JP2010093093A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層、ゲート電極の各部材が積層された薄膜トランジスタ、およびそのトランジスタを含む表示装置、ICタグ装置、センサー装置において、有機半導体層は塗布法もしくは印刷法で形成されており、ソース・ドレイン電極上の有機半導体層の概略パターン平面形状の少なくとも一部(少なくともチャネル長方向の端部)がソース・ドレイン電極上のパターン形状と自己整合的な形状である構成とした。
【選択図】 図1
Description
但し、上述したように、第1改質被覆膜(親液性)104と第2改質被覆膜(撥液性)105とはそれぞれ省略できる場合があるが、双方を省略することはできない。
(本明細書に含まれる発明の説明)
本明細書に含まれる代表的な発明を列挙すると次の通りである。
(a)第1層の上に、ソース・ドレイン電極を形成する工程
(b)前記(a)工程後、前記ソース・ドレイン電極を親液化する工程
(c)前記(b)工程後、前記ソース・ドレイン電極上及び前記ソース・ドレイン電極間の領域上に、有機半導体層を、塗布法又は印刷法で形成する工程
特許文献1の段落番号0009に記載したような、スプレッドアウトを防止するために多量の半導体溶液を塗布する方法を用いた場合に、ソース・ドレイン電極の表面を積極的に親液化することにより、ソース・ドレイン電極に挟まれる領域に概ね納めることができる供給量の幅が広くなるので、供給量バラツキに対する耐性が向上するので、スプレッドアウトを防止した半導体装置を再現性高く製造できる。
(d)前記(a)工程前に、基板上にゲート電極を形成する工程
(e)前記(d)工程後で、かつ、前記(a)工程前に、前記ゲート電極上に前記第1層としてゲート絶縁膜を形成する工程。
(f)前記(c)工程後に、ゲート絶縁膜を形成する工程
(g)前記(f)工程後に、ゲート電極を形成する工程。
Claims (13)
- 有機薄膜トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
以下の工程(a)〜(c)を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(a)第1層の上に、ソース・ドレイン電極を形成する工程
(b)前記(a)工程後、前記ソース・ドレイン電極を親液化する工程
(c)前記(b)工程後、前記ソース・ドレイン電極上及び前記ソース・ドレイン電極間の領域上に、有機半導体層を、塗布法又は印刷法で形成する工程 - 請求項1において、以下の工程(d)〜(e)をなすことによりボトムゲート型有機薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(d)前記(a)工程前に、基板上にゲート電極を形成する工程
(e)前記(d)工程後で、かつ、前記(a)工程前に、前記ゲート電極上に前記第1層としてゲート絶縁膜を形成する工程 - 請求項1において、以下の工程(f)〜(g)をなすことによりトップゲート型有機薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(f)前記(c)工程後に、ゲート絶縁膜を形成する工程
(g)前記(f)工程後に、ゲート電極を形成する工程 - 基板上に、有機薄膜トランジスタを備えた半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極上に形成された有機半導体層を備え、
前記有機半導体層のチャネル長方向の一部が、ソース・ドレイン電極の前記チャネル長方向外縁の一部と重なっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記有機半導体層は塗布法もしくは印刷法で形成可能な材料で構成されており、
前記有機半導体層を構成する有機半導体材料を溶剤に溶かした溶液に対して親液である場合に親液性があり、
前記有機半導体層を構成する有機半導体材料を溶剤に溶かした溶液に対して撥液である場合に撥液性があるとした場合に、
前記ソース・ドレイン電極の表面が親液性を高める処理がなされているか又は前記ソース・ドレイン電極の親液性より高い親液性を有する第1改質被覆膜が形成されており、
前記ソース・ドレイン電極間の下層の表面が撥液性を備えているか又は撥液性を付与する第2改質被覆膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
ゲート絶縁膜はフッ素を含有する有機膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第1改質被覆膜には、窒素、フッ素、塩素、硫黄の少なくとも何れかが含有されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第1改質被覆膜に、ベンゼン環を有する有機物が含有されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記第1改質被覆膜は、ジメトキシベンゼンチオール、メルカプトピリジン、クロロベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール、アミノベンゼンチオール膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第2改質被覆膜はフッ素を含有する有機膜であることを特徴とする有機半導体装置。 - 請求項4において、
前記ソース・ドレイン電極間の半導体層のチャネル幅方向の長さが、前記ソース・ドレイン電極の長さ未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記ソース・ドレイン電極間の間隔が、前記ソース・ドレイン電極の電極幅よりも短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記ソース・ドレイン電極上の半導体の厚さ最大値が50nm以下であり、
前記ソース・ドレイン電極間の半導体層の厚さの最小値が100nm以上であることを特徴とする半導体装置。
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