CN111192894A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了显示装置。显示装置可包括第一像素和第二像素。第一像素可包括第一发光体和与第一发光体重叠的第一颜色转换器。第二像素可与第一像素紧邻，可包括第二发光体和与第二发光体重叠的第二颜色转换器。当第一发光体与第二发光体之间的距离为x，并且第一发光体与第一颜色转换器之间的距离为y时，满足以下等式：y＝x×tanθ1，其中，θ1为(90‑θ)，并且θ为在第一发光体的发光面的点处与发光面垂直的线与连接发光面的点与从与发光面垂直的线远离的任一点的线之间的夹角，θ具有与相对于从第一发光体发射的光在1％的范围内的亮度比对应的角度至与相对于从第一发光体发射的光在15％的范围内的亮度比对应的角度的范围。

Description

显示装置
相关申请的交叉应用
本申请要求于2018年11月14日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0139827号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
该技术领域涉及显示装置。
背景技术
显示装置可包括根据输入信号来显示图像的多个像素。在显示装置中，从像素发射的光可能不期望地影响一个或更多个相邻的像素。
在本背景技术部分中所公开的上述信息用于增强对本申请的背景的理解。本背景技术部分可包含不形成在本国由本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式可涉及在相邻像素之间具有最小的光干涉的显示装置。
本发明的实施方式提供显示装置，包括第一像素和第二像素，第一像素配置成显示第一颜色，第一像素包括第一发光体，并且包括与第一发光体重叠的第一颜色转换器；第二像素与第一像素在第一像素与第二像素之间没有中间像素的情况下紧邻，第二像素配置成显示与第一颜色不同的第二颜色，第二像素包括第二发光体，并且包括与第二发光体重叠的第二颜色转换器，其中，当第一发光体与第二发光体之间的距离为x，并且第一发光体与第一颜色转换器之间的距离为y时，满足以下等式：
y＝x×tanθ1
其中，θ1为(90-θ)，并且θ为在第一发光体的发光面的点处与发光面垂直的线与连接发光面的点与从与发光面垂直的线远离的任一点的线之间的夹角，θ具有与相对于从第一发光体发射的光在1％的范围内的亮度比对应的角度至与相对于从第一发光体发射的光在15％的范围内的亮度比对应的角度的范围。
θ可为与根据第一发光体的朗伯发光分布的亮度比对应的角度。
第一发光体可配置成发射蓝色光。
显示装置还可包括第三像素，第三像素与第二像素在第二像素与第三像素之间没有任何中间像素的情况下紧邻，第三像素配置成显示与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色，第三像素包括第三发光体，并且包括与第三发光体重叠的透射层。
第一发光体与第一颜色转换器之间的距离可等于第二发光体与第二颜色转换器之间的距离，并且第一发光体与第一颜色转换器之间的距离可等于第三发光体与透射层之间的距离。
第一颜色转换器可包括第一多个量子点，并且第二颜色转换器可包括第二多个量子点。
透射层可包括使从第三发光体发射的蓝色光透射的树脂。
显示装置还可包括封装层、遮光器、第一分离器和第二分离器，封装层布置在第一发光体与第一颜色转换器之间、第二发光体与第二颜色转换器之间以及第三发光体与透射层之间；遮光器布置在封装层上；第一分离器布置在第一颜色转换器与第二颜色转换器之间；并且第二分离器布置在第二颜色转换器与透射层之间。
第一分离器可与遮光器重叠。
遮光器相对于封装层的高度可等于或大于从封装层的上表面到相对于遮光器从第一发光体的最远部分发射到第二颜色转换器的最近部分的光与相对于遮光器从第二发光体的最远部分发射到第一颜色转换器的最近部分的光的交叉点的最小距离。
另一实施方式提供了显示装置，包括第一像素、第二像素、封装层和遮光器，第一像素配置成显示第一颜色，第一像素包括第一发光体，并且包括与第一发光体重叠的第一颜色转换器；第二像素与第一像素在第一像素与第二像素之间没有中间像素的情况下紧邻，第二像素配置成显示与第一颜色不同的第二颜色，第二像素包括第二发光体，并且包括与第二发光体重叠的第二颜色转换器；封装层布置在第一发光体与第一颜色转换器之间并且布置在第二发光体与第二颜色转换器之间；并且遮光器布置在封装层上，其中，遮光器相对于封装层的高度等于或大于从封装层到相对于遮光器从第一发光体的最远部分发射到第二颜色转换器的最近部分的光与相对于遮光器从第二发光体的最远部分发射到第一颜色转换器的最近部分的光的交叉点的最小距离。
实施方式可最小化相邻的像素之间的光干涉。
附图说明
图1示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
图2示出了根据实施方式的发光构件的朗伯发光分布以及根据朗伯发光分布的亮度比。
图3示出了根据实施方式的基于发光元件的朗伯发光分布和亮度比而配置的发光元件与光转换层之间的距离。
图4示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
图5示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
具体实施方式
参考附图对示例实施方式进行描述。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以以各种方式进行修改。
在说明书中，相同的附图标记可指示相同的元件。
在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区等的厚度和/或面积可被放大。
虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离一个或更多个实施方式的教导的情况下，第一元件可被称为第二元件。作为“第一”元件的元件描述可不需要或不暗示第二元件或其它元件的存在。在本文中，术语“第一”、“第二”等也可用于区分元件的不同类别或组。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可直接在第二元件上，或者第一元件与第二元件之间可存在有至少一个中间元件。当第一元件被称为“直接在”第二元件“上”时，第一元件与第二元件之间不存在有预期的中间元件(诸如空气的环境要素除外)。
除非有明确相反的描述，否则措辞“包括(comprise)”以及诸如“包括(comprises)”或“包括有(comprising)”的变体可意指包含所述元件，而不排除任何其它元件。
术语“光转换层”可意味着“颜色转换层”或“颜色转换器”。
图1示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
参照图1，显示装置包括第一像素PXa、第二像素PXb和第三像素PXc。第一像素PXa、第二像素PXb和第三像素PXc显示不同的颜色。例如，第一像素PXa可显示红色，第二像素PXb可显示绿色，并且第三像素PXc可显示蓝色。第一像素PXa和第二像素PXb彼此紧邻，并且第二像素PXb和第三像素PXc彼此紧邻。第二像素PXb布置在第一像素PXa与第三像素PXc之间。
显示装置包括第一面板100和第二面板200。
第一面板100包括第一衬底110、晶体管Tr(针对每个像素)、绝缘膜120、发光二极管LD(针对每个像素)、像素限定膜160和封装层170。
第一衬底110包括玻璃或塑料。晶体管Tr布置在第一衬底110上，并且绝缘膜120布置在晶体管Tr和第一衬底110上。发光二极管LD布置在绝缘膜120上并且连接到晶体管Tr。
发光二极管LD包括连接到晶体管Tr的第一电极130、布置在第一电极130上的发光构件140和布置在发光构件140上的第二电极150。第一电极130可为发光二极管LD的阳极，并且第二电极150可为发光二极管LD的阴极。第一电极130可包括反射光的导电材料，并且第二电极150可包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料。因此，从发光构件140发射的光朝向第二电极150发射。发光构件140可发射蓝色光。
像素限定膜160布置在绝缘膜120和第一电极130上并且设置有与第一电极130重叠的开口。在像素限定膜160的开口中，发光构件140布置在第一电极130上，并且第二电极150布置在发光构件140上。
封装层170布置在第二电极150上并且保护发光二极管LD。封装层170包括布置在第二电极150上的第一无机膜171、布置在第一无机膜171上的有机膜172和布置在有机膜172上的第二无机膜173。
第一像素PXa、第二像素PXb和第三像素PXc分别包括晶体管Tr和发光二极管LD。
第二面板200布置在封装层170上。
第二面板200包括第二衬底210、分离层220、第一光转换层230a、第二光转换层230b、透射层230c和阻挡层240。分离层220、第一光转换层230a、第二光转换层230b、透射层230c和阻挡层240布置在第二衬底210与封装层170之间。阻挡层240布置在封装层170上，并且阻挡层240和封装层170可通过粘合层粘合。
第一像素PXa可包括第一光转换层230a，第二像素PXb可包括第二光转换层230b，并且第三像素PXc可包括透射层230c。
第二衬底210包括玻璃或塑料。
分离层220、第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c分别布置在第二衬底210的一个表面上。
分离层220可以以预定间隔彼此间隔开，并且可分隔布置有第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c的区。分离层220与像素限定膜160重叠。每个分离层220可为遮光构件，并且可包括例如吸收入射光的材料或反射光的材料。当分离层220包括反射光的材料时，分离层220再次将从第一光转换层230a和第二光转换层230b以及透射层230c入射到分离层220上的光反射到第一光转换层230a和第二光转换层230b以及透射层230c，从而改善光效率。
第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c布置在分离层220之间。第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c分别与三个像素的三个发光构件140重叠。
第一光转换层230a将从对应的发光二极管LD接收到的蓝色光转换为红色光并且发射红色光，并且第二光转换层230b将从对应的发光二极管LD接收到的蓝色光转换为绿色光并且发射绿色光。透射层230c照原样地发射从对应的发光二极管LD接收到的蓝色光。透射层230c可为无色的或者可为蓝色的。
第一光转换层230a和第二光转换层230b包括多个量子点。量子点可选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及组合物。
II-VI族化合物可选自从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及混合物选择的二元化合物、从CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及混合物选择的三元化合物以及从HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及混合物选择的四元化合物。
III-V族化合物可选自从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及混合物选择的二元化合物、从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及混合物选择的三元化合物以及从GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及混合物选择的四元化合物。
IV-VI族化合物可选自从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及混合物选择的二元化合物、从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及混合物选择的三元化合物以及从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及混合物选择的四元化合物。
IV族元素可选自Si、Ge和混合物。
IV族化合物可为选自SiC、SiGe和混合物的二元化合物。
在实施方式中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可将它们分别划分为待存在于相同的颗粒中的具有部分不同浓度的状态。另外，一些量子点包围一些其它量子点的核/壳结构可为可能的。核与壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳的元素的浓度在随着靠近其中心处而降低。
量子点可具有等于或小于约45nm，优选地等于或小于约40nm，并且更优选地等于或小于约30nm的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在该范围内，可改善颜色纯度或颜色再现性。
由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可改善光的视角。量子点的形状不特别限于本领域中通常使用的形状，并且可具有球形、金字塔形、多臂形、立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒形状。
透射层230c包括透射蓝色光的树脂。
第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c中的每个还可包括散射体。散射体可包括能够均匀地散射入射光的材料，并且例如可包括TiO2、ZrO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3和ITO中的一种。
阻挡层240布置在第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c的一个表面上。阻挡层240用于在第二面板200的制造工艺中保护第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c。阻挡层240可包括无机材料或有机材料。
在显示装置中，发光构件与对应的光转换层之间的距离可基于发光构件与紧邻的发光构件之间的距离来配置，以获得期望的颜色再现性。例如，第一像素PXa的发光构件140与第一光转换层230a之间的距离y可基于第一像素PXa的发光构件140与第二像素PXb的发光构件140之间的距离x来配置。第一像素PXa的发光构件140与第一光转换层230a之间的距离y可等于第二像素PXb的发光构件140与第二光转换层230b之间的距离，并且可等于第三像素PXc的发光构件140与透射层230c之间的距离。
图2示出了根据实施方式的发光构件的朗伯发光分布以及根据朗伯发光分布的亮度比。图3示出了根据实施方式的基于发光元件的朗伯发光分布和亮度比而配置的发光元件与光转换层之间的距离。
当相邻的光转换层处的亮度与从发光构件发射的光的亮度的比例为1％至15％时，可最小化相邻的像素之间的光干涉。
参照图2和图3，第一像素PXa的发光构件140与第二像素PXb的发光构件140之间的距离x和第一像素PXa的发光构件140与第一光转换层230a之间的距离y满足下式：
y＝x×tanθ1。
此处，θ1为(90-θ)，即，与θ的互补角。在图2中，与圆相切的水平线可表示发光构件140的发光面，并且θ是在发光面的点处与发光面垂直的线与连接发光面的点与从与发光面垂直的线远离的任一点的线之间的夹角。
为了在没有显著干扰的情况下再现性地获得期望的颜色，θ具有与相对于从发光构件140发射的光在1％的范围内的亮度比对应的角度至与相对于从发光构件140发射的光在15％的范围内的亮度比对应的角度的范围。
第一像素PXa的发光构件140与第二像素PXb的发光构件140之间的距离x可根据显示装置的分辨率来设计。例如，当第一像素PXa的发光构件140与第二像素PXb的发光构件140之间的距离x为100μm，并且由于对应的θ为84度，因此期望的亮度比为10.5％时，第一像素PXa的发光构件140与第一光转换层230a之间的距离y使用等式y＝100×tan(90-84)来配置，以使得y为约10.5μm。作为另一示例，当期望的亮度比为5.2％时，由于对应的θ为87度，因此第一像素PXa的发光构件140与第一光转换层230a之间的距离y使用等式y＝100×tan(90-87)来配置，以使得y为约5.2μm。
在实施方式中，发光构件与光转换层之间的距离可基于发光构件的朗伯发光分布和根据朗伯发光分布的亮度比来配置。因此，可最小化相邻的像素之间的光干涉。
作为朗伯发光分布的替代或补充，可应用高斯分布。例如，可使用高斯分布来获得下式中的θ1值：
y＝x×tanθ1。
图4示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
参照图4，显示装置的封装层170的结构与图1中所示的显示装置的结构不同，并且其余结构相同或相似。相同/相似结构的描述可不重复。
封装层170布置在第二电极150上并且保护发光二极管LD。封装层170包括第一无机膜171、第一有机膜172、第二无机膜173、第二有机膜174和第三无机膜175。
第一无机膜171布置在第二电极150上，并且第一有机膜172布置在第一无机膜171上。第二无机膜173布置在第一有机膜172上，第二有机膜174布置在第二无机膜173上，并且第三无机膜175布置在第二有机膜174上。发光构件与光转换层之间的距离可通过配置包括在封装层170中的无机膜和有机膜的数量来配置。因此，可最小化相邻的像素之间的光干涉。
在实施方式中，封装层170可具有无机膜和有机膜被重复地堆叠的六层或更多层的多层结构。
图5示出了根据实施方式的显示装置的示意性剖面图。
参照图5，显示装置的一个或更多个遮光构件300的结构与图1中所示的显示装置的结构不同，并且其余结构相同或相似。相同/相似结构的描述可不重复。
第一面板100包括第一衬底110、晶体管Tr、绝缘膜120、发光二极管LD、像素限定膜160、封装层170和遮光构件300。
遮光构件300布置在封装层170上并且与对应的分离层220重叠。遮光构件300布置在封装层170与分离层220之间。遮光构件300可包括吸收入射光的材料或反射光的材料。遮光构件300可布置在第一像素PXa和第二像素PXb之间，并且遮光构件300可布置在第二像素PXb和第三像素PXc之间。当遮光构件300包括反射光的材料时，遮光构件300再次将照射到对应的像素的发光构件140中相邻的像素的第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c的光反射到对应的像素的第一光转换层230a、第二光转换层230b和透射层230c，从而改善光效率。例如，遮光构件300可再次将从第一像素PXa的发光构件140发射到第二像素PXb的第二光转换层230b和第三像素PXc的透射层230c的光反射到第一像素PXa的第一光转换层230a。
遮光构件300相对于封装层170的高度h可等于或大于从封装层170的上表面到从布置在遮光构件300的相对两侧处的紧邻的两个发光构件140的最远部分(或者从其延伸的几何线)发射到布置在遮光构件300的相对两侧处的层230a、230b和230c中紧邻的两个层的最近部分的光线的交叉点的最小距离。具有该高度h的遮光构件300可防止从一个像素的发光构件140发射的光入射在相邻的像素的第一光转换层230a和第二光转换层230b或透射层230c上。
例如，当遮光构件300布置在第一像素PXa与第二像素PXb之间时，遮光构件300相对于封装层170的高度h可等于或大于从封装层170的上表面到相对于遮光构件300从第一像素PXa的发光构件140的最远部分(或者从其延伸的几何线)发射到第二像素PXb的第二光转换层230b的最近部分的光线La与相对于遮光构件300从第二像素PXb的发光构件140的最远部分(或者从其延伸的几何线)发射到第一像素PXa的第一光转换层230a的最近部分的光线Lb的交叉点的距离。
虽然已描述了示例实施方式，但是实际的实施方式不限于所描述的实施方式。实际的实施方式旨在涵盖所附权利要求书的范围内的各种修改和等效布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
第一像素，所述第一像素配置成显示第一颜色，包括第一发光体，并且包括与所述第一发光体重叠的第一颜色转换器；以及
第二像素，所述第二像素与所述第一像素在所述第一像素与所述第二像素之间没有中间像素的情况下紧邻，所述第二像素配置成显示与所述第一颜色不同的第二颜色，包括第二发光体，并且包括与所述第二发光体重叠的第二颜色转换器，其中
当所述第一发光体与所述第二发光体之间的距离为x，并且所述第一发光体与所述第一颜色转换器之间的距离为y时，满足以下等式：
y＝x×tanθ1
其中，θ1为(90-θ)，并且θ为在所述第一发光体的发光面的点处与所述发光面垂直的线与连接所述发光面的所述点与从与所述发光面垂直的所述线远离的任一点的线之间的夹角，
所述θ具有与相对于从所述第一发光体发射的所述光在1％的范围内的亮度比对应的角度至与相对于从所述第一发光体发射的所述光在15％的范围内的亮度比对应的角度的范围。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述θ是与根据所述第一发光体的朗伯发光分布的亮度比对应的角度。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一发光体配置成发射蓝色光。
4.如权利要求3所述的显示装置，还包括：
第三像素，所述第三像素与所述第二像素在所述第二像素与所述第三像素之间没有任何中间像素的情况下紧邻，所述第三像素配置成显示与所述第一颜色和所述第二颜色不同的第三颜色，包括第三发光体，并且包括与所述第三发光体重叠的透射层。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一发光体与所述第一颜色转换器之间的所述距离等于所述第二发光体与所述第二颜色转换器之间的距离，以及
所述第一发光体与所述第一颜色转换器之间的所述距离等于所述第三发光体与所述透射层之间的距离。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一颜色转换器包括第一多个量子点，以及
所述第二颜色转换器包括第二多个量子点。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述透射层包括使从所述第三发光体发射的蓝色光透射的树脂。
8.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
封装层，所述封装层布置在所述第一发光体与所述第一颜色转换器之间、所述第二发光体与所述第二颜色转换器之间以及所述第三发光体与所述透射层之间；
遮光器，所述遮光器布置在所述封装层上；
第一分离器，所述第一分离器布置在所述第一颜色转换器与所述第二颜色转换器之间；以及
第二分离器，所述第二分离器布置在所述第二颜色转换器与所述透射层之间。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一分离器与所述遮光器重叠。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述遮光器相对于所述封装层的高度等于或大于从所述封装层到相对于所述遮光器从所述第一发光体的最远部分发射到所述第二颜色转换器的最近部分的光与相对于所述遮光器从所述第二发光体的最远部分发射到所述第一颜色转换器的最近部分的光的交叉点的最小距离。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1216209A (zh) * 1997-02-04 1999-05-05 出光兴产株式会社 有机场致发光显示装置
CN102047758A (zh) * 2009-05-20 2011-05-04 富士电机控股株式会社 有机el显示器
US20170123137A1 (en) * 2014-04-21 2017-05-04 Konica Minolta, Inc. Planar light-emitting unit
US20170125740A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN108695359A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1216209A (zh) * 1997-02-04 1999-05-05 出光兴产株式会社 有机场致发光显示装置
CN102047758A (zh) * 2009-05-20 2011-05-04 富士电机控股株式会社 有机el显示器
US20170123137A1 (en) * 2014-04-21 2017-05-04 Konica Minolta, Inc. Planar light-emitting unit
US20170125740A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN108695359A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和显示装置

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