン化合物（米国特許第
４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３
号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６
３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９
４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−
１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同
６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報
等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いること
が好ましい。上記ポルフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフェニ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）、１，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィン亜鉛（II）、５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウム
フタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金属）、
ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛
フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロ
シアニンオキシド、Ｍｇフタロシアニン、銅オクタメチ
ルフタロシアニン等を挙げることができる。また、前記
芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物
の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下ＴＰＤ
と略記する）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−ト
リルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノフェニ
ル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノ
フェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−
［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、
４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニ
ル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、
米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個
の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビ
フェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また、特開平４−
３０８６８８号公報で記載されているトリフェニルアミ
ンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４’，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡ
ＴＡと略記する）等を挙げることができる。また、発光
層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化
合物の他、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正
孔注入層の材料として使用することができる。正孔注入
層は、上述した化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコ
ート法，キャスト法，ＬＢ法等の公知の方法により薄膜
化することにより形成することができる。正孔注入層と
しての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μ
ｍである。この正孔注入層は、上述した材料の一種また
は二種以上からなる一層で構成されていてもよいし、ま
たは、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注
入層を積層したものであってもよい。また、有機半導体
層は、発光層への正孔注入または電子注入を助ける層で
あって、 １０^-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが
好適である。このような有機半導体層の材料としては、
含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー
などの導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマ
ーなどの導電性デンドリマーなどを用いることができ
る。

【００６２】−４．電子注入層 一方電子注入層は、発光層への電子の注入を助ける層で
あって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この
電子注入層の中で、特に陰極との付着が良い材料からな
る層である。電子注入層に用いられる材料としては、た
とえば８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属
錯体、あるいはオキサジアゾール誘導体が好ましく挙げ
られる。また、付着改善層に用いられる材料としては、
特に８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯
体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはそ
の誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般
に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）の
キレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げ
られる。一方、オキサジアゾール誘導体としては、一般
式（II），（III） および（IV）

【００６３】

【化８】

【００６４】（式中Ａｒ¹⁰〜Ａｒ¹³はそれぞれ置換また
は無置換のアリール基を示し、Ａｒ¹⁰とＡｒ¹¹およびＡ
ｒ¹²とＡｒ¹³はそれぞれにおいて互いに同一であっても
異なっていてもよく、Ａｒ¹⁴置換または無置換のアリレ
ーン基を示す。）で表わされる電子伝達化合物が挙げら
れる。ここで、アリール基としてはフェニル基，ビフェ
ニル基，アントラニル基，ペリレニル基，ピレニル基な
どが挙げられ、アリレーン基としてはフェニレン基，ナ
フチレン基，ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペ
ニレニレン基，ピレニレン基などが挙げられる。また、
置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはシアノ基などが挙げられ
る。この電子伝達化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。上記電子伝達化合物の具体例としては、下記のもの
を挙げることができる。

【００６５】

【化９】

【００６６】−５．電極（例えば陰極） 陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属，
合金，電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物
質とするものが用いられる．このような電極物質の具体
例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、
マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アル
ミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、アルミニ
ウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙
げられる。この陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることに
より、作製することができる。また、陰極としてのシー
ト抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎ
ｍ〜１μｍ、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。な
お、本発明に用いられるＥＬ素子においては、該陽極ま
たは陰極のいずれか一方が透明または半透明であること
が、発光を透過するため、発光の取り出し効率がよいの
で好ましい。

【００６７】多色発光装置の製造方法 以下、本発明の多色発光装置の製造方法を図１１、およ
び図１２を参照しつつ説明する。 ａ）透明電極／透明な絶縁層／支持基板を順次積層する
工程 支持基板２（図１１（Ａ））の一の面上に透明な絶縁層
３の材料を、蒸着，スパッタリング，イオンプレーティ
ング，または材料を溶媒中に分散してスピンコート，ロ
ールコート，キャスティング，ディッピング，印刷手法
等の方法によって製膜する。製膜の方法、または支持基
板の耐熱性に応じて、製膜中または後に支持基板２を５
０℃〜５００℃程度まで加熱する。支持基板２が金属の
場合は、熱酸化法、気相成長法、スパッタリング法、有
機物分解法、陽極酸化法等の酸化処理によって支持基板
の表面に金属酸化物（無機酸化物）の膜を形成し透明な
絶縁層とすることができる。本発明では、耐熱性に問題
がある有機物の蛍光体層を配置する前なので、例えばゾ
ルゲルガラス技法のような４００℃以上の高温処理が可
能である。また、絶縁層３がすでに形成されたガラス
板、または透明電極１ａを製膜したガラス板のような場
合は、支持基板２と透明な接着層（接着剤）１２を介し
て接合（接着）する。接着の方法は、支持基板上に接着
剤をスピンコート、ロールコート、キャスティング、印
刷手法等の方法によって製膜し、ガラス板を均一に支持
基板に貼り合わせ、それぞれの接着剤の処方に従って、
光、熱、化学混合等にて接着を完了させる。このような
支持基板２上に透明な絶縁層３が積層された基板上に有
機ＥＬ素子の透明電極１ａを絶縁層と同様な方法によっ
て製膜する（図１１（Ｂ））。

【００６８】ｂ）支持基板に空隙を形成する工程 支持基板２の他の面上にフォトレジストを、液状の場合
は、スピンコート、ロールコート、スプレイコート、キ
ャスティング、ディッピング等の方法で、またフィルム
状の場合は、ラミネートして均一に貼り合わせる。次い
で、通常のフォトリソグラフィー法によりフォトレジス
トのパターンを形成する。または、スクリーン印刷、オ
フセット印刷のような印刷法によって、レジストのパタ
ーンを形成する。次いで、支持基板２の露出した部分を
化学エッチング、電解エッチング、ドライエッチング
（プラズマエッチング，リアクティブイオンエッチン
グ，イオンビームエッチング，レーザーエッチング等）
またはサンドブラストのような物理的な方法によってエ
ッチングして空隙２ａを形成する（図１１（Ｃ））。各
種支持基板に対する化学エッチングのエッチング液組成
と条件とを表３に示す。支持基板のエッチング条件は、
絶縁層も同時にエッチングされない条件とすることが必
要である。エッチングの条件によっては、反対面の透明
電極がエッチングされたり、劣化したりするので、必要
に応じてレジストを透明電極上に製膜して保護してお
く。次に、レジストのパターンを適当な剥離液にて処理
して剥離する。なお、フォトレジストとして、黒色顔料
含有のレジストを用いた場合には、そのままパターンを
残してブラックマトリックスとして用いる。また、支持
基板と透明な絶縁層が同一の材料の場合、例えばガラス
板の場合には、片面に透明電極を製膜した後、反対面の
ガラス面を同様にしてエッチングするが、透明電極と空
隙の間にガラス部分を残す。

【００６９】

【表３】

【００７０】ｃ）透明電極をパターニングする工程 透明電極１ａ上に、前記ｂ）工程と同じようにフォトレ
ジストを製膜し、支持基板２の空隙部分２ａに位置合わ
せして、フォトリソグラフィー法にてフォトレジストの
パターンを形成する。または、スクリーン印刷、オフセ
ット印刷のような印刷法によってレジストのパターンを
形成してもよい。次いで、透明電極に適したエッチング
液 （ＩＴＯの場合は塩化鉄（III）水溶液または塩酸、
臭化水素酸水溶液）で透明電極をエッチングする。エッ
チングの条件によっては、反対面の支持基板がエッチン
グされたり劣化したりするので、必要に応じてレジスト
を支持基板上に製膜して保護しておく。次に、レジスト
のパターンを適当な剥離液にて処理して剥離し、パター
ニングした透明電極を形成する（図１１（Ｄ））。な
お、支持基板に遮光性があれば、マスクとして用いて、
支持基板側から透明電極上のフォトレジストを露光し、
セルフアライメントによりフォトレジストのパターンを
形成することができる。なお、透明電極のパターニング
は、ｂ）の支持基板に空隙を形成する工程の前に行って
もよい。また、有機ＥＬ素子の電極を加工する（特願平
８−３８２１７号公報）ために層間絶縁膜を形成する場
合には、透明電極のパターニング後（蛍光体層の埋設
前）に層間絶縁膜の形成を行うのが好ましい。

【００７１】ｄ）空隙に蛍光体層を埋設する工程 蛍光体層４が主に蛍光色素からなる場合は、所望の蛍光
体層パターンのマスクを介して真空蒸着またはスパッタ
リング法で製膜して、空隙２ａ内に蛍光体層４を埋設す
る（図１１（Ｅ））。一方、蛍光体層４が蛍光顔料また
は蛍光色素、蛍光顔料とバインダー樹脂からなる場合
は、それぞれを適当な溶剤中に混合、分散または可溶化
させ、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方
法で製膜し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層
パターンでパターニングして、空隙内に埋設したり、ス
クリーン印刷等の方法で所望の蛍光体層パターンでパタ
ーニングして、空隙内に埋設するのが一般的である。な
お、カラーフィルタ５を形成する場合も、蛍光体層と同
様な方法を用いることができる。

【００７２】ｅ）有機ＥＬ素子の作製 先に例示した材料および方法により発光層、必要に応じ
て正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し
（以上有機物層１ｂ）、さらに電極（例えば陰極）１ｃ
を形成することにより、有機ＥＬ素子を作製することが
できる。また、電極（例えば陰極）１ｃから透明電極
（例えば陽極）１ａへ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子
１を作製することもできる。以下に透明電極（例えば陽
極）／正孔注入層／発光層／電子注入層／電極（例えば
陰極）が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を
記載する。まず、陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注
入層の形成は、前述したように真空蒸着法，スピンコー
ト法，キャスト法，ＬＢ法等の方法により行うことがで
きるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発
生しにくい等の点から、真空蒸着法により形成すること
が好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場
合、その蒸着条件は、使用する化合物（正孔注入層の材
料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等
により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真
空度１０^-7〜１０^-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０
ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ
〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。次に、
正孔注入層に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有
機発光材料を用いて、真空蒸着法，スパッタリング，ス
ピンコート法，キャスト法等の方法により、有機発光材
料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得
られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点か
ら、真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸
着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使
用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同
じような条件範囲の中から選択することができる。次
に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、
発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法によ
り形成することが好ましい。蒸着条件は、正孔注入層、
発光層と同様条件範囲から選択することができる。最後
に、陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる
（図１１（Ｆ））。陰極は、金属から構成されるもの
で、蒸着法，スパッタリングを用いることができる。し
かし、下地の有機物層を成膜時の損傷から守るために
は、真空蒸着法が好ましい。これまで記載してきた有機
ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して陽極から
陰極まで作製することが好ましい。なお、有機ＥＬ素子
に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性
にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると、発光が観測で
きる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れ
ず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場
合には、陽極が＋、陰極が−の極性になったときのみ均
一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよ
い。以上の多色発生装置の製造法の利点は、２００℃以
上の高温処理が必要とされる工程を先に行い、後で耐熱
性に問題のある有機物の蛍光体層、有機ＥＬ素子の作製
を行うことによって、蛍光体、有機ＥＬ素子の発光効率
等の性能劣化を低減できることである。

【００７３】なお、図１２は、支持基板２の上に、直
接、透明電極１ａを形成する場合を示す。この場合にお
いても、構成的に蛍光体層および支持基板と有機ＥＬ素
子の間に透明な絶縁層が配設されていることになる。

【００７４】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。 ［実施例１］支持基板の１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．
１ｍｍ厚のステンレススチール（ＳＵＳ３０４）基板上
に、酸化ケイ素（Ｓｉ０₂ ）系被膜形成用塗布液（東京
応化工業製ＯＣＤ Ｔｙｐｅ７）をスピンコートし、４
５０℃で焼成し、透明な絶縁膜として１０μｍの酸化シ
リコン膜を形成した。次いで、基板を２００℃に加熱
し、酸化ケイ素膜上にスパッタリングにより０．１５μ
ｍ膜厚、２０Ω／□のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の
透明電極を成膜した。次に、ポジ型のフォトレジスト
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＨＰＲ
２０４）をＩＴＯ上に保護膜として、基板の反対面上に
支持基板エッチング用レジストとしてスピンコートし、
８０℃でベークした後、露光機にて、５０μｍライン２
５０μｍギャップのストライプ状の支持基板の空隙パタ
ーンが得られるマスクを介して支持基板エッチング用レ
ジストを露光した。次に、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液にてレジスト
を現像し、１５０℃にてポストベークした。次に、基板
を４０℃のボウメ４２の塩化第二鉄水溶液に浸漬し、液
を攪拌して、レジストパターンの支持基板の露出してい
る部分をエッチングし、基板に残っているレジストを剥
離して、支持基板に空隙を形成した。次に、ＩＴＯ上に
ネガ型のフォトレジスト（富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製ＩＣ２８−Ｔ３）をスピンコートし、
８０℃でベークした後、露光機にて、支持基板側から露
光し、専用現像液（富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製ＷＮＲＤ）にてレジストを現像し、１５０℃
にてポストベークした。次に、基板を室温の４７重量％
臭化水素酸水溶液に浸漬し、レジストパターンのＩＴＯ
の露出している部分をエッチングし、基板に残っている
レジストを剥離して、有機ＥＬ素子の透明電極（陽極）
の２５０μｍライン５０μｍギャップのストライプ状パ
ターンを形成した。次に、基板をスクリーン印刷機にセ
ットし、２５０μｍライン６５０μｍギャップのストラ
イプ状のパターンが得られる版を用いて、０．０３ｍｏ
ｌ／ｋｇ（固形分）の濃度のクマリン６／ポリ塩化ビニ
ル樹脂（平均重量分子量２万）をシクロヘキサノンに溶
解したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を支持基板の空隙
中に印刷し、８０℃でベークして、１５μｍ膜厚の蛍光
体層Ａのパターンを得た。次に、版をストライプに対し
て垂直方向へ３００μｍずらして、４３重量％（固形分
中）のローダミン含有顔料／ポリ塩化ビニル樹脂（平均
重量分子量２万）をシクロヘキサノンに溶解したインキ
（粘度８０００ｃｐｓ）を支持基板の別の空隙中に印刷
し、８０℃でベークして、２０μｍ膜厚の蛍光体層Ｂの
パターンを得た。次に、この基板をＩＰＡ洗浄、ＵＶ洗
浄した後、蒸着装置（日本真空技術社製）の基板ホルダ
ーに固定した。蒸着源は、モリブテン製の抵抗加熱ボー
トに正孔注入材料としてＭＴＤＡＴＡ及びＮＰＤ、発光
材料としてＤＰＶＢｉ、電子注入材料としてＡｌｑをそ
れぞれ仕込み、電極（陰極）の第二金属としてＡｇをタ
ングステン製フィラメントに、電極（陰極）の電子注入
性金属としてＭｇをモリブテン製ボートに装着した。そ
の後、真空槽を５×１０^-7ｔｏｒｒまで減圧後、以下の
順序で順次積層していった。正孔注入層から陰極まで途
中で真空を破らず一回の真空引きでおこなった。まず正
孔注入層としては、ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／ｓ，膜厚２００ｎｍ、ＮＰＤを蒸着速度
０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、膜厚２０ｎｍ、発光層として
はＤＰＶＢｉを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚
５０ｎｍ、電子注入層としては、Ａｌｑを蒸着速度０．
１〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚２０ｎｍ、陰極としては、陽
極ＩＴＯストライプパターンに対し垂直とし、６００μ
ｍライン、１００μｍギャップのストライプパターンに
なるようなマスクを介して、ＭｇとＡｇを同時蒸着し
た。すなわち、Ｍｇは、蒸着速度１．３〜１．４ｎｍ／
ｓ、Ａｇは、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓで膜厚を２００ｎ
ｍとした。このようにして、有機ＥＬ多色発光装置を作
製し（図２）、直流８Ｖの電圧を陽極と陰極に印加する
と、電圧を印加した陽極と陰極の交差部分が発光し、蛍
光体層のない部分から見える光の発光輝度は、１２０ｃ
ｄ／ｍ² 、ＣＩＥ色度座標（ＪＩＳ Ｚ ８７０１）は
ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１５で青色の発光がでているこ
とを確認した。一方、蛍光体層Ａから見える光の発光輝
度は、１４０ｃｄ／ｍ² 、ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．２
８、ｙ＝０．６２で黄味がかった緑色（イエロイッシュ
グリーン）の発光がでていることを確認した。また、蛍
光体層Ｂから見える光の発光輝度は、３６ｃｄ／ｍ² 、
ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．６０、ｙ＝０．３１で赤色の
発光がでていることを確認した。以上のように有機ＥＬ
多色発光装置を作製し、二週間、窒素気流下で保存して
も輝度および色度座標に全く変化がなく、劣化とともに
発生する黒点もなく、均一な発光を維持していた。ま
た、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光（単色）
の漏れを確認できない範囲の視野角は、±８０°であ
り、実用上問題とならないレベルであった。なお、本実
施例に用いた１０μｍ膜厚の酸化ケイ素膜の水分含有量
は、０．１重量％以下であり、水蒸気または酸素の酸化
ケイ素膜に対するガス透過係数は、それぞれ１０^-13ｃ
ｃ・ｃｍ／ｃｍ² ・ｓ・ｃｍＨｇ以下であった。

【００７５】［実施例２］支持基板の１００ｍｍ×１０
０ｍｍ×０．１ｍｍ厚のステンレススチール（ＳＵＳ３
０４）基板上に、メタクリレート系オリゴマーの光硬化
型透明接着剤（スリーボンド社製３１０２）をキャステ
ィングし、０．１５μｍ膜厚、２０Ω／□のＩＴＯをベ
タ成膜した１００ｍｍ×１００ｍｍ×５０μｍ厚のガラ
ス板（ホウケイ酸ガラス）のガラス面を貼り合わせ、紫
外線照射後、８０℃でベークした。以下、実施例１と同
一の方法で多色発光装置（図７）を作製し、同一の結果
が得られた。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子
の発光（単色）の漏れを確認できない範囲の視野角は、
±６０°であり、実用上問題とならないレベルであっ
た。なお、本実施例に用いた５０μｍ厚のガラス板の水
分含有量は、０．１重量％以下であり、水蒸気または酸
素のガラス板に対するガス透過係数は、それぞれ１０
^-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ² ・ｓ・ｃｍＨｇ以下であった。

【００７６】［実施例３］支持基板の１００ｍｍ×１０
０ｍｍ×０．１ｍｍ厚のアルミニウム合金基板上に、ア
クリレート系の熱硬化性樹脂（オプトマーＳＳ７２６
５）をスピンコートし、２２０℃でベークし（膜厚１０
μｍ）、さらに、基板を２００℃に加熱して、酸化アル
ミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）をスパッタリングして、０．２０
μｍ膜厚の酸化アルミニウム膜を積層し、透明な絶縁膜
を形成した。以下、支持基板の空隙形成に３０℃のボウ
メ４０の塩化第二鉄４Ｌと３６重量％濃塩酸３４０ｇの
割合からなるエッチング液を用いたこと以外は、実施例
１と同一の方法で多色発光装置（図２）を作製し、同一
の結果が得られた。なお、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光（単色）の漏れを確認できない範囲の視野
角は、±８０°であり、実用上問題とならないレベルで
あった。なお、本実施例に用いた０．２０μｍ膜厚の酸
化アルミニウムの水分含有量は、０．１重量％以下であ
り、水蒸気または酸素の酸化アルミニウム膜に対するガ
ス透過係数は、それぞれ１０^-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ²・ｓ
・ｃｍＨｇ以下であった。

【００７７】［実施例４］支持基板の１００ｍｍ×１０
０ｍｍ×０．１ｍｍ厚のチタン合金基板上に、アクリレ
ート系の熱硬化性樹脂（オプトマーＳＳ７２６５）をス
ピンコートし、２２０℃でベークし（膜厚１０μｍ）、
さらに、基板を２００℃に加熱して、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂ ）をスパッタリングして、０．２０μｍ膜厚の酸化
チタン膜を積層し、透明な絶縁膜を形成した。以下、支
持基板の空隙形成に３０℃の４０重量％フッ酸１Ｌと純
水９Ｌの割合からなるエッチング液を用いたこと以外
は、実施例１と同一の方法で多色発光装置（図２）を作
製し、同一の結果が得られた。なお、有機エレクトロル
ミネッセンス素子の発光（単色）の漏れを確認できない
範囲の視野角は、±８０°であり、実用上問題とならな
いレベルであった。なお、本実施例に用いた０．２０μ
ｍ膜厚の酸化チタンの水分含有量は、０．１重量％以下
であり、水蒸気または酸素の酸化チタン膜に対するガス
透過係数は、それぞれ１０^-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ²・ｓ・
ｃｍＨｇ以下であった。

【００７８】［実施例５］実施例１の支持基板、透明な
絶縁層、透明電極（ＩＴＯ）を形成した基板上に、ポジ
型フォトレジスト（富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製ＨＰＲ２０４）をＩＴＯ上に保護膜として、
基板の反対面上にネガ型のカーボンブラック含有アクリ
レート系レジスト（新日鉄化学社製Ｖ２５９ＢＫ）を支
持基板エッチング用レジストとしてスピンコートし、８
０℃でベークした後、露光機にて、５０μｍライン２５
０μｍギャップのストライプ状の支持基板の空隙パター
ンが得られるマスクを介して支持基板エッチング用レジ
ストを露光した。次に、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液にて
レジストを現像し、２００℃にてポストベークし、ブラ
ックマトリックスを形成した。一方、ＩＴＯ上の保護膜
のレジストは剥離した。以下、実施例１と同一の方法で
多色発光装置（図５）を作製し、同一の結果が得られ
た。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光
（単色）の漏れを確認できない範囲の視野角は、±８０
°であり、実用上問題とならないレベルであった。

【００７９】［実施例６］支持基板として０．１５μｍ
膜厚、２０Ω／□のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の透
明電極を成膜した１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．７ｍｍ
厚のガラス（ホウケイ酸ガラス）基板を準備した。次
に、ポジ型のフォトレジスト（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＨＰＲ２０４）をＩＴＯ上に保護
膜として、基板の反対面上にネガ型のカーボンブラック
含有アクリレート系レジスト（新日鉄化学社製Ｖ２５９
ＢＫ）を支持基板エッチング用レジストとしてスピンコ
ートし、８０℃でベークした後、露光機にて、５０μｍ
ライン２５０μｍギャップのストライプ状の支持基板の
空隙パターンが得られるマスクを介して支持基板エッチ
ング用レジストを露光した。次に、１Ｎ炭酸ナトリウム
水溶液にてレジストを現像し、２００℃にてポストベー
クし、ブラックマトリックスを形成した。次に、基板を
サンドブラストにより、ブラックマトリックス側に露出
したガラスをサンドブラスト加工し、０．６ｍｍの深さ
の空隙を形成した。一方、ＩＴＯ上の保護膜を剥離剤に
て剥離した。次に、ＩＴＯ上にネガ型のフォトレジスト
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＩＣ２
８−Ｔ３）をスピンコートし、８０℃でベークした後、
露光機にて、ブラックマトリックス側から露光し、専用
現像液（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製
ＷＮＲＤ）にてレジストを現像し、１５０℃にてポスト
ベークした。次に、基板を室温の４７重量％臭化水素酸
水溶液に浸漬し、レジストパターンのＩＴＯの露出して
いる部分をエッチングし、基板に残っているレジストを
剥離して、有機ＥＬ素子の透明電極（陽極）の２５０μ
ｍライン５０μｍギャップのストライプ状パターンを形
成した。以下、実施例１と同一の方法で多色発光装置
（図５）を作製し、同一の結果が得られた。なお、有機
エレクトロルミネッセンス素子の発光（単色）の漏れを
確認できない範囲の視野角は、±６０°であり、実用上
問題とならないレベルであった。

【００８０】［実施例７］実施例１の支持基板、透明な
絶縁層、透明電極（ＩＴＯ）を形成した基板上に、ポジ
型フォトレジスト（富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製ＨＰＲ２０４）をＩＴＯ上に保護膜として、
基板の反対面上にネガ型のカーボンブラック含有アクリ
レート系レジスト（新日鉄化学社製Ｖ２５９ＢＫ）を支
持基板エッチング用レジストとしてスピンコートし、８
０℃でベークした後、露光機にて、５０μｍライン２５
０μｍギャップのストライプ状の支持基板の空隙パター
ンが得られるマスクを介して支持基板エッチング用レジ
ストを露光した。次に、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液にて
レジストを現像し、２００℃にてポストベークし、ブラ
ックマトリックスを形成した。一方、ＩＴＯ上の保護膜
のレジストは剥離した。次に、ＩＴＯ上にネガ型のフォ
トレジスト（富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製ＩＣ２８−Ｔ３）をスピンコートし、８０℃でベー
クした後、露光機にて、ブラックマトリックス側から露
光し、専用現像液（富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製ＷＮＲＤ）にてレジストを現像し、１５０℃
にてポストベークした。次に、基板を室温の４７重量％
臭化水素酸水溶液に浸漬し、レジストパターンのＩＴＯ
の露出している部分をエッチングし、基板に残っている
レジストを剥離して、有機ＥＬ素子の透明電極（陽極）
の２５０μｍライン５０μｍギャップのストライプ状パ
ターンを形成した。次に、基板をスクリーン印刷機にセ
ットし、２５０μｍライン６５０μｍギャップのストラ
イプ状のパターンが得られる版を用いて、銅フタロシア
ニン系顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６）を２
８重量％、ジオキサジン系顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメントバ
イオレット２３）を２重量％、ポリ塩化ビニル樹脂（重
量平均分子量２万）７０重量％の割合でシクロヘキサノ
ンに分散したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を、支持基
板の空隙中に印刷し、８０℃でベークして、１．５μｍ
膜厚の青色カラーフィルタのパターンを得た。次に、版
をストライプに対して垂直方向へ３００μｍずらして、
０．０３ｍｏｌ／ｋｇ（固形分中）の濃度のクマリン６
／ポリ塩化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）をシクロ
ヘキサノンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を
を支持基板の別の空隙中に印刷し、８０℃でベークし
て、１５μｍ膜厚の蛍光体層Ａのパターンを得た。次
に、版をストライプに対して垂直方向へ３００μｍずら
して、４３重量％（固形分中）のローダミン含有顔料／
ポリ塩化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）をシクロヘ
キサノンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を支
持基板の別の空隙中に印刷し、８０℃でベークして、２
０μｍ膜厚の蛍光体層Ｂのパターンを得た。次に、この
基板をＩＰＡ洗浄、ＵＶ洗浄した後、蒸着装置（日本真
空技術製）の基板ホルダーに固定した。蒸着源は、モリ
ブテン製の抵抗加熱ボートに正孔注入材料としてＭＴＤ
ＡＴＡ及びＮＰＤ、発光材料としてＤＰＶＢｉ、ドーパ
ントとしてＤＰＡＶＢ、電子注入材料としてＡｌｑをそ
れぞれ仕込み、電極（陰極）の第二金属としてＡｇをタ
ングステン製フィラメントに、電極（陰極）の電子注入
性金属としてＭｇをモリブテン製ボートに装着した。そ
の後、真空槽を５×１０−７ｔｏｒｒまで減圧後、以下
の順序で順次積層していった。正孔注入層から陰極まで
途中で真空を破らず一回の真空引きでおこなった。まず
正孔注入層としては、ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／ｓ，膜厚２００ｎｍ、ＮＰＤを蒸着速度
０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、膜厚２０ｎｍ、発光層として
はＤＰＶＢｉを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，ＤＰ
ＡＶＢを蒸着速度０．０５ｎｍ／ｓで同時蒸着して併せ
て膜厚４０ｎｍ（ホスト材料に対するドーパントの重量
比は１．２〜１．６）とし、電子注入層としては、Ａｌ
ｑを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚２０ｎｍ、
陰極としては、陽極ＩＴＯストライプパターンに対し垂
直とし、６００μｍライン、１００μｍギャップのスト
ライプパターンになるようなマスクを介して、ＭｇとＡ
ｇを同時蒸着した。すなわち、Ｍｇは、蒸着速度１．３
〜１．４ｎｍ／ｓ、Ａｇは、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓで
膜厚を２００ｎｍとした。このようにして、有機ＥＬ多
色発光装置を作製し（図６）、直流８Ｖの電圧を陽極と
陰極に印加すると、電圧を印加した陽極と陰極の交差部
分が発光し、青色カラーフィルタから見える光の発光輝
度は、４２ｃｄ／ｍ──ＣＩＥ色度座標（ＪＩＳ Ｚ
８７０１）はｘ＝０．１４、ｙ＝０．１２で青色の発光
がでていることを確認した。一方、蛍光体層Ａから見え
る光の発光輝度は、１４０ｃｄ／ｍ² 、ＣＩＥ色度座標
はｘ＝０．２８、ｙ＝０．６２で黄味がかった緑色（イ
エロイッシュグリーン）の発光がでていることを確認し
た。また、蛍光体層Ｂから見える光の発光輝度は、 １
３６ｃｄ／ｍ²、ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．６０、ｙ＝
０．３１で赤色の発光がでていることを確認した。以上
のように有機ＥＬ多色発光装置を作製し、二週間、窒素
気流下で保存しても輝度および色度座標に全く変化がな
く、劣化とともに発生する黒点もなく、均一な発光を維
持していた。また、有機エレクトロルミネッセンス素子
の発光（単色）の漏れを確認できない範囲の視野角は、
±８０°であり、実用上問題とならないレベルであっ
た。

【００８１】［比較例１］１００ｍｍ×１００ｍｍ×
１．１ｍｍのガラス基板（コーニング７０５９）をスク
リーン印刷機にセットし、２５０μｍライン６５０μｍ
ギャップのストライプ状のパターンが得られる版を用い
て、０．０３ｍｏｌ／ｋｇ（固形分中）の濃度のクマリ
ン６／ポリ塩化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）をシ
クロヘキサノンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐ
ｓ）をガラス基板の上に印刷し、８０℃でベークして、
１５μｍ膜厚の蛍光体層Ａのパターンを得た。次に、版
をストライプに対して垂直方向へ３００μｍずらして、
４３重量％（固形分中）のローダミン含有顔料／ポリ塩
化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）をシクロヘキサノ
ンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を蛍光体層
Ａに隣接した位置に印刷し、８０℃でベークして、２０
μｍ膜厚の蛍光体層Ｂのパターンを得た。 次に、蛍光
体層上にメタクリレート系光硬化型樹脂（新日鉄化学
製：Ｖ２５９ＰＡ）をスピンコートし、８０℃でベーク
し、さらに３００ｍＪ／ｃｍ²（３６５ｎｍ）の紫外線
露光し、さらに１５０℃でベークして、 ５μｍ厚の透
明な保護層を積層した。次いで、１８０℃で加熱した基
板上にスパッタリングによりＩＴＯを０．１２μｍ膜
厚、２０Ω／□のＩＴＯをベタ成膜した。次に、ＩＴＯ
上にポジ型のフォトレジスト（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＨＰＲ２０４）をスピンコート
し、８０℃でベークした後、露光機にて、２５０μｍラ
イン５０μｍギャップのＩＴＯストライプパターンが得
られるマスクを蛍光体Ａ、Ｂに位置合わせしてからその
マスクを介して露光し、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液にて
レジストを現像し、１３０℃にてポストベーク後、臭化
水素酸水溶液で露出したＩＴＯをエッチングし、最後に
レジストを剥離して、有機ＥＬ素子の透明電極を作製し
た。以下、実施例１と同一の条件で有機ＥＬ素子を作製
し、有機ＥＬ多色発光装置を作製した（図１３）。直流
８Ｖの電圧を陽極（透明電極）と陰極（電極）に印加す
ると、電圧を印加した陽極と陰極の交差部分が発光し、
蛍光体層のない部分から見える光の発光輝度は、１００
ｃｄ／ｍ²、ＣＩＥ色度座標（ＪＩＳ Ｚ ８７０１）
は ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１５で青色の発光がでてい
ることを確認した。一方、蛍光体層Ａから見える光の発
光輝度は、１２０ｃｄ／ｍ²、 ＣＩＥ色度座標はｘ＝
０．２８、ｙ＝０．６２で黄味がかった緑色（イエロイ
ッシュグリーン）の発光がでていることを確認した。ま
た、蛍光体層Ｂから見える光の発光輝度は、３０ｃｄ／
ｍ²、 ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．６０、ｙ＝０．３１で
赤色の発光がでていることを確認した。この結果、実施
例１の各色の発光輝度に比べて８０％程度低くなってお
り、本発明の構成が発光効率に優れていることが確認で
きた。また、二週間、窒素気流下で保存すると、同条件
で蛍光体層のない部分から見える光の発光輝度は、 ５
ｃｄ／ｍ²まで低下し、劣化に伴う黒点が数多く発生
し、明かに問題となり、保存寿命の面からも本発明の構
成が発光効率に優れていることが確認できた。なお、本
比較例に用いた５μｍ膜厚のメタクリレート系光硬化型
樹脂からなる保護膜の水分含有量は、１．２重量％であ
り、水蒸気または酸素の保護膜に対するガス透過係数
は、それぞれ１０^-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ²・ｓ・ｃｍＨｇ
以上であった。

【００８２】［比較例２］支持基板として０．１５μｍ
膜厚、２０Ω／□のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の透
明電極を成膜した１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．０５ｍ
ｍ厚のガラス（ホウケイ酸ガラス）基板を準備した。次
に、ＩＴＯ上にポジ型のフォトレジスト（富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製ＨＰＲ２０４）をスピ
ンコートし、８０℃でベークした後、露光機にて、２５
０μｍライン５０μｍギャップのＩＴＯストライプパタ
ーンが得られるマスクを介して露光し、２．３８重量％
ＴＭＡＨ水溶液にてレジストを現像し、１３０℃にてポ
ストベーク後、臭化水素酸水溶液で露出したＩＴＯをエ
ッチングし、最後にレジストを剥離して、有機ＥＬ素子
の透明電極を作製したが、支持基板の厚みが薄いので、
ＩＴＯパターニングプロセス中の取扱い上の衝撃にて、
基板の破損が多発し、製造歩留まりが著しく低かった。
そこで、支持基板として、０．１５μｍ膜厚、２０Ω／
□のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の透明電極を成膜し
た１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．７ｍｍ厚のガラス（ホ
ウケイ酸ガラス）基板を準備した。次に、先と同じよう
にＩＴＯのパターニングを行った。次に、この基板をス
クリーン印刷機にセットし、２５０μｍライン６５０μ
ｍギャップのストライプ状のパターンが得られる版を用
いて、０．０３ｍｏｌ／ｋｇ（固形分中）の濃度のクマ
リン６／ポリ塩化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）を
シクロヘキサノンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐ
ｓ）を支持基板のＩＴＯと反対側に印刷し、８０℃でベ
ークして、１５μｍ膜厚の蛍光体層Ａのパターンを得
た。次に、版をストライプと垂直方向へ３００μｍずら
して、４３重量％（固形分中）のローダミン含有顔料／
ポリ塩化ビニル樹脂（平均重量分子量２万）をシクロヘ
キサノンに溶解したインキ（粘度８０００ｃｐｓ）を蛍
光体層Ａに隣接した位置に印刷し、８０℃でベークし
て、２０μｍ膜厚の蛍光体層Ｂのパターンを得た。以
下、実施例１と同一の方法で有機ＥＬ素子を作製して多
色発光装置（図１０）を作製し、直流８Ｖの電圧を陽極
（透明電極）と陰極（電極）に印加すると、電圧を印加
した陽極と陰極の交差部分が発光し、蛍光体層のない部
分から見える光の発光輝度は、１００ｃｄ／ｍ²、 ＣＩ
Ｅ色度座標（ＪＩＳ Ｚ ８７０１）はｘ＝０．１５、
ｙ＝０．１５で青色の発光がでていることを確認した。
一方、蛍光体層Ａから見える光の発光輝度は、１２０ｃ
ｄ／ｍ²、 ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．２８、ｙ＝０．６
２で黄味がかった緑色（イエロイッシュグリーン）の発
光がでていることを確認した。また、蛍光体層Ｂから見
える光の発光輝度は、３０ｃｄ／ｍ²、 ＣＩＥ色度座標
はｘ＝０．６０、ｙ＝０．３１で赤色の発光がでている
ことを確認した。この結果、実施例１の各色の発光輝度
に比べて８０％程度低くなっており、本発明の構成が発
光効率に優れていることが確認できた。さらに、二週
間、窒素気流下で保存しても輝度および色度座標にほと
んど変化がなく、劣化とともに発生する黒点も少なく、
均一な発光を維持していたが、有機エレクトロルミネッ
センス素子の発光（単色）の漏れを確認できない範囲の
視野角は、ほぼ±１０°であり、通常見る範囲に、発光
色が異なって見える部分（角度）があり、実用上問題と
なり、視認性の面からも本発明の構成が優れていること
が確認できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多色発光装置の一例を模式的に示す概
略断面図である。

【図２】本発明の多色発光装置の、蛍光体層を複数用い
た実施例を模式的に示す概略断面図である。

【図３】本発明の多色発光装置の、青色カラーフィルタ
を用いた例を模式的に示す概略断面図である。

【図４】本発明の多色発光装置の、さらに緑色カラーフ
ィルタおよび赤色カラーフィルタを用いた他の例を模式
的に示す概略断面図である。

【図５】本発明の多色発光装置の、さらにブラックマト
リックスを用いた実施例を模式的に示す概略断面図であ
る。

【図６】本発明の多色発光装置の、空隙の側面を不透明
とした他の実施例を模式的に示す概略断面図である。

【図７】本発明の多色発光装置の、透明な接着層を用い
た実施例を模式的に示す概略断面図である。

【図８】本発明の多色発光装置の、さらに透明な保護層
を用いた例を模式的に示す概略断面図である。

【図９】本発明の多色発光装置の、封止板の間隙に不活
性流体を封入した例を模式的に示す概略断面図である。

【図１０】従来の多色発光装置の一例（比較例）を模式
的に示す概略断面図である。

【図１１】本発明の多色発光装置の製造方法の実施例を
模式的に示す概略断面図である。

【図１２】本発明の多色発光装置の製造方法の、他の実
施例を模式的に示す概略断面図である。

【図１３】従来の多色発光装置の一例（比較例）を模式
的に示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ 有機ＥＬ素子 １ａ 透明電極 １ｂ 有機物層 １ｃ 電極 ２ 支持基板 ２ａ 空隙 ２ｂ 空隙側面 ３ 透明な絶縁層 ４ 蛍光体層 ５ カラーフィルタ ６ ブラックマトリックス ７ 平面化層（保護層） ８ 透明な保護層 ９ 封止板 １０ 不活性液体 １１ 透明基板 １２ 接着層（接着剤） １３ 硬質要素

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板と、この支持基板上に配設した
   有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と、この有
   機ＥＬ素子からの発光を吸収して異なった可視光の蛍光
   を発光し得るようにこの有機ＥＬ素子の透明電極または
   電極に対応して配設した蛍光体層とを備えた多色発光装
   置において、 支持基板が、有機ＥＬ素子の発光部分に対応する部分に
   空隙を有し、その空隙に蛍光体が埋設されてなり、かつ
   蛍光体層および支持基板と有機ＥＬ素子との間に透明な
   絶縁層が配設されてなることを特徴とする多色発光装
   置。
2. 【請求項２】 前記支持基板が、金属からなるものであ
   ることを特徴とする請求項１記載の多色発光装置。
3. 【請求項３】 前記支持基板が、ステンレス、鉄、銅、
   アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロ
   ム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム、タ
   ンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合
   金からなることを特徴とする請求項１または２記載の多
   色発光装置。
4. 【請求項４】 前記支持基板および／または透明な絶縁
   層が、無機酸化物を含むものであることを特徴とする請
   求項１〜３のいずれか１項記載の多色発光装置。
5. 【請求項５】 前記支持基板および／または透明な絶縁
   層が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタンから
   なる群から選ばれる一種以上の無機酸化物を含むもので
   あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載
   の多色発光装置。
6. 【請求項６】 前記支持基板および／または透明な絶縁
   層が、ガラス板であることを特徴とする請求項１〜４の
   いずれか１項記載の多色発光装置。
7. 【請求項７】 支持基板に、有機ＥＬ素子の発光を吸収
   して異なった可視光の蛍光を発光する蛍光体層を配置
   し、かつ有機ＥＬ素子をその透明電極または電極が蛍光
   体層に対応するように配設する多色発光装置の製造方法
   において、 １）支持基板の一の面上に、透明な絶縁層および透明電
   極を順次積層する工程、 ２）支持基板の他の面の、有機ＥＬ素子の発光部分に対
   応する部分をエッチングして、支持基板に空隙を形成す
   る工程、 ３）透明電極をパターニングする工程、 ４）支持基板の空隙に蛍光体層を埋設する工程 ５）透明電極上に有機物層、および電極を順次積層して
   有機ＥＬ素子を作製する工程、 を有することを特徴とする多色発光装置の製造方法。
8. 【請求項８】 支持基板に、有機ＥＬ素子の発光を吸収
   して異なった可視光の蛍光を発光する蛍光体層を配置
   し、かつ有機ＥＬ素子をその透明電極または電極が蛍光
   体に対応するように配設する多色発光装置の製造方法に
   おいて、 １）ガラス板からなる支持基板の一の面上に透明電極を
   成膜する工程、 ２）支持基板の他の面の、有機ＥＬ素子の発光部分に対
   応する部分をエッチングして、支持基板に空隙を形成す
   る工程、 ３）透明電極をパターニングする工程、 ４）支持基板の空隙に蛍光体層を埋設する工程、 ５）透明電極上に有機物層、および電極を順次積層して
   有機ＥＬ素子を作製する工程、 を有することを特徴とする多色発光装置の製造方法。