JP2010262007A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体層を用いた薄膜トランジスタが配列形成された基板と、薄膜トランジスタを覆う状態で基板上に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられた画素電極とを備えたものである。特に、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる凹凸表面を有しており、この凹凸表面上に画素電極が設けられていることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
1.表示装置の構成例
2.表示装置の製造方法の第1例(表面モフォロジーに凹凸のある層間絶縁膜を用いる例)
3.表示装置の製造方法の第2例(感光性の層間絶縁膜をハーフトーンマスクで露光して凹凸表面を形成する例)
4.表示装置の製造方法の第3例(層間絶縁膜をレジストマスク上からエッチングして凹凸表面を形成する例)
[表示装置の層構成]
図1は、本発明を適用した表示装置の特徴的な層構成を説明する3画素分の概略断面図である。ここでは本発明を、アクティブマトリックス駆動の電気泳動表示装置に適用した実施の形態を説明する。
図2には以上のような構成を有する表示装置1における駆動側基板10の回路構成を示す。
図3は実施形態の表示装置の製造方法の第1例を示す1画素分の断面工程図であり、表面モフォロジーに凹凸のある層間絶縁膜を用いる例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第1例を説明する。
ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体、
ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、
ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、
ポリアニリンおよびポリアニリン置換体、
ポリアセチレン類、
ポリジアセチレン類、
ポリアズレン類、
ポリピレン類、
ポリカルバゾール類、
ポリセレノフェン類、
ポリフラン類、
ポリ(p−フェニレン)類、
ポリインドール類、
ポリピリダジン類、
ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体、
上述した材料中のポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、
ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのアセン類およびアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)
金属フタロシアニン類、
テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、
テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、
ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N'−ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N'−ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N'−ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N'−ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、
ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、
アントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、
C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、
SWNTなどのカーボンナノチューブ、
メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素
図8は実施形態の表示装置の製造方法の第2例を示す1画素分の断面工程図であり、感光性の層間絶縁膜をハーフトーンマスクで露光して凹凸表面を形成する例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第2例を説明する。尚、図3を用いて説明した第1例と同様の手順についての重複する説明は省略する。
図9は実施形態の表示装置の製造方法の第3例を示す1画素分の断面工程図であり、層間絶縁膜をレジストマスク上からエッチングして凹凸表面を形成する例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第3例を説明する。尚、図3を用いて説明した第1例と同様の手順についての重複する説明は省略する。
Claims (8)
- 有機半導体層を用いた薄膜トランジスタが配列形成された基板と、
凹凸表面を有し前記薄膜トランジスタを覆う状態で前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の凹凸表面上に設けられた画素電極とを備えた
表示装置。 - 前記画素電極は、前記層間絶縁膜の凹凸表面上において前記薄膜トランジスタ上に積層されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記画素電極は、前記層間絶縁膜における凹凸表面の形状に倣って成膜配置されている
請求項1または2に記載の表示装置。 - 前記層間絶縁膜の凹凸表面は、前記薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる
請求項1〜3の何れかに記載の表示装置。 - 前記層間絶縁膜は、前記薄膜トランジスタの上部のみが前記凹凸表面として構成されている
請求項1〜4の何れかに記載の表示装置。 - 前記基板の画素電極の形成面側に配置された対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持された電気泳動性粒子を含む電気泳動媒体層とを備えた
請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。 - 基板上に有機半導体層を用いた薄膜トランジスタを配列形成する工程と、
前記薄膜トランジスタが形成された前記基板上に、凹凸表面を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の凹凸表面上に画素電極を形成する工程とを備えた
表示装置の製造方法。 - 前記凹凸表面を有する層間絶縁膜を形成する工程では、塗布性膜によって凹凸表面を備えた層間絶縁膜を成膜する
請求項7に記載の表示装置の製造方法。
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