JP2003258260A - 有機tftおよびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
を有する有機TFTを提供する。 【解決手段】 有機TFT10は、プラスチック基板1
2の上に、順次、ブロック層14、ゲート電極16、ゲ
ート絶縁膜18および有機半導体20を有し、さらに、
有機半導体20の上に対向、離間してソース電極22お
よびドレイン電極24を有する。ブロック層14は二酸
化珪素で形成される。ゲート電極16はタンタルで形成
される。ゲート絶縁膜18はゲート電極16を陽極酸化
して、高い比誘電率を有する薄厚で緻密な膜に形成され
る。有機半導体20は材料としてペンタセンを用い、キ
ャリアの移動度の大きなチャネルが形成される。
Description
スタおよびその作製方法に関し、より詳細には、プラス
チック基板上に形成する有機薄膜トランジスタおよびそ
の作製方法に関する。
トランジスタ(以下、有機TFTという。)は、半導体
として無機材料を用いた通常の薄膜トランジスタ(以
下、無機TFTという。)に比べて、製造プロセスが比
較的簡易でかつ製造コストが安いことが知られている。
また、有機TFTは、無機TFTに比べて成膜温度を低
くすることができ、このため、有機TFTをガラス転移
温度の低いプラスチック基板上に比較的容易に形成する
ことができるという特徴がある。有機TFTをプラスチ
ック基板上に形成した素子は、フレキシブルで軽量であ
る点で一般的な無機材料の基板を用いた素子よりも優れ
る。
アクティブマトリクスディスプレイに好適に用いること
ができ、高画質、低消費電力、省スペースのアクティブ
マトリクスディスプレイを実現するためのキーデバイス
として注目されている。
膜、有機半導体ならびにソース電極およびドレイン電極
からなり、ゲート電圧Vgによって有機半導体界面の電
荷量を変化させ、ドレイン電流IDを制御してスイッチ
ングさせるものである。
要な要素の1つがゲート絶縁膜である。ゲート絶縁膜
は、一般に金属酸化物の薄膜が用いられる。
g)は、下記の式で表される。
空誘電率を、εはゲート絶縁膜の比誘電率を、dはゲー
ト絶縁膜の厚さを、μはキャリア移動度を、Vtは閾値
電圧を、それぞれ示す。
いほど、また比誘電率εが大きいほど、大きなゲインg
mを得ることができて好ましい。
FTをプラスチック基板上に形成するには、150℃以
下程度のプロセス温度とする必要があるが、このような
低い温度で有機TFTを形成することは容易ではない。
に代表される有機半導体を真空蒸着法等により室温で形
成するとともに、ゲート絶縁膜を室温で高周波スパッタ
リング法により形成したいくつかの有機TFTの例が報
告されている。1つの例は、ゲート絶縁膜の材料として
BZT(Barium Zirconate Titanate)を用いたもので
あり(C.D.Dimitrakopoulos,S.Purushothaman.J.Kymiss
is,A.Callegari and J.M.Shaw,“low-Voltage Organic
Transistors on Plastic ComprisingHigh-Dielectric C
onstant Gate Insulators”Science,vol.283,822-824(1
999))、また他の1つの例はゲート絶縁膜の材料として
Al2O3を用いたものである(J.H.Schon,S.Berg,Ch.
Kloc,B,Batlogg,“Ambipolar Pentacene Field-Effect
Transistors and Inverters”Science,Vol.287,pp1022-
1023(2000))。しかしながら、いずれの例においてもプ
ロセス温度が低いために、これらの金属酸化物薄膜で形
成されるゲート絶縁膜が柱状構造を示して微小なピンホ
ールを生じるおそれがあり、緻密で絶縁性の良好なゲー
ト絶縁膜を形成することが困難であるため、ゲート絶縁
膜の薄膜化には限界がある。また、高周波スパッタリン
グ法を用いた場合であっても、基板の温度がある程度上
昇することは避けられないため、プラスチック基板の熱
ストレスが懸念される。
等の有機材料を用いてスピンコート等の塗布法で形成し
た例も報告されている(特開2000-174277公報)。しか
しながら、プラスチック基板上に塗布法でゲート絶縁膜
を形成する場合、柔らかな基板の表面に均一な膜厚にゲ
ート絶縁膜を形成することが容易でなく、トランジスタ
の特性バラツキを生じるおそれがある。
物は、必ずしも比誘電率が高くなく、例えば従来用いら
れている二酸化珪素(SiO2)および窒化珪素(Si
3N 4)は、比誘電率の値がそれぞれ3.9および7.
5に止まる。
TFTは必ずしも実現されていないのが現状である。
のであり、プラスチック基板上に形成され、高いゲイン
を有する有機TFTを提供することを目的とする。
(有機薄膜トランジスタ)は、プラスチック基板上に形
成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体ならび
にソース電極およびドレイン電極を有する有機TFTに
おいて、該ゲート絶縁膜が、該ゲート電極の表面を陽極
酸化して形成された金属酸化膜からなることを特徴とす
る。ここで、有機TFTのゲート電極は、常識的に金属
で形成される。
に電界が集中する自己整合作用を有する陽極酸化法で形
成された金属酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成するこ
とで、スパッタ法、蒸着法あるいはCVD法等によって
形成する場合に比べてピンホールの少ない緻密で耐圧の
優れた薄膜状にゲート絶縁膜を形成することができ、ゲ
インの大きな有機TFTを得ることができる。
電極の上に前記有機半導体が形成されてなると、有機半
導体の上にソース電極およびドレイン電極を形成すると
きに生じ得る有機半導体の汚染等を回避することができ
る。
表裏面のうちの少なくともいずれか一方の面上に無機材
料のブロック層が形成されてなると、ゲート電極を陽極
酸化してゲート絶縁膜を形成する際に、水や不純物がプ
ラスチック基板を透過してプラスチック基板とゲート電
極との間に入り込んでゲート電極を剥離させることを避
けることができる。このとき、プラスチック基板のゲー
ト電極に向いた側の面(表面)にブロック層を設けたも
のは、スパッタリング法や真空蒸着法等によってプラス
チック基板上に有機TFTの各要素を形成する際や、陽
極酸化処理を行い、プラスチック基板を洗浄した後、プ
ラスチック基板をベーク処理する際の熱を遮断してプラ
スチック基板を保護する熱バリヤーとしての機能も有す
る。また、プラスチック基板の表裏両面にブロック層を
設けたものは、水や不純物がプラスチック基板そのもの
に浸透する不具合をも防止できるとともに、熱応力等が
プラスチック基板に加わったときのプラスチック基板の
変形等を抑制することができる。
張率が異なる金属を積層してなる積層膜であると(*合
金あるいは混合と区別するために、文言を追加しまし
た。ご確認下さい。)、例えば、単一成分の金属層とプ
ラスチック基板との間に単一成分の金属層およびプラス
チック基板の中間の熱膨張率を有する成分の金属層を介
在させることにより、単一成分の金属層のみからなるゲ
ート電極およびプラスチック基板の熱膨張率が異なるこ
とによって生じうる応力を軽減することができる。この
とき、単一成分の金属層の上に例えばこの単一成分の金
属層とプラスチック基板の中間の熱膨張率を有する成分
の金属層を設ける構成としても、応力の軽減に関する限
り、同様の効果を得ることができる。
向膜が形成され、該配向膜上に前記有機半導体が形成さ
れてなると、有機半導体の配向性が向上してキャリアの
移動度が向上し、ゲインの大きな有機TFTを得ること
ができる。
タル、アルミニウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、
ハフニウム、クロム、モリブデンおよびモリブデンータ
ンタル合金よりなる群から選択された材料で形成されて
なると、ゲート電極を陽極酸化して形成されるゲート絶
縁膜としてより緻密で欠陥の少ない膜を得ることができ
る。
は、上記の有機TFTの作製方法であって、ゲート電極
を陽極酸化してゲート絶縁膜を作製するに際し、予め把
握したゲート絶縁膜の膜厚と印加電圧との関係に基づい
て、まず所定値の電流(定電流)を流し、ついで電圧が
所定値まで上昇した時点で該所定値の電圧(定電圧)の
印加を所定時間継続して、所定の膜厚のゲート絶縁膜を
得ることを特徴とする。
精密にかつ容易に形成することができる。
電圧の印加を開始した後、時間経過に伴って減少する電
流値の単位時間当たりの減少率が所定の値に至るまでの
間の時間とすると、必要以上に長時間にわたって電圧を
印加したときに起こり得るゲート絶縁膜の膜品質の低下
を避けることができる。この所定時間は、所定値に保持
した電圧が上昇変動を来たすまでに至ることなく充分な
成膜が行われる時間である(熟成時間)。
において、ソース電極およびドレイン電極を形成した後
に該ソース電極およびドレイン電極の上に有機半導体を
形成すると、有機半導体の上に例えばスパッタリング法
等によりソース電極およびドレイン電極を形成した場合
に生じ得る、有機半導体の汚染や損傷を来たすことがな
い。
において、配向膜を形成した後、ラビング装置を用いて
一定方向に擦った該配向膜の表面上に有機半導体を形成
すると、配向性が向上し、キャリアの移動度の大きな有
機半導体を得ることができる。
の作製方法の好適な実施の形態(以下、本実施の形態例
という。)について、図を参照して、以下に説明する。
の作製方法について、図1〜図3を参照して説明する。
図1に示すように、プラスチック基板12の上に、順
次、ブロック層14、ゲート電極16、ゲート絶縁膜1
8および有機半導体20を有し、さらに、有機半導体2
0の上に対向、離間してソース電極22およびドレイン
電極24を有する構成である。ここで、ブロック層14
は必要に応じて省略してもよい。
法により作製する。
料として例えばポリカーボネートを用いて形成する。
化珪素を用い、例えば室温でスパッタリング法により、
プラスチック基板12の上に約80〜100nmの膜厚
に形成する。
タル(Ta)を用い、例えばマグネトロンDCスパッタ
リング法により、電力200W、アルゴンガス圧力約3
×10−1Paの条件で、ブロック層14の上に約20
0nmの膜厚に形成する。ゲート電極16の材料は、タ
ンタルに変えて、アルミニウム、チタン、ニオブ、ジル
コニウム、ハフニウム、クロム、モリブデンまたはモリ
ブデンータンタル合金から適宜選択して用いてもよい。
極酸化して形成する。この場合、例えば1%リン酸水溶
液を化成液として用い、この化成液にゲート電極16が
形成されたプラスチック基板12を浸漬する。そして、
ゲート電極16を陽極とし、別に準備した陰極との間に
直流電界を印加することで、下記の反応によりゲート絶
縁膜18としての五酸化タンタル(Ta2O5)膜が形
成される。
+e− この五酸化タンタル膜は、絶縁性に優れるととも
に製造プロセス中での耐食性に優れることが知られてい
る。
が集中する自己整合作用により均一な膜厚のゲート絶縁
膜18が形成される。
成において、膜厚DをさらにdDだけ成長させるために
必要な電圧Vの増加分をdVとすると、微分電場強度
(dV/dD)は膜厚Dに対する依存性がなく略一定の
値であるため、形成されるゲート絶縁膜18の膜厚と設
定電圧とは、図2に示すように略比例関係にある。この
ため、比例近似したゲート絶縁膜18の膜厚と設定電圧
との関係を予め把握しておき、あるいはまた使用するゲ
ート絶縁膜18の材料の種類ごとの精密なゲート絶縁膜
18の膜厚と設定電圧との関係を予め把握しておくこと
により、設定電圧値によりゲート絶縁膜18の膜厚を精
度よく容易に制御することができる。
する過程において膜の内部と表面とでは化成の進行程度
が異なるため、設定電圧に達した後、予め検討して得た
所定の時間(熟成時間)の間設定電圧の印加状態を継続
する。
加を続けると、電圧が増加する現象を生じることがあ
る。この現象は、長時間高電界をかけられているため
に、皮膜が結晶化するのが原因ではないかと考えられ
る。したがって、この不具合を防止するためには、皮膜
が所定の膜厚に形成されて電流が所定値から著しく低下
する所定の時点、言い換えれば、電流値の低下が略収ま
り、単位時間あたりの電流値の減少率が所定の小さな値
となった時点で化成を終了する。すなわち、この時点を
上記所定の時間である熟成時間の終点とする。この所定
の時点は、化成条件による皮膜性状の変化を予め検討し
ておくことで適宜設定することができ、またその際、理
想的な熟成時間とのバランスを考慮して設定する。
A/cm2)程度の一定の電流で電圧を印加し、電圧が
例えば50Vの設定値に達した後は電流値を制御して5
0Vの設定電圧を保ち、熟成時間を経て電流が所定値か
ら著しく低下する所定の時点で化成を終了する。これに
より、85.64nmの薄厚のゲート絶縁膜18を、精
密にかつ容易に得ることができる。
を形成した後、プラスチック基板12を例えば純水で洗
浄し、さらに70℃程度の温度でベークする。
タセンを用い、抵抗加熱による真空蒸着法により、チャ
ンバーの圧力を例えば10−5Paとし、基板温度が室
温から100℃の範囲に収まるプロセス温度で、ゲート
絶縁膜上に例えば50nmの膜厚に形成する。このと
き、有機半導体のソース電極およびドレイン電極間方向
の長さ(チャネル長)Lを例えば0.5mmに、また有
機半導体の幅(チャネル幅)Wを例えば10mmに形成
する。
は、材料として例えばAuを用い、真空蒸着法により、
金属マスクを介して、有機半導体20上に例えば100
nmの膜厚にストリップ状に形成する。
ゲート絶縁膜18が陽極酸化法によりタンタルからなる
ゲート電極16を酸化して形成されたものであるため、
スパッタ法、蒸着法あるいはCVD法等によって形成す
る従来の場合に比べてピンホールの少ない緻密で耐圧の
優れた薄膜状にゲート絶縁膜18を形成することがで
き、ゲインの大きな有機TFTを得ることができる。
板12とゲート電極16との間にブロック層14が形成
されているため、ゲート電極16を陽極酸化してゲート
絶縁膜18を形成する際に、水や不純物がプラスチック
基板12を透過してプラスチック基板12とゲート電極
16との間に入り込んでゲート電極16が剥離すること
がない。また、スパッタリング法や真空蒸着法等によっ
てプラスチック基板12上に有機TFT10の各要素を
形成する際や、陽極酸化処理を行い、プラスチック基板
12を洗浄した後、プラスチック基板12をベーク処理
する際の熱がブロック層14によって遮断され、プラス
チック基板12が熱から保護される。
板12上に形成されているため、フレキシブルで軽量で
あり、例えばアクティブ素子としてアクティブマトリク
スディスプレイに好適に用いることができる。この場
合、プラスチック基板12を形成する樹脂としては、上
記のポリカーボネート樹脂の他に、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂または環状ポリオ
レフィン樹脂等から適宜選択したものを用いることがで
きる。
いて、ゲート絶縁膜18の物性を測定した結果、1kH
zで測定したキャパシタ容量は0.248(uF/cm
2)であり、これから求めた比誘電率は約24であっ
た。このゲート絶縁膜18の比誘電率の値は、従来の二
酸化珪素の比誘電率3.9および窒化珪素の比誘電率
7.5に比べるとかなり大きい。また、前記したよう
に、ゲート絶縁膜18は、膜厚が85.64nmと小さ
い。
に、幅(チャネル幅W)が10mmおよび長さ(チャネ
ル長L)が0.5mmであり、その比(W/L)が20
と大きい。また、有機半導体20は、キャリア移動度
(μ)が0.22(cm2/V・s)程度と大きい。
上記の特性を有する有機TFT10の静特性を測定した
結果を図4に示した。有機TFT10は、ゲインが大き
く、ゲート電圧Vgが1.2V程度の低い閾値電圧で動
作した。
の変形例について説明する。なお、以下の各変形例にお
いて、有機TFT10と同一の構成要素については、有
機TFT10と同一の参照符号を付すとともに重複する
説明を省略する。
図5に示すように、ブロック層14とともに、さらにプ
ラスチック基板12の裏面にもブロック層14と同様の
ブロック層14aが設けられている点が有機TFT10
と相違する。
2の両面に無機材料からなるブロック層14またはブロ
ック層14aが設けられているため、水や不純物がプラ
スチック基板12に浸透することを防止でき、また、熱
応力等がプラスチック基板12に加わったときのプラス
チック基板12の変形等を抑制することができる。
図6に示すように、ゲート電極26が熱膨張率の異なる
アルミニウム層28aおよびタンタル層28bの積層膜
である点が有機TFT10と相違する。各要素の熱膨張
率は、アルミニウムが22.4(ppm/℃)、タンタ
ルが6.5(ppm/℃)およびプラスチック基板12
の材料であるポリカーボネートが37〜43(ppm/
℃)である。
よびプラスチック基板12の中間の熱膨張率を有するア
ルミニウム層28aをタンタル層28bおよびプラスチ
ック基板12に介在させることにより、ゲート電極がタ
ンタル層28bのみである場合にタンタル層28bおよ
びプラスチック基板12の熱膨張率が異なることによっ
て生じうる応力を軽減することができる。
図7に示すように、ゲート絶縁膜18と有機半導体20
aとの間に配向膜30が設けられている点が有機TFT
10と相違する。
有機溶剤に溶解した長鎖アルキル基を有する高分子をゲ
ート絶縁膜18上に薄厚に塗布し、乾燥させた後、形成
された膜の表面をラビング装置を用いて擦ることによ
り、垂直方向に配向した、すなわち、ゲート絶縁膜18
上に直立して長鎖アルキル基を有する高分子が整列され
た配向膜30が得られる。そして、配向膜30の上に、
前記した真空蒸着法によりペンタセンの薄膜を形成する
ことにより、ペンタセンの分子が垂直方向に配向した、
すなわち、配向膜30とソース電極22およびドレイン
電極24との間に直立してペンタセンの分子が整列され
た有機半導体20aが得られる。
配向性が向上し、キャリア移動度(μ)が1.1(cm
2/V・s)程度と大きいため、大きなゲインを得るこ
とができる。
図8に示すように、ソース電極22aおよびドレイン電
極24aの上に有機半導体20bが設けられている点が
有機TFT10と相違する。
電極16aの上面とともに側面も被覆するように形成さ
れる。そして、ゲート絶縁膜18aのつぎに、ソース電
極22aおよびドレイン電極24aが形成される。この
とき、ソース電極22aおよびドレイン電極24aは、
ゲート絶縁膜18aで被覆されたゲート電極16aを挟
んで離間して、プラスチック基板12上の対向する位置
に形成される。ソース電極22aおよびドレイン電極2
4aは、前記したように金属マスクを介して真空蒸着す
ることにより得られ、あるいは、微細加工するときは金
属マスクに変えてフォトリソグラフィーによりパターニ
ングして形成したレジストマスクを介して真空蒸着する
ことにより得られる。なお、ソース電極22aおよびド
レイン電極24aがゲート絶縁膜18aによって絶縁さ
れ、およびソース電極22aおよびドレイン電極24a
の間に有機半導体20bの少なくとも一部が介在すると
いう2つの条件を満たす限り、図8以外の他の形態の積
層構造とすることができる。
半導体20bをソース電極22aおよびドレイン電極2
4aの上に形成する。このとき、有機半導体20bの一
部がソース電極22aおよびドレイン電極24aとゲー
ト絶縁膜18aとの間の隙間に進入するように形成され
る。但し、これに限らず、ソース電極22aおよびドレ
イン電極24aとゲート絶縁膜18aとを密着させても
よい。
作製方法に変えて、ソース電極およびドレイン電極の上
に有機半導体を形成する場合、ソース電極およびドレイ
ン電極を真空蒸着法によって形成するときの熱や不純物
によって、先に形成された有機半導体が損傷や汚染を受
け、有機TFTの特性が劣化するおそれがある。また、
リソグラフィによりパターニングするときは、有機材料
であるレジストやエッチャント(エッチング液)に、有
機半導体が最上層に形成されたプラスチック基板12を
浸漬することで、同様に有機半導体の表面が汚染され有
機TFT1の特性が劣化するおそれがある。
成およびその作製方法によれば、有機半導体20bが上
記の汚染等を受けるおそれがなく、したがって、有機T
FT10dの特性が劣化するおそれがない。また、この
場合、ソース電極22aおよびドレイン電極24aを形
成するまでは、無機TFTと同様のプロセスを採用する
ことができ、作製方法が煩雑とならない。
ト絶縁膜が、ゲート電極の表面を陽極酸化して形成され
た金属酸化膜からなるため、ピンホールの少ない緻密で
耐圧の優れた薄膜状にゲート絶縁膜を形成することがで
き、ゲインの大きな有機TFTを得ることができる。
ソース電極およびドレイン電極の上に有機半導体が形成
されてなるため、有機半導体の上にソース電極およびド
レイン電極を形成するときに生じ得る有機半導体の汚染
等を回避することができる。
プラスチック基板の表裏面のうちの少なくともいずれか
一方の面上に無機材料のブロック層が形成されてなるた
め、ゲート電極を陽極酸化してゲート絶縁膜を形成する
際に、水や不純物がプラスチック基板を透過してプラス
チック基板とゲート電極との間に入り込んでゲート電極
を剥離させることを避けることができる。このとき、プ
ラスチック基板のゲート電極に向いた側の面にブロック
層を設けたものは、スパッタリング法や真空蒸着法等に
よってプラスチック基板上に有機TFTの各要素を形成
する際や、陽極酸化処理を行い、プラスチック基板を洗
浄した後、プラスチック基板をベーク処理する際の熱を
遮断してプラスチック基板を保護する熱バリヤーとして
の機能も有する。また、プラスチック基板の表裏両面に
ブロック層を設けたものは、水や不純物がプラスチック
基板そのものに浸透する不具合をも防止できるととも
に、熱応力等がプラスチック基板に加わったときのプラ
スチック基板の変形等を抑制することができる。
ゲート電極が、熱膨張率が異なる金属を積層してなる積
層膜であるため、単一成分の金属層のみからなるゲート
電極およびプラスチック基板の熱膨張率が異なることに
よって生じうる応力を軽減することができる。
ゲート絶縁膜上に配向膜が形成され、配向膜上に有機半
導体が形成されてなるため、キャリアの移動度が向上
し、ゲインの大きな有機TFTを得ることができる。
ゲート電極が、タンタル、アルミニウム、チタン、ニオ
ブ、ジルコニウム、ハフニウム、クロム、モリブデンお
よびモリブデンータンタル合金よりなる群から選択され
た材料で形成されてなるため、ゲート電極を陽極酸化し
て形成されるゲート絶縁膜としてより緻密で欠陥の少な
い膜を得ることができる。
によれば、上記の有機TFTの作製方法であって、ゲー
ト電極を陽極酸化してゲート絶縁膜を作製するに際し、
予め把握したゲート絶縁膜の膜厚と印加電圧との関係に
基づいて、まず所定値の電流を流し、ついで電圧が所定
値まで上昇した時点で該所定値の電圧の印加を所定時間
継続して、所定の膜厚のゲート絶縁膜を得るため、所定
の膜厚のゲート絶縁膜を精密にかつ容易に形成すること
ができる。
によれば、所定時間は、所定値の電圧の印加を開始した
後、時間経過に伴って減少する電流値の単位時間当たり
の減少率が所定の値に至るまでの間の時間とするため、
必要以上に長時間にわたって電圧を印加したときに起こ
り得るゲート絶縁膜の膜品質の低下を避けることができ
る。
によれば、ソース電極およびドレイン電極を形成した後
にソース電極およびドレイン電極の上に有機半導体を形
成するため、有機半導体の上に例えばスパッタリング法
等によりソース電極およびドレイン電極を形成した場合
に生じ得る、有機半導体の汚染や損傷を来たすことがな
い。
によれば、配向膜を形成した後、ラビング装置を用いて
一定方向に擦った配向膜の表面上に有機半導体を形成す
るため、キャリアの移動度の大きな有機半導体を得るこ
とができる。
図である。
の、印加電圧と膜厚との関係を示すグラフ図である。
の、電流および電圧の経時変化を示すグラフ図である。
すグラフ図である。
である。
である。
である。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 プラスチック基板上に形成され、ゲート
電極、ゲート絶縁膜、有機半導体ならびにソース電極お
よびドレイン電極を有する有機TFTにおいて、 該ゲート絶縁膜が、該ゲート電極の表面を陽極酸化して
形成された金属酸化膜からなることを特徴とする有機T
FT。 - 【請求項2】 前記ソース電極およびドレイン電極の上
に前記有機半導体が形成されてなることを特徴とする請
求項1記載の有機TFT。 - 【請求項3】 前記プラスチック基板の表裏面のうちの
少なくともいずれか一方の面上に無機材料のブロック層
が形成されてなることを特徴とする請求項1または2に
記載の有機TFT。 - 【請求項4】 前記ゲート電極が、熱膨張率が異なる金
属を積層してなる積層膜であることを特徴とする請求項
1〜3のいずれか1項に記載の有機TFT。 - 【請求項5】 前記ゲート絶縁膜上に配向膜が形成さ
れ、該配向膜上に前記有機半導体が形成されてなること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機
TFT。 - 【請求項6】 前記ゲート電極が、タンタル、アルミニ
ウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、ク
ロム、モリブデンおよびモリブデンータンタル合金より
なる群から選択された材料で形成されてなることを特徴
とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機TF
T。 - 【請求項7】 請求項1記載の有機TFTの作製方法で
あって、 ゲート電極を陽極酸化してゲート絶縁膜を作製するに際
し、予め把握したゲート絶縁膜の膜厚と印加電圧との関
係に基づいて、まず所定値の電流を流し、ついで電圧が
所定値まで上昇した時点で該所定値の電圧の印加を所定
時間継続して、所定の膜厚のゲート絶縁膜を得ることを
特徴とする有機TFTの作製方法。 - 【請求項8】 前記所定時間は、前記所定値の電圧の印
加を開始した後、時間経過に伴って減少する電流値の単
位時間当たりの減少率が所定の値に至るまでの間の時間
とすることを特徴とする請求項7記載の有機TFTの作
製方法。 - 【請求項9】 請求項2記載の有機TFTの作製方法で
あって、ソース電極およびドレイン電極を形成した後に
該ソース電極およびドレイン電極の上に有機半導体を形
成することを特徴とする有機TFTの作製方法。 - 【請求項10】 請求項5記載の有機TFTの作製方法
であって、配向膜を形成した後、ラビング装置を用いて
一定方向に擦った該配向膜の表面上に有機半導体を形成
することを特徴とする有機TFTの作製方法。
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---|---|---|---|
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