JP2006261423A - 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006261423A JP2006261423A JP2005077363A JP2005077363A JP2006261423A JP 2006261423 A JP2006261423 A JP 2006261423A JP 2005077363 A JP2005077363 A JP 2005077363A JP 2005077363 A JP2005077363 A JP 2005077363A JP 2006261423 A JP2006261423 A JP 2006261423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- film transistor
- thin film
- drain electrode
- source electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 この発明の薄膜トランジスタは、トランジスタ電流を制御するゲート電極2、チャネル部に流れる電流を与えるためのソース電極5、チャネル部に流れる電流を取り出すためのドレイン電極6、および電流が流れる領域であるチャネル部40とから構成され、チャネル部40が孤立した複数の領域に分割された半導体層40a…で構成されている。
【選択図】 図4
Description
まず、比較例1を次のように作成した。
光学研磨したガラス基板1上に厚さ100nmのAl膜を真空蒸着法により成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングを行い、ゲート電極2を形成した。ゲート電極2を形成後、シアノエチルプルラン絶縁膜(信越化学株式会社製 シアノレジンCR−S)をスピンコートし、ホットプレートを用い100℃で30分乾燥させて、ゲート絶縁膜3を形成した。このゲート絶縁膜3の膜厚は200nmとした。
比較例2は有機半導体層の幅でチャネル幅を規定した。
比較例1と同様に、光学研磨したガラス基板1上に厚さ100nmのAl膜を真空蒸着法により成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングを行い、ゲート電極2を形成した。ゲート電極2を形成後、シアノエチルプルラン絶縁膜(信越化学株式会社製 シアノレジンCR−S)をスピンコートし、ホットプレートを用い100℃で30分乾燥させて、ゲート絶縁膜3を形成した。このゲート絶縁膜3の膜厚は200nmとした。
この発明の具体的実施例を以下のように作成した。
光学研磨したガラス基板1上に厚さ100nmのAl膜を真空蒸着法により成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングを行い、ゲート電極2を形成した。ゲート電極2を形成後、シアノエチルプルラン絶縁膜(信越化学株式会社製 シアノレジンCR−S)をスピンコートし、ホットプレートを用い100℃で30分乾燥させて、ゲート絶縁膜3を形成した。このゲート絶縁膜3の膜厚は200nmとした。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
5 ソース電極
6ドレイン電極
40 半導体層
40a 半導体層
Claims (6)
- ゲート電極部、ソース電極部、ドレイン電極部、およびチャネル部とから構成され、前記チャネル部が複数の領域に分割されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 前記複数のチャネル部は、孤立した複数の領域に分割された半導体層で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は前記ソース電極部および前記ドレイン電極部に対して電気的に接触して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は有機半導体で構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は半導体材料を含む液滴を滴下させて形成されていることを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記請求項1ないし5のいずれかに記載の薄膜トランジスタをアクティブ素子として用いたことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077363A JP4843236B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077363A JP4843236B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261423A true JP2006261423A (ja) | 2006-09-28 |
JP4843236B2 JP4843236B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=37100321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005077363A Expired - Fee Related JP4843236B2 (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4843236B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010093093A (ja) | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2010056568A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 3M Innovative Properties Company | Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device |
US7948016B1 (en) | 2009-11-03 | 2011-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device |
WO2012008079A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびシフトレジスタ |
WO2012169397A1 (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示素子 |
KR20190079824A (ko) * | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2020080109A1 (ja) | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249627A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アクティブ駆動型有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2003124473A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置及び有機el表示装置 |
JP2003332578A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
JP2004071654A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法 |
JP2004087482A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 組成物、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、デバイス及びその製造方法、電子機器 |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005077363A patent/JP4843236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249627A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アクティブ駆動型有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2003124473A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置及び有機el表示装置 |
JP2003332578A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
JP2004087482A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 組成物、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、デバイス及びその製造方法、電子機器 |
JP2004071654A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010093093A (ja) | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2010056568A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 3M Innovative Properties Company | Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device |
CN102217109A (zh) * | 2008-11-14 | 2011-10-12 | 3M创新有限公司 | 在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体 |
JP2012508980A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機半導体デバイスにおける有機半導体のオフセンター堆積 |
US7948016B1 (en) | 2009-11-03 | 2011-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device |
US9029861B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and shift register |
WO2012008079A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびシフトレジスタ |
US20140306225A1 (en) * | 2010-07-16 | 2014-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and shift register |
WO2012169397A1 (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示素子 |
KR20190079824A (ko) * | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102630594B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2024-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2020080109A1 (ja) | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法 |
EP3869539A4 (en) * | 2018-10-18 | 2022-07-20 | Toray Industries, Inc. | METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS COMMUNICATION DEVICE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4843236B2 (ja) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4946286B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法 | |
JP4843236B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置 | |
US7622738B2 (en) | Display device having a multi-layer conductive layer and manufacturing method therefore | |
KR100766513B1 (ko) | 유기 반도체 장치의 제조 방법, 유기 반도체 장치, 전자장치 및 전자 기기 | |
JP4589373B2 (ja) | 有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置 | |
US20060102894A1 (en) | Electronic device, method of manufacturing an electronic device, and electronic apparatus | |
JP2008235861A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ | |
JP2000269504A (ja) | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 | |
TW200821778A (en) | Method for forming pattern, and method for manufacturing liquid crystal display | |
JP2010003723A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ並びに画像表示装置 | |
KR100993551B1 (ko) | 유기 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 표시 장치 | |
JP2011100831A (ja) | 半導体装置及び半導体装置を用いた表示装置 | |
JP2009176828A (ja) | 薄膜トランジスタ、マトリクス基板、電気泳動表示装置および電子機器 | |
JP2007088001A (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置並びに薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2006261507A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびそれを備えた表示装置。 | |
JP2009038337A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
US11187887B2 (en) | Electrode substrate, method for producing same, and electronic device | |
JP4699090B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 | |
CN107534056B (zh) | 薄膜晶体管阵列形成基板及其制造、图像显示装置用基板 | |
JP2006261528A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 | |
JP2006261374A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた画像表示装置並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2016163029A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイの製造方法及び画素表示装置 | |
JP6331644B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
JP5476712B2 (ja) | 有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置 | |
JP6627437B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080212 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090731 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4843236 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |