KR20200056522A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 표시하고, 서로 인접하는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 포함하고, 상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 발광 부재, 그리고 상기 발광 부재 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제1 광 변환층을 포함하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 사이의 거리를 x라고 하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리를 y라고 할 때, 아래 식을 만족한다.
y = x × tanθ1
여기서, θ1는 90-θ를 나타내고, θ는 상기 발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되는 부분의 정면에 대한 각도를 나타낸다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다. 이러한 발광을 이용하여 발광 표시 장치가 소정의 영상을 표시한다.
이러한 발광 표시 장치는 색 재현율 및 휘도를 향상시키기 위하여 양자점을 포함하는 광 변환층을 사용할 수 있다.
발광층에서 발광한 광은 해당 화소의 광 변환층 뿐만 아니라, 인접한 화소의 광 변환층에도 영향을 미칠 수 있다.
실시예들은 인접한 화소의 광 간섭을 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 표시하고, 서로 인접하는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 포함하고, 상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 발광 부재, 그리고 상기 발광 부재 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제1 광 변환층을 포함하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 사이의 거리를 x라고 하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리를 y라고 할 때, 아래 식을 만족한다.
y = x × tanθ1
여기서, θ1는 90-θ를 나타내고, θ는 상기 발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되는 부분의 정면에 대한 각도를 나타낸다.
상기 θ는 상기 발광 부재의 램버시안 발광 분포를 적용할 수 있다.
상기 발광 부재는 청색광을 발광할 수 있다.
상기 제2 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제2 광 변환층을 포함하고, 상기 제3 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 투과층을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리는 상기 제2 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 광 변환층 사이의 거리 및 상기 제3 화소의 상기 발광 부재와 상기 투과층 사이의 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 광 변환층 및 상기 제2 광 변환층는 각각 복수의 양자점을 포함할 수 있다.
상기 투과층은 상기 청색광을 투과시키는 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지막, 상기 봉지막 위에 위치하는 광 차단 부재, 그리고 상기 제1 광 변환층과 상기 제2 광 변환층 사이 및 상기 제2 광 변환층과 상기 투과층 사이에 위치하는 분리층을 더 포함할 수 있다.
상기 분리층은 상기 광 차단 부재와 중첩할 수 있다.
상기 광 차단 부재의 높이는 상기 봉지막의 상부면에서 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제1 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제2 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광과 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제1 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광의 교차점까지의 거리보다 같거나 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 표시하고, 서로 인접하는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 포함하며, 상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 발광 부재, 그리고 상기 발광 부재 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지막, 상기 봉지막 위에 위치하는 광 차단 부재, 그리고 상기 제1 광 변환층과 상기 제2 광 변환층 사이 및 상기 제2 광 변환층과 상기 투과층 사이에 위치하고, 상기 광 차단 부재와 중첩하는 분리층을 포함하고, 상기 제1 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제1 광 변환층을 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제2 광 변환층을 포함하고, 상기 광 차단 부재의 높이는 상기 봉지막의 상부면에서 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제1 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제2 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광과 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제1 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광의 교차점까지의 거리보다 같거나 크다.
실시예들에 따르면, 인접한 화소의 광 간섭을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 2는 발광 부재의 램버시안(Lambitian) 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 표시 장치에서, 발광 부재의 램버시안 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 적용하여 발광 부재와 광변환층 사이의 거리를 조절하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)를 포함한다. 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)는 각각 다른 색을 표시한다. 예컨대, 제1 화소(PXa)는 적색을 표시하고, 제2 화소(PXb)는 녹색을 표시하고, 제3 화소(PXc)는 청색을 표시할 수 있다. 여기서, 제1 화소(PXa)와 제2 화소(PXb)는 서로 인접하게 위치하고, 제2 화소(PXb)와 제3 화소(PXc)는 서로 인접하게 위치한다. 제2 화소(PXb)는 제1 화소(PXa)와 제3 화소(PXc) 사이에 위치한다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시판(100) 및 제2 표시판(200)을 포함한다.
제1 표시판(100)은 제1 기판(110), 트랜지스터(Tr), 절연막(120), 발광 다이오드(LD), 화소 정의막(160) 및 봉지막(170)을 포함한다.
제1 기판(110)은 유리 또는 플라스틱을 포함한다. 트랜지스터(Tr)는 제1 기판(110) 위에 위치하고, 절연막(120)은 트랜지스터(Tr) 및 제1 기판(110) 위에 위치한다. 발광 다이오드(LD)는 절연막(120) 위에 위치하며, 트랜지스터(Tr)에 연결된다.
발광 다이오드(LD)는 트랜지스터(Tr)에 연결되는 제1 전극(130), 제1 전극(130) 위에 위치하는 발광 부재(140) 및 발광 부재(140) 위에 위치하는 제2 전극(150)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(130)은 발광 다이오드(LD)의 애노드(anode)일 수 있고, 제2 전극(150)은 발광 다이오드(LD)의 캐소드(cathode)일 수 있다. 제1 전극(130)은 광이 반사되는 도전 물질을 포함하고, 제2 전극(150)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에, 발광 부재(140)에서 발광된 광은 제2 전극(150) 방향으로 방출한다. 발광 부재(140)는 청색광을 발광할 수 있다.
화소 정의막(160)은 절연막(120) 및 제1 전극(130) 위에 위치하고, 제1 전극(130)과 중첩하는 개구를 가진다. 화소 정의막(160)의 개구에는 제1 전극(130) 위로 발광 부재(140)가 위치하고, 발광 부재(140) 위에 제2 전극(150)이 위치한다.
봉지막(170)은 제2 전극(150) 위에 위치하며, 발광 다이오드(LD)를 보호한다. 봉지막(170)은 제2 전극(150) 위에 위치하는 제1 무기막(171), 제1 무기막(171) 위에 위치하는 유기막(172), 그리고 유기막(172) 위에 위치하는 제2 무기막(173)을 포함한다.
제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)는 각각 트랜지스터(Tr) 및 발광 다이오드(LD)를 포함한다.
제2 표시판(200)은 봉지막(170) 위에 위치한다.
제2 표시판(200)은 제2 기판(210), 분리층(220), 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b), 투과층(230c), 베리어층(240)을 포함한다. 분리층(220), 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b), 투과층(230c), 베리어층(240)은 제2 기판(210)과 봉지층(170) 사이에 위치한다. 베리어층(240)은 봉지층(170) 위에 위치하며, 접착층에 의해 베리어층(240)과 봉지층(170)이 접착될 수 있다.
제1 화소(PXa)는 제1 광 변환층(230a)을 포함하고, 제2 화소(PXb)는 제2 광 변환층(230b)을 포함하고, 제3 화소(PXc)는 투과층(230c)을 포함할 수 있다.
제2 기판(210)은 유리 또는 플라스틱을 포함한다.
분리층(220), 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)은 각각 제2 기판(210)의 일면에 위치한다.
분리층(220)은 소정의 간격으로 서로 이격되어 위치하고, 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)이 위치하는 영역을 구획할 수 있다. 분리층(220)은 화소 정의막(160)과 중첩한다. 이러한 분리층(220)은 차광 부재일 수 있으며, 예컨대, 입사되는 광을 흡수하는 물질을 포함하거나 광을 반사하는 물질을 포함할 수 있다. 분리층(220)이 광을 반사하는 물질을 포함할 경우, 분리층(220)은 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)에서 분리층(220)을 향해 입사되는 광을 다시 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)으로 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)은 분리층(220) 사이에 위치한다. 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)은 각각 발광 부재(140)와 중첩한다.
제1 광 변환층(230a)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 청색광을 적색광으로 변환하여 방출하고, 제2 광 변환층(230b)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 청색광을 녹색광으로 변환하여 방출한다. 투과층(230c)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 청색광을 그대로 방출한다.
제1 광 변환층(230a) 및 제2 광 변환층(230b)은 복수의 양자점(quantum dot)을 포함한다. 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
투과층(230c)은 청색광을 투과시키는 수지(resin)를 포함한다.
또한, 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)은 각각 산란체를 더 포함할 수 있다. 산란체는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
베리어층(240)은 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)의 일면에 위치한다. 베리어층(240)은 제2 표시판(200)의 제조 과정에서 제1 광 변환층(230a), 제2 광 변환층(230b) 및 투과층(230c)을 보호하는 역할을 한다. 베리어층(240)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
이와 같은 표시 장치에서는 해당 화소의 발광 부재에서 발광한 광이 인접한 화소에 영향을 미쳐 표시 장치의 색 재현율이 저하될 수 있다. 이에, 서로 인접하는 화소의 발광 부재 사이의 거리에 대해 발광 부재와 광 변환층 사이의 거리를 조절하여 표시 장치의 색 재현율이 저하를 방지할 수 있다. 예컨대, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제2 화소(PXb)의 발광 부재(140) 사이의 거리(x)에 대해 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제1 광 변환층(230a) 사이의 거리(y)를 조절할 수 있다. 여기서, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제1 광 변환층(230a) 사이의 거리(y)는 제2 화소(PXb)의 발광 부재(140)와 제2 광 변환층(230b) 사이의 거리 및 제3 화소(PXc)의 발광 부재(140)와 투과층(230c) 사이의 거리와 동일하다.
이에 대해, 도 2 및 도 3을 참고하여 설명한다.
도 2는 발광 부재의 램버시안(Lambitian) 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 나타낸 도면이다. 도 3은 본 실시예에 따른 표시 장치에서, 발광 부재의 램버시안 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 적용하여 발광 부재와 광변환층 사이의 거리를 조절하는 일 예를 도시한 도면이다.
발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되면, 인접한 화소에 광 간섭을 최소화할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제2 화소(PXb)의 발광 부재(140) 사이의 거리(x)와 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제1 광 변환층(230a) 사이의 거리(y)는 아래와 같은 식을 만족한다.
y = x × tanθ1
여기서, θ1는 90-θ를 나타내고, θ는 발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되는 부분의 정면에 대한 각도를 나타낸다.
제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제2 화소(PXb)의 발광 부재(140) 사이의 거리(x)는 표시 장치의 해상도에 따라 설계될 수 있다. 예컨대, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제2 화소(PXb)의 발광 부재(140) 사이의 거리(x)가 100㎛일 때, 발광 부재(140)의 휘도비가 10.5%일 경우, θ는 84도 이므로, y = 100 × tan(90-84)를 만족하고, y 즉, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제1 광 변환층(230a) 사이의 거리(y)는 약 10.5㎛가 된다. 또한, 발광 부재(140)의 휘도비가 5.2%일 경우, θ는 87도 이므로, y = 100 × tan(90-87)를 만족하고, y 즉, 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)와 제1 광 변환층(230a) 사이의 거리(y)는 약 5.2㎛가 된다.
이와 같이, 발광 부재의 램버시안 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 적용하여 발광 부재와 광변환층 사이의 거리를 조절할 수 있다. 이에 따라, 인접한 화소 사이의 광 간섭을 최소화할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 발광 부재의 램버시안 발광 분포 및 그에 따른 휘도비를 적용한 실시예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 가우시안(Gaussian) 분포를 적용할 수 있다. 예컨대, 아래 식에서 가우시안 분포를 적용하여 θ1을 구할 수 있다.
y = x × tanθ1
이러한 발광 부재와 광변환층 사이의 거리를 조절을 위하여 발광 부재와 광변환층 사이에 여러 가지 층들을 추가할 수 있다. 이에 대해, 도 4를 참고하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 4를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 비교할 때, 봉지막(170)의 구조가 다를 뿐, 나머지 구조는 동일하다. 이에 동일한 구조의 설명은 생략한다.
봉지막(170)은 제2 전극(150) 위에 위치하며, 발광 다이오드(LD)를 보호한다. 봉지막(170)은 제1 무기막(171), 제1 유기막(172), 제2 무기막(173), 제2 유기막(174), 그리고 제3 무기막(175)을 포함한다.
제1 무기막(171)은 제2 전극(150) 위에 위치하고, 제1 유기막(172)은 제1 무기막(171) 위에 위치한다. 제2 무기막(173)은 제1 유기막(172) 위에 위치하고, 제2 유기막(174)은 제2 무기막(173) 위에 위치하고, 제3 무기막(175)은 제2 무기막(173) 위에 위치한다. 이와 같이, 봉지막(170)에 포함된 무기막 및 유기막의 수를 조절하여 발광 부재와 광변환층 사이의 거리를 조절할 수 있다. 이에 따라, 인접한 화소 사이의 광 간섭을 최소화할 수 있다.
또한, 이에 한정되지 않고, 봉지막(170)은 무기막과 유기막이 반복적으로 적층된 6층 이상의 다중층 구조일 수 있다.
또한, 인접한 화소 사이에 광 차단 부재를 형성하여 인접한 화소 사이의 광 간섭을 최소화할 수 있다. 이에 대해, 도 5를 참고하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 비교할 때, 광 차단 부재(300)의 구조만 다를 뿐, 나머지 구조는 동일하다. 이에 동일한 구조의 설명은 생략한다.
제1 표시판(100)은 제1 기판(110), 트랜지스터(Tr), 절연막(120), 발광 다이오드(LD), 화소 정의막(160), 봉지막(170) 및 광 차단 부재(300)을 포함한다.
광 차단 부재(300)는 봉지막(170) 위에 위치하고, 분리층(220)과 중첩한다. 즉, 광 차단 부재(300)는 봉지막(170)과 분리층(220) 사이에 위치한다. 광 차단 부재(300)는 입사되는 광을 흡수하는 물질을 포함하거나 광을 반사하는 물질을 포함할 수 있다. 이러한 광 차단 부재(300)는 각 화소(PXa, PXb, PXc) 사이에 위치할 수 있다. 광 차단 부재(300)가 광을 반사하는 물질을 포함할 경우, 광 차단 부재(300)는 해당 화소의 발광 부재(140)에서 인접한 화소의 광변환층(230a, 230b) 및 투과층(230c)으로 발광되는 광을 다시 해당 화소의 광변환층(230a, 230b) 및 투과층(230c)으로 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 광 차단 부재(300)는 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140)에서 제2 화소(PXb)의 제2 광 변환층(230b) 및 제3 화소(PXc)의 투과층(230c)로 발광되는 광을 다시 제1 화소(PXa)의 제1 광 변환층(230a)으로 반사시킬 수 있다.
광 차단 부재(300)의 높이(h)는 봉지막(170)의 상부면에서 광 차단 부재(300)를 기준으로 양측에 각각 위치하는 화소의 발광 부재(140) 중 가장 먼 부분으로부터 광 차단 부재(300)를 기준으로 양측에 각각 위치하는 화소의 광 변환층(230a, 230b) 또는 투과층(230c) 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광의 교차점까지의 거리보다 같거나 클 수 있다. 이러한 높이를 가지는 광 차단 부재(300)는 한 화소의 발광 부재(140)에서 발광하는 광이 인접한 화소의 광 변환층(230a, 230b) 또는 투과층(230c)으로 입사되는 것을 방지할 수 있다.
예컨대, 제1 화소(PXa) 및 제2 화소(PXb) 사이에 위치하는 광 차단 부재(300)의 경우, 광 차단 부재(300)의 높이(h)는 봉지막(170)의 상부면에서 광 차단 부재(300)를 기준으로 제1 화소(PXa)의 발광 부재(140) 중 가장 먼 부분으로부터 제2 화소(PXb)의 제2 광 변환층(230b) 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광(La)과 광 차단 부재(300)를 기준으로 제2 화소(PXa)의 발광 부재(140) 중 가장 먼 부분으로부터 제1 화소(PXb)의 제1 광 변환층(230a) 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광(Lb)의 교차점까지의 거리보다 같거나 클 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 제1 기판 120: 절연막
130: 제1 전극 140: 발광 부재
150: 제2 전극 160: 화소 정의막
170: 봉지막 210: 제2 기판
220: 분리층 230a: 제1 광 변환층
230b: 제2 광 변환층 230c: 투과층
240: 배리어층 300: 광 차단 부재
LD: 발광 다이오드

Claims (18)

  1. 서로 다른 색을 표시하고, 서로 인접하는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 포함하고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터에 연결되는 연결되는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 발광 부재, 그리고
    상기 발광 부재 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제1 광 변환층을 포함하고,
    상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 사이의 거리를 x라고 하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리를 y라고 할 때, 아래 식을 만족하는 표시 장치:
    y = x × tanθ1
    여기서, θ1는 90-θ를 나타내고, θ는 상기 발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되는 부분의 정면에 대한 각도를 나타낸다.
  2. 제1항에서,
    상기 θ는 상기 발광 부재의 램버시안 발광 분포를 적용하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 발광 부재는 청색광을 발광하는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제2 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제2 광 변환층을 포함하고,
    상기 제3 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 투과층을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리는 상기 제2 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 광 변환층 사이의 거리 및 상기 제3 화소의 상기 발광 부재와 상기 투과층 사이의 거리와 동일한 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 광 변환층 및 상기 제2 광 변환층는 각각 복수의 양자점을 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 투과층은 상기 청색광을 투과시키는 수지를 포함하는 표시 장치.
  8. 제4항에서,
    상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지막,
    상기 봉지막 위에 위치하는 광 차단 부재, 그리고
    상기 제1 광 변환층과 상기 제2 광 변환층 사이 및 상기 제2 광 변환층과 상기 투과층 사이에 위치하는 분리층을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 분리층은 상기 광 차단 부재와 중첩하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 광 차단 부재의 높이는 상기 봉지막의 상부면에서 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제1 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제2 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광과 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제1 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광의 교차점까지의 거리보다 같거나 큰 표시 장치.
  11. 서로 다른 색을 표시하고, 서로 인접하는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 포함하며,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터에 연결되는 연결되는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 발광 부재, 그리고
    상기 발광 부재 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지막,
    상기 봉지막 위에 위치하는 광 차단 부재, 그리고
    상기 제1 광 변환층과 상기 제2 광 변환층 사이 및 상기 제2 광 변환층과 상기 투과층 사이에 위치하고, 상기 광 차단 부재와 중첩하는 분리층을 포함하고,
    상기 제1 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제1 광 변환층을 포함하고,
    상기 제2 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 제2 광 변환층을 포함하고,
    상기 광 차단 부재의 높이는 상기 봉지막의 상부면에서 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제1 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제2 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광과 상기 광 차단 부재를 기준으로 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 중 가장 먼 부분으로부터 상기 제1 광 변환층 중 가장 가까운 부분으로 발광하는 광의 교차점까지의 거리보다 같거나 큰 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 화소의 상기 발광 부재 사이의 거리를 x라고 하고, 상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리를 y라고 할 때, 아래 식을 만족하는 표시 장치:
    y = x × tanθ1
    여기서, θ1는 90-θ를 나타내고, θ는 상기 발광 부재에서 발광하는 광에 대해 정면대비 휘도가 1% 내지 15%가 되는 부분의 정면에 대한 각도를 나타낸다.
  13. 제12항에서,
    상기 θ는 상기 발광 부재의 램버시안 발광 분포를 적용하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 발광 부재는 청색광을 발광하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제3 화소는 상기 발광 부재와 중첩하는 투과층을 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 화소의 상기 발광 부재와 상기 제1 광 변환층 사이의 거리는 상기 제2 화소의 상기 발광 부재와 상기 제2 광 변환층 사이의 거리 및 상기 제3 화소의 상기 발광 부재와 상기 투과층 사이의 거리와 동일한 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 제1 광 변환층 및 상기 제2 광 변환층는 각각 복수의 양자점을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 투과층은 상기 청색광을 투과시키는 수지를 포함하는 표시 장치.
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