JP5176414B2 - 有機トランジスタアレイ及び表示装置 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の有機トランジスタアレイにおいて、前記第一の領域と、前記第二の領域が連続的に形成されていることを特徴とする。
図6に示すように、ガラス基板1上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚200nmの絶縁膜9を形成した。次に、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成した。さらに、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上にAg粒子が分散されているAgインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのゲート電極2及び分離用電極3を形成した。次に、これらの上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、280℃で加熱処理することにより、膜厚500nmのゲート絶縁膜4を形成した。さらに、UVランプ(照射量7J/cm2)を用いて、フォトマスクを介して、表面に高エネルギーパターンを形成した。次に、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上に、Agインクを吐出し、280℃で焼結させることにより、膜厚100nmのソース電極5及びドレイン電極6を形成した。このとき、チャネル幅が140μm、チャネル長が10μmであった。次に、スピンコート法を用いて、化学式(1)で表される化合物がテトラリンに溶解されている有機半導体インクを塗布し、島状の有機半導体層7を形成し(図1(a)参照)、有機トランジスタアレイを得た。
分離用電極3を形成しないこと以外は、実施例1と同様にして有機トランジスタアレイを得た。
インクジェット法を用いて、有機半導体インクを印刷した以外は、実施例1と同様にして有機トランジスタアレイを得た。
[比較例2]
分離用電極3を形成しないこと以外は、実施例2と同様にして有機トランジスタアレイを得た。
ストライプ状の有機半導体層7を形成した(図5参照)以外は、実施例2と同様にして有機トランジスタアレイを得た。
比較例1で得られた有機トランジスタアレイのトランジスタ特性を大気中で測定した。具体的には、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査した。その結果、Vgが−20Vのときのドレイン電流Ids(オン電流)が−1.9×10−8Aであり、Vgが+20Vのときのドレイン電流Ids(オフ電流)が−1.4×10−10Aであった(図8参照)。即ち、オンオフ比が1.3×102であった。なお、図7には、比較のため、図6の比較例1を掲載した。
実施例1で得られた有機トランジスタアレイのトランジスタ特性を大気中で測定した。具体的には、ドレイン電圧Vdsを−20Vとし、分離用電極に+20Vを印加し、ゲート電圧Vgを+20Vから−20Vに走査した。その結果、Vgが−20Vのときのドレイン電流Ids(オン電流)が−1.4×10−8Aであり、Vgが+20Vのときのドレイン電流Ids(オフ電流)が−1.2×10−11Aであった(図8参照)。即ち、オンオフ比が1.1×103であった。
実施例1の有機トランジスタアレイ上に、CVD法を用いて、厚さ2μmのポリパラキシリレンからなる保護層を形成し、アクティブマトリックス基板を得た。
2 ゲート電極
3 分離用電極
4、4a、4b ゲート絶縁膜
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 有機半導体層
8 層間絶縁膜
10、20、30、40、50 有機トランジスタアレイ
10a、20a、30a、40a、50a 有機トランジスタ
10b、20b、30b、40b、50b 有機トランジスタ
Claims (9)
- 有機トランジスタを複数有する有機トランジスタアレイであって、
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、層間絶縁膜及び該複数の有機トランジスタの分離に用いられる分離用電極が形成されており、
該層間絶縁膜を介して、該有機半導体層と、該分離用電極が積層されている第一の領域と、該層間絶縁膜を介して、該ドレイン電極と、該分離用電極が積層されている第二の領域を有し、
該分離用電極に電源が接続されていることを特徴とする有機トランジスタアレイ。 - 前記第一の領域と、前記第二の領域が連続的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記電源は、前記分離用電極に、前記有機半導体層を電気的に遮断することが可能な電圧を印加することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記分離用電極は、金属粒子が分散されているインクを用いて形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記分離用電極は、導電性高分子を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記有機半導体層は、島状又はストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記有機半導体層は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機トランジスタアレイ。
- 前記有機半導体材料は、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料であることを特徴とする請求項7に記載の有機トランジスタアレイ。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機トランジスタアレイを有することを特徴とする表示装置。
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