KR20210154315A - 표시패널 - Google Patents

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KR20210154315A
KR20210154315A KR1020200071154A KR20200071154A KR20210154315A KR 20210154315 A KR20210154315 A KR 20210154315A KR 1020200071154 A KR1020200071154 A KR 1020200071154A KR 20200071154 A KR20200071154 A KR 20200071154A KR 20210154315 A KR20210154315 A KR 20210154315A
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pixel
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KR1020200071154A
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류장위
김병철
송인석
지하림
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예의 표시패널은 복수의 발광소자들을 포함하는 하부 표시기판 및 제1 화소영역, 제2 화소영역, 제3 화소영역과 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 포함하고, 상부 표시기판은 주변영역에 중첩하는 제1 패턴, 및 제2 화소영역에 중첩하는 제2 패턴을 포함하는 제1 분할패턴을 포함하여 외광의 반사율을 저감하고, 표시패널의 시인성을 향상시킬 수 있다.

Description

표시패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시인성이 향상된 표시패널에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 발광소자를 포함한 표시패널을 포함하고 있다.
표시패널의 시인성을 향상 시키기 위하여, 표시장치 외부에서 입사한 광의 반사율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시장치는 위상지연자(retarder), 편광자(polarizer) 등을 포함하여 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 시인성이 향상된 표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 소스광을 생성하는 복수의 발광소자들을 포함하는 하부 표시기판; 및 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판;을 포함하고, 상기 상부 표시기판은, 베이스기판; 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하는 제1 패턴, 및 상기 제1 및 제2 화소영역에 중첩하는 제2 패턴을 포함하는 제1 분할패턴; 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 컬러필터, 제2 컬러필터, 및 제3 컬러필터; 및 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부; 를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 분할패턴은 상기 소스광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터와 일체의 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하는 제1 부분 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 제2 부분을 포함하는 제2 분할패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 분할패턴은 검정색 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 분할패턴은 상기 제2 분할패턴보다 상기 베이스기판에 더 인접할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 각각 상기 제2 패턴 및 상기 제2 부분 중 어느 하나에 중첩하는 제1 금속패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 금속패턴은 사각형상 또는 그물형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 인접하며, 각각 상기 제1 내지 제3 컬러필터를 각각 노출시키는 제1 내지 제3 개구부가 정의된 복수의 제2 금속패턴들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 중첩하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 금속패턴들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 베이스기판의 하면 상에 배치되며 상기 주변영역에 중첩하고, 상기 제1 내지 제3 광제어부 각각의 사이에 배치되는 제3 분할패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 분할패턴은 검정색 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 소스광은 제3 색광이고, 상기 제1 광제어부는 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 광제어부는 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 광제어부는 상기 제3 색광을 투과시키고, 상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 소스광은 블루광일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 소스광을 생성하는 발광층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 발광소자들은 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역 각각에 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 발광소자를 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 발광소자의 발광층은 일체의 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 광제어부는 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 광제어부는 상기 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고, 상기 제1 양자점의 평균 크기는 상기 제2 양자점의 평균 크기보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 표시패널은 소스광을 생성하는 복수의 발광소자들을 포함하고, 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 주변영역이 정의된 베이스기판; 상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부; 상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 컬러필터, 제2 컬러필터, 및 제3 컬러필터; 및 상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 중첩하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 차광패턴들; 을 포함하고, 상기 복수의 차광패턴들 각각은 차광 물질을 포함하는 제1 차광패턴 및 금속을 포함하는 제2 차광패턴을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 소스광은 제3 색광이고, 상기 제1 광제어부는 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 광제어부는 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 광제어부는 상기 제3 색광을 투과시키고, 상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 표시패널은 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역에 각각 중첩하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부; 상기 제1 광제어부에 중첩하는 제1 컬러필터, 상기 제2 광제어부에 중첩하는 제2 컬러필터, 및 상기 제3 광제어부에 중첩하는 제3 컬러필터; 및 상기 제1 내지 제3 광제어부에 중첩하고, 서로 이격되어 배치된 복수의 차광패턴들; 을 포함하고, 상기 복수의 차광패턴들 각각은 차광 물질을 포함하는 제1 차광패턴 및 금속을 포함하는 제2 차광패턴을 포함하며, 상기 제1 화소영역에는 제1 발광소자가 배치되고, 상기 제2 화소역에는 제2 발광소자가 배치되고, 상기 제3 화소영역에는 제3 발광소자가 배치되고, 상기 제1 발광소자 내지 상기 제3 발광소자는 소스광을 방출하며, 상기 제1 화소영역 내지 상기 제3 화소영역에 인접한 주변영역이 정의된다.
일 실시예에서, 상기 소스광은 블루광이고, 상기 제1 차광패턴은 청색 물질 및 검정색 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 광 효율이 향상되고, 외광의 반사율이 감소될 수 있다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 1b는 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 10, 11, 12, 및 13은 다른 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의되어야 한다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.
한편, 본 출원에서 "직접 접한다"는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 접하는" 것은 두 개의 층들 사이에 접착층 등의 추가 구성이 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)에 대하여 설명한다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 1b는 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
도 1a, 도 1b 및 도 2를 참조하면, 표시패널(DP)은 액정 표시 패널(liqid crystal display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel), 및 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시패널(DP)은 샤시 또는 몰딩을 더 포함할 수 있고, 표시패널(DP)의 종류에 따라 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 제1 기판(100 또는 하부 표시기판) 및 제1 기판(100)과 마주하며 이격된 제2 기판(200 또는 상부 표시기판)을 포함할 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 소정의 셀갭이 형성될 수 있다. 셀갭은 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 결합하는 실런트(SLM)에 의해 유지될 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에는 이미지 생성을 위한 계조표시층이 배치될 수 있다. 계조표시층은 표시패널의 종류에 따라 액정층, 유기발광층, 전기영동층을 포함할 수 있다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 도 1b에 도시된 제2 기판(200)의 외면(200-OS)이 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다.
표시면(DP-IS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DP-IS)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)가 미배치된다. 비표시영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 표시영역(DA)은 비표시영역(NDA)에 의해 에워싸일수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 비표시영역(NDA)은 생략되거나 표시영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다.
표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 방향 내지 제3 방향(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시패널(DP)은 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수개의 표시영역들을 포함할 수도 있다.
도 2는 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm) 및 화소들(PX11~PXnm)의 평면상 배치관계를 도시하였다. 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm)은 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함할 수 있다.
화소들(PX11~PXnm) 각각은 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인과 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인에 연결된다. 화소들(PX11~PXnm) 각각은 화소 구동회로 및 표시소자를 포함할 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)의 화소 구동회로의 구성에 따라 더 많은 종류의 신호라인이 표시패널(DP)에 구비될 수 있다.
매트릭스 형태의 화소들(PX11~PXnm)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 화소들(PX11~PXnm)은 펜타일 형태로 배치될 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)은 다이아몬드 형태로 배치될 수 있다. 게이트 구동회로(GDC)는 OSG(oxide silicon gate driver circuit) 또는 ASG(amorphose silicon gate driver circuit) 공정을 통해 표시패널(DP)에 집적화될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시영역(DA)의 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다.
도 3에는 2개의 화소행(PXL)에 포함된 6개의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 본 실시예에서 도 3에 도시된 3종의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 표시영역(DA) 전체에 반복적으로 배치될 수 있다.
화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 주변에는 주변영역(NPXA)이 배치된다. 주변영역(NPXA)은 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정한다. 주변영역(NPXA)은 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 에워쌀 수 있다. 주변영역(NPXA)에는 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지하는 구조물이 배치될 수 있다.
화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 하나는 소스광에 대응하는 제3 색광을 제공하고, 다른 하나는 제3 색광과 다른 제1 색광을 제공하고, 남은 다른 하나는 제3 색광 및 제1 색광과 다른 제2 색광을 제공한다. 본 실시예에서 제3 화소영역(PXA-B)은 제3 색광을 제공한다. 본 실시예에서 제1 화소영역(PXA-R)은 레드광을 제공하고, 제2 화소영역(PXA-G)은 그린광을 제공하고, 제3 화소영역(PXA-B)은 블루광을 제공할 수 있다.
본 실시예에서 평면상 면적이 서로 동일한 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 적어도 2 이상의 면적은 서로 다를 수도 있다. 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 출광 컬러에 따라 설정될 수 있다. 주요색(primary) 중 레드광을 출광하는 화소영역의 면적이 가장 크고, 블루광을 출광하는 화소영역의 면적이 가장 작을 수 있다.
도 3에서는 평면상 코너 영역이 둥근 직사각형상(실질적인 직사각형상)인 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 반복되는 스트라이프 형상의 화소를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 평면 상에서 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 마름모 또는 오각형과 같은 다른 형상의 다각형상(실질적인 다각형상 포함)을 가질 수 있다.
평면 상에서, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에는 복수의제1 금속패턴(MP1)들이 중첩하게 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 금속패턴들(MP1)은 금속을 포함하여 입사하는 광을 반사시킬 수 있다. 제1 금속패턴들(MP1)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩하고, 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다. 즉, 제1 금속패턴들(MP1)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 일부에 중첩하고, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 일부는 노출시키는 것일 수 있다.
제1 금속패턴들(MP1)은 평면상에서 정사각형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 금속패턴들(MP1)은 단층 또는 복수의 층을 포함할 수 있다. 또한, 도 3에는 제1 금속패턴(MP1)만을 도시하였으나, 일 실시예의 표시패널(DP)은 차광 기능을 위하여 제1 금속패턴(MP1)에 중첩하는 차광물질을 포함하는 패턴을 더 포함할 수 있다. 이에 대하여 도 4에서 자세히 후술한다.
한편, 도 3 및 도 4에서 제1 금속패턴(MP1)이 복수개 배치되는 것으로 도시하였으나, 제1 금속패턴(MP1)은 1개 또는 복수개로 배치될 수 있으며, 개수에 제한되지 않고 다양하게 적용될 수 있다.
일 실시예의 표시영역(DA)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩하는 제1 금속패턴들(MP1)을 포함하여, 표시패널(DP) 내부에서 생성되는 광의 반사율을 높일 수 있다.
도 4를 참조하면, 일 실시예의 표시패널(DP)은 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(100)은 제1 베이스기판(BS1), 회로층(CL), 복수의 발광소자들(EE), 박막 봉지층(TFE), 및 버퍼층(BFL)이 제3 방향(DR3)으로 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 다만, 제1 기판(100)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 베이스기판(BS1)은 복수의 발광소자들(EE)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 것일 수 있다. 제1 베이스기판(BS1)은 합성수지기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 제1 베이스기판(BS1)은 리지드(rigid) 하거나 플렉서블 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 베이스기판(BS1)은 리지드할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
회로층(CL)은 제1 베이스기판(BS1) 상에 배치되는 것일 수 있다. 회로층(CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함할 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로층(CL)은 복수의 발광소자들(EE)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
회로층(CL) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 주변영역(NPXA)이 구분될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 주변영역(NPXA)에 중첩하는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 유기물을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함할 수 있다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다.
복수의 발광소자들(EE) 중 제1 화소영역(PXA-R)에 배치되는 발광소자는 제1 발광소자로 정의될 수 있다. 복수의 발광소자들(EE) 중 제2 화소영역(PXA-G)에 배치되는 발광소자는 제2 발광소자로 정의될 수 있다. 복수의 발광소자들(EE) 중 제3 화소영역(PXA-R)에 배치되는 발광소자는 제3 발광소자로 정의될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제3 발광소자는 소스광을 생성할 수 있다. 제1 기판(100)은 복수의 발광소자들(EE)에서 생성된 소스광을 발광하는 것일 수 있다.
복수의 발광소자들(EE) 각각은 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 및 적어도 하나의 유기층(OL)을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)은 회로층(CL) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 구동 트랜지스터(미도시)와 전기적으로 연결되어 구동 신호를 수신할 수 있다. 제1 전극(EL1)은 복수의 화소 정의막(PDL)들 사이에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 제1 전극(EL1) 상에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 유기층(OL)은 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치될 수 있다.
발광소자(EE)를 구성하는 제1 전극(EL1), 및 제2 전극(EL2)은 도전성을 가질 수 있다. 제1 전극(EL1), 및 제2 전극(EL2)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathod)일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 일 실시예의 발광소자(EE)에서 제1 전극(EL1), 및 제2 전극(EL2)은 각각 반사형 전극, 투과형 전극, 또는 반투과형 전극일 수 있다. 일 실시예에서, 발광소자(EE)의 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
유기층(OL)은 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 정공 수송 영역은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있다. 전자 수송 영역은 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함할 수 있다. 한편, 유기층(OL)은 적어도 하나의 발광층 및 전하생성층(Charge Generation Layer)을 더 포함할 수 있다.
발광층은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예의 표시패널(DP)이 유기 전계 발광 표시 패널인 경우 유기층(OL)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
표시패널(DP)이 유기 전계 발광 표시 패널인 경우 유기층(OL)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 구체적으로, 유기층(OL)의 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어 발광층은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TcTa(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
또한, 발광층은 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 발광층이 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 경우, 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, 또는 I-III-VI족 화합물, 또는이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS , ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS3, InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP , InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 반도체 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다(예를 들어, InZnP 등).
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
상기 I-III-VI족 반도체 화합물 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 발광층은 소스광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 표시패널(DP)이 유기 전계 발광 표시 패널인 경우 발광층은 블루광을 발광하는 유기 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
한편, 유기층(OL)은 서로 이웃한 복수의 발광소자들(EE) 전체에서 공통층으로 제공되는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 회로층(CL) 상에 서로 이격된 상태로 패터닝되어 제공되는 것과 달리 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역 각각은 패터닝되지 않고 복수의 발광소자들(EE) 전체에서 연장되어 배치될 수 있다.
그러나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역 중 적어도 하나의 층은 각각의 발광소자(EE)에 패터닝 되어 형성될 수도 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 발광소자들(EE)을 커버하는 것일 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 직접 배치될 수 있다. 발광소자(EE)가 캡핑층을 더 포함하는 경우 박막 봉지층(TFE)은 캡핑층 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 박막 봉지층(TFE)은 2개의 무기층과 그 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있다. 또는, 박막 봉지층(TFE)은 교번하게 적층된 복수의 무기층 및 복수의 유기층들을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)에서, 무기층은 수분 및 산소로부터 복수의 발광소자들(EE)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자들(EE)을 보호할 수 있다.
일 실시예의 제1 기판(100)은 버퍼층(BFL)을 더 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 외부의 충격이나 불순물으로부터 제1 기판(100)을 보호할 수 있다.
일 실시예의 제2 기판(200)은 제1 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예의 제2 기판(200)은 제2 베이스기판(BS2) 및 제2 베이스기판(BS2) 상에 배치된 제1 분할패턴(BM1), 제2 분할패턴(BM2), 제3 분할패턴(BM3), 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B), 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCFB)를 포함할 수 있다.
또한, 제2 기판(200)은 봉지층(ENL)을 더 포함할 수 있다. 도 4의 표시패널(DP)에서는 제1 기판(100)에 접촉하는 봉지층(ENL)만을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제2 기판(200)의 각 구성을 밀봉하는 복수의 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지층(ENL)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 봉지층(ENL)은 유기물 또는 무기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 봉지층(ENL)은 단층 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.
제2 베이스기판(BS2)의 하면에 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B)이 배치될 수 있다. 광제어부들(CCF-R, CCF-G, CCF-B)은 소스광을 흡수 또는 투과시키는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 소스광은 제3 색광일 수 있다. 이하, 소스광은 제3 색광으로 설명한다.
제1 광제어부(CCF-R)는 제3 색광을 흡수하여 제1 색광을 방출할 수 있다. 제2 광제어부(CCF-G)는 제3 색광을 흡수하여 제2 광을 방출할 수 있다. 제3 광제어부(CCF-B)는 제3 색광을 투과시킬 수 있다. 실시예가 이에 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 제1 색광은 600nm 이상 670nm 이하의 중심 파장을 갖는 레드광일 수 있다. 제2 색광은 500nm 이상 580nm 이하의 중심 파장을 갖는 녹색광일 수 있다. 제3 색광은 420nm 이상 480nm 이하의 중심 파장을 갖는 블루광일 수 있다.
제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B)는 제1 화소영역(PXA-B), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-R)에 각각 대응하게 배치되며, 제1 화소영역(PXA-B), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-R) 각각과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
제1 광제어부(CCF-R)는 베이스 수지, 제1 양자점(QD1), 및 산란입자(SC)를 포함할 수 있다. 제1 양자점(QD1), 및 산란입자(SC)는 베이스 수지에 분산된 것일 수 있다. 산란입자(SC)는 TiO2　또는 실리카계 나노　입자일 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
산란입자(SC)는 광을 산란시킬 수 있다. 예를 들어, 산란입자(SC)는 표시패널(DP) 내부의 제1 색광 내제 제3 색광을 산란시킬 수 있다. 또한, 산란입자(SC)는 외부에서 표시패널(DP)로 입사한 광을 산란시킬 수 있다.
제1 양자점(QD1)은 제3 색광을 흡수하여 제1 색광을 방출할 수 있다. 제1 양자점(QD1)에 대해서는 상술한 발광층에 포함되는 양자점에 대한 설명과 동일한 설명이 적용될 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
제2 광제어부(CCF-G)는 베이스 수지, 제2 양자점(QD2), 및 산란입자(SC)를 포함할 수 있다. 제2 양자점(QD2), 및 산란입자(SC)는 베이스 수지에 분산된 것일 수 있다. 제2 양자점(QD2)은 제3 색광을 흡수하여 제2 색광을 방출할 수 있다. 제2 양자점(QD2)에 대해서는 상술한 발광층에 포함되는 양자점에 대한 설명과 동일한 설명이 적용될 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
제3 광제어부(CCF-B)는 베이스수지 및 산란입자(SC)를 포함할 수 있다. 제3 광제어부(CCF-B)는 양자점을 비포함하므로 복수의 발광소자들(EE)에서 방출되는 제3 색광을 그대로 투과시킬 수 있다.
제2 베이스기판(BS2)의 하면에 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)가 배치될 수 있다. 제2 베이스기판(BS2) 및 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 사이에 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)가 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 제1 화소영역(PXA-B), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-R)에 각각 대응하게 배치되며, 제1 화소영역(PXA-B), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-R) 각각과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 서로 다른 파장대를 흡수하는 안료 및/또는 염료를 포함한다. 제1 컬러필터(CF-R)는 레드 컬러 필터이고, 제2 컬러필터(CF-G)는 그린 컬러 필터이고, 제3 컬러필터(CF-B)는 블루 컬러 필터일 수 있다.
제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 외부 광의 반사율을 낮춘다. 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 각각은 특정한 파장범위의 광을 투과시키고, 해당 파장범위 외의 광은 차단시킨다.
도 4를 참조하면 일 실시예의 표시패널(DP)은 제1 분할패턴(BM1), 제2 분할패턴(BM2), 및 제3 분할패턴(BM3)을 포함할 수 있다.
제1 분할패턴(BM1)은 제2 베이스기판(BS2)의 하면에 직접 형성될 수 있다. 제1 분할패턴(BM1)은 제3 컬러필터(CF-B)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 분할패턴(BM1)은 청색 물질을 포함할 수 있으며, 청색 안료 또는 청색 염료 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 분할패턴(BM1)은 제3 컬러필터(CF-B)와 일체의 형상을 가지는 것일 수 있다.
제1 분할패턴(BM1)은 주변영역(NPXA)에 중첩하게 배치되는 제1 패턴(BM1-1) 및 제1, 제2 화소영역(PXA-R, PXA-G)에 중첩하게 배치되는 제2 패턴(BM1-2)을 포함한다. 제2 패턴(BM1-2)은 각각 1개 또는 복수개 배치될 수 있다.
이하, 일 예시로 복수의 제1 패턴들(BM1-1) 및 복수의 제2 패턴들(BM1-2)을 기준으로 설명한다.
제2 패턴들(BM1-2)은 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)에 중첩하게 배치되고, 각 화소 영역 내에서 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다. 즉, 제2 패턴들(BM1-2)은 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)의 일부에 중첩하고, 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)의 일부는 노출시키는 것일 수 있다.
도면에서는 2개의 제2 패턴들(BM1-2)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 1개 또는 3개 이상의 제2 패턴들(BM1-2)이 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G) 각각에 배치될 수 있다.
제1 패턴(BM1-1) 및 제2 패턴(BM1-2)은 표시패널(DP)에서 배치되는 위치만 서로 상이할 뿐, 동일한 물질을 포함하는 것일 수 있다.
제2 분할패턴(BM2)은 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 직접 형성될 수 있다. 제2 분할패턴(BM2)은 제1 분할패턴(BM1)의 하면 상에 배치되는 것일 수 있다.
제2 분할패턴(BM2)은 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 분할패턴(BM2)은 검정색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 분할패턴(BM2)은 검정색 염료, 검정색 안료를 포함할 수 있다. 검정색 물질은 카본 블랙(Carbon black), 크롬(Cr)과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
제2 분할패턴(BM2)은 복수의 제1 부분들(BM2-1) 및 복수의 제2 부분들(BM2-2)을 포함한다. 제1 부분들(BM2-1)은 주변영역(NPXA)에 중첩하게 배치되는 것일 수 있다. 즉, 제1 부분들(BM2-1)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩하지 않게 배치될 수 있다.
제2 부분들(BM2-2)은 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하게 배치되고, 제3 화소영역(PXA-B) 내에서 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다. 즉, 제2 부분들(BM2-2)은 제3 화소영역(PXA-B)의 일부에 중첩하고, 제2 화소영역(PXA-B)의 일부는 노출시키는 것일 수 있다.
제1 부분(BM2-1) 및 제2 부분(BM2-2)은 표시패널(DP)에서 배치되는 위치만 상이할 뿐, 동일한 물질을 포함하는 것일 수 있다.
제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에는 제3 분할패턴(BM3)이 배치될 수 있다. 제3 분할패턴(BM3)은 제2 분할패턴(BM2)의 하면 상에 배치되는 것일 수 있다. 제3 분할패턴(BM3)은 주변영역(NPXA)에 중첩할 수 있다.
제3 분할패턴(BM3)은 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 분할패턴(BM3)은 검정색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 분할패턴(BM3)은 검정색 염료, 검정색 안료를 포함할 수 있다. 검정색 물질은 카본 블랙(Carbon black), 크롬(Cr)과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
제3 분할패턴(BM3)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 사이에 배치되는 것일 수 있다. 제3 분할패턴(BM3)은 차광 물질을 포함하여, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에서 산란된 광이 인접한 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)으로 입사하는 것을 차단할 수 있다. 즉, 제3 분할패턴(BM3)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에서 산란된 광의 혼색을 방지할 수 있다.
제1 화소영역(PXA-R)을 참조하면, 복수의 제2 패턴들(BM1-2)이 제1 화소영역(PXA-R) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 제1 금속패턴들(MP1)이 제1 화소영역(PXA-R) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제2 패턴(BM1-2), 제1 컬러필터(CF-R), 및 제1 금속패턴(MP1)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 금속패턴(MP1)은 제2 패턴(BM1-2)과 중첩하게 배치될 수 있다.
일 실시예의 표시패널(DP)은, 제1 화소영역(PXA-R)에 중첩하게 배치되는 제2 패턴(BM1-2) 및 제1 금속패턴(MP1)을 포함하여, 제1 화소영역(PXA-R)의 개구율을 감소시킬 수 있다. 본 명세서에서 개구율은, 별도의 정의가 없는 한, 단면 상에서 제1 분할패턴들(BM1) 사이의 이격거리에 비례할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소영역(PXA-R)은 2개의 제1 패턴들(BM1-1) 사이에 복수의 제2 패턴들(BM1-2)이 이격 배치되어, 제1 패턴들(BM1-1)만 배치되는 경우에 비해 개구율이 감소될 수 있다.
제1 화소영역(PXA-R)의 개구율이 감소할 경우, 외광이 제1 광제어부(CCF-R)로 입사할 수 있는 영역이 감소하고, 외광이 산란입자(SC)에 의해 반사되는 반사율을 저감시킬 수 있다. 또한, 제1 화소영역(PXA-R) 내에서 제2 패턴(BM1-2)을 향해 입사되는 광은 제1 금속패턴(MP1)에 의해 반사되고 제1 양자점(QD1) 및 산란입자(SC)에 의해 제1 색광으로 변환되어 표시패널(DP) 밖으로 출광될 수 있다.
따라서, 일 실시예의 표시패널(DP)은 제2 패턴(BM1-2) 및 제2 패턴(BM1-2)을 포함하여 외광의 반사율은 감소시키면서, 제1 화소영역(PXA-R) 내부의 발광 효율은 유지할 수 있다.
제2 화소영역(PXA-G)을 참조하면, 복수의 제2 패턴들(BM1-2)이 제2 화소영역(PXA-G) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 제1 금속패턴들(MP1)이 제2 화소영역(PXA-G) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제2 패턴(BM1-2), 제2 컬러필터(CF-G), 및 제1 금속패턴(MP1)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 금속패턴(MP1)은 제2 패턴(BM1-2)과 중첩하게 배치될 수 있다.
제1 화소영역(PXA-R)에서 전술한 바와 마찬가지로, 일 실시예의 표시패널(DP)은 제2 화소영역(PXA-G)에 중첩하게 배치되는 제2 패턴(BM1-2) 및 제1 금속패턴(MP1)을 포함하여, 외광의 반사율은 감소시키면서 제2 화소영역(PXA-G)의 발광 효율은 유지할 수 있다.
제3 화소영역(PXA-B)을 참조하면, 복수의 제2 부분들(BM2-2)이 제3 화소영역(PXA-B) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 제1 금속패턴들(MP1)이 제3 화소영역(PXA-B) 내에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제3 컬러필터(CF-B)가 제1 분할패턴(BM1)과 일체의 형상을 가지기 때문에, 제1 및 제2 화소영역(PXA-R, PXA-G)과 달리, 제3 화소영역(PXA-B)은 제2 부분(BM2-2)을 포함하여 개구율을 감소시킬 수 있다. 제3 화소영역(PXA-B)에서 개구율은 제2 분할패턴들(BM2) 사이의 이격거리에 비례할 수 있다. 예를 들어, 제3 화소영역(PXA-B)은 2개의 제1 부분들(BM2-1) 사이에 2개의 제2 부분들(BM2-2)이 이격 배치되어, 2개의 제1 부분들(BM2-1)만 배치되는 경우에 비해 개구율이 감소될 수 있다.
또한, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제3 컬러필터(CF-B), 제2 부분(BM2-2), 및 제1 금속패턴(MP1)이 순서대로 배치될 수 있다. 제1 금속패턴(MP1)은 제2 부분(BM2-2)과 중첩하게 배치될 수 있다.
제1 및 제2 화소영역(PXA-R, PXA-G)에서 전술한 바와 같이, 일 실시예의 표시패널(DP)은 제3 화소영역(PXA-B)에 제2 부분(BM2-2) 및 제1 금속패턴(MP1)을 포함하여, 외광 반사율을 감소시키고 제3 화소영역(PXA-B)의 발광 효율은 유지할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시영역(DA-1)의 평면도이다. 도 6은 도 5에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다. 도 1a 내지 도 4와 동일한 구성에는 동일한 설명이 적용될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 평면 상에서 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 내부에는 제2 금속패턴(MP2)이 배치될 수 있다. 제2 금속패턴(MP2)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 따라 주변영역(NPXA)에 인접하게 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에는 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B) 및 제2 금속패턴(MP2)이 순서대로 적층될 수 있다.
제2 금속패턴(MP2)에는 각각 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 내지 제3 개구부(OP1, OP2, OP3)가 정의될 수 있다.
구체적으로, 제1 화소영역(PXA-R)을 참조하면, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제1 컬러필터(CF-R) 및 제2 금속패턴(MP2)이 순서대로 배치될 수 있다. 제2 금속패턴(MP2)에는 제1 컬러필터(CF-R)의 하면의 일부를 노출시키는 제1 개구부(OP1)가 정의될 수 있다.
제2 화소영역(PXA-G)을 참조하면, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제2 컬러필터(CF-G) 및 제2 금속패턴(MP2)이 순서대로 배치될 수 있다 제2 금속패턴(MP2)에는 제2 컬러필터(CF-G)의 하면의 일부를 노출시키는 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다.
제3 화소영역(PXA-B)을 참조하면, 제2 베이스기판(BS2)의 하면 상에 제3 컬러필터(CF-B) 및 제2 금속패턴(MP2)이 순서대로 배치될 수 있다 제2 금속패턴(MP2)에는 제3 컬러필터(CF-B)의 하면의 일부를 노출시키는 제3 개구부(OP3)가 정의될 수 있다.
제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 제2 금속패턴(MP2)을 포함하여, 각 화소영역의 개구부가 각각 제1 내지 제3 개구부(OP1, OP2, OP3)로 감소할 수 있다. 이에 따라, 외광이 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B)로 입사할 수 있는 영역이 감소할 수 있다.
제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 내부의 광이 제2 금속패턴(MP2)으로 입사할 경우, 다시 반사되어 제1 양자점(QD1), 제2 양자점(QD2), 또는 산란입자(SC)에 의해 제1 내지 제3 색광으로 출광될 수 있다.
이에 따라, 일 실시예의 표시패널(DP-1)은 제2 금속패턴(MP2)을 포함하여 외광의 반사율을 감소시키고, 표시패널 내부의 발광효율은 유지할 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시영역(DA-2)의 평면도이다. 도 8은 도 7에 도시된 I-I'에 대한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에는 금속패턴(MP)이 배치될 수 있다. 금속패턴(MP)은 제1 금속패턴(MP1, 도 3 참조) 및 제2 금속패턴(MP2, 도 5 참조)을 포함하는 것일 수 있다.
도 8을 참조하면, 일 실시예의 표시패널(DP-2)에서 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에는 각각 제1 금속패턴(MP1) 및 제2 금속패턴(MP2)이 중첩하게 배치될 수 있다.
도 8의 표시패널(DP-2)은 도 4의 표시패널(DP) 및 도 6의 표시패널(DP-1)에서 설명한 제1 금속패턴(MP1), 제2 금속패턴(MP2), 제2 패턴(BM1-2) 및 제2 부분(BM2-2)을 포함하여, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 개구부를 감소시키고, 외광의 반사율은 감소시키며, 표시패널 내부의 발광효율은 유지할 수 있다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 표시패널(DP-3)의 단면도이다.
일 실시예에의 표시패널(DP-3)에서, 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 및 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 제1 기판(100) 상에 연속공정으로 형성된 것일 수 있다
제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에는 복수의 차광패턴들(SP)이 중첩하게 배치된다. 예를 들어, 복수의 차광패턴들(SP)은 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 및 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 복수의 차광패턴들(SP)은 서로 이격되어 배치된다.
복수의 차광패턴들(SP) 각각은 차광 물질을 포함하는 제1 차광패턴(SP1) 및 금속을 포함하는 제2 차광패턴(SP2)을 포함한다. 제2 차광패턴(SP2) 상에 제1 차광패턴(SP1)이 배치된다.
제1 차광패턴(SP1)은 청색 물질 및 검정색 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 차광패턴(SP1)이 청색 물질을 포함할 경우, 전술한 제2 패턴(BM1-2)에 대한 설명이 제1 차광패턴(SP1)에 동일하게 적용될 수 있다. 또는 제1 차광패턴(SP1)이 검정색 물질을 포함할 경우, 전술한 제2 부분(BM2-2)에 대한 설명이 제1 차광패턴(SP1)에 동일하게 적용될 수 있다.
제1 차광패턴(SP1)은 전술한 제2 패턴(BM1-2, 도 4) 또는 제2 부분(BM2-2, 도 4)과 같이, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 개구부를 감소시키고 외광의 반사율을 감소시키는 역할을 하는 것일 수 있다.
제2 차광패턴(SP2)에는 전술한 제1 금속패턴(MP1, 도 4)과 동일한 설명이 적용될 수 있다. 제1 내지 제3 광제어부(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 내부의 광이 제1 차광패턴(SP1)을 향해 입사하더라도, 제2 차광패턴(SP2)에서 반사되어 표시패널(DP-3) 밖으로 출광될 수 있다.
따라서, 일 실시예의 표시패널(DP-3)은 복수의 차광패턴들(SP)을 포함하여 외광의 반사율을 감소시키고 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 발광 효율은 유지할 수 있다.
한편 도 9의 표시패널(DP-3)에서 제1 분할패턴(BM1) 및 제2 분할패턴(BM2)은 서로 상이한 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제1 분할패턴(BM1) 및 제2 분할패턴(BM2) 일체의 형상을 가지고, 검정색 물질을 포함하는 것일 수 도 있다.
도 6에서 전술한 제2 금속패턴(MP2)은 도 9에 도시되지 않았으나, 필요에 따라 차광패턴들(SP)과 함께 적용될 수 있다. 이외의 구성에는 도 1a 내지 도 8에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
도 10, 11, 12, 및 13은 다른 일 실시예에 따른 표시영역(DA-3, DA-4, DA-5, DA-6)의 평면도이다.
제1 금속패턴(MP1, 도 3, 4, 7, 8 참조) 및 제2 금속패턴(MP2, 도 5 내지 도 8 참조)의 형상은 전술한 도 3 내지 도 9의 실시예에 제한되지 않고, 다양한 형상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 금속패턴(MP1)의 크기는 다양하게 조절될 수 있다.
도 3 및 도 10을 함께 참조하면, 도 10의 금속패턴(MP-1)은 도 3의 제1 금속패턴(MP1)과 같이 정사각형상을 가지면서, 크기가 증가할 수 있다. 도 10에서는 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 2개의 금속패턴(MP-1)이 배치된 것을 도시하였으나, 금속패턴(MP-1)의 개수는 제한되지 않고 1개 또는 복수개 배치될 수 있다.
도 3 및 도 11을 함께 참조하면, 도 11의 금속패턴(MP-2)은 제1 금속패턴(MP1)과 같이 정사각형상을 가지면서, 크기가 감소할 수 있다. 도 11에서는 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 6개의 금속패턴(MP-2)이 배치된 것을 도시하였으나, 금속패턴(MP-2)의 개수는 제한되지 않고 1개 또는 복수개 배치될 수 있다.
도 12를 참조하면, 금속패턴(MP-3)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 전면에 배치되는 그물형상(또는 메쉬형상)을 가질 수 있다. 예를 들어, 금속패턴(MP-3)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 중심에 1개의 중심열이 배치되고, 상기 중심열에서 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 복수개의 행을 가질 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고, 금속패턴(MP-3)은 복수개의 중심열과 복수개의 행을 가지는 형상을 포함할 수 있다.
도 13을 참조하면, 금속패턴(MP-4)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 전면에 배치되는 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 금속패턴(MP-4)은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 전면에 배치되는 복수개의 행을 포함할 수 있다.
그러나 실시예는 이에 제한되지 않고, 금속패턴은 복수개의 열을 가지는 형상을 포함할 수도 있다.
도 10 내지 도 13에 예시적으로 도시한 바와 같이, 금속패턴(MP-1, MP-2, MP-3, MP-4)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 패턴(BM1-2, 도 4 참조) 및 제2 부분(BM2-2, 도 4 참조)과 같이, 차광 패턴이 금속패턴(MP-1, MP-2, MP-3)에 중첩하게 배치될 수 있다.
하기 표 1은 표시패널의 개구율 감소에 따른 외광의 반사율 및 발광 효율을 평가한 것이다.
실시예 1은 도 5 및 도 6에 도시된 일 실시예의 표시패널(DA-1)이다. 실시예 2는 도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예의 표시패널(DA-2)이다.
비교예 1 및 2는 화소영역에 별도의 금속패턴 또는 차광패턴이 배치되지 않은 종래의 표시패널이다.
발광효율은 표시패널의 발광효율이며, 비교예 2의 발광효율을 100%로 기준하여 기재하였다. SCI(specular component included) 및 SCE(specular component excluded)는 표시패널로 입사하는 외광의 반사율이며, 비교예 2의 반사율을 100%로 기준하여 기재하였다.
구분 실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2
개구율(%) 34.6 34.3 47.6 34.3
발광 효율(%) 108.0 90.5 127.7 100
SCI / SCE(%) 96.9/98.6 85.2/79.2 131.3/148.6 100/100
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1의 표시패널은 비교예 1에 비해 개구율이 47.6%에서 34.6%로 감소하였다. 개구율이 감소함에 따라, 실시예 1은 비교예 1에 비해 발광 효율이 127.7%에서 108.0%로 감소하였다. 외광의 반사율은 SCI 기준 131.3%에서 96.9%로 감소하였고, 외광의 반사율은 SCE 기준 148.6%에서 98.6%로 감소하였다.실시예 1은 개구율이 감소함에 따라, 발광효율이 비교예 1의 발광 효율의 15.4%로 감소하였으나, 외광의 반사율은 비교예 1의 반사율의 33.6%(SCE 기준)로 감소하여, 외광의 반사율이 발광효율보다 더 큰 폭으로 감소한 것을 확인할 수 있다.
실시예 1 및 비교예 2를 비교하면, 개구율이 비교예 1의 개구율에 비해 34.6%와 34.3%로 유사하게 감소하였으나, 금속 패턴을 포함하는 실시예 1은 발광효율이 108%로 비교예 2보다 더 높고, 반사율은 96.9%/98.6%로 비교예 2보다 더 낮은 것을 확인할 수 있다.
실시예 2의 표시패널은 비교예 1에 비해 개구율이 47.6%에서 34.3%로 감소하였다. 개구율이 감소함에 따라, 실시예 2는 비교예 1에 비해 발광 효율이 127.7%에서 90.5%로 감소하였다. 외광의 반사율은 SCI 기준 131.3%에서 85.2%로 감소하였고, SCE 기준 148.6%에서 79.2%로 감소하였다.
실시예 2는 개구율이 감소함에 따라, 발광효율이 비교예 1의 발광 효율의 29.1%로 감소하였으나, 외광의 반사율은 비교예 1의 반사율의 46.7%(SCE 기준)로 감소하여, 반사율이 발광효율보다 더 큰 폭으로 감소한 것을 확인할 수 있다.
실시예 2 및 비교예 2를 비교하면, 개구율은 비교예 1의 개구율에 비해 34.3%로 동일하게 감소하였다. 금속 패턴을 포함하는 실시예 2는 발광효율이 90.5%로 비교예 2보다 약 10% 정도 낮으나, 반사율은 SCE 기준 79.2%로 비교예 2보다 20% 이상 낮은 것을 확인할 수 있다.
표 1에 따르면, 실시예 1 및 2의 표시패널은, 화소영역에 중첩하는 금속 패턴을 포함하지 않고 개구율이 감소한 비교예 1 및 비교예 2의 표시패널에 비해, 발광 효율은 양호하게 유지하면서 외광의 반사율은 큰 폭으로 감소시킬 수 있다.
일 실시예의 표시패널은 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩하게 배치된 분할패턴들(BM1, BM2) 또는 제1 차광패턴(SP1)을 포함하여, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 개구부를 감소시키고 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩하게 배치된 금속패턴들(MP1, MP2) 또는 제2 차광패턴(SP2)을 포함하여, 제1 내지 제3 화소영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 발광 효율을 양호하게 유지시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP, DP-1, DP-2, DP-3: 표시패널
DA, DA-1, DA-2, DA-3, DA-4, DA-5: 표시영역
NDA: 비표시영역
100: 하부 표시기판
200, 200-1, 200-2: 상부 표시기판
MP: 금속패턴
MP1: 제1 금속패턴
MP2: 제2 금속패턴
SP: 차광패턴
SP1: 제1 차광패턴
SP2: 제2 차광패턴
CCF-R: 제1 광제어부
CCF-G: 제2 광제어부
CCF-B: 제3 광제어부
CF-R: 제1 컬러필터
CF-G: 제2 컬러필터
CF-B: 제3 컬러필터
BM1: 제1 분할패턴
BM2: 제2 분할패턴
BM3: 제3 분할패턴
BM1-1: 제1 패턴
BM1-2: 제2 패턴
BM2-1: 제1 부분
BM2-2: 제2 부분

Claims (20)

  1. 소스광을 생성하는 복수의 발광소자들을 포함하는 하부 표시기판; 및
    제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판;을 포함하고,
    상기 상부 표시기판은,
    베이스기판;
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하는 제1 패턴, 및 상기 제1 및 제2 화소영역에 중첩하는 제2 패턴을 포함하는 제1 분할패턴;
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 컬러필터, 제2 컬러필터, 및 제3 컬러필터; 및
    상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부; 를 포함하는 표시패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 분할패턴은 상기 소스광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터와 일체의 형상을 갖는 표시패널.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하는 제1 부분 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 제2 부분을 포함하는 제2 분할패턴을 더 포함하는 표시패널.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 분할패턴은 검정색 물질을 포함하는 표시패널.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 분할패턴은 상기 제2 분할패턴보다 상기 베이스기판에 더 인접한 표시패널.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 각각 상기 제2 패턴 및 상기 제2 부분 중 어느 하나에 중첩하는 제1 금속패턴을 더 포함하는 표시패널.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 금속패턴은 사각형상 또는 그물형상을 가지는 표시패널.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 인접하며, 각각 상기 제1 내지 제3 컬러필터를 각각 노출시키는 제1 내지 제3 개구부가 정의된 복수의 제2 금속패턴들을 포함하는 표시패널.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 중첩하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 금속패턴들을 포함하는 표시패널.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스기판의 하면 상에 배치되며 상기 주변영역에 중첩하고, 상기 제1 내지 제3 광제어부 각각의 사이에 배치되는 제3 분할패턴을 더 포함하는 표시패널.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 분할패턴은 검정색 물질을 포함하는 표시패널.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 소스광은 제3 색광이고,
    상기 제1 광제어부는 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 광제어부는 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 광제어부는 상기 제3 색광을 투과시키고,
    상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시키는 표시패널.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 소스광은 블루광인 표시패널.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 소스광을 생성하는 발광층을 포함하는 유기층, 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 표시패널.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자들은 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역 각각에 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 발광소자를 포함하고,
    상기 제1, 제2 및 제3 발광소자의 발광층은 일체의 형상을 갖는 표시패널.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 광제어부는 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 광제어부는 상기 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고,
    상기 제1 양자점의 평균 크기는 상기 제2 양자점의 평균 크기보다 큰 표시패널.
  17. 소스광을 생성하는 복수의 발광소자들을 포함하고, 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역과 상기 제1 내지 제3 화소영역에 인접한 주변영역이 정의된 베이스기판;
    상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부;
    상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 컬러필터, 제2 컬러필터, 및 제3 컬러필터; 및
    상기 베이스기판 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소영역에 중첩하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 차광패턴들; 을 포함하고,
    상기 복수의 차광패턴들 각각은 차광 물질을 포함하는 제1 차광패턴 및 금속을 포함하는 제2 차광패턴을 포함하는 표시패널.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 소스광은 제3 색광이고,
    상기 제1 광제어부는 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 광제어부는 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 광제어부는 상기 제3 색광을 투과시키고,
    상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시키는 표시패널.
  19. 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역에 각각 중첩하게 배치된 제1 광제어부, 제2 광제어부, 및 제3 광제어부;
    상기 제1 광제어부에 중첩하는 제1 컬러필터, 상기 제2 광제어부에 중첩하는 제2 컬러필터, 및 상기 제3 광제어부에 중첩하는 제3 컬러필터; 및
    상기 제1 내지 제3 광제어부에 중첩하고, 서로 이격되어 배치된 복수의 차광패턴들; 을 포함하고,
    상기 복수의 차광패턴들 각각은 차광 물질을 포함하는 제1 차광패턴 및 금속을 포함하는 제2 차광패턴을 포함하며,
    상기 제1 화소영역에는 제1 발광소자가 배치되고, 상기 제2 화소역에는 제2 발광소자가 배치되고, 상기 제3 화소영역에는 제3 발광소자가 배치되고,
    상기 제1 발광소자 내지 상기 제3 발광소자는 소스광을 방출하며,
    상기 제1 화소영역 내지 상기 제3 화소영역에 인접한 주변영역이 정의되는 표시패널.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 소스광은 블루광이고,
    상기 제1 차광패턴은 청색 물질 및 검정색 물질 중 적어도 하나를 포함하는 표시패널.
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