KR20200098749A - 표시 장치 - Google Patents

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오근찬
김병철
김인옥
송인석
이각석
장창순
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 행 방향 및 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 배치된 복수의 화소를 포함하는 표시 장치로서, 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자가 배치된 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판 상의 화소 제1 열에 배치되고 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 파장 변환하는 제1 파장 변환 패턴으로서, 상기 열 방향을 따라 스트라이프 방식으로 배치된 제1 메인 패턴부, 및 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측, 및 타측 중 적어도 하나의 측으로 돌출되는 돌출 패턴부를 포함하는 제1 파장 변환 패턴을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 유기 발광 표시 장치는 자발광형 소자인 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치는 발광 영역에서 출사된 광을 특정 파장으로 변환하는 광 변환 패턴을 포함하는데, 상기 광 변환 패턴이 스트라이프 형상으로 적용될 수 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치의 비발광 영역과 중첩하는 영역의 상기 광 변환 패턴에서도 상기 출사된 광의 파장 변환이 발생하기 때문에, 상기 비발광 영역과 중첩하는 영역에서 상기 광 변환 패턴의 형상을 확장하여 특정 파장 변환 효율을 높일 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 비발광 영역과 중첩하는 영역에서 광 변환 패턴의 형상을 일부 확장하여 특정 파장 변환 효율이 큰 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 행 방향 및 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 배치된 복수의 화소를 포함하는 표시 장치로서, 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자가 배치된 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판 상의 화소 제1 열에 배치되고 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 파장 변환하는 제1 파장 변환 패턴으로서, 상기 열 방향을 따라 스트라이프 방식으로 배치된 제1 메인 패턴부, 및 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측, 및 타측 중 적어도 하나의 측으로 돌출되는 돌출 패턴부를 포함하는 제1 파장 변환 패턴을 포함한다.
상기 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소의 행 경계에 배치될 수 있다.
상기 돌출 패턴부는 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제1 돌출 패턴부, 및 상기 행 방향의 타측으로 돌출된 제2 돌출 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 화소 제1 열의 상기 행 방향의 타측에 배치된 화소 제2 열; 및 상기 화소 제2 열을 따라 배열되고 상기 제2 돌출 패턴부를 따라 상기 제1 방향의 타측으로 만입된 제1 만입 패턴부를 포함하는 광 투과 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및 상기 화소 제3 열을 따라 배열된 제2 메인 패턴부, 및 상기 제2 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제3 돌출 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 파장 변환 패턴은 상기 제3 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제2 만입 패턴부를 더 포함하되, 상기 제2 만입 패턴부는 상기 복수의 화소의 행 경계와 중첩 배치될 수 있다.
상기 화소 제1 열 내지 상기 화소 제3 열은 상기 행 방향을 따라 반복 배치되되, 상기 제2 파장 변환 패턴은 인접한 상기 제1 광 변환 패턴의 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제3 만입 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및 상기 화소 제3 열에 배치된 제2 파장 변환 패턴을 더 포함하되, 상기 화소 제1 열 내지 상기 화소 제3 열은 상기 행 방향을 따라 반복 배치될 수 있다.
상기 제2 파장 변환 패턴은 인접한 상기 제1 광 변환 패턴의 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제2 만입 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴부는 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 타측으로 돌출된 제1 돌출 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 화소 제1 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제2 열; 상기 화소 제2 열을 따라 배열되고 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 제1 방향의 타측으로 만입된 제1 만입 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴; 상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및 상기 화소 제3 열을 따라 배열된 제2 메인 패턴부, 및 상기 제2 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제2 돌출 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 만입 패턴부, 및 상기 제2 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소 행 경계에 배치될 수 있다.
상기 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소 행 경계 중 일부에는 비배치될 수 있다.
상기 제1 기판 상의 상기 복수의 화소 행 경계 및 상기 복수의 화소 열 경계를 따라 배치된 차광 패턴을 더 포함하되, 상기 차광 패턴은 상기 돌출 패턴부와 중첩 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 행 방향 및 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 배치된 복수의 화소를 포함하는 표시 장치로서, 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자가 배치된 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판 상의 화소 제1 열에 배치되고 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 파장 변환하는 파장 변환 패턴으로서, 상기 행 방향의 제1 폭을 갖는 제1 패턴부, 및 상기 행 방향의 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 패턴부를 포함하는 파장 변환 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제2 패턴부는 평면상 상기 제1 패턴부의 상기 행 방향 양측에지로부터 각각 더 연장될 수 있다.
상기 제2 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 연장된 부분은 상기 복수의 화소의 행 경계에 배치될 수 있다.
상기 파장 변환 패턴은 상기 행 방향의 상기 제1 폭보다 큰 제3 폭을 갖는 제3 패턴부를 더 포함하되, 상기 제3 패턴부는 평면상 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 더 연장될 수 있다.
상기 제3 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 더 연장된 부분은 상기 복수의 화소의 행 경계에 비배치될 수 있다.
상기 제1 기판 상의 상기 복수의 화소 행 경계 및 상기 복수의 화소 열 경계를 따라 배치된 차광 패턴을 더 포함하되, 상기 차광 패턴은 상기 제2 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 연장된 부분과 중첩 배치될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 비발광 영역과 중첩하는 영역에서 광 변환 패턴의 형상을 일부 확장하여 특정 파장 변환 효율이 큰 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3을 확대한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 4의 VI-VI’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 4의 VII-VII’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 4의 VIII- VIII’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 돌출 패턴에 의해 특정 파장 변환 효율이 증가되는 것을 보여주는 평면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 12은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)는 일 방향으로 연장된 양 단변과 상기 일 방향과 교차하는 다른 방향으로 연장된 양 장변을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1)의 장변은 도시된 바와 같이 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 단변은 제1 방향(DR1)과 평면상 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 평면상 표시 장치(1)의 상기 장변과 상기 단변이 만나는 코너부는 직각일 수 있지만, 이에 제한되지 않으며, 라운드진 곡선 형상을 가질 수도 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 표시 장치(1)의 평면 형상은 원형, 정사각형, 타원이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
표시 장치(1)는 화상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 표시 장치의 중앙부에 배치될 수 있으며, 복수의 화소를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 표시 장치의 중앙부에 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소를 포함할 수 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 외측에 배치되어 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 비표시 영역(NA)은 발광 영역과 실질적으로 동일한 구조를 가지지만 발광을 하지 않도록 제어된 더미 발광 영역을 포함하거나, 발광 영역을 포함하되 차광 부재를 통해 표시 방향으로의 광 출사가 차단되어 있을 수 있다.
비표시 영역(NA)은 실링 영역(SA)을 더 포함할 수 있다. 실링 영역(SA)은 후술할 실링 부재가 배치된 영역일 수 있다. 실링 영역(SA)은 표시 장치(1)의 양 장변 및 양 단변이 포함하는 테두리 부위를 따라 연속적으로 배치될 수 있다.
표시 장치(1)는 도 2에 도시된 바와 같이 광 제공부(100), 광 제공부(100)와 대향하는 광 변환부(300), 광 제공부(100)와 광 변환부(300) 사이에 개재된 충진재(70) 및 광 제공부(100)와 광 변환부(300)의 테두리에서 이들을 상호 결합하고 실링 영역(SA)에 배치된 실링 부재(50)를 포함할 수 있다. 실링 부재(50)는 평면상 실링 영역(SA)을 따라 배치된 연속적인 사각틀 형상일 수 있다.
광 제공부(100)는 영상을 표시하기 위한 소자와 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DA)에 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 뱅크층, 및 유기 발광 소자들을 포함할 수 있다. 광 제공부(100)는 표시 기판일 수 있다.
광 변환부(300)는 광 제공부(100)의 상부에 위치하고, 광 제공부(100)와 대향한다. 광 변환부(300)는 상기한 표시 기판에 대향하는 대향 기판일 수 있다. 나아가, 광 변환부(300)는 광 제공부(100)에서 제공된 광(입사광)의 색을 변환하는 광 변환 패턴을 포함하는 색변환 기판일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
비표시 영역(NA)에서 광 제공부(100)와 광 변환부(300) 사이에는 실링 부재(50)가 위치할 수 있다. 실링 부재(50)는 상술한 바와 같이 광 제공부(100)와 광 변환부(300)의 가장자리를 따라 배치되어 평면 상에서 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 동시에, 실링 부재(50)는 두께 방향으로 광 제공부(100)와 광 변환부(300) 사이에 배치될 수 있다. 실링 부재(50)는 광 제공부(100)와 광 변환부(300)를 상호 결합시킬 수 있다. 즉, 광 제공부(100)와 광 변환부(300)는 실링 부재(50)를 매개로 상호 결합될 수 있다. 실링 부재(50)는 일반적인 접착 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
충진재(70)는 광 제공부(100), 광 변환부(300) 및 실링 부재(50)에 의해 둘러싸인 공간에 배치될 수 있다. 충진재(70)는 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어지며, 완충 기능을 가질 수 있다. 일 실시예에서 충진재(70)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 충진재(70)는 실리콘계 유기 물질, 에폭시계 유기 물질, 아크릴계 유기 물질 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 3을 확대한 평면도이고, 도 5는 도 4의 V-V’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 6은 도 4의 VI-VI’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 7은 도 4의 VII-VII’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 8은 도 4의 VIII- VIII’선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 9는 돌출 패턴에 의해 특정 파장 변환 효율이 증가되는 것을 보여주는 평면도이다.
도 3 내지 도 9를 참조하면, 표시 영역(DA)의 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 화소는 제1 색을 표시하는 복수의 제1 화소(PX1), 제2 색을 표시하는 복수의 제2 화소(PX2) 및 제3 색을 표시하는 복수의 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 화소(PX1)는 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광을 출사하는 녹색 화소이고, 제2 화소(PX2)는 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색광을 출사하는 청색 화소이고, 제3 화소(PX3)는 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광을 출사하는 적색 화소일 수 있다.
각 화소(PX1, PX2, PX3)의 평면상 크기는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 화소(PX1)의 평면상 크기는 제1 및 제2 화소(PX1, PX2)의 평면상 크기보다 크고, 제1 화소(PX1)의 평면상 크기는 제2 화소(PX2)의 평면상 크기보다 클 수 있다. 다만, 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 평면상 크기는 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 화소(PX3)의 평면상 크기가 제1 및 제2 화소(PX1, PX2)의 평면상 크기보다 크고, 제1 화소(PX1)의 평면상 크기가 제2 화소(PX2)의 평면상 크기보다 클 수 있다.
제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 스트라이프 방식으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 각 화소(PX1, PX2, PX3)는 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 스트라이프 형상일 수 있다. 동일한 화소 열에 속하는 화소는 모두 동일한 색을 표시할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 화소( PX1)가 화소 제1 열에 배치되고, 복수의 제2 화소(PX2)가 화소 제2 열에 배치되고, 복수의 제3 화소(PX3)가 화소 제3 열에 배치되며, 이와 같은 배열이 행 방향을 따라 반복될 수 있다.
각 화소(PX1, PX2, PX3)는 출광 영역(PA1, PA2, PA3) 및 비출광 영역(PB)을 포함할 수 있다. 출광 영역(PA1, PA2, PA3)은 표시면을 통해 빛이 출사되는 영역으로 정의되고, 비출광 영역(PB)은 표시면을 통해 빛이 출사되지 않는 영역으로 정의된다. 비출광 영역(PB)은 출광 영역(PA1, PA2, PA3)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 출광 영역(PA1, PA2, PA3)과 비출광 영역(PB)의 구분은 후술하는 제1 차광 패턴에 의해 이루어질 수 있다.
각 화소(PX1, PX2, PX3)는 발광 영역(LA1, LA2, LA3), 및 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 주변에 배치된 비발광 영역(LB)을 더 포함한다. 발광 영역(LA1, LA2, LA3)은 유기층에 의해 빛을 발광하는 영역으로 정의된다. 발광 영역(LA1, LA2, LA3)과 비발광 영역(LB)의 구분은 후술하는 뱅크층에 의해 이루어질 수 있다. 각 발광 영역(LA1, LA2, LA3)은 출광 영역(PA1, PA2, PA3) 내에 위치하고, 비발광 영역(LB)은 비출광 영역(PB) 내에 위치할 수 있다. 화소(PX1, PX2, PX3)들의 경계는 비발광 영역(LB) 내에 위치할 수 있다.
한편, 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 평면 프로파일은 서로 상이할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 화소 행 경계(PRL)에서, 제1 화소(PX1)는 각각 제1 방향(DR1) 양측으로 돌출된 돌출 패턴부를 포함하고, 제2 화소(PX2)는 제1 방향(DR1) 양측으로 만입된 만입 패턴부를 포함하고, 제3 화소(PX3)는 제1 방향(DR1) 일측으로 돌출된 돌출 패턴부와 제1 방향(DR1) 일측으로 만입된 만입 패턴부를 포함할 수 있다. 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 상기 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부는 복수의 화소 행 경계(PRL)마다 배치될 수 있다.
화소 행 경계(PRL), 및 화소 열 경계(PCL)는 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 경계에 위치한다. 화소 행 경계(PRL)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 화소 열 경계(PCL)는 대체로 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.
화소들(PX1, PX2, PX3)의 화소 열 경계(PCL)는 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 평면 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 즉, 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2) 간 화소 열 경계(PCL)는 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)의 평면 프로파일을 따라 배치되고, 제2 화소(PX2)와 제3 화소(PX3) 간 화소 열 경계(PCL)는 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)의 평면 프로파일을 따라 배치되며, 제3 화소(PX3)와 제1 화소(PX1) 간 화소 열 경계(PCL)는 제3 화소(PX3) 및 제1 화소(PX1)의 평면 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
화소들(PX1, PX2, PX3)의 경계에는 차광 패턴(320, 360)이 배치될 수 있다. 차광 패턴(320, 360)은 컬러 필터들 사이에 배치된 제1 차광 패턴(320)과 광 변환 패턴들(360) 사이에 배치된 제2 차광 패턴(360)을 포함할 수 있다.
제1 차광 패턴(320)은 화소 행 경계(PRL) 및 화소 열 경계(PCL)를 따라 배치될 수 있는 반면, 제2 차광 패턴(360)은 화소 행 경계(PRL)에는 배치되지 않고 화소 열 경계(PCL)를 따라서만 배치될 수 있다.
제1 차광 패턴(320) 및 제2 차광 패턴(360)은 상술한 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 평면 프로파일에 따라 배치된 화소 열 경계(PCL)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 다만, 몇몇 실시예에서 제1 차광 패턴(320) 및 제2 차광 패턴(360)은 대체로 화소 열 경계(PCL)를 따라 배치되되, 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 화소 행 경계(PRL)의 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부와 무관하게 라인 형상을 갖고 배치될 수 있다.
이하, 광 제공부(100)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
광 제공부(100)는 제1 베이스 기판(110), 스위칭 소자들(T1, T2, T3), 절연막(130), 화소 전극(AE), 뱅크층(150), 유기층(OL), 공통 전극(CE), 및 박막 봉지층(170)을 포함할 수 있다.
제1 베이스 기판(110)은 광 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 제1 베이스 기판(110)은 유기 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
제1 베이스 기판(110) 상에는 각 화소(PX1, PX2, PX3)마다 적어도 하나의 스위칭 소자들(T1, T2, T3)이 배치될 수 있다. 다만, 도시하지 않았으나 제1 베이스 기판(110) 상에는 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)에 신호를 전달하는 복수의 신호 배선들(예컨대, 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선 등)이 더 배치될 수 있다.
스위칭 소자들(T1, T2, T3) 상에는 절연막(130)이 배치될 수 있다. 절연막(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 절연막(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다.
절연막(130) 상에는 각 화소(PX1, PX2, PX3)별로 화소 전극(AE)이 배치될 수 있다. 각 화소 전극(AE)은 절연막(130)을 관통하는 비아홀을 통해 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)와 각각 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 화소 전극(AE)은 유기 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다. 화소 전극(AE)은 정공 주입이 용이한 일함수가 높은 물질, 예컨대, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3) 등을 포함할 수 있다. 전면 발광 표시 장치의 경우, 화소 전극(AE)은 반사성 물질층을 더 포함할 수 있다.
화소 전극(AE) 상에는 뱅크층(150)이 위치할 수 있다. 뱅크층(150)은 화소 열 경계(PCL), 화소 행 경계(PRL)를 따라 배치된 격자 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 뱅크층(150)은 화소 전극(AE)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 전극(AE) 중 뱅크층(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역이 발광 영역(LA1, LA2, LA3)이고, 뱅크층(150)에 의해 커버되는 영역이 비발광 영역(PB)일 수 있다. 뱅크층(150)은 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
뱅크층(150)의 상기 개구부에 의해 노출된 화소 전극(AE) 상에는 유기층(OL)이 배치될 수 있다. 도면에서는 유기층(OL)이 화소의 구분없이 일체로 연결된 경우를 예시하였지만, 유기층(OL)은 화소(PX1, PX2, PX3)별로 분리되도록 형성될 수도 있다.
유기층(OL)은 유기 발광층을 포함한다. 상기 유기 발광층에서 애노드 전극과 캐소드 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 청색광이 방출될 수 있다. 유기층(OL)은 정공과 전자의 주입/이동을 보조하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
유기층(OL) 상에는 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(AE)이 유기 발광 소자의 애노드 전극인 경우, 공통 전극(CE)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 되며, 공통 전극(CE)은 전자 주입이 용이한 일함수가 낮은 물질, 예컨대 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)을 포함할 수 있다.
각 화소(PX1, PX2, PX3)마다 배치된 각 상기 유기 발광층에서 발광한 청색광은 해당 화소(PX1, PX2, PX3)에 제공될 수 있다. 나아가, 각 유기 발광층 에서 발광된 광은 인접한 화소에도 제공될 수 있다.
박막 봉지층(170)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)은 외부로부터 불순물 또는 수분 등이 유기층(OL)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 공통 전극(CE) 상에 배치되어 상부에 배치되어 유기층(OL)을 밀봉하도록 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)은 무기 물질을 포함하는 제1 봉지 무기막(171), 제2 봉지 무기막(173), 및 이들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 봉지 유기막(172)을 포함할 수 있다.
이하 광 변환부(300)에 대해 설명한다. 광 변환부(300)는 제2 베이스 기판(310), 제1 차광 패턴(320), 컬러 필터(331, 332, 333), 광 변환 패턴(351, 352, 353), 복수의 적층된 캡핑층(341, 342), 및 제2 차광 패턴(360)을 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(310)은 제1 베이스 기판(110)과 대향한다. 제2 베이스 기판(310)은 제1 베이스 기판(110)의 예시된 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
광 제공부(100)를 향하는(도 5의 하측 방향) 제2 베이스 기판(310)의 일면 상에는 제1 차광 패턴(320)이 배치될 수 있다. 제1 차광 패턴(320)은 화소 열 경계(PCL), 화소 행 경계(PRL)를 따라 배치된 격자 형상으로 형성될 수 있다.
제1 차광 패턴(320)은 광의 투과를 차단할 수 있다. 구체적으로, 각 화소(PX1, PX2, PX3)에서 표시면으로 출사하는 광의 혼색을 방지하는 역할을 할 수 있다. 제1 차광 패턴(320)은 불투명 계열의 유기물, 크롬을 포함하는 금속 물질 또는 카본 블랙(Carbon black) 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
제2 베이스 기판(310)의 일면 상에는 컬러 필터(330)가 배치될 수 있다. 나아가 컬러 필터(330)는 제1 차광 패턴(320) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터(330)는 특정 파장의 빛은 흡수하고, 다른 특정 파장의 빛은 투과시키는 흡수형 필터일 수 있다.
컬러 필터(330)는 제1 내지 제3 컬러 필터(331~333)를 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터(331)는 제1 광 변환 패턴(351)에서 출사된 청색광(L1) 및 녹색광(L2) 중 청색광(L1)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(331)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능하며, 녹색광(L2)을 선택적으로 투과 필터로 기능할 수 있다. 제1 컬러 필터(331)는 녹색의 색제(green colorant)를 포함할 수 있다.
제2 컬러 필터(332)는 제2 광 변환 패턴(353)에서 출사된 청색광(L1)을 투과시킬 수 있다. 제2 컬러 필터(332)는 청색광 투과 필터로 기능할 수 있다. 제2 컬러 필터(332)는 청색의 색제(blue colorant)를 포함할 수 있다.
제3 컬러 필터(333)는 제3 광 변환 패턴(353)에서 출사된 적색광(L3)과 청색광(L1) 중 청색광(L1)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터(333)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능하며, 적색광(L3)을 선택적으로 투과 필터로 기능할 수 있다. 제3 컬러 필터(333)는 적색의 색제(red colorant)를 포함할 수 있다.
각 컬러 필터(331, 332, 333)는 스트라이프(Stripe) 방식으로 배열될 수 있다. 각 컬러 필터(331, 332, 333)는 각각 대체로 해당 화소 열을 따라 일체로 연결되어 배치되되, 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 화소 행 경계(PRL)의 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부와과 무관하게 화소 열 경계(PCL)를 넘어서 배치될 수도 있다. 즉, 제1 컬러 필터(331)는 대체로 상기 화소 제1 열에 배치되되, 제1 화소(PX1)의 돌출 패턴에는 배치되지 않을 수 있고, 제2 컬러 필터(332)는 대체로 상기 화소 제2 열에 배치되되, 인접한 제1 및 제3 화소(PX1, PX3)에 배치될 수 있고, 제3 컬러 필터(333)는 대체로 상기 화소 제3 열에 배치되되, 제3 화소(PX3)의 돌출 패턴에는 배치되지 않을 수 있다.
인접한 컬러 필터(331, 332, 333)는 인접한 컬러 필터와 서로 부분적으로 적층될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 중첩하지 않고 분리 배치될 수도 있다.
각 컬러 필터(331, 332, 333) 상에는 제1 캡핑층(341)이 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(341)은 컬러 필터(331, 332, 333)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다.
제1 캡핑층(341)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 각 컬러 필터(331, 332, 333)를 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 제1 캡핑층(341)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(341)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 캡핑층(341) 상에는 광 변환 패턴(350)이 배치될 수 있다. 광 변환 패턴(350)은 제1 광 변환 패턴(351), 광 투과 패턴(352), 및 제2 광 변환 패턴(353)을 포함할 수 있다.
제1 광 변환 패턴(351)은 청색광(L1)을 녹색광(L2)으로 변환하여 출사하고, 제2 광 변환 패턴(353)은 청색광(L1)을 적색광(L3)으로 변환하여 출사하며, 광 투과 패턴(352)은 청색광(L1)을 그대로 투과시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 광 변환 패턴(351)은 제1 베이스 수지, 및 상기 제1 베이스 수지 내에 분산된 제1 파장 변환 입자(CCP1)를 포함하고, 제2 광 변환 패턴(353)은 제2 베이스 수지, 및 상기 제2 베이스 수지 내에 분산된 제2 파장 변환 입자(CCP2)를 포함하고, 광 투과 패턴(352)은 제3 베이스 수지를 포함할 수 있다. 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 상기 각 베이스 수지에 분산된 산란 입자(SP)를 더 포함할 수 있다.
산란 입자(SP)는 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등의 금속 산화물 입자 또는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등의 유기 입자일 수 있다.
상기 각 베이스 수지는 광 투과율이 높고, 각 파장 변환 입자(CCP1, CCP2) 및 산란 입자(SP)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 상기 각 베이스 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환 입자(CCP1)는 청색광(L1)을 녹색광(L2)으로 변환시키고, 제2 파장 변환 입자(CCP2)는 청색광(L1)을 적색광(L3)으로 변환시킬 수 있다. 각 파장 변환 입자(CCP1, CCP2)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다. 제1 파장 변환 입자(CCP1) 및 제2 파장 변환 입자(CCP2)는 모두 양자점으로 이루어진 경우, 제2 파장 변환 입자(CCP2)를 이루는 양자점의 직경은 제1 파장 변환 입자(CCP1)를 이루는 양자점의 직경보다 클 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.
각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 스트라이프(Stripe) 방식으로 배열될 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(351), 광 투과 패턴(352), 및 제2 파장 변환 패턴(353)은 각 화소 열을 따라 일체로 연결되어 배치될 수 있다. 즉, 제1 파장 변환 패턴(351)은 상기 화소 제1 열에 배치되고, 광 투과 패턴(352)은 상기 화소 제2 열에 배치되며, 제2 파장 변환 패턴(353)은 상기 화소 제3 열에 배치될 수 있다. 즉, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 열 방향으로 배열된 화소 행 경계(RP1, RP2, RP3)에 무관하게 연장될 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 대체로 상기 화소 열 방향을 따라 연장된 라인 형상을 갖되, 일부 영역에서 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부를 가질 수 있다. 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)의 상기 돌출 패턴부 및/또는 상기 만입 패턴부는 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 비발광 영역(PB) 중 화소 행 경계(RPL)에 배치될 수 있다. 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)의 상기 돌출 패턴부 및/또는 상기 만입 패턴부의 유무는 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)에서 추출되는 광 효율에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 다른 광 변환 패턴 대비 추출 광 효율이 낮은 어느 하나의 광 변환 패턴은 양 측으로 돌출된 상기 돌출 패턴을 가져 다른 광 변환 패턴 대비 낮은 추출 광 효율을 높일 수 있다.
예를 들어, 제1 파장 변환 패턴(351)은 화소 열 방향, 예컨대 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 제1 메인 패턴부(351a), 및 화소 행 경계(RPL)에서 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 돌출 패턴부(351b, 351c)를 포함할 수 있다. 제1 메인 패턴부(351a)는 도 4에 도시된 바와 같이 제2 방향(DR2)을 따라 제1 방향(DR1)의 폭이 균일한 영역을 의미한다. 제1 메인 패턴부(351a)는 평면상 제2 방향(DR2)으로 연장된 일측 패턴 연장선(PEL1)(일측 에지)과 타측 패턴 연장선(PEL2)(타측 에지)을 포함한다. 각 돌출 패턴부(351b, 351c)는 제1 메인 패턴부(351a)의 각 패턴 연장선(PEL1, PEL2)으로부터 제1 방향(DR1) 양측으로 돌출된 영역을 의미한다. 즉, 각 돌출 패턴부(351b, 351c)와 제1 메인 패턴부(351a)는 제1 메인 패턴부(351a)의 각 패턴 연장선(PEL1, PEL2)을 통해 연결된다.
돌출 패턴부(351b, 351c)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제1 컬러 필터(331)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 나아가, 제1 돌출 패턴부(351b)는 제1 컬러 필터(331)와 인접한 제3 컬러 필터(333)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있고, 제2 돌출 패턴부(351c)는 제1 컬러 필터(332)와 인접한 제3 컬러 필터(333)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(351)의 돌출 패턴부(351b)에서 제1 돌출 패턴부(351b)는 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1) 일측, 즉 인접한 제2 파장 변환 패턴(353)을 향해 돌출되고, 제2 돌출 패턴부(351c)는 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1) 타측, 즉 인접한 광 투과 패턴(352)을 향해 돌출될 수 있다. 제1 돌출 패턴부(351b)와 제2 돌출 패턴부(351c)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 변환 패턴(351)은 돌출 패턴부(351b, 351c)를 가져 비발광 영역(LB)에서 제1 파장 변환 패턴(351)의 영역을 확장될 수 있다. 이로 인해 제1 파장 변환 패턴(351)에서의 파장 변환된 광의 파장 변환 효율이 전반적으로 높아질 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 돌출 패턴부(351b)는 상부의 제1 차광 패턴(320)과 중첩 배치되지만 돌출 패턴부(351b)로 입사한 입사광(L1), 예컨대 청색광이 제1 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환된 광(L2), 예컨대 녹색광은 측면 상부 방향으로 진행하여 제1 차광 패턴(320)이 비배치된 영역, 즉 제1 출광 영역(PA1)으로 출사될 수 있다. 이처럼, 대체로 상부의 제1 차광 패턴(320)에 의해 커버되지 않는 제1 메인 패턴부(351a)뿐만 아니라, 돌출 패턴부(351b, 351c)도 제1 파장 변환 패턴(351)에서 파장 변환된 광량을 증가시키는데에 기여할 수 있고, 이로 인해, 제1 파장 변환 패턴(351)에서의 파장 변환된 광 추출의 효율이 높아질 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(351)의 제1 메인 패턴부(351a), 돌출 패턴부(351b, 351c)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W351b)은 제1 메인 패턴부(351a) 만이 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W351a)보다 클 수 있다. 돌출 패턴부(351b, 351c)는 평면상 인접 화소(PX2, PX3)의 제1 파장 변환 패턴(351)과 인접한 발광 영역(LA2, LA3) 일측 제2 방향(DR2) 연장부보다 외측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 발광 영역(LA2, LA3)의 일측 제2 방향(DR2) 연장부의 내측에 배치될 수도 있다.
제1 돌출 패턴부(351b)와 제2 돌출 패턴부(351c)의 폭은 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
광 투과 패턴(352)은 화소 열 방향, 예컨대 제2 방향(DR2)을 따라 대체로 연장된 제2 메인 패턴부(352a)를 포함할 수 있다. 광 투과 패턴(352)의 제2 메인 패턴부(352a)는 화소 행 경계(RPL)에서 제1 방향(DR1)으로 만입된 만입 패턴부(IDP1, IDP2)를 포함할 수 있다.
제2 메인 패턴부(352a)는 대체로 도 4에 도시된 바와 같이 제2 방향(DR2)을 따라 제1 방향(DR1)의 폭이 균일한 영역을 의미한다. 제2 메인 패턴부(352a)는 평면상 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 패턴 연장선(PEL1, PEL2)과 중첩하거나 적어도 내측에 위치할 수 있다. 즉, 제2 메인 패턴부(352a)의 양측 에지는 패턴 연장선(PEL1, PEL2)을 따라 제2 방향(DR2)으로 연장되되, 화소 행 경계(PRL) 주변에서 패턴 연장선(PEL1, PEL2)으로부터 내측으로 만입된 만입 패턴부(IDP1, IDP2)를 포함한다.
즉, 제1 만입 패턴부(IDP1)는 제1 패턴 연장선(PEL1)으로부터 제1 방향(DR1) 타측, 즉 제1 파장 변환 패턴(351)의 반대 방향으로 만입된 형상을 갖고, 제2 만입 패턴부(IDP2)는 제2 패턴 연장선(PEL2)으로부터 제1 방향(DR1) 일측, 즉 제2 파장 변환 패턴(353)의 반대 방향으로 만입된 형상을 가질 수 있다.
제1 만입 패턴부(IDP1) 및 제2 만입 패턴부(IDP2)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
만입 패턴부(IDP1, IDP2)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제2 컬러 필터(332)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 다만, 만입 패턴부(IDP1, IDP2)는 제1 및 제2 돌출 패턴부(351b, 351c)와 달리, 인접한 제1 및 제3 컬러 필터(331, 333)와 두께 방향으로 비중첩할 수 있다.
광 투과 패턴(352)의 만입 패턴부(IDP1, IDP2)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W352b)은 만입 패턴부(IDP1, IDP2)가 배치되지 않은 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W352a)보다 작을 수 있다. 광 투과 패턴(352) 상의 패턴 연장선(PEL1, PEL2)로부터 만입 패턴부(IDP1, IDP2)까지의 폭은 인접한 제1 및 제2 파장 변환 패턴(351, 353)의 돌출 패턴의 돌출된 폭에 의해 결정될 수 있다. 즉, 광 투과 패턴(352) 상의 패턴 연장선(PEL1, PEL2)로부터 만입 패턴부(IDP1, IDP2)까지의 폭은 인접한 돌출 패턴(351c, 353b)의 폭과 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 광 투과 패턴(352) 상의 패턴 연장선(PEL1, PEL2)로부터 만입 패턴부(IDP1, IDP2)까지의 폭은 인접한 돌출 패턴(351c, 353b)의 폭보다 작을 수 있다.
광 투과 패턴(352) 상의 패턴 연장선(PEL1, PEL2)로부터 만입 패턴부(IDP1, IDP2)까지의 폭은 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
몇몇 실시예에서 광 투과 패턴(352)은 만입 패턴부(IDP1, IDP2)를 포함하지 않고, 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 라인 형상일 수 있다. 즉, 광 투과 패턴(352)의 제2 메인 패턴부(352a)는 양측 패턴 연장선(PEL1, PEL2)을 따라 연장될 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353)은 화소 열 방향, 예컨대 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 제3 메인 패턴부(353a), 화소 행 경계(RPL)에서 제3 메인 패턴부(353a)로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 돌출 패턴부(353b), 및 제1 방향(DR1)으로 만입된 만입 패턴부(IDP3)를 포함할 수 있다.
제3 메인 패턴부(353a)는 도 4에 도시된 바와 같이 제2 방향(DR2)을 따라 제1 방향(DR1)의 폭이 균일한 영역을 의미한다. 제3 메인 패턴부(353a)는 평면상 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 제3 메인 패턴부(353a) 상의 패턴 연장선(PEL1, PEL2)과 중첩하거나 적어도 내측에 위치할 수 있다. 제3 돌출 패턴부(353b)는 제3 메인 패턴부(353a)의 제1 패턴 연장선(PEL1)으로부터 광 투과 패턴(352)을 향해 돌출된 영역을 의미한다. 즉, 제3 돌출 패턴부(353b)와 제3 메인 패턴부(353a)는 제3 메인 패턴부(353a) 상의 제1 패턴 연장선(PEL1)을 통해 연결된다.
또, 제3 메인 패턴부(353a)의 제1 파장 변환 패턴(351)과 인접한 에지는 제2 패턴 연장선(PEL2)을 따라 제2 방향(DR2)으로 연장되되, 화소 행 경계(PRL) 주변에서 제2 패턴 연장선(PEL2)으로부터 내측으로 만입된 제3 만입 패턴부(IDP3) 를 포함한다.
즉, 제3 돌출 패턴부(353b)는 제3 메인 패턴부(353a)로부터 제1 방향(DR1) 일측, 즉 인접한 광 투과 패턴(352)을 향해 돌출되고, 제3 만입 패턴부(IDP3)는 제1 방향(DR1) 일측, 즉 제1 파장 변환 패턴(351)의 반대 방향으로 만입된 형상을 가질 수 있다.
제3 돌출 패턴부(353b)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제3 컬러 필터(333)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 나아가, 제3 돌출 패턴부(353b)는 제3 컬러 필터(333)와 인접한 제2 컬러 필터(332)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353)은 제3돌출 패턴부(353b) 및 제3 만입 패턴부(IDP3)를 가짐으로써 일측 방향으로 확장된 영역과 타측 방향으로 축소된 영역을 가질 수 있다. 제3 돌출 패턴부(353b)는 상부의 제1 차광 패턴(320)과 중첩 배치되지만 제3 돌출 패턴부(353b)로 입사한 입사광(L1), 예컨대 청색광이 제2 파장 변환 입자(CCPL2)에 의해 파장 변환된 광(L2), 예컨대 적색광은 측면 상부 방향으로 진행하여 제1 차광 패턴(320)이 비배치된 영역, 즉 제3 출광 영역(PA3)으로 출사될 수 있다. 이처럼, 대체로 상부의 제1 차광 패턴(320)에 의해 커버되지 않는 제3 메인 패턴부(353a)뿐만 아니라, 돌출 패턴부(353c) 도 제2 파장 변환 패턴(352)에서 파장 변환된 광량을 증가시키는데에 기여할 수 있다. 이로 인해, 일부 제3 만입 패턴부(IDP3)에서 제2 파장 변환 패턴(352)에서 파장 변환된 광량이 줄어드는 것을 보완할 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353)의 제3 메인 패턴부(353a), 제3 돌출 패턴부(353b), 및 제3 만입 패턴부(IDP3)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W353b)은 제3 메인 패턴부(353a) 만이 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W353a)과 동일할 수 있다. 즉, 제3 돌출 패턴부(353b)의 제1 방향(DR1) 폭은 제3 만입 패턴부(IDP3)와 제3 메인 패턴부(353a)의 기준선 간의 폭과 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 돌출 패턴부(353b)의 제1 방향(DR1) 폭은 제3 만입 패턴부(IDP3)와 제3 메인 패턴부(353a)의 기준선 간의 폭보다 클 수 있다. 이 경우, 제2 파장 변환 패턴(353)에서 파장 변환된 광 추출의 효율을 전반적으로 높일 수 있다.
제3 돌출 패턴부(353b)는 평면상 인접 화소(PX2)의 발광 영역(LA2) 타측 연장부보다 외측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 발광 영역(LA2)의 타측 연장부의 내측에 배치될 수도 있다.
제3 돌출 패턴부(353b)와 제3 만입 패턴부(IDP3)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
평면상, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 해당 화소(PX1, PX2, PX3) 내에 배치될 수 있다. 즉, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)의 평면상 크기는 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 크기보다 작을 수 있다. 이로 인해, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 각 화소 열 경계(PCL)를 기준으로, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
광 변환 패턴(350) 상에는 제2 캡핑층(342)이 배치될 수 있다. 제2 캡핑층(342)은 광 변환 패턴(351, 352, 353)을 커버할 수 있다.
제2 캡핑층(342)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제2 캡핑층(342)은 제1 캡핑층(341)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 캡핑층(341)의 설명에서 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다.
제2 차광 패턴(360)은 제2 캡핑층(342) 상에 배치될 수 있다.
제2 차광 패턴(360)은 인접한 화소(PX1, PX2, PX3) 간의 혼색 방지 기능을 할 수 있다. 제2 차광 패턴(360)은 제1 차광 패턴(320)의 예시 물질 중에 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 차광 패턴(360)은 불투명 계열의 유기 물질로 이루어질 수 있다.
각 제2 차광 패턴(360)은 광 변환 패턴(351, 352, 353)과 마찬가지로, 스트라이프 형성을 가질 수 있다. 즉, 제2 차광 패턴(360)은 화소 열 경계(PCL)를 따라 일체로 형성될 수 있다.
제2 차광 패턴(360)은 제1 차광 패턴(320)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 제2 차광 패턴(360)은 화소 열 경계(PCL)에서 제1 차광 패턴(320)과 중첩할 수 있다. 제2 차광 패턴(360)의 평면상 폭은 제1 차광 패턴(320)의 평면상 폭과 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 차광 패턴(360)의 평면상 폭은 제1 차광 패턴(320)의 평면상 폭보다 클 수 있다.
제2 차광 패턴(360)은 인접한 광 변환 패턴(351, 352, 353) 사이에 배치되어, 광 변환 패턴(351, 352, 353)의 사이 공간을 채울 수 있다. 나아가, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 차광 패턴(360)은 인접한 광 변환 패턴(351, 352, 353)의 표면 또는 일면까지 연장되어 배치될 수 있다.
충진재(70)는 광 제공부(100)와 광 변환부(300) 사이에 배치될 수 있다. 충진재(70)는 광 제공부(100)의 박막 봉지층(170)에 접하고, 광 변환부(300)의 제2 캡핑층(342) 및 제2 차광 패턴(360)과 접할 수 있다.
충진재(70)는 광 변환 패턴(351, 352, 353) 및 제2 차광 패턴(360)에 의한 표면 단차를 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 충진재(70)는 완충 기능을 가진 물질로 이루어져 광 제공부(100)와 광 변환부(300) 간에 발생하는 충격 등을 흡수하는 완충 부재로서의 역할을 할 수 있다. 예컨대, 충진재(70)는 실리콘계 유기 물질, 에폭시계 유기 물질, 아크릴계 유기 물질 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 유기층(OL)에서 출사된 광(L1), 예컨대 청색광은 제1 파장 변환 입자(CCPL1) 및 산란 입자(SP)를 포함하는 돌출 패턴부(351b)로 입사될 수 있다. 돌출 패턴부(351b)로 입사된 광(L1)은 산란 입자(SP)에 의해 산란되어 제1 컬러 필터(331)로 입사되어 흡수(L11)되거나 주변의 제1 파장 변환 입자(CCPL1)로 진행(L12)할 수 있다. 제1 파장 변환 입자(CCPL1)로 진행한 산란광(L12)은 제1 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환될 수 있다.
또, 제1 파장 변환 입자(CCPL1)로 입사된 광(L1)은 제1 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환(L21, L22)될 수 있다. 제1 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환된 광(L21, L22)은 제1 차광 패턴(320)에 의해 흡수(L22)될 수 있지만 일부 제1 차광 패턴(320)에 의해 반사되어 제1 차광 패턴(320)이 비배치된 영역, 즉 출광 영역으로 진행하거나 다시 제1 파장 변환 패턴(351)으로 진행할 수 있다, 또한, 제1 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환된 광(L2) 중 일부(L21)는 측면 상부 방향으로 진행하여 제1 차광 패턴(320)이 비배치된 영역, 즉 출광 영역(PA1, PA3)으로 출사(L21)될 수 있다. 이처럼, 광 변환 패턴(351, 353)의 돌출 패턴(351b, 351c, 353b)로 입사된 광(L1)이 파장 변환 입자(CCPL1, CCPL2)에 의해 파장 변환된 광 중 적어도 일부가 출광 영역(PA1, PA3)을 통해 출사되어, 제1 파장 변환 패턴(351)에 의한 전반적인 광 효율을 증가시키거나, 제2 파장 변환 패턴(353)에 의해 전반적인 광 효율을 유지하거나 적어도 증가시킬 수 있다.
이하, 다른 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 각 컬러 필터(331_1, 332_1, 333_1)가 도 3 내지 도 6에서 상술한 각 화소(PX1, PX2, PX3) 내에 배치된다는 점에서 도 3 내지 도 6에 따른 각 컬러 필터(331, 332, 333)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 각 컬러 필터(331_1, 332_1, 333_1)는 각 화소(PX1, PX2, PX3) 내에 배치되고 하부의 광 변환 패턴(351, 352, 353)과 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 즉, 제1 파장 변환 패턴(351)의 돌출 패턴부(351b, 351c)는 상부의 제1 컬러 필터(331_1)와 중첩 배치되고, 인접한 제2 및 제3 컬러 필터(332_1, 333_1)와 비중첩 배치되고, 제2 파장 변환 패턴(353)의 제3 돌출 패턴부(353b)는 상부의 제3 컬러 필터(333_1)와 중첩 배치되고, 인접한 제2 컬러 필터(332_1)와 비중첩 배치될 수 있다.
본 실시예의 경우에도 광 변환 패턴(351, 353)의 돌출 패턴(351b, 351c, 353b)로 입사된 광(L1)이 파장 변환 입자(CCPL1, CCPL2)에 의해 파장 변환된 광 중 적어도 일부가 출광 영역(PA1, PA3)을 통해 출사되어, 제1 파장 변환 패턴(351)에 의한 전반적인 광 효율을 증가시키거나, 제2 파장 변환 패턴(353)에 의해 전반적인 광 효율을 유지하거나 적어도 증가시킬 수 있다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 광 투과 패턴(352_1, 353_1)은 도 4 내지 도 8에 따른 광 투과 패턴(352, 353)과 패턴이 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 광 투과 패턴(352_1)은 제2 만입 패턴부(IDP2)를 포함하지 않고 평면상 제1 방향(DR1) 타측 단변이 제2 방향(DR2)을 따라 라인 형상일 수 있고, 제2 파장 변환 패턴(353_1)은 제3 돌출 패턴부(353b)를 포함하지 않고 평면상 제1 방향(DR1) 일측 단변이 제2 방향(DR2)을 따라 라인 형상일 수 있다. 광 투과 패턴(352_1)의 제2 파장 변환 패턴(353_1)을 바라보는 측면과 제2 파장 변환 패턴(353_1)의 광 투과 패턴(352_1)을 바라보는 측면은 서로 대향하여 연장될 수 있다.
광 투과 패턴(352_1)의 만입 패턴부(IDP1)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W352b_1)은 만입 패턴부(IDP1)가 배치되지 않은 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W352a)보다 작을 수 있다.
또, 제3 파장 변환 패턴(353_1)의 제3 메인 패턴부(353a), 및 제4 만입 패턴부(IDP4)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W353b_1)은 제3 메인 패턴부(353a)만이 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W353a)보다 작을 수 있다.
본 실시예의 경우 제2 화소(PX2)의 광 투과 패턴(352_1)을 통한 출사된 광, 예컨대 청색광의 광량이 줄어드는 것을 방지할 수 있다. 또, 일 실시예와 마찬가지로 광 변환 패턴(351)의 돌출 패턴(351b, 351c)으로 입사된 광이 파장 변환 입자(CCPL1)에 의해 파장 변환된 광 중 적어도 일부가 출광 영역(PA1)을 통해 출사되어, 제1 파장 변환 패턴(351)에 의한 전반적인 광 효율을 증가시킬 수 있다.
도 12은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 광 투과 패턴(351_1, 353_2)은 도 4 내지 도 8에 따른 광 투과 패턴(352, 353)과 패턴이 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제1 파장 변환 패턴(351_1)은 인접한 제2 파장 변환 패턴(352_2)을 향해 돌출된 돌출 패턴을 포함하지 않고, 제2 파장 변환 패턴(353_2)은 평면상 제1 방향(DR1) 타측 단변이 만입 패턴부를 포함하지 않고 제2 방향(DR2)을 따라 라인 형상일 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(351_1)의 제2 파장 변환 패턴(353_2)을 바라보는 측면과 제2 파장 변환 패턴(353_2)의 제1 파장 변환 패턴(351_1)을 바라보는 측면은 서로 대향하여 연장될 수 있다.
본 실시예의 경우 광 변환 패턴(351_1, 353_2)의 돌출 패턴(351c, 353b)으로 입사된 광이 파장 변환 입자(CCPL1, CCPL2)에 의해 파장 변환된 광 중 적어도 일부가 출광 영역(PA1, PA3)을 통해 출사되어, 제1 및 제2 파장 변환 패턴(351_1, 353_2)에 의한 전반적인 광 효율을 증가시킬 수 있다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 광 변환 패턴(351_2. 352_2, 353_3)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역, 에컨대 각 화소의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 열과 제1 방향(DR1) 중첩하는 영역에서 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부를 더 포함할 수 있다는 점에서 도 4에 따른 광 변환 패턴과 차이가 있다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제1 파장 변환 패턴(351_2)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역에서 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 돌출 패턴부(351d, 351e)를 포함할 수 있다. 돌출 패턴부(351d, 351e)는 비발광 영역(LB)내에 배치될 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(351)의 제4 돌출 패턴부(351d)는 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1) 일측, 즉 인접한 제2 파장 변환 패턴(353_3)을 향해 돌출되고, 제5 돌출 패턴부(351e)는 제1 메인 패턴부(351a)로부터 제1 방향(DR1) 타측, 즉 인접한 광 투과 패턴(352_3)을 향해 돌출될 수 있다. 제4 돌출 패턴부(351d)와 제5 돌출 패턴부(351e)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
돌출 패턴부(351d, 351e)는 평면상 인접 화소(PX2, PX3)의 발광 영역(LA2, LA3) 일측 연장부보다 외측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 발광 영역(LA2, LA3)의 일측 연장부의 내측에 배치될 수도 있다.
제4 돌출 패턴부(351d)와 제5 돌출 패턴부(351e)의 폭은 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 돌출 패턴부(351d, 351e)의 폭은 제1 및 제2 돌출 패턴부(351b, 351c)의 폭과 서로 동일할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
돌출 패턴부(351d, 351e)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제1 컬러 필터(331)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 즉, 제4 돌출 패턴부(351d)는 제1 컬러 필터(331)와 인접한 제3 컬러 필터(333)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있고, 제5 돌출 패턴부(351e)는 제1 컬러 필터(331)와 인접한 제2 컬러 필터(332)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(351_2)은 제1 및 제2 돌출 패턴부(351b, 351c)뿐만 아니라, 제4 및 제5 돌출 패턴부(351d, 351e)를 가져 비발광 영역(LB)에서 제1 파장 변환 패턴(351)의 영역을 더욱 확장함으로써 제1 파장 변환 패턴(351_2)에서 파장 변환된 광의 파장 변환 효율을 전반적으로 높일 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(351)의 제1 메인 패턴부(351a), 돌출 패턴부(351d, 351e)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭은 제1 메인 패턴부(351a) 만이 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W351a)보다 클 수 있다.
광 투과 패턴(352_2)의 제2 메인 패턴부(352a_2)는 화소 행 경계(RPL)와 비중첩하는 영역에서 제1 방향(DR1)으로 만입된 만입 패턴(IDP4, IDP5)을 더 포함할 수 있다. 제4 만입 패턴부(IDP4)은 제1 방향(DR1) 타측, 즉 제1 파장 변환 패턴(351_2)의 반대 방향으로 만입된 형상을 갖고, 제5 만입 패턴부(IDP5)은 제1 방향(DR1) 일측, 즉 제2 파장 변환 패턴(353_3)의 반대 방향으로 만입된 형상을 가질 수 있다.
제4 만입 패턴부(IDP4) 및 제5 만입 패턴부(IDP5)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
만입 패턴부(IDP4, IDP5)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제2 컬러 필터(332)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
광 투과 패턴(352_3)의 만입 패턴부(IDP4, IDP5)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭은 만입 패턴부(IDP4, IDP5)가 배치되지 않은 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W352a)보다 작을 수 있다. 제2 메인 패턴부(352a_1)의 제2 방향(DR2) 연장선으로부터 만입된 폭은 인접한 돌출 패턴(351d, 353c)의 폭과 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제2 메인 패턴부(352a_2)의 제2 방향(DR2) 연장선으로부터 만입된 폭은 인접한 돌출 패턴(351d, 353c)의 폭보다 작을 수 있다.
제2 메인 패턴부(352a_2)의 제2 방향(DR2) 연장선으로부터 만입 패턴부(IDP4, IDP5)까지의 폭은 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
몇몇 실시예에서 광 투과 패턴(352_2)은 만입 패턴부(IDP4, IDP5)를 포함하지 않고, 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 라인 형상일 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353_3)은 화소 행 경계(RPL)와 비중첩하는 영역에서 제3 메인 패턴부(353a_3)로부터 제1 방향(DR1)으로 돌출된 제6 돌출 패턴부(353c), 및 제1 방향(DR1)으로 만입된 제6 만입 패턴부(IDP6)를 포함할 수 있다. 제6 돌출 패턴부(353c)는 제3 메인 패턴부(353a_3)로부터 제1 방향(DR1) 일측, 즉 인접한 광 투과 패턴(352_2)을 향해 돌출되고, 제6 만입 패턴부(IDP6)는 제1 방향(DR1) 일측, 즉 제1 파장 변환 패턴(351_2)의 반대 방향으로 만입된 형상을 가질 수 있다.
제6 돌출 패턴부(353c)는 상부의 제1 차광 패턴(320), 및 제3 컬러 필터(333)와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다. 나아가, 제6 돌출 패턴부(353c)는 제3 컬러 필터(333)와 인접한 제2 컬러 필터(332)의 일부와 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353_3)은 제6 돌출 패턴부(353c) 및 제6 만입 패턴부(IDP6)를 가짐으로써 일측 방향으로 확장된 영역과 타측 방향으로 축소된 영역을 가질 수 있다. 제6 돌출 패턴부(353c)는 상부의 제1 차광 패턴(320)과 중첩 배치되지만 제6 돌출 패턴부(353c)로 입사한 입사광(L1), 예컨대 청색광이 제2 파장 변환 입자(CCPL2)에 의해 파장 변환된 광(L2), 예컨대 적색광은 측면 상부 방향으로 진행하여 제1 차광 패턴(320)이 비배치된 영역, 즉 제3 출광 영역(PA3)으로 출사될 수 있다. 이처럼, 대체로 상부의 제1 차광 패턴(320)에 의해 커버되지 않는 제3 메인 패턴부(353a_3)뿐만 아니라, 돌출 패턴부(353c)도 제2 파장 변환 패턴(353_3)에서 파장 변환된 광량을 증가시키는데에 기여할 수 있다. 이로 인해, 일부 제6 만입 패턴부(IDP6)에서 제2 파장 변환 패턴(353_3)에서 파장 변환된 광량이 줄어드는 것을 보완할 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(353_3)의 제3 메인 패턴부(353a_3), 제6 돌출 패턴부(353c), 및 제6 만입 패턴부(IDP6)가 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭은 제3 메인 패턴부(353a_3) 만이 배치된 영역의 제1 방향(DR1)의 폭(W353a)과 동일할 수 있다. 즉, 제6 돌출 패턴부(353c)의 제1 방향(DR1) 폭은 제6 만입 패턴부(IDP6)와 제3 메인 패턴부(353a_3)의 기준선 간의 폭과 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제6 돌출 패턴부(353c)의 제1 방향(DR1) 폭은 제6 만입 패턴부(IDP6)와 제3 메인 패턴부(353a_3)의 기준선 간의 폭보다 클 수 있다. 이 경우, 제2 파장 변환 패턴(353_3)에서 파장 변환된 광 추출의 효율을 전반적으로 높일 수 있다.
제6 돌출 패턴부(353c)는 평면상 인접 화소(PX2)의 발광 영역(LA2) 타측 연장부보다 외측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 발광 영역(LA2)의 타측 연장부의 내측에 배치될 수도 있다. 제6 돌출 패턴부(353c)와 제6 만입 패턴부(IDP6)는 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 광 변환 패턴(351_2, 352_3, 353_4)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역에서 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부를 더 포함한다는 점에서 도 11에 따른 광 변환 패턴(351, 352_1, 353_1)과 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제1 광 변환 패턴(351_2)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역에서 인접한 제2 파장 변환 패턴(353_4)으로 돌출된 제4 돌출 패턴부(351d) 및 광 투과 패턴(352_3)으로 돌출된 제5 돌출 패턴부(351e)를 더 포함하고, 광 투과 패턴(352_3)은 제2 메인 패턴부(352a_3)로부터 제1 파장 변환 패턴(351_2)의 반대 방향으로 만입된 제4 만입 패턴부(IDP4)를 더 포함하고, 제2 파장 변환 패턴(353_4)은 제3 메인 패턴부(353a_4)로부터 제1 파장 변환 패턴(351_2)의 반대 방향으로 만입된 제6 만입 패턴부(IDP6)를 더 포함할 수 있다.
제4 돌출 패턴부(351d), 제5 돌출 패턴부(351e), 제4 만입 패턴부(IDP4), 제6 만입 패턴부(IDP6)는 상술한 바 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 광 변환 패턴(351_3, 352_2, 353_5)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역에서 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부를 더 포함한다는 점에서 도 12에 따른 광 변환 패턴(351_1, 352, 353_2)과 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제1 광 변환 패턴(351_3)은 화소 행 경계(PRL)와 비중첩하는 영역에서 인접한 광 투과 패턴(352_2)으로 돌출된 제5 돌출 패턴부(351e)를 더 포함하고, 제2 파장 변환 패턴(353_5)은 제3 메인 패턴부(353a_5)로부터 인접한 광 투과 패턴(352_2)으로 돌출된 제6 돌출 패턴부(353c)를 더 포함할 수 있다.
제5 돌출 패턴부(351e) 및 제6 돌출 패턴부(353c)에 대해서는 상술한 바 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(8)는 광 변환 패턴(351, 352, 353)이 화소 행 경계(PRL)마다 배치되지 않고 간헐적으로 화소 행 경계(PRL)에 배치될 수 있다는 점에서 도 4에 따른 표시 장치(1)의 광 변환 패턴(351, 352, 353)과 차이가 있다. 도 16의 도시예에서는 제2 방향(DR2)을 따라 하나의 화소 행 경계(PRL)에는 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 배치되고 인접한 다른 화소 행 경계(PRL)에는 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 배치되지 않고, 그 아래 또 다른 화소 행 경계(PRL)에는 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 배치된 경우가 도시되어 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부는 두 개, 세 개, 또는 그 이상의 화소 행 경계(PRL)를 걸러 배치될 수도 있다.
도시하지 않았지만, 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 제1 방향(DR1)을 따라 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 반복 배치되지 않고 하나의 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)에는 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 배치되지만, 제2 방향(DR1)을 따라 인접한 다른 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)에는 돌출 패턴부 및/또는 만입 패턴부가 배치되지 않을 수도 있다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(9)의 컬러 필터(330_2)는 제2 베이스 기판(310)과 제1 차광 패턴(320_1) 사이에 배치된 제2 컬러 필터(332_2)를 포함한다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제2 컬러 필터(332_2)는 제1 화소(PX1) 및 제3 화소(PX3)에서 제1 차광 패턴(320_1)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치되며, 제2 화소(PX2)에서 제1 차광 패턴(320_1)과 제2 베이스 기판(310) 사이에 배치되고 제2 화소(PX2)에서 제1 차광 패턴(320_1)의 서로 마주보는 측면을 덮어 접할 수 있다.
표시 장치(9)로 입사되는 외부 광은 제2 베이스 기판(310)과 제1 차광 패턴(320_1) 사이에 배치된 제2 컬러 필터(332_2)를 투과할 수 있다. 즉, 제2 컬러 필터(332_2)를 투과한 외부 광은 청색광이며, 제1 차광 패턴(320_1)과 제2 컬러 필터(332_2)의 경계면에서 반사되어 외부로 다시 출사될 수 있다. 본 실시예의 구조는 제2 컬러 필터(332_2)의 개구율이 제1 컬러 필터(331_2) 및 제3 컬러 필터(333_2)의 개구율에 비해 작을 때 채택을 고려해볼 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 광 제공부
300: 광 변환부
70: 충진재

Claims (20)

  1. 행 방향 및 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 배치된 복수의 화소를 포함하는 표시 장치로서,
    상기 각 화소마다 배치된 발광 소자가 배치된 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상의 화소 제1 열에 배치되고 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 파장 변환하는 제1 파장 변환 패턴으로서,
    상기 열 방향을 따라 스트라이프 방식으로 배치된 제1 메인 패턴부, 및
    상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측, 및 타측 중 적어도 하나의 측으로 돌출되는 돌출 패턴부를 포함하는 제1 파장 변환 패턴을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소의 행 경계에 배치되는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제1 돌출 패턴부, 및
    상기 행 방향의 타측으로 돌출된 제2 돌출 패턴부를 포함하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 화소 제1 열의 상기 행 방향의 타측에 배치된 화소 제2 열; 및
    상기 화소 제2 열을 따라 배열되고 상기 제2 돌출 패턴부를 따라 상기 제1 방향의 타측으로 만입된 제1 만입 패턴부를 포함하는 광 투과 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및
    상기 화소 제3 열을 따라 배열된 제2 메인 패턴부, 및
    상기 제2 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제3 돌출 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 파장 변환 패턴은 상기 제3 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제2 만입 패턴부를 더 포함하되,
    상기 제2 만입 패턴부는 상기 복수의 화소의 행 경계와 중첩 배치되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 화소 제1 열 내지 상기 화소 제3 열은 상기 행 방향을 따라 반복 배치되되,
    상기 제2 파장 변환 패턴은 인접한 상기 제1 광 변환 패턴의 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제3 만입 패턴부를 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및
    상기 화소 제3 열에 배치된 제2 파장 변환 패턴을 더 포함하되, 상기 화소 제1 열 내지 상기 화소 제3 열은 상기 행 방향을 따라 반복 배치되는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 파장 변환 패턴은 인접한 상기 제1 광 변환 패턴의 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 행 방향의 일측으로 만입된 제2 만입 패턴부를 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 제1 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 타측으로 돌출된 제1 돌출 패턴부를 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 화소 제1 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제2 열;
    상기 화소 제2 열을 따라 배열되고 상기 제1 돌출 패턴부를 따라 상기 제1 방향의 타측으로 만입된 제1 만입 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴;
    상기 화소 제2 열의 상기 행 방향의 타측에 배치되고 상기 제1 방향을 따라 연장된 화소 제3 열; 및
    상기 화소 제3 열을 따라 배열된 제2 메인 패턴부, 및
    상기 제2 메인 패턴부로부터 상기 행 방향의 일측으로 돌출된 제2 돌출 패턴부를 포함하는 제2 파장 변환 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 만입 패턴부, 및 상기 제2 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소 행 경계에 배치된 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 복수의 화소 행 경계 중 일부에는 비배치된 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 복수의 화소 행 경계 및 상기 복수의 화소 열 경계를 따라 배치된 차광 패턴을 더 포함하되,
    상기 차광 패턴은 상기 돌출 패턴부와 중첩 배치되는 표시 장치.
  15. 행 방향 및 상기 행 방향과 교차하는 열 방향을 따라 배치된 복수의 화소를 포함하는 표시 장치로서,
    상기 각 화소마다 배치된 발광 소자가 배치된 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상의 화소 제1 열에 배치되고 상기 발광 소자로부터 출사된 광을 파장 변환하는 파장 변환 패턴으로서,
    상기 행 방향의 제1 폭을 갖는 제1 패턴부, 및 상기 행 방향의 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 패턴부를 포함하는 파장 변환 패턴을 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 패턴부는 평면상 상기 제1 패턴부의 상기 행 방향 양측에지로부터 각각 더 연장된 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 연장된 부분은 상기 복수의 화소의 행 경계에 배치된 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 파장 변환 패턴은 상기 행 방향의 상기 제1 폭보다 큰 제3 폭을 갖는 제3 패턴부를 더 포함하되, 상기 제3 패턴부는 평면상 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 더 연장된 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제3 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 더 연장된 부분은 상기 복수의 화소의 행 경계에 비배치된 표시 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 복수의 화소 행 경계 및 상기 복수의 화소 열 경계를 따라 배치된 차광 패턴을 더 포함하되, 상기 차광 패턴은 상기 제2 패턴부의 상기 제1 패턴부의 양측에지로부터 연장된 부분과 중첩 배치되는 표시 장치.
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KR102167532B1 (ko) * 2020-08-06 2020-10-19 한승재 곡물 가공장치

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