JP2009038337A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009038337A JP2009038337A JP2008070379A JP2008070379A JP2009038337A JP 2009038337 A JP2009038337 A JP 2009038337A JP 2008070379 A JP2008070379 A JP 2008070379A JP 2008070379 A JP2008070379 A JP 2008070379A JP 2009038337 A JP2009038337 A JP 2009038337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film transistor
- organic thin
- insulating film
- thin film
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】有機薄膜トランジスタ10aは、基板11上に、ゲート電極12が形成され、ゲート電極12上に、ゲート絶縁膜13が形成され、少なくともゲート絶縁膜13が形成されたゲート電極12上に、空隙を隔ててソース電極14及びドレイン電極15が形成され、空隙を含む領域に有機半導体層16が形成され、有機半導体層16を覆うように層間絶縁膜17が形成され、層間絶縁膜17上に、ドレイン電極15と接合されている導電層18が形成されており、有機半導体層16の一部が層間絶縁膜17上に形成されている。
【選択図】図1
Description
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記層間絶縁膜は、スクリーン印刷法を用いて形成されていることを特徴とする。
ガラス基板11上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚200nmの絶縁膜19を形成した。次に、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成した。さらに、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上にAg粒子が分散されているAgインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのゲート電極12を形成した。次に、ゲート電極12上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚500nmのゲート絶縁膜13を形成した。さらに、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、表面に高エネルギーパターンを形成した。次に、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上に、Agインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのソース電極14及びドレイン電極15を形成した。このとき、チャネル幅が140μm、チャネル長が10μmであった。
ガラス基板11上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚200nmの絶縁膜19を形成した。次に、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成した。さらに、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上にAg粒子が分散されているAgインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのゲート電極12を形成した。次に、ゲート電極12上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚500nmのゲート絶縁膜13を形成した。さらに、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、表面に高エネルギーパターンを形成した。次に、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上に、Agインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのソース電極14及びドレイン電極15を形成した。このとき、チャネル幅が140μm、チャネル長が10μmであった。
チャネルに対して垂直なライン状の層間絶縁膜の一部17aを形成した(図3(b)参照)以外は、実施例1と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
チャネルに対して平行なライン状及び垂直なライン状、即ち、格子状の層間絶縁膜の一部17aを形成した(図2(b)及び図3(c)参照)以外は、実施例1と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
得られた有機薄膜トランジスタアレイのトランジスタ特性を、酸素1ppm未満、水分1ppm未満の雰囲気下で測定した。具体的には、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査した。その結果、Vgが−20Vのときのドレイン電流Ids(オン電流)及びVgが+20Vのときのドレイン電流Ids(オフ電流)は、図8のようになった。詳細には、比較例1、実施例1、2及び3のオン電流は、それぞれ−1.0×10−8A、−9.0×10−9A、−1.0×10−8A及び−9.0×10−9Aであり、オフ電流は、それぞれ−5.4×10−11A、−2.1×10−12A、−8.0×10−13A及び−9.0×10−13Aであった。また、比較例1、実施例1、2及び3の閾値電圧Vthは、それぞれ4.11V、3.63V、4.13V及び1.82Vであった(図9参照)。
照度100000ルクスの光源及びフィルターを用いて、波長が600nm以下、500nm以下及び450nm以下の光を遮断した光を、実施例3の有機薄膜トランジスタアレイに照射し(それぞれサンプルA、B及びCとする)、移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査して、測定した。
層間絶縁膜17を形成する際に、ポリビニルブチラール樹脂と、シリカフィラーと、アニリンブラックと、エチレングリコールヘキシルエーテルとを含有する絶縁ペーストを用いた以外は、実施例1と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
照度100000ルクスの光源を用いて、波長が300〜1400nmの光を、実施例4の有機薄膜トランジスタアレイに照射し、移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査して、測定した。
有機半導体層16上に層間絶縁膜の残部17bを形成しなかった以外は、実施例3と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
実施例3及び比較例2の有機薄膜トランジスタアレイを用いて、25℃、85%RH環境で高湿試験を実施し、大気下で移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査して、測定した。
フィルム基板21a上に、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透明導電膜21bをスパッタ成膜し、透明導電膜付きフィルム基板21を作製した。
10a 有機薄膜トランジスタ
11 ガラス基板
12 ゲート電極(走査線)
13 ゲート絶縁膜
14 ソース電極(信号線)
15 ドレイン電極
16 有機半導体層
17 層間絶縁膜
17a 一部
17b 残部
18 導電層
19 絶縁膜
20 電気泳動パネル
21 透明導電膜付きフィルム基板
21a フィルム基板
21b 透明導電膜
22 電気泳動素子
22a マイクロカプセル
22b ウレタン樹脂
30 表示装置
31 情報入力手段
32 筺体
Claims (19)
- 基板上に、ゲート電極が形成され、
該ゲート電極上に、ゲート絶縁膜が形成され、
少なくとも該ゲート絶縁膜が形成されたゲート電極上に、空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極が形成され、
該空隙を含む領域に有機半導体層が形成され、
該有機半導体層を覆うように層間絶縁膜が形成され、
該層間絶縁膜上に、該ドレイン電極と接合されている導電層が形成されている有機薄膜トランジスタであって、
該有機半導体層の一部が該層間絶縁膜上に形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 前記層間絶縁膜は、印刷法を用いて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜は、スクリーン印刷法を用いて形成されていることを特徴とする請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜は、結着樹脂及び粒子を含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜は、前記有機半導体層が吸収する光を遮断することが可能であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層が吸収する光は、波長が600nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜は、酸素及び水分を遮断することが可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜は、前記有機半導体層を溶解又は膨潤させない溶媒に可溶な材料を含有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層は、印刷法を用いて形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層は、インクジェット印刷法を用いて形成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体材料は、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至12のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記基板上に、前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上に、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記ゲート絶縁膜が形成されたゲート電極上に、前記空隙を隔てて前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成された基板上に、前記層間絶縁膜の一部を形成する工程と、
少なくとも前記空隙を含む領域に、前記層間絶縁膜の一部と接触する前記有機半導体層を形成する工程と、
少なくとも前記有機半導体層上に、前記層間絶縁膜の残部を形成する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記層間絶縁膜の一部を格子状又はライン状に形成することを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1乃至12のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを有することを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ。
- 請求項15に記載の有機薄膜トランジスタアレイ及び表示素子を有することを特徴とする表示パネル。
- メモリ性を有することを特徴とする請求項16に記載の表示パネル。
- 可撓性を有することを特徴とする請求項16又は17に記載の表示パネル。
- 請求項16乃至18のいずれか一項に記載の表示パネルを有することを特徴とする表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008070379A JP5277675B2 (ja) | 2007-07-11 | 2008-03-18 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
US12/144,079 US20090014716A1 (en) | 2007-07-11 | 2008-06-23 | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same |
EP08159673.6A EP2015378B1 (en) | 2007-07-11 | 2008-07-04 | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007182446 | 2007-07-11 | ||
JP2007182446 | 2007-07-11 | ||
JP2008070379A JP5277675B2 (ja) | 2007-07-11 | 2008-03-18 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009038337A true JP2009038337A (ja) | 2009-02-19 |
JP5277675B2 JP5277675B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=40439957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008070379A Expired - Fee Related JP5277675B2 (ja) | 2007-07-11 | 2008-03-18 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5277675B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010262007A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2010282175A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Ricoh Co Ltd | 画像表示パネル及び画像表示装置 |
US8228585B2 (en) | 2010-02-04 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical devices, electro-optical device and electronic apparatus |
JP2013045970A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Sony Corp | 電子機器および半導体基板 |
JP5555225B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2014-07-23 | 三井化学株式会社 | 金属酸化物多孔質体の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003518332A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | プラスティック ロジック リミテッド | インクジェットで作成された集積回路 |
JP2004080026A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置 |
JP2004247704A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-09-02 | Sharp Corp | Tftアレイ基板、液晶表示装置、tftアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置 |
WO2006104069A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Pioneer Corporation | ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機el表示装置の製造方法、ディスプレイ |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2007088471A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置と表示装置の製造方法{displayapparatusandmanufacturingmethodthereof} |
JP2007103584A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Ricoh Co Ltd | トランジスタ素子、表示装置およびこれらの製造方法 |
JP2007114792A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置 |
JP2007123620A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体装置及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス表示装置 |
JP2007128946A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-18 JP JP2008070379A patent/JP5277675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003518332A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | プラスティック ロジック リミテッド | インクジェットで作成された集積回路 |
JP2004080026A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置 |
JP2004247704A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-09-02 | Sharp Corp | Tftアレイ基板、液晶表示装置、tftアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置 |
WO2006104069A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Pioneer Corporation | ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機el表示装置の製造方法、ディスプレイ |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2007088471A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置と表示装置の製造方法{displayapparatusandmanufacturingmethodthereof} |
JP2007103584A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Ricoh Co Ltd | トランジスタ素子、表示装置およびこれらの製造方法 |
JP2007114792A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置 |
JP2007123620A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体装置及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス表示装置 |
JP2007128946A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5555225B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2014-07-23 | 三井化学株式会社 | 金属酸化物多孔質体の製造方法 |
US9150422B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-10-06 | Mitsui Chemicals, Inc. | Porous metal oxide, method for producing the same, and use of the same |
JP2010262007A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2010282175A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Ricoh Co Ltd | 画像表示パネル及び画像表示装置 |
US8228585B2 (en) | 2010-02-04 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical devices, electro-optical device and electronic apparatus |
JP2013045970A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Sony Corp | 電子機器および半導体基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5277675B2 (ja) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5176414B2 (ja) | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 | |
EP2015378B1 (en) | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same | |
KR101052578B1 (ko) | 유기 트랜지스터, 유기 트랜지스터 어레이 및 디스플레이 장치 | |
US8598570B2 (en) | Organic transistor array, display device and method of fabricating display device | |
JP2006352083A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びアクティブマトリックス表示装置 | |
US20050181533A1 (en) | Method for manufacturing an electro-optical device board, optical device, electro-optical device and electronic equipment | |
JP5741832B2 (ja) | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 | |
JP5277675B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR100993551B1 (ko) | 유기 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 표시 장치 | |
JP2010212587A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタアレイ及び表示装置 | |
CN101765907A (zh) | 有机晶体管、有机晶体管阵列和显示设备 | |
JP2006134624A (ja) | 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器 | |
JP5446982B2 (ja) | 画像表示パネル及び画像表示装置 | |
JP2007227595A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2009277710A (ja) | 有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタアレイ及び表示装置 | |
JP2006261528A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 | |
WO2010010609A1 (ja) | コンタクトホールの形成方法、及び回路基板 | |
JP2015005618A (ja) | 有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5277675 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |