JP2005079549A - 有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁性の基板上に下部ゲート電極12と、前記下部ゲート電極12を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜13と、前記第1のゲート絶縁膜13上にあって、前記下部ゲート電極12を狭持する位置に成形された一対の電極14、15と、前記一対の電極14、15を覆うように形成された有機半導体膜からなる活性層16と、が順次形成された電界効果型の有機薄膜トランジスタにおいて、前記活性層16上に形成された第2のゲート絶縁膜17と、前記第2のゲート絶縁膜17上にあって、前記下部ゲート電極12に対向するようにして形成された上部ゲート電極18とを有する。
【選択図】 図1
Description
これに対して、例えば特許文献2に記載されたような有機半導体を利用した電界効果トランジスタは、前述した無機半導体を利用したものに比べて、低温成膜と大面積化が簡単であり、製造が簡単なことから低コスト化も可能である。しかも、有機物特有の柔軟性に富んだ性質を有するためにプラスチックのようなフレキシブルな基板への応用展開も考えられており、最近は特に開発が進められている。
本発明は以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、ダブルゲート構造にすることにより、より多くの電流を制御して流すことができる有機薄膜トランジスタを提供することにある。
図1は本発明に係る有機薄膜トランジスタの一例を示す断面構成図である。図示するように、この電界効果型の有機薄膜トランジスタ10は、基板11上に、下部ゲート電極12、第1のゲート絶縁膜13、有機半導体膜よりなる活性層16、第2のゲート絶縁膜17及び上部ゲート電極18をこの順序で積層すると共に、上記活性層16に接するように一対の電極、すなわちソース電極14とドレイン電極15とを設けるように構成している。
具体的には、絶縁性の基板上に下部ゲート電極12と、前記下部ゲート電極12を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜13と、前記第1のゲート絶縁膜13上にあって、前記下部ゲート電極12を狭持する位置に成形された一対の電極14、15と、前記一対の電極14、15を覆うように形成された有機半導体膜からなる活性層16と、が順次形成された電界効果型の有機薄膜トランジスタにおいて、前記活性層16上に形成された第2のゲート絶縁膜17と、前記第2のゲート絶縁膜17上にあって、前記下部ゲート電極12に対向するようにして形成された上部ゲート電極18と、からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタである。
Claims (1)
- 絶縁性の基板上に下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上にあって、前記下部ゲート電極を狭持する位置に成形された一対の電極と、前記一対の電極を覆うように形成された有機半導体膜からなる活性層と、が順次形成された電界効果型の有機薄膜トランジスタにおいて、
前記活性層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上にあって、前記下部ゲート電極に対向するようにして形成された上部ゲート電極と、
からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
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