JP2006228931A

JP2006228931A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2006228931A
Application number: JP2005040282A
Authority: JP
Inventors: Makoto Mizukami; 誠水上
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2005-02-17
Filing date: 2005-02-17
Publication date: 2006-08-31

Abstract

【課題】絶縁性を有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極によって構成された有機薄膜トランジスタにおいて、十分な移動度とｏｎ電流が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層３の表面の２乗平均粗さＲｍｓをゲート絶縁層３とゲート電極２との界面のＲｍｓよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるようにゲート電極形成部を陽極酸化することによって、ゲート電極２の表面近傍部のみにゲート絶縁層３が形成された構造にする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電解効果トランジスタ及びその製造方法、特に、絶縁性を有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極により構成された有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。

従来、無機半導体を用いた電解効果トランジスタが知られており、このトランジスタは、単結晶シリコン基板やガラス基板表面に形成するアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの無機材料を用いる。
単結晶シリコン基板を用いた場合は、その製造装置による制約から基板サイズを大きくすることが困難であるため、大面積化には不向きであり、低コスト化が難しい。
ガラス基板を用いた場合は、アモルファスシリコンやポリシリコンを形成するとき３５０℃以上の加熱処理が必要となるため、耐熱性が必要であり耐熱性ガラス基板などが用いられている。また、これら無機半導体用の半導体層を作製するためのプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置、レーザアニール装置等は高額であるため、製造コストが高くなるといった問題がある。
上述のように、無機半導体を用いた電解効果トランジスタは、製造上の制約から低コスト化が難しい。

これに対して、有機半導体を用いた電解効果トランジスタ、即ち有機薄膜トランジスタは、無機半導体を用いたものに比べ、低温成膜と大面積化が可能であり、製造が簡単なことから低コスト化も可能となる。

ここで、一般的なボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図を図３に示す。図３において、基板１１の表面にゲート電極１２を形成し、ゲート電極１２及び基板１１表面にゲート絶縁層１３を形成する。次に、このゲート絶縁層１３表面にソース電極１５及びドレイン電極１６を形成する。さらに、ソース電極１５及びドレイン電極１６を含むゲート絶縁層１３の表面に有機半導体膜１４を形成することで、有機薄膜トランジスタ２０を得る。
この有機薄膜トランジスタ２０では、ゲート電極１２に電圧を印加することで、有機半導体膜１４とゲート絶縁層１３との界面近傍における有機半導体膜１４のキャリア密度を変化させ、ソース−ドレイン電極１５，１６間に流れる電流量を変化させることができる。

図３には、ソース電極１５、ドレイン電極１６が有機半導体膜１４よりも基板１１側にあるボトムコンタクト型を示したが、有機半導体膜１４がソース電極１５、ドレイン電極１６よりも基板１１側にあるトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタも作製されている。

一般的に、有機半導体は無機半導体に比べて移動度が小さく、有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタは無機半導体を用いたものに比べて制御できる電流が小さくなってしまう。そのために、より大きな移動度を持ち、より大きな電流が流せる有機半導体材料の検討やトランジスタ構造の検討が進められている。
一般的に、有機ＥＬなどの素子を駆動するための大きな電流、例えば、ｏｎ電流３×１０^-5Ａ以上を制御するためには、移動度は０．１ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上が必要と言われている。

有機薄膜トランジスタの移動度、ｏｎ電流を増やす方法の一例が、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載されている方法とは、ゲート絶縁層と有機半導体膜との界面の平均粗さを５０ｎｍ以下にする方法である。特許文献１に記載の実施例は、ゲート絶縁層としてのＵＶ硬化樹脂をゲート電極を含む基板表面にキャスト法により塗布し、このＵＶ硬化樹脂表面にガラス基板を接触させてＵＶ照射することにより硬化させ、６ｎｍの表面粗さを持つゲート絶縁層を形成するものである。
特開２００４−６３９７５号公報

しかしながら、通常、ＵＶ硬化樹脂を硬化させるためには強力なＵＶ光源が必要であり、通常のアライナーでは光量が弱く短時間でパターニングすることは難しい。また、特許文献１に記載の実施例はＵＶ硬化樹脂には適用できるが、無機のゲート絶縁層に適用するには改善が必要である。加えて、特許文献１に記載の条件において、上述した十分な移動度及びｏｎ電流を得るには、さらなる改善が望まれる。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、十分な移動度及びｏｎ電流が得られる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、次の１）〜３）に記載の手段を有する。
１）絶縁性を有する基板（１）と、この基板（１）の一面側に形成したゲート電極（２）と、このゲート電極（２）を覆うように形成したゲート絶縁層（３）と、このゲート絶縁層（３）の表面に形成した有機半導体膜（４）と、この有機半導体膜（４）に接するように形成したソース電極（５）及びドレイン電極（６）と、を有する有機薄膜トランジスタ（１０）において、前記ゲート絶縁層（３）の表面の２乗平均粗さが、ゲート絶縁層（３）と前記ゲート電極（２）との界面の２乗平均粗さよりも小さく、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ（１０）である。
２）絶縁性を有する基板（１）と、この基板（１）の一面側に形成したゲート電極（２）と、このゲート電極（２）を覆うように形成したゲート絶縁層（３）と、このゲート絶縁層（３）の表面に形成した有機半導体膜（４）と、この有機半導体膜（４）に接するように形成したソース電極（５）及びドレイン電極（６）と、を有する有機薄膜トランジスタ（１０）において、前記ゲート絶縁層（３）の表面の２乗平均粗さが、ゲート絶縁層（３）と前記ゲート電極（２）との界面の２乗平均粗さよりも小さく、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲であり、前記ゲート電極（２）はＴａまたはＴｉからなり、前記ゲート絶縁層（３）は前記ゲート電極（２）の陽極酸化層であり、前記ゲート電極（２）と前記基板（１）との間にＳｉ酸化物膜（８ａ）またはＳｉ窒化物膜が介在していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ（１０）である。
３）絶縁性を有する基板（１）の一面側にゲート電極形成部を形成する工程と、前記ゲート絶縁層（３）の表面の２乗平均粗さを前記ゲート絶縁層（３）と前記ゲート電極（２）との界面の２乗平均粗さよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるように、前記ゲート電極形成部の表面近傍部を酸化させてゲート絶縁層（３）及びゲート電極（２）を形成する工程と、前記ゲート絶縁層（３）の表面に、有機半導体膜（４）と、この有機半導体膜（４）に接するようにソース電極（５）及びドレイン電極（６）と、を形成する工程と、を有する有機薄膜トランジスタ（１０）の製造方法である。

本願各発明によれば、ゲート絶縁層表面の２乗平均粗さＲｍｓを、ゲート絶縁層とゲート電極との界面のＲｍｓよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるように、ゲート電極形成部の表面近傍部のみを酸化させてゲート絶縁層及びゲート電極を形成することによって、十分な移動度とｏｎ電流が得られる有機薄膜トランジスタを作製できるという効果を奏する。

本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１及び図２を用いて説明する。
なお、２乗平均粗さＲｍｓの測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、測定範囲１μｍ×１μｍ、走査速度１Ｈｚにて行った。
また、Ｒｍｓは次式により求めることができる。
Ｒｍｓ＝√Σ（Zi−Zave）²／Ｎ
ここで、Ｚｉは各測定ポイントでの高さ、Ｚａｖｅは領域内での高さ平均値、Ｎは領域内での測定ポイント数である。

まず、実施例１について、図１を用いて説明する。図１は、有機半導体を用いた本発明の有機薄膜トランジスタの構造例を示す断面模式図である。
＜実施例１＞
ポリカーボネイト基板７の両面にＲＦスパッタ法によりＳｉＯ₂膜８ａ，８ｂを成膜する。本実施例では、成膜条件であるターゲットへの印加電力を１５０Ｗに設定して成膜した。このＳｉＯ₂膜８ａ，８ｂは、空気中の水分及び酸素のバリア膜、かつ、後述のゲート電極２との付着力を強化するための下地膜である。
上述により作製した基板１の表面にＲＦスパッタ法により、ターゲットへの印加電力を２００Ｗに設定し、スパッタ圧４ＰａにてＴａ膜を膜厚が２００ｎｍになるように成膜する。このＴａ膜をパターニングしてゲート電極形成部を得る。
このゲート電極形成部の表面から約１３０ｎｍの深さまでを陽極酸化法により酸化させて、Ｔａ₂Ｏ₅層であるゲート絶縁層３と、酸化されていないゲート電極形成部であるゲート電極２とを形成する。この陽極酸化法を用いることにより、ゲート電極２の表面近傍部のみにゲート絶縁層３を形成することができる。
このゲート絶縁層３及び基板１の表面に有機半導体膜４としてペンタセン膜を成膜する。有機半導体膜４の表面にＡｕ膜を成膜し、このＡｕ膜をパターニングしてソース電極５及びドレイン電極６を得る。
上述により有機薄膜トランジスタ１０が作製される。このトランジスタ１０のソース電極５−ドレイン電極６間距離（チャネル長Ｌ）は０．１ｍｍ、チャネル幅Ｗは２ｍｍとした。

上述により作製した有機薄膜トランジスタ１０のゲート絶縁層３とゲート電極２との界面のＲｍｓは１．１０ｎｍ、ゲート絶縁層３表面のＲｍｓは０．４６ｎｍであった。
また、この有機薄膜トランジスタ１０の電気特性を測定した結果、移動度は０．４１ｃｍ²／Ｖ・ｓであり、ｏｎ電流はゲート電圧−（マイナス）２０Ｖ、ソース・ドレイン電圧−（マイナス）１５Ｖのとき、３．１７×１０^-4Ａであった。

次に、実施例２について、図１を用いて説明する。
＜実施例２＞
実施例１と同様に有機薄膜トランジスタ１０ａを作製する。但し、Ｔａ膜の成膜条件を、ターゲットへの印加電力を２００Ｗに設定し、スパッタ圧を０．８Ｐａとする。その他の作製条件は全て実施例１と同じである。
上述により作製した有機薄膜トランジスタ１０ａのゲート絶縁層３ａとゲート電極２ａとの界面のＲｍｓは０．８６ｎｍ、ゲート絶縁層３ａ表面のＲｍｓは０．３５ｎｍであった。
また、この有機薄膜トランジスタ１０ａの電気特性を測定した結果、移動度は０．５５ｃｍ²／Ｖ・ｓであり、ｏｎ電流はゲート電圧−（マイナス）２０Ｖ、ソース・ドレイン電圧−（マイナス）１５Ｖのとき、３．６９×１０^-4Ａであった。

次に、実施例３について、図１を用いて説明する。
＜実施例３＞
実施例１と同様に有機薄膜トランジスタ１０ｂを作製する。但し、Ｔａ膜の成膜条件を、ターゲットへの印加電力を２００Ｗに設定し、スパッタ圧を１３．３Ｐａとする。その他の作製条件は全て実施例１と同じである。
上述により作製した有機薄膜トランジスタ１０ｂのゲート絶縁層３ｂとゲート電極２ｂとの界面のＲｍｓは２．５ｎｍ、ゲート絶縁層３ｂ表面のＲｍｓは１．０ｎｍであった。
また、この有機薄膜トランジスタ１０ｂの電気特性を測定した結果、移動度は０．１５ｃｍ²／Ｖ・ｓであり、ｏｎ電流はゲート電圧−（マイナス）２０Ｖ、ソース・ドレイン電圧−（マイナス）１５Ｖのとき、１．６×１０^-4Ａであった。

次に、実施例４について、図２を用いて説明する。図２は、有機半導体を用いた本発明の有機薄膜トランジスタの構造例を示す断面模式図である。
＜実施例４＞
実施例１により作製した基板１の表面にＲＦスパッタ法により、ターゲットへの印加電力を２００Ｗに設定し、スパッタ圧１３．３ＰａにてＡｌ膜を膜厚が１００ｎｍになるように成膜し、さらにこのＡｌ膜表面にターゲットへの印加電力を２００Ｗにして、スパッタ圧１３．３ＰａにてＴａ膜を膜厚が２００ｎｍになるように成膜する。このＡｌ／Ｔａ膜をパターニングした後、陽極酸化することでゲート電極２ｃ及びゲート絶縁層３ｃを得る。その他の作製条件は全て実施例１と同じである。
上述により作製した有機薄膜トランジスタ１０ｃのゲート絶縁層３ｃとゲート電極２ｃとの界面のＲｍｓは４．０ｎｍ、ゲート絶縁層３ｃ表面のＲｍｓは２．０ｎｍであった。
また、この有機薄膜トランジスタ１０ｃの電気特性を測定した結果、移動度は０．１０ｃｍ²／Ｖ・ｓであり、ｏｎ電流はゲート電圧−（マイナス）２０Ｖ、ソース・ドレイン電圧−（マイナス）１５Ｖのとき、４．１×１０^-5Ａであった。

次に、比較例について、図２を用いて説明する。
＜比較例＞
比較例は、成膜時のスパッタ圧を実施例１〜４よりも高くして、例えば、Ａｌ／Ｔａ膜の成膜条件のスパッタ圧を２２Ｐａにて、行った。このときのターゲットへの印加電力は２００Ｗである。
その他の作製条件を全て実施例４と同様に行い、有機薄膜トランジスタ１０ｄを作製する。
上述により作製した有機薄膜トランジスタ１０ｄのゲート絶縁層３ｄとゲート電極２ｄとの界面のＲｍｓは５ｎｍ、ゲート絶縁層３ｄ表面のＲｍｓは２．５ｎｍであった。
また、この有機薄膜トランジスタ１０ｄの電気特性を測定した結果、移動度は０．０９ｃｍ²／Ｖ・ｓであり、ｏｎ電流はゲート電圧−（マイナス）２０Ｖ、ソース・ドレイン電圧−（マイナス）１５Ｖのとき、２．１×１０^-5Ａであった。

上述の実施例１〜４、及び比較例の結果を、図４~図７にまとめた。図４は、ゲート絶縁層表面とゲート電極との界面とのＲｍｓ相関図であり、図５は、スパッタ圧とゲート絶縁層表面のＲｍｓとの相関図であり、図６は、ゲート絶縁層表面のＲｍｓと移動度の相関図であり、図７は、ゲート絶縁層表面のＲｍｓとｏｎ電流との相関図である。
図４から、陽極酸化法により、ゲート絶縁層表面のＲｍｓをゲート電極との界面のＲｍｓよりも小さくできることを確認した。
図５から、ゲート電極膜のスパッタ圧を低くすることでゲート絶縁層表面のＲｍｓを小さくできることを確認した。
図６から、ゲート絶縁層表面のＲｍｓを２．０ｎｍ以下にすることで、０．１０ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上となる十分な移動度を得られることを確認した。
図７から、ゲート絶縁層表面のＲｍｓを２．０ｎｍ以下にすることで、３×１０^-5Ａ以上となる十分なｏｎ電流を得られることを確認した。

移動度は大きいことが望ましく、有機ＥＬなどの素子を駆動するための大きな電流、例えば、ｏｎ電流３×１０^-5Ａ以上を制御するためには、移動度は０．１ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上が必要である。上述の実施例１〜４、及び比較例の結果により、発明者らは、ゲート絶縁層表面のＲｍｓがゲート電極との界面のＲｍｓよりも小さく、かつ、２．０ｎｍ以下であれば移動度は０．１ｃｍ²／Ｖｓ以上得られ、ｏｎ電流も大きくできることを確認した。

一方、上述の結果からゲート絶縁層表面のＲｍｓをできるだけ小さくすることが望ましい。本実施例では、ゲート絶縁層表面のＲｍｓを小さくする手段として、成膜時のスパッタ圧に着目したが、他の手段としては、成膜時のスパッタターゲットへの印加電力を小さくする方法などが挙げられる。例えば、スパッタ圧０．５Ｐａ以下の低圧において、印加電力を２００Ｗよりもさらに下げることでゲート絶縁層表面のＲｍｓを０．１ｎｍ程度まで下げることが可能である。しかしながら、ゲート絶縁層表面のＲｍｓをさらに０．１ｎｍ以下にするには技術面、コスト面で困難となる。
したがって、十分な移動度とｏｎ電流が得られる有機薄膜トランジスタを得るためには、ゲート絶縁層表面のＲｍｓをゲート電極との界面のＲｍｓよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるようにゲート電極形成部を陽極酸化して、ゲート絶縁層をゲート電極の表面近傍部のみに形成すればよい。

なお、基板は本実施例に限定されるものではなく、絶縁性を有する基板であればよく、具体的にはガラス基板、シリコン基板等の表面平滑性に優れている無機材料からなる基板や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の有機材料からなるプラスチック基板を用いることもできる。
基板の両面を保護する膜の材料は、ＳｉＯ₂以外にＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ₂Ｏ₃等を用いることができ、またこれらを複合した膜や積層した膜でもよい。
ソース電極、ドレイン電極の材料は導電性があるものであれば良く、金、白金、クロム、アルミニウム等の金属や錫酸化物（ＩＴＯ）等でも良いし、またこれらの膜を積層して形成してもよい。これらの膜は、蒸着法、スパッタ法、及びメッキ法等により形成され、その膜厚は電気抵抗があまり高くならないように５〜５００ｎｍの範囲に設定することが望ましい。

ゲート電極の材料は、Ｔａの他に各種導電性のある金属を用いることができるが、好ましくは陽極酸化が可能なＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ等が好ましい。
ゲート絶縁層は、実施例に示したようにゲート電極形成部を陽極酸化することにより形成することが望ましい。この方法を用いるとゲート絶縁層表面はゲート電極との界面のＲｍｓの半分以下のＲｍｓを得ることができる。
有機半導体膜は、蒸着法、スピンコート法、及びインクジェット法などにより、ペンタセン、テトラセン、ペリレン等の縮合芳香族炭化水素、及びこれらの縮合芳香族炭化水素の誘導体と高分子系材料、例えばポリアセチレン、ポリアセン等の共役炭化水素ポリマー、ポリアニリン、ポリピロル、ポリチオフェン等の共役複素環式ポリマーなどを用いることができる。

本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
例えば、図１及び図２に示した構造図以外の変形例を以下に示す。
＜変形例１＞

図８に本発明の有機薄膜トランジスタの第１の変形例を示す。図８は、本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの構造例を示す断面模式図である。
実施例１と同様の工程にて、ゲート絶縁層３までを形成する。このゲート絶縁層３を含む基板１表面にペンタセン膜を成膜した後、フォトリソ法によりこのペンタセン膜をパターン形成して、有機半導体膜４ａを得る。次に、この有機半導体膜４ａ及び基板１表面にＡｕ膜を成膜し、このＡｕ膜をパターニングしてソース電極５ａ及びドレイン電極６ａを得る。
上述により有機薄膜トランジスタ３０を得る。このトランジスタ３０は、ソース電極５ａ及びドレイン電極６ａの端部が直接基板１表面と接しているため密着性がよく、ワイヤーボンディングなどによる接続信頼性が高いという効果が得られる。
＜変形例２＞

図９に本発明の有機薄膜トランジスタの第２の変形例を示す。図９は、本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの構造例を示す断面模式図である。
実施例１と同様の工程にて、ゲート絶縁層３までを形成する。このゲート絶縁層３を含む基板１表面にＡｕ膜を成膜し、このＡｕ膜をパターニングしてソース電極５ｂ及びドレイン電極６ｂを得る。次に、このソース電極５ｂ及びドレイン電極６ｂ、ゲート絶縁層３、及び基板１表面にペンタセン膜を成膜した後、フォトリソ法によりこのペンタセン膜をパターン形成して、有機半導体膜４ｂを得る。
上述により有機薄膜トランジスタ４０を得る。このトランジスタ４０は、変形例１と同様の効果が得られる。

本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの第１〜第３実施例を示す断面模式図である。本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの第４実施例、及び比較例を示す断面模式図である。従来の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの構造例を示す断面模式図である。ゲート絶縁層表面とゲート電極との界面とのＲｍｓ相関図である。スパッタ圧とゲート絶縁層表面のＲｍｓとの相関図である。ゲート絶縁層表面のＲｍｓと移動度の相関図である。ゲート絶縁層表面のＲｍｓとｏｎ電流との相関図である。本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの第１の変形例を示す断面模式図である。本発明の有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタの第２の変形例を示す断面模式図である。

符号の説明

１，１１基板
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，１２ゲート電極
３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，１３ゲート絶縁層
４，４ａ，４ｂ，１４有機半導体膜
５，５ａ，５ｂ，１５ソース電極
６，６ａ，６ｂ，１６ドレイン電極
７ポリカーボネイト基板
８ａ，８ｂＳｉＯ₂膜
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，２０，３０，４０有機薄膜トランジスタ

Claims

絶縁性を有する基板と、
この基板の一面側に形成したゲート電極と、
このゲート電極を覆うように形成したゲート絶縁層と、
このゲート絶縁層の表面に形成した有機半導体膜と、
この有機半導体膜に接するように形成したソース電極及びドレイン電極と、
を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層の表面の２乗平均粗さが、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極との界面の２乗平均粗さよりも小さく、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
絶縁性を有する基板と、
この基板の一面側に形成したゲート電極と、
このゲート電極を覆うように形成したゲート絶縁層と、
このゲート絶縁層の表面に形成した有機半導体膜と、
この有機半導体膜に接するように形成したソース電極及びドレイン電極と、
を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層の表面の２乗平均粗さが、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極との界面の２乗平均粗さよりも小さく、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲であり、
前記ゲート電極はＴａまたはＴｉからなり、前記ゲート絶縁層は前記ゲート電極の陽極酸化層であり、前記ゲート電極と前記基板との間にＳｉ酸化物膜またはＳｉ窒化物膜が介在していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
絶縁性を有する基板の一面側にゲート電極形成部を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の表面の２乗平均粗さを前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極との界面の２乗平均粗さよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるように、前記ゲート電極形成部の表面近傍部を酸化させてゲート絶縁層及びゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の表面に、有機半導体膜と、この有機半導体膜に接するようにソース電極及びドレイン電極と、を形成する工程と、
を有する有機薄膜トランジスタの製造方法。