JP2005513788A - 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ - Google Patents
有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005513788A JP2005513788A JP2003553638A JP2003553638A JP2005513788A JP 2005513788 A JP2005513788 A JP 2005513788A JP 2003553638 A JP2003553638 A JP 2003553638A JP 2003553638 A JP2003553638 A JP 2003553638A JP 2005513788 A JP2005513788 A JP 2005513788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- field effect
- organic
- effect device
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 51
- -1 cyanopuluan Polymers 0.000 claims description 36
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 7
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- YIMPFANPVKETMG-UHFFFAOYSA-N barium zirconium Chemical compound [Zr].[Ba] YIMPFANPVKETMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 40
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 22
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920005548 perfluoropolymer Polymers 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 9
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 9
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 9
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 9
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920006112 polar polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N chelidonic acid Natural products OC(=O)C1=CC(=O)C=C(C(O)=O)O1 PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 3
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 2
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AIXAANGOTKPUOY-UHFFFAOYSA-N carbachol Chemical group [Cl-].C[N+](C)(C)CCOC(N)=O AIXAANGOTKPUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 229920006113 non-polar polymer Polymers 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical group FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxole Chemical class C1OC=CO1 ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMCUOJTVNIHQTI-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(4-phenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 OMCUOJTVNIHQTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIZOJFYSWDBQKR-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-4-phenylmethoxypyrrole-2,5-dione Chemical group C(=C)C1=C(C(=O)NC1=O)OCC1=CC=CC=C1 MIZOJFYSWDBQKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSYRISKCBOPJRG-UHFFFAOYSA-N 4,5-difluoro-2,2-bis(trifluoromethyl)-1,3-dioxole Chemical compound FC1=C(F)OC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O1 YSYRISKCBOPJRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 6-[5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-4,5-dihydro-1,2-oxazol-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC1CC(=NO1)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 150000001422 N-substituted pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNPPNSUXXPQVNA-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(oxiran-2-yl)methoxy]-(oxiran-2-yl)methanol Chemical group C1OC1C(O)OC(O)C1CO1 MNPPNSUXXPQVNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Chemical group C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical group C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical group 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002587 poly(1,3-butadiene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
- C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/109—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing other specific dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
- H01L21/0212—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC the material being fluoro carbon compounds, e.g.(CFx) n, (CHxFy) n or polytetrafluoroethylene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/11—Homopolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/12—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/314—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene
- C08G2261/3142—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene fluorene-based, e.g. fluorene, indenofluorene, or spirobifluorene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/316—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
- C08G2261/3162—Arylamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
- C08G2261/3223—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. thiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/90—Applications
- C08G2261/92—TFT applications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02183—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3127—Layers comprising fluoro (hydro)carbon compounds, e.g. polytetrafluoroethylene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
この発明は有機電界効果トランジスタ(OFET)類およびそれらの製造方法に関する。
有機FETと共に最も広く用いられるゲート絶縁体に、比較的高い誘電率(即ち、誘電定数とも称される比誘電率ε)を持つ無機および有機絶縁体がある。例えば、SiO2(ε〜9−10)およびAl2O3(ε〜4)、並びにポリビニルフェノール(ε=3.5)のような有機絶縁体が用いられてきた。蒸発(evaporated)ペンタセン、オリゴ−およびポリチオフェン類のような半導体に関連しては良好な結果が報告されており、この場合報告された移動度は0.01−0.6cm2V−1s−1のオーダーであった。
特定の理論によって結びつけられることを望むものではないが、本発明者は、高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導くと考える。無秩序または半無秩序有機半導体、例えば溶液塗布技術によって堆積されている多くの有機半導体は高密度の局在準位を有し、従って電子または正孔のホッピング(hopping)が電荷輸送において制限因子である。他方、例えば0.1cm2/Vsに近い移動度を有する高秩序材料における電荷輸送は、このような材料はより高い秩序化の程度を有するので、バンド輸送を暗示し始める。ここで、高誘電率絶縁体のランダム双極子場は、キャリアが大きな距離にわたって非局在化される場合は、電子バンドに及ぼす影響がはるかに低い。従来法の技術は、高誘電率絶縁体を用いて、高電荷密度を誘発することで界面トラップを容易に満たすことによって界面トラッピングを解決する。
a)溶液から有機半導体層を堆積させ;そして
b)溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する
工程を含み、ここで上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までである上記の方法が提供される。
図1a)−d)および2a)−dにおいて、層1は基板であり、層2は絶縁体であり、層3は有機半導体であり、SおよびDはソース電極およびドレイン電極であり、そしてGはゲート電極である。図2a)−d)において、符号2aは第二絶縁体層である。
本発明は、有機半導体から低誘電率絶縁体層の他方の側に、少なくとも1つの高誘電率絶縁体層を堆積させてゲート絶縁体のさらなる一部を形成することを含むことができる。この少なくとも1つの高誘電率絶縁体層は低誘電率絶縁体層よりも高い誘電率を有するのが好ましい。この少なくとも1つの高誘電率絶縁体層は、好ましくは3.5以上、さらに好ましくは10以上、最も好ましくは20以上の比誘電率を有する。可能な最高誘電率が好ましい。誘電率は約200までの範囲であることができる。この少なくとも1つの高誘電率絶縁体層は溶液から堆積させることもできる。
前記デバイスを製造する方法全体は約100℃以下で遂行することができ、かくしてこの方法を実施する困難さは従来技術の方法よりもはるかに小さくなる。
1つの好ましい態様では、前もってパターン化されたドレイン電極およびソース電極を有する基板の上に半導体をスピンコーティングすることによって図1cのFET構造が作成される。次に、3未満の比誘電率を有する低誘電率重合体の形の絶縁体が上記半導体の上にスピンコートされ、続いて導電性溶液または分散液の真空蒸着または液体堆積によってゲート電極の堆積が行われる。プロセス工程の順序が図1に示される構造a、bまたはdを達成するために変え得ることは認められるだろう。このOFETは、また、垂直構造を有し得ることも認められるだろう。
本発明のさらなる態様において、本発明の有機電界効果トランジスタデバイスは、低誘電率層よりも高い誘電率を持つさらなる絶縁体層を含む。本発明の有機電界効果トランジスタデバイスは、2つ以上のそのようなさらなる絶縁体層を含むことができる。例えば、図2に示されるように、半導体に隣接する薄層に低誘電率ゲート絶縁体層2が使用でき、そして第一絶縁体層の次により高い誘電率を持つ第二絶縁体層2aが使用できる。このような配置の利点は、低極性の第一絶縁体層が第二絶縁体材料のランダム双極子場を半導体から遮蔽するということである。この態様において、絶縁体層2は第二絶縁体材料2aに見いだされる双極子の大きさの数倍よりはるかに厚い必要はないと考えられる。かくして、第一絶縁体層2の実際の層厚は5nm以上で、1μmまでであることができる。高誘電率の第二絶縁体層2aは任意の厚さ、例えば50nm〜10μmであることができる。薄い低誘電率材料の第一層を半導体と接触させて使用するというアイデアに基づいて、複数のさらなる絶縁体層も用いることができるということは認められるだろう。この第二層はゲート容量を最大にするために3.5超の誘電率を有するのが好ましい。第二絶縁体層は、ゲート容量を最大にするために10超の誘電率を有するのがさらに好ましく、20超であるのがそれよりもさらに好ましく、例えば20〜200である。このさらなる絶縁体層は随意に架橋させることができる。この層で用いられる重合体は、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリメチルメタクリレート、シアノエチルプルランのようなシアノエチル化多糖類、ポリフッ化ビニリデンのような高誘電率フルオロポリマー、ポリウレタン重合体およびポリ(塩化ビニル/酢酸ビニル)重合体であることができる。第二絶縁体層は蒸着させることもできるし、或いは溶液から堆積させることもできるが、溶液から堆積させる方が好ましい。高誘電率複合材料、例えばTiO2、Ta2O5、SrTiO3、Bi4Ti3O12、BaMgF4、チタン酸バリウムジルコニウム、チタン酸バリウムストロンチウムの複合材料が、第二ゲート絶縁体層として特に有用である。これらは、好ましくは分散液の形での液体コーティングによって、またはゾル−ゲル法によって堆積させることができる。有機半導体に隣接する低誘電率層と多層ゲート絶縁体中のさらなる高誘電率層との組み合わせは動作電圧を低下させ、同時に界面トラッピング、ヒステリシスを取り除き、そして移動度を増大させることができる。もう1つの態様において、多層絶縁体スタックの低誘電率層と高誘電率層との間に中間層を堆積させることができる。このような中間層はコーティング工程間での接着性および濡れを改善することができる。中間層は、例えば異なる表面特性を有するもう1つの低誘電率材料であることができる。表面処理、例えばプラズマ処理も層の融和性を改善するために用いることができる。
有機半導体は、少なくとも3つの芳香族環を含んでいる任意の共役芳香族分子であることができる。好ましい有機半導体は5、6または7員の芳香族環を含み、特に好ましい有機半導体は5または6員の芳香族環を含んでいる。
本発明は、また、例えば光重合または熱重合によって連鎖延長または架橋する能力のある部分でさらに置換される平均で2個以上のアリール部分でさらに置換されている重合体に関する。このような連鎖延長する能力のある部分は、好ましくはヒドロキシ、グリシジルエーテル、アクリレートエステル、エポキシド、メタクリレートエステル、エテニル、エチニル、ビニルベンジルオキシ、マレイミド、ナドイミド(nadimide)、トリフルオロビニルエーテル、アリール部分上の隣接炭素に結合されているシクロブテン、またはトリアルキルシロキシである。
また、この発明に用途があるだろう関連物質は、また、特許DE3610649号、EP0669654−A号(=米国特許第5,681,664号)、EP0765106−A号、WO97−33193号、WO98−06773号、米国特許第5,677,096号および米国特許第5,279,916号明細書に開示されている。
重合体は一般的7:
本発明を、次に、次の特定の実施例を参照して説明する。
半導体の製造
実施例1
実施例2
実施例3
実施例4
材料の電界効果移動度を、J. Appl. Phys.、第75巻、7954頁(1994年)においてHolland等によって説明されている技術を用いて試験した。
次の実施例において、試験用電界効果トランジスタは、Pt/Pdソース電極および同ドレイン電極が標準技術、例えばシャドウマスキング法でパターン化されたMelinex基板を用いることによって製造された。半導体を、1部を99部の溶媒、例えばトルエンに溶解し、それを上記基板上に1000rpmで20秒間スピンコートして〜100nmの膜を与えた。この試料を、完全な乾燥を確実に達成するために、オーブン中に100℃において20分間入れておいた。次に、絶縁体材料の溶液を上記半導体上にスピンコートし、典型的には0.5〜1μmの範囲内の厚さを与えた。この試料をもう一度100℃のオーブン中に入れてその絶縁体から溶媒を蒸発させた。金ゲートコンタクトを、シャドーマスクを通しての蒸発によって上記デバイスチャンネル域全面に画成した。
下記において引用される全ての電界効果移動度は、(外に述べられなければ)このレジメから計算された。
OFETを式12(実施例5)および式13(実施例6)の有機半導体を使用して作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 107M(旭硝子株式会社、Z-1700E01)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒(Acros 12380-0100)との1:1混合物からスピンコートされた。これらのデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度は、VGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。得られた移動度は、次の実施例で得られた全ての移動度と共に表1に示される。
OFETを式13のOSCを用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflon AF1600(Aldrich社、46,961-0)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC40溶媒(Acros 12376-0100)との25:1混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度は、VGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。
OFETを式14のOSCを用いたことを除いて実施例5に記載されるように作成および試験した。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度はVGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリメチルメタクリレート(Aldrich社、18,226-5)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトンとの12.5:1混合物からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリ−4−ビニル−フェノール(Aldrich社、43,622-4)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はメタノール中の10:1(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。
OFETを、PCT/GB01/05145号明細書に記載される熱酸化シリコン基板上の前もって画成されたソース電極およびドレイン電極上に式14のOSCを用いて作成した。その200nmのSiO2層はゲート絶縁体として役立った。このようなSiO2絶縁体は従来技術において広く用いられている。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアスに対する強い依存性を示した。
OFETをOSCがアニソールから堆積されたことを除いて実施例6に記載されるように作成および試験した。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリシアノプルラン(CYMM)(SinEtsu社)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトン中10%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に強いヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアスに対する有意の依存性を示した。−40V〜+20Vと比較して+20V〜−40Vの方向でゲートに掛かる電圧をスキャンする間のスレッショルド電圧の差はおよそ5Vであった。
OFETを、OSCが絶縁体を堆積させる前にアセトンで洗浄されたことを除いて実施例13に記載されるように作成および試験した。本発明者は、アセトンに溶ける可能性のある全ての半導体重合体分を洗浄除去することによって、OSC層とCYMM絶縁体層との間における混ざり合いを低下させることを目指したのである。しかし、これは移動度を実施例13に比較して改善しなかった。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチレン(PIB)(Aldrich社、18,145-5)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はヘキサン中3%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式13のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチレン(PIB)(Aldrich社、18,145-5)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はヘキサン中3%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチルメタノール(PIBMMA)(Aldrich社、44,576-2)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はイソプロパノール中10%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。極性重合体であるポリ(4−ビニルフェノール−コ−メチルメタクリレート)(PVPMMA)(Aldrich社、47,457-6)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はエタノール中15%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflon AF2400(Aldrich社、46,962-9)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒との1.5%(重量/重量)混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。重合体であるポリ塩化ビニル(PVC)(Aldrich社、18,958-8)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は、ボトムゲート構造を形成するために、テトラクロロエタン中2.5%(重量/重量)溶液からアルミニウム蒸着マイラー片上にスピンコートされた。(式14の)OSCは絶縁体の上面にスピンコートされ、そしてソース−ドレイン電極がシャドーマスクを通しての金の熱蒸発によって上記OSCの上面に堆積された。
OFETをバインダー重合体であるポリ(α−メチルスチレン)(Aldrich社、19,184-1)と3:1比(重量:重量)で混合された式14のOSCを使用して作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 809A(旭硝子株式会社)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒との1:1混合物(重量/重量)からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを実施例20におけると同じ半導体/バインダー層によるが、従来技術のSiO2を絶縁体として用いて実施例10に記載されるように作成した。この半導体は実施例20におけるよりも低い移動度および強いヒストリシスをもたらした。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。
OFETを式14のOSCを用いて実施例3に記載されるように作成および試験した。低誘電率フルオロポリマーであるCYTONIX PF2050(Cytonix Corp.)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75を溶媒として用いている14%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。高誘電率重合体であるポリ(ビニルアルコール)(Aldrich社、36,361-2)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は水中4%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。
OFETを式14のOSCを用いて実施例3に記載されるように作成および試験した。低誘電率重合体であるポリ(プロピレン−コ−1−ブテン)(Aldrich社、43.108-7)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は(重合体を溶解するために加温された)シクロヘキサン中の2%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式15の有機半導体を用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 107M(旭硝子株式会社、Z-1700E01)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒(Acros 12380-0100)との1:1混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式15のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリメチルメタクリレート(Aldrich社、18,226-5)を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトンとの12.5:1混合物からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 107M(旭硝子株式会社、Z-1700E01)であった。これはFC75溶媒との1:1混合物からスピンコートされた。第二層のポリイソブチレン(PIB)(Aldrich社、18,145-5)はヘキサン中3%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。第三層のポリシアノプルラン(CYMM)(ShinEtsu社)はアセトン中5%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。この多層絶縁体の結果は表2にまとめて示される。
OFETをアニソール中で式13のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は、ヘキサン中3%(重量/重量)溶液からスピンされた低誘電率重合体のポリイソブチレン(PIB)(Aldrich社、18,145-5)であった。第二層のポリシアノプルラン(CYMM)(ShinEtsu社)はアセトン中10%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらしたが、PIB/CYMMスタックのより高い総容量に起因してPIB単独を用いるよりもはるかに高い電流を達成した。
OFETを式13のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は、ヘキサン中1%(重量/重量)溶液からスピンされた低誘電率重合体のポリプロピレン(Aldrich社、42,818-3)であった。第二層のポリシアノプルラン(CYMM)(ShinEtsu社)はアセトン中10%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 107M(旭硝子株式会社、Z-1700E01)であった。これはFC75溶媒中1%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。この試料を空気プラズマに5分間付してその表面をさらに親水性にした。第二層のポリシアノプルラン(CYMM)(ShinEtsu社)はアセトン中10%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop 107M(旭硝子株式会社、Z-1700E01)であった。これはFC75溶媒との1:1混合物からスピンコートされた。第二層のポリプロピレン(PP)(Aldrich社、42,818-3)はトルエン中飽和溶液からスピンコートされた。第三層のポリフッ化ビニリデン(PVDF)(Aldrich社、42,715-2)はNMP(N−メチルピロリドン)中5%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層(OSCに隣接)は低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflon AF-1600(Aldrich社、46,961-0)であった。これはFC75溶媒中3%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。第二層のポリプロピレン(PP)(Aldrich社、42,818-3)はトルエン中飽和溶液からスピンコートされた。第三層のポリフッ化ビニリデン(PVDF)(Aldrich社、42,715-2)はNMP中5%(重量/重量)溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。
図3に示されるグラフは誘電体の誘電率に対する移動度の依存性を示す。これは、半導体のすぐ隣の絶縁体について1.1〜3.0の誘電率を有する誘電体を選択することの好ましさを際だたせる。
Claims (26)
- 有機電界効果デバイスを製造する方法であって、
a)溶液から有機半導体層を堆積させ;そして
b)溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する
工程を含み、ここで上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までである上記の方法。 - 有機半導体層から低誘電率絶縁材料層の他方の側に、少なくとも1層の高誘電率絶縁材料を堆積させることをさらに含み、ここで上記高誘電率絶縁材料は比誘電率が低誘電率絶縁材料よりも高い、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1層の高誘電率絶縁材料が溶液から堆積される、請求項2に記載の方法。
- 層の1つまたは2つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 層の1つまたは2つ以上が溶液からスピンコーティングによって堆積される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 全ての工程が約100℃以下において遂行される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法によって製造された有機電界効果デバイス。
- 低誘電率絶縁材料の誘電率が1.3〜2.5の範囲内、好ましくは1.5〜2.1の範囲内である、請求項7に記載の有機電界効果デバイス。
- デバイスがトップゲート配置を有する、請求項7または8に記載の有機電界効果デバイス。
- デバイスがボトムゲート配置を有する、請求項7または8に記載の有機電界効果デバイス。
- 高誘電率絶縁材料が3.5超、好ましくは10超、さらに好ましくは20超で、200までの誘電率を有する、請求項7〜10のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。
- 高誘電率絶縁材料がポリフッ化ビニリデン、シアノプルアン、ポリビニルアルコールまたは他の高極性有機重合体を含む、請求項7〜11のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。
- 高誘電率絶縁材料がTiO2、Ta2O5、SrTiO3、Bi4Ti3O12、BaMgF4、チタン酸バリウムジルコニウム、チタン酸バリウムストロンチウムまたは他の高極性無機材料を含む、請求項7〜11のいずれか1項に記載のOFETデバイス。
- 低誘電率絶縁材料層の厚さが5nm〜1μmの範囲内であり、そして少なくとも1つの高誘電率絶縁材料層の厚さが50nm〜10μmの範囲内である、請求項7〜13のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。
- ゲート絶縁体層が有機材料を含む、請求項7〜14のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。
- 低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む、請求項15に記載の有機電界効果デバイス。
- 低誘電率絶縁材料層がポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)、ポリイソプレン、ポリ(ビニルシクロヘキサン)、またはこれら材料の少なくとも1種の単量体単位を含む共重合体を含む、請求項15に記載の有機電界効果デバイス。
- 低誘電率絶縁材料層がテトラフルオロエチレンとジオキシド類との共重合体を含む、請求項15に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層が10−5cm2V−1s−1より大きい移動度を有する、請求項7〜18のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がポリアリールアミンを含む請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がn≧2の複数の繰返単位を有する単分散アリールアミン化合物を含んでいる、請求項20に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がアリールアミンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がチオフェンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層が少なくとも2種の有機半導体種の複合材料を含む、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
- 有機半導体層がバインダー重合体を含んでいる、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0130321A GB0130321D0 (en) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | Electronic devices |
GB0130451A GB0130451D0 (en) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | Electronic devices |
GB0220504A GB0220504D0 (en) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | Electronic devices |
PCT/GB2002/005248 WO2003052841A1 (en) | 2001-12-19 | 2002-11-21 | Organic field effect transistor with an organic dielectric |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011109286A Division JP5727293B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
JP2011109287A Division JP5727294B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005513788A true JP2005513788A (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=27256358
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003553638A Pending JP2005513788A (ja) | 2001-12-19 | 2002-11-21 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
JP2011109286A Expired - Lifetime JP5727293B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
JP2011109287A Expired - Lifetime JP5727294B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011109286A Expired - Lifetime JP5727293B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
JP2011109287A Expired - Lifetime JP5727294B2 (ja) | 2001-12-19 | 2011-05-16 | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7029945B2 (ja) |
EP (3) | EP2204861A1 (ja) |
JP (3) | JP2005513788A (ja) |
KR (1) | KR100949304B1 (ja) |
AT (1) | ATE525757T1 (ja) |
AU (1) | AU2002343058A1 (ja) |
CA (1) | CA2469912A1 (ja) |
NO (1) | NO20043049L (ja) |
WO (1) | WO2003052841A1 (ja) |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004241528A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体装置及びそれを有する表示素子 |
JP2006173616A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2006261493A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2006129718A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Incorporated National University Iwate University | 有機薄膜トランジスタ |
JP2007165824A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
JP2007311377A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置 |
JP2007318025A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
JP2007318024A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
WO2008065927A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Zeon Corporation | Transistor à film fin organique, élément électronique composite organique, procédé de fabrication d'un tel transistor et d'un tel élément, écran d'affichage et mémoire |
JP2008244022A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kyushu Univ | 有機半導体素子およびその製造方法 |
JP2009224689A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010041039A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Commiss Energ Atom | 有機トランジスタ及びこのようなトランジスタの誘電層の製造方法 |
WO2010026798A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | ブラザー工業株式会社 | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2010093093A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010093092A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | ボトムゲート型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
WO2010082525A1 (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-22 | 住友化学株式会社 | 絶縁層用樹脂組成物 |
US7781757B2 (en) | 2005-08-24 | 2010-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic semiconductor material, organic semiconductor element and field effect transistor using the same |
JP2010278173A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 |
KR20110008267A (ko) * | 2008-04-24 | 2011-01-26 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 디바이스 |
US7902602B2 (en) | 2004-06-24 | 2011-03-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor with stacked organic and inorganic layers |
JP2011517075A (ja) * | 2008-04-03 | 2011-05-26 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ |
JP2011517504A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-06-09 | ファクルダージ デ シエンシアス イ テクノロジア ダ ユニベルシダデ ノバ デ リスボア | 能動半導体酸化物を用いるメモリを備える自立可能な接合電界効果型トランジスタにおける物理的支持体及び電荷蓄積媒体としての、天然セルロース系繊維、合成セルロース系繊維、又はそれらの組合せの使用及び製造方法 |
JP2011187626A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび電子機器 |
JP2011233587A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011258894A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電界効果型有機トランジスタ |
JP2012023361A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料、オーバーコート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ |
JP2012074683A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-04-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び有機薄膜トランジスタ |
JP2013514193A (ja) * | 2009-12-17 | 2013-04-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ナノ粒子の堆積 |
JP2013545286A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-12-19 | ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
WO2014034671A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 旭硝子株式会社 | 硬化性組成物および硬化膜の製造方法 |
JP2014057009A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機半導体トランジスタ |
JP2014530490A (ja) * | 2011-09-14 | 2014-11-17 | コミッサリアア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 有機電界効果トランジスタ |
JPWO2015076334A1 (ja) * | 2013-11-21 | 2017-03-16 | 株式会社ニコン | トランジスタの製造方法およびトランジスタ |
KR101746873B1 (ko) | 2009-05-27 | 2017-06-14 | 바스프 에스이 | 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체 |
WO2018135493A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 富士フイルム株式会社 | 保護層形成用組成物、積層体およびキット |
JP2021530100A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-11-04 | スマートケム リミテッド | 有機電子デバイス用のスパッタ保護層 |
Families Citing this family (139)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0303267D0 (en) * | 2003-02-13 | 2003-03-19 | Plastic Logic Ltd | Non lineur capacitors |
US6950299B2 (en) | 2003-02-13 | 2005-09-27 | Plastic Logic Limited | Non-linear capacitors |
KR100726114B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2007-06-12 | 티디케이가부시기가이샤 | 전계 효과 트랜지스터 |
KR100995451B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
JP4325479B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2009-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 有機トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
JP2005072569A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界効果トランジスタ |
GB0318817D0 (en) * | 2003-08-11 | 2003-09-10 | Univ Cambridge Tech | Method of making a polymer device |
DE10340608A1 (de) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Infineon Technologies Ag | Polymerformulierung und Verfahren zur Herstellung einer Dielektrikumsschicht |
JP2005079549A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
JP2005136383A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Canon Inc | 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置 |
US8450723B2 (en) * | 2003-11-04 | 2013-05-28 | Alcatel Lucent | Apparatus having an aromatic dielectric and an aromatic organic semiconductor including an alkyl chain |
JP5089986B2 (ja) | 2003-11-28 | 2012-12-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機半導体層およびその改善 |
JP2005175386A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Asahi Kasei Corp | 有機半導体素子 |
JP2005191437A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、その製造方法、および表示装置 |
GB0400997D0 (en) | 2004-01-16 | 2004-02-18 | Univ Cambridge Tech | N-channel transistor |
US7256436B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-film field-effect transistors and making method |
JP4449549B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-04-14 | 日本電気株式会社 | 有橋環式炭化水素ラクトン構造を有する材料を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法 |
US7372070B2 (en) * | 2004-05-12 | 2008-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic field effect transistor and method of manufacturing the same |
KR100635567B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
EP1648040B1 (en) * | 2004-08-31 | 2016-06-01 | Osaka University | Thin-layer chemical transistors and their manufacture |
GB2418062A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-15 | Seiko Epson Corp | An organic Field-Effect Transistor with a charge transfer injection layer |
WO2007050049A1 (en) * | 2004-09-14 | 2007-05-03 | Northwestern University | Carbonyl-functionalized thiophene compounds and related device structures |
JP4502382B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 有機トランジスタ |
KR100669752B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치 |
KR101142998B1 (ko) | 2004-12-20 | 2012-05-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 유기 절연막 및 유기 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
US7605394B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-10-20 | Northwestern University | Siloxane-polymer dielectric compositions and related organic field-effect transistors |
KR101086159B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2011-11-25 | 삼성전자주식회사 | 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
JP2006229053A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体層を有する電界効果型有機薄膜トランジスタ |
WO2006087680A1 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device |
US7619242B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-11-17 | Xerox Corporation | Celluloses and devices thereof |
JP4450214B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-04-14 | セイコーエプソン株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、電子デバイスおよび電子機器 |
JP2006269599A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | パターン形成方法、有機電界効果型トランジスタの製造方法、及び、フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
ES2450169T3 (es) * | 2005-03-23 | 2014-03-24 | Turkiye Sise Ve Cam Fabrikalari A.S. | Transistores orgánicos de efecto de campo basados en imida/diimida y un método de producción de estos |
US20060214154A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Eastman Kodak Company | Polymeric gate dielectrics for organic thin film transistors and methods of making the same |
US20060231908A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Xerox Corporation | Multilayer gate dielectric |
US20060231829A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Xerox Corporation | TFT gate dielectric with crosslinked polymer |
EP1986247A1 (en) | 2005-05-12 | 2008-10-29 | MERCK PATENT GmbH | Polyacene and semiconductor Formulation |
JP2009501927A (ja) | 2005-07-19 | 2009-01-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 流体分析装置 |
KR101209046B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
TWI261361B (en) * | 2005-08-31 | 2006-09-01 | Ind Tech Res Inst | Organic thin-film transistor structure and method for fabricating the same is provided |
WO2007029971A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Iferro Co., Ltd. | Method of forming organic layer on semiconductor substrate |
US7488834B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-02-10 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Organic semiconductors |
US7569415B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-08-04 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Liquid phase fabrication of active devices including organic semiconductors |
US20070075308A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Florian Dotz | Active semiconductor devices |
CN100511751C (zh) * | 2005-10-17 | 2009-07-08 | 中国科学院化学研究所 | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
KR100708720B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판 표시 장치 |
DE102005059608B4 (de) * | 2005-12-12 | 2009-04-02 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Spannungsstabilität und Verfahren zur Herstellung dazu |
US7425723B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-09-16 | Xerox Corporation | Organic thin-film transistors |
US7514710B2 (en) * | 2005-12-28 | 2009-04-07 | 3M Innovative Properties Company | Bottom gate thin film transistors |
KR101225372B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2013-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 그 박막트랜지스터를포함하는 평판 표시 장치 |
DE102006055067B4 (de) | 2005-12-29 | 2017-04-20 | Lg Display Co., Ltd. | Organische Dünnfilmtransistoren und Verfahren zu deren Herstellung |
GB2449023B (en) | 2006-01-21 | 2011-06-15 | Merck Patent Gmbh | Electronic short channel device comprising an organic semiconductor formulation |
WO2007097165A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電界効果トランジスタ |
TW200737520A (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-01 | Univ Nat Chiao Tung | Gate dielectric structure and an organic thin film transistor based thereon |
EP2018674A1 (en) | 2006-05-12 | 2009-01-28 | Merck Patent GmbH | Indenofluorene polymer based organic semiconductor materials |
US7919825B2 (en) * | 2006-06-02 | 2011-04-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Thin film transistors with poly(arylene ether) polymers as gate dielectrics and passivation layers |
US20080161464A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-07-03 | Marks Tobin J | Crosslinked polymeric dielectric materials and methods of manufacturing and use thereof |
US7528448B2 (en) * | 2006-07-17 | 2009-05-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions |
US8308886B2 (en) | 2006-07-17 | 2012-11-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Donor elements and processes for thermal transfer of nanoparticle layers |
US8062824B2 (en) | 2006-07-17 | 2011-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermally imageable dielectric layers, thermal transfer donors and receivers |
WO2008009343A1 (en) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Merck Patent Gmbh | Copolymers of indenofluorene and thiophene |
WO2008105816A2 (en) * | 2006-08-22 | 2008-09-04 | Northwestern University | Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods |
KR100794720B1 (ko) | 2006-08-28 | 2008-01-21 | 경희대학교 산학협력단 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
EP2089442B1 (en) | 2006-11-28 | 2014-10-01 | Polyera Corporation | Photopolymer-based dielectric materials and methods of preparation and use thereof |
EP1936712A1 (en) * | 2006-12-23 | 2008-06-25 | ETH Zürich | Organic field-effect transistors with polymeric gate dielectric and method for making same |
TWI323034B (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-01 | Ind Tech Res Inst | Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof |
WO2008131836A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Merck Patent Gmbh | Process for preparing an electronic device |
GB0709093D0 (en) * | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Plastic Logic Ltd | Electronic device incorporating parylene within a dielectric bilayer |
GB2450382B (en) * | 2007-06-22 | 2009-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors, organic light-emissive devices and organic light-emissive displays |
WO2009013291A2 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Basf Se | Field effect elements |
FR2919521B1 (fr) | 2007-08-01 | 2012-03-09 | Commissariat Energie Atomique | Couche d'accroche sur des polymeres fluores |
TWI345671B (en) * | 2007-08-10 | 2011-07-21 | Au Optronics Corp | Thin film transistor, pixel structure and liquid crystal display panel |
KR20090065254A (ko) * | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 한국전자통신연구원 | 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한유기 박막 트랜지스터 |
US7994495B2 (en) * | 2008-01-16 | 2011-08-09 | Xerox Corporation | Organic thin film transistors |
GB2467316B (en) | 2009-01-28 | 2014-04-09 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic devices, circuits and their manufacture |
EP2315793B1 (en) | 2008-08-18 | 2013-08-21 | Merck Patent GmbH | Indacenodithiophene and indacenodiselenophene polymers and their use as organic semiconductors |
DE112009001782T5 (de) | 2008-09-19 | 2011-07-28 | Merck Patent GmbH, 64293 | Von Bis(Thienocyclopenta) benzothiadiazol abgeleitete Polymere und ihre Verwendung als organische Halbleiter |
GB2475666B (en) | 2008-09-19 | 2012-08-29 | Merck Patent Gmbh | Polymers derived from benzobis (silolothiophene) and their use as organic semiconductors |
WO2010049321A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Basf Se | Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors |
KR100975913B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2010-08-13 | 한국전자통신연구원 | 유기 박막 트랜지스터용 조성물, 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 |
FR2945669B1 (fr) * | 2009-05-14 | 2011-12-30 | Commissariat Energie Atomique | Transistor organique a effet de champ |
KR101702484B1 (ko) | 2009-05-25 | 2017-02-06 | 바스프 에스이 | 가교결합성 유전체 및 이의 제조 방법 및 용도 |
WO2010136401A2 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Basf Se | Polycyclic dithiophenes |
EP2277944A3 (en) * | 2009-07-24 | 2012-01-04 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Composition for organic dielectric and organic thin film transistor formed using the same |
GB2474827A (en) * | 2009-08-04 | 2011-05-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface modification |
GB2473200B (en) | 2009-09-02 | 2014-03-05 | Pragmatic Printing Ltd | Structures comprising planar electronic devices |
TWI384616B (zh) * | 2009-09-11 | 2013-02-01 | Univ Nat Cheng Kung | 具備有機多介電層之記憶體元件 |
US8164089B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-04-24 | Xerox Corporation | Electronic device |
US8212243B2 (en) * | 2010-01-22 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Organic semiconducting compositions and N-type semiconductor devices |
JP2013533895A (ja) | 2010-05-19 | 2013-08-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機半導体デバイスにおいて使用するためのジケトピロロピロール系ポリマー |
EP2586074B1 (en) | 2010-06-24 | 2016-12-28 | Basf Se | An organic field effect transistor with improved current on/off ratio and controllable threshold shift |
WO2012013508A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Basf Se | Amphiphilic protein in printed electronics |
WO2012017005A2 (en) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Basf Se | Polymers based on benzodiones |
GB201013820D0 (en) * | 2010-08-18 | 2010-09-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Low contact resistance organic thin film transistors |
JP6097216B2 (ja) | 2010-09-02 | 2017-03-15 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 電子デバイス用のゲート絶縁層 |
EP2611842B1 (en) | 2010-09-02 | 2015-11-04 | Merck Patent GmbH | Interlayer for electronic devices |
JP5913107B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2016-04-27 | 日本化薬株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体組成物、有機薄膜及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法 |
GB201105482D0 (en) | 2011-03-31 | 2011-05-18 | Imp Innovations Ltd | Polymers |
GB201108865D0 (en) | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Semiconductor compounds |
GB201108864D0 (en) | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Transistors and methods of making them |
ES2717633T3 (es) | 2011-08-03 | 2019-06-24 | Univ Degli Studi Cagliari | Procedimiento de fabricación de transistor orgánico de baja tensión |
FR2980041B1 (fr) | 2011-09-14 | 2016-02-05 | Commissariat Energie Atomique | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
CN103906786B (zh) | 2011-10-04 | 2017-06-09 | 巴斯夫欧洲公司 | 基于苯并二酮的聚合物 |
EP2780409A4 (en) | 2011-11-15 | 2015-09-16 | Basf Se | ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
JP6157497B2 (ja) | 2011-12-07 | 2017-07-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 有機電界効果トランジスタ |
EP2789024B1 (en) | 2011-12-07 | 2015-11-18 | Basf Se | Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices |
PL397479A1 (pl) | 2011-12-21 | 2013-06-24 | Instytut Chemii Organicznej Polskiej Akademii Nauk | Nowe, fluorescencyjne barwniki heterocykliczne i sposób ich otrzymywania |
WO2013149897A1 (en) | 2012-04-02 | 2013-10-10 | Basf Se | Phenanthro[9,10-b]furan polymers and small molecules for electronic applications |
CN103367458B (zh) * | 2012-04-03 | 2017-03-01 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
TWI500162B (zh) * | 2012-04-03 | 2015-09-11 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US9293718B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-03-22 | Basf Se | Diketopyrrolopyrrole polymers and small molecules |
EP2841483B1 (en) | 2012-04-25 | 2018-10-03 | Merck Patent GmbH | Bank structures for organic electronic devices |
WO2014008971A1 (en) | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Merck Patent Gmbh | Organic electronic device comprising an organic semiconductor formulation |
JP6207606B2 (ja) | 2012-07-23 | 2017-10-04 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | ジチエノベンゾフランポリマーおよび電子的な応用のための小分子 |
US9954173B2 (en) | 2012-08-09 | 2018-04-24 | Merck Patent Gmbh | Organic semiconducting formulation |
EP2898551B1 (en) | 2012-09-21 | 2020-04-22 | Merck Patent GmbH | Organic semiconductor formulations |
WO2014053202A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Merck Patent Gmbh | Passivation layers for organic electronic devices |
US9748487B2 (en) | 2012-11-07 | 2017-08-29 | Basf Se | Polymers based on naphthodiones |
CN104797624B (zh) | 2012-12-04 | 2018-08-10 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于电子应用的官能化苯并二噻吩聚合物 |
US9929364B2 (en) | 2013-05-06 | 2018-03-27 | Basf Se | Soluble cyclic imides containing polymers as dielectrics in organic electronic applications |
JP6191235B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-09-06 | 富士電機株式会社 | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
US9698348B2 (en) | 2013-06-24 | 2017-07-04 | Basf Se | Polymers based on fused diketopyrrolopyrroles |
EP2818493A1 (en) | 2013-06-25 | 2014-12-31 | Basf Se | Near infrared absorbing polymers for electronic applications |
US9541829B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-01-10 | Orthogonal, Inc. | Cross-linkable fluorinated photopolymer |
US9330809B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-05-03 | Dow Global Technologies Llc | Electrically conducting composites, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US9336921B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-05-10 | Dow Global Technologies Llc | Electrically conducting composites, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
CN106662808A (zh) | 2014-02-07 | 2017-05-10 | 正交公司 | 可交联的氟化光聚合物 |
GB2534600A (en) * | 2015-01-29 | 2016-08-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors |
WO2017068009A1 (en) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Basf Se | Polymers and compounds based on dipyrrolo[1,2-b:1',2'-g][2,6]naphthyridine-5,11-dione |
CN105404046B (zh) * | 2015-12-04 | 2018-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜基板的制作方法 |
DE102016104254A1 (de) * | 2016-03-09 | 2017-10-26 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Folie und elektronisches Bauelement |
WO2017202635A1 (en) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Basf Se | Semiconductors |
CN109088000B (zh) * | 2018-08-22 | 2022-04-12 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
DE102019200810B4 (de) * | 2019-01-23 | 2023-12-07 | Technische Universität Dresden | Organischer dünnschicht-transistor und verfahren zur herstellung desselben |
CN114450812A (zh) * | 2019-06-24 | 2022-05-06 | 弗莱克英纳宝有限公司 | 通过调节机械性能对电介质的应力响应和粘附行为的改变 |
GB201919031D0 (en) | 2019-12-20 | 2020-02-05 | Smartkem Ltd | Sputter protective layer for organic electronic devices |
US20220223808A1 (en) * | 2020-06-03 | 2022-07-14 | Purdue Research Foundation | Polyimide-based transistor devices and methods of fabricating the same |
CN113299831B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-03-24 | 西安电子科技大学 | 基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法 |
CN113410385A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-17 | 南方科技大学 | 一种低压浮栅光电存储器及制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07249775A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
JPH1041519A (ja) * | 1996-03-26 | 1998-02-13 | Lg Electron Inc | 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置 |
JPH10335671A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Sharp Corp | ドライバーモノリシック駆動素子 |
WO2000042668A1 (en) * | 1999-01-15 | 2000-07-20 | The Dow Chemical Company | Semiconducting polymer field effect transistor |
JP2000275678A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
WO2000079617A1 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Cambridge University Technical Services Limited | Aligned polymers for an organic tft |
JP2005507180A (ja) * | 2001-10-16 | 2005-03-10 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電子デバイス用の絶縁体 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4565860A (en) * | 1984-04-09 | 1986-01-21 | Nissan Motor Co., Ltd. | Polymer of triphenylamine |
DE3610649A1 (de) | 1986-03-29 | 1987-10-01 | Basf Ag | Polymere mit triphenylamineinheiten |
JP2651691B2 (ja) * | 1988-03-03 | 1997-09-10 | バンドー化学株式会社 | 新規な芳香族アミン化合物 |
JP2533943B2 (ja) | 1989-08-01 | 1996-09-11 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造法 |
FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
JPH07221367A (ja) | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向積層膜とその製造方法及びそれを用いた有機電子素子とその製造方法 |
GB9403503D0 (en) | 1994-02-24 | 1994-04-13 | Inmos Ltd | Memory cell |
US5681664A (en) | 1994-08-04 | 1997-10-28 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Hole-transporting material and use thereof |
US5677096A (en) | 1995-09-19 | 1997-10-14 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
EP1146034A1 (en) | 1995-09-25 | 2001-10-17 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
US6326640B1 (en) * | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
WO1997033193A2 (en) | 1996-02-23 | 1997-09-12 | The Dow Chemical Company | Cross-linkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof |
US5612228A (en) | 1996-04-24 | 1997-03-18 | Motorola | Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region |
US6188452B1 (en) * | 1996-07-09 | 2001-02-13 | Lg Electronics, Inc | Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same |
US5728801A (en) | 1996-08-13 | 1998-03-17 | The Dow Chemical Company | Poly (arylamines) and films thereof |
US5981970A (en) | 1997-03-25 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages |
US5879821A (en) * | 1997-11-13 | 1999-03-09 | Xerox Corporation | Electroluminescent polymer compositions and processes thereof |
GB9726810D0 (en) | 1997-12-19 | 1998-02-18 | Zeneca Ltd | Compounds composition & use |
WO2000078843A1 (en) | 1997-12-19 | 2000-12-28 | Avecia Limited | Process for the isolation of polymer fractions |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
EP1138091B1 (en) | 1999-09-10 | 2007-01-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Conductive structure based on poly-3,4-alkenedioxythiophene (pedot) and polystyrenesulfonic acid (pss) |
JP2001094107A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
CN100483774C (zh) | 1999-12-21 | 2009-04-29 | 造型逻辑有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
GB0028867D0 (en) * | 2000-11-28 | 2001-01-10 | Avecia Ltd | Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor |
JP2005505142A (ja) | 2001-10-01 | 2005-02-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイス及び構成並びに方法 |
US6946676B2 (en) * | 2001-11-05 | 2005-09-20 | 3M Innovative Properties Company | Organic thin film transistor with polymeric interface |
CN1157807C (zh) * | 2001-11-09 | 2004-07-14 | 清华大学 | 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法 |
US6912473B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-06-28 | International Business Machines Corporation | Method for verifying cross-sections |
-
2002
- 2002-11-21 EP EP10004331A patent/EP2204861A1/en not_active Withdrawn
- 2002-11-21 US US10/499,040 patent/US7029945B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-21 EP EP02779719A patent/EP1459392B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-21 KR KR1020047009392A patent/KR100949304B1/ko active IP Right Grant
- 2002-11-21 CA CA002469912A patent/CA2469912A1/en not_active Abandoned
- 2002-11-21 WO PCT/GB2002/005248 patent/WO2003052841A1/en active Application Filing
- 2002-11-21 AU AU2002343058A patent/AU2002343058A1/en not_active Abandoned
- 2002-11-21 EP EP10004332A patent/EP2207217A1/en not_active Withdrawn
- 2002-11-21 JP JP2003553638A patent/JP2005513788A/ja active Pending
- 2002-11-21 AT AT02779719T patent/ATE525757T1/de not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-07-15 NO NO20043049A patent/NO20043049L/no unknown
-
2011
- 2011-05-16 JP JP2011109286A patent/JP5727293B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-05-16 JP JP2011109287A patent/JP5727294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07249775A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
JPH1041519A (ja) * | 1996-03-26 | 1998-02-13 | Lg Electron Inc | 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置 |
JPH10335671A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Sharp Corp | ドライバーモノリシック駆動素子 |
WO2000042668A1 (en) * | 1999-01-15 | 2000-07-20 | The Dow Chemical Company | Semiconducting polymer field effect transistor |
JP2000275678A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
WO2000079617A1 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Cambridge University Technical Services Limited | Aligned polymers for an organic tft |
JP2005507180A (ja) * | 2001-10-16 | 2005-03-10 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電子デバイス用の絶縁体 |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004241528A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体装置及びそれを有する表示素子 |
US7902602B2 (en) | 2004-06-24 | 2011-03-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor with stacked organic and inorganic layers |
JP2006173616A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2006261493A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2006129718A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Incorporated National University Iwate University | 有機薄膜トランジスタ |
US7781757B2 (en) | 2005-08-24 | 2010-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic semiconductor material, organic semiconductor element and field effect transistor using the same |
JP2007165824A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
KR101213871B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2012-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2007311377A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置 |
JP2007318024A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
JP2007318025A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
WO2008065927A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Zeon Corporation | Transistor à film fin organique, élément électronique composite organique, procédé de fabrication d'un tel transistor et d'un tel élément, écran d'affichage et mémoire |
JP2008244022A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kyushu Univ | 有機半導体素子およびその製造方法 |
JP2009224689A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011517504A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-06-09 | ファクルダージ デ シエンシアス イ テクノロジア ダ ユニベルシダデ ノバ デ リスボア | 能動半導体酸化物を用いるメモリを備える自立可能な接合電界効果型トランジスタにおける物理的支持体及び電荷蓄積媒体としての、天然セルロース系繊維、合成セルロース系繊維、又はそれらの組合せの使用及び製造方法 |
KR101532759B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2015-06-30 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 유기 박막 트랜지스터 |
US8735871B2 (en) | 2008-04-03 | 2014-05-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic thin film transistors |
JP2011517075A (ja) * | 2008-04-03 | 2011-05-26 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ |
KR101581065B1 (ko) | 2008-04-24 | 2015-12-29 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 디바이스 |
JP2011523201A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-08-04 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子装置 |
KR20110008267A (ko) * | 2008-04-24 | 2011-01-26 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 디바이스 |
JP2010041039A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Commiss Energ Atom | 有機トランジスタ及びこのようなトランジスタの誘電層の製造方法 |
WO2010026798A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | ブラザー工業株式会社 | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2010093093A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010093092A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi Ltd | ボトムゲート型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
DE112010000720T5 (de) | 2009-01-14 | 2012-08-09 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Harzzusammensetzung für lsolierschicht |
GB2480184A (en) * | 2009-01-14 | 2011-11-09 | Sumitomo Chemical Co | Resin compositions for insulating layer |
WO2010082525A1 (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-22 | 住友化学株式会社 | 絶縁層用樹脂組成物 |
KR101746873B1 (ko) | 2009-05-27 | 2017-06-14 | 바스프 에스이 | 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체 |
JP2010278173A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 |
JP2013514193A (ja) * | 2009-12-17 | 2013-04-25 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ナノ粒子の堆積 |
JP2011187626A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび電子機器 |
JP2011233587A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011258894A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電界効果型有機トランジスタ |
JP2012023361A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料、オーバーコート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ |
JP2012074683A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-04-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び有機薄膜トランジスタ |
JP2013545286A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-12-19 | ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2014530490A (ja) * | 2011-09-14 | 2014-11-17 | コミッサリアア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 有機電界効果トランジスタ |
WO2014034671A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 旭硝子株式会社 | 硬化性組成物および硬化膜の製造方法 |
JPWO2014034671A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-08-08 | 旭硝子株式会社 | 硬化性組成物および硬化膜の製造方法 |
JP2014057009A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機半導体トランジスタ |
JPWO2015076334A1 (ja) * | 2013-11-21 | 2017-03-16 | 株式会社ニコン | トランジスタの製造方法およびトランジスタ |
US9871215B2 (en) | 2013-11-21 | 2018-01-16 | Nikon Corporation | Transistor manufacturing method and transistor |
WO2018135493A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 富士フイルム株式会社 | 保護層形成用組成物、積層体およびキット |
JPWO2018135493A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2019-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 保護層形成用組成物、積層体およびキット |
JP2021530100A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-11-04 | スマートケム リミテッド | 有機電子デバイス用のスパッタ保護層 |
JP7482044B2 (ja) | 2018-06-29 | 2024-05-13 | スマートケム リミテッド | 有機電子デバイス用のスパッタ保護層 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1459392A1 (en) | 2004-09-22 |
KR20040063176A (ko) | 2004-07-12 |
WO2003052841A1 (en) | 2003-06-26 |
JP5727293B2 (ja) | 2015-06-03 |
ATE525757T1 (de) | 2011-10-15 |
US7029945B2 (en) | 2006-04-18 |
EP2207217A1 (en) | 2010-07-14 |
AU2002343058A1 (en) | 2003-06-30 |
US20050104058A1 (en) | 2005-05-19 |
EP2204861A1 (en) | 2010-07-07 |
JP5727294B2 (ja) | 2015-06-03 |
KR100949304B1 (ko) | 2010-03-23 |
NO20043049L (no) | 2004-07-15 |
CA2469912A1 (en) | 2003-06-26 |
EP1459392B1 (en) | 2011-09-21 |
JP2011254075A (ja) | 2011-12-15 |
JP2011243986A (ja) | 2011-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5727293B2 (ja) | 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ | |
US7095044B2 (en) | Field effect transistors and materials and methods for their manufacture | |
CN1698217B (zh) | 使用有机电介质的有机场效应晶体管 | |
US8637343B2 (en) | Process for preparing an electronic device | |
TWI326926B (en) | Improvements in and relating to organic semiconducting materials | |
EP1878066A1 (en) | Polymeric gate dielectrics for thin film transistors | |
AU2002220818A1 (en) | Field effect transistors and materials and methods for their manufacture | |
CN108886096A (zh) | 含有双吖丙啶的有机电子组合物和其器件 | |
JP2013541190A (ja) | 有機電子デバイスの製造方法 | |
US8436339B2 (en) | Gate insulating film forming agent for thin-film transistor | |
JP2012119678A (ja) | 誘電性組成物 | |
TWI644964B (zh) | 有機半傳導性調配物 | |
KR101702595B1 (ko) | 박막 트랜지스터용 게이트 절연막 형성제 | |
Ngo | Veres et a1. | |
Kim et al. | Low-Temperature Processable, Photo-Curable Polyimides as Gate Insulators for Thin-Film Transistors | |
US9525135B2 (en) | Thixotropic composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090702 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090929 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110117 |