JP2005322469A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 液相法により形成された機能層を有する発光素子を具備した電気光学装置において、該液相法にて形成される機能層の膜厚を均一化することができ、もって光学特性の向上を実現した電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電気光学装置の一形態たる有機ＥＬ装置は、基板Ｐ上に立設したバンク１５０により囲まれてなる区画領域１５１内に設けられた発光素子２００を備えており、前記発光素子２００が、液相法により形成された有機機能層１４０を含んでおり、前記区画領域１５１に対応して、該区画領域１５１内に温度分布を形成可能な凹部１４１ａ（温度分布形成手段）を備えている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。

近年、自発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いた有機ＥＬ装置の開発が進められている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層等の有機機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料を、インクジェット法によって基板上にパターン配置する方法を採用した有機ＥＬ装置の開発が行われている（例えば特許文献１参照）。
特許３３２８２９７号公報

上記特許文献１によれば、仕切部材（隔壁）により区画された画素毎にインクジェット法により液体材料を塗布する技術が開示されているが、該インクジェット法により塗布された液体材料を乾燥させた場合に、仕切部材の近傍に薄膜材料が集まる結果、画素の周縁領域の膜厚が、同中央部の膜厚より厚くなる傾向がある。このように有機機能層の膜厚に不均一が生じると、陰極からの電子と陽極からの正孔の再結合のバランスがくずれ、発光効率が変化し輝度が異なる問題が生じる。また電子あるいは正孔の準位や、有機機能層内での光路差による干渉条件が変化して発光色に影響を与え、表示品質を低下させるおそれが生じる。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、液相法により形成された機能層を有する発光素子を具備した電気光学装置において、該液相法にて形成される機能層の膜厚を均一化することができ、もって光学特性の向上を実現した電気光学装置を提供することを目的としている。
また本発明は、製造される電気光学装置の光学特性を高めることが可能な製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、上記課題を解決するために、基体上に立設した仕切部材により囲まれてなる区画領域内に設けられた発光素子を備えた電気光学装置であって、前記発光素子が、液相法により形成された機能層を含んでおり、前記区画領域に対応して、該区画領域内に温度分布を形成可能な温度分布形成手段が設けられていることを特徴とする電気光学装置を提供する。
係る構成の電気光学装置は、その製造に際して、前記区画領域内に液体材料を配し、当該液体材料を乾燥固化させることにより前記機能層が形成される。従来の有機ＥＬ装置における機能層形成工程も同様であるが、係る従来構成における膜厚ムラの問題は、この区画領域内に配した液体材料の乾燥工程において、仕切部材の表面張力によって液体材料が仕切部材側に引き寄せられ、液体材料が偏った状態で固化することに起因すると考えられる。
そこで本発明の電気光学装置では、前記区画領域に対応して前記温度分布形成手段を設け、前記液体材料の乾燥工程において、前記区画領域内に温度分布を形成可能にした。このように温度分布を形成することで、液体材料中に温度分布を形成し、もって所定の対流を液体材料中に生じさせることができる。そして、この液体材料の流動によって液体材料の偏在が防止され、その結果均一な膜厚にて機能層を形成できるようになる。したがって本構成の電気光学装置によれば、機能層の膜厚を均一化することができ、光学特性の向上を実現することができる。

本発明の電気光学装置では、前記温度分布形成手段が、吸熱性又は蓄熱性を有する材料からなる保温部材により構成されるとともに、前記区画領域の平面視中央部に配置されている構成とすることが好ましい。この構成によれば、前記保温部材によって区画領域の中央部の温度を相対的に高くすることができ、これにより区画領域に液体材料が配された際に、区画領域の中央部から周縁部に向かう対流を液体材料中に生じさせることができる。したがって、本構成の電気光学装置によれば、液体材料の偏りを効果的に防止し、均一な膜厚の機能層を形成することができる。

本発明の電気光学装置では、前記保温部材が、アモルファスシリコンからなるものであることが好ましい。アモルファスシリコンは、レーザアニールによる多結晶化に見られるように、紫外線の吸収が大きく、またその吸収により容易に温度を上昇させることができるものである。したがって、本構成の電気光学装置においては、区画領域に液体材料を配して機能層を形成する際に、前記保温部材に対して紫外線を照射することで容易に保温部材の温度を上昇させることができ、もって液体材料に温度分布を形成するとともに対流を生じさせることができる。これにより、均一な膜厚で光学特性に優れた機能層を得ることができる。

本発明の電気光学装置では、前記発光素子と基体との間に、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子が設けられており、前記アモルファスシリコンからなる保温部材が、前記スイッチング素子に含まれる半導体層と同層に形成されている構成とすることもできる。この構成によれば、発光素子を駆動するためのスイッチング素子（薄膜トランジスタ等）を構成する半導体層とともに保温部材を形成でき、製造に際しての工数の増加を伴うことなく機能層の膜厚均一化を実現できる。

本発明の電気光学装置では、前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、前記温度分布形成手段が、前記画素電極の基体側に設けられていることが好ましい。このように画素電極の下層側（基体側）に前記温度分布形成手段を設けるならば、液体材料の乾燥に際して基体側から加熱した際に、画素電極表面に所望の温度分布を容易に形成し得るものとなる。また、画素電極を含む発光素子の構成に変更を加えることがないため、製造が比較的容易であるという利点も得られる。

本発明の電気光学装置では、前記区画領域の底面部に凹部が形成され、前記発光素子が、前記凹部内に形成された前記機能層を含む構成とすることができる。このように区画領域底面部に設けられた凹部内に機能層を形成した構成とするならば、乾燥工程において基体側から加熱した際に、凹部の中央部と周縁部とでは異なった温度になる。したがってこの凹部は、区画領域内に温度分布を形成可能な温度分布形成手段として機能する。そして、この温度の差異により液体材料中に対流を生じさせることができるので、形成される機能層の均一化を実現できる。

本発明の電気光学装置では、前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、前記凹部が、前記区画領域に臨む画素電極表面に形成されている構成とすることもできる。この場合、前記凹部は、画素電極の表面を部分的に除去することにより形成できる。
あるいは、前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、前記凹部が、前記画素電極の基体側に設けられた絶縁膜の形状に起因するものである構成とすることもできる。すなわち、絶縁膜表面に凹部を形成し、係る凹部を含む領域に前記画素電極を形成することで、絶縁膜の凹部に倣う凹状を画素電極表面に形成したものであってもよい。
あるいはまた、前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、前記凹部が、前記画素電極の基体側に設けられた回路層の形状に起因するものである構成とすることもできる。すなわち、画素電極に電力を供給するべく設けられる回路層の凹凸形状を利用して前記画素電極表面の凹部を形成してもよい。

本発明の電気光学装置では、前記凹部の周縁部が、曲面形状を成して形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、前記凹部内に配された液体材料中に対流を生じさせた場合に、前記曲面形状によって対流による液体材料の流動をより円滑なものとすることができ、機能層の平坦化を一層促進する構成となる。

本発明の電気光学装置では、前記発光素子と基体との間に、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子の前記基体側に、該基体側からみて前記スイッチング素子を覆う遮光部材が設けられていることが好ましい。このような遮光部材を設けておけば、前記温度分布形成手段が光照射を利用するものである場合に、照射する光からスイッチング素子を保護することができ、製造歩留まりの向上に寄与する。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基体上に立設された仕切部材に囲まれてなる区画領域内に設けられた発光素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記区画領域内に液体材料を選択塗布することにより機能層を形成する機能層形成工程を含み、前記塗布された液体材料を乾燥固化する際に、該液体材料中に温度分布を生じさせることを特徴とする。
この製造方法によれば、前記液体材料を乾燥させる際に、液体材料中に温度分布を形成し、もって液体材料中に対流を生じさせて液体材料を流動させるので、表面張力によって区画領域周縁部側へ液体材料が偏って配置されるのを防止することができ、もって均一な膜厚の機能層を形成することができる。したがって本製造方法によれば、均一な膜厚の機能層を有する発光素子を具備し、光学特性に優れた電気光学装置を製造することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記塗布された液体材料を乾燥固化する際に、前記区画領域の底面中央部における前記液体材料の温度を、同区画領域の底面周縁部における温度より高くすることが好ましい。この製造方法によれば、前記液体材料を乾燥させる際に、区画領域の中央部から周縁部に向かう対流を生じさせることができ、液体材料の流動を促進することができる。これにより、表面張力によって区画領域周縁部に引き寄せられた液体材料を再度区画領域の中央部側へ流動させることができ、区画領域内での液体材料の偏在を防止して機能層の平坦化を実現できる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層形成工程に先立って、前記区画領域の底面部に対応する位置に温度分布形成手段を形成する工程を含むことが好ましい。この製造方法によれば、区画領域底面部に温度分布形成手段を設けるので、区画領域内に液体材料を配して乾燥させる際に、区画領域底面部と当接する液体材料中に温度分布を形成でき、区画領域の底面部の面方向での対流を生じさせることができる。これにより、表面張力によって区画領域周縁部に引き寄せられた液体材料の流動を促進し、液体材料の偏在による膜厚ムラを効果的に防止することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記温度分布形成手段として、吸熱性又は蓄熱性を有する材料からなる保温部材を前記区画領域の底面部に対応する位置に設けることが好ましい。この製造方法によれば、前記保温部材によって、区画領域底面部に容易に温度分布を形成することができるため、液体材料中に先の対流を形成でき、機能層の膜厚の均一化を実現できる。
上記保温部材としては、アモルファスシリコンや金属材料を用いることができる。アモルファスシリコンは吸熱性を有するため、紫外線照射等の光照射手段を用いて保温部材を選択的に昇温させることができる。また金属材料は高い蓄熱性を有する材料からなるため、基体を加熱することによって保温部材を選択的に高温に保持でき、温度分布を容易に形成できる。特に、例えばシリコン酸化物などの熱伝導性の乏しい絶縁体中に熱伝導性の高い金属材料と配置することにより、金属材料における蓄熱性を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記基体上に前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子を形成する工程を含み、前記スイッチング素子を構成する半導体層と同層に、前記温度分布形成手段としてのアモルファスシリコン層を形成することもできる。この製造方法によれば、スイッチング素子を形成する工程において同時に温度分布形成手段を形成できるため、効率的な製造が可能になる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層形成工程に先立って、前記区画領域の底面部に凹部を形成する工程を含むことが好ましい。このように区画領域の底面部に凹部を形成する工程を有する製造方法とした場合、機能層を形成する工程は、当該凹部内に液体材料を配し、乾燥固化させる工程となる。係る乾燥工程において、基体側から加熱するならば、区画領域底面部のうち熱源に近い部位（中央部）では温度が高くなり、熱源から遠い部位（周縁部）では相対的に温度が低くなり、当該底面部に温度分布が形成される。そして、係る温度分布によって液体材料中に底面部面方向の対流を生じさせることができ、機能層の平坦化を実現できる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記区画領域の底面部に前記発光素子の一の電極を成す画素電極を形成する工程と、該画素電極の表面を部分的に除去することにより該画素電極表面に凹部を形成する工程とを含むこともできる。
また本発明の電気光学装置の製造方法は、前記区画領域の底面部に相当する位置に、表面に凹部が形成された絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上の前記凹部を含む領域に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極を形成する工程とを含むこともできる。
上記温度分布形成手段としての凹部を形成する工程には、上記各工程のいずれも好適に用いることができる。

次に、本発明の電子機器は、先の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴としている。この構成によれば、その表示部において良好な輝度及び発光色の高画質表示が得られる電子機器が提供される。

（第１の実施形態）
［電気光学装置］
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の電気光学装置の一実施の形態として、電気光学素子としての有機ＥＬ素子（発光素子）を画素として基体上に配列してなる電気光学装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）を例示して説明する。この有機ＥＬ装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。

図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、同有機ＥＬ装置に備えられた各画素領域７１の平面構造を示す図であって、（ａ）は画素領域７１のうち主にＴＦＴ等の画素駆動部分の構成を示す図、（ｂ）は画素間を区画するバンク（仕切部材）等の構成を示す図である。また図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面構成を示す図である。

図１に示すように、有機ＥＬ装置７０は、透明の基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素領域７１が設けられて構成されたものである。

信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号が供給されるゲート電極を含むスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号が供給されるゲート電極を含む駆動用ＴＦＴ１４３と、この駆動用ＴＦＴ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟み込まれる有機機能層１４０とが設けられている。そして、前記画素電極１４１と共通電極１５４と、有機機能層１４０とによって構成される素子が発光素子である。

このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて共通電極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。

次に、図２（ａ）に示す画素領域７１の平面構造をみると、画素領域７１は、平面視略矩形状の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。また、図３に示す画素領域７１の断面構造をみると、基板（基体）Ｐ上に駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、駆動用ＴＦＴ１４３を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板Ｐ上に、発光素子２００が形成されている。発光素子２００は、基板Ｐ上に立設されたバンク（仕切部材）１５０に囲まれる領域内に設けられた有機機能層１４０を主体として構成され、この有機機能層１４０を、画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備える。ここで、図２（ｂ）に示す平面構造をみると、バンク１５０は、画素電極１４１の形成領域に対応する平面視略矩形状の区画領域１５１（開口部）を有しており、この区画領域１５１に先の有機機能層１４０が形成されるようになっている。

図３に示すように、駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２０を介してチャネル領域１４３ｃに対向するゲート電極１４３Ａとを主体として構成されている。半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０上には、これらを覆う形にて第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０を貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４内に、それぞれドレイン電極２３６、ソース電極２３８が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに導電接続されている。第１層間絶縁膜２３０には、平坦化絶縁膜（第２層間絶縁膜）２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホールに画素電極１４１の一部が埋設されている。そして画素電極１４１とドレイン電極２３６とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１とが電気的に接続されている。

画素電極１４１は、その表面に凹部１４１ａを備えており、この画素電極１４１に一部乗り上げるようにして有機材料からなるバンク（仕切部材）１５０が形成されている。そして、バンク１５０の内壁面と凹部１４１ａの周端部内面とが連続する壁面を形成しており、バンク１５０の内壁面と画素電極１４１の凹部１４１ａとによって断面視略舟底形の凹部を成す区画領域１５１が構成されている。

上記発光素子２００は、画素電極１４１上に正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａと発光層１４０Ｂとを積層し、この発光層１４０Ｂとバンク１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成されている。本実施形態の場合、有機機能層１４０を構成する正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂは画素電極１４１の凹部１４１ａ内に配置されている。また有機機能層１４０の側端部と当接する凹部１４１ａの曲面部１４１ｂは曲面形状を成して形成されており、詳細は後述するが、係る曲面形状を具備していることで、液相法により正孔注入層１４０Ａを形成する際に、この凹部１４１ａの作用により正孔注入層１４０Ａを平坦化できるようになっている。

基板Ｐとしては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置７０の場合、発光素子２００が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。

画素電極１４１は、基板Ｐを介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成されるが、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。

共通電極１５４は、発光層１４０Ｂとバンク１５０の上面、さらにはバンク１５０の側壁面を覆った状態で基板Ｐ上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、トップエミッション型の場合、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。

共通電極１５４の上層側には、陰極保護層を形成してもよい。係る陰極保護層を設けることで、製造プロセス時に共通電極１５４が腐食されるのを防止する効果が得られる。この陰極保護層は、無機化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物により形成できる。共通電極１５４を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、共通電極１５４への酸素等の侵入を良好に防止することができる。なお、陰極保護層は１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置７０では、区画領域１５１に臨む画素電極１４１表面に凹部１４１ａが形成され、係る凹部１４１ａ内に正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂが形成されている。詳細は後段の製造方法の説明で述べるが、この凹部１４１ａは、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造に際して、正孔注入層１４０Ａの液体材料が塗布される領域であり、塗布された液体材料を乾燥固化させる際に、前記液体材料中に所定の温度分布を形成するとともに、適切な方向の対流を生じさせる作用を奏する。その結果、形成材料が画素領域の周縁部に偏るのを防止でき、もって液体材料を均一な膜厚にて固化することができる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置は、膜厚及び膜質の均一な正孔注入層１４０Ａを備えたものとなり、また正孔注入層１４０Ａ上に形成される発光層１４０Ｂの均一性も向上される。このような構成を備えたことで、本実施形態の有機ＥＬ装置は、ムラのない表示特性を得られるものとなっている。

また、有機ＥＬ装置７０がトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるならば、画素電極１４１は光反射性の金属膜により形成することができるため、凹部１４１ａ内に配された有機機能層１４０にて生じた光のうち、有機機能層１４０の側方へ伝搬した光をも効率よく表示光として利用することが可能である。つまり、有機機能層１４０の側端部から射出される光が、この側端部と当接する曲面形状の曲面部１４１ｂにより図３上側へ反射される結果、有機機能層１４０からの光取り出し効率が向上し、高輝度の表示を得ることが可能になる。

［電気光学装置の製造方法］
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、図１から図３に示した構成を備えた有機ＥＬ装置７０を、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて製造する方法を例示して説明する。なお、製造方法の説明に先立ち、有機ＥＬ装置７０の製造に好適に使用できる液滴吐出装置について説明し、その後、各製造プロセスを説明することとする。

＜液滴吐出装置＞
図４は本発明の有機ＥＬ装置を製造する際に用いる液滴吐出装置を示す概略斜視図である。また、図５及び図６は液滴吐出装置に設けられた液滴吐出ヘッドを示す図である。
図４において、液滴吐出装置ＩＪは、基板Ｐの表面（所定面）に液滴（インク滴）を配置可能な成膜装置であって、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、基板Ｐを支持するステージ（ステージ装置）ＳＴと、ベース１２とステージＳＴとの間に介在し、ステージＳＴを移動可能に支持する第１移動装置１４と、ステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して、有機機能層の形成材料を含む液滴を定量的に吐出（滴下）可能な液滴吐出ヘッド２０と、液滴吐出ヘッド２０を移動可能に支持する第２移動装置１６とを備えている。液滴吐出ヘッド２０の液滴の吐出動作や、第１移動装置１４及び第２移動装置１６の移動動作を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ軸方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、ベース１２の後部１２Ａに立てられた支柱１６Ａ，１６Ａにより第１移動装置１６の上方に支持されている。第２移動装置１６のＸ軸方向は第１移動装置１４のＹ軸方向と直交する方向である。ここで、Ｙ軸方向はベース１２の前部１２Ｂと後部１２Ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ軸方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向である。

第１移動装置１４は例えばリニアモータによって構成され、２本のガイドレール４０と、これらのガイドレール４０，４０に沿って移動可能なスライダー４２とを備えている。このリニアモータ形式の第１移動装置１４のスライダー４２はガイドレール４０に沿ってＹ軸方向に移動して位置決め可能である。スライダー４２はＺ軸回り（θＺ）用のモータ４４を備えている。このモータ４４は例えばダイレクトドライブモータであり、モータ４４のロータはステージＳＴに固定されている。これにより、モータ４４に通電することでロータとステージＳＴとはθＺ方向に沿って回転してステージＳＴをインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４はステージＳＴをＹ軸方向及びθＺ方向に移動可能である。ステージＳＴは基板Ｐを保持し所定の位置に位置決めするものである。また、ステージＳＴは吸着保持装置５０を有しており、吸着保持装置５０が作動することによりステージＳＴに設けられた吸入孔４６Ａを通して基板ＰをステージＳＴの上に吸着して保持する。

第２移動装置１６はリニアモータによって構成され、支柱１６Ａ，１６Ａに固定されたコラム１６Ｂと、このコラム１６Ｂに支持されているガイドレール６２Ａと、ガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動可能に支持されているスライダー６０とを備えている。スライダー６０はガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２０はスライダー６０に取り付けられている。

液滴吐出ヘッド２０は揺動位置決め装置としてのモータ６２，６４，６６，６８を有している。モータ６２を作動すれば、液滴吐出ヘッド２０はＺ軸に沿って上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ６４を作動すると、液滴吐出ヘッド２０はＹ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ６６を作動すると、液滴吐出ヘッド２０はＸ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ６８を作動すると、液滴吐出ヘッド２０はＺ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は液滴吐出ヘッド２０をＸ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に支持するとともに、この液滴吐出ヘッド２０をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向に移動可能に支持する。

このように、図４の液滴吐出ヘッド２０は、スライダー６０において、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２０の吐出面２０Ｐは、ステージＳＴ側の基板Ｐに対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐出ヘッド２０の吐出面２０Ｐには液滴を吐出する複数のノズルが設けられている。

図５は液滴吐出ヘッド２０を示す分解斜視図である。液滴吐出ヘッド２０は、複数のノズル８１を有するノズルプレート８０と、振動板８５を有する圧力室基板９０と、これらノズルプレート８０と振動板８５とを嵌め込んで支持する筐体８８とを備えて構成されている。
液滴吐出ヘッド２０の主要部構造は、図６の斜視図一部断面図に示すように、圧力室基板９０をノズルプレート８０と振動板８５とで挟み込んだ構造とされている。ノズルプレート８０のノズル８１は、各々圧力室基板９０に区画形成された圧力室（キャビティ）９１に対応している。圧力室基板９０には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ９１が複数設けられている。キャビティ９１同士の間は側壁９２で分離されている。各キャビティ９１は供給口９４を介して共通の流路であるリザーバ９３に繋がっている。振動板８５は例えば熱酸化膜等により構成される。

振動板８５にはタンク口８６が設けられ、図４に示したタンク３０からパイプ（流路）３１を通じて任意の液滴を供給可能に構成されている。振動板８５上のキャビティ９１に相当する位置には圧電体素子８７が配設されている。圧電体素子８７はＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示せず）で挟んだ構造を備える。圧電体素子８７は制御装置ＣＯＮＴから供給される吐出信号に対応して体積変化を発生可能に構成されている。

液滴吐出ヘッド２０から液滴を吐出するには、まず、制御装置ＣＯＮＴが液滴を吐出させるための吐出信号を液滴吐出ヘッド２０に供給する。液滴は液滴吐出ヘッド２０のキャビティ９１に流入しており、吐出信号が供給された液滴吐出ヘッド２０では、その圧電体素子８７がその上部電極と下部電極との間に加えられた電圧により体積変化を生ずる。この体積変化は振動板８５を変形させ、キャビティ９１の体積を変化させる。この結果、そのキャビティ９１のノズル穴２１１から液滴が吐出される。液滴が吐出されたキャビティ９１には吐出によって減った液体材料が新たに後述するタンク３０から供給される。
本実施形態に係る液滴吐出装置ＩＪに備えられた液滴吐出ヘッド２０は、圧電体素子に体積変化を生じさせて液滴を吐出させる構成であるが、発熱体により液体材料に熱を加えその膨張によって液滴を吐出させるような構成であってもよい。

図４に戻り、基板Ｐ上に設けられる液体材料は、液体材料調整装置Ｓにより生成される。液体材料調整装置Ｓは、液体材料を収容可能なタンク３０と、タンク３０に取り付けられ、このタンク３０に収容されている液体材料の温度を調整する温度調整装置３２と、タンク３０に収容されている液体材料を攪拌する撹拌装置３３とを備えている。温度調整装置３２はヒータにより構成されており、タンク３０内の液体材料を任意の温度に調整する。温度調整装置３２は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、タンク３０内の液体材料は温度調整装置３２により温度調整されることで所望の粘度に調整される。
タンク３０はパイプ（流路）３１を介して液滴吐出ヘッド２０に接続しており、液滴吐出ヘッド２０から吐出される液体材料の液滴はタンク３０からパイプ３１を介して供給される。

なお、図４には液滴吐出ヘッド２０及び液体材料調整装置Ｓのそれぞれが１つだけ図示されているが、液滴吐出装置ＩＪには複数の液滴吐出ヘッド２０及び液体材料調整装置Ｓが設けられており、これら複数の液滴吐出ヘッド２０のそれぞれから異種または同種の液体材料の液滴が吐出されるようになっている。そして、基板Ｐに対してこれら複数の液滴吐出ヘッド２０のうち、第１の液滴吐出ヘッドから第１の液体材料を吐出した後、これを焼成又は乾燥し、次いで第２の液滴吐出ヘッドから第２の液体材料を基板Ｐに対して吐出した後これを焼成又は乾燥し、以下、複数の液滴吐出ヘッドを用いて同様の処理を行うことにより、基板Ｐ上に複数の材料層が積層され、多層パターンを形成できるようになっている。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いた有機ＥＬ装置（電気光学装置）の製造方法について説明するが、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。

以下、上記有機ＥＬ装置７０の製造方法について図７ないし図９を参照して説明する。なお、図７から図９には、説明を簡略化するために単一の画素領域７１についてのみ図示しているが、有機ＥＬ装置７０の各画素領域７１において共通の画素構成を有しているものとする。本発明に係る有機ＥＬ装置では、発光素子の光を基板側から取り出す構成（ボトムエミッション）、及び基板と反対側から取り出す構成（トップエミッション）のいずれも採用できるが、本実施形態ではトップエミッション型の有機ＥＬ装置として説明する。

まず、図７（ａ）に示すように、基板Ｐ上に駆動用ＴＦＴ１４３を形成する。トップエミッション型では、基板は不透明であってもよいため、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂なども用いることができるが、従来から液晶装置等に用いられているガラス基板であってもよい。

上記駆動用ＴＦＴ１４３の作製手順は、例えば以下のような工程による。
まず、基板Ｐに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成しておく。その後、基板温度を３５０℃程度に設定して基板Ｐの表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで半導体膜２１０を形成する。そしてこの半導体膜２１０を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することで結晶化してポリシリコン膜とする。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザであってビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用いることができ、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。

次いで、半導体膜２１０及び基板Ｐの表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図３に示した駆動用ＴＦＴ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング用ＴＦＴ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図７（ａ）に示す駆動用ＴＦＴ１４３を作製する工程では、２種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作製される。

次に、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜、ないしこれらの積層膜からなる導電膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングすることで、ゲート電極１４３Ａを形成する。続いて、半導体膜２１０に対して、高濃度のリンイオンを打ち込むことで、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。このとき、ゲート電極１４３Ａにより遮蔽されて不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。その後、半導体膜２１０及び基板Ｐ表面を覆う層間絶縁膜２３０を形成する。

次に、層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホール２３２及び２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２及び２３４内にドレイン電極２３６及びソース電極２３８を埋め込むように形成し、駆動用ＴＦＴ１４３を得る。ここで、層間絶縁膜２３０上においてソース電極２３８に接続するように、不図示の共通給電線（配線）や走査線も形成しておく。さらに、層間絶縁膜２３０、及び各配線の上面を覆うように第２層間絶縁膜２４０を形成し、この第２層間絶縁膜２４０を貫通してドレイン電極２３６に達するコンタクトホール２４５ａを貫設する。

上記の工程によって第２層間絶縁膜２４０を形成したならば、次に、図７（ｂ）に示すように、コンタクトホール２４５ａを含む領域に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１をパターン形成する。これにより、先の図２（ａ）に示したような信号線、共通給電線、及び走査線に囲まれた位置に、ドレイン電極２３６を介して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン領域１４３ｂと導電接続された画素電極１４１が形成される。

本実施形態の場合、有機ＥＬ装置７０はトップエミッション型であるため、画素電極１４１は透明導電膜である必要はなく、金属材料により形成することができる。画素電極１４１をアルミニウムや銀等の光反射性の金属膜を含む構成とすれば、この画素電極に入射した光を反射させて観察者側へ射出できるようになる。本有機ＥＬ装置７０では、画素電極１４１は陽極として機能するので、仕事関数が４．８ｅＶ以上の材料で形成することが好ましく、具体例を挙げるならば、ＩＴＯ／Ａｌの積層膜、Ａｕ、Ｐｔ等からなる金属膜で形成するのがよい。なお、この画素電極１４１の形成に先立って、第２層間絶縁膜２４０の表面を清浄化する処理（例えば酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン処理等）を施しておいてもよい。これにより、画素電極１４１と第２層間絶縁膜２４０との密着性を向上させることができる。

次に、図７（ｃ）に示すように、マスク材２９０をフォトレジスト等を用いてパターン形成する。マスク材２９０には、画素電極１４１の平面領域内に配される開口部２９０ａを設けておく。続いて、図７（ｄ）に示すように、マスク材２９０を介したエッチング処理を施すことにより画素電極１４１の表面を部分的に除去し、画素電極１４１表面に凹部１４１ａを形成する。このとき、エッチング処理としてウェットエッチングやフッ素系ガスを用いたドライエッチングのような等方的なエッチング処理を行うことで、開口部２９０ａ内に露出されている画素電極１４１は、開口部２９０ａより広い範囲でエッチングされる。このようにして、凹部１４１ａの周縁部に曲面形状の曲面部１４１ｂを形成する。

また、上記エッチング処理において、エッチング速度を高める、あるいはマスク材２９０と画素電極１４１との密着性を若干弱くしておくことで、より効率的に曲面形状の曲面部１４１ｂを形成することが可能になる。エッチング速度を高める場合、画素電極１４１がＩＴＯ膜からなるものであれば、水素ガスによるイオンドープを行うことで、画素電極のエッチング速度を高めることができる。
上記エッチング処理が終了したならば、マスク材２９０を除去しておく。

次に、図８（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜２４０上に、アクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク１５０をパターン形成する。バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板Ｐ上で発光素子の仕切部材として機能する。またバンク１５０は、画素電極１４１に一部乗り上げるようにして形成されており、バンク１５０の内壁面が凹部１４１の曲面部１４１ｂとほぼ連続した壁面を成すように画素電極１４１の凹部１４１ａに対して位置合わせされる。
上記構成のもと、発光素子の正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク１５０との間に十分な高さの段差からなる区画領域１５１（開口部）が形成される。

なお、本実施形態では省略しているが、画素電極１４１とバンク１５１との間に、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンクを形成してもよいのは勿論であり、係る無機バンクを設ける場合には、無機バンクの一部が区画領域１５１内に露出されるように画素電極１４１、無機バンク、及びバンク１５０を配置するのがよい。そして、この無機バンクを設けるならば、後段の工程で画素電極１４１上に塗布される液体材料を画素電極上に均一に濡れ広がらせることができる。
無機バンクを形成する場合、バンク１５０の形成に先立って、画素電極１４１及び第２層間絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化シリコン膜をパターニングし、画素電極１４１の表面を部分的に開口させる形成方法が採用できる。

バンク１５０を形成したならば、次に、バンク１５０及び画素電極１４１を含む基板上の領域に対して撥液処理を施す。バンク１５０は、発光素子を区画する仕切部材として機能するので、液滴吐出ヘッド２０から吐出される液体材料に対して非親和性（撥液性）を示すものであることが好ましく、前記撥液処理により、バンク１５０に選択的に非親和性を発現させることができる。係る撥液処理として、例えばバンクの表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法を採用できる。フッ素化合物としては、例えばＣＦ_４、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。

このような撥液処理では、基体の一面側全体に処理を施したとしても、ＩＴＯ膜や金属膜からなる無機材料の画素電極１４１表面は有機材料からなるバンク１５０の表面よりも撥液化されにくく、バンク１５０の表面のみが選択的に撥液化され、バンク１５０に囲まれる領域内に液体材料に対する親和性の異なる複数の領域が形成される。
なお、バンク１５０自体をフッ素化合物含有の樹脂材料等により形成しておけば、上記撥液処理を行わなくともバンク１５０の表面に撥液性を発現させることが可能である。

次に、図８（ｂ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａを液滴吐出ヘッド２０によりバンク１５０に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料１１４ａは図４に示した液体材料調整装置Ｓにより調製され、正孔注入層形成材料及び溶媒を含む。

正孔注入層形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、ポリスチレンスルフォン酸等を例示することができる。また、溶媒としては、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン等の極性溶媒を例示することができる。

上述した正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａが液滴吐出ヘッド２０より基板Ｐ上に吐出されると、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んでバンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａはバンク１５０を越えてその外側に広がらないようになっている。また本実施形態では、画素電極１４１の表面が親液領域となっているので、画素電極１４１上に塗布された液体材料１１４ａは画素電極１４１上で濡れ広がり、撥液性のバンク１５０と画素電極１４１との境界より内側の画素電極１４１上に保持される。

上記液体材料１１４ａを塗布したならば、図８（ｃ）に示すように、基板Ｐの図示下面側に配設された加熱手段（ヒータ等）３００により基板Ｐを加熱し、液体材料１１４ａを乾燥固化させる。乾燥条件の一例を挙げると、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）の焼成を行う。あるいは大気圧より低い圧力環境下（真空環境下）に配置することで溶媒の除去を促進してもよい。

この乾燥工程において、画素電極１４１上に塗布されている液体材料１１４ａは、その液面が徐々に低下し、最終的に固化されて正孔注入層１４０Ａを構成する。このとき、液体材料１１４ａは、乾燥初期にはバンク１５０の区画領域１５１内で断面凸形の液面を形成しているが、その液面は時間経過に伴い徐々に下降する。従来の有機ＥＬ装置では、液面の下降に伴って液体材料が画素領域の周縁部側に偏って配置され、その結果膜厚ムラが生じていた。これは、バンク表面は撥液化されているとはいえ表面張力があるため、この表面張力によって液体材料が画素電極周縁部に引っ張られるためであると考えられる。

これに対して、本実施形態では、画素電極１４１表面に凹部１４１ａが形成されており、さらに凹部１４１ａの周縁部に曲面形状を成す曲面部１４１ｂが形成されているので、図示の如く画素電極１４１の厚さが、その中心部と周縁部とで異なっており、そのため画素電極１４１を介して液体材料１１４ａに伝わる熱量も前記中心部と周縁部とで異なることとなる。このような温度分布が凹部１４１ａ上で生じる結果、液体材料１１４ａ中に、図８（ｃ）に示すような中心部から周縁部に向かう対流が生じ、さらにこの対流は曲面形状の曲面部１４１ｂに導かれて図示上方向へ流れるようになっている。
そして、液体材料１１４ａの内部に円滑に流動する対流が形成されることで、液体材料１１４ａを画素周縁部側へ引き寄せる表面張力の作用にも関わらず、液体材料１１４ａは画素電極１４１上で均一に乾燥され、均一な膜厚の正孔注入層１４０Ａを形成する。

続いて、図９（ａ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で液滴吐出ヘッド２０より発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂをバンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。この発光層形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものを好適に用いることができる。共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともに液滴吐出ヘッド２０から吐出されて薄膜に成形された後、加熱硬化されることによって共役系高分子有機ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。

このような共役系高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。しかも形成能に富みＩＴＯ電極との密着性も高い。さらに、このような化合物の前駆体は、硬化した後は強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱硬化前においては前駆体溶液を後述する液滴吐出パターニングに適用可能な所望の粘度に調整することができ、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことができる。

上記前駆体としては、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））またはその誘導体の前駆体が好ましい。ＰＰＶまたはその誘導体の前駆体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。さらに、ＰＰＶは強い蛍光を持ち、また二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の発光素子を得ることができる。

上記ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体として、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））前駆体、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレン））前駆体、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）））前駆体、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン）前駆体等が挙げられる。

ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体は、前述したように水に可溶であり、成膜後の加熱により高分子化してＰＰＶ層を形成する。前記ＰＰＶ前駆体に代表される前駆体の含有量は、液体材料組成物全体に対して０．０１〜１０．０ｗｔ％が好ましく、０．１〜５．０ｗｔ％がさらに好ましい。前駆体の添加量が少な過ぎると共役系高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると液体材料組成物の粘度が高くなり、液滴吐出法（インクジェット法）による精度の高いパターニングに適さない場合がある。

さらに、発光層形成材料としては、少なくとも１種の蛍光色素を含むのが好ましい。これにより、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長（発光色）を変えるための手段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。

なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であって、式（ηＥ＝放出されるフォトンのエネルギー／入力電気エネルギー）により定義される。そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の３原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。さらに蛍光色素をドーピングすることにより、ＥＬ素子の発光効率を大幅に向上させることができる。

蛍光色素としては、赤色発光層を形成する場合、赤色に発光するローダミンまたはローダミン誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく、均一で安定した発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ローダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。

また、緑色発光層を形成する場合、緑色に発光するキナクリドンおよびその誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

さらに、青色発光層を形成する場合、青色に発光するジスチリルビフェニルおよびその誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水・アルコール混合溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

また、青色に発色する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、クマリン、クマリン−１、クマリン−６、クマリン−７、クマリン１２０、クマリン１３８、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３７、クマリン３４３等が挙げられる。

さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはＴＰＢ誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素等と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに１種のみを用いてもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。

これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物の前駆体固型分に対し、０．５〜１０ｗｔ％添加するのが好ましく、１．０〜５．０ｗｔ％添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少なすぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。

また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料を液滴吐出ヘッド２０から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記前駆体、蛍光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、液滴吐出ヘッド２０のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。

このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。

更に、前記形成材料中に湿潤剤を添加しておくのが好ましい。これにより、形成材料が液滴吐出ヘッド２０のノズル孔で乾燥・凝固することを有効に防止することができる。かかる湿潤剤としては、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価アルコールが挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。この湿潤剤の添加量としては、形成材料の全体量に対し、５〜２０ｗｔ％程度とするのが好ましい。
なお、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、ｐＨ調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。

上記、液体材料１１４ｂを液滴吐出ヘッド２０から吐出することによる発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、緑色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、青色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料を、それぞれ対応する画素領域７１（区画領域１５１）に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素領域７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。

このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば、先の正孔注入層１４０Ａの形成工程と同様にして液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図９（ｂ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。

ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行なわなくても構わない。したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。また先に記載のように、液体材料１１４ｂが配される正孔注入層１４０Ａの表面は、平坦面に形成されているので、その上に形成される発光層１４０Ｂも高い平坦性をもって形成される。

その後、図９（ｃ）に示すように、基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１５４を形成する。こうして、発光素子２００を製造することができる。なお、本実施形態において発光素子２００は画素電極１４１と正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂと共通電極１５４とを含むものである。

このような発光素子の製造方法において、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂといった発光素子の構成要素となる薄膜は液滴吐出装置ＩＪにより製造されるので、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂの形成材料となる液体材料のロスは少なく、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂは比較的安価にしかも安定して形成される。

ところで、図９（ｃ）に示すように、形成された駆動用ＴＦＴ１４３と発光素子２００とは基板Ｐの法線方向において重なり合わないように配置されているが、発光層からの光を基板Ｐと反対側から取り出す所謂トップエミッション構造では、駆動用ＴＦＴ１４３と発光素子とが重なり合っていても問題ない。トップエミッション構造においてはバンク１５０の下方に薄膜トランジスタを配置する必要がなく、バンク１５０の形成領域を小さくすることができるとともに発光素子の形成領域を大きくすることができるので、発光面積を大きくすることができる。

以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、基板Ｐ上にバンク１５０及び発光素子２００を形成するに際して、画素電極１４１表面に、曲面形状の曲面部１４１ｂを有する凹部１４１ａを形成しておき、その後バンク１５０の内部に液体材料１１４ａを配するので、画素電極１４１表面に配された液体材料中に所定方向の対流が誘起され、液体材料が画素電極１４１周縁部側へ誘導されるのを防止することができる。これにより、得られる正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂは、均一な膜厚にて平坦に形成される。したがって、表示ムラが生じ難く、信頼性の高い発光素子２００を製造することができる。

上記実施形態では、液滴吐出装置ＩＪを用いた液滴吐出法により液体材料を塗布することで有機機能層１４０を形成する場合について説明したが、液滴吐出法に限らず、例えばスピンコート法、スリットコート（或いはカーテンコート）法、ダイコート法など他の塗布方法を用いることもできる。また、液体材料の生成工程や成膜工程は大気環境下で行ってもよいし窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。なお、液体材料調整装置Ｓによる液体材料の生成工程や液滴吐出装置ＩＪによる成膜工程はクリーンルーム内でパーティクル及びケミカル的にクリーン度を維持された環境下で行うのが望ましい。

また、本実施の形態では、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂを液相法で形成する場合について説明しているが、例えば画素毎に着色材料を液相法にて形成し、カラーフィルタを形成する場合にも本発明の製造方法を採用することができる。その他、例えば液晶装置等の電気光学装置において、液相法にて画素毎に材料形成を行う場合にも本発明の製造方法を好適に用いることができる。

（第２の実施形態）
上記実施の形態では、画素電極１４１表面に凹部１４１ａを形成し、この凹部１４１ａ内に液体材料１１４ａを配することで、正孔注入層１４０Ａを形成する場合について説明したが、本発明に係る電気光学装置においては、図１０に示す構成も適用できる。以下、図１０を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。なお、図１０において先の図１〜図９と同一の符号を付された構成要素は同様の構成であり、その詳細な説明は省略することとする。

図１０は、本発明に係る電気光学装置の第２の実施形態である有機ＥＬ装置を示す図であって、先の実施形態の図８（ｃ）に相当する断面構成図である。同図に示す有機ＥＬ装置は、第２層間絶縁膜２４０及び画素電極１４１の構成において先の第１実施形態と異なっており、具体的には、第２層間絶縁膜２４０表面のうち、発光素子２００が形成されるべき領域に凹部２４０ａが形成されている。そして、この凹部２４０ａを含む平面領域に、画素電極１４１が形成される結果、画素電極１４１表面に、凹部２４０ａに倣う凹部１４１ａが形成されている。また、第２層間絶縁膜２４０の周縁部に、曲面形状の曲面部２４０ｂが形成されており、画素電極１４１の凹部１４１ａ周縁部には、前記曲面部２４０ｂに倣う曲面形状の曲面部１４１ｂが形成されている。画素領域間を区画する仕切部材たるバンク１５０は、画素電極１４１の凹部１４１ａを取り囲んで形成され、その内壁面は、凹部１４１ａの曲面部１４１ｂとほぼ連続した壁面を成している。

すなわち、図１０に示す本実施形態の有機ＥＬ装置では、画素電極１４１表面の凹部１４１ａが、下層側（基板Ｐ側）の第２層間絶縁膜２４０に形成された凹部２４０ａに起因して形成されている以外は、先の実施形態と同様の構成である。
上記第２層間絶縁膜２４０表面の凹部２４０ａは、第２層間絶縁膜２４０が酸化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている場合には、先の第１実施形態における画素電極１４１のエッチング処理（図７（ｄ）参照）と同様の等方的なエッチング処理を、画素電極１４１の形成に先立って第２層間絶縁膜２４０に施すことで形成できる。あるいは、第２層間絶縁膜２４０を樹脂材料により形成し、スタンパ技術やプレス加工等による形状転写法を用いて凹部２４０ａを形成してもよい。

上記構成において、正孔注入層１４０Ａを液相法により形成する場合、図１０に示すように、画素電極１４１表面の凹部１４１ａ内に液体材料１１４ａを配し、この液体材料１１４ａを乾燥させて固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。そして本実施形態に係る乾燥工程においても、上記凹部１４１ａの作用により、液体材料１１４ａ中に円滑に流動する対流が形成されるので、表面張力によって液体材料が画素周縁部に引っ張られるのを防止することができ、もって均一な膜厚の正孔注入層１４０Ａを得られるようになっている。また正孔注入層１４０Ａが平坦化される結果、その上層に形成される発光層１４０Ｂも均一な膜厚に形成できる。したがって本実施形態によれば、均一な膜厚、膜質を有し、発光ムラが生じ難く、信頼性に優れた発光素子２００を形成することができる。

また、本実施形態の如く第２層間絶縁膜２４０表面に凹部２４０ａを形成する場合、上述した第２層間絶縁膜２４０の表面を部分的に除去する方法のほか、駆動用ＴＦＴ１４３が設けられた回路層の凹凸形状を利用する方法も適用できる。この場合、発光素子２００が形成されるべき領域を取り囲む配線（信号線１３２や走査線１３３）を覆う第２層間絶縁膜２４０を、前記配線による段差を平坦化しない膜厚にて、プラズマＣＶＤ法や塗布法を用いて形成すれば、前記配線による段差に起因する凸状部を表面に具備した第２層間絶縁膜２４０が得られる。そして、これらの凸状部に囲まれる領域には、相対的に凹んだ形状の凹部２４０ａが形成されることとなる。このように回路層の凹凸に起因する凸状部によって凹部２４０ａを形成するならば、凹部２４０ａの周縁部は必然的になだらかな曲面形状を成すこととなるので、画素電極１４１上に配した液体材料１１４ａの対流を促進し得る構造を具備した有機ＥＬ装置を容易に得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、図１１は、本発明に係る電気光学装置の第３の実施形態である有機ＥＬ装置を示す断面構成図であって、先の実施形態の図９（ｃ）に相当する断面構成図である。同図において図２及び図３と同一の構成要素には同一の符号を付して示している。
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図１１に示すように、図２及び図３に示した有機ＥＬ装置における画素電極１４１の下層側（基板Ｐ側）に、吸熱性又は蓄熱性を有する材料からなる保温部材１４６が設けられたものである。この保温部材１４６は、例えばアモルファスシリコンからなるものとされ、画素電極１４１の凹部１４１ａの平面領域内で部分的に設けられており、平面視で凹部１４１ａの略中心部に配置されている。

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置の製造に際しては、図１２に示すように、区画領域１５１内の凹部１４１ａ上に配された液体材料１１４ａを乾燥させる工程において、基板Ｐ側から区画領域１５１に対して紫外線Ｌを照射する。すると、画素電極１４１の下層側（紫外線Ｌから見て手前側）には、アモルファスシリコンからなる保温部材１４６が設けられているので、保温部材１４６が紫外線Ｌを吸収して昇温される。アモルファスシリコンは、レーザアニールによる多結晶化に見られるように、紫外線に対する光吸収が大きいことが知られており、係る保温部材１４６の構成材料として好適である。ただし、アモルファスシリコンが溶融する温度まで紫外線強度を増加させると、アブレーションによる剥離が生じ素子を破壊したり、保温部材が５００℃以上の高温になり有機材料を劣化させるおそれが生じるため、保温部材１４６の温度が１００℃〜２００℃程度となるように紫外線Ｌの強度を調整することが好ましい。

上記紫外線照射を行うと、保温部材１４６の温度上昇により、凹部１４１ａ上に配されている液体材料１１４ａに対して温度分布が生じ、それによって図１１に示すような凹部１４１ａの中心部から周縁部に向かう対流が生じる。また凹部１４１ａの周縁部には曲面形状を成す曲面部１４１ｂが形成されているので、上記対流は曲面部１４１ｂの形状に沿って図示上方へ円滑に流れるようになっている。これにより、バンク１５０等の表面張力によって液材料１１４ａが画素領域周縁部に偏るのを防止し、均一な膜厚の正孔注入層１４０Ａを形成することができる。

なお、本実施形態では保温部材１４６がアモルファスシリコンからなるものとされ、第２層間絶縁膜２４０中に形成されている場合について図示して説明したが、保温部材１４６の材質及び配設位置は、上記構成に限定されるものではない。例えば、保温部材１４６をアモルファスシリコンにより形成する場合、ＴＦＴ１４３等を構成する半導体層２１０と同層に保温部材１４６を形成することができる。
また、保温部材１４６は、金属材料により形成することができ、この場合、図１１に示すように第２層間絶縁膜２４０中に設けてもよく、ソース電極２３８やドレイン電極２３６、あるいはゲート電極１４３Ａと同層に設けることもできる。保温部材１４６をＴＦＴ１４３や配線を構成する金属材料からなる層と同層に形成すれば、製造工程を効率化できる。特に、例えばシリコン酸化物などの熱伝導性の乏しい絶縁体中に熱伝導性の高い金属材料と配置することにより、金属材料における蓄熱性を向上させることができる。

保温部材１４６を金属材料により形成する場合には、保温部材１４６は吸熱性よりむしろ良好な蓄熱性を呈するものとなるため、図１１に示した紫外線Ｌの照射に代えて、図１０に示したようなヒータ等の加熱手段３００による加熱によって乾燥工程を行うことが好ましい。加熱手段３００により基板Ｐを加熱すれば、蓄熱性を有する材料からなる保温部材１４６が設けられた部位の液体材料１１４ａの温度が相対的に高くなるため、図１１に示すように凹部１４１ａの中心部から周縁部に向かう対流を生じさせることができ、先の実施形態と同様に、正孔注入層１４０Ａの平坦化を達成することができる。

また、上記第３の実施形態では、画素電極１４１に凹部１４１ａが設けられている構成としたが、本実施形態の如く保温部材１４６を具備した有機ＥＬ装置においては、保温部材１４６によって効率よく温度分布が形成され、液体材料１１４ａ中に図示のような対流を生じさせることができるため、凹部１４１ａを設けない構成としてもよい。

（第４の実施形態）
次に、図１２は、本発明に係る電気光学装置の第４の実施形態である有機ＥＬ装置を示す断面構成図であって、先の実施形態の図９（ｃ）に相当する断面構成図である。同図において図２及び図３と同一の構成要素には同一の符号を付して示している。
図１２に示す有機ＥＬ装置は、図１１に示した第３実施形態の有機ＥＬ装置と同様、保温部材１４６を具備した有機ＥＬ装置であるが、駆動用ＴＦＴ１４３の基板Ｐ側に遮光膜（遮光部材）２０５が形成されている点で異なっている。より詳細には、基板Ｐ上に遮光膜２０５が形成され、遮光膜２０５を覆って下地絶縁膜２０７が形成されている。そして、下地絶縁膜２０７上に部分的に形成された半導体層２１０により駆動用ＴＦＴ１４３が構成されている。駆動用ＴＦＴ１４３から上側の発光素子２００等の構成は先の第３実施形態と同様である。

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置によれば、ＴＦＴ１４３を基板Ｐ側から見て覆う位置に遮光膜２０５が形成されているので、区画領域１５１に配された液体材料１１４ａを乾燥固化させる工程において、基板Ｐ側から紫外線Ｌを照射した場合に、ＴＦＴ１４３の半導体層２１０に紫外線Ｌが入射しないようにすることができる。これにより、紫外線Ｌによる半導体層２１０やソース／ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂの変質等を効果的に防止でき、歩留まりよく有機ＥＬ装置を製造することが可能になる。

（電子機器）
図１３は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図１３に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ表示装置（表示装置）を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の有機ＥＬ装置７０により高画質でムラの少ない表示が可能である。

上記実施の形態の有機ＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、ムラのない均一な表示を得ることができる。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の回路構成図。 同、平面構成図。 図２のＡ−Ａ線に沿う断面構成図。 液滴吐出装置の斜視構成図。 液滴吐出ヘッドの説明図。 液滴吐出ヘッドの説明図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。 電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

２０…液滴吐出ヘッド、７０…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、７１…画素、１１４ａ，１１４ｂ…液体材料、１４０…有機機能層（機能層）、１４１…画素電極、１４１ａ…凹部、１４１ｂ…内壁部、２３０…第１層間絶縁膜、２４０…第２層間絶縁膜、２４０ａ…凹部、２４０ｂ…内壁部、１４２…スイッチング用ＴＦＴ、１４３…駆動用ＴＦＴ、１５０…バンク（仕切部材）、１５４…共通電極、２００…発光素子、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｐ…基板（基体）

Claims (18)

1. 基体上に立設した仕切部材により囲まれてなる区画領域内に設けられた発光素子を備えた電気光学装置であって、
   前記発光素子が、液相法により形成された機能層を含んでおり、
   前記区画領域に対応して、該区画領域内に温度分布を形成可能な温度分布形成手段が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記温度分布形成手段が、吸熱性又は蓄熱性を有する材料からなる保温部材により構成されるとともに、前記区画領域の平面視中央部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記保温部材が、アモルファスシリコンからなるものであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記発光素子と基体との間に、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子が設けられており、
   前記アモルファスシリコンからなる保温部材が、前記スイッチング素子に含まれる半導体層と同層に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、
   前記温度分布形成手段が、前記画素電極の基体側に設けられていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記区画領域の底面部に凹部が形成され、前記発光素子が、前記凹部内に形成された前記機能層を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記区画領域の底面部に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極が設けられており、前記凹部が、前記区画領域に臨む画素電極表面に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記凹部の周縁部が、曲面形状を成して形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置。
9. 前記発光素子と基体との間に、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子が設けられており、
   前記スイッチング素子の前記基体側に、該基体側からみて前記スイッチング素子を覆う遮光部材が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 基体上に立設された仕切部材に囲まれてなる区画領域内に設けられた発光素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、
    前記区画領域内に液体材料を選択塗布することにより機能層を形成する機能層形成工程を含み、
    前記塗布された液体材料を乾燥固化する際に、該液体材料中に温度分布を生じさせることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 前記塗布された液体材料を乾燥固化する際に、前記区画領域の底面中央部における前記液体材料の温度を、同区画領域の底面周縁部における温度より高くすることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 前記機能層形成工程に先立って、前記区画領域の底面部に対応する位置に温度分布形成手段を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 前記温度分布形成手段として、吸熱性又は蓄熱性を有する材料からなる保温部材を前記区画領域の底面部に対応する位置に設けることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 前記基体上に前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子を形成する工程を含み、
    前記スイッチング素子を構成する半導体層と同層に、前記温度分布形成手段としてのアモルファスシリコン層を形成することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の電気光学装置の製造方法。
15. 前記機能層形成工程に先立って、
    前記区画領域の底面部に凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
16. 前記区画領域の底面部に前記発光素子の一の電極を成す画素電極を形成する工程と、該画素電極の表面を部分的に除去することにより該画素電極表面に凹部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置の製造方法。
17. 前記区画領域の底面部に相当する位置に、表面に凹部が形成された絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層上の前記凹部を含む領域に、前記発光素子の一の電極を成す画素電極を形成する工程と
    を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置の製造方法。
18. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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