JP2017034024A - 薄膜トランジスタシート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板上に少なくともゲート電極11、ゲート絶縁層12、ソース電極13、ドレイン電極14、ゲートバスライン17、ソースバスライン18を備えている薄膜トランジスタシート16であって、ゲートバスライン17を凹版インキング法を用いることにより、周縁部を盛り上げ、中央部をへこんだ形状にことにし、ゲートバスライン17の、周縁部の最も高い部分から、ゲートバスライン17の内側および外側に向って、テーパー形成する。
【選択図】図1
Description
前記ゲートバスラインの作製に凹版インキング法を用いることにより、周縁部を盛り上げ、中央部をへこんだ形状にし、ゲートバスラインの、周縁部の最も高い部分から、ゲートバスラインの内側および外側に向って、テーパー形成したことを特徴とする薄膜トランジスタシートである。
実施例1では図1、図2、図3に示すような薄膜トランジスタシートを作製した。絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、凹版インキング法により、ナノ銀インキを用いて液滴だれの無いコーヒーステイン形状のテーパー21を設けた同層のゲート電極11及びゲートバスライン17を形成した。
テーパーを設けない以外は、実施例1と同じ条件で薄膜トランジスタシートを作製した。テーパーを設けない同層のゲート電極11及びゲートバスライン17は、絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、転写法により、ナノ銀インキを用いて形成した。図5に、トランジスタのゲート電圧Vgsとソース・ドレイン電流Idsの特性を示す。
、中央部をへこんだ形状にし、ゲート電極およびゲートバスラインのエッジが液滴だれの無いコーヒーステイン形状のテーパーになることで、ゲートバスラインに対する層間絶縁膜のステップカバレッジ性が良くなり、ゲート絶縁膜の薄膜化が可能になる。
2・・・インク
3・・・インキング
4・・・凹版
5・・・版胴
6・・・転写
7・・・基材
8・・・溝
9・・・コーヒーステイン形状パターン
10・・・絶縁基板
11・・・ゲート電極
12・・・ゲート絶縁層
13・・・ソース電極
14・・・ドレイン電極
15・・・有機半導体層
16・・・薄膜トランジスタ
17・・・ゲートバスライン
18・・・ソースバスライン
19・・・層間絶縁膜
20・・・想定されるリーク箇所
21・・・テーパー
Claims (6)
- 絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲートバスライン、ソースバスラインを備えている薄膜トランジスタシートであって、
前記ゲートバスラインを凹版インキング法を用いることにより、周縁部を盛り上げ、中央部をへこんだ形状にし、ゲートバスラインの、周縁部の最も高い部分から、ゲートバスラインの内側および外側に向って、テーパー形成したことを特徴とする薄膜トランジスタシート。 - ボトムゲート・ボトムコンタクト型であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタシート。
- 前記有機半導体層ゲートバスラインが、銀、銅、金のうち少なくとも一種類の超微粒子金属材料を含有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタシート。
- 前記有機半導体層ゲートバスラインを構成する主成分が銀であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタシート。
- 前記絶縁基板上に設けられる、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層ゲートバスライン、ソースバスラインが、印刷法により設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタシート。
- 前記ゲートバスラインの内側および外側に向って形成されるテーパーが、凹版インキング法により形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタシート。
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2015
- 2015-07-30 JP JP2015150657A patent/JP2017034024A/ja active Pending
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