CN112002730A - 显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 25
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 24
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
显示面板包括:上显示基板,包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域;以及下显示基板,面对上显示基板以发射第一颜色光,该下显示基板包括分别与像素区域重叠的多个显示元件。显示区域包括多个像素区域以及与像素区域相邻的遮光区域。上显示基板包括:基底基板;第一光控制层,在基底基板上以控制第一颜色光;封盖层,包括与显示区域重叠并且在第一光控制层上的吸收部分、以及与遮光区域重叠并且在基底基板的厚度方向上从吸收部分突出的阻挡部分;以及第二光控制层,在阻挡部分上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月27日提交的韩国专利申请第10-2019-0061836号的优先权和权益,其全部内容通过引用被并入本文。
技术领域
本文中本公开的实施例涉及显示设备,并且例如涉及包括光控制层的显示面板。
背景技术
正在开发用于诸如电视、移动电话、台式计算机、导航设备和游戏机的多媒体装置中的各种显示设备。显示设备包括选择性地透射从光源产生的源光的透射式显示面板、以及在显示面板自身中产生源光的发射式显示面板。
显示面板包括接收从光源发射的光以改变所接收的光的特性的光控制层。可能从产生高热的腔室或高温高湿环境下的光控制层产生气体。
发明内容
本公开提供了一种包括封盖层的显示面板,该封盖层防止或减少气体渗透到两个显示基板之间的内部空间中,该气体从光控制层产生。
本公开的实施例可以是一种显示面板,包括:上显示基板,包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域,其中显示区域包括多个像素区域和与多个像素区域相邻的遮光区域;以及下显示基板,面对上显示基板以发射第一颜色光,该下显示基板包括分别与多个像素区域重叠的多个显示元件,其中该上显示基板包括:基底基板;第一光控制层,在基底基板上以控制第一颜色光;封盖层,包括与显示区域重叠并且在第一光控制层上的吸收部分、以及与遮光区域重叠并且在基底基板的厚度方向上从吸收部分突出的阻挡部分;以及第二光控制层,在阻挡部分上。
在实施例中,显示面板可以进一步包括在第一光控制层与封盖层之间的子封盖层,其中子封盖层完全覆盖第一光控制层。
在实施例中,封盖层可以直接在子封盖层上。
在实施例中,子封盖层可以包括无机材料,并且封盖层可以包括有机材料。
在实施例中,吸收部分可以具有比子封盖层在厚度方向上的厚度更大的厚度。
在实施例中,多个像素区域可以包括在一个方向上布置的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,并且第一光控制层可以包括:第一转换部分,与第一像素区域重叠,并且被配置为转换第一颜色光以便发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光;第二转换部分,与第二像素区域重叠,并且被配置为转换第一颜色光以便发射不同于第二颜色光的第三颜色光;以及透射部分,与第三像素区域重叠,并且被配置为透射第一颜色光。
在实施例中,吸收部分可以包括:第一吸收部分,与遮光区域重叠,并且在第一转换部分与第二转换部分之间,在第二转换部分与透射部分之间,并且在第一转换部分与透射部分之间;以及第二吸收部分,与显示区域重叠,该第二吸收部分被配置为覆盖第一吸收部分并且在第一光控制层上,其中阻挡部分可以从第二吸收部分突出。
在实施例中,阻挡部分可以具有比第二吸收部分在厚度方向上的厚度更大的厚度。
在实施例中,阻挡部分可以与下显示基板间隔开预定的距离。
在实施例中,第二光控制层可以是被配置为反射第一颜色光的包括金属材料的反射层。
在实施例中,反射层可以在阻挡部分的整个外表面上。
在实施例中,阻挡部分可以包括:第一外表面和第二外表面,彼此面对并连接到吸收部分;以及底表面,被配置为将第一外表面连接到第二外表面,并且反射层可以在第一外表面和第二外表面上。
在实施例中,阻挡部分的底表面可以从第二光控制层中暴露,以面对下显示基板。
在实施例中,第二光控制层的至少一部分可以接触下显示基板。
在实施例中,下显示基板可以包括:下基底基板;显示元件层,在下基底基板上,并且包括显示元件;以及覆盖层,被配置为覆盖显示元件层,其中第二光控制层可以接触覆盖层。
在实施例中,第二光控制层可以是被配置为吸收第一颜色光的遮光层。
在实施例中,遮光层可以在阻挡部分的整个外表面上。
在实施例中,显示面板可以进一步包括在基底基板与第一光控制层之间的滤色器层。
在实施例中,多个像素区域可以包括在一个方向上布置的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,并且滤色器层可以包括:第一滤色器,与第一像素区域重叠,并且被配置为透射不同于第一颜色光的第二颜色光;第二滤色器,与第二像素区域重叠,并且被配置为透射不同于第二颜色光的第三颜色光;以及第三滤色器,与第三像素区域重叠,并且被配置为透射第一颜色光,其中第三滤色器可以包括与第三像素区域重叠的滤光器部分以及与遮光区域重叠的遮光部分。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:粘合构件,与非显示区域重叠,并且在上显示基板与下显示基板之间以与上显示基板和下显示基板一起限定内部空间,其中显示面板可以进一步包括在内部空间中的填充物。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的实施例的进一步理解,并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例性实施例,并且与描述一起用于解释本公开的一些实施例的原理。在附图中:
图1是根据本公开的实施例的显示面板的透视图;
图2是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图;
图3是根据本公开的实施例的显示面板的平面图;
图4A是示出根据本公开的实施例的显示面板的显示区域的像素区域的平面图;
图4B是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图,该剖视图示出了像素区域的一部分;
图5是根据本公开的实施例的上显示基板的剖视图;
图6A是示出根据本公开的实施例的上显示基板的层叠结构的平面图;
图6B是示出根据本公开的实施例的上显示基板的层叠结构的平面图;
图6C是示出根据本公开的实施例的光控制层的光特性的示意图;
图7是根据本公开的实施例的上显示基板的阻挡层的透视图;
图8是根据本公开的实施例的上显示基板的剖视图;
图9A是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图;
图9B是根据本公开的另一实施例的上显示基板的阻挡层的透视图;
图10是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图;以及
图11和图12是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图。
具体实施方式
在本说明书中,将理解,当一个部件(或区域、层、部分)被称为在另一部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一部件时,这个部件可以直接在另一部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一部件,或者也可以存在一个或多个中间的第三部件。
在全文中,相同的附图标记指代相同的元件。另外,在附图中,为了图示的清楚,可能会夸大部件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有的组合。
将理解,尽管本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开来。例如,在不脱离所附权利要求的范围的情况下,在一个实施例中被称为第一元件的元件在另一实施例中可以被称为第二元件。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外,诸如“在……下面”、“在……下方”、在……上面”、“在……上方”等术语被用于解释附图中示出的部件的关系,并且这些部件不应受这些术语限制。这些术语可以是相对概念,并且可以基于附图中所表达的方向来描述。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本公开的主题所属的技术领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。而且,诸如在常用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于正式的意义来加以解释,除非本文中明确地如此定义。
“包括”或“包含”的含义指定属性、固定数量、步骤、操作、元件、部件或其组合,但并不排除其他属性、固定数量、步骤、操作、元件、部件或其组合。
在下文中,将参考附图来描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的实施例的显示面板的透视图。图2是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图。
根据本公开的实施例的显示面板DP可被应用于诸如监视器或外部广告牌的大型电子设备、以及诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑和照相机的中小型(例如,中小尺寸)电子设备。然而,显示面板DP的应用并不限于本文中的上述设备,并且除非背离本公开的精神和范围,否则显示面板DP可以被用于其他电子装置。
根据本公开的实施例,显示面板DP可以生成图像,并且所生成的图像可以通过窗口传送给外部用户。显示面板DP可以是有机发光显示面板、液晶显示面板或量子点发光显示面板,但是不限于此。例如,有机发光显示面板可以包括有机发光元件。液晶显示面板可以包括液晶分子。量子点发光显示面板可以包括量子点和量子棒。
显示面板DP可以进一步包括机架构件或模制构件,并且当显示面板DP是液晶显示面板时,可以进一步包括背光单元。下文中,在本说明书中,将描述作为有机发光显示面板的显示面板DP。
参考图1,显示面板DP可以包括下显示基板100、以及面对下显示基板100并且与下显示基板100间隔开的上显示基板200。如图1中所示,显示面板DP可以通过显示表面DP-IS来显示图像。显示表面DP-IS可以平行于(例如,大致平行于)由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。
显示表面DP-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX可以在显示区域DA中,并且可以不在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以沿显示表面DP-IS的边缘来限定。根据实施例,显示区域DA可以被非显示区域NDA包围。然而,本公开不限于此。例如,非显示区域NDA可以与显示区域DA的一侧相邻或者可以被省略。
显示表面DP-IS的法线方向,例如显示面板DP的厚度方向,可以是第三方向DR3。在本说明书中,“当在一平面上或者在该平面上观看时”或“在平面图中”可以意味着在第三方向DR3上观看时的实施例。通过第三方向DR3来区分下面将在本文中描述的层或单元中的每个层或单元的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。然而,被指示为第一至第三方向DR1、DR2和DR3的方向可以被改变为不同的方向,诸如,例如作为相对概念的相反方向。
根据本公开的实施例,尽管示出了具有平坦的显示表面DP-IS的显示面板DP,但是本公开不限于此。例如,显示面板DP可以包括其至少一部分具有弯曲形状的显示表面DP-IS、或者在平面上具有固体形状的显示表面DP-IS。固体显示表面可以包括指示不同方向的多个显示区域。
参考图2,可以在上显示基板200与下显示基板100之间限定内部空间GP。内部空间GP可以通过上显示基板200与下显示基板100之间的粘合构件SLM来保持。例如,粘合构件SLM可以包括有机粘合构件或无机粘合构件。
图3是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。
参考图3,显示面板DP可以包括栅极驱动器电路GDC、像素PX11至PXnm、以及信号线GL1至GLn和DL1至DLm。图3示出了信号线GL1至GLn和DL1至DLm与像素PX11至PXnm之间在平面上的布置关系。
在平面上,像素PX11至PXnm与显示区域DA重叠,并且信号线GL1至GLn和DL1至DLm以及栅极驱动器电路GDC与非显示区域NDA重叠。信号线GL1至GLn和DL1至DLm可以包括多条栅极线GL1至GLn以及多条数据线DL1至DLm。
像素PX11至PXnm中的每个分别连接到(例如,耦接到)多条栅极线GL1至GLn中的相应栅极线、以及多条数据线DL1至DLm中的相应数据线。像素PX11至PXnm中的每个可以包括像素驱动电路和显示元件。根据像素驱动电路的配置,可以在显示面板DP上提供更多种类的信号线。
像素PX11至PXnm可以以矩阵形式布置,但是不限于此。例如,像素PX11至PXnm可以以五格型(pentile)的形式布置,或者像素PX11至PXnm可以以菱形的形式布置。
栅极驱动器电路GDC可以在非显示区域NDA中。栅极驱动器电路GDC可以通过例如氧化硅栅极驱动器电路(OSG)工艺或非晶硅栅极驱动器电路(ASG)工艺而与显示面板DP集成。然而,本公开的实施例不限于此,并且可以使用其他工艺来将栅极驱动器电路GDC与显示面板DP集成。
图4A是示出根据本公开的实施例的显示面板的显示区域的像素区域的平面图。图4B是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图,该剖视图示出了像素区域的一部分。
图4A是示出图1的显示区域DA的一部分的放大视图。显示区域DA可以包括多个像素区域以及与多个像素区域相邻的遮光区域NPXA。在平面上,遮光区域NPXA可以包围像素区域。例如,在图4A中示出了三种类型的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。图4A的这三种类型的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以重复布置在整个显示区域DA中。
遮光区域NPXA可以分别布置在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B周围。第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及遮光区域NPXA可以大致限定在上显示基板200上。
在本说明书中,像素区域意味着光可以通过其而实际上穿过参考图1描述的显示表面DP-IS被发射到外部的区域。像素区域可以将所接收的光发射到外部,并且遮光区域NPXA可以吸收或反射所接收的光。
尽管第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B在图4A中被示出为在平面上具有相同的表面积,但是本公开不限于此。例如,第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有彼此不同的表面积、或者具有彼此不同的至少两个或更多个面积。
另外,尽管第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B在图4A中被示出为每个都具有带圆角的矩形形状,但是本公开不限于此。例如,第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上具有其他的多边形形状。例如,第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可以具有带圆角的正方形形状。
第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的一个可以向用户提供具有与第一颜色相对应的波段的第一颜色光,第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的另一个可以向用户提供具有与不同于第一颜色的第二颜色相对应的波段的第二颜色光,并且剩余的像素可以向用户提供具有与不同于第一颜色和第二颜色的第三颜色相对应的波段的第三颜色光。
例如,第一像素区域PXA-R可以发射红色光,第二像素区域PXA-G可以发射绿色光,并且第三像素区域PXA-B可以发射蓝色光。根据本公开的实施例,源光可以是作为第一颜色光的蓝色光。源光可以在诸如例如背光单元的光源中产生,或者在诸如例如发光二极管的显示元件中产生。
遮光区域NPXA可以限定在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的边界,以防止或减少在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间彼此颜色的混合。另外,遮光区域NPXA可以阻挡一些或全部的源光,从而可以防止或减少提供给用户的源光。
例如,根据本公开的实施例的显示面板DP可以包括与遮光区域NPXA重叠的阻挡物。该阻挡物可以防止或减少来自彼此相邻的两个像素区域的光的输出,并且提高从像素区域中的每个发射的光的发光效率。这将参考图5来更详细地描述。
图4B是示出显示面板DP的与第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的任意一个像素区域相对应的驱动晶体管T-D以及发光元件OLED的示例的剖视图。然而,与像素区域相对应的结构不限于此。例如,像素PX可以进一步包括连接到(例如,耦接到)驱动晶体管T-D的开关晶体管。开关晶体管可以连接到(例如,耦接到)信号线GL1到GLn和DL1到DLm。在图4B中,示意性地示出了上显示基板200。
参考图4B,下显示基板100包括第一基底基板BS1、在第一基底基板BS1上的电路元件层DP-CL、在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-OLED、以及覆盖层CL。
第一基底基板BS1可以包括合成树脂基板或玻璃基板。电路元件层DP-CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可以包括信号线和像素的驱动电路。电路元件层DP-CL可以由通过涂覆或沉积而形成绝缘体、半导体层和导电层的工艺、以及通过光刻工艺而将该绝缘体、半导体层和导电层图案化的工艺来形成。
在该实施例中,电路元件层DP-CL可以包括缓冲层BFL、第一绝缘层10、第二绝缘层20以及第三绝缘层30。例如,第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每一个可以是无机层,并且第三绝缘层30可以是有机层。然而,本公开不限于此。例如,第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每一个可以是无机层和有机层在其中彼此混合的层。
图4B示出了可以包括在驱动晶体管T-D中的半导体图案OSP、控制电极GE、输入电极DE和输出电极SE的布置关系的示例。分别示例性地示出了第一通孔CH1、第二通孔CH2和第三通孔CH3。
显示元件层DP-OLED包括作为显示元件的发光元件OLED。发光元件OLED可以产生上述的源光。发光元件OLED可以包括第一电极AE、第二电极CE、以及第一电极AE与第二电极CE之间的发光层ENL。在该实施例中,发光元件OLED可以包括有机发光二极管。显示元件层DP-OLED可以包括像素限定层PDL。例如,像素限定层PDL可以是有机层。
第一电极AE可以在第三绝缘层30上。第一电极AE可以通过穿透第三绝缘层30的第三通孔CH3被连接到(例如,耦接到)输出电极SE。可以在像素限定层PDL中限定发光开口OP。根据本公开的实施例,发光开口OP可以被定义为在其中第一颜色光可以从发光层ENL发射的区域。
像素限定层PDL的发光开口OP可以暴露第一电极AE的至少一部分。根据本公开的实施例,发光开口OP可以被定义为在其中实际的光可以从发光元件OLED发射的发射区域。例如,发射区域可以被布置成多个,并且多个发射区域可以分别对应于像素区域。
空穴控制层HCL、发光层ENL和电子控制层ECL可以共同地在第一电极AE和像素限定层PDL上。空穴控制层HCL、发光层ENL和电子控制层ECL可以共同地在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中。
空穴控制层HCL可以包括空穴传输层,并且可以进一步包括空穴注入层。发光层ENL可以产生蓝色光。蓝色光可以包括约410nm至约480nm之间的波长。蓝色光的发射光谱可以具有在约440nm至约460nm的波长范围内的最大峰值。电子控制层ECL可以包括电子传输层,并且可以进一步包括电子注入层。发光层ENL可以具有级联结构或单层结构。
第二电极CE可以在电子控制层ECL上。第二电极CE可以共同地在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中。第二电极CE可以具有比第一电极AE的表面积更大的表面积。
覆盖层CL可以在第二电极CE上。覆盖层CL可以保护第二电极CE。覆盖层CL可以包括有机材料或无机材料。在实施例中,可以省略覆盖层CL。
下显示基板100可以包括与图4A的第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B相对应的第一至第三发光元件。第一至第三发光元件可以具有彼此相同的层叠结构,并且还可以具有与图4B的发光元件OLED相同的层叠结构。
图5是根据本公开的实施例的上显示基板的剖视图。图6A是示出根据本公开的实施例的上显示基板的层叠结构的平面图。图6B是示出根据本公开的实施例的上显示基板的层叠结构的平面图。图6C是示出根据本公开的实施例的光控制层的光特性的示意图。
参考图5,上显示基板200可以包括第二基底基板BS2、第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B、上绝缘层IL、第一光控制层CCL、第一封盖层OC1、第二封盖层OC2以及第二光控制层ML。
第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以在第二基底基板BS2上(例如,在其下面)。在本说明书中,第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以被定义为在滤色器层中提供的成分。根据实施例,第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以直接在第二基底基板BS2上(例如,在其下面)。
在本说明书中,“成分A直接在成分B上(例如,在其下面)”可以表示粘合构件不在成分A与成分B之间。例如,第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以直接在第二基底基板BS2上(例如,在其下方)而无需使用粘合层。
第一滤色器CF-R可以与第一像素区域PXA-R重叠以透射具有与不同于第一颜色的第二颜色相对应的波段的光,并且可以吸收具有其他波段的光。例如,第二颜色可以是红色。第二滤色器CF-G可以与第二像素区域PXA-G重叠以透射具有与不同于第二颜色的第三颜色相对应的波段的光,并且可以吸收具有其他波段的光。例如,第三颜色可以是绿色。第三滤色器CF-B可以与第三像素区域PXA-B重叠以透射具有与第一颜色相对应的波段的光,并且可以吸收具有其他波段的光。
根据本公开的实施例,与显示区域DA重叠的第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B可以由遮光层SHD或遮光部分BP2隔开。
根据本公开的实施例,第三滤色器CF-B可以具有与第二基底基板BS2的折射率而不是第一滤色器CF-R和第二滤色器CF-G中的每一个的折射率相似的折射率。作为结果,从外部引入的外部光可以穿过第二基底基板BS2,并且然后入射在第三滤色器CF-B上。因此,可以减少在第二基底基板BS2与第三滤色器CF-B之间的界面上发生的外部光反射。然而,本公开不限于此。例如,第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B中的每一个可以具有与第二基底基板BS2的折射率相似的折射率。
第三滤色器CF-B可以被划分为用作滤色器的滤光器部分BP1、以及执行遮光功能的遮光部分BP2。滤光器部分BP1可以与第三像素区域PXA-B重叠,并且遮光部分BP2可以与遮光区域NPXA重叠。
更详细而言,参考图6A,具有蓝颜色的有机层可以在第二基底基板BS2的一个表面上(例如,在其下面),并且可以限定具有第一开口B-OP1和第二开口B-OP2的第三滤色器CF-B。例如,滤光器部分BP1和遮光部分BP2可以包括在单个主体中。
参考图6B,第一滤色器CF-R可以位于在第三滤色器CF-B中限定的第一开口B-OP1中。在平面上,第一滤色器CF-R可以完全覆盖(例如,重叠于)第一开口B-OP1,并且可以在遮光部分BP2的至少一部分上(例如,在其下面)。第二滤色器CF-G可以位于在第三滤色器CF-B中限定的第二开口B-OP2中。在平面上,第二滤色器CF-G可以完全覆盖(例如,重叠于)第二开口B-OP2,并且可以在遮光部分BP2的至少一部分上(例如,在其下面)。
再次参考图5,遮光层SHD可以在第三滤色器CF-B的遮光部分BP2上(例如,在其下面)。第一滤色器CF-R的一部分和第二滤色器CF-G的一部分中的每一个可以覆盖遮光层SHD的一部分。第一滤色器CF-R的边缘和遮光层SHD可以吸收穿过遮光部分BP2而透射的外部光中的一些或者全部,以防止或减少在第一至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间彼此颜色的混合。另外,遮光层SHD可以吸收从第一光控制层CCL输出的光的一部分。
上绝缘层IL可以覆盖第一至第三滤色器CF-R、CF-G和CF-B,并且可以在第二基底基板BS2上(例如,在其下面)。例如,上绝缘层IL可以是无机层。
第一光控制层CCL可以在上绝缘层IL上(例如,在其下面),以控制从图4B中所示的显示元件层DP-OLED发射的第一颜色光。例如,第一光控制层CCL可以接收第一颜色光,以将第一颜色光转换成不同颜色的光或者照原样透射第一颜色光。
第一光控制层CCL可以包括第一转换部分CCF-R、第二转换部分CCF-G、以及透射部分CCF-B。第一转换部分CCF-R可以与第一像素区域PXA-R重叠,以将第一颜色光转换为不同于第一颜色光的第二颜色光,并且可以发射第二颜色光。第二转换部分CCF-G可以与第二像素区域PXA-G重叠,以将第一颜色光转换为与第二颜色光不同的第三颜色光,并且可以发射第三颜色光。透射部分CCF-B可以与第三像素区域PXA-B重叠,以透射第一颜色光。
更详细而言,参考图6C,第一转换部分CCF-R可以包括第一发光材料EP-R,第一发光材料EP-R可以吸收第一颜色光(例如,蓝色光)并且可以发射第二颜色光(例如,红色光)。第二转换部分CCF-G可以包括第二发光材料EP-G,第二发光材料EP-G可以吸收第一颜色光并且可以发射第三颜色光(例如,绿色光)。透射部分CCF-B可以是不包括发光材料的部分。透射部分CCF-B可以是透射第一颜色光的部分。
而且,第一转换部分CCF-R、第二转换部分CCF-G和透射部分CCF-B中的每一个可以包括基底树脂BR。基底树脂BR可以是聚合物树脂。例如,基底树脂BR可以包括丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、硅酮类树脂和/或环氧类树脂。基底树脂BR可以是透明树脂。
而且,第一转换部分CCF-R、第二转换部分CCF-G和透射部分CCF-B中的每一个可以包括散射颗粒OL。散射颗粒OL可以是TiO2或二氧化硅类纳米颗粒。散射颗粒OL可以将从发光材料发射的光散射,以将光发射到转换部分的外部。另外,当透射部分CCF-B照原样透射光时,散射颗粒OL可以将所提供的光散射,以将光发射到外部。
可以包括在第一光控制层CCL中的第一发光材料EP-R和第二发光材料EP-G(也可以称为发光材料)中的每一个可以是荧光体或量子点。例如,根据实施例,第一光控制层CCL可以包括第一发光材料EP-R和第二发光材料EP-G的荧光体和量子点中的至少一种。
例如,可被用作发光材料EP-R和EP-G的荧光体可以是无机荧光体。在一些实施例中,根据实施例,可被用作发光材料EP-R和EP-G的荧光体可以是绿色荧光体或红色荧光体。
然而,根据实施例,在第一光控制层CCL中使用的荧光体的种类不限于本文上面描述的荧光体材料。例如,除了本文上面描述的那些之外,可以使用本领域中通常所使用的任何适当的荧光体材料。
又例如,可被包括在第一光控制层CCL中的发光材料EP-R和EP-G可以是量子点。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自:二元化合物,其选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其任意组合组成的组中;三元化合物,其选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其任意组合组成的组中;以及四元化合物,其选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其任意组合组成的组中。
III-V族化合物可以选自:二元化合物,其选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其任意组合组成的组中;三元化合物,其选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其任意组合组成的组中;以及四元化合物,其选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其任意组合组成的组中。
IV-VI族化合物可以选自:二元化合物,其选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其任意组合组成的组中;三元化合物,其选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其任意组合组成的组中;以及四元化合物,其选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其任意组合组成的组中。IV族元素可以选自由Si、Ge及其任意组合组成的组中。IV族化合物可以是二元化合物,其选自由SiC、SiGe及其任意组合组成的组中。
在一个实施例中,二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以均匀或大致均匀的浓度存在于量子点中,或者可以以其中浓度分布被划分为部分不同状态的状态而存在于量子点中。在另一实施例中,量子点可以具有核/壳结构,其中一个量子点围绕另一个量子点。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度,其中壳中存在的元素具有沿朝向中心(例如核的中心)的方向逐渐减小的浓度。
在一些实施例中,量子点可以具有核-壳结构,该核-壳结构包括含有本文上述的量子点的化合物(例如,纳米晶体)的核、以及围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层,该保护层防止或减少对核的化学变化以维持半导体特性,和/或可以用作充电层,该充电层用于向量子点赋予电泳特性。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度,其中壳中存在的元素具有朝向中心逐渐减小的浓度。例如,量子点的壳可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
例如,金属或非金属的氧化物可以包括SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等的二元化合物,或MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等三元化合物,但是本公开不限于此。
在一些实施例中,半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等,但是本公开不限于此。
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小、或例如约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在这些范围内,颜色纯度和颜色再现性可以得到提高。而且,通过量子点发射的光可以在所有方向上发射,以改善光学视角。
而且,量子点可以具有本领域中通常所使用的任何适当形状,并且在形状上没有特别限制。在一些实施例中,量子点可以具有球形、金字塔形、多臂形、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状、纳米板颗粒形状等。
量子点可以根据量子点的尺寸来调节所发射的光的颜色。例如,量子点可以发射具有诸如蓝颜色、红颜色和绿颜色的各种适当颜色的光。
再次参考图5,如本文以上所述,经过第一光控制层CCL从显示元件层DP-OLED发射的第一颜色光可以被转换为具有不同颜色的光,或者可以经过第二基底基板BS2而被原样发射到外部。
第一光控制层CCL可能在高温、高湿环境下排出气体,该高温、高湿环境可以高于设定或预定的温度和湿度。由第一光控制层CCL排出的气体可能受第一光控制层CCL中包含的各种材料影响。例如,当图6C的基底树脂BR暴露于高温环境达设定或预定的时间或者更长的时间时,气体可能从基底树脂BR中排出并渗透到下显示基板100与上显示基板200之间的内部空间GP中。在本实施例中,由于内部空间GP的膨胀,第一基底基板BS1和第二基底基板BS2中的每一个可能会在形状上发生变形。
根据本公开的实施例,封盖层OC1和OC2可以在第一光控制层CCL上(例如,在其下面)。例如,根据本公开的实施例的封盖层OC1和OC2可以包括有机层和无机层,它们被提供为彼此不同的层。作为结果,封盖层OC1和OC2可以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体渗透到内部空间GP中。例如,封盖层OC1和OC2可以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体渗透到内部空间GP中,以防止或减少由气体引起的显示面板DP的变形。
在下文中,将更详细地描述封盖层OC1和OC2。封盖层OC1和OC2可以包括第一封盖层OC1和第二封盖层OC2。
第一封盖层OC1可以完全覆盖第一光控制层CCL(例如,覆盖其底表面),并且可以在上绝缘层IL上(例如,在其下面)。第一封盖层OC1可以与显示区域DA的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及遮光区域NPXA中的每个重叠。而且,第一封盖层OC1可以与非显示区域NDA重叠。根据本公开的实施例的第一封盖层OC1可以包括无机材料。在本说明书中,第一封盖层OC1可以被描述为子封盖层。
第二封盖层OC2可以在第一封盖层OC1上(例如,在其下面)。第二封盖层OC2可以与显示区域DA的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及遮光区域NPXA中的每个重叠。另外,第二封盖层OC2也可以与非显示区域NDA重叠。根据本公开的实施例的第二封盖层OC2可以包括有机材料。
根据本公开的实施例,第二封盖层OC2可以直接在第一封盖层OC1上(例如,在其下面)。另外,第二封盖层OC2可以具有比第一封盖层OC1在第三方向DR3上的厚度更大的厚度,该第三方向DR3是第二基底基板BS2的厚度方向。
在本公开的另一实施例中,可以省略第一封盖层OC1。在该实施例中,第二封盖层OC2可以覆盖第一光控制层CCL(例如,覆盖其底表面),以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体渗透到内部空间GP中。另外,当省略第一封盖层OC1时,根据本公开的一些实施例,第二封盖层OC2可以是有机层。
第二光控制层ML可以在与遮光区域NPXA重叠的第二封盖层OC2上(例如,在与遮光区域NPXA重叠的第二封盖层OC2的一部分的底表面上)。第二光控制层ML可以反射或吸收从显示元件层DP-OLED发射的第一颜色光。例如,第二光控制层ML可以是反射光的反射层或吸收光的遮光层。第二光控制层ML可以防止或减少经过上显示基板200发射到外部的光的混合。
例如,图5的第二光控制层ML可以是反射层。
根据本公开的实施例,第二光控制层ML可以与遮光区域NPXA完全重叠。然而,本公开不限于此。根据另一实施例,第二光控制层ML可以与遮光区域NPXA部分重叠。
另外,根据本公开的实施例,第二封盖层OC2和第二封盖层OC2上的第二光控制层ML可以与下显示基板100间隔开设定或预定的距离SP。内部空间GP可以被限定在第二封盖层OC2与下显示基板100之间。
如本文中上面所述,第一封盖层OC1和第二封盖层OC2可以彼此接触,以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体渗透到内部空间GP中。在下文中,将参考图7来更详细地描述第二封盖层OC2和第二光控制层ML的结构。
图7是根据本公开的实施例的上显示基板的阻挡层的透视图。图8是根据本公开的实施例的上显示基板的剖视图。
参考图5和图7,第一封盖层OC1可以是完全覆盖第一光控制层CCL(例如,覆盖第一光控制层CCL的整个底表面)的无机层。第二封盖层OC2可以是有机层,并且可以直接在第一封盖层OC1上(例如,在其下面)。
例如,第二封盖层OC2可以包括与第一封盖层OC1上(例如,在其下面)的吸收部分OC2-H和遮光区域NPXA重叠的阻挡部分OC2-M,阻挡部分OC2-M在第三方向DR3上从吸收部分OC2-H突出。
吸收部分OC2-H可以包括第一吸收部分OC2-H1和第二吸收部分OC2-H2。第一吸收部分OC2-H1可以与遮光区域NPXA重叠,并且可以在第一转换部分CCF-R与第二转换部分CCF-G之间,在第二转换部分CCF-G与透射部分CCF-B之间,并且在透射部分CCF-B与第一转换部分CCF-R之间。第二吸收部分OC2-H2可以与显示区域DA,例如像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及遮光区域NPXA中的每个重叠。第二吸收部分OC2-H2可以覆盖第一吸收部分OC2-H1(例如,覆盖其底表面),并且可以在第一光控制层CCL上(例如,在其下面)。
阻挡部分OC2-M可以与遮光区域NPXA重叠,并且可以具有从第二吸收部分OC2-H2突出的形状。第二光控制层ML可以在阻挡部分OC2-M上(例如,在其底表面上)。第二光控制层ML可以在阻挡部分OC2-M上(例如,在其底表面上),以防止或减少通过上显示基板200发射到外部的光的混合。例如,通过第二光控制层ML可以防止从一个发光元件OLED发射的第一颜色光透射到像素区域中的、不与这个发光元件OLED重叠的另一个像素区域(或者可以减少第一颜色光的这种透射)。
根据本公开的实施例的第二光控制层ML可以是包括金属材料的反射层。而且,第二光控制层ML可以在阻挡部分OC2-M的整个外表面上。如图8中所示,从下显示基板100的显示元件层DP-OLED发射的第一颜色光LT可以透射到第二光控制层ML。在该实施例中,第二光控制层ML可以反射第一颜色光LT,以便透射到第一光控制层CCL。因此,可以提高显示面板DP的整体发射效率。
另外,如图8中所示,可以通过第一封盖层OC1和第二封盖层OC2防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体GS渗透到内部空间GP中。例如,在图8的显示面板DP中,填充物CGH可以在下显示基板100与上显示基板200之间的内部空间GP中。
再次参考图7,阻挡部分OC2-M可以包括在一个方向上彼此面对并且连接到(例如,耦接到)第二吸收部分OC2-H2的第一外表面和第二外表面、以及将第一外表面连接(例如,耦接)到第二外表面的底表面。第二光控制层ML可以包括在阻挡部分OC2-M的第一外表面上的第一反射部分Ma、在阻挡部分OC2-M的第二外表面上的第二反射部分Mb、以及在阻挡部分OC2-M的底表面上的第三反射部分Mc。
根据本公开的实施例,第一吸收部分OC2-H1、第二吸收部分OC2-H2和阻挡部分OC2-M可以由相同(例如,大致相同)的材料制成,并且可以彼此集成。例如,有机层可以形成在第一封盖层OC1上,并且然后被曝光和显影,以形成第一吸收部分OC2-H1、第二吸收部分OC2-H2和阻挡部分OC2-M。例如,为了形成阻挡部分OC2-M,与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠的有机层所需的曝光时间可以比与遮光区域NPXA重叠的有机层的曝光时间更长。
根据本公开的实施例,可作为有机层的第一吸收部分OC2-H1和第二吸收部分OC2-H2中的每一个可以具有比可作为无机层的第一封盖层OC1的厚度更大的厚度。另外,如图5中所示,阻挡部分OC2-M可以具有比第二吸收部分OC2-H2的厚度DHa更大的厚度DHb。
图9A是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图。图9B是根据本公开的另一实施例的上显示基板的阻挡层的透视图。
除了可以修改第二光控制层ML-1的结构之外,图9A和图9B的显示面板DP可以与图5和图7的显示面板DP大致相同。因此,为了便于描述,将参考图9A和图9B主要描述第二光控制层ML-1的配置。
根据本公开的实施例,第二光控制层ML-1可以不完全与遮光区域NPXA重叠,而是第二光控制层ML-1可以与遮光区域NPXA部分重叠。
参考图9B,第二光控制层ML-1可以包括在阻挡部分OC2-M的第一外表面上的第一反射部分M1a、以及在阻挡部分OC2-M的第二外表面上的第二反射部分M1b。根据本公开的一些实施例,阻挡部分OC2-M的至少一部分可以从第二光控制层ML-1(例如,反射层)中暴露于内部空间GP。更详细而言,阻挡部分OC2-M的可将阻挡部分OC2-M的第一外表面和第二外表面相连接(例如,耦接)的底表面可以面对下显示基板100,并且可以暴露于内部空间GP。
图10是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图。
除了可以修改阻挡部分OC2-M1和第二光控制层ML-2的结构之外,图10的显示面板DP可以与图5的显示面板DP大致相同。因此,为了便于描述,将参考图10主要描述阻挡部分OC2-M1和第二光控制层ML-2的配置。
根据本公开的实施例,第二光控制层ML-2的至少一部分可以接触下显示基板100。例如,第二光控制层ML-2可以接触下显示基板100的覆盖层CL。参考图10,第二光控制层ML-2的可位于阻挡部分OC2-M1的底表面上的部分可以接触覆盖层CL。
根据本公开的另一实施例,当参考图10描述的阻挡部分OC2-M1的底表面通过第二光控制层ML-2而暴露于外部时,阻挡部分OC2-M1的底表面可以接触覆盖层CL。
图11和图12是根据本公开的另一实施例的上显示基板的剖视图。
除了可以修改第二光控制层ML-3的结构之外,图11和图12的显示面板DP可以与图5的显示面板DP大致相同。因此,为了便于描述,将参考图11和图12主要描述第二光控制层ML-3的配置。
根据本公开的实施例,第二光控制层ML-3可以是吸收光的遮光层。例如,第二光控制层ML-3可以是能够吸收第一颜色光LT的遮光层。例如,第二光控制层ML-3可以具有黑色或黄色。然而,本公开不限于此。例如,第二光控制层ML-3可以具有能够吸收第一颜色光LT的各种适当颜色。
如图12中所示,从下显示基板100发射的第一颜色光LT可以被第二光控制层ML-3吸收。作为结果,通过第二光控制层ML-3可以防止或减少从一个发光元件OLED发射的第一颜色光LT可能透射到像素区域中的、不与这个发光元件OLED重叠的另一个像素区域。
根据本公开的实施例,封盖层OC1和OC2可以在第一光控制层CCL上(例如,在其底表面上)。封盖层OC1和OC2可以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体GS渗透到内部空间GP中。例如,通过封盖层OC1和OC2,可以防止或减少从第一光控制层CCL排出的气体GS可能渗透到内部空间GP中并且从而使显示面板DP变形。
如上所述,在附图和说明书中公开了实施例。尽管使用了特定术语,但是它们不用于限制如权利要求中所描述的本公开的实施例的含义和范围,而仅用于解释本公开的实施例。因此,本领域普通技术人员根据上述内容将理解,各种修改以及其他等同或大致等同的实施例也是可行的。因此,本公开的实施例的实际保护范围应由所附权利要求的范围来确定。
Claims (20)
1.一种显示面板,包括:
上显示基板,包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域,其中所述显示区域包括多个像素区域和与所述多个像素区域相邻的遮光区域;以及
下显示基板,面对所述上显示基板以发射第一颜色光,所述下显示基板包括分别与所述多个像素区域重叠的多个显示元件,
其中所述上显示基板包括:
基底基板;
第一光控制层,在所述基底基板上以控制所述第一颜色光;
封盖层,包括与所述显示区域重叠并且在所述第一光控制层上的吸收部分、以及与所述遮光区域重叠并且在所述基底基板的厚度方向上从所述吸收部分突出的阻挡部分;以及
第二光控制层,在所述阻挡部分上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括在所述第一光控制层与所述封盖层之间的子封盖层,
其中所述子封盖层完全覆盖所述第一光控制层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述封盖层直接在所述子封盖层上。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述子封盖层包括无机材料,并且
所述封盖层包括有机材料。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述吸收部分具有比所述子封盖层在所述厚度方向上的厚度更大的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述多个像素区域包括在一个方向上布置的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,并且
所述第一光控制层包括:
第一转换部分,与所述第一像素区域重叠,并且被配置为转换所述第一颜色光以便发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光;
第二转换部分,与所述第二像素区域重叠,并且被配置为转换所述第一颜色光以便发射不同于所述第二颜色光的第三颜色光;以及
透射部分,与所述第三像素区域重叠,并且被配置为透射所述第一颜色光。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中所述吸收部分包括:
第一吸收部分,与所述遮光区域重叠,并且在所述第一转换部分与所述第二转换部分之间,在所述第二转换部分与所述透射部分之间,并且在所述第一转换部分与所述透射部分之间;以及
第二吸收部分,与所述显示区域重叠,所述第二吸收部分被配置为覆盖所述第一吸收部分并且在所述第一光控制层上,
其中所述阻挡部分从所述第二吸收部分突出。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中所述阻挡部分具有比所述第二吸收部分在所述厚度方向上的厚度更大的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述阻挡部分与所述下显示基板间隔开预定的距离。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中所述第二光控制层是被配置为反射所述第一颜色光的包括金属材料的反射层。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中所述反射层在所述阻挡部分的整个外表面上。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其中所述阻挡部分包括:
第一外表面和第二外表面,彼此面对并且连接到所述吸收部分;以及
底表面,被配置为将所述第一外表面连接到所述第二外表面,并且
所述反射层在所述第一外表面和所述第二外表面上。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其中所述阻挡部分的所述底表面从所述第二光控制层中暴露,以面对所述下显示基板。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第二光控制层的至少一部分接触所述下显示基板。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其中所述下显示基板包括:
下基底基板;
显示元件层,在所述下基底基板上,并且包括所述显示元件;以及
覆盖层,被配置为覆盖所述显示元件层,
其中所述第二光控制层接触所述覆盖层。
16.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第二光控制层是被配置为吸收所述第一颜色光的遮光层。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其中所述遮光层被设置在所述阻挡部分的整个外表面上。
18.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括在所述基底基板与所述第一光控制层之间的滤色器层。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其中所述多个像素区域包括在一个方向上布置的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,并且
所述滤色器层包括:
第一滤色器,与所述第一像素区域重叠,并且被配置为透射不同于所述第一颜色光的第二颜色光;
第二滤色器,与所述第二像素区域重叠,并且被配置为透射不同于所述第二颜色光的第三颜色光;以及
第三滤色器,与所述第三像素区域重叠,并且被配置为透射所述第一颜色光,
其中所述第三滤色器包括与所述第三像素区域重叠的滤光器部分以及与所述遮光区域重叠的遮光部分。
20.根据权利要求1所述的显示面板,进一步包括:
粘合构件,与所述非显示区域重叠,并且在所述上显示基板与所述下显示基板之间以与所述上显示基板和所述下显示基板一起限定内部空间,
其中所述显示面板进一步包括在所述内部空间中的填充物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0061836 | 2019-05-27 | ||
KR1020190061836A KR20200136526A (ko) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 표시패널 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112002730A true CN112002730A (zh) | 2020-11-27 |
Family
ID=73466375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010460457.6A Pending CN112002730A (zh) | 2019-05-27 | 2020-05-27 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11600804B2 (zh) |
KR (1) | KR20200136526A (zh) |
CN (1) | CN112002730A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113517414B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-05-31 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120120710A (ko) * | 2011-04-25 | 2012-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102168874B1 (ko) | 2014-04-10 | 2020-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20150125207A (ko) | 2014-04-30 | 2015-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US9989806B2 (en) * | 2015-09-10 | 2018-06-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Color conversion panel and display device including the same |
KR102671039B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2024-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20180039218A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 표시판 및 색변환 표시판의 제조 방법 및 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치 |
KR20200100910A (ko) | 2019-02-18 | 2020-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210008265A (ko) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
-
2019
- 2019-05-27 KR KR1020190061836A patent/KR20200136526A/ko unknown
-
2020
- 2020-05-19 US US16/878,396 patent/US11600804B2/en active Active
- 2020-05-27 CN CN202010460457.6A patent/CN112002730A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200136526A (ko) | 2020-12-08 |
US20200381670A1 (en) | 2020-12-03 |
US11600804B2 (en) | 2023-03-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |