JP6492523B2 - 有機半導体薄膜トランジスタ素子 - Google Patents
有機半導体薄膜トランジスタ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6492523B2 JP6492523B2 JP2014214412A JP2014214412A JP6492523B2 JP 6492523 B2 JP6492523 B2 JP 6492523B2 JP 2014214412 A JP2014214412 A JP 2014214412A JP 2014214412 A JP2014214412 A JP 2014214412A JP 6492523 B2 JP6492523 B2 JP 6492523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- thin film
- film transistor
- transistor element
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- VFYFMNCKPJDAPV-UHFFFAOYSA-N 2,2'-(5-oxo-1,3-dioxolan-4,4-diyl)diessigs Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3.OC(=O)CC1(CC(O)=O)OCOC1=O VFYFMNCKPJDAPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
ある。
してインクジェット装置を用いた凹版印刷装置でゲート絶縁層12上に印刷し、焼成することにより形成することができるが、特にAgをインキ状またはペースト状にしたものが、低抵抗および低コストという観点から好ましい。液滴だれの無いコーヒーステイン形状のテーパ部は、インキング手段としてインクジェット装置を用いた凹版印刷装置により形成する。テーパ部の所望の形状は、インキング手段としてインクジェット装置を用いた凹版印刷装置で用いる凹版の深さと幅で調整することができる。
また、ソース電極13及びドレイン電極14の膜厚としては、0.01μm以上1μm以下が好ましい。また、コーヒーステイン形状の中央部(凹部)と端部(凸部)の膜厚の比としては、9:10程度が好ましい。
<実施例>
実施例では図1に示すような有機半導体薄膜トランジスタ素子17を作製する。
絶縁基板10としてポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを使用し、その上に
、ゲート電極11としてナノ銀インキを使用し、転写印刷法を用いて幅200μm、長さ30μmゲート電極11のパターンを形成し、180℃で1時間ベーク後、膜厚200nmのゲート電極11を作製する。次に、ゲート絶縁層12となるポリビニルフェノールを含む溶液を、ゲート電極11を含む絶縁基板10上にスピンコート法により塗布し、180℃で1時間ベーク後、膜厚1μmのゲート絶縁層12を得る。続いて、ゲート絶縁層12上に、図2に概略図示したインキング手段としてインクジェット装置を用いた凹版印刷装置により、ナノ銀インキを用いて液滴だれの無いコーヒーステイン形状のテーパ部を設けたソース電極13及びドレイン電極14を形成する。テーパ部の所望の形状は、インキング手段としてインクジェット装置を用いた凹版印刷装置で用いる凹版の深さと幅で調整することができる。本実施例の場合は、ソース電極13及びドレイン電極14のパターンエッジから3μm内側で最大の厚さになり、5μm内側で最大の厚さの90%の厚さになるように調整する。次いで、180℃で1時間ベーク後、膜厚200nmのソース電極13及びドレイン電極14を得る。さらにソース電極13及びドレイン電極14上にペンタフルオロチオフェノールをイソプロピルアルコールで1重量%に希釈した溶液に30分浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成する。最後に有機半導体材料である6、13−ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンをテトラリンで2重量%になるように溶解させた溶液に、ベンゾトリアゾール系化合物を半導体材料(固形分)と重量比1.5:1として添加したインキを、凸版印刷法を用いて、ソース電極13及びドレイン電極14上の一部を覆うようにしてソース電極とドレイン電極間に印刷し、100℃で60分乾燥させて、膜厚50nmの有機半導体層15を形成する。
作製したトランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅は180μmである。
このようにして作製した有機半導体薄膜トランジスタ素子の電流(Ids)−電圧特性(Vgs)特性を測定した結果を図3に示した。ここで、Idsは、ソース電極−ドレイン電極間電流であり、Vgsは、ソース電極を基準としてゲート電極に印加した電圧である。このグラフから、ON電流は、Vgsが−20Vで10−6A(アンペア)程度であることが分る。
作製方法としては、実施例に示した作製方法のうち、ゲート絶縁層12´の上に形成するソース電極13´とドレイン電極´の形成を、銀ナノインキを全面に塗布・乾燥した後、フォトリソ方式でパターニングする以外は、同じ作製方法と同じ条件になるように作製する。この場合のソース電極13´とドレイン電極´のパターン端部の絶縁基板10´に近い部位の断面形状は、表面にほぼ直交する切り立った断面形状となり、またパターン端部の電極の表面に近い部位の断面も、電極の表面にほぼ直交する断面形状となる。そのため、図4に模式的に示したように、ソース電極13´とドレイン電極´の有機半導体薄膜トランジスタ素子17´のチャネル側の端部には、有機半導体薄膜15´が薄くなった部位に膜切れ16が発生する。この有機半導体薄膜トランジスタ素子17´の電流(Ids)−電圧特性(Vgs)特性を測定した結果を図5に示した。このグラフから、オン電流は、Vgsが−20Vで10−7A(アンペア)程度であることが分る。
2 インク
3 インキング
4 凹版
5 版胴
6 転写
7 基材
8 溝
9 コーヒーステイン形状パターン
10、10´ 絶縁基板
11、11´ ゲート電極
12、12´ ゲート絶縁層
13、13´ ソース電極
14、14´ ドレイン電極
15、15´ 有機半導体層
16 膜切れ
17、17´ 有機半導体薄膜トランジスタ素子
Claims (3)
- 絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極、および有機半導体層をこの順に備えた有機半導体薄膜トランジスタ素子において、前記ソース電極と前記ドレイン電極の少なくともチャネル側の端部にコーヒーステイン形状のテーパ部を持ち、前記有機半導体層が、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記チャネル側コーヒーステイン形状のテーパ部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ素子。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、銀、銅、金から選ばれる一種以上の低抵抗金属から構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ素子。
- 前記コーヒーステイン形状の中央部と端部の膜厚比が9:10であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体薄膜トランジスタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014214412A JP6492523B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014214412A JP6492523B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016082154A JP2016082154A (ja) | 2016-05-16 |
JP6492523B2 true JP6492523B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=55959035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014214412A Active JP6492523B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6492523B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013433A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2010062391A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体トランジスタ素子の製造方法、及び半導体トランジスタ素子 |
CN101740631B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及该半导体装置的制造方法 |
WO2010117021A1 (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | 三菱化学株式会社 | 電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス |
JP2010283190A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2012169404A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5838692B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-01-06 | 凸版印刷株式会社 | Cmos半導体装置の製造方法 |
JP6233738B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-11-22 | 国立大学法人山形大学 | 薄膜の形成方法 |
-
2014
- 2014-10-21 JP JP2014214412A patent/JP6492523B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016082154A (ja) | 2016-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4730623B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 | |
US9978877B2 (en) | Electroconductive thin film, coating liquid for forming electroconductive thin film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor | |
US10312375B2 (en) | Thin-film transistor, method for producing thin-film transistor and image display apparatus using thin-film transistor | |
JP6323055B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
TW201624730A (zh) | 薄膜電晶體及其製造方法 | |
KR20110026488A (ko) | 유기 전계효과형 트랜지스터 | |
JP2016058443A (ja) | 薄膜トランジスタ、トランジスタアレイ、薄膜トランジスタの製造方法及びトランジスタアレイの製造方法 | |
JPWO2016067591A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
US10193068B2 (en) | Method of manufacturing a specifically dimensioned thin film transistor, thin film transistor, and transistor array | |
JP6492523B2 (ja) | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 | |
JP6303358B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP6369098B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5098159B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2012169404A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2016197621A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
WO2014049970A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP2017034024A (ja) | 薄膜トランジスタシート | |
JP2017195315A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP2020088026A (ja) | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 | |
JP6330408B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
WO2014155998A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
WO2015045317A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ、及び画像表示装置 | |
JP2020161523A (ja) | 有機半導体薄膜トランジスタ素子 | |
JP6620556B2 (ja) | 機能材料の積層方法及び機能材料積層体 | |
JP2016004908A (ja) | 薄膜トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6492523 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |