JP2003238490A - フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体 - Google Patents
フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体Info
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- JP2003238490A JP2003238490A JP2002035455A JP2002035455A JP2003238490A JP 2003238490 A JP2003238490 A JP 2003238490A JP 2002035455 A JP2002035455 A JP 2002035455A JP 2002035455 A JP2002035455 A JP 2002035455A JP 2003238490 A JP2003238490 A JP 2003238490A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラーレンの成膜性を容易にし、溶液成膜に
よる薄膜の配向制御性の向上、電子的機能の向上を達成
することができるフラーレン誘導体を提供する。 【解決手段】 フラーレンと液晶性官能基とを結合した
構造を有するフラーレン誘導体、基板上にそのフラーレ
ン誘導体を積層した構造体。
よる薄膜の配向制御性の向上、電子的機能の向上を達成
することができるフラーレン誘導体を提供する。 【解決手段】 フラーレンと液晶性官能基とを結合した
構造を有するフラーレン誘導体、基板上にそのフラーレ
ン誘導体を積層した構造体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラーレン誘導体
及びそれを用いた構造体に関する。
及びそれを用いた構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラーレンは当初Ｃ６０が発見され、Ｃ
７０以上の炭素原子数の多いものも発見されて来た。そ
の物性を評価する中で、様々な特性が明らかになって来
ており、光導電性等を備えることから、例えば、感光体
への応用（特開平９−７３１８０号公報）が提案される
など、近年新たな機能性材料として注目されつつある。
また、フラーレン類は結晶性を有することが知られ、種
々の基板上で単結晶化が試みられている。
７０以上の炭素原子数の多いものも発見されて来た。そ
の物性を評価する中で、様々な特性が明らかになって来
ており、光導電性等を備えることから、例えば、感光体
への応用（特開平９−７３１８０号公報）が提案される
など、近年新たな機能性材料として注目されつつある。
また、フラーレン類は結晶性を有することが知られ、種
々の基板上で単結晶化が試みられている。
【０００３】通常フラーレン類は粉体であり、蒸着法な
どの真空成膜法によって成膜することが出来る。フラー
レン類は、非極性溶媒に限られるが溶媒可溶性であり溶
液成膜が可能である。しかしながらこれらの成膜法では
良好な薄膜の形成が難しかった。
どの真空成膜法によって成膜することが出来る。フラー
レン類は、非極性溶媒に限られるが溶媒可溶性であり溶
液成膜が可能である。しかしながらこれらの成膜法では
良好な薄膜の形成が難しかった。
【０００４】この問題を解決するために、ポリアミド主
鎖にフラーレンを側鎖として導入したポリマー（Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９２，１１４，１０６５
６）や、ポリシランとフラーレンとの共重合ポリマー
（特開平７−６２１０５号公報）が提案され、成膜性の
改善に効果があると考えられる。しかしながらフラーレ
ンの電子的な特性を発揮させる半導体素子などを得るに
は、基板上で配向性を制御して異方配向性や結晶性の向
上した薄膜を形成させる必要があり、このような観点に
よれば上述したポリマー系で形成された膜においては不
十分であった。
鎖にフラーレンを側鎖として導入したポリマー（Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９２，１１４，１０６５
６）や、ポリシランとフラーレンとの共重合ポリマー
（特開平７−６２１０５号公報）が提案され、成膜性の
改善に効果があると考えられる。しかしながらフラーレ
ンの電子的な特性を発揮させる半導体素子などを得るに
は、基板上で配向性を制御して異方配向性や結晶性の向
上した薄膜を形成させる必要があり、このような観点に
よれば上述したポリマー系で形成された膜においては不
十分であった。
【０００５】フラーレンを化学修飾して機能化し電子デ
バイスに応用する試みが提案され（特開２０００−３４
４７６４号公報）、ドナー・アクセプター化合物とし
て、電子デバイス等への応用が示唆されているが、成膜
性については上述と同様不十分であると考えられる。
バイスに応用する試みが提案され（特開２０００−３４
４７６４号公報）、ドナー・アクセプター化合物とし
て、電子デバイス等への応用が示唆されているが、成膜
性については上述と同様不十分であると考えられる。
【０００６】液晶性の有機半導体材料としてディスコテ
ィック液晶やスメクチック液晶、高分子液晶等が知ら
れ、液晶性に由来する分子配向性により優れた電気特性
や異方性が期待されている（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．５０，Ｎ
ｏ．１３，３４１１，２００１）。具体的な応用とし
て、側鎖に液晶性基を導入したポリマーを薄膜トランジ
スタの半導体層に使用した例（特開平９−８３０４０号
公報）や、液晶性有機半導体を光導伝層として用いた電
子写真感光体（特開２００１−３３９９０号公報）等が
挙げられる。前者は、ポリマーの任意方向への配向性を
利用してキャリア移動度を向上させる試みであり、後者
はフラーレンで色素増感して光吸収効率の向上が図られ
ている。
ィック液晶やスメクチック液晶、高分子液晶等が知ら
れ、液晶性に由来する分子配向性により優れた電気特性
や異方性が期待されている（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．５０，Ｎ
ｏ．１３，３４１１，２００１）。具体的な応用とし
て、側鎖に液晶性基を導入したポリマーを薄膜トランジ
スタの半導体層に使用した例（特開平９−８３０４０号
公報）や、液晶性有機半導体を光導伝層として用いた電
子写真感光体（特開２００１−３３９９０号公報）等が
挙げられる。前者は、ポリマーの任意方向への配向性を
利用してキャリア移動度を向上させる試みであり、後者
はフラーレンで色素増感して光吸収効率の向上が図られ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
系では、配向制御の必要性が低い点では製造容易である
が、低分子液晶を用いた場合には成膜プロセスに工夫が
必要で、液晶セル構造が必要となり、ポリマー系ではそ
の点は改善されるが、有機半導体のような薄膜素子に応
用する場合、配向制御による電子移動度の向上が必要と
なり、その点では不十分であり改善が必要であった。
系では、配向制御の必要性が低い点では製造容易である
が、低分子液晶を用いた場合には成膜プロセスに工夫が
必要で、液晶セル構造が必要となり、ポリマー系ではそ
の点は改善されるが、有機半導体のような薄膜素子に応
用する場合、配向制御による電子移動度の向上が必要と
なり、その点では不十分であり改善が必要であった。
【０００８】本発明は、このような問題を解決し、フラ
ーレンの成膜性を容易にするためにフラーレン含有液晶
性誘導体を用いることで溶液成膜による薄膜の配向制御
性の向上、電子的機能の向上を達成することができるフ
ラーレン誘導体を提供することを目的としている。
ーレンの成膜性を容易にするためにフラーレン含有液晶
性誘導体を用いることで溶液成膜による薄膜の配向制御
性の向上、電子的機能の向上を達成することができるフ
ラーレン誘導体を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、フラーレンと
液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導
体、基板上に上記フラーレン誘導体を積層した構造体、
絶縁層、電極を積層し、さらに上記のフラーレン誘導体
を積層した構造体である。
液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導
体、基板上に上記フラーレン誘導体を積層した構造体、
絶縁層、電極を積層し、さらに上記のフラーレン誘導体
を積層した構造体である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おけるフラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有
するフラーレン誘導体は、下記模式図に示すようなもの
である。
おけるフラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有
するフラーレン誘導体は、下記模式図に示すようなもの
である。
【００１１】
【化１】
【００１２】このフラーレンと液晶性官能基とを結合し
た構造を有するフラーレン誘導体は、例えばフラーレン
類とディスコティック液晶やスメクチック液晶等を反応
させて得ることが出来る。フラーレン類はＣ６０、Ｃ７
０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等を用いることができる
が、結晶性の良い薄膜を得るにはＣ６０またはＣ７０を
用いるのが好ましい。場合によっては上記フラーレン類
の２種以上を混合して使用しても良い。それらフラーレ
ン類と、例えば下記する構造の液晶性化合物の有するヒ
ドロキシル基、カルボキシル基、オキシラン基、アミノ
基等の反応性基とを反応させることにより得ることがで
きる。また、それらの反応性基を有するフラーレン類を
用いても良い。
た構造を有するフラーレン誘導体は、例えばフラーレン
類とディスコティック液晶やスメクチック液晶等を反応
させて得ることが出来る。フラーレン類はＣ６０、Ｃ７
０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等を用いることができる
が、結晶性の良い薄膜を得るにはＣ６０またはＣ７０を
用いるのが好ましい。場合によっては上記フラーレン類
の２種以上を混合して使用しても良い。それらフラーレ
ン類と、例えば下記する構造の液晶性化合物の有するヒ
ドロキシル基、カルボキシル基、オキシラン基、アミノ
基等の反応性基とを反応させることにより得ることがで
きる。また、それらの反応性基を有するフラーレン類を
用いても良い。
【００１３】
【化２】
【００１４】（式中、Ｒ１，Ｒ２は直鎖または分岐のア
ルキル基、一般式Ｘ−Ａｒ−Ｙで表される基（ＸはＯ，
Ｓ，ＮＨ，ＣＯ，ＣＯ２，ＯＣＯ２，−，ＳＯ，Ｓ
Ｏ２，ＣＯＮＨ，ＣＯＯＮＨ等の結合基を示し、Ａｒは
置換または無置換の芳香族環を示し、Ｙはヒドロキシル
基、カルボキシル基、オキシラン基、アミノ基等の反応
性基を示す）を示し、どちらか一方はＸ−Ａｒ−Ｙであ
る）。
ルキル基、一般式Ｘ−Ａｒ−Ｙで表される基（ＸはＯ，
Ｓ，ＮＨ，ＣＯ，ＣＯ２，ＯＣＯ２，−，ＳＯ，Ｓ
Ｏ２，ＣＯＮＨ，ＣＯＯＮＨ等の結合基を示し、Ａｒは
置換または無置換の芳香族環を示し、Ｙはヒドロキシル
基、カルボキシル基、オキシラン基、アミノ基等の反応
性基を示す）を示し、どちらか一方はＸ−Ａｒ−Ｙであ
る）。
【００１５】
【化３】
【００１６】（式中、Ｒは直鎖または分岐のアルキル
基、一般式Ｘ−Ａｒ−Ｙで表される基（ＸはＯ，Ｓ，Ｎ
Ｈ，ＣＯ，ＣＯ２，ＯＣＯ２，−（単結合），ＳＯ，Ｓ
Ｏ２，ＣＯＮＨ，ＣＯＯＮＨ等の結合基を示し、Ａｒは
置換または無置換の芳香族環を示し、Ｙはヒドロキシル
基，カルボキシル基，オキシラン基，アミノ基等の反応
性基を示す）を示し、どれか一つはＸ−Ａｒ−Ｙであ
る）。
基、一般式Ｘ−Ａｒ−Ｙで表される基（ＸはＯ，Ｓ，Ｎ
Ｈ，ＣＯ，ＣＯ２，ＯＣＯ２，−（単結合），ＳＯ，Ｓ
Ｏ２，ＣＯＮＨ，ＣＯＯＮＨ等の結合基を示し、Ａｒは
置換または無置換の芳香族環を示し、Ｙはヒドロキシル
基，カルボキシル基，オキシラン基，アミノ基等の反応
性基を示す）を示し、どれか一つはＸ−Ａｒ−Ｙであ
る）。
【００１７】上記式中のＲ１，Ｒ２，Ｒは炭素数６以上
の直鎖または分岐の脂肪族炭化水素基が挙げられ、炭素
数６〜２３であることが配向性の点から好ましい。
の直鎖または分岐の脂肪族炭化水素基が挙げられ、炭素
数６〜２３であることが配向性の点から好ましい。
【００１８】本発明においては、上述のフラーレン誘導
体により薄膜を形成した場合、液晶性官能基間の分子間
相互作用によって２次元方向に配向規制されるため、基
板上にフラーレンユニットも整列された秩序性の高い構
造体の得ることが可能となる。
体により薄膜を形成した場合、液晶性官能基間の分子間
相互作用によって２次元方向に配向規制されるため、基
板上にフラーレンユニットも整列された秩序性の高い構
造体の得ることが可能となる。
【００１９】上記式中のＲ１，Ｒ２，Ｒにおいて、末端
に反応性の官能基であるビニル基、アクリル基、メタク
リル基等の二重結合を有する化合物を使用しても良く、
その場合には薄膜を形成した後、エネルギー線を照射し
て反応させると重合体となり、薄膜の安定性を向上させ
ることが出来る。
に反応性の官能基であるビニル基、アクリル基、メタク
リル基等の二重結合を有する化合物を使用しても良く、
その場合には薄膜を形成した後、エネルギー線を照射し
て反応させると重合体となり、薄膜の安定性を向上させ
ることが出来る。
【００２０】本発明においては、上述したフラーレン誘
導体を適当な溶媒に溶解させて基板上に薄膜を形成させ
ることが好ましい。また、このような絶縁性ポリマーの
他に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセ
ン及びポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーを積
層して使用しても良い。使用する有機溶媒として、メタ
ノール、エタノール及びイソプロパノール等のアルコー
ル類；アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサ
ノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチ
ルピロリドン等のピロリドン類；ジメチルスルホキシド
等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン
及びエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素及びトリクロルエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素化合物あるいはトルエ
ン、キシレン、モノクロルベンゼン及びジクロルベンゼ
ン等の芳香族化合物等を用いることができる。
導体を適当な溶媒に溶解させて基板上に薄膜を形成させ
ることが好ましい。また、このような絶縁性ポリマーの
他に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセ
ン及びポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーを積
層して使用しても良い。使用する有機溶媒として、メタ
ノール、エタノール及びイソプロパノール等のアルコー
ル類；アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサ
ノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチ
ルピロリドン等のピロリドン類；ジメチルスルホキシド
等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン
及びエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素及びトリクロルエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素化合物あるいはトルエ
ン、キシレン、モノクロルベンゼン及びジクロルベンゼ
ン等の芳香族化合物等を用いることができる。
【００２１】塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコ
ーティング法、スピナーコーティング法、ブレードコー
ティング法、マイヤーバーコーティング法、ローラーコ
ーティング法又はカーテンコーティング法等の方法を用
いて行うことができる。乾燥は、使用される溶媒の沸点
により室温又は加熱乾燥によって行うことができる。加
熱乾燥は３０〜２００℃の温度範囲で、所定の乾燥状態
に合わせて静止又は送風下で行うことができる。
ーティング法、スピナーコーティング法、ブレードコー
ティング法、マイヤーバーコーティング法、ローラーコ
ーティング法又はカーテンコーティング法等の方法を用
いて行うことができる。乾燥は、使用される溶媒の沸点
により室温又は加熱乾燥によって行うことができる。加
熱乾燥は３０〜２００℃の温度範囲で、所定の乾燥状態
に合わせて静止又は送風下で行うことができる。
【００２２】使用される基板としては、例えば、アルミ
ニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バ
ナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、マ
グネシウム、インジウム、金、白金、銀又は鉄等の金属
あるいは合金が用いられる。また、こうした金属あるい
は合金を、真空蒸着法等によって皮膜形成された導電層
を有するプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、アクリル樹脂及びポリフッ化エチレン等）、これら
の複合体等が挙げられる。また、酸化スズを蒸着させた
ＮＥＳＡ膜、酸化スズと酸化インジウムよりなるＩＴＯ
膜を有するガラスやプラスチック等を使用することが出
来る。
ニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バ
ナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、マ
グネシウム、インジウム、金、白金、銀又は鉄等の金属
あるいは合金が用いられる。また、こうした金属あるい
は合金を、真空蒸着法等によって皮膜形成された導電層
を有するプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、アクリル樹脂及びポリフッ化エチレン等）、これら
の複合体等が挙げられる。また、酸化スズを蒸着させた
ＮＥＳＡ膜、酸化スズと酸化インジウムよりなるＩＴＯ
膜を有するガラスやプラスチック等を使用することが出
来る。
【００２３】また、図１に示すような半導体素子の有機
半導体材料として、絶縁層、電極を積層し、さらに本発
明のフラーレン誘導体を積層した構造体とすることで、
上記のような高配向性によってキャリア移動度の高い有
機半導体を得ることが出来る。
半導体材料として、絶縁層、電極を積層し、さらに本発
明のフラーレン誘導体を積層した構造体とすることで、
上記のような高配向性によってキャリア移動度の高い有
機半導体を得ることが出来る。
【００２４】このような半導体素子のソース電極、ドレ
イン電極、ゲート電極の原料としては、アルミニウム、
アルミニウム合金、タンタル、銅、亜鉛、ステンレス、
バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、
マグネシウム、インジウム、金、白金、銀、ＩＴＯ等を
使用することができる。
イン電極、ゲート電極の原料としては、アルミニウム、
アルミニウム合金、タンタル、銅、亜鉛、ステンレス、
バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、
マグネシウム、インジウム、金、白金、銀、ＩＴＯ等を
使用することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、製造例及び実施形態を挙
げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これ
らの実施形態に限定されるわけではない。
げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これ
らの実施形態に限定されるわけではない。
【００２６】（実施形態１）下記式に示すスメクチック
液晶のマロン酸エステル誘導体とＣ６０とを、トルエン
中でＩ２と１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウン
デク−７−エンの存在下、室温で一晩反応させることに
より付加体（Ａ）を得た。
液晶のマロン酸エステル誘導体とＣ６０とを、トルエン
中でＩ２と１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウン
デク−７−エンの存在下、室温で一晩反応させることに
より付加体（Ａ）を得た。
【００２７】
【化４】
【００２８】ガラス基板上に（Ａ）の２ｗｔ％トルエン
溶液をスピナー塗布し乾燥してサンプルを作製した。こ
うして作製した積層体のＸ線回折測定を行った結果、Ｃ
６０の回折ピークに相当する２θ＝９、１０、１５．
５、１８、１９度付近に同様の回折ピークが観測され、
平面内の配向制御性が確認された。
溶液をスピナー塗布し乾燥してサンプルを作製した。こ
うして作製した積層体のＸ線回折測定を行った結果、Ｃ
６０の回折ピークに相当する２θ＝９、１０、１５．
５、１８、１９度付近に同様の回折ピークが観測され、
平面内の配向制御性が確認された。
【００２９】（実施形態２）実施形態１においてＣ６０
をＣ７０に代えた以外は同様にして積層体を作製し、同
様にＸ線回折測定を行った結果、Ｃ７０の回折ピークに
相当する２θ＝９．５、１０、１０．５、１６．５、１
８、１９．５度付近に同様の回折ピークが観測され、平
面内の配向制御性が確認された。
をＣ７０に代えた以外は同様にして積層体を作製し、同
様にＸ線回折測定を行った結果、Ｃ７０の回折ピークに
相当する２θ＝９．５、１０、１０．５、１６．５、１
８、１９．５度付近に同様の回折ピークが観測され、平
面内の配向制御性が確認された。
【００３０】（実施形態３）実施形態１で用いたスメク
チック液晶を下記式に示すディスコティック液晶に代え
た以外は、実施形態１と同様にして付加体（Ｂ）を得
た。実施形態１と同様にして
チック液晶を下記式に示すディスコティック液晶に代え
た以外は、実施形態１と同様にして付加体（Ｂ）を得
た。実施形態１と同様にして
【００３１】
【化５】
【００３２】積層体の評価を行い、同様の配向制御性が
確認された。
確認された。
【００３３】（実施形態４）実施形態２においてスメク
チック液晶を実施形態３のディスコティック液晶に代え
た以外は同様にして積層体を作製し、同様に評価を行っ
た結果、同様の配向制御性が確認された。
チック液晶を実施形態３のディスコティック液晶に代え
た以外は同様にして積層体を作製し、同様に評価を行っ
た結果、同様の配向制御性が確認された。
【００３４】
【発明の効果】本発明により、新規なフラーレン含有液
晶性誘導体を用いることで薄膜の配向制御性の向上、電
子的機能の向上を達成することができるフラーレン誘導
体を提供することが可能となり、電子デバイス、光導電
性素子等に応用可能である。
晶性誘導体を用いることで薄膜の配向制御性の向上、電
子的機能の向上を達成することができるフラーレン誘導
体を提供することが可能となり、電子デバイス、光導電
性素子等に応用可能である。
【図１】絶縁ゲート型電界効果トランジスタの基本構造
を説明する図である。
を説明する図である。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB64 BJ50 BP10 KA31
4H027 BD12 DK02 DM02
5F110 AA01 AA30 CC03 CC05 CC07
DD01 DD02 EE02 EE03 EE04
EE06 EE07 GG05 GG41 GG60
HK02 HK03 HK04 HK06 HK07
Claims (3)
- 【請求項１】 フラーレンと液晶性官能基とを結合した
構造を有するフラーレン誘導体。 - 【請求項２】 基板上に請求項１記載のフラーレン誘導
体を積層した構造体。 - 【請求項３】 絶縁層、電極を積層し、さらに請求項１
記載のフラーレン誘導体を積層した請求項２記載の構造
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035455A JP2003238490A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035455A JP2003238490A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003238490A true JP2003238490A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27777634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035455A Withdrawn JP2003238490A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003238490A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079549A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
| JP2005097329A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | フラーレン誘導体を含有する組成物、並びに前記組成物を用いた塗膜及び粉体の製造方法 |
| JP2006060169A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2007194360A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| WO2008081845A1 (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-10 | Frontier Carbon Corporation | フラーレン誘導体を原料とするフラーレン膜およびフラーレン重合体ならびにそれらの製造方法 |
-
2002
- 2002-02-13 JP JP2002035455A patent/JP2003238490A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
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