JPH10208879A

JPH10208879A - 蛍光変換膜の製造方法

Info

Publication number: JPH10208879A
Application number: JP9012276A
Authority: JP
Inventors: Noboru Sakaeda; 暢栄田; Takeki Koto; 武樹小藤
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1997-01-27
Filing date: 1997-01-27
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】蛍光変換膜の蛍光性を失うことなく（変換効
率を低下させることなく）、高精細な蛍光変換膜を製造
することのできる方法を提供する。【解決手段】基板上に、発光体からの発光を、より長
波長の蛍光に変換する蛍光変換膜を形成する蛍光変換膜
の製造方法において、下記（I）〜（III）の段階を含む
ことを特徴とする蛍光変換膜の製造方法。（I）：基板１の表面に凹凸の繰り返しパターンを形成
する。（II）：この基板凹部を埋め込むようにして、基板の全
面に蛍光変換膜２を成膜する。（III）：この蛍光変換膜の表面を研磨して、基板表面
の凹部の内部以外に成膜された蛍光変換膜を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光変換膜の製造
方法に関する。さらに詳しくは、民生用、工業用の表示
機器、カラーディスプレイ等に好適に用いられる蛍光変
換膜の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ディスプレイデバイスは、一般にma
n-machine interface といわれるように、各種装置（ma
chine）からの各種情報を視覚を通して人間（man）に伝
達する電子デバイスであって、人間と装置とを結ぶ重要
な橋渡し的役割（interface）を担っている。この電子
デバイスには、発光形と受光形とがあり、発光形として
は、例えばＣＲＴ（陰極線管），ＰＤＰ（プラズマディ
スプレイ），ＥＬＤ（エレクトロルミネッセンスディス
プレイ），ＶＦＤ（蛍光表示管），ＬＥＤ（発光ダイオ
ード）などが挙げられる。一方、受光形としては、例え
ばＬＣＤ（液晶ディスプレイ），ＥＣＤ（エレクトロケ
ミカルディスプレイ），ＥＰＩＤ（電気泳動ディスプレ
イ），ＳＰＤ（分散粒子配向形ディスプレイ），ＴＢＤ
（着色粒子回転形ディスプレイ），ＰＬＺＴ（透明強誘
電性ＰＬＺＴ［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃］セ
ラミックスディスプレイ）などが挙げられる。

【０００３】ここで、電子ディスプレイデバイスのフル
カラー化の方法としては、多色（例えば赤，青，緑の三
原色）の発光部分を平面的に分離配置して、それぞれ発
光させる方法や、バックライトの白色光をカラーフィル
タで多色に分解させる方法が知られている。また、発光
体の発光を平面的に分離配置した異なる蛍光体に吸収さ
せ、それぞれの蛍光体から多色（異なる色）蛍光を発光
させる方法も知られている。ここで、蛍光体を用いて、
ある発光体から多色の蛍光を発光させる方法について
は、ＣＲＴ，ＰＤＰ，ＶＦＤに応用されている。しかし
ながら、この場合、発光体の発光が電子線や紫外線であ
るなど、エネルギー的に高いことが必要である。したが
ってＬＥＤやＥＬＤのように発光体からの発光が近紫外
線ないし可視光のように、エネルギー的に低い場合に
は、ＣＲＴ，ＰＤＰ，ＶＦＤで用いられる無機の蛍光体
（通常、希土類オキシハライドなどを母体とし、この母
体を不活性化剤で不活性化したものが用いられる（例え
ばＹ₂Ｏ₃：Ｅｕなど））は励起されず、蛍光は発しな
い。

【０００４】従って、このような近紫外線ないし可視光
のような低いエネルギー線に対して、蛍光を発するもの
としては、レーザー色素のような有機系の蛍光色素また
は蛍光顔料が用いられる。例えば、有機エレクトロルミ
ネッセンス（以下、有機ＥＬ素子と略記する）を用いた
多色発光素子として、単色で発光する有機ＥＬ素子の各
々に対応して、蛍光色素を含む蛍光体（以下、蛍光変換
膜という）を積層または並列に配置したものが提案され
ている（特開平３−１５２８９７号公報）。このような
蛍光色素または蛍光顔料を含む蛍光変換膜を高精細にパ
ターニングすれば、近紫外線ないし可視光のような低い
エネルギー線を用いてもフルカラーの発光形ディスプレ
イが構築できる。そこで、蛍光変換膜のパターニングの
方法としては、無機蛍光体の場合と同様に蛍光色素を液
状のレジスト（感光性樹脂）中に分散させ、これをスピ
ンコート法などで成膜したのち、フォトリソグラフィー
法でパターニングする方法（特開平５−１９８９２１号
公報、特開平５−２５８８６０号公報）が容易に類推さ
れる。特に、特開平５−２５８８６０号公報には、上記
方法において有機ＥＬ素子の４８０ｎｍ未満のピーク波
長を有する発光（青色ないし青緑色領域の発光）を吸収
して、緑色発光するパターン化された蛍光媒体と赤色発
光するパターン化された蛍光媒体とを、平面的に分離配
置した構成（以下「蛍光変換フィルター」と略する。）
を開示している。

【０００５】しかしながら、蛍光色素は、周囲の環境に
影響を受けやすく、例えば溶媒や樹脂などの媒体の種類
などによっては、その蛍光波長が変化したり、消光を起
こすことがよく知られている。特に、液状のレジスト中
に蛍光色素を分散させた場合、レジスト中に光開始剤
（重合開始剤）や反応性多官能モノマーが存在するた
め、フォトリソグラフィープロセスにおける露光工程や
熱処理（ポストベーク）工程において、この光開始剤や
反応性多官能モノマーからから発生するラジカル種やイ
オン種によって、蛍光色素が脱色したり、消光すること
がしばしば起こるという問題が生じる（特開平７−２６
８０１０号公報）。また、蛍光色素自体、紫外線に弱
く、脱色したり、消光することが多々ある。

【０００６】従って、蛍光色素をその蛍光性を失わせな
い透明なインキ（メジウム）中に分散させ、印刷法にて
高精細な蛍光変換膜のパターニングを行うという試みが
考えられるが、印刷法ではせいぜい３００μｍピッチ程
度のパターニングが限度で、それ以下の高精細化につい
ては精度上問題が大きい。

【０００７】また、液晶用カラーフィルタの製造方法と
してその平坦化のために研磨法を用いた例は種々開示さ
れている（たとえば特開昭６１−３１２２号公報等）。
中でも特開昭６０−１５９８０３号公報では図８に示す
ように、基板１の凹部内に着色インキ層１１が直接埋め
込まれて設けられ、その後、基板表面から突出している
部分を研磨しているが、凹部以外の部分（凸部）に着色
インキ層が付着する場合があるので選択的に高精細な凹
状のパターン内に直接着色インキ層を埋め込むことは困
難である。

【０００８】また、特開平８−１３６７１８号公報で
は、図９に示すように透明基板１上に一，二色の着色パ
ターン４Ｒ，４Ｇを形成後、最後の三色目の着色パター
ン４Ｂを形成する際に、一，二色の着色パターン上面に
三色目の着色膜４Ｂを成膜し（または基板の凹部に着色
膜を成膜し）、透明基板側から全面露光後、着色膜を現
像して三色目の着色パターンを形成するという液晶用カ
ラーフィルタの製造方法を開示している。この方法を蛍
光変換膜に適用すると、蛍光色素を感光性樹脂（レジス
ト）中に分散させることになり、前述したように紫外線
の露光によって、蛍光変換膜の蛍光性を低下させ（消光
あるいは脱色させ）発光体の発光を長波長の蛍光に変換
する効率（変換効率）を低下させることになる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みなされたものであり、蛍光変換膜の蛍光性を失うこ
となく（変換効率を低下させることなく）、高精細な蛍
光変換膜を製造することのできる方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【発明が解決しようとする手段】上記目的を達成するた
め、本願発明によれば、基板上に、発光体からの発光
を、より長波長の蛍光に変換する蛍光変換膜を形成する
蛍光変換膜の製造方法において、下記（I）〜（III）の
段階を含むことを特徴とする蛍光変換膜の製造方法が提
供される。（I）：基板の表面に凹凸の繰り返しパターンを形成す
る。（II）：この基板凹部に埋め込むようにして、基板の全
面に蛍光変換膜を成膜する。（III）：この蛍光変換膜の表面を研磨して、基板表面
の凹部の内部以外に成膜された蛍光変換膜を除去する。

【００１１】また、その好ましい態様として、前記段階
の間に（I）および（II）の間に、下記段階（Ａ）を含
む蛍光変換膜の製造方法が提供される。（Ａ）：基板の全面または凸部だけに保護膜を成膜す
る。

【００１２】また、その好ましい態様として、前記段階
（III）の後に、下記段階（Ｂ）を含む蛍光変換膜の製
造方法が提供される。（Ｂ）：基板表面の凸部に成膜された保護膜を除去す
る。

【００１３】また、その好ましい態様として、前記段階
（Ｂ）における保護膜の除去が、水媒体による処理によ
るものである蛍光変換膜の製造方法が提供される。

【００１４】さらに、その好ましい態様として、前記発
光体が、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子で
ある蛍光変換膜の製造方法が提供される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ具体的に説明する。図１〜図５は、本発明
の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を模式的に示す断
面工程図である。なお、図４は、図２（ｄ）の後に基板
表面の凸部の保護膜３を除去した場合を示し、図５は、
図３（ｄ）の後に、基板表面の凸部の保護膜３を除去し
た場合を示す。図６は、本発明の一実施例に用いられ
る、その表面に凹凸の繰り返しパターンが形成された基
板を模式的に示す断面図である。図７は、本発明の一実
施例における蛍光変換膜と発光体とを組み合わせた例を
模式的に示す断面図である。本発明は、基板上に発光
体、たとえば有機ＥＬ素子からの発光をより長波長の蛍
光に変換する蛍光変換膜を形成する蛍光変換膜の製造方
法であって、下記（I）〜（III）の段階を含む。

【００１６】１．基板表面への凹凸の繰り返しパターン
の形成（I）の段階として、基板の表面に凹凸の繰り返しパタ
ーンを形成する。（１）基板の材質本発明に用いられる基板１としては、可視光に透明な透
明基板を挙げることができる。例えば、透明ガラス（ソ
ーダーライムガラス、無アルカリガラス等）、透明樹脂
（ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化
ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、フッ素系樹脂等）、および石英等を挙げることがで
きる。

【００１７】（２）基板の形状基板の形状としては、例えば板状、シート状、フィルム
状等の表面の平滑なものを挙げることができる。

【００１８】（３）凹凸の繰り返しパターンの形成凹凸の繰り返しパターンを形成する方法としては、たと
えば下記の方法を挙げることができる。平滑な基板上にフォトレジストを成膜し、所望のパタ
ーンをフォトリソグラフィー法で形成した後、露出した
基板をフッ酸等により化学エッチング、またはサンドブ
ラスト等の物理的な方法によりエッチングし、最後にフ
ォトレジストを剥離する方法。平滑な基板上にメタルをメッキ、蒸着、スパッタリン
グ等により成膜した後、フォトリソグラフィー法でメタ
ルをエッチングして、基板表面に凹凸の繰り返しパター
ンを形成する方法。平滑な基板上に感光性樹脂を成膜し、同じくフォトリ
ソグラフィー法で所望のパターンを形成し、基板表面に
凹凸の繰り返しパターンを形成する方法。より具体的には、基板表面に表示用の画素を部分的に形
成し、残りの画素を形成する予定の部分を凹部として残
す方法。この方法には、図６に示すようにガラス基板１
上に例えば各画素にブラックマトリックス５、カラーフ
ィルタ４、蛍光変換膜２のパターンをあらかじめ形成す
ることにより、基板表面に凹凸の繰り返しパターンを形
成する方法も含まれる。

【００１９】なお、凹部の深さは、蛍光変換膜の所望の
膜厚に応じて決定されるが、その蛍光変換膜の膜厚は、
発光体の発光波長、変換する蛍光波長に応じ適宜決定さ
れる。

【００２０】２．基板全面への蛍光変換膜の成膜段階（II）として、基板１の凹部に埋め込むようにし
て、基板の全面に蛍光変換膜２を成膜する。基板の全面
に成膜するので、凹状のパターンでの精細度によらず、
基板１の凹部に埋め込むことができる。（１）蛍光変換膜本発明に用いられる蛍光変換膜としては、例えば、蛍光
色素、蛍光顔料のみからなるもの、蛍光色素、蛍光顔料
をバインダー樹脂中に溶解または分散させたものであっ
て、固体状態のものを挙げることができる。蛍光色素
は、発光体からの発光を長波長の蛍光に変換する機能を
有している。具体的には、発光体の近紫外光から紫色ま
での発光から青色発光に変換する蛍光色素としては、
１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン（Ｂｉｓ
−ＭＳＢ）、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベ
ン（ＤＰＳ）の等スチルベン系色素、７−ヒドロキシ−
４−メチルクマリン（クマリン４）等のクマリン系色素
を挙げることができる。

【００２１】次に、発光体の青色または青緑色の発光か
ら緑色発光に変換する蛍光色素については、例えば、
２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリ
フロロメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリ
ン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリ
ル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３
−（２’−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノクマリン（クマリン７）等のクマリン色素、他
クマリン色素系染料であるがベーシックイエロー５１、
また、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１
６等のナフタルイミド色素を挙げることができる。

【００２２】また、発光体の青色から緑色の発光を橙色
から赤色発光に変換する蛍光色素については、例えば、
４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等のシ
アニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジニ
ウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色
素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ，ローダミン１０
１，スルホローダミン１０１等のローダミン系色素、他
にオキサジン系，ピラジン系が挙げられる。

【００２３】さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、
塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用可能で
ある。また、前記蛍光色素をポリメタクリル酸エステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、
アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の樹脂中に
あらかじめ練りこんで顔料（蛍光顔料）化したものも挙
げられる。

【００２４】また、これらの蛍光色素または蛍光顔料
は、必要に応じて、単独または混合して用いる。一方、
バインダー樹脂は、透明な（可視光５０％以上）材料が
好ましい。例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルピリジ
ン、ポリ（アルキルアミノ）スチレン、ポリ塩化ビニル
樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、
エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、
マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明樹脂が挙げら
れる。

【００２５】蛍光変換膜の膜厚は、発光体の発光を十分
に吸収し、蛍光を発生する機能を妨げるものでなければ
特に制限はなく、蛍光色素により若干異なるが、１０ｎ
ｍ〜１ｍｍ程度が適当である。好ましくは、１μｍ〜１
００μｍで一般に液晶用カラーフィルタより厚い。

【００２６】また、特に蛍光変換膜が蛍光色素とバイン
ダー樹脂（蛍光顔料の樹脂部分を含む）からなるもの
は、蛍光色素の濃度が、蛍光の濃度消光を起こすことな
く、かつ、発光体の発光を十分吸収できる範囲であれば
よい。蛍光色素の種類にもよるが、使用するバインダー
樹脂に対して、１〜１０^-4ｍｏｌ／ｋｇ程度が適当であ
り、一般に液晶用カラーフィルタの色素より濃度が小さ
い。

【００２７】（２）成膜成膜の方法としては、たとえば下記のものを挙げること
ができる。前記蛍光色素、蛍光顔料及びバインダー樹脂
を適当な溶媒に溶解または分散して、液状またはペース
ト状のインキとする。次に、そのインキを凹凸の繰り返
しパターンを形成した基板上にキャスティング、ロール
コート、スピンコート、スクリーン印刷等の方法で成膜
し、室温風乾または５０℃〜１８０℃の熱処理を行って
凹部に埋め込むようにして、凹部内を含めた基板全体に
蛍光変換膜を成膜する。また、インキを一度平滑な基板
上に成膜し、フィルム状にしてそのフィルムを凹状にパ
ターン化された基板に均一にラミネートして貼り合わ
せ、熱処理して蛍光変換膜を成膜してもよい。

【００２８】３．蛍光変換膜表面の研磨段階（III）として、蛍光変換膜２の表面を研磨して、
基板１表面の凹部の内部以外の蛍光変換膜を除去する。（１）研磨本発明における研磨としては特に制限はなく、通常の研
磨操作を用いることができる。例えば、市販されている
紙やすりや、アルミナ、シリコンカーバイト、酸化クロ
ム、ダイヤモンド粒子をフィルム上に固定化したラッピ
ングフィルム等で蛍光変換膜をラッピングし、必要に応
じて回転研磨機を使用して、アルミナ等のセラミックス
微粒子を研磨材とし、水洗しながらポリッシングし、研
磨面を鏡面化する。研磨終了の目安は、基板の凹部以外
の部分上の蛍光変換膜が完全に研磨されて除去されると
きであり、場合によっては、基板の凹部以外の部分も多
少過剰に研磨してもよい。凹部以外の部分を過剰に研磨
したくないときは、後述する保護膜を、あらかじめ蛍光
変換膜の成膜前に基板上に成膜しておくことが好まし
い。

【００２９】４．保護膜の成膜本発明においては、必要に応じて前記段階（I）および
（II）の間に段階（Ａ）として、基板１の全面または凸
部にだけに保護膜３を成膜してもよい。

【００３０】（１）保護膜保護膜は、研磨操作によって基板の凹部以外の部分（凸
部）に不必要な研磨傷が発生することを防止するため用
いられ、あるいは、不必要な蛍光変換膜の研磨残渣や、
くずを除去するために用いられる。保護膜としては、通
常の樹脂、ポリマー膜を挙げることができる。具体的に
は、蛍光変換膜のバインダー樹脂として前記した樹脂、
ポリマー、またアクリレート系、エポキシ系の熱硬化性
樹脂を挙げることができる。

【００３１】（２）成膜保護膜の成膜は、蛍光変換膜と同様な方法で行うことが
できる。特に基板の凹部以外の部分に選択的に保護膜を
形成する場合には、保護膜として感光性樹脂（フォトレ
ジスト）を選択し、フォトリソグラフィー法でそのまま
パターニングして、所望の場所に残すか、前記樹脂また
はポリマーを基板全面に成膜後、さらにフォトレジスト
を積層してパターン化し、下地の樹脂ポリマー膜をエッ
チングする方法を挙げることができる。

【００３２】５．保護膜の除去本発明において段階（Ａ）を含む場合、必要に応じて、
前記段階（III）の後に、段階（Ｂ）として、基板１表
面の凸部に成膜された保護膜３を除去してもよい。保護
膜を蛍光変換膜の研磨後、除去する場合は、この保護膜
がアルカリ、酸の水溶液、または水そのもの等の水媒体
で、室温〜８０℃の下、ディッピング、シャワー等の処
理で除去できる材料が好ましい。水媒体で処理できるこ
とにより、基板の凹部に埋め込まれた蛍光変換膜が、溶
解、浸食されることがなく、また廃液処理、安全性の面
で有利である。このような水媒体で処理（除去）できる
保護膜としては、例えばノボラック樹脂−ナフトキノン
ジアジド系のフォトレジスト、ポリアミック酸、ポリア
クリル酸、ポリメタクリル酸、これらの酸性基を含んだ
共重合体等のアルカリ性水溶液可溶性ポリマー、ポリビ
ニルピリジン、ポリアミノスチレン、これらの塩基性基
を含んだ共重合体等の酸性水溶液可溶性ポリマーを挙げ
ることができる。ノボラック樹脂−ナフトキノンジアジ
ド膜は、例えば除去したい部分を選択的に露光して、ア
ルカリ性水溶液に可溶な状態にして除去することができ
る。

【００３３】６．発光体本発明における発光体としては、青色から緑色さらに橙
色領域の光を発するものであればよく、特に制限され
ず、例えばＥＬ，ＬＥＤ，ＶＦＤ，ＰＤＰなどの各素子
を挙げることができるが、これらの素子の中で効率よく
発光が可能な有機ＥＬ素子が好適である。発光体の種類
が異なっても、図７に示すように平面的に分離配置をし
た単色の発光体と位置合わせをして、所望の色の蛍光を
発光できる蛍光変換膜を配置すれば、有機ＥＬ素子と同
様に多色発光は可能である。この有機ＥＬ素子は、基本
的には一対の電極の間に発光層を挟持し、必要に応じ正
孔注入層や電子注入層を介在させた構造を有している。
具体的には、（i）陽極／発光層／陰極（ii）陽極／正孔注入層／発光層／陰極（iii）陽極／発光層／電子注入層／陰極（iv）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極などの構造がある。

【００３４】上記発光層は（１）電界印加時に、陽極ま
たは正孔注入層より正孔を注入することができ、かつ陰
極又は電子注入層より電子を注入することができる注入
機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で
移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を
発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能な
どを有している。ただし、正孔の注入されやすさと電子
の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と
電子の移動度で表わされる輸送機能に大小があってもよ
いが、どちらか一方の電荷を移動させる機能を有するも
のが好ましい。この発光層に用いられる発光材料の種類
については特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子における
発光材料として公知のものを用いることができる。

【００３５】フルカラーディスプレイを目指した場合
は、発光体として青色発光有機ＥＬ素子が好ましく用い
られる。この青色発光有機ＥＬ素子は、例えば特開平３
−４７８９０号公報，特開平３−２３１９７０号公報，
特開平５−１７７６５号公報，特開平５−１３５８７８
号公報，特開平５−１４０１４５号公報，特開平５−２
４７４５８号公報，特開平５−２４７４５９号公報，特
開平６−１００８５７号公報，特開平６−１３２０８０
号公報などに開示されている方法に従って作製すること
ができる。一例を挙げると、インジウム錫酸化物（以
下、ＩＴＯと略記する）電極を成膜したガラス基板から
なる透明基板に、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニル
アミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−
ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰ
Ｄ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビ
フェニル（ＤＰＶＢｉ），トリス（８−キノリノール）
アルミニウム（Ａｌｑ）およびマグネシウム−銀電極を
順次真空蒸着し、積層させることによって青色発光有機
ＥＬ素子を得ることができる（製造例参照）。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。［製造例］（発光体としての青色発光有機ＥＬ素子の作製）２５ｍ
ｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍガラス基板（コーニング７０
５９）上全面に、スパッタリングにより、１２０ｎｍの
膜厚でＩＴＯ膜を成膜後、ノボラック／キノンジアジド
系のポジ型フォトレジスト（富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製ＨＰＲ２０４）をスピンコートして
積層し、８０℃で乾燥後、ガラス基板内１５ｍｍ×５０
ｍｍ□領域にＩＴＯベタパターンが得られるマスクを介
して１００ｍＪ／ｃｍ² （３６５ｎｍ）で高圧水銀灯を
光源としたコンタクト露光を行い、さらに２．３８％Ｔ
ＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）で現
像、１３０℃でベーク後、臭化水素酸水溶液で露出した
ＩＴＯ膜をエッチングし、最後にポジ型レジストを剥離
して有機ＥＬ素子の陽極となるＩＴＯパターンを得た。
次に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、ＵＶ洗
浄した後、蒸着装置（日本真空技術社製）の基板ホルダ
ーに固定した。蒸着源は、モリブデン製の抵抗加熱ボー
トに正孔注入材料としてＭＴＤＡＴＡ及びＮＰＤ、発光
材料としてＤＰＶＢｉ、電子注入材料としてＡｌｑをそ
れぞれ仕込み、陰極の第二金属としてＡｇをタングステ
ン製フィラメントに、陰極の電子注入性金属としてＭｇ
をモリブデン製ボートに装着した。その後、真空槽を５
×１０^-7ｔｏｒｒまで減圧後、以下の順序で積層してい
った。正孔注入層から陰極まで途中で真空を破らず一回
の真空引きで行った。まず、正孔注入層としては、ＭＴ
ＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、膜厚６０
ｎｍ、ＮＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚
２０ｎｍ、発光層としてはＤＰＶＢｉを蒸着速度０．１
〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚５０ｎｍ、電子注入層として
は、Ａｌｑを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，膜厚２
０ｎｍ、陰極としては、ＩＴＯ陽極パターンと交差する
ようにガラス基板内１５ｍｍ×５０ｍｍ□領域にマスク
を介してＭｇとＡｇを同時蒸着した。すなわち、Ｍｇ
は、蒸着速度１．３〜１．４ｎｍ／ｓ、Ａｇは、蒸着速
度０．１ｎｍ／ｓで膜厚を２００ｎｍとした。このよう
にして、有機ＥＬ素子を作製し、陽極と陰極の間に直流
１２Ｖの電圧を印加すると、陽極と陰極の交差部分が発
光した。発光輝度は、色彩色差計（ミノルタ製ＣＳ１０
０）にて２００ｃｄ／ｍ² 、ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．
１６、ｙ＝０．１５で青色の発光であることを確認し
た。

【００３７】［実施例１］２５ｍｍ×５０ｍｍ×１．１
ｍｍ厚の透明基板（ジオマテック社製ソーダーライムガ
ラス）上に、カーボンブラック含有光硬化型レジスト
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＣＫ２
０００）をスピンコートして積層し、８０℃でベーク
後、さらにポリビニルアルコールの酸素遮断膜（富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製ＣＰ）をスピン
コートし８０℃でベークした。次に、基板を高圧水銀灯
を光源とするコンタクト式露光機にセットし、５０μｍ
ライン，２５０μｍギャップのストライプパターンが得
られるマスクを介して、６００ｍＪ／ｃｍ² （３６５ｎ
ｍ）で露光した。さらに、１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液で
現像後、基板側から１５００ｍＪ／ｃｍ² （３６５ｎ
ｍ）で露光後、２００℃でポストベークして、ブラック
マトリックス（膜厚１５．０μｍ）を得ることにより、
基板表面が凹凸状に繰り返しパターニングされた基板を
作製した。次に、蛍光顔料としてベンゾグアナミン樹脂
に対して２重量％のソルベントイエロー１１６および６
重量％のソルベントイエロー４４を予め練り込んだもの
（ナフタルイミド系蛍光顔料）を５ｇ、ベンゾグアナミ
ン樹脂に対して４重量％のベーシックバイオレット１１
および４重量％のローダミン６Ｇを予め練り込んだもの
（ローダミン系蛍光顔料）を１０ｇとエチルセロソルブ
アセテート１５ｇを混合したインキ（固形分５０重量
％）を調製した。このインキを先の基板上全面にスピン
コートして、８０℃でベークして乾燥し、赤色変換用の
蛍光変換膜を成膜した。次に、６００番のアルミナを固
定化したラッピングフィルム（住友スリーエム社製）
で、純水を噴霧しながら蛍光変換膜をラッピング研磨
し、次に回転研磨機で（ＳｐｅｅｄＦａｍ社製）によ
り、アルミナの微粒子研磨剤（住友スリーエム社製）を
用いて純水を噴霧しながら蛍光変換膜をブラックマトリ
ックスの面上の蛍光変換膜がなくなるまで鏡面研磨（ポ
リッシング）した。この結果、ブラックマトリックスの
ない部分（基板の凹部内）に蛍光変換膜が埋め込まれた
赤色変換用の蛍光変換膜のパターンＡを得た（図１
（ｃ））。なお、本実施例では図１における基板凸部
を、図６に示すブラックマトリックスによって形成して
いる。以下の実施例においても同様である。ここで、製
造例で作製した発光体の有機ＥＬ素子と、赤色変換用の
蛍光変換膜が埋め込まれた基板とを重ね合わせると、赤
色変換用の蛍光変換膜のパターンＡから発光する輝度
は、有機ＥＬ素子の輝度２００ｃｄ／ｍ² に対して６６
ｃｄ／ｍ² （変換効率３３％）が得られ、ＣＩＥ色度座
標はｘ＝０．６１、ｙ＝０．３２で赤色（レッド）の発
光が得られることを観測した。

【００３８】［実施例２］蛍光色素として、０．０３ｍ
ｏｌ／ｋｇ（固形分中）の濃度のクマリン６とバインダ
ー樹脂としてポリ塩化ビニル樹脂（分子量２万）をシク
ロヘキサノンに溶解したインキ（固形分濃度３０重量
％）を調製した。次に、基板表面が凹凸状に繰り返しパ
ターニングされた実施例１の基板全面上にスピンコート
して、８０℃でベークして乾燥し、緑色変換用の蛍光変
換膜を成膜した。次に、実施例１と同一の条件で蛍光変
換膜を研磨し、緑色変換用の蛍光変換膜のパターンＡを
得た（図１（ｃ））。ここで、製造例で作製した発光体
の有機ＥＬ素子と、緑色変換用の蛍光変換膜が埋め込ま
れた基板とを重ね合わせると、緑色変換用の蛍光変換膜
のパターンＡから発光する輝度は、有機ＥＬ素子の輝度
２００ｃｄ／ｍ² に対して２５０ｃｄ／ｍ² （変換効率
１２５％）が得られ、ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．２８、
ｙ＝０．６０で黄味がかった緑色（イエロイッシュグリ
ーン）の発光が得られることを観測した。

【００３９】［実施例３］実施例１のブラックマトリッ
クスを形成した基板全面上に、保護膜としてアクリレー
ト系の熱硬化性樹脂（新日鉄化学社製Ｖ２５９ＰＨ）を
スピンコートし、８０℃でベーク後、さらに２００℃で
硬化させた。なお保護膜の膜厚は２．０μｍに調節し
た。以下、実施例１と同一の条件で赤色変換用の蛍光変
換膜のパターンＢ（図２（ｄ））を得て、実施例１と同
一の発光を得た。

【００４０】［実施例４］実施例１のブラックマトリッ
クスを形成した基板全面上に保護膜として、アクリレー
ト系の光硬化性樹脂（新日鉄化学社製Ｖ２５９ＰＨ）を
スピンコートし、８０℃でベーク後、基板を高圧水銀灯
を光源とするコンタクト式露光機にセットし、５０μｍ
ライン，２５０μｍギャップのストライプパターンが得
られるマスクを基板と位置合わせし、３００ｍＪ／ｃｍ
² （３６５ｎｍ）で露光した。さらに、１Ｎ炭酸ナトリ
ウム水溶液で現像後、２００℃でポストベークして、基
板の凹部以外のところに選択的に保護膜が積層された基
板を作製した。なお保護膜の膜厚は２．０μｍに調節し
た。以下、実施例１と同一の条件で赤色変換用の蛍光変
換膜のパターンＣを得て（図３（ｄ））、実施例１と同
一の発光を得た。

【００４１】［実施例５］実施例１のブラックマトリッ
クスを形成した基板全面上に、保護膜としてポリビニル
アルコールの水溶液（東京応化社製ＴＰＦ１６０００）
をスピンコートし、８０℃でベークした。次に、実施例
１と同一の条件で赤色変換用の蛍光変換膜を成膜し、研
磨を行った。次に、基板を純水にて洗浄して蛍光変換膜
のパターンのない部分の保護膜を除去した。その結果、
赤色変換用の蛍光変換膜のパターンＤ以外の部分の研磨
傷や蛍光変換膜の微量の残りカスはほとんどなくなった
（図４）。なお、この赤色変換用の蛍光変換膜のパター
ンＤから実施例１と同一の発光を得た。

【００４２】［実施例６］実施例１のブラックマトリッ
クスを形成した基板全面上に、保護膜としてポリアミッ
ク酸（東レ社製ＳＰ９１０）をスピンコートし、１４０
℃でベーク後、さらにノボラック樹脂−ナフトキノンア
ジド系のポジ型フォトレジスト（富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製ＨＰＲ２０４）をスピンコート
し、８０℃でベークした。次に、基板を高圧水銀灯を光
源とするコンタクト式露光機にセットし、基板の背面側
から全面に１００ｍＪ／ｃｍ² （３６５ｎｍ）で露光し
た。次に、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド）水溶液にてブラックマトリックス上
のフォトレジストとポリアミック酸を現像およびエッチ
ングした。次に、フォトレジストをｎ−酢酸ブチルで除
去して、基板の凹部以外のところに選択的に保護膜が積
層された基板を作製した。なお、保護膜の膜厚は、２．
０μｍに調節した。次に、実施例１と同一の条件で赤色
変換用の蛍光変換膜を成膜し、研磨を行った。次に、基
板を２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド）水溶液にて保護膜を除去し、さらに純水に
て洗浄した。その結果、赤色変換用の蛍光変換膜のパタ
ーンＥ以外の部分の研磨傷や蛍光変換膜の微量の残りカ
スはほとんどなくなった（図５）。なお、この赤色変換
用の蛍光変換膜のパターンＥから実施例１と同一の発光
を得た。

【００４３】［実施例７］実施例１のブラックマトリッ
クスを形成した基板全面上に、銅フタロシアニン含有ア
クリレート系光硬化性レジスト（富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製ＣＢ２０００）をスピンコート
し、８０℃でベーク後、基板を高圧水銀灯を光源とする
コンタクト式露光機にセットし、２５０μｍライン，６
５０μｍギャップのストライプパターンが得られるマス
クをブラックマトリックスに位置合わせして、３００ｍ
Ｊ／ｃｍ² （３６５ｎｍ）で露光した。さらに、１Ｎ炭
酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でポストベーク
して、図６に示すように、基板上に繰り返す凹状パター
ンの２つ置きに青色カラーフィルタのパターンを埋め込
んだ。次に、蛍光色素として、０．０２ｍｏｌ／ｋｇ
（固形分中）となる割合のクマリン６を０．３３ｇと蛍
光顔料としてベンゾグアナミン樹脂に対して２重量％の
ソルベントイエロー１１６および６重量％のソルベント
イエロー４４を予め練り込んだもの（ナフタルイミド系
蛍光顔料）を固形分に対して３０重量％となる量１４．
１ｇと、アクリレート系の光硬化型レジスト（日本合成
ゴム社製ＪＮＰＣ０６、固形分３８重量％）８５．６ｇ
を混合したインキ１００ｇ（固形分４７重量％）を調製
した。次に、このインキをスピンコートし、８０℃でベ
ーク後、基板を高圧水銀灯を光源とするコンタクト式露
光機にセットし、２５０μｍライン，６５０μｍギャッ
プのストライプパターンが得られるマスクを青色カラー
フィルタに隣接する位置に位置合わせして、３００ｍＪ
／ｃｍ² （３６５ｎｍ）で露光した。さらに、２．３８
％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）
水溶液で現像後、２００℃でポストベークして、緑色変
換用の蛍光変換膜のパターンＡを埋め込んだ。さらに、
この緑色変換用の蛍光変換膜に隣接する位置に位置合わ
せして、実施例１と同様にして、赤色変換用の蛍光変換
膜のパターンＡ（このパターンＡは緑色変換用の蛍光変
換膜のパターンＡと形状は同一であるが形成位置がずれ
ている）を埋め込んだ。ここで、製造例で作製した発光
体の有機ＥＬ素子と、緑色変換用および赤色変換用の蛍
光変換膜並びに青色カラーフィルタが埋め込まれた基板
とを重ね合わせると、蛍光変換膜のパターンＦ（このパ
ターンＦは、緑色変換用および赤色変換用の蛍光変換膜
を合成した形状のパターンである）のうち緑色変換用の
蛍光変換膜Ａのパターンから発光する輝度は、有機ＥＬ
素子の輝度２００ｃｄ／ｍ² に対して１８４ｃｄ／ｍ²
（変換効率９２％）が得られ、ＣＩＥ色度座標はｘ＝
０．２５、ｙ＝０．６２で黄味がかった緑色（イエロイ
ッシュグリーン）の発光が得られることを観測した（図
７）。また、赤色変換用の蛍光変換膜のパターンＡから
発光する輝度は、実施例１の場合と同様であった。一
方、青色のカラーフィルタのパターンから発光する輝度
は、有機ＥＬ素子の輝度２００ｃｄ／ｍ² に対して１０
０ｃｄ／ｍ² （変換効率５０％）が得られ、ＣＩＥ色度
座標はｘ＝０．１４、ｙ＝０．１０で青色（ブルー）の
発光が得られることを観測した（図７）。以上より、三
原色の発光が可能な蛍光変換フィルターが作製できた。

【００４４】［比較例１］蛍光顔料としてベンゾグアナ
ミン樹脂に対して４重量％のソルベントイエロー１１６
および１２重量％のソルベントイエロー４４を予め練り
込んだもの（ナフタルイミド系蛍光顔料）を２．５ｇ
と、ベンゾグアナミン樹脂に対して８重量％のベーシッ
クバイオレット１１および８重量％のローダミン６Ｇを
予め練り込んだもの（ローダミン系蛍光顔料）を５ｇ
と、アクリレート系の光硬化型レジスト１９．７ｇ（日
本合成ゴム社製ＪＮＰＣ０６、固形分３８重量％）とを
混合した溶液（固形分５５重量％）を調製した。この溶
液を実施例１のブラックマトリックスを形成した基板の
表面が凹凸状に繰り返しパターンされた基板上にスピン
コートし、８０℃でベーク後、次に、基板を高圧水銀灯
を光源とするコンタクト式露光機にセットし、基板の背
面側より６００ｍＪ／ｃｍ² （３６５ｎｍ）で露光し
た。さらに２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で現像後、実施例１と同一の条件で研磨
し、赤色変換用の蛍光変換膜のパターンＧを得た。これ
は、図９に示した方法と類似している。ここで、製造例
で作製した発光体の有機ＥＬ素子と、赤色変換用の蛍光
変換膜が埋め込まれた基板とを重ね合わせると、赤色変
換用の蛍光変換膜のパターンＧから発光する輝度は、有
機ＥＬ素子の輝度２００ｃｄ／ｍ² に対して２０ｃｄ／
ｍ² （変換効率１０％）が得られ、ＣＩＥ色度座標はｘ
＝０．６１、ｙ＝０．３２で赤色（レッド）の発光が得
られることを観測した。ここで、蛍光変換膜を３００μ
ｍピッチの高精細にパターニングできたが、蛍光変換膜
に光硬化性樹脂を用い、紫外線露光したことにより、実
施例１に比べて発光体の有機ＥＬ素子の青色発光を効率
よく赤色に変換することはできなかった。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
蛍光変換膜の蛍光性を失うことなく（変換効率を低下さ
せることなく）、高精細かつ高輝度で、視認性の高い蛍
光変換膜を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を
模式的に示す断面工程図である。

【図２】本発明の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を
模式的に示す断面工程図である。

【図３】本発明の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を
模式的に示す断面工程図である。

【図４】本発明の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を
模式的に示す断面工程図である。

【図５】本発明の蛍光変換膜の製造方法の一実施形態を
模式的に示す断面工程図である。

【図６】本発明の一実施例に用いられる、その表面に凹
凸の繰り返しパターンが形成された基板を模式的に示す
断面図である。

【図７】本発明の一実施例における、蛍光変換膜と発光
体との組み合わせた例を模式的に示す断面図である。

【図８】従来の製造方法を示す断面工程図である。

【図９】従来の製造方法を示す断面工程図である。

【符号の説明】

１基板２蛍光変換膜３保護膜４カラーフィルタ５ブラックマトリックス６発光体１１着色インキ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、発光体からの発光を、より長
波長の蛍光に変換する蛍光変換膜を形成する蛍光変換膜
の製造方法において、下記（I）〜（III）の段階を含む
ことを特徴とする蛍光変換膜の製造方法。（I）：基板の表面に凹凸の繰り返しパターンを形成す
る。（II）：この基板凹部に埋め込むようにして、基板の全
面に蛍光変換膜を成膜する。（III）：この蛍光変換膜の表面を研磨して、基板表面
の凹部の内部以外に成膜された蛍光変換膜を除去する。
【請求項２】前記段階（I）および（II）の間に、下
記段階（Ａ）を含む請求項１記載の蛍光変換膜の製造方
法。（Ａ）：基板の全面または凸部だけに保護膜を成膜す
る。
【請求項３】前記段階（III）の後に、下記段階
（Ｂ）を含む請求項２記載の蛍光変換膜の製造方法。（Ｂ）：基板表面の凸部に成膜された保護膜を除去す
る。
【請求項４】前記段階（Ｂ）における保護膜の除去
が、水媒体による処理によるものである請求項３記載の
蛍光変換膜の製造方法。
【請求項５】前記発光体が、有機エレクトロルミネッ
センス（ＥＬ）素子である請求項１〜４記載の蛍光変換
膜の製造方法。