JP5262966B2 - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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1.表示装置の構成例
2.表示装置の製造方法の第1例(表面モフォロジーに凹凸のある層間絶縁膜を用いる例)
3.表示装置の製造方法の第2例(感光性の層間絶縁膜をハーフトーンマスクで露光して凹凸表面を形成する例)
4.表示装置の製造方法の第3例(層間絶縁膜をレジストマスク上からエッチングして凹凸表面を形成する例)
[表示装置の層構成]
図1は、本発明を適用した表示装置の特徴的な層構成を説明する3画素分の概略断面図である。ここでは本発明を、アクティブマトリックス駆動の電気泳動表示装置に適用した実施の形態を説明する。
図2には以上のような構成を有する表示装置1における駆動側基板10の回路構成を示す。
図3は実施形態の表示装置の製造方法の第1例を示す1画素分の断面工程図であり、表面モフォロジーに凹凸のある層間絶縁膜を用いる例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第1例を説明する。
ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体、
ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、
ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、
ポリアニリンおよびポリアニリン置換体、
ポリアセチレン類、
ポリジアセチレン類、
ポリアズレン類、
ポリピレン類、
ポリカルバゾール類、
ポリセレノフェン類、
ポリフラン類、
ポリ(p−フェニレン)類、
ポリインドール類、
ポリピリダジン類、
ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体、
上述した材料中のポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、
ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのアセン類およびアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)
金属フタロシアニン類、
テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、
テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、
ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N'−ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N'−ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N'−ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N'−ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、
ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、
アントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、
C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、
SWNTなどのカーボンナノチューブ、
メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素
図8は実施形態の表示装置の製造方法の第2例を示す1画素分の断面工程図であり、感光性の層間絶縁膜をハーフトーンマスクで露光して凹凸表面を形成する例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第2例を説明する。尚、図3を用いて説明した第1例と同様の手順についての重複する説明は省略する。
図9は実施形態の表示装置の製造方法の第3例を示す1画素分の断面工程図であり、層間絶縁膜をレジストマスク上からエッチングして凹凸表面を形成する例である。以下、これらの図に基づいて製造方法の第3例を説明する。尚、図3を用いて説明した第1例と同様の手順についての重複する説明は省略する。
Claims (5)
- 有機半導体層を用いた薄膜トランジスタが配列形成された基板と、
前記基板上に、前記薄膜トランジスタを覆って設けられると共に、凹凸表面を有する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上において前記薄膜トランジスタに積層されると共に、前記層間絶縁膜の前記凹凸表面の形状に倣って形成された凹凸表面を有する画素電極と、
前記基板の前記画素電極側に配置された対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持され、電気泳動性粒子を含む電気泳動媒体層と
を備え、
前記層間絶縁膜の前記凹凸表面の凹凸パターンにおける頂点間の間隔は、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極間の間隔よりも小さい
表示装置。 - 前記層間絶縁膜の表面のうち、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間の部分のみが前記凹凸表面として構成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 基板上に有機半導体層を用いた薄膜トランジスタを配列形成する工程と、
前記薄膜トランジスタが形成された前記基板上に、凹凸表面を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタに積層されると共に、前記層間絶縁膜の前記凹凸表面の形状に倣って形成された凹凸表面を有する画素電極を形成する工程と、
前記基板と対向基板との間に、電気泳動性粒子を含む電気泳動媒体層を挟持させる工程とを含み、
前記層間絶縁膜の前記凹凸表面の凹凸パターンにおける頂点間の間隔は、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極間の間隔よりも小さい
表示装置の製造方法。 - 前記凹凸表面を有する層間絶縁膜を形成する工程では、
絶縁膜材料を成膜後、成膜した絶縁膜材料の表面のうち、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間の部分のみに前記凹凸表面をパターン形成することにより、前記層間絶縁膜を形成する
請求項3に記載の表示装置の製造方法。 - 前記凹凸表面を有する層間絶縁膜を形成する工程では、塗布成膜により前記層間絶縁膜を形成する
請求項3に記載の表示装置の製造方法。
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