JP4517358B2 - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電解効果トランジスタ及びその製造方法、特に、絶縁性を有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。

従来、無機半導体を用いた電解効果トランジスタが知られており、このトランジスタは、単結晶シリコン基板やガラス基板表面に形成するアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの無機材料を用いる。
単結晶シリコン基板を用いた場合は、その製造装置による制約から基板サイズを大きくすることが困難であるため、大面積化には不向きであり、低コスト化が難しい。
ガラス基板を用いた場合は、アモルファスシリコンやポリシリコンを形成するとき３５０℃以上の加熱処理が必要となるため、耐熱性が必要であり耐熱性ガラス基板などが用いられている。そのため、例えばプラスチック基板などを用いることができず、フレキシブルなデバイス、ディスプレイなどを作製することは困難である。また、これら無機半導体用の半導体層を作製するためのプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置、レーザアニール装置等は高額であるため、製造コストが高くなるといった問題がある。
上述のように、無機半導体を用いた電解効果トランジスタは、製造上の制約から低コスト化、フレキシブル化が難しい。

これに対して、近年、ペンタセンなどの有機材料が半導体特性を示すことが報告され、有機半導体を用いた電解効果トランジスタ、即ち有機薄膜トランジスタの研究が盛んになっている。有機半導体材料を用いた場合、無機半導体材料を用いたものに比べ、低温成膜が可能であるため、プラスチック基板への形成ができ、フレキシブルなデバイス化が可能となる。また、印刷工程などを応用することにより、大面積化と共に製造が簡単なことから低コスト化も可能となる。

ここで、一般的な有機薄膜トランジスタの上面図及び断面模式図を図４に示す。図４−（ｂ）は、図４−（ａ）のＤ０−Ｄ１断面における断面模式図である。
図４において、基板２１の表面にゲート電極２２を形成し、このゲート電極２２及び基板２１表面にゲート絶縁層２３を形成する。このゲート絶縁層２３及び基板２１表面に有機半導体膜２４を形成する。さらに、この有機半導体膜２４及び基板２１表面にソース電極２５及びドレイン電極２６を形成することで、有機薄膜トランジスタ４０を得る。
この有機薄膜トランジスタ４０は、ゲート電極２２に電圧を印加することで、有機半導体膜２４とゲート絶縁層２３との界面近傍における有機半導体膜２４のキャリア密度を変化させ、ソース−ドレイン電極２５，２６間に流れる電流量を変化させることができる。

ところで、ゲート絶縁層を形成するための一般的な手法として、高周波スパッタリング法等による真空成膜法が用いられる。この成膜法によって形成した膜からなるゲート絶縁層は、柱状構造を示して微細なピンホールを生じる場合があるため、十分な絶縁性を確保することが困難である。
そこで、緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層を形成する方法として、陽極酸化法がある。この方法は、ゲート電極及びゲート絶縁層を形成するためのゲート電極形成部である金属パターンを有する基板をホウ酸アンモニウム溶液等に浸漬し、金属パターンに通電することによって、浸漬させた金属パターン部の表面近傍部を酸化させる方法である。この方法により酸化した層がゲート絶縁層となり、酸化されていない金属パターン部がゲート電極となる。
ところで、上述の基板がプラスチック基板の場合、基板を上述の溶液に浸漬すると、プラスチックは溶液中の水分子を吸収するため、基板の裏面から吸収された水分子が基板内部を透過して基板と金属パターンとの間に入り込む。そのため、基板と金属パターンとの密着性が悪化して陽極酸化中に金属パターンが基板から剥離するという問題が発生する。

上述の問題を解決する方法が、特許文献１に記載されている。この解決方法は、予め基板の表裏面のうちの少なくともいずれか一方の面上に無機材料のブロック層を形成するものである。このブロック層は、基板内部を透過してきた水分子を遮断するため、金属パターンの剥離を防止できるとするものである。特許文献１の実施例において、このブロック層は、材料として二酸化珪素を用いて、室温でスパッタリング法により、プラスチック基板上に約８０〜１００ｎｍの膜厚になるように形成されている。
特開２００３−２５８２６０号公報

しかしながら、スパッタリング法によって形成したブロック層は、上述した問題、即ち、柱状構造を示して微細なピンホールを生じる場合があり、またブロック層と金属パターンとの密着性が必ずしもよくない場合があるため、このブロック層では、基板裏面からの水分子の浸入を十分に遮断することが困難である。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層を形成するために陽極酸化法を用いた場合であっても、基板からゲート電極形成部が剥離することなく良好な密着性が得られる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。

本発明は、上記の課題を解決するために、次の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
１）絶縁性を有するプラスチック基板と、前記プラスチック基板の一面側に形成されたＳｉＯ _２ 膜と、前記ＳｉＯ _２ 膜上に形成された１層または複数層の金属層からなるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の表面に形成された有機半導体膜と、前記有機半導体膜に接するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極の表面近傍部の陽極酸化膜からなり、前記金属層が１層の場合、前記ＳｉＯ _２ 膜と前記金属層との間に、前記金属層を形成する金属の酸化物からなる金属酸化層が介在し、前記金属層が複数層の場合、前記複数層の金属層のうち最も基板側の金属層と前記ＳｉＯ _２ 膜との間に、前記最も基板側の金属層を形成する金属の酸化物からなる金属酸化層が介在していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
２）絶縁性を有するプラスチック基板の一面側にＳｉＯ _２ 膜を形成する工程と、前記ＳｉＯ _２ 膜上に反応性スパッタリング法により単一の金属の酸化物からなる金属酸化層を形成する工程と、前記金属酸化層の表面に前記単一の金属からなる金属層を有する導電層を形成する工程と、前記導電層及び前記金属酸化層を所定形状にエッチングして、ゲート電極形成部を形成する工程と、前記ゲート電極形成部の表面近傍部のみを陽極酸化させてゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層の表面に、有機半導体膜、並びに、前記有機半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

本発明によれば、基板とゲート電極との間に、ゲート電極を構成する金属と同一の金属からなり、かつ、反応性スパッタリング法により形成した緻密な金属酸化層を遮断層として介在させることにより、陽極酸化法を用いて緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層を形成する場合であっても、陽極酸化中に起こる基板側からの水分子の浸入を確実に遮断できるため、良好な密着性が得られ、基板からゲート電極形成部が剥離しないという効果を奏する。

本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図３を用いて説明する。
まず、実施例１について、図１−（ａ）、図１−（ｂ）、図２、及び図３を用いて説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの構造例を示す上面図及び断面模式図である。図１−（ｂ）は、図１−（ａ）のＡ０−Ａ１断面における断面模式図である。
図２は、本発明の有機薄膜トランジスタを作製するためのゲート電極形成部工程における試料の上面図及び断面模式図である。
図３は、本発明の有機薄膜トランジスタを作製するための１工程である陽極酸化工程を説明するための断面模式図である。
＜実施例１＞

まず、図１−（ａ），図１−（ｂ）に示す本発明の有機薄膜トランジスタの第１の構造例における製造工程について、図２を中心に説明する。図２−（ｂ）は、図２−（ａ）のＣ０−Ｃ１断面における断面模式図である。
図２において、ポリカーボネイト基板１の一面側にＲＦスパッタ法によりＳｉＯ₂膜２をその膜厚が１００ｎｍとなるように成膜する。このＳｉＯ₂膜２は、空気中及び後述する陽極酸化用溶液１４中の水分及び酸素の基板１側からの浸入を遮断するためのブロック層、かつ、基板１と後述のＴａ₂Ｏ₅膜３及びＡｌ₂Ｏ₅膜３ａとの密着性を向上させるための下地膜である。

ＲＦスパッタ法により、ＳｉＯ₂膜２表面にＴａ₂Ｏ₅膜３を成膜する。より詳しくは、ＲＦスパッタ装置の真空槽内にＳｉＯ₂膜２を有するポリカーボネイト基板１を載置し、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比が、Ａｒ：Ｏ₂＝５：１となるようにそれぞれのガス流量を調整して、Ｔａからなるスパッタターゲットにプラズマを照射する。このプラズマ照射により飛散したＴａ原子は、真空槽内のＯ原子と化学的に反応してＴａ₂Ｏ₅となり、このＴａ₂Ｏ₅がＴａ₂Ｏ₅膜３として上述のＳｉＯ₂膜２表面に形成されるものである。本実施例では、膜厚が２０ｎｍとなるようにＴａ₂Ｏ₅膜３を成膜した。このＴａ₂Ｏ₅膜３は、下地膜であるＳｉＯ₂膜２及び後述するＴａ膜１２それぞれとの密着性を向上させるとともに、後述する陽極酸化用溶液１４中の基板１側からＴａ膜１２への水分の浸入を遮断する遮断層として機能する金属酸化層である。

次に、Ｔａ₂Ｏ₅膜３表面にＴａ膜１２を成膜する。より詳しくは、上述の真空槽内において、成膜時のガスをＡｒガスのみにして、Ｔａからなるスパッタターゲットにプラズマを照射する。このプラズマ照射により飛散したＴａ原子は、Ｔａ膜１２としてＴａ₂Ｏ₅膜３表面に連続的に形成されるものである。本実施例では、膜厚が２００ｎｍとなるようにＴａ膜１２を成膜した。このＴａ膜１２は、後述するゲート電極５及びゲート絶縁層６を形成するための金属層である。

上述したＴａ₂Ｏ₅膜３及びＴａ膜１２は、真空槽内で大気に晒されることなく連続して成膜できるため、ＳｉＯ₂膜２とＴａ₂Ｏ₅膜３との界面、及びＴａ₂Ｏ₅膜３とＴａ膜１２との界面において、良好な密着性が得られる。
また、金属層と金属酸化層とを共通する同一の金属、即ち、本実施例ではＴａ、を用いることにより、同一のスパッタターゲットを使用できるため、段取り替えの工数を削減できる。
なお、本実施例で成膜したＴａ₂Ｏ₅膜３は、真空中でＴａ原子とＯ原子を化学的に反応させて形成しているので、スパッタダーゲットにＴａ₂Ｏ₅を用いて成膜したＴａ₂Ｏ₅膜よりも緻密な膜質が得られる。

続いて、例えばフォトリソ法によって、Ｔａ膜１２及びＴａ₂Ｏ₅膜３を所定の形状になるようにエッチングして、ゲート電極形成部７及びゲート共通電極７ａを形成する。
上述により、図２に示すような試料３０を得る。この試料３０は、左右方向にゲート電極形成部７が複数個形成されていて、いずれのゲート電極形成部７もゲート共通電極７ａに接続されている。

ゲート電極形成部７の表面近傍部を陽極酸化法によって酸化させ、ゲート電極５及びゲート絶縁層６を形成する。図２及び図３を用いて、より詳しく説明する。図３−（ｂ）は、図３−（ａ）のＡ部を拡大した断面模式図である。
図３において、１ｗｔ％のホウ酸アンモニウム溶液１４を入れた容器１３を準備し、この溶液１４に試料３０のゲート共通電極７ａを有するＴ０部を浸漬させないようにして、Ｔ１部のみを浸漬させる。容器１３内には、試料３０と対向するようにカソード電極１５が設けられている。ゲート電極形成部７が＋（プラス）側に、カソード電極１５が−（マイナス）側になるように電源に接続する。試料３０側の接点は、Ｔ０部におけるゲート共通電極７ａに設けると良い。

ゲート電極形成部７−カソード電極１５間に、０．１〜０．２５ｍＡ／ｃｍ²の範囲において、一定の電流を流し、ゲート電極形成部７−カソード電極１５間の電圧が設定値７０Ｖに達した後は、電圧が７０Ｖ一定になるように電流値を制御する。この状態を保持し、２時間後電流の印加を終了する。
電流を印加しているとき、溶液１４中のゲート電極形成部７の表面近傍では、次の反応が起きている。
２Ｔａ＋５Ｈ₂Ｏ → Ｔａ₂Ｏ₅＋１０Ｈ⁺＋１０ｅ^-
上述の反応により、溶液１４に浸漬された試料３０のＴ１部におけるゲート電極形成部７の表面近傍部が酸化される。この金属酸化層、即ちＴａ₂Ｏ₅層がゲート絶縁層６となり、酸化されていない金属層、即ち酸化されていないＴａ膜１２部がゲート電極５となる。

ここで、図３−（ｂ）に示すように、陽極酸化中、試料３０のＴ１部は溶液１４に浸漬しているため、例えばプラスチック基板の場合は、溶液１４中の水分子が基板１側から少なからず進入し、基板１を透過してＳｉＯ₂膜２に達する。ほとんどの水分子はこれ以上浸入できないが、ＳｉＯ₂膜２は上述の理由によりピンホールを有する場合があるため、このピンホールにより一部の水分子がさらにこのＳｉＯ₂膜２をも透過したり、密着性の不十分な部分に侵入してしまう場合がある。しかし、基板１とゲート電極５との間には緻密な金属酸化層、即ち緻密なＴａ₂Ｏ₅膜３が介在しているため、基板１側からのゲート電極５の酸化の進行を防止でき、また、ゲート電極５の剥離を防止できる。

次に、以降の製造工程について、図１−（ａ），図１−（ｂ）を用いて説明する。
ゲート絶縁層６及びＳｉＯ₂膜２の表面に、ペンタセン膜を成膜する。フォトリソ法より、このペンタセン膜を所定形状になるようにエッチングして、有機半導体膜８を得る。
さらに、この有機半導体膜８及びＳｉＯ₂膜２の表面に、ソース電極９及びドレイン電極１１を形成する。
上述により、図１−（ａ）及び図１−（ｂ）に示す有機薄膜トランジスタ１０を得る。

次に、実施例２について、図１−（ａ）及び図１−（ｃ）を用いて説明する。
図１−（ｃ）は、図１−（ａ）のＢ０−Ｂ１断面における断面模式図である。
＜実施例２＞

実施例１と同様に、ポリカーボネイト基板１の一面側にＲＦスパッタ法によりＳｉＯ₂膜２をその膜厚が１００ｎｍとなるように成膜する。
このＳｉＯ₂膜２表面に、ＲＦスパッタ法によりＡｌ₂Ｏ₅膜３ａを成膜する。より詳しくは、ＲＦスパッタ装置の真空槽内にＳｉＯ₂膜２を有するポリカーボネイト基板１を載置し、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比が、Ａｒ：Ｏ₂＝５：１となるようにそれぞれのガス流量を調整して、Ａｌからなるスパッタターゲットにプラズマを照射する。このプラズマ照射により飛散したＡｌ原子は、真空槽内のＯ原子と化学的に反応してＡｌ₂Ｏ₃となり、このＡｌ₂Ｏ₃がＡｌ₂Ｏ₃膜３ａとして上述のＳｉＯ₂膜２表面に形成されるものである。本実施例では、膜厚が２０ｎｍとなるようにＡｌ₂Ｏ₃膜３ａを成膜した。このＡｌ₂Ｏ₃膜３ａは、下地膜であるＳｉＯ₂膜２及び後述するＡｌ膜４ａそれぞれとの密着性を向上させるとともに、後述する陽極酸化中の基板１側からの水分の浸入を遮断する機能を有する金属酸化層である。

次に、Ａｌ₂Ｏ₃膜３ａの表面にＡｌ膜４ａを成膜する。より詳しくは、上述の真空槽内において、成膜時のガスをＡｒガスのみにして、Ａｌからなるスパッタターゲットにプラズマを照射する。このプラズマ照射により飛散したＡｌ原子は、Ａｌ膜４ａとしてＡｌ₂Ｏ₃膜３ａ表面に形成されるものである。本実施例では、膜厚が４０ｎｍとなるようにＡｌ膜４ａを成膜した。

さらに、Ａｌ膜４ａの表面にＴａ膜４ｂを成膜する。より詳しくは、上述の真空槽内において、成膜時のガスをＡｒガスのみにして、Ｔａからなるスパッタターゲットにプラズマを照射する。このプラズマ照射により飛散したＴａ原子は、Ｔａ膜４ｂとしてＡｌ膜４ａ表面に形成されるものである。本実施例では、膜厚が２００ｎｍとなるようにＴａ膜４ｂを成膜した。このＴａ膜４ｂ及びＡｌ膜４ａは、後述するゲート電極５ａ及びゲート絶縁層６ａを形成するための金属層である。

上述したＡｌ₂Ｏ₃膜３ａ、Ａｌ膜４ａ、及びＴａ膜４ｂは、真空槽内で大気に晒されることなく連続して成膜できるため、Ａｌ₂Ｏ₃膜３ａとＡｌ膜４ａとの界面、及びＡｌ膜４ａとＴａ膜４ｂとの界面において、良好な密着性が得られる。また、ＳｉＯ₂膜２とＡｌ₂Ｏ₃膜３ａとは酸化物同士なので密着性がよく同一真空槽内で成膜しなくても、後述の陽極酸化工程での剥離は生じにくい。
また、金属層と金属酸化層とを共通する同一の金属、即ち、本実施例ではＡｌ、を用いることにより、同一のスパッタターゲットを使用できるため、段取り替えの工数を削減できる。
なお、本実施例で成膜したＡｌ₂Ｏ₃膜３ａは、真空中でＡｌ原子とＯ原子を化学的に反応させて形成しているので、スパッタダーゲットにＡｌ₂Ｏ₃を用いて成膜したＡｌ₂Ｏ₃膜よりも緻密な膜質が得られる。

続いて、フォトリソ法によって、Ｔａ膜４ｂ、Ａｌ膜４ａ、及びＡｌ₂Ｏ₃膜３ａを所定の形状になるようにエッチングして、ゲート電極形成部７ｂを形成する。
その後は、実施例１と同様にして、ゲート電極形成部７ｂの表面近傍部を陽極酸化法によって酸化させ、ゲート電極５ａ及びゲート絶縁層６ａを形成する。
即ち、ゲート電極形成部７ｂの表面近傍部が酸化されることにより、金属酸化層、即ちＴａ₂Ｏ₅層及びＡｌ₂Ｏ₃層がゲート絶縁層６ａとなり、酸化されていない金属層、即ち酸化されていないＴａ膜４ｂ部及びＡｌ膜４ａ部がゲート電極５ａとなる。
また、実施例１と同様に、プラスチック基板を用いた場合に、陽極酸化中の基板側からの水分子の浸入を緻密な金属酸化層、即ち緻密なＡｌ₂Ｏ₃層３ａが遮断するため、水分子がゲート電極５ａに達することを防止できるので、ゲート電極５ａの剥離を防止できる。

次に、実施例１と同様にゲート絶縁層６ａ及びＳｉＯ₂膜２の表面に、ペンタセン膜を成膜する。フォトリソ法より、このペンタセン膜を所定形状になるようにエッチングして、有機半導体膜８を得る。
さらに、この有機半導体膜８及びＳｉＯ₂膜２の表面に、ソース電極９及びドレイン電極１１を形成する。
上述により、図１−（ａ）及び図１−（ｃ）に示す有機薄膜トランジスタ２０が作製される。

以上、詳述したように、有機薄膜トランジスタ１０，２０は、基板１とゲート電極５，５ａとの間に、ゲート電極５，５ａを構成する金属と同一の金属からなり、かつ、反応性スパッタリング法により形成した緻密な金属酸化層３，３ａを遮断層として介在させることにより、緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層６，６ａを形成するために陽極酸化法を用いた場合であっても、陽極酸化中に起こる基板１側からの水分子の浸入を確実に遮断できるため、基板１からゲート電極５，５ａが剥離することなく良好な密着性が得られた。

なお、基板は本実施例に限定されるものではなく、絶縁性を有する基板であればよく、具体的にはガラス基板、シリコン基板等の表面平滑性に優れている無機材料からなる基板や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の有機材料からなるプラスチック基板を用いることもできる。
基板の下地膜の材料は、ＳｉＯ₂以外にＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ₂Ｏ₃等を用いることができ、またこれらを複合した膜や積層した膜でもよい。また、本実施例では、ゲート電極を形成した側の基板面に下地膜を形成したが、他方の面のみに形成してもよいし、基板の両面に形成してもよい。
ソース電極、ドレイン電極の材料は導電性があるものであれば良く、金、白金、クロム、アルミニウム等の金属や錫酸化物（ＩＴＯ）等でも良いし、またこれらの膜を積層して形成してもよい。これらの膜は、蒸着法、スパッタ法、及びメッキ法等により形成され、その膜厚は電気抵抗があまり高くならないように５〜５００ｎｍの範囲に設定することが望ましい。

ゲート電極の材料は、Ｔａの他に各種導電性のある金属を用いることができるが、好ましくは陽極酸化が可能なＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ等が好ましい。また、ゲート電極を形成する１層または複数層の金属層は、単一の金属からなる金属層であってもよいし、合金からなる金属層であってもよい。
ゲート絶縁層は、実施例に示したようにゲート電極形成部を陽極酸化することにより形成することが望ましい。この方法を用いると緻密で絶縁性に優れたゲート絶縁層を得ることができる。
有機半導体膜は、蒸着法、スピンコート法、及びインクジェット法などにより、ペンタセン、テトラセン、ペリレン等の縮合芳香族炭化水素、及びこれらの縮合芳香族炭化水素の誘導体と高分子系材料、例えばポリアセチレン、ポリアセン等の共役炭化水素ポリマー、ポリアニリン、ポリピロル、ポリチオフェン等の共役複素環式ポリマーなどを用いることができる。

本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
例えば、本実施例では有機半導体膜を形成してからソース電極及びゲート電極を形成したが、先にソース電極及びゲート電極を形成した後に有機半導体膜を形成してもよい。

本発明の有機薄膜トランジスタの構造例を示す上面図及び断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタを作製するためのゲート電極形成部工程における試料の上面図及び断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタを作製するための１工程である陽極酸化工程を説明するための断面模式図である。 従来の有機薄膜トランジスタの構造例を示す上面図及び断面模式図である。

符号の説明

１，２１ ポリカーボネイト基板（プラスチック基板） 、 ２ ＳｉＯ₂膜 、 ３，３ａ 金属酸化層（３ Ｔａ₂Ｏ₅膜 、 ３ａ Ａｌ₂Ｏ₅膜） 、 ４ａ Ａｌ膜（金属層） 、 ４，４ｂ，１２ Ｔａ膜（金属層） 、 ５，５ａ，２２ ゲート電極 、 ６，６ａ，２３ ゲート絶縁層 、 ７，７ｂ ゲート電極形成部 、 ７ａ ゲート共通電極 、 ８，２４ 有機半導体膜 、９，２５ ソース電極 、 １１，２６ ドレイン電極 、 １０，２０，４０ 有機薄膜トランジスタ 、 １３ 容器 、 １４ ホウ酸アンモニウム溶液 、 １５ カソード電極 、 ３０ 試料

Claims (2)

1. 絶縁性を有するプラスチック基板と、
   前記プラスチック基板の一面側に形成されたＳｉＯ _２ 膜と、
   前記ＳｉＯ _２ 膜上に形成された１層または複数層の金属層からなるゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層の表面に形成された有機半導体膜と、
   前記有機半導体膜に接するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、
   を備え、
   前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極の表面近傍部の陽極酸化膜からなり、
   前記金属層が１層の場合、前記ＳｉＯ _２ 膜と前記金属層との間に、前記金属層を形成する金属の酸化物からなる金属酸化層が介在し、
   前記金属層が複数層の場合、前記複数層の金属層のうち最も基板側の金属層と前記ＳｉＯ _２ 膜との間に、前記最も基板側の金属層を形成する金属の酸化物からなる金属酸化層が介在していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
2. 絶縁性を有するプラスチック基板の一面側にＳｉＯ _２ 膜を形成する工程と、
   前記ＳｉＯ _２ 膜上に反応性スパッタリング法により単一の金属の酸化物からなる金属酸化層を形成する工程と、
   前記金属酸化層の表面に前記単一の金属からなる金属層を有する導電層を形成する工程と、
   前記導電層及び前記金属酸化層を所定形状にエッチングして、ゲート電極形成部を形成する工程と、
   前記ゲート電極形成部の表面近傍部のみを陽極酸化させてゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層の表面に、有機半導体膜、並びに、前記有機半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

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