JP2009277710A - 有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタアレイ及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に互いに隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜上において、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接して設けられた有機半導体層とを備え、有機半導体層は、有機半導体材料と保護膜材料を混合した材料から形成されているものであって、有機半導体層の膜厚方向に有機半導体材料と保護膜材料との間で組成比が傾斜しており、ゲート絶縁膜と接している領域よりも、有機半導体層表面の方が、保護膜材料の組成比が高いことを特徴とする有機トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態について説明する。
次に、本発明に係る第2の実施の形態について説明する。
第3の実施の形態は、第1の実施の形態または第2の実施の形態から構成される有機薄膜トランジスタを二次元的に配列させた有機薄膜トランジスタアレイを含むアクティブマトリックス基板と、画像表示素子を組み合わせた表示装置である。
本実施例は、第1の実施の形態における有機薄膜トランジスタに係るものである。図1に基づき説明する。
比較例1は、実施例1における有機半導体層が異なるものである。具体的には、実施例1と同様の方法により、ソース電極及びドレイン電極まで形成したものについて、インクジェット印刷法により、有機半導体層を形成する。有機半導体層を形成するための溶液は、有機半導体材料である無配向のトリアリールアミン骨子を有する(化1)をメシチレンに溶解させたものであり、この溶液を有機半導体層の形成される領域にインクジェット印刷法により塗布した後、減圧環境下において120℃でアニールによる乾燥を行い形成した。尚、形成された有機半導体層によるチャネル幅及びチャネル長は実施例1と同じである。この形成された有機半導体層の上に、ポリビニルブチラールからなる保護膜を形成し、乾燥させることにより有機トランジスタを得たものである。
比較例2は、比較例1において、保護膜を形成しない構造のものである。具体的には、実施例1と同様の方法により、ソース電極及びドレイン電極まで形成したものについて、比較例1と同様の方法により、有機半導体層を形成することにより有機トランジスタを得たものである。従って、保護膜は形成されていない。
12、22、32 ゲート電極
13、23、33 ゲート絶縁膜
14、24、34 ソース電極
15、25、35 ドレイン電極
16、26、36 有機半導体層
27 上部保護膜
37 層間絶縁膜
38 画素電極
39 接続電極
40 信号線
41 フィルム基板
42 透明電極膜
43 画像表示層
Claims (16)
- 基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に互いに隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜上において、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接して設けられた有機半導体層と、
を備え、
前記有機半導体層は、有機半導体材料と保護膜材料を混合した材料から形成されているものであって、前記有機半導体層の膜厚方向に有機半導体材料と保護膜材料との間で組成比が傾斜しており、前記ゲート絶縁膜と接している領域よりも、有機半導体層表面の方が、保護膜材料の組成比が高いことを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記有機半導体層は、有機半導体材料と保護膜材料とが溶解または分散している溶液を用いウエットプロセスにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記保護膜材料の分子量よりも前記有機半導体材料の分子量の方が大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の有機トランジスタ。
- 前記保護膜材料を構成する材料は無機材料であり、前記ゲート絶縁層を構成する材料は有機材料であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体層における有機半導体成分として、少なくともトリアリールアミン骨子を有する高分子有機半導体材料から構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体層は、印刷法またはインクジェット印刷法により形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体層上に上部保護膜を形成したことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の有機トランジスタ。
- 前記基板は、フレキシブルな基板であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の有機トランジスタ。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に互いに隔ててソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接する有機半導体層を形成する工程と、
を含む有機トランジスタの形成方法であって、
前記有機半導体層は、有機半導体材料と保護膜材料から構成されているものであって、前記ゲート絶縁膜に接している部分は、有機半導体材料の組成比が高く、前記有機半導体層の表面は、保護膜材料の組成比が高い構造のものであり、
前記有機半導体層は、有機半導体材料と保護膜材料とを混合した溶液を用いウエットプロセスにより形成したものであることを特徴とする有機トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体材料と保護膜材料とを混合した溶液において、前記有機半導体材料の分子量よりも前記保護膜材料の分子量の方が小さいことを特徴とする請求項9に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜は有機材料により構成される絶縁膜であり、前記保護膜材料は無機材料からなるものであることを特徴とする請求項9または10に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記ウエットプロセスは、印刷法またはインクジェット印刷法であることを特徴とする請求項9から11に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の有機トランジスタを複数配列させていることを特徴とする有機トランジスタアレイ。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の有機トランジスタを各画像表示素子に対応するスイッチング素子として用いたことを特徴とする表示装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の有機トランジスタを2次元的に複数設けた画像表示素子を駆動するための駆動装置上に、画像表示素子を積層したことを特徴とする表示装置。
- 前記画像表示素子は、電気泳動画像表示素子、強誘電液晶表示素子であることを特徴とする請求項14または15に記載の表示装置。
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