JP7190474B2 - 発光表示装置 - Google Patents

Description

本明細書は、発光表示装置に関するものである。

発光表示装置は、自己発光型表示装置であって、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないので軽量薄型で製造することが可能である。また、発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の面で有利であるのみならず、色相配置、応答速度、視野角、コントラスト比も優れ、次世代表示装置として脚光を浴びている。

発光表示装置は、2つの電極の間に介在した発光素子を含む発光素子層の発光によって映像を表示する。ここで、発光素子の発光に基づいて発生する光は、電極と基板等を介して外部に放出される。

最近では、赤色、緑色、および青色開口部を有する単位ピクセルに白色の開口部を追加した発光表示装置が提案されている。

白色の開口部を含む発光表示装置は、白色の開口部を通じて表示映像の輝度と色温度を向上させることができるが、赤色、緑色、および青色純色輝度と白色の輝度はトレードオフ（trade off）の関係を有する。例えば、白色の開口部の輝度と色温度が増加する場合には、赤色と緑色開口部での効率が低下することにより、発光表示装置の全体的なパフォーマンスが低下し得る。

発光表示装置は、発光素子で発光した光のうち、一部の光が発光素子と電極の間の界面および/または基板と空気層の間の界面での全反射等により外部に放出されないことによって、光取り出し効率が減少することになる。たとえば、一般的な発光表示装置では、発光素子で発光した光のうち、約80％程度の光が外部に放出（または抽出）されずに内部に閉じ込められ、約20％の光のみを外部に抽出することができる。このような発光表示装置の光取り出し効率を向上させるために、開口部（または発光部）内に微細構造物、例えば、マイクロレンズまたは凸凹パターン部を適用した発光表示装置が提案されている。

開口部に微細構造物を適用する場合、白色スペクトルで波長領域ごとに輝度上昇率の差が発生し、これによる赤色、緑色、および青色の効率上昇率の差により表示映像の輝度と色温度が減少することができる。

このように、本明細書は、表示映像の輝度と色温度を向上することができる発光表示装置を提供することを課題とする。

本明細書の例による解決しようとする課題は、前記の課題に限定されず、言及されていないもう一つの課題は、次の記載内容から、本明細書の技術思想が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るだろう。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、非発光部と、第1発光部及び第2発光部を有するサブピクセル領域を含む基板、非発光領域に配置された駆動トランジスタ、駆動トランジスタを覆うように基板上に配置されたオーバーコート層、第1発光部と第2発光部それぞれのオーバーコート層上に分離配置されて駆動トランジスタに共通して接続した第1アノード電極と第2アノード電極、第1アノード電極と第2アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置された第2電極を含み、第1発光部と第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、単位ピクセル領域を有する基板、および単位ピクセル領域に配置されて発光部と非発光部を有する赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルを含み、白色サブピクセルの発光部は、空間的に分離された第1発光部と第2発光部を含み、第1発光部と第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有することができる。

本明細書に係る発光表示装置は、表示映像の輝度と色温度を向上することができる効果がある。

前記の解決しようとする課題、課題解決手段、効果の内容は、特許請求の範囲の本質的な特徴を特定することはなく、請求範囲の権利範囲は、発明の内容に記載された事項によって制限されない。

本明細書に係る発光表示装置を概略的に示す図である。 図1に示した単位ピクセルの配置構造を示す図である。 図2に示した線I-I’の断面図である。 図3に示した凸凹パターン部の平面構造を示す図である。 本明細書の一例に係る第1サブピクセル領域を説明するための図3に示したB1部分の拡大図である。 図5に示したA部分の拡大図である。 本明細書の一例に係る第3サブピクセル領域を説明するための図3に示したB2部分の拡大図である。 本明細書の一例に係る第４サブピクセル領域を説明するための図3に示したB3部分の拡大図である。 本明細書の第1例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第2例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第3例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 図11に示したアイルランドパターン層の変形例を示す図である。 本明細書の第4例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第5例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第6例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第7例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 本明細書の第8例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。 図18a及び図18bは、図3に示した凸凹パターン部の様々な例を示す図である。 図10に示した第2サブピクセルの第1発光部に対する波長別の強度を示すグラフである。 図10に示した第2サブピクセルの第2発光部に対する波長別の強度を示すグラフである。 図10に示した第2サブピクセルと比較例に係る白色サブピクセルの波長別の強度を示すグラフである。 図21a～図21cは、本明細書の第1～第3実験例による第2サブピクセルの波長別の強度を示すグラフである。

本明細書の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている一例を参照すると明確になるだろう。しかし、本明細書は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本明細書の例は、本明細書の開示を完全にし、本明細書の技術事項が属する技術分野で通常の知識を有する者に技術事項の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、請求項の範疇によってのみ定義される。

本明細書の一例を説明するため、図に示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本明細書が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本明細書を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。

本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで2つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間の関係についての説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。

第1、第2などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、このような構成要素はこのような用語によって制限されない。このような用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であることもあり得る。

「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第1項目、第2項目、および第3項目の中の少なくとも一つ」の意味は、第1項目、第2項目、または第3項目各々だけではなく、第1項目、第2項目、および第3項目の中から二つ以上で提示され得るすべての項目の組み合わせを含むとすることができる。

本明細書のいくつかの例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各例を互いに対して独立的に実施することができ、関連の関係で一緒に実施することもできる。

以下では、本明細書の実施例に係るディスプレイ装置の例を添付した図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加することにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。そして、添付した図に示した構成要素のスケールは、説明の便宜上、実際と異なるスケールを有するので、図に示したスケールに限定されない。

図1は、本明細書に係る発光表示装置を概略的に示す図である。

図1を参照すると、本明細書の一例に係る発光表示装置は、表示パネル１０、制御回路３０、データ駆動回路５０、およびゲート駆動回路７０を含むことができる。

表示パネル１０は、基板上に定義された表示領域（AA）（または活性領域）、および表示領域（AA）を囲む非表示領域（IA）（または非活性領域）を含むことができる。

表示領域（AA）は、m個のゲートライン（GL）とn個のデータライン（DL）によって定義される領域に配置された複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dを含むことができる。

n個のゲートライン（GL）のそれぞれは、第1方向（X）に沿って長く延長され、第1方向（X）を横切る第2方向（Y）に沿って互いに離隔してもよい。例えば、n個のゲートライン（GL）のそれぞれは、第1および第2ゲートラインを含むことができる。

m個のデータライン（DL）のそれぞれは、第2方向（Y）に沿って長く延長され、第1方向（X）に沿って互いに離隔してもよい。

表示領域（AA）は、データライン（DL）と並んで配置された複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）と複数のリファレンス電圧ライン（RL）をさらに含むことができる。n個のゲートライン（GL）のそれぞれは、m個のデータライン（DL）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）と複数のリファレンス電圧ライン（RL）のそれぞれを横切る交差部を含むことができる。n個のゲートライン（GL）のそれぞれの交差部は、他のラインと重畳した面積を最小限にするための少なくとも一つのスリットまたは開口部を含むことができる。

複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、隣接するゲートライン（GL）から供給されるゲート信号と隣接するデータライン（DL）から供給されるデータ電圧に対応するカラー映像を表示する。

一例による複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、ゲートライン（GL）の長さ方向（X）に沿って互いに隣接して配置することができる。例えば、複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、ゲートライン（GL）の長さ方向（X）と平行な短辺、およびデータライン（DL）の長さ方向（Y）と平行な長辺を含むことができる。この場合、基板の一側および/または他側の端の部分に直接内蔵するか、または集積されるゲート駆動回路７０の構成を簡素化することができる。

他の例に係る、複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、データライン（DL）の長さ方向（Y）に沿って互いに隣接して配置することができる。例えば、複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、ゲートライン（GL）の長さ方向（X）と平行な長辺、およびデータライン（DL）の長さ方向（Y）と平行な短辺を含むことができる。この場合、相対的に単純な回路構成を有するゲート駆動回路７０に接続するゲートライン（GL）の数が増加するが、相対的に複雑な回路構成を有するデータ駆動回路５０に接続するデータライン（DL）の数を減少することができ、これにより、データ駆動回路５０の構成が簡素化され得る。特に、データ駆動回路５０とデータライン（DL）の間に逆多重化回路が配置（または具現）される場合、データ駆動回路５０の構成を簡素化することができる。

一例による複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、サブピクセル領域の回路領域（または非発光部）に配置されたピクセル回路、およびサブピクセル領域の開口領域（または発光部）に配置され、ピクセル回路に電気的に接続した発光素子層を含むことができる。

ピクセル回路は、少なくとも2つのトランジスタと少なくとも一つのコンデンサを含むことができる。

発光素子層は、ピクセル回路から提供されるデータ信号によって、自己発光して映像を表示する自発光素子を含むことができる。

複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれは、実際の光が発光される最小単位の領域として定義することができる。ここで、互いに隣接する少なくとも4つのピクセルは、映像のカラー表示のための一つの単位ピクセル１２を構成することができる。

一例に係る一つの単位ピクセル１２は、ゲートライン（GL）の長さ方向に沿って互いに隣接して配列された第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dを含むことができる。例えば、第1サブピクセル１２aは、赤色サブピクセルまたは第1色のサブピクセル、第2サブピクセル１２bは、白色サブピクセル又は第2色のサブピクセル、第3サブピクセル１２cは、青色サブピクセルまたは第3色のサブピクセル、及び第4サブピクセル１２dは、緑色サブピクセルまたは第4色のサブピクセルであることができる。

第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれに配置された発光素子層は、異なる色の光を個別に放出したり白色光を共通に放出したりすることができる。

一例によると、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dの発光素子層のそれぞれが白色光を共通に放出する場合には、第1、第3、及び第4サブピクセル１２a、１２c、１２dそれぞれは、白色光を異なる色の光に変換するそれぞれのカラーフィルタ（または波長変換部材）を含むことができる。この場合、一例に係る第2サブピクセル１２bは、カラーフィルタを備えないことがあり得る。他の例に係る第2サブピクセル１２bの少なくとも一部の領域は、第1、第3、及び第4サブピクセル１２a、１２c、１２dのいずれかと同じカラーフィルタを含むことができる。

制御回路３０は、映像信号に基づいて、複数のサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dそれぞれに対応するピクセル別のデータ信号を生成することができる。一例による制御回路３０は、映像信号、すなわち、各単位ピクセル１２の赤色入力データと緑色入力データおよび青色入力データに基づいて白色ピクセルデータを抽出し、抽出した白色ピクセルデータに基づいたオフセットデータを赤色入力データと緑色入力データおよび青色入力データのそれぞれに反映して赤色ピクセルデータと緑色ピクセルデータおよび青色ピクセルデータをそれぞれ算出し、算出された赤色ピクセルデータ、緑色ピクセルデータ、青色ピクセルデータ、および白色ピクセルデータをピクセル配列構造に適合するように整列してデータ駆動回路５０に供給することができる。例えば、制御回路３０は、韓国公開特許公報第10-2013-0060476号又は第10-2013-0030598号に開示されたデータ変換方法に基づいて、赤色、緑色、および青色入力データを赤色、緑色、青色、および白色の4色データに変換することができる。

制御回路３０は、データ駆動回路５０と、ゲート駆動回路７０を表示モードまたはセンシングモードで駆動させることができる。制御回路３０は、タイミング同期信号に基づいて、データ駆動回路５０と、ゲート駆動回路７０それぞれを表示モードまたはセンシングモードで駆動させるためのデータ制御信号とゲート制御信号のそれぞれを生成し、データ制御信号をデータ駆動回路５０に提供し、ゲート制御信号をゲート駆動回路７０に提供することができる。例えば、センシングモード（または外部補償駆動）は、発光表示装置の製品出荷前の検査工程時、表示パネル１０の最初の初期駆動時、発光表示装置の電源オン（power on）時、発光表示装置の電源オフ（power off）時、表示パネル１０の長時間駆動、電源オフ（power off）時、リアルタイムまたは周期的に設定されたフレームのブランク期間に行なうことができる。

制御回路３０は、センシングモードによって、データ駆動回路５０から提供されるピクセル別のセンシングデータを格納回路に貯蔵する。そして、制御回路３０は、表示モード時、保存回路に保存されたセンシングデータに基づいて、各サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに供給されるピクセルデータを補正して、データ駆動回路５０に提供することができる。ここで、ピクセル別のセンシングデータは、駆動トランジスタと発光素子それぞれの経時的変化の情報を含むことができる。これにより、制御回路３０は、センシングモードで、各サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに配置された駆動トランジスタの特性値（例えば、しきい値電圧または移動度）をセンシングし、これを基に各サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに供給されるピクセルデータを補正することにより、複数のサブピクセル内の駆動トランジスタの特性値の偏差に応じた画質の劣化を最小限に抑えるか、または防ぐことができる。このような発光表示装置のセンシングモードは、本明細書の出願人によって既に公知された技術なので、これに対する詳細な説明は省略する。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、韓国公開特許公報第10-2016-0093179号、第10-2017-0054654号、または第10-2018-0002099号に開示されたセンシングモードを介して、各サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに配置された駆動トランジスタの特性値をセンシングすることができる。

データ駆動回路５０は、表示パネル１０に具現されたm個のデータライン（DL）それぞれと個別に接続することができる。データ駆動回路５０は、制御回路３０から提供されるピクセルごとのデータ信号とデータ制御信号を受信し、電源回路から提供される複数の基準ガンマ電圧を受信することができる。

データ駆動回路５０は、表示モードで、データ制御信号と複数の基準ガンマ電圧を利用して、デジタル形式のピクセル別のデータ信号をアナログ形式のピクセルごとのデータ電圧に変換し、変換されたピクセル別のデータ電圧を該当するデータライン（DL）に供給し、データ電圧と同期するリファレンス電圧を生成して、複数のリファレンス電圧ライン（RL）に供給することができる。

データ駆動回路５０は、センシングモードで、データ制御信号と複数の基準ガンマ電圧に基づいて、デジタル形式のセンシング用データ信号をセンシング用データ電圧に変換して、該当するデータライン（DL）を通じて該当するサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに供給し、複数のリファレンス電圧ライン（RL）それぞれを介して、該当するサブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dに配置された駆動トランジスタの特性値をセンシングし、センシングされたピクセル別のセンシングデータを制御回路３０に提供することができる。たとえば、データ駆動回路５０は、単位ピクセル１２を構成する第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dを順次にセンシングすることができる。

ゲート駆動回路７０は、表示パネル１０に設けられたn個のゲートライン（GL）それぞれと個別に接続することができる。ゲート駆動回路７０は、制御回路３０から供給されるゲート制御信号に基づいて定められた順序に従ってゲート信号を生成して、該当するゲートライン（GL）に供給することができる。

一例に係るゲート駆動回路７０は、薄膜トランジスタの製造工程によって、基板の一側端および/または両側端に集積され、複数のゲートライン（GL）と一対一で接続することができる。他の例に係るゲート駆動回路７０は、集積回路に構成して基板に実装したり、軟性回路フィルムに実装したりして、複数のゲートライン（GL）と一対一で接続することができる。

一方、データ駆動回路５０がセンシングモードなしで表示モードだけで駆動する場合、表示領域（AA）に配置された複数のリファレンス電圧ライン（RL）は省略され、データ駆動回路５０は、データ電圧だけを該当するデータライン（DL）に供給することができる。

図2は、図1に示した一例による単位ピクセルの配置構造を示す図であり、図3は、図2に示した線I-I’の断面図である。

図2及び図3を参照すると、本明細書の一例に係る単位ピクセル１２は、各々異なる大きさを有する第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）を含むことができる。以下の説明では、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の大きさは、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の面積として理解することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれは、ピクセル駆動電圧ライン（PL）、4つのデータライン（DL4i-3、DL4i-2、DL4i-1、DL4i）、およびリファレンス電圧ライン（RL）によって区画することができる。

第1サブピクセル領域（SPA1）は、複数のデータラインのうち、第4i-3（iは自然数）のデータライン（DL4i-3）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）のうち、第2j-1（jは自然数）ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）の間に配置することができる。例えば、第4i-3データライン（DL4i-3）は、第1色データラインまたは赤色データラインであることができる。そして、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）は、複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）のうち、奇数番目のピクセル駆動電圧ラインであることができる。

第2サブピクセル領域（SPA2）は、複数のデータラインのうち、第4i-2データライン（DL4i-2）とリファレンス電圧ライン（RL）の間に配置することができる。例えば、第4i-2データライン（DL4i-2）は、第2色のデータラインまたは白色データラインであることができる。第4i-3データライン（DL4i-3）と第4i-2データライン（DL4i-2）は、互いに隣接しながら、互いに並んで配置することができる。

第3サブピクセル領域（SPA3）は、複数のデータラインのうち、第4i-1データライン（DL4i-1）とリファレンス電圧ライン（RL）の間に配置することができる。例えば、第4i-1データライン（DL4i-1）は、第3色データライン、または青色データラインであることができる。

第4サブピクセル領域（SPA4）は、複数のデータラインのうち、第4iデータライン（DL4i）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）のうち、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）の間に配置することができる。例えば、第4iデータライン（DL4i）は、第4色データラインまたは、緑色データラインであることができる。そして、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）は、複数のピクセル駆動電圧ライン（PL）の偶数番目のピクセル駆動電圧ラインであることができる。第4i-1データライン（DL4i-1）と第4iデータライン（DL4i）は、互いに隣接しながら、互いに並んで配置することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれは、第2方向（Y）を基準に、第1領域（A1）と第2領域（A2）に区分することができる。

第1領域（A1）（または発光領域）は、第2方向（Y）を基準に、ゲートライン（GL）の上側部に配置され、ゲートライン（GL）と重畳しないことがある。第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの第1領域（A1）は、各々異なる大きさを有することができる。

第2領域（A2）（または回路領域）は、第2方向（Y）を基準に、ゲートライン（GL）の下側部に配置され、ゲートライン（GL）と重畳することができる。第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの第2領域（A2）は、実質的に同じ大きさを有することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれは、第2領域（A2）に具現されてゲートライン（GL）と重畳する回路領域に配置されたピクセル回路（PC）を含むことができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれのピクセル回路（PC）は、ゲートライン（GL）の第1および第2ゲートライン（GLa、GLb）、ピクセル駆動電圧ライン（PL）、4つのデータライン（DL4i-3、DL4i-2、DL4i-1、DL4i）、およびリファレンス電圧ライン（RL）に選択的に接続することができる。

第1ゲートライン（GLa）は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の第2領域（A2）のうち、第1領域（A1）に最も隣接した一側領域に配置することができる。第2ゲートライン（GLb）は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の第2領域（A2）のうち、第1ゲートライン（GLa）から離隔した他側領域に配置することができる。

一例に係るピクセル回路（PC）は、第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）、駆動トランジスタ（Tdr）、およびストレージキャパシタ（Cst）を含むことができる。ピクセル回路（PC）のトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）それぞれは、薄膜トランジスタ（TFT）から成り得、これら薄膜トランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）のうちの少なくとも一つは、a-Si TFT、poly-Si TFT、Oxide TFT、またはOrganic TFTであり得る。例えば、ピクセル回路（PC）で、第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）、および駆動トランジスタ（Tdr）中の一部は、応答特性に優れたLTPS（low-temperature poly-Si）からなる半導体層（または活性層）を含む薄膜トランジスタであることができ、第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）、および駆動トランジスタ（Tdr）の一部を除いた残りの部分は、オフ電流（off current）特性に優れたオキシド（oxide）からなる半導体層（または活性層）を含む薄膜トランジスタであることができる。

第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）は、第1ゲートライン（GLa）に接続したゲート電極（GE）、隣接するデータライン（DL）に接続した第1ソース/ドレイン電極（SDE1）、及び第1コンタクトホール（CH1）を介して駆動トランジスタ（Tdr）のゲート電極（GE）に接続した第2ソース/ドレイン電極（SDE2）を含むことができる。第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）のゲート電極（GE）は、第1ゲートライン（GLa）の一側から突出した突出領域であることができる。このような第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）は、第1ゲートライン（GLa）に供給される第1ゲート信号によってターンオンされ、隣接するデータライン（DL）から供給されるデータ電圧を駆動トランジスタ（Tdr）のゲート電極（GE）に供給することができる。

一例によると、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）は、第4i-3データライン（DL4i-3）の一側から突出した突出領域であることができ、第2サブピクセル領域（SPA2）に配置された第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）は、第4i-2データライン（DL4i-2）の一側から突出した突出領域であることができ、第3サブピクセル領域（SPA3）に配置された第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）は、第4i-1データライン（DL4i-1）の一側から突出した突出領域であることができ、第4サブピクセル領域（SPA4）に配置された第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）は、第4iデータライン（DL4i）の一側から突出した突出領域であることができる。

第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）は、第2ゲートライン（GLb）に接続したゲート電極（GE）、駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極に接続した第1ソース/ドレイン電極（SDE1）、および隣接するリファレンス電圧ライン（RL）に接続した第2ソース/ドレイン電極（SDE2）を含む。このような第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）は、表示モードで、第2ゲートライン（GLb）に供給される第2ゲート信号によって、隣接するリファレンス電圧ライン（RL）に供給されるリファレンス電圧を駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極（SE）に供給することができる。そして、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）は、センシングモードで、第2ゲートライン（GLb）に供給される第2ゲート信号によってターンオンされて駆動トランジスタ（Tdr）から出力される電流を、隣接するリファレンス電圧ライン（RL）に供給したり、駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極（SE）を隣接したりしてリファレンス電圧ライン（RL）に接続することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれにおいて、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）のゲート電極（GE）は、第2ゲートライン（GLb）の一部の領域であるか、第2ゲートライン（GLb）の一側から突出した突出領域であることができる。第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）は、リファレンス電圧ライン（RL）から分岐したリファレンス接続ライン（RCL）と第2コンタクトホール（CH2）を介して電気的に接続することができる。リファレンス接続ライン（RCL）は、第2ゲートライン（GLb）と並びながらリファレンス電圧ライン（RL）を通るように配置され、少なくとも一つの第2コンタクトホール（CH2）を介してリファレンス電圧ライン（RL）と電気的に接続することができる。

ストレージキャパシタ（Cst）は、駆動トランジスタ（Tdr）のゲート電極（GE）とソース電極（SE）の間に形成される。一例によるストレージキャパシタ（Cst）は、駆動トランジスタ（Tdr）のゲート電極（GE）からなる第1キャパシタ電極、駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極からなる第2キャパシタ電極、及び第1コンデンサ電極と第2キャパシタ電極の重畳領域に形成された誘電体層を含むことができる。このようなストレージキャパシタ（Cst）は、駆動トランジスタ（Tdr）のゲート電極（GE）とソース電極（SE）の間の差電圧を充電した後、充電された電圧によって駆動トランジスタ（Tdr）をスイッチングさせることができる。

駆動トランジスタ（Tdr）は、第1スイッチングトランジスタ（Tsw1）の第2ソース/ドレイン電極（SDE2）に接続したゲート電極（GE）、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）の第1ソース/ドレイン電極（SDE1）に接続したソース電極（SE）、およびピクセル駆動電圧ライン（PL）に接続したドレイン電極（DE）を含むことができる。このような駆動トランジスタ（Tdr）は、ストレージキャパシタ（Cst）の電圧によってターンオンされることにより、ピクセル駆動電圧ライン（PL）から発光素子層に流れる電流量を制御する。

第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）から突出した突出領域に具現することができ、第4サブピクセル領域（SPA4）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）は、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）から突出した突出領域に具現することができる。

第2サブピクセル領域（SPA2）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）は、第1内部電源供給ライン（IPL1）を介して第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）に電気的に接続することができる。この場合、第1内部電源供給ライン（IPL1）は、第2ゲートライン（GLb）と同じ層に並んで配置され、少なくとも一つの第3コンタクトホール（CH3）を介して第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）に電気的に接続し、第4コンタクトホール（CH4）を介して第2サブピクセル領域（SPA2）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）に電気的に接続することができる。

第3サブピクセル領域（SPA3）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）は、第2内部電源供給ライン（IPL2）を介して、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）に電気的に接続することができる。この場合、第2内部電源供給ライン（IPL2）は、第2ゲートライン（GLb）と同じ層に並んで配置され、少なくとも一つの第5コンタクトホール（CH5）を介して、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）に電気的に接続し、第6コンタクトホール（CH6）を介して第3サブピクセル領域（SPA3）に配置された駆動トランジスタ（Tdr）のドレイン電極（DE）に電気的に接続することができる。

一例によると、ピクセル回路（PC）のトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）それぞれは、半導体層は、基板１００上に配置されているバッファ層１１０上に配置することができる。半導体層は、ソース領域とドレイン領域およびチャネル領域を有し、半導体層のチャネル領域は、ゲート絶縁膜によって覆うことができる。ゲートライン（GL）とトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）それぞれは、ゲート絶縁膜上に配置され、層間絶縁膜１２０によって覆うことができる。データライン（DL）、ピクセル駆動電圧ライン（PL）、リファレンス電圧ライン（RL）、およびトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）のソース/ドレイン電極は、層間絶縁膜１２０上に配置され、パッシベーション層１３０によって覆うことができる。また、パッシベーション層１３０は、オーバーコート層１４０（または平坦化層）によって覆うことができる。

オーバーコート層１４０は、ピクセル回路（PC）を覆うように基板１００の表示領域全体に配置することができる。一例によるオーバーコート層１４０は、フォトアクリル（photo acryl）、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）、ポリイミド（polyimide）、およびフッ素樹脂などの有機材料からなることができるが、これに限定されない。

一例によると、ピクセル回路（PC）のトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）それぞれの半導体層は、基板１００上に配置されている遮光層上に配置することができる。

遮光層は、トランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）それぞれの半導体層と基板１００の間に配置され、基板１００を介して半導体層の方に入射する光を遮断することにより、外部光によるトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）のしきい値電圧の変化を最小化ないし防止する。このような遮光層は、バッファ層１１０によって覆われる。選択的に、遮光層は、トランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）のソース電極に電気的に接続して、該当トランジスタの下部ゲート電極の役割をすることもでき、この場合、光による特性変化だけでなく、バイアス電圧によるトランジスタ（Tsw1、Tsw2、Tdr）のしきい値電圧の変化を最小化ないし防止する。

一方、ピクセル回路（PC）がセンシングモードによるセンシング駆動なしに表示モードによる表示駆動のみで動作するとき、第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）とリファレンス電圧ライン（RL）は省略され、ここで、図2に示したリファレンス電圧ライン（RL）は、ピクセル駆動電圧ライン（PL2j）に変更する。そして、ピクセル回路（PC）で第2スイッチングトランジスタ（Tsw2）が省略され、単位ピクセル１２からリファレンス電圧ライン（RL）が省略されるとき、単位ピクセル１２に配置されたピクセル駆動電圧ライン（PL）とデータライン（DL）の配置順序も変更可能である。たとえば、図2において、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）は、第4i-3データライン（DL4i-3）に変更され、互いに隣接した第4i-3データライン（DL4i-3）と第4i-2データライン（DL4i-2）は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）に変更され、リファレンス電圧ライン（RL）は、互いに隣接した第4i-2データライン（DL4i-2）と第4i-1データライン（DL4i-1）に変更され、互いに隣接した第4i-1データライン（DL4i-1）と第4iデータライン（DL4i）は、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）に変更され、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）は、互いに隣接した第4iデータライン（DL4i）と第4i-3データライン（DL4i-3）に変更することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれは、第1領域（A1）に具現された発光部（EP）、及び第1領域（A1）を囲んで第2領域（A2）に具現された非発光部（NEP）を含むことができる。以下の説明では、発光部（EP）は、開口部として理解することができ、非発光部（NEP）は、非開口部として理解することができる。

第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）は、表示映像の輝度と色温度を向上させるために、各々異なる大きさを有することができる。例えば、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする6500K以上の色温度に基づいて、異なる各々異なる大きさを有するように具現することができる。

一例による第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）中のいずれか１つの発光部（EP）は、互いに異なる大きさを有する第1部分発光部（または第1開口部）（EPw）と第2部分発光部（または第2開口部）（EPα）に分割（または分離）することができる。

第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれは、分割されない一つの発光部（EP）を含むことができる。例えば、第1サブピクセル領域（SPA1）は、赤色発光部（EPr）（または赤色開口部）を含むことができ、第3サブピクセル領域（SPA3）は、青色発光部（EPb）（または青色開口部）を含むことができ、第4サブピクセル領域（SPA4）は、緑色発光部（EPg）（緑色開口部）を含むことができる。このような第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれの発光部（EP）は、各々異なる大きさを有することができる。

第2サブピクセル領域（SPA2）の発光部（EP）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）に分離（または分割）されるように具現することができる。以下の説明では、第1発光部（EPw）は、第1部分発光部、第1分割発光部、第2-1発光部、白色発光部、第1開口部、第1部分開口部、第1分割開口部、第2-1開口部、または白色の開口部として理解することができ、第2発光部（EPα）は、第2部分発光部、第2分割発光部、第2-2発光部、アルファ発光部、付加発光部、第2開口部、第2部分開口部、第2分割開口部、第2-2開口部、アルファ開口部、または付加開口部として理解することができる。

第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）は、互いに異なる大きさで具現することができる。例えば、第1発光部（EPw）は、第2発光部（EPα）よりも大きい大きさを有することができる。このような第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）は、白色光を放出するように具現することで単位ピクセルの輝度を増加させたり、色温度を増加させたりすることができる。

第1例によると、単位ピクセル１２で5つの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）は、第1発光部（EPw）、青色発光部（EPb）、赤色発光部（EPr）、緑色発光部（EPg）、及び第2発光部（EPα）の順で大きい大きさ（EPw>EPb>EPr>EPg>EPα）を有することができる。たとえば、4K解像度を有する比較例に係る発光表示装置の単位ピクセルに配置された第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部を基準として、赤色発光部（EPr）は比較例に係る赤色発光部の約70％の大きさ、青色発光部（EPb）は比較例に係る青色発光部の約90％の大きさ、緑色発光部（EPg）は比較例に係る緑色発光部と実質的に同じ大きさ、第1発光部（EPw）は比較例に係る白色発光部の約80～90％の大きさを有することができ、アルファ発光部（EPα）は比較例に係る発光部に比べ赤色発光部（EPr）と緑色発光部（EPg）と青色発光部（EPb）及び第1発光部（EPw）それぞれの大きさ偏差をすべて合わせた大きさを有することができる。たとえば、4K解像度を有する比較例に係る発光表示装置の単位ピクセルにおいて、第1サブピクセル領域で発光部が占める大きさは約42％であり、第2サブピクセル領域で発光部が占める大きさは約56 ％であり、第3サブピクセル領域で発光部が占める大きさは約38％であり、第4サブピクセル領域で発光部が占める大きさは約29％であり得る。

第2例によると、単位ピクセル１２で5つの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）は、第1発光部（EPw）、青色発光部（EPb）、第2発光部（EPα）、緑色発光部（EPg）、および赤色発光部（EPr）の順で大きい大きさ（EPw>EPb>EPα>EPg>EPr）を有することができる。たとえば、4K解像度を有する比較例に係る発光表示装置の単位ピクセルに配置された第1～第4サブピクセル領域それぞれの発光部を基準として、青色発光部（EPb）と緑色発光部（EPg）それぞれは、比較例に係る青色発光部と緑色発光部それぞれと実質的に同じ大きさを有することができ、赤色発光部（EPr）は比較例に係る赤色発光部の約60～99％の大きさを有し、第1発光部（EPw）は比較例に係る白色発光部の約85～99％の大きさを有し、第2発光部（EPα）は比較例に係る赤色発光部の約1～40％の大きさと白色発光部約1～15％の大きさを加えた大きさを有することができる。

第3例によると、単位ピクセル１２で5つの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）は、第1発光部（EPw）、赤色発光部（EPr）、青色発光部（EPb）、緑色発光部（EPg）、及び第2発光部（EPα）の順で大きい大きさ（EPw>EPr>EPb>EPg>EPα）を有することができる。

一例として、4K解像度を有する比較例に係る発光表示装置の単位ピクセルに配置された第1～第4サブピクセル領域それぞれの発光部を基準として、赤色発光部（EPr）と緑色発光部（EPg）それぞれは、比較例に係る赤色発光部と緑色発光部それぞれと実質的に同じ大きさを有することができ、青色発光部（EPb）は比較例に係る青色発光部の約80～99％の大きさを有し、第1発光部（EPw）は比較例に係る白色発光部の約85～99％の大きさを有し、第2発光部（EPα）は比較例に係る青色発光部の約1～20％の大きさと白色発光部の約1～15％の大きさを加えた大きさを有することができる。

別の例として、4K解像度を有する比較例に係る発光表示装置の単位ピクセルに配置された第1～第4サブピクセル領域それぞれの発光部を基準として、赤色発光部（EPr）と青色発光部（EPb）それぞれは、比較例に係る赤色発光部と青色発光部それぞれと実質的に同じ大きさを有することができ、緑色発光部（EPg）は比較例に係る緑色発光部の約90～99％の大きさを有し、第1発光部（EPw）は比較例に係る白色発光部の約85～99％の大きさを有し、第2発光部（EPα）は比較例に係る緑色発光部の約1～10％の大きさと白色発光部の約1～15％の大きさを加えた大きさを有することができる。

一例による第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）中の少なくとも一つは、第1方向（X）に沿って凹んだり突出したりした少なくとも一つのベント領域（bent area）（BA）を含むことができる。例えば、第1発光部（EPw）に隣接した赤色発光部（EPr）の一側辺は、台形形態で凹んだベント領域（BA）を含み、第1発光部（EPw）は、赤色発光部（EPr）のベント領域（BA）の方に突出したベント領域（BA）を含むことができる。同様に、第2発光部（EPα）と青色発光部（EPb）および緑色発光部（EPg）それぞれの一側辺および/または他側辺は、凹んだり突出したりしたベント領域（BA）を含むことができる。

一方、単位ピクセル１２に配置される4つのデータライン（DL）とリファレンス電圧ライン（RL）のそれぞれは、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの第1領域（A1）で、発光部（EP）のベント領域（BA）と重畳するようベント（bent）することができる。

一例による第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）は、凸凹パターン部１５０および発光素子層（EDL）を含むことができる。

凸凹パターン部１５０は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）に重畳するオーバーコート層１４０に屈曲（または凸凹）形態を有するように具現することで、発光素子層（EDL）で発光した光の進行経路を変更して、ピクセルの光取り出し効率を増加させる。これにより、凸凹パターン部１５０は、非平坦部、微細構造物、光路制御部、マイクロレンズ部、マイクロレンズアレイ部、または光散乱部と理解することもできる。

一例による凸凹パターン部１５０は、互いに離隔した複数の凸部１５１、および複数の凸部１５１の間に配置された複数の凹部１５３を含むことができる。

複数の凸部１５１のそれぞれは、発光素子層（EDL）の有効発光領域に基づいてピクセルで発生する光の外部抽出効率を最大化することができる形状を有するように、発光部（EP）と重畳するオーバーコート層１４０に設けることができる。このような複数の凸部１５１それぞれは、発光素子層（EDL）で発光した光の進行経路を基板１００の方に変更して発光素子層（EDL）で発光した光の外部抽出効率を増加させる。

複数の凸部１５１それぞれは、すべての方向で互いに連結することができる。たとえば、複数の凸部１５１のそれぞれの底部（または裏面）は、すべての方向に隣接した凸部１５１の底部と連結することができる。これにより、発光部（EP）と重畳するオーバーコート層１４０は、複数の凸部１５１間に形成される複数の凹部１５３を含むことができる。一つの凹部１５３は、隣接した複数の凸部１５１によって囲まれ得る。一つの凹部１５３を囲む複数の凸部１５１は、平面的に六角形態（またはハニカム形態）に配置することができる。

複数の凹部１５３それぞれは、複数の凸部１５１の間に対応するオーバーコート層１４０の上面（または表面）から凹に具現することができる。複数の凹部１５３それぞれは、第1方向（X）に沿って互いに離隔しながら、互いに平行に配置されて第2方向（Y）に沿ってジグザグ形態に配置することができる。つまり、複数の凹部１５３のそれぞれは、一定の間隔を有する格子の形態で配置され、第2方向（Y）に沿って隣接する凹部１５３は、互いに行違いに配置することができる。例えば、図4に示すように、隣接した3つの凹部１５３は、平面的に三角の形態で配置することができ、隣接した3つの凹部１５３それぞれの中心部間の線分は、平面的に三角形態（TS）を成すことができる。また、複数の凹部１５３それぞれは、周辺に配置された6つの凹部１５３によって囲まれ得る。この場合、1つの凹部１５３を囲むように周辺に配置された6つの凹部１５３は、平面的に6角形態（HS）に配置することができ、一つの凹部１５３を囲むように周辺に配置された6つの凹部１５３それぞれの中心部間の線分は、平面的に6角形態（HS）を成すことができる。たとえば、複数の凸部１５１と、複数の凹部１５３は、平面的にハニカム形態で配置することができる。

複数の凸部１５１と、複数の凹部１５３を含む凸凹パターン部１５０は、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ工程を経て、発光部（EP）上のオーバーコート層１４０上にマスクパターンを形成した後、マスクパターンを用いたオーバーコート層１４０のエッチング工程を介して具現することができる。例えば、フォトレジストは、生産性の向上のためにポジティブフォトレジストを用いることができる。

再び図2及び図3を参照すると、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）に配置された発光素子層（EDL）は、アノード電極（AE）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

アノード電極（AE）は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）に対応する基板１００上のオーバーコート層１４０上に個別に配置することができる。アノード電極（AE）は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）と対応する大きさと形態を有することができる。一例によるアノード電極（AE）は、自発光素子（SED）から放出される光が基板の方に透過されるように（TCO Transparent Conductive Oxide）のような透明導電物質からなることができる。

第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれの発光部（EPr、EPb、EPg）にそれぞれ配置されたアノード電極（AE）は、分割されない一つのボディに具現され、非発光部（NEP）に配置されたピクセル回路（PC）側に延長された延長部を含むことができる。アノード電極（AE）の延長部は、オーバーコート層１４０とパッシベーション層１３０に配置された電極コンタクトホール（ECH）を介して非発光部（NEP）に配置されたピクセル回路（PC）の駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極（SE）と電気的に接続することができる。これにより、第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれのアノード電極（AEα）は、該当するピクセル回路（PC）の駆動トランジスタ（Tdr）からデータ電流の供給を受けることができる。

一例による第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれのアノード電極（AE）は、各々異なる大きさを有することができる。例えば、第1サブピクセル領域（SPA1）のアノード電極（AE）は、赤色アノード電極（AEr）であることができ、第3サブピクセル領域（SPA3）のアノード電極（AE）は、青色アノード電極（AEb）であることができ、第4サブピクセル領域（SPA4）のアノード電極（AE）は、緑色アノード電極（AEg）であることができる。

一例による第2サブピクセル領域（SPA2）のアノード電極（AE）は、互いに離隔した第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）に分離（または分割）することができる。

第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1領域（A1）または発光部（EP）内で空間的に互いに離隔（または分離）することができる。例えば、第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）の間の間隔は、100ナノメートルから数百マイクロメートルに設定することができる。

第1アノード電極（AEw）は、第1発光部（EPw）よりも大きい大きさを有しながら、第2アノード電極（AEα）より相対的に大きい大きさを有することができる。例えば、第1アノード電極（AEw）中の端の部分を除いた残りの部分は、第1発光部（EPw）と重畳することができる。以下の説明では、第1アノード電極（AEw）は、第1電極、第1分割電極、または白色アノード電極として理解することができる。

第2アノード電極（AEα）は、第2発光部（EPα）よりも大きい大きさを有しながら、第1アノード電極（AEw）より相対的に小さい大きさを有することができる。例えば、第2アノード電極（AEα）中の端の部分を除いた残りの部分は、第2発光部（EPα）と重畳することができる。以下の説明では、第2アノード電極（AEα）は、第2電極、第2分割電極、またはアルファアノード電極として理解することができる。

第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれは、非発光部（NEP）に配置されたピクセル回路（PC）側に延長された延長部を含むことができる。第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれの延長部は、オーバーコート層１４０とパッシベーション層１３０に配置された電極コンタクトホール（ECH）を介して非発光部（NEP）に配置されたピクセル回路（PC）の駆動トランジスタ（Tdr）のソース電極（SE）に共通に接続することができる。これにより、第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれは、該当するピクセル回路（PC）の駆動トランジスタ（Tdr）から同じデータ電流を同時に供給を受けることができる。

発光素子層（EDL）の自発光素子（SED）は、アノード電極（AE）上に配置することができる。一例による自発光素子（SED）は、有機発光素子、量子ドット発光素子、無機発光素子、またはマイクロ発光ダイオード素子などであり得る。例えば、有機発光素子からなる自発光素子（SED）は、アノード電極上に配置された正孔の機能層、正孔層上に配置された有機発光層、有機発光層上に配置された電子機能層を含むことができる。

一例によると、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれに配置された自発光素子（SED）は、各々異なる色の光を放出するように配置することができる。例えば、第1サブピクセル領域（SPA1）の自発光素子（SED）は、赤色有機発光層を含むことができ、第3サブピクセル領域（SPA3）の自発光素子（SED）は、青色有機発光層を含むことができ、第4サブピクセル領域（SPA4）の自発光素子（SED）は、緑色有機発光層を含むことができる。そして、第2サブピクセル領域（SPA2）の自発光素子は、白色光を放出するための複数の有機発光層を含むことができる

一例による第2サブピクセル領域（SPA2）の自発光素子は、第1有機発光層及び第2有機発光層が積層されたスタック構造を有することができる。一例による第1有機発光層は、第1光を放出するもので、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのいずれかを含むことができる。一例による第2有機発光層は、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのうち、第1有機発光層の有機発光セルを除いた残りのいずれかを含むことができる。さらに、第2サブピクセル領域（SPA2）の自発光素子は、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのうち、第1および第2有機発光層のそれぞれの有機発光セルを除いた残りのいずれかを含む第3有機発光層をさらに含むことができる。

他の例によると、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれに配置された自発光素子（SED）は、白色光を放出する共通層として具現することができる。例えば、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれに配置された自発光素子（SED）は、前記第1有機発光層と前記第2有機発光層を含むか、または前記第1有機発光層と前記第2有機発光層と前記第3有機発光層を含むことができる。

付加的に、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれに配置された自発光素子（SED）は、量子ドット発光素子に変更したり、色再現率を向上させたりするために量子ドット発光層をさらに含むことができる。

カソード電極（CE）は、自発光素子（SED）と直接に接触するよう基板１００の表示領域全体に配置することができる。一例によるカソード電極（CE）は、自発光素子（SED）から放出されて入射する光を基板１００の方に反射させるために反射率の高い金属物質を含むことができる。

本明細書の一例による表示パネルは、バンクパターン１６０および封止層（encapsulation layer）１７０をさらに含むことができる。

バンクパターン１６０は、複数のサブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの非発光部（NEP）上に配置され、各サブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれの発光部（EP）を定義することができる。バンクパターン１６０は、単位ピクセル１２に配置されたピクセル駆動電圧ライン（PL）、データライン（DL）、およびリファレンス電圧ライン（RL）のそれぞれの全体または一部と重畳することができる。

バンクパターン１６０は、複数のサブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれに配置されたアノード電極（AE）の端の部分を覆うようにオーバーコート層１４０上に形成することができる。例えば、バンクパターン１６０は、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene; BCB）系樹脂、アクリル系（acryl）樹脂またはポリイミド（polyimide）樹脂などの有機物で形成することができる。または、バンクパターン１６０は、黒色顔料を含む感光剤で形成することができ、この場合、バンクパターン１６０は、隣接するサブピクセル領域（SPA1～SPA4）間の混色を防止する遮光部材の役割を兼ねることができる。

発光素子層（EDL）を共通層で具現する場合、自発光素子（SED）とカソード電極（CE）それぞれは、バンクパターン１６０上に形成することができる。つまり、自発光素子（SED）は、アノード電極（AE）の端の部分とバンクパターン１６０を覆うように形成し、カソード電極（CE）は、自発光素子（SED）を覆うように形成することができる。

封止層１７０は、カソード電極（CE）を覆うように基板１００の表示領域（AA）上に形成することができる。封止層１７０は、外部の衝撃から薄膜トランジスタおよび自発光素子（SED）などを保護し、酸素および/または水分さらには異物（particles）が発光素子層（EDL）に浸透することを防止する役割を兼ねることができる。一例による封止層１７０は、少なくとも一つの無機膜を含むことができる。そして、封止層１７０は、少なくとも一つの有機膜をさらに含むことができる。例えば、封止層１７０は、第1無機封止層、有機封止層、及び第2無機封止層を含むことができる。

選択的に、封止層１７０は、ピクセル全体を囲む充填材に変更することができ、この場合、本出願に係る発光表示パネル１０は、充填材を媒介にして基板１００上に付着する封止基板１８０をさらに含む。封止基板１８０は、プラスチック材質、ガラス材質、または金属材質からなることができる。前記充填材は、酸素および/または水分などを吸収するゲッター物質を含むことができる。

さらに、本明細書に係る表示パネルは、カラーフィルタ層（CFL）をさらに含むことができる。カラーフィルタ層（CFL）は、複数のサブピクセル領域（SPA1～SPA4）それぞれで白色光が放出される場合に適用することができる。

カラーフィルタ層（CFL）は、第1、第3、及び第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれの発光部（EPr、EPb、EPg）と重畳するように配置することができる。カラーフィルタ層（CFL）は、発光部（EPr、EPb、EPg）と重畳するよう基板１００とオーバーコート層１４０の間に設けることができる。例えば、カラーフィルタ層（CFL）は、発光部（EPr、EPb、EPg）と重畳するパッシベーション層１３０とオーバーコート層１４０の間に介在することができる。

一例によるカラーフィルタ層（CFL）は、第1サブピクセル領域（SPA1）の発光部（EPr）と重畳する赤色カラーフィルタ（CFr）、第3サブピクセル領域（SPA3）の発光部（EPb）と重畳する青色カラーフィルタ（CFb）、及び第4サブピクセル領域（SPA4）の発光部（EPg）と重畳する緑色カラーフィルタ（CFg）を含むことができる。

赤色カラーフィルタ（CFr）、青色カラーフィルタ（CFb）、および緑色カラーフィルタ（CFg）それぞれは、対応する発光部（EPr、EPb、EPg）よりも大きい大きさを有したり、広い大きさを有したりすることができる。例えば、赤色カラーフィルタ（CFr）、青色カラーフィルタ（CFb）、および緑色カラーフィルタ（CFg）それぞれの先端は、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）間のサブピクセル境界部（SPB）を通って、隣接する非発光部（NEP）と重畳するよう延長することができる。さらに、赤色カラーフィルタ（CFr）、青色カラーフィルタ（CFb）、および緑色カラーフィルタ（CFg）それぞれの先端は、サブピクセル境界部（SPB）で互いに重畳することで、隣接するサブピクセル領域（SPA1～SPA4）間の光漏れや混色を最小限に抑えるか、または防ぐことができる。

一例に係る赤色カラーフィルタ（CFr）、青色カラーフィルタ（CFb）、および緑色カラーフィルタ（CFg）それぞれは、発光素子層（EDL）から基板１００の方に放出される光にしたがって再発光してサブピクセルに設定された色相の光を放出する大きさを有する量子ドットを含むことができる。この場合、赤色カラーフィルタ（CFr）は、長波長領域の光に対する透過率（または出光率）が減少することができるように、赤色量子ドットを含有しないか、長波長光の少なくとも一部を吸収する長波長吸収物質（または染料）をさらに含むことができる。例えば、長波長吸収物質は、620nm～700nmの波長を吸収することにより、長波長領域の光の透過率（または出光率）を減少させて色温度を上昇させることができる。

さらに、本明細書に係る発光表示装置は、基板１００の背面（または光抽出面）１００aに付着した偏光フィルム１９０をさらに含むことができる。偏光フィルム１９０は、表示領域に配置されたトランジスタおよび/またはラインなどにより反射した外部光を円偏光状態に変更して、発光表示装置の視認性とコントラスト比を向上させる。例えば、偏光フィルム１９０は、円偏光フィルムで具現することができる。

図5は、本明細書の一例に係る第1サブピクセル領域を説明するための図3に示したB1部分の拡大図であり、図6は、図5に示したA部分の拡大図である。

図2～図6を参照すると、本明細書の一例に係る第1サブピクセル領域（SPA1）（または第1サブピクセル１２a）は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）の間に対応する光放出領域（LOA）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（PFA）、およびバンクパターン１６０によって定義される赤色発光部（EPr）を含むことができる。

光放出領域（LOA）は、第1サブピクセル領域（SPA1）の第1領域（A1）に配置された第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）の間に配置することができる。

パターン形成領域（PFA）は、第1サブピクセル領域（SPA1）の第1領域（A1）中、凸凹パターン部１５０が配置される領域として定義することができる。パターン形成領域（PFA）は、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置されたオーバーコート層１４０の領域のうち、非パターン部（または最上面）１４０aより低い領域と定義することができる。このようなパターン形成領域（PFA）は、光放出領域（LOA）よりも大きい大きさを有することができる。これにより、パターン形成領域（PFA）に対応するオーバーコート層１４０に具現される凸凹パターン部１５０は、光放出領域（LOA）よりも大きい大きさを有することにより、発光素子層（EDL）から放出される光を光放出領域（LOA）の方に進行させることができる。

パターン形成領域（PFA）の先端とオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間の境界部（BP)は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）上にそれぞれ位置することができる。凸凹パターン部１５０に含まれた複数の凹部１５３のうち最外郭凹部１５３oは、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）それぞれに重畳することができる。

赤色発光部（EPr）は、凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（EDL）を含むことができる。発光素子層（EDL）は、アノード電極（AEr）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

アノード電極（または赤色アノード電極）（AEr）は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第1サブピクセル領域（SPA1）でアノード電極（AEr）の形成領域は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。一例によるアノード電極（AEr）の先端は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）それぞれと重畳する最外郭凹部１５３oの傾斜面に位置することができる。例えば、アノード電極（AEr）の先端は、最外郭凹部１５３oの底面とオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間の傾斜面に位置することができる。

アノード電極（AEr）は、凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状（morphology）に沿う形状を含むことができる。例えば、アノード電極（AEr）は、相対的に薄い厚さを有するようにオーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０上に形成（または蒸着）されるので、凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う表面形状を有することができる。これにより、アノード電極（AEr）は、透明導電性物質の蒸着工程により凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う等角（conformal）形態で具現することができる。

自発光素子（SED）は、アノード電極（AEr）上に形成してアノード電極（AEr）と直接に接触することができる。一例による自発光素子（SED）は、アノード電極（AEr）に比べて相対的に厚い厚さを有するようにアノード電極（AEr）上に形成（または蒸着）されることにより、アノード電極（AEr）の表面形状とは異なる表面形状を有することができる。

一例による自発光素子（SED）は、凸凹パターン部１５０の凸部１５１の頂部を含む上部領域（UA）で第1厚さ（t1）を有し、凹部１５３の底部を含む下部領域（DA）で第1厚さ（t1）よりも厚い第2厚さ（t2）を有することができる。これにより、自発光素子（SED）は、厚さ（t1、t2）に基づいて有効発光領域と非有効発光領域を有することができる。自発光素子（SED）の有効発光領域は、相対的に強い発光が発生する領域であり、凸部１５１の上部領域（UA）に設定することができ、自発光素子（SED）の非有効発光領域は、相対的に弱い発光が発生したり、発光が発生しなかったりする領域であって、凸部１５１の下部領域（DA）に設定することができる。したがって、凸部１５１の直径と高さは、消費電力と発光効率などに基づいて、凸部１５１の下部領域（DA）で発光が発生しないで凸部１５１の上部領域（UA）でのみ発光が発生することができるよう具現することができる。

カソード電極（CE）は、自発光素子（SED）上に形成して自発光素子（SED）と直接に接触することができる。一例によるカソード電極（CE）は、自発光素子（SED）に比べ相対的に薄い厚さを有するように自発光素子（SED）上に形成（または蒸着）することができる。これにより、カソード電極（CE）は、自発光素子（SED）の表面形状をそのまま沿う等角（conformal）の形態で具現することができる。

このような赤色発光部（EPr）は、光放出領域（LOA）よりも小さい大きさを有することができる。そして、赤色発光部（EPr）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）の第2サブピクセル（SPA2）の第1発光部（EPw）の次に大きい大きさ、中間の大きさ、または最も小さい大きさを有することができる。一例によると、赤色発光部（EPr）で発生する光は、凸凹パターン部１５０によって発光素子層（EDL）の内部に閉じ込められず、発光領域（LOA）を介して基板１００の方に出光することができる。これにより、凸凹パターン部１５０を有する赤色発光部（EPr）は、凸凹パターン部１５０をもたない比較例に係る赤色発光部と比べて約70％程度の輝度上昇率を有することができる。これにより、本明細書に基づく赤色発光部（EPr）は、相対的に過度な輝度上昇率によって色温度を減少させることができる。したがって、赤色発光部（EPr）の大きさは、凸凹パターン部１５０による輝度上昇率に基づいて、第2サブピクセル（SPA2）の色温度を増加させることができる範囲内で設定することができる。

バンクパターン１６０は、第1サブピクセル領域（SPA1）の赤色発光部（EPr）を定義するもので、アノード電極（AEr）の端の部分と凸凹パターン部１５０の端の部分およびオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aを覆うように具現することができる。バンクパターン１６０は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と第4i-3データライン（DL4i-3）の上にそれぞれ配置することができる。

一例によると、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）上に配置されたバンクパターン１６０は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）上に配置された凸凹パターン部１５０の一部を覆うことができる。例えば、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）上に配置されたバンクパターン１６０の第1端１６０e１は、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうち、第1最外郭凹部１５３o１上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第1端１６０e１は、第1最外郭凹部１５３o１の底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第2j-1ピクセル駆動電圧ライン（PL2j-1）と、重畳しないで発光領域（LOA）の端の部分に重畳することができる。

一例によると、第4i-3データライン（DL4i-3）上に配置されたバンクパターン１６０は、第4i-3データライン（DL4i-3）上に配置された凸凹パターン部１５０の一部を覆うことができる。例えば、第4i-3データライン（DL4i-3）上に配置されたバンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第4i-3データライン（DL4i-3）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうちの第2最外郭凹部１５３o２上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第2最外郭凹部１５３o２の底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第4i-3データライン（DL4i-3）と重畳せず、光放出領域（LOA）の端の部分に重畳することができる。

このようなバンクパターン１６０は、凸凹パターン部１５０の端の部分を覆うことで凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部での段差を減少させ、それによってバンクパターン１６０の高さによって凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部で発生した自発光素子（SED）の厚さ減少によるアノード電極（AEr）とカソード電極（CE）の間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

図7は、本明細書の一例に係る第3サブピクセル領域を説明するための図3に示したB2部分の拡大図である。

図2、図3、及び図7を参照すると、本明細書の一例に係る第3サブピクセル領域（SPA3）（または第3サブピクセル１２c）は、リファレンス電圧ライン（RL）と第4i-1データライン（DL4i-1）の間に対応する光放出領域（LOA）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（PFA）、およびバンクパターン１６０によって定義される青色発光部（EPb）を含むことができる。このような第3サブピクセル領域（SPA3）は、光放出領域（LOA）とパターン形成領域（PFA）及び青色発光部（EPb）それぞれが図5に示した第1サブピクセル領域（SPA1）の光放出領域（LOA）とパターン形成領域（PFA）および赤色発光部（EPr）それぞれと異なる大きさを有し、バンクパターン１６０の位置を除いては、第1サブピクセル領域（SPA1）と実質的に同じなので、重複構成の説明は、省略または簡略にする。

光放出領域（LOA）は、第3サブピクセル領域（SPA3）の第1領域（A1）に配置したリファレンス電圧ライン（RL）と第4i-1データライン（DL4i-1）の間に配置することができる。

青色発光部（EPb）は、凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（EDL）を含むことができる。発光素子層（EDL）は、アノード電極（AEb）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

アノード電極（または青色アノード電極）（AEb）は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第3サブピクセル領域（SPA3）でアノード電極（AEb）の形成領域は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。一例によるアノード電極（AEb）の先端は、リファレンス電圧ライン（RL）と第4i-1データライン（DL4i-1）のそれぞれと重畳する最外郭凹部１５３oに位置することができる。たとえば、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置されたアノード電極（AEb）の先端は、最外郭凹部１５３oの底面に位置することができ、第4i-1データライン（DL4i-1）と重畳したアノード電極（AEb）の先端は、最外郭凹部１５３oの底面とオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間の傾斜面に位置することができる。このようなアノード電極（AEb）は、パターン形成領域（PFA）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う形状を含むことができる。

青色発光部（EPb）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれは、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された赤色発光部（EPr）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このような青色発光部（EPb）は、光放出領域（LOA）よりも小さい大きさを有することができる。そして、青色発光部（EPb）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）の第2サブピクセル（SPA2）の第1発光部（EPw）の次に大きい大きさを有するか、第1サブピクセル（SPA1）の赤色発光部（EPr）の次に大きい大きさを有することができる。一例によると、凸凹パターン部１５０を有する青色発光部（EPb）は、凸凹パターン部１５０をもたない比較例に係る青色発光部と比べて約20％程度の輝度上昇率を有することができる。したがって、青色発光部（EPb）の大きさは、凸凹パターン部１５０による輝度上昇率に基づいて、第2サブピクセル（SPA2）の色温度を増加させることができる範囲内で設定することができる。

バンクパターン１６０は、第3サブピクセル領域（SPA3）の青色発光部（EPb）を定義するもので、アノード電極（AEb）の端の部分と凸凹パターン部１５０の端の部分およびオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aを覆うように具現することができる。バンクパターン１６０は、リファレンス電圧ライン（RL）と第4i-1データライン（DL4i-1）上にそれぞれ配置することができる。

一例によると、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置したバンクパターン１６０は、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置されている凸凹パターン部１５０の少なくとも一つの凹部１５３全体を覆うことができる。たとえば、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置したバンクパターン１６０の第1端１６０e１は、リファレンス電圧ライン（RL）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうち、第1最外郭凹部１５３o１に隣接する外郭凹部１５３a上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第1端１６０e１は、外郭凹部１５３aの底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、リファレンス電圧ライン（RL）と重畳せずに、光放出領域（LOA）の端の部分に重畳することができる。

一例によると、第4i-1データライン（DL4i-1）上に配置したバンクパターン１６０は、第4i-1データライン（DL4i-1）上に配置された凸凹パターン部１５０の一部を覆うことができる。例えば、第4i-1データライン（DL4i-1）上に配置したバンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第4i-1データライン（DL4i-1）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうちの第2最外郭凹部１５３o２上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第2最外郭凹部１５３o２の底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第4i-1データライン（DL4i-1）と重畳せずに、光放出領域（LOA）の端の部分に重畳することができる。

このようなバンクパターン１６０は、凸凹パターン部１５０の端の部分を覆うことで凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部での段差を減少させ、それによってバンクパターン１６０の高さによって凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部で発生した自発光素子（SED）の厚さ減少によるアノード電極（AEb）とカソード電極（CE）の間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

図8は、本明細書の一例に係る第4サブピクセル領域を説明するための図3に示したB3部分の拡大図である。

図2、図3、及び図8を参照すると、本明細書の一例に係る第4サブピクセル領域（SPA4）（または第4サブピクセル１２d）は、第4iデータライン（DL4i）と第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）の間に対応する光放出領域（LOA）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（PFA）、およびバンクパターン１６０によって定義される緑色発光部（EPg）を含むことができる。このような第4サブピクセル領域（SPA4）は、光放出領域（LOA）とパターン形成領域（PFA）および緑色発光部（EPg）それぞれが図7に示した第3サブピクセル領域（SPA3）の光放出領域（LOA）とパターン形成領域（PFA）及び青色発光部（EPb）それぞれと異なる大きさを有し、バンクパターン１６０の位置を除いては、第3サブピクセル領域（SPA3）と実質的に同じなので、重複構成の説明は、省略または簡略にする。

光放出領域（LOA）は、第4サブピクセル領域（SPA4）の第1領域（A1）に配置された第4iデータライン（DL4i）と第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）の間に配置することができる。

緑色発光部（EPg）は、凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（EDL）を含むことができる。発光素子層（EDL）は、アノード電極（AEg）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

アノード電極（または緑色アノード電極）（AEg）は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第4サブピクセル領域（SPA4）でアノード電極（AEg）の形成領域は、パターン形成領域（PFA）よりも小さい大きさを有することができる。一例によるアノード電極（AEg）の先端は、第4iデータライン（DL4i）と第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）それぞれと重畳する最外郭凹部１５３oに位置することができる。例えば、第4iデータライン（DL4i）上に配置されたアノード電極（AEg）の先端は、最外郭凹部１５３oの底面に位置することができ、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）と重畳するアノード電極（AEg）の先端は、最外郭凹部１５３oの底面とオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間の傾斜面に位置することができる。このようなアノード電極（AEg）は、パターン形成領域（PFA）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状（morphology）に沿う形状を含むことができる。

緑色発光部（EPg）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれは、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された赤色発光部（EPr）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このような緑色発光部（EPg）は、光放出領域（LOA）よりも大きい大きさを有することができる。そして、緑色発光部（EPg）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）の第2サブピクセル（SPA2）のアルファ発光部（EPα）が最も小さい大きさを有するとき、アルファ発光部（EPα）より大きく、赤色と青色発光部（EPr、RPb）よりも小さい大きさを有したり、アルファ発光部（EPα）が中間の大きさを有したりして赤色発光部（EPr）が最も小さい大きさを有するとき、アルファ発光部（EPα）と赤色発光部（EPr）の間の大きさを有することができる。一例によると、凸凹パターン部１５０を有する緑色発光部（EPg）は、凸凹パターン部１５０をもたない比較例に係る緑色発光部と比べて約30％程度の輝度上昇率を有することができる。したがって、緑色発光部（EPg）の大きさは、凸凹パターン部１５０による輝度上昇率に基づいて、第2サブピクセル（SPA2）の色温度を増加させることができる範囲内で設定することができる。

バンクパターン１６０は、第4サブピクセル領域（SPA4）の緑色発光部（EPg）を定義するもので、アノード電極（AEg）の端の部分と凸凹パターン部１５０の端の部分およびオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aを覆うように具現することができる。バンクパターン１６０は、第4iデータライン（DL4i）と第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）上にそれぞれ配置することができる。

一例によると、第4iデータライン（DL4i）上に配置されたバンクパターン１６０は、第4iデータライン（DL4i）上に配置されている凸凹パターン部１５０の少なくとも一つの凹部１５３全体を覆うことができる。例えば、第4iデータライン（DL4i）上に配置されたバンクパターン１６０の第1端１６０e１は、第4iデータライン（DL4i）上凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうち、第1最外郭凹部１５３o１に隣接する外郭凹部１５３a上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第1端１６０e１は、外郭凹部１５３aの底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第4iデータライン（DL4i）と重畳することができる。

一例によると、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）上に配置されたバンクパターン１６０は、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）上に配置された凸凹パターン部１５０の一部を覆うことができる。例えば、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）上に配置されたバンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうちの第2最外郭凹部１５３o２上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の第2先端１６０e２は、第2最外郭凹部１５３o２の底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第2jピクセル駆動電圧ライン（PL2j）と重畳することができる。

このようなバンクパターン１６０は、凸凹パターン部１５０の端の部分を覆うことで凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部での段差を減少させ、それによってバンクパターン１６０の高さによって凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部で発生した自発光素子（SED）の厚さの減少によるアノード電極（AEg）とカソード電極（CE）の間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

図9は、本明細書の第1例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図である。

図2、図3、及び図9を参照すると、本明細書の第1例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第4i-2データライン（DL4i-2）とリファレンス電圧ライン（RL）の間に対応する光放出領域（LOA）、凸凹パターン部１５０に対応する第1パターン形成領域（PFA1）と第2パターン形成領域（PFA2）、およびバンクパターン１６０によって定義される第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）を含むことができる。

光放出領域（LOA）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1領域（A1）に配置された第4i-2データライン（DL4i-2）とリファレンス電圧ライン（RL）の間に配置することができる。

第1パターン形成領域（PFA1）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1領域（A1）のうち、第1発光部（EPw）が配置される領域として定義することができる。第1パターン形成領域（PFA1）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1発光部（EPw）上に配置されたオーバーコート層１４０の領域のうち、非パターン部（または最上面）１４０aよりも低い領域と定義することができる。第1パターン形成領域（PFA1）の一側の端の部分は、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置することができる。例えば、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置された第1パターン形成領域（PFA1）の一側先端は、第4i-3データライン（DL4i-3）と第4i-2データライン（DL4i-2）の間に配置することができる。そして、第1パターン形成領域（PFA1）の他側先端は、光放出領域（LOA）上に配置することができる。

第2パターン形成領域（PFA2）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1領域（A1）のうち、第2発光部（EPα）が配置される領域として定義することができる。第2パターン形成領域（PFA2）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第2発光部（EPα）上に配置されたオーバーコート層１４０の領域のうち、非パターン部（または最上面）１４０aよりも低い領域と定義することができる。第2パターン形成領域（PFA2）は、第1パターン形成領域（PFA1）より相対的に小さい大きさを有することができる。第2パターン形成領域（PFA2）の他側の端の部分は、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置することができる。たとえば、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置された第2パターン形成領域（PFA2）の一側先端は、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置することができる。そして、第2パターン形成領域（PFA2）の他側先端は、光放出領域（LOA）上に配置することができる。

第2サブピクセル領域（SPA2）上に配置されたオーバーコート層１４０は、第1パターン形成領域（PFA1）と第2パターン形成領域（PFA2）の間に配置されたサブピクセル分離部（または非パターン部）１４５を含むことができる。

サブピクセル分離部１４５は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間のオーバーコート層１４０に具現することができる。サブピクセル分離部１４５は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間に配置されているオーバーコート層１４０の平坦面（または非パターン部）を含むことができる。例えば、サブピクセル分離部１４５は、オーバーコート層１４０の最上面１４０aと同一平面上に位置する平坦面からなり得る。例えば、サブピクセル分離部１４５は、数百ナノメートルから数百マイクロメートルの幅を有することができる。

第1発光部（EPw）は、第1パターン形成領域（PFA1）の凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（EDL）を含むことができる。発光素子層（EDL）は、第1アノード電極（AEw）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

第1アノード電極（AEw）は、第1パターン形成領域（PFA1）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第2サブピクセル領域（SPA2）で第1アノード電極（AEw）の形成領域は、第1パターン形成領域（PFA1）よりも小さい大きさを有することができる。一例によると、第1アノード電極（AEw）の一側先端は、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置された最外郭凹部１５３o３に位置することができ、第1アノード電極（AEw）の他側先端は、サブピクセル分離部１４５の一側の端の部分に位置することができる。例えば、第1アノード電極（AEw）の一側先端は、最外郭凹部１５３o３の底面に位置することができる。このような第1アノード電極（AEw）は、第1パターン形成領域（PFA1）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う形状を含むことができる。

第1発光部（EPw）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれは、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された赤色発光部（EPr）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このような第1発光部（EPw）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）の中で最も大きい大きさを有することができる。このような凸凹パターン部１５０を有する第1発光部（EPw）の大きさは、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度と白色輝度を増加させることができる範囲内で設定することができる。

第2発光部（EPα）は、第2パターン形成領域（PFA2）の凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（EDL）を含むことができる。発光素子層（EDL）は、第2アノード電極（AEα）、自発光素子（SED）、およびカソード電極（CE）を含むことができる。

第2アノード電極（AEα）は、第2パターン形成領域（PFA2）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第2サブピクセル領域（SPA2）で第2アノード電極（AEα）の形成領域は、第2パターン形成領域（PFA2）よりも小さい大きさを有することができる。一例によると、第2アノード電極（AEα）の一側先端は、サブピクセル分離部１４５の他側の端の部分に位置することができ、第2アノード電極（AEα）の他側先端は、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置された最外郭凹部１５３o４に位置することができる。例えば、第2アノード電極（AEα）の他側先端は、最外郭凹部１５３o４の底面とオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間の傾斜面に位置することができる。このような第2アノード電極（AEα）は、第2パターン形成領域（PFA2）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う形状を含むことができる。

第2発光部（EPα）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれは、第1サブピクセル領域（SPA1）に配置された赤色発光部（EPr）の自発光素子（SED）とカソード電極（CE）のそれぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このような第2発光部（EPα）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）中の中間の大きさを有するか、最も小さい大きさを有することができる。例えば、第2発光部（EPα）は、第1～第4サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）の赤色発光部（EPr）が最も小さい大きさを有するとき、中間の大きさを有することができる。このような凸凹パターン部１５０を有する第2発光部（EPα）の大きさは、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする色温度と白色輝度を増加させることができる範囲内で設定することができる。

第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）は、ピクセル回路（PC）の駆動トランジスタ（Tdr）から同じデータ電流を同時に供給を受け、同時に発光することができる。第2サブピクセル領域（SPA2）において、第1発光部（EPw）は主発光部の役割をして、第2発光部（EPα）は補助発光部の役割をすることができる。これにより、比較例に係る第2サブピクセル領域に配置された一つの発光部と比較して、第1発光部（EPw）に加わる駆動ストレス（または劣化）が第2発光部（EPα）に分散されることで主発光部の役割をする第1発光部（EPw）の駆動ストレスを減少させることができ、これにより、第1発光部（EPw）に配置された発光素子層（EDL）の寿命が延長され得る。

バンクパターン１６０は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）を定義することができる。

バンクパターン１６０は、第1および第2アノード電極（AEw、AEα）の端の部分と凸凹パターン部１５０の端の部分およびオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aを覆うように具現することができる。バンクパターン１６０は、第4i-2データライン（DL4i-2）とリファレンス電圧ライン（RL）上にそれぞれ配置することができる。

一例によると、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置されたバンクパターン１６０は、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置されている凸凹パターン部１５０の少なくとも一つの凹部１５３全体を覆うことができる。例えば、第4i-2データライン（DL4i-2）上に配置されたバンクパターン１６０の一側先端１６０e３は、第4i-2データライン（DL4i-2）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうち最外郭凹部１５３o３に隣接する外郭凹部１５３b上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の一側先端１６０e３は、外郭凹部１５３bの底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、第4i-2データライン（DL4i-2）と重畳することができる。

一例によると、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置されたバンクパターン１６０は、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置された凸凹パターン部１５０の一部を覆うことができる。たとえば、リファレンス電圧ライン（RL）上に配置されたバンクパターン１６０の他側先端１６０e４は、リファレンス電圧ライン（RL）上の凸凹パターン部１５０に配置されている複数の凹部１５３のうち、第4最外郭凹部１５３o４上に位置することができる。例えば、バンクパターン１６０の他側先端１６０e４は、第4最外郭凹部１５３o４の底面と隣接する凸部１５１の頂部の間の傾斜面に位置することができ、基準電圧ライン（RL）と重畳することができる。

このようなバンクパターン１６０は、第2サブピクセル領域（SPA2）に配置された凸凹パターン部１５０の端の部分を覆うことで凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部での段差を減少させ、それによってバンクパターン１６０の高さによって凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部で発生した自発光素子（SED）の厚さ減少による第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）それぞれのカソード電極（CE）間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

以上のように、本明細書の一例に係る発光表示装置は、各々異なる大きさを有しながら、空間的に分離された第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）を有する第2サブピクセル領域（SPA2）を含むことにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれから放出される光によって表示映像の輝度と色温度を改善することができる。すなわち、本明細書の一例によると、第1、第3、第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれの発光部（EP）のうちの少なくとも一つの大きさは、第2発光部（EPα）の大きさによって減少し、これにより、赤色、緑色、および青色うちの少なくとも一つの純色輝度が減少することによって、白色の輝度と色温度を改善することができる。

また、本明細書の一例に係る発光表示装置は、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部（EP）に配置された凸凹パターン部１５０を含むことにより、第2発光部（EPα）によって第1、第3、第4サブピクセル領域（SPA1、SPA3、SPA4）それぞれの発光部（EP）のうちの少なくとも一つの大きさが減少しても、凸凹パターン部１５０による光取り出し効率の増加により赤色、緑色、および青色の純色輝度が増加することができ、これにより、白色の輝度と色温度が増加することができる。

図10は、本明細書の第2例による第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図9に示した第2発光部にアルファカラーフィルタを追加で構成したものである。これにより、以下の説明では、アルファ、カラーフィルタと関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図9と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

図2、図3、及び図10を参照すると、本明細書の第2例による第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第2発光部（EPα）に配置されたアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことを除いては、図9に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同一の構造を有する。

第2発光部（EPα）は、非白色光を放出するように具現することができる。このため、第2発光部（EPα）は、アルファカラーフィルタ（CFα）を含むことができる。たとえば、アルファカラーフィルタ（CFα）は、付加カラーフィルタや補助カラーフィルタとも理解することができる。

アルファカラーフィルタ（CFα）は、第2パターン形成領域（PFA2）に配置されている凸凹パターン部１５０の下に配置することができる。たとえば、アルファカラーフィルタ（CFα）は、第2発光部（EPα）と重畳するように基板１００とオーバーコート層１４０の間に設けることができる。たとえば、アルファカラーフィルタ（CFα）は、第2発光部（EPα）と重畳するパッシベーション層１３０とオーバーコート層１４０の間に介在することができる。これにより、第2発光部（EPα）は、凸凹パターン部１５０とアルファカラーフィルタ（CFα）を含むことにより、凸凹パターン部１５０を含む第1発光部（EPw）と、異なる光取り出し構造を有することができる。

アルファカラーフィルタ（CFα）は、第2発光部（EPα）よりも大きい大きさを有したり、広い大きさを有したりすることができる。たとえば、アルファカラーフィルタ（CFα）の先端は、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）間のサブピクセル境界部（SPB）を通って、隣接した非発光部（NEP）と重畳するよう延長することができる。さらに、第3サブピクセル領域（SPA3）に隣接するアルファカラーフィルタ（CFα）の先端は、非発光部（NEP）で第3サブピクセル領域（SPA3）に配置された青色カラーフィルタ（CFb）の端の部分を覆ったり、重畳したりすることができる。アルファカラーフィルタ（CFα）と青色カラーフィルタ（CFb）の重畳した（または積層）部分は、第2サブピクセル１２bと第3サブピクセル１２c間の光漏れや混色を最小限に抑えるか、または防ぐ遮光層の役割を兼ねることができる。

一例によるアルファカラーフィルタ（CFα）は、青色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタを含むことができる。

一例によると、アルファカラーフィルタ（CFα）は、青色カラーフィルタを含むことができる。この場合、青色カラーフィルタを含むアルファカラーフィルタ（CFα）は、第2発光部（EPα）から放出される白色光を青色光でフィルタリングすることによって、第2サブピクセル領域（SPA2）から放出される白色光のスペクトルをよりクール（cool）に具現するようにすることができる。例えば、青色カラーフィルタを含むアルファカラーフィルタ（CFα）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで10000Kの色温度を実現しようとしたときに適用することができる。

別の例によると、アルファカラーフィルタ（CFα）は、赤色カラーフィルタを含むことができる。この場合、赤色のカラーフィルタを含むアルファカラーフィルタ（CFα）は、第2発光部（EPα）から放出される白色光を赤色光でフィルタリングすることができる。例えば、赤色のカラーフィルタを含むアルファカラーフィルタ（CFα）は、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで6500Kの色温度を実現しようとしたときに適用することができる。

アルファカラーフィルタ（CFα）が青色カラーフィルタを含むとき、第2発光部（EPα）を介して青色光を基板１００の方に抽出（または出光）させることができる。この場合、蛍光発光材質を用いる第3サブピクセル領域（SPA3）の寄与度が減少して、第3サブピクセル１２cに加わる駆動ストレス（または劣化）が減少することができ、これにより青色光を放出する第3サブピクセル１２cの寿命を延長することができる。

選択的に、アルファカラーフィルタ（CFα）は、量子ドットおよび長波長吸収物質（または染料）のうちの少なくとも一つをさらに含むことができる。量子ドットは、アルファカラーフィルタ（CFα）に設定された色相の光を放出する大きさを有することにより、発光素子層（EDL）から基板１００の方に放出される白色光によって再発光して色再現率を増加させることができる。長波長吸収物質は、長波長光の少なくとも一部を吸収することにより、長波長領域の光に対する透過率（または出光率）を減少させて色温度を上昇させることができる。例えば、長波長吸収物質は、620nm～700nmの波長を吸収するように具現することができる。

本明細書の第2例による第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、第2サブピクセル１２bの第2発光部（EPα）に配置されたアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことにより、図9に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置よりも白色の輝度と色温度をさらに増加させることができ、赤色、緑色、青色それぞれのサブピクセルの寿命を延長することができる。

図11は、本明細書の第3例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、図12は、図11に示したアイルランドパターン層の変形例を示す図であり、これらは図10に示した第2発光部にアイランドパターン層を追加で構成したものである。これにより、以下の説明では、アイルランドパターン層とこれに関連した構成についてのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図10と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

図2、図3、図11、及び図12を参照すると、本明細書の第3例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第2発光部（EPα）に配置されたアイルランドパターン層１３５をさらに含むことを除いては、図11に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同一の構造を有する。

アイルランドパターン層１３５は、パッシベーション層１３０とアルファカラーフィルタ（CFα）の間に具現することができる。アイルランドパターン層１３５の形成領域は、第2アノード電極（Aeα）よりも大きい大きさを有することができる。たとえば、アイルランドパターン層１３５の形成領域は、第2発光部（EPα）に配置された凸凹パターン部１５０の大きさと同じか大きい大きさを有することができる。これにより、第2発光部（EPα）は、凸凹パターン部１５０とアルファカラーフィルタ（CFα）およびアイルランドパターン層１３５を含むことにより、凸凹パターン部１５０を含む第1発光部（EPw）と異なる光取り出し構造を有することができる。

一例によるアイルランドパターン層１３５は、第2発光部（EPα）の全領域にわたって配置することができる。アイルランドパターン層１３５の大きさは、第2アノード電極（Aeα）よりも大きい大きさを有することができる。アイルランドパターン層１３５の大きさは、第2発光部（EPα）に配置された凸凹パターン部１５０の大きさと同じか大きいことができる。

別の例でアイルランドパターン層１３５は、図12に示すように、互いに離隔した複数のパターンを含むことができる。複数のパターンは、ライン形態、点形態、または任意の形態を有することができる。

アルファカラーフィルタ（CFα）は、アイルランドパターン層１３５と凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。アルファカラーフィルタ（CFα）は、他のサブピクセルの領域に配置されているカラーフィルタ（CFr、CFb、CFg）よりも薄い厚さを有することができる。たとえば、アルファカラーフィルタ（CFα）は、アイルランドパターン層１３５の厚さによって、他のサブピクセルの領域に配置されているカラーフィルタ（CFr、CFb、CFg）よりも薄い厚さを有することができる。これにより、アイルランドパターン層１３５の厚さは、発光表示装置または第2サブピクセル１２bで具現しようとする白色の輝度および/または色温度に基づいたアルファカラーフィルタ（CFα）の透過率によって設定することができる。

このような本明細書の第3例に係る第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図10に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、アイルランドパターン層１３５を介してアルファカラーフィルタ（CFα）の厚さを減少させ、これにより、第2発光部（EPα）の透過率を調節したり増加したりすることができる。

図13は、本明細書の第4例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図9に示した第2サブピクセル領域にグルーブパターンを追加で構成したものである。これにより、以下の説明では、グルーブパターンと関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図9と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

図2、図3、及び図13を参照すると、本明細書の第4例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間に配置されたグルーブパターン（GRV）をさらに含むことを除いては、図9に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同一の構造を有する。

グルーブパターン（GRV）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間のオーバーコート層１４０に具現することができる。グルーブパターン（GRV）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間に配置されているサブピクセル分離部１４５または平坦面から凹に具現することができる。

グルーブパターン（GRV）は、数百ナノメートルから数百マイクロメートルの幅を有することができ、オーバーコート層１４０の厚さと同じか、浅い深さを有することができる。基板１００とグルーブパターン（GRV）間の最短距離は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれに配置されている凸凹パターン部１５０の凹部１５３と基板１００の間の距離よりも近いことができる。グルーブパターン（GRV）の底面は、パッシベーション層１３０の上面と凹部１５３の底面の間に位置することができる。例えば、グルーブパターン（GRV）のオーバーコート層１４０の厚みと同じ深さを有するとき、グルーブパターン（GRV）の底面は、パッシベーション層１３０の上面であることができる。

グルーブパターン（GRV）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間に傾斜面を含むことにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれから入射する光の一部を傾斜面を介して基板１００の方に反射させることができる。

本例に係るグルーブパターン（GRV）は、バンクパターン１６０によって覆うことができる。

バンクパターン１６０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間に配置された第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれの端の部分を覆いながらグルーブパターン（GRV）に充填することができる。例えば、バンクパターン１６０は、黒色顔料を含む感光剤で形成することで、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間の混色を防止する遮光部材の役割を兼ねることができる。この場合、バンクパターン１６０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）を空間的に完全に分離することができ、これにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれの光取り出し効率を増加させることができる。

このような本明細書の第4例に係る第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図9に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、グルーブパターン（GRV）によって第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間の混色が防止され、これにより、白色の輝度と色温度が増加することができる。

付加的に、本明細書の第4例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）の第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むか、図11または図12に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。例えば、第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）または図11に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。

図14は、本明細書の第5例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図13に示した第2サブピクセル領域に配置されたバンクパターンおよびカソード電極の構造を変更したものである。これにより、以下の説明では、バンクパターンおよびカソード電極と、これらと関連する構成に対してのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図13と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

図2、図3、及び図14を参照すると、本明細書の第5例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）において、発光部（EP）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間に配置されているグルーブパターン（GVR）上に配置された反射電極部（REP）を含むことができる。

グルーブパターン（GRV）は、図13に示したグルーブパターン（GRV）と実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

グルーブパターン（GRV）上に配置されたバンクパターン１６０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間の非発光部（NEP）に配置された第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれの端の部分を覆いながらグルーブパターン（GRV）の形状に対応するように具現することができる。

一例によると、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０は、グルーブパターン（GRV）の傾斜面に沿って相対的に薄い厚さを有するように形成することができる。つまり、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０は、グルーブパターン（GRV）全体に充填されずに、グルーブパターン（GRV）の傾斜面と底面を覆うように形成することができる。これにより、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０は、グルーブパターン（GRV）の形状に対応するホーム部を含むことができる。例えば、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０は、傾斜面と底面、および傾斜面と底面に囲まれるU字形態のホーム部を含むことができる。

バンクパターン１６０は、透明材質からなることができるが、必ずしもこれに限定されず、黒色顔料を含む感光剤で形成することもできる。代案として、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０は、サブピクセル領域（SPA1～SPA4）間の非発光部（NEP）上のバンクパターン１６０と、異なる材質からなることができる。例えば、バンクパターン１６０は、全体的に黒色顔料を含む感光剤で形成し、グルーブパターン（GRV）上のバンクパターン１６０のみ、透明材質からなることもできる。

発光素子層（EDL）の自発光素子（SED）は、第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）およびバンクパターン１６０の表面形状に沿う形状を有するように具現することができる。

グルーブパターン（GRV）上に配置された自発光素子（SED）において、自発光素子（SED）は、バンクパターン１６０の傾斜面とホーム部を覆うように形成することができる。つまり、自発光素子（SED）は、バンクパターン１６０全体に十分に充たされることなく、バンクパターン１６０の傾斜面と底面を覆うように形成することができる。これにより、自発光素子（SED）は、グルーブパターン（GRV）の形状に対応するホーム部を含むことができる。例えば、自発光素子（SED）は、傾斜面と底面、および傾斜面と底面に囲まれるU字形態のホーム部を含むことができる。

カソード電極（CE）は、自発光素子（SED）の表面形状をそのまま沿う形状を有するように具現することができる。ここで、グルーブパターン（GRV）上に配置されたカソード電極（CE）において、カソード電極（CE）は、グルーブパターン（GRV）の形状に対応するホーム部を含むことができる。例えば、カソード電極（CE）は、傾斜面および傾斜面に囲まれるV字またはU字形態のホーム部を含むことができる。このようなカソード電極（CE）のホーム部は、反射電極部（REP）の役割をすることができる。

グルーブパターン（GRV）上に配置されたカソード電極（CE）と基板１００間の最短距離は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれに配置されている凸凹パターン部１５０の凹部１５３と基板１００の間の距離よりも近いことができる。グルーブパターン（GRV）上に配置されたカソード電極（CE）の底面は、パッシベーション層１３０の上面と凹部１５３の底面の間に位置することができる。このようなグルーブパターン（GRV）に配置されたカソード電極（CE）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれから入射する光を基板１００の方に反射させる反射板の役割を兼ねることにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）を空間的に完全に分離し、これにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれでの光取り出し効率を増加させることができる。

このような本明細書の第5例に係る第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図13に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、グルーブパターン（GRV）上に配置されたカソード電極（CE）による光の反射によって、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）それぞれでの光取り出し効率が増加し、これにより、白色の輝度と色温度をさらに増加させることができる。

付加的に、本明細書の第5例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）の第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むか、図11または図12に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。例えば、第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）または図11に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。

図15は、本明細書の第6例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図9に示した第2サブピクセル領域に配置された凸凹パターン部を変更したものである。これにより、以下の説明では、凸凹パターン部とこれに関連する構成に対してのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図9と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

図2、図3、及び図15を参照すると、本明細書の第6例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間にオーバーコート層１４０に凸凹パターン部１５０が追加で配置されることを除いては、図9に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同じ構造を有している。

凸凹パターン部１５０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間のオーバーコート層１４０に追加で具現することができる。これにより、第2サブピクセル領域（SPA2）は、凸凹パターン部１５０が形成される1つのパターン形成領域（PFA）を有することができる。

1つのパターン形成領域（PFA）は、第2サブピクセル領域（SPA2）の第1領域（A1）に配置された第4i-2データライン（DL4i-2）とリファレンス電圧ライン（RL）間に対応する光放出領域（LOA）よりも大きい大きさを有することができる。

第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間に配置されたバンクパターン１６０において、バンクパターン１６０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間の非発光部（NEP）に配置された第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれの端の部分および凸凹パターン部１５０の少なくとも一つの凸部１５１を覆うことができる。バンクパターン１６０の両端は、第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）それぞれの端の部分が配置されている凸凹パターン部１５０の凹部に位置することができる。このようなバンクパターン１６０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間に配置された凸凹パターン部１５０の端の部分を覆うことで凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部での段差を減少させ、それによってバンクパターン１６０の高さによって凸凹パターン部１５０とオーバーコート層１４０の境界部で発生する自発光素子（SED）の厚さ減少による第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）それぞれとカソード電極（CE）間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

このような本明細書の第6例に係る第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図9に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）間のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０を含むことにより、バンクパターン１６０の高さによって、第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）の間で発生する第1アノード電極（AEw）及び第2アノード電極（AEα）それぞれとカソード電極（CE）間の電気的な接続（またはショート）を防止することができる。

付加的に、本明細書の第6例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）の第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むか、図11または図12に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。例えば、第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）または図11に示したアイルランドのパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。

図16は、本明細書の第7例に係る第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図9に示した第2サブピクセル領域の第2発光部に配置されたオーバーコート層に非パターン部を構成したものである。これにより、以下の説明では、第2発光部の非パターン部とこれに関連する構成に対してのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図9と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略するか簡略にする。

図2、図3、及び図16を参照すると、本明細書の第7例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第2発光部（EPα）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部が非パターン部（NPP）に変更されたことを除いては、図9に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同一の構造を有する。

第2サブピクセル領域（SPA2）に配置されたオーバーコート層１４０は、第1発光部（EPα）に配置された凸凹パターン部１５０、及び第2発光部（EPα）に配置された非パターン部（NPP）を含むことができる。非パターン部（NPP）は、第2発光部（EPα）上に配置されたオーバーコート層１４０に凸凹パターン部１５０が形成されない領域であって、平坦部または平坦面と理解することができる。例えば、非パターン部（NPP）は、他のサブピクセル領域（SPA1～SPA4）の発光部に凸凹パターン部１５０を形成するとき、凸凹パターン部１５０が形成されないようにマスクパターンによってマスキングすることで、実質的に平坦面として具現することができる。

第2発光部（EPα）は、凸凹パターン部１５０なしに、非パターン部（NPP）を含むことにより、凸凹パターン部１５０を含む第1発光部（EPw）と異なった光取り出し構造を有することができる。 また、第2発光部（EPα）は、第1発光部（EPw）と異なる表面形状を有することができる。例えば、第1発光部（EPw）は、凸凹パターン部１５０により凸凹形態（または凹凸）の表面形状を有することができ、第2発光部（EPα）は平面形態の表面形状を有することができる。

非パターン部（NPP）上に配置された発光素子層（EDL）は、非パターン部（NPP）の表面形状に対応する平面構造で具現することができる。例えば、非パターン部（NPP）に配置された発光素子層（EDL）の第2アノード電極（AEα）と自発光素子（SED）およびカソード電極（CE）のそれぞれは、平坦面を含む平面構造で形成することができる。これにより、第2アノード電極（AEα）は、第1アノード電極（AEw）と異なる表面形状を有することができる。例えば、第2アノード電極（AEα）は、平面形態の表面形状を有することができる。一方、第1アノード電極（AEw）は、凸凹パターン部１５０によって凸凹形態（または凹凸）の表面形状を有することができる。したがって、第2発光部（EPα）に配置された発光素子層（EDL）は、第1発光部（EPw）に配置された発光素子層（EDL）と異なる光取り出し構造を有するか、異なる表面形状を有することができる。例えば、第2発光部（EPα）に配置された発光素子層（EDL）は、非パターン部（NPP）により平面形態の表面形状を有することができ、第1発光部（EPw）に配置された発光素子層（EDL）は、凸凹パターン部１５０により凸凹形状（または凹凸）の表面形状を有することができる。

第2サブピクセル１２bの第2発光部（EPα）は、非パターン部（NPP）を含むことにより、隣接する第1発光部（EPw）及び第3サブピクセル領域（SPA3）それぞれから入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象を防止することができる。例えば、第2発光部（EPα）に凸凹パターン部１５０が配置される場合、隣接する第1発光部（EPw）および/または隣接するサブピクセルの領域で発生する光漏れ成分が凸凹パターン部１５０によって、基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象が発生し得る。しかし、本例の場合、第2サブピクセル１２bの第2発光部（EPα）は、凸凹パターン部１５０を含まない非パターン部（NPP）を含むことにより、前記の光漏れ現象を防止することができる。

このような本明細書の第7例に係る第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図9に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、第2発光部（EPα）に配置された非パターン部（NPP）を含むことにより、隣接するサブピクセルの領域から入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象が防止され、これにより、白色の輝度および色温度をさらに増加させることができる。

付加的に、本明細書の第7例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）の第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むか、図11または図12に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。例えば、第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）または図11に示したアイルランドのパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。

また、本明細書の第7例に係る第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、図13または図14に示したグルーブパターン（GRV）をさらに含むことができる。

図17は、本明細書の第8例による第2サブピクセル領域を説明するための図3に示したB4部分の拡大図であり、これは、図9に示した第2サブピクセル領域の第2発光部に配置されたオーバーコート層に凹パターン部を構成したものである。これにより、以下の説明では、第2発光部の凹部のパターン部とこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図9と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略するか簡略にする。

図2、図3、及び図17を参照すると、本明細書の第8例による第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、第2発光部（EPα）のオーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部を凹パターン部（CPP）に変更したことを除いては、図9に示した第2サブピクセル領域（SPA2）と実質的に同一の構造を有する。

第2サブピクセル領域（SPA2）に配置されたオーバーコート層１４０は、第1発光部（EPα）に配置された凸凹パターン部１５０、及び第2発光部（EPα）に配置された凹パターン部（CPP）を含むことができる。これにより、第2発光部（EPα）は、凸凹パターン部１５０なしに凹パターン部（CPP）を含むことにより、凸凹パターン部１５０を含む第1発光部（EPw）と異なる光取り出し構造を有することができる。また、第2発光部（EPα）は、第1発光部（EPw）と異なる表面形状を有することができる。例えば、第1発光部（EPw）は、凸凹パターン部１５０により凸凹形状（または凹凸）の表面形状を有することができ、第2発光部（EPα）は、凹パターン部（CPP）により凹な形態の表面形状を有することができる。

凹パターン部（CPP）は、第2発光部（EPα）上に配置されたオーバーコート層１４０から凹に具現された凹パターン１４７を含むことができる。凹パターン１４７は、オーバーコート層１４０の非パターン部（または最上面）１４０aから基板１００の方に凹に形成することができる。

一例による凹パターン１４７は、底面１４７a、第1傾斜面１４７b、及び第2傾斜面１４７c を含むことができる。

凹パターン１４７の底面１４７aは、第2発光部（EPα）上に実質的に平面構造からなることができる。一例による凹パターン１４７の底面１４７aは、第1発光部（EPw）に配置されている凸凹パターン部１５０の最上面より基板１００側に近く配置され、パッシベーション層１３０の上面から離隔することができる。

凹パターン１４７の第1および第2傾斜面１４７b、１４７cは、凹パターン１４７の底面１４７aとオーバーコート層１４０の非パターン部１４０aの間に傾斜して具現することができる。例えば、第1および第2傾斜面１４７b、１４７cそれぞれの底面１４７aの間の夾角は、90～135度であり得る。

凹パターン１４７の第1および第2傾斜面１４７b、１４７cそれぞれは、隣接する第1発光部（EPw）及び第3サブピクセル領域（SPA3）それぞれから入射する光漏れ成分を反射させることで、前記光漏れ成分が第2発光部（EPα）を介して基板１００の方に抽出されることを防止することができる。このため、凹パターン１４７の底面１４７aと基板１００の間の最短距離（D1）は、第1発光部（EPw）に配置されている凸凹パターン部１５０の凹部１５３と基板１００の間の最短距離（D2）より近いことができる。例えば、凹パターン１４７の底面１４７aは、基板１００と凹部１５３とパッシベーション層１３０の間に位置することができる。

凹パターン部（CPP）上に配置された発光素子層（EDL）は、凹パターン部（CPP）の表面形状に対応する凹な構造で具現することができる。例えば、凹パターン部（CPP）に配置された発光素子層（EDL）の第2アノード電極（AEα）と自発光素子（SED）およびカソード電極（CE）それぞれは、底面と傾斜面を含む凹な構造で形成することができる。これにより、第2アノード電極（AEα）は、第1アノード電極（AEw）と異なる表面形状を有することができる。例えば、第2アノード電極（AEα）は、凹パターン部（CPP）により凹な形態の表面形状を有することができる。一方、第1アノード電極（AEw）は、凸凹パターン部１５０により凸凹形状（または凹凸）の表面形状を有することができる。したがって、第2発光部（EPα）に配置された発光素子層（EDL）は、第1発光部（EPw）に配置された発光素子層（EDL）と異なる光取り出し構造を有するか、異なる表面形状を有することができる。例えば、第2発光部（EPα）に配置された発光素子層（EDL）は、凹パターン部（CPP）により平面形態の表面形状を有することができ、第1発光部（EPw）に配置された発光素子層（EDL）は、凸凹パターン部１５０により凸凹形状（または凹凸）の表面形状を有することができる。

第2サブピクセル１２bの第2発光部（EPα）は、凹パターン部（CPP）を含むことにより、隣接する第1発光部（EPw）及び第3サブピクセル領域（SPA3）それぞれから入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象を防止することができる。例えば、第2発光部（EPα）に凸凹パターン部１５０を配置する場合、隣接する第1発光部（EPw）および/または隣接するサブピクセルの領域で発生する光漏れ成分が凸凹パターン部１５０によって、基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象が発生し得る。しかし、本例の場合、第2サブピクセル１２bの第2発光部（EPα）は、凹パターン部（CPP）に配置された凹パターン１４７の第1および第2傾斜面１４７b、１４７cを含むすることにより、前記の光漏れ現象を防止することができる。

このような本明細書の第8例による第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置は、図9に示した第2サブピクセル１２bを含む発光表示装置と同様の効果を有することができる。また、本例に係る発光表示装置は、第2発光部（EPα）に配置された凹部のパターン部（CPP）を含むことにより、隣接するサブピクセルの領域から入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）される光漏れ現象を防止し、これにより、白色の輝度および色温度をさらに増加することができる。

付加的に、本明細書の第8例による第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）の第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むか、図11または図12に示したアイルランドパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。例えば、第2発光部（EPα）は、図10に示したアルファカラーフィルタ（CFα）または図11に示したアイルランドのパターン層１３５とアルファカラーフィルタ（CFα）をさらに含むことができる。

また、本明細書の第8例による第2サブピクセル領域（SPA2）（または第2サブピクセル１２b）は、図13または図14に示したグルーブパターン（GRV）をさらに含むことができる。

図18a及び図18bは、図3に示した凸凹パターン部の様々な例を示す図である。

図18aを参照すると、第1例による凸凹パターン部１５０は、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に配置されたアノード電極（AEr、AEw、AEα、AEb、AEg）より広いか、大きい大きさを有することができる。

第1、第3、及び第4サブピクセル１２a、１２c、１２dのそれぞれの発光部（EPr、EPb、EPg）に配置された凸凹パターン部１５０は、同じ構造で具現ことができる。これにより、第1、第3、及び第4サブピクセル１２a、１２c、１２dそれぞれの発光部（EPr、EPb、EPg）に配置された発光素子層は、凸凹パターン部１５０により凸凹形状（または凹凸）の表面形状を有することができる。

第2サブピクセル１２bの第1発光部（EPw）と第2発光部（Epα）に配置された凸凹パターン部１５０は、異なる構造または異なる形状で具現することができる。第1発光部（EPw）と第2発光部（EPα）は、異なる構造または異なる形状を有する凸凹パターン部１５０により、互いに異なる光取り出し構造を有することができる。これにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（Epα）に配置された発光素子層は、互いに異なる構造または異なる形状を有する凸凹パターン部１５０により、互いに異なる表面形状を有することができる。

また、第1発光部（EPw）と第2発光部（Epα）のそれぞれに配置された第1アノード電極（AEw）と第2アノード電極（AEα）は、互いに異なる構造または互いに異なる形状を有する凸凹パターン部１５０により、互いに異なる表面形状を有することができる。これにより、第1発光部（EPw）と第2発光部（Epα）のそれぞれに配置された発光素子層は、互いに異なる表面形状を有することができる。

第1発光部（EPw）に配置された凸凹パターン部１５０の凸部１５１と第2発光部（EPα）に配置された凸凹パターン部１５０の凸部１５１は、直径、高さ、半高さ幅、凹部１５３と凹部１５３の間の離隔距離、傾きまたは縦横比のうちの少なくともいずれか一つが互いに異なることができる。

一例によると、第2発光部（EPα）の凸部１５１と、第1発光部（EPw）の凸部１５１は、互いに異なる直径を有することができる。第2発光部（EPα）の凸部１５１は、第1発光部（EPw）の凸部１５１よりも小さい直径を有するか、または大きい直径を有することができる。例えば、第2発光部（EPα）の凸部１５１の底面の直径は、第1発光部（EPw）の凸部１５１の底面の直径に対して0.5～1.5倍に設定することができる。

他の例によると、第2発光部（EPα）の凸部１５１と、第1発光部（EPw）の凸部１５１は、互いに異なる高さを有することができる。第2発光部（EPα）の凸部１５１は、第1発光部（EPw）の凸部１５１よりも低い高さを有するか、高い高さを有することができる。例えば、第2発光部（EPα）の凸部１５１の高さは、第1発光部（EPw）の凸部１５１の高さに対して0.5～1.5倍に設定することができる。

また別の例によると、単位面積を基準として、第2発光部（EPα）の凹部１５３と、第1発光部（EPw）の凹部１５３は、互いに異なる個数を有することができる。単位面積当たり第2発光部（EPα）は、第1発光部（EPw）より多くの個数の凹部１５３を有したり、第1発光部（EPw）よりも少ない個数の凹部１５３を有したりすることができる。例えば、第2発光部（EPα）の凹部１５３の個数は、第1発光部（EPw）の凹部１５３の個数に対して、0.5～1.5倍に設定することができる。

このような第1例による凸凹パターン部１５０は、第1発光部（EPw）と第2発光部（Epα）に互いに異なる構造または互いに異なる形状で具現することで、第2発光部（Epα）の光取り出し効率を最適化し、これにより、第2サブピクセル（12b）の白色輝度と色温度を向上させたり、最適化したりすることができる。例えば、第2発光部（Epα）の色温度を増加させる場合、第2発光部（Epα）の凸部１５１は、第1発光部（EPw）の凸部１５１よりも大きい直径または高い高さを有することができる。

図18bを参照すると、第2例による凸凹パターン部１５０は、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dのそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に各々異なる構造または各々異なる形状で具現することができる。すなわち、第2例に係る凸凹パターン部１５０は、発光表示装置で具現しようとする白色輝度と色温度に基づいて、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に各々異なる構造または各々異なる形状に形成することができる。これにより、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に配置された発光素子層は、各々異なる構造または各々異なる形状を有する凸凹パターン部１５０により、各々異なる凸凹形態（または凹凸）の表面形状を有することができる。

第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に配置された凸凹パターン部１５０の凸部１５１は、直径、高さ、半高さ幅、凹部１５３と凹部１５３の間の離隔距離、傾きまたは縦横比のうちの少なくともいずれか一つが各々異なることができる。

一例によると、凸凹パターン部１５０に配置される凸部１５１の底面の直径は、赤色発光部（EPr）、緑色発光部（EPg）、青色発光部（EPb）、第1発光部（EPw）、及び第2発光部（EPα）の順で大きい大きさ（EPr>EPg>EPb>EPw>EPα）を有することができる。ここで、第2発光部（EPα）の凸部１５１の底面の直径は、第1発光部（EPw）の凸部１５１の底面の直径に対して0.5～1.5倍で設定することができる。

他の例によると、凸凹パターン部１５０に配置される凸部１５１の高さは、赤色発光部（EPr）、緑色発光部（EPg）、青色発光部（EPb）、第1発光部（EPw）、及び第2発光部（EPα）の順で高い高さ（EPr>EPg>EPb>EPw>EPα）を有することができる。ここで、第2発光部（EPα）の凸部１５１の高さは、第1発光部（EPw）の凸部１５１の高さに対して0.5～1.5倍で設定することができる。

また別の例によると、単位面積を基準に、凸凹パターン部１５０に配置される凹部１５３の個数は、第2発光部（EPα）、第1発光部（EPw）、青色発光部（EPb）、緑色発光部（EPg）、および赤色発光部（EPr）の順に多くの個数（EPα>EPw>EPb>EPg>EPr）を有することができる。ここで、第2発光部（EPα）の凹部１５３の個数は、第1発光部（EPw）の凹部１５３の個数に対して、0.5～1.5倍で設定することができる。

このような第2形態に係る凸凹パターン部１５０は、第1～第4サブピクセル１２a、１２b、１２c、１２dそれぞれの発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）に各々異なる構造または各々異なる形状で具現することで、発光部（EPr、EPw、EPα、EPb、EPg）別の光取り出し効率を最適化し、これにより、単位ピクセルまたは発光表示装置の白色輝度と色温度を向上させたり最適化したりすることができる。

図19aは、図10に示した第2サブピクセルの第1発光部に対する波長別強度を示すグラフであり、図19bは、図10に示した第2サブピクセルの第2発光部に対する波長別強度を示すグラフである。第2サブピクセルの第2発光部は、青色カラーフィルタを含むことができる。

図19aに示すように、第2サブピクセルの第1発光部から発生する光は、赤色、緑色、および青色ピーク波長を含むことが分かる。一方、図19bに示すように、第2サブピクセルの第1発光部から発生する光は、青色ピーク波長のみを含むことが分かる。

図20は、図10に示した第2サブピクセルと比較例に係る白色サブピクセルの波長別強度を示すグラフである。図20において、実線のグラフは、図10に示した第2サブピクセルの発光スペクトルを示し、点線のグラフは、一つの発光部を有する比較例に係る白色サブピクセルの発光スペクトルを示す。

図20から分かるように、本明細書による第2サブピクセルは、比較例と比較して青色波長での強度が高いことが確認できる。

したがって、本明細書による第2サブピクセルは、図19a及び図19bに示すような第1発光部と第2発光部それぞれの発光スペクトルによって青色波長での強度が増加することにより、単位ピクセルの輝度と色温度を増加させることができる。その結果、本明細書に係る発光表示装置は、表示映像の輝度と色温度を改善することができる。

図21a～図21cは、本明細書の第1～第3実験例による第2サブピクセルに対する波長別強度を示すグラフであって、これは第2サブピクセルの第1発光部と第2発光部それぞれに配置された凸凹パターン部の凸部の形状による第2サブピクセルの波長別強度を説明するための図である。第1実験例は、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部と第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部が実質的に同一の構造を有し、第2実験例は、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部が第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部よりも1.5倍高い高さを有し、第3実験例は、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部が第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部よりも0.5倍低い高さを有する。

図21a～図21cから分かるように、第2サブピクセルの第1発光部と第2発光部それぞれに配置された凸凹パターン部の凸部の形状によって、第2サブピクセルの色温度特性が異なることを確認することができる。

図21bから分かるように、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部が、第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部よりも1.5倍高い高さを有する第2実験例は、第1実験例に対比して赤色、緑色、青色それぞれのピーク波長が減少することを確認することができる。このような第2実験例は、6500Kの色温度を具現するために適用することができる。

図21cから分かるように、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部が、第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部よりも0.5倍低い高さを有する第3実験例は、第1実験例に対比して青色ピーク波長が維持される一方、赤色と緑色それぞれのピーク波長が減少することを確認することができる。このような第3実験例は、10000Kの色温度を具現するために適用することができる。

本明細書に係る発光表示装置は、以下のように説明することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、非発光部と、第1発光部及び第2発光部を有するサブピクセル領域を含む基板、サブピクセル領域の非発光部に配置された駆動トランジスタ、駆動トランジスタを覆うように基板上に配置されたオーバーコート層、第1発光部と第2発光部それぞれのオーバーコート層上に分離配置され駆動トランジスタに共通に接続した第1アノード電極と第2アノード電極、第1アノード電極と第2アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置された第2電極を含み、サブピクセル領域の第1発光部とサブピクセル領域の第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有することができる。

本明細書のいくつかの例によると、第1発光部と第2発光部は、互いに異なる大きさを有することができる。

本明細書のいくつかの例によると、第1アノード電極の表面形状は、第2アノード電極の表面形状と異なることができる。

本明細書のいくつかの例によると、サブピクセル領域の第1発光部は、サブピクセル領域の第2発光部よりも大きな大きさを有し、オーバーコート層は、第1発光部に配置された凸凹パターン部、及び第2発光部に配置された非パターン部または凹パターン部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、オーバーコート層は、第2発光部に配置された凹パターン部を含み、凸凹パターン部は、複数の凹部を含み、凹パターン部の底面と傾斜面を含み、基板の凹パターン部の底面間の距離は、基板と凹部間の距離よりも近いことができる。

本明細書のいくつかの例によると、サブピクセル領域の第1発光部は、サブピクセル領域の第2発光部よりも大きな大きさを有し、オーバーコート層は、第1発光部と第2発光部それぞれに配置された凸凹パターン部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、第1発光部に配置された凸凹パターン部は、第2発光部に配置された凸凹パターン部と異なる構造を有するか、異なる表面形状を有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、サブピクセル領域の第2発光部に配置されたカラーフィルタをさらに含むか、第2発光部に配置されたカラーフィルタ、及び基板とカラーフィルタ間に配置されたパターン層をさらにを含むことができる。例えば、第2発光部に配置されたカラーフィルタは、青色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタであることができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、単位ピクセル領域を有する基板、および単位ピクセル領域に配置されて赤色サブピクセル、白色サブピクセルは、発光部と非発光部を有し、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルを含み、白色サブピクセルの発光部は、空間的に分離された第1発光部と第2発光部を含み、第1発光部と第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第2発光部は、第1発光部の大きさよりも小さい大きさを有し、第1発光部は、赤色サブピクセルの発光部と青色サブピクセルの発光部および緑色サブピクセルの発光部それぞれの大きさよりも大きい大きさを有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、発光表示装置は、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置された発光素子層をさらに含み、第2発光部に配置された発光素子層の表面形状は、第1発光部に配置された発光素子層の表面形状と異なることができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、発光表示装置は、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置された発光素子層をさらに含み、第1発光部に配置された発光素子層は、凸凹形態の表面形状を有し、第2発光部に配置された発光素子層は、平面形態、凹な形態、第1発光部に配置された発光素子層の凸凹形態と異なった凸凹形態中のいずれか一つの表面形状を有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、発光表示装置は、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置されたオーバーコート層をさらに含み、オーバーコート層は、赤色サブピクセルの発光部、青色サブピクセルの発光部、緑色サブピクセルの発光部、及び第1発光部のそれぞれに配置された凸凹パターン部、及び第2発光部に配置された非パターン部または凹パターン部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、オーバーコート層は、第2発光部に配置された凹パターン部を含み、凸凹パターン部は複数の凹部を含み、凹パターン部は底面と傾斜面を含み、基板の凹パターン部の底面間の距離は、基板と凹部間の距離よりも近いことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、発光表示装置は、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置された凸凹パターン部を有するオーバーコート層をさらに含み、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置された凸凹パターン部は、各々異なる構造を有するか、または各々異なる表面形状を有することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、発光表示装置は、赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルのそれぞれの発光部に配置された凸凹パターン部を有するオーバーコート層をさらに含み、第1発光部に配置された凸凹パターン部は、第2発光部に配置された凸凹パターン部と異なる構造を有するか、異なる表面形状を有することができる。

本明細書のいくつかの例によると、白色サブピクセルは、第2発光部に配置されたカラーフィルタ、または第2発光部に配置されたパターン層とパターン層上に配置されたカラーフィルタをさらに含むことができる。例えば、第2発光部に配置されたカラーフィルタは、青色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタであり得る。

本明細書のいくつかの例によると、凸凹パターン部は、複数の凸部を含み、第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部は、第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部と異なる構造を有することができる。

本明細書のいくつかの例によると、凸凹パターン部は、複数の凸部を含み、第2発光部に配置された凸部の底面の直径は、第1発光部に配置された凸部の底面の直径に対して0.5倍～1.5倍、または第2発光部に配置された凸部の高さは、第1発光部に配置された凸部の高さに対して0.5倍～1.5倍であり得る。

本明細書のいくつかの例によると、凸凹パターン部は、複数の凹部を含み、第2発光部に配置された凹部の個数は、第1発光部に配置された凹部の個数よりも多いか少ないことができる。

以上のような本明細書に係る発光表示装置は、自発光素子を含むすべての電子機器に適用することができる。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、モバイルデバイス、映像電話、スマートウォッチ（smart watch）、ウォッチフォン（watch phone）、ウェアラブル機器（wearable device）、フォルダブル機器（foldable device）、ローラーブル機器（rollable device）、ベンダブル機器（bendable device）、フレキシブルデバイス（flexible device）、カーブ・ド・機器（curved device）、電子手帳、電子ブック、PMP（portable multimedia player）、PDA（personal digital assistant）、MP3プレーヤー、モバイル医療機器、デスクトップPC（desktop PC）、ラップトップPC（laptop PC）、ネットブックコンピュータ（netbook computer）、ワークステーション、（workstation）、ナビゲーション、車両用ナビゲーション、車両用表示装置、テレビ、ウオールペーパー（wall paper）表示装置、サイネージ（signage）機器、ゲーム機器、ノートパソコン、モニター、カメラ、ビデオカメラ、および家電機器などに適用することができる。

上述した本明細書の様々な例で説明した特徴、構造、効果などは、本明細書の少なくとも一つの例に含まれており、必ずしも一つの例のみに限定されるものではない。さらに、本明細書の少なくとも一つの例で例示された特徴、構造、効果などは、本明細書の技術思想が属する分野の通常の知識を有する者によって他の例に対しても組み合わせ、または変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に係る内容は、本明細書の技術の範囲または権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

以上で説明した本明細書は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本明細書の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本明細書の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本明細書の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１０：表示パネル
１２：単位ピクセル
１２ａ：第１サブピクセル
１２ｂ：第２サブピクセル
１２ｃ：第３サブピクセル
１２ｄ：第４サブピクセル
１００：基板
１３５：アイルランドパターン層
１４０：オーバーコート層
１４５：サブピクセル分離部
１４７：凹パターン部
１５０：凸凹パターン部
１５１：凸部
１５３：凹部
１６０：バンクパターン

Claims (21)

1. 非発光部、第1発光部及び第2発光部を有する白色サブピクセル領域を含む基板;
   前記白色サブピクセル領域の前記非発光部に配置された駆動トランジスタ;
   前記駆動トランジスタを覆うように前記基板上に配置されたオーバーコート層；
   前記第1発光部と前記第2発光部それぞれの前記オーバーコート層上に分離配置され、前記駆動トランジスタに共通に接続した第1アノード電極と第2アノード電極;
   前記第1アノード電極と前記第2アノード電極上に配置された自発光素子;および
   前記自発光素子上に配置された第2電極を含み、
   前記第1アノード電極と前記第2アノード電極は、前記白色サブピクセル領域で互いに空間的に分離され、
   前記白色サブピクセル領域の前記第1発光部と前記白色サブピクセル領域の前記第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有し、
   前記基板は、発光部を有する、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルをさらに含み、
   前記第2発光部は、前記第1発光部の大きさよりも小さい大きさを有し、
   前記第1発光部は、前記赤色サブピクセルの発光部、前記青色サブピクセルの発光部及び前記緑色サブピクセルの発光部それぞれの大きさよりも大きい大きさを有する、
   発光表示装置。
2. 前記第1発光部と前記第2発光部は、互いに異なる大きさを有する、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記第1アノード電極の表面形状は、前記第2アノード電極の表面形状と異なる、または、
   前記第1アノード電極は、前記第2アノード電極の大きさよりも大きい大きさを有する、請求項１に記載の発光表示装置。
4. 前記オーバーコート層は、
   前記第1発光部に配置された凸凹パターン部、および
   前記第2発光部に配置された非パターン部または凹パターン部を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
5. 前記オーバーコート層は、前記第2発光部に配置された凹パターン部を含み、
   前記凸凹パターン部は、複数の凹部を含み、
   前記凹パターン部は、底面と傾斜面を含み、
   前記基板と前記凹パターン部の底面間の距離は、前記基板と前記凹部間の距離よりも短い、請求項４に記載の発光表示装置。
6. 前記オーバーコート層は、前記第1発光部と前記第2発光部それぞれに配置された凸凹パターン部を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
7. 前記第1発光部に配置された凸凹パターン部は、前記第2発光部に配置された凸凹パターン部と異なる構造を有するか、または異なる表面形状を有する、請求項６に記載の発光表示装置。
8. 前記白色サブピクセル領域の前記第2発光部に配置されたカラーフィルタをさらに含むか、または前記第2発光部に配置されたカラーフィルタ、及び前記基板と前記カラーフィルタ間に配置されたパターン層をさらに含む、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光表示装置。
9. 前記第2発光部に配置されたカラーフィルタは、青色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタである、請求項８に記載の発光表示装置。
10. 単位ピクセル領域を有する基板、および
    前記単位ピクセル領域に配置された赤色サブピクセル、白色サブピクセル、青色サブピクセル、および緑色サブピクセルを含み、
    前記白色サブピクセルは、発光部と非発光部を有し、
    前記白色サブピクセルの発光部は、前記白色サブピクセルで互いに空間的に分離された第1発光部と第2発光部を含み、
    前記第1発光部は、前記赤色サブピクセルの発光部、前記青色サブピクセルの発光部及び前記緑色サブピクセルの発光部それぞれの大きさよりも大きい大きさを有し、
    前記第2発光部は、前記第1発光部の大きさよりも小さい大きさを有し、
    前記白色サブピクセルの前記第1発光部と前記第2発光部は、互いに異なる光取り出し構造を有する、発光表示装置。
11. 前記赤色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、
    前記発光表示装置は、前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置された発光素子層をさらに含み、
    前記第2発光部に配置された発光素子層の表面形状は、前記第1発光部に配置された発光素子層の表面形状と異なる、請求項１０に記載の発光表示装置。
12. 前記赤色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、
    前記発光表示装置は、前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置された発光素子層をさらに含み、
    前記第1発光部に配置された発光素子層は、凸凹形態の表面形状を有し、
    前記第2発光部に配置された発光素子層は、平面形態、凹な形態、前記第1発光部に配置された発光素子層の凸凹形態と異なる凸凹形態中のいずれか一つの表面形状を有する、請求項１０に記載の発光表示装置。
13. 前記赤色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、
    前記発光表示装置は、前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置されたオーバーコート層をさらに含み、
    前記オーバーコート層は、
    前記赤色サブピクセルの発光部、前記青色サブピクセルの発光部、前記緑色サブピクセルの発光部、及び前記第1発光部それぞれに配置された凸凹パターン部、および、
    前記第2発光部に配置された非パターン部または凹パターン部を含む、請求項１０に記載の発光表示装置。
14. 前記オーバーコート層は、前記第2発光部に配置された凹パターン部を含み、
    前記凸凹パターン部は、複数の凹部を含み、
    前記凹パターン部は、底面と傾斜面を含み、
    前記基板と前記凹パターン部の底面間の距離は、前記基板と前記凹部間の距離よりも短い、請求項１３に記載の発光表示装置。
15. 前記赤色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、
    前記発光表示装置は、前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置された凸凹パターン部を有するオーバーコート層をさらに含み、
    前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置された凸凹パターン部は、各々異なる構造を有するか、または各々異なる表面形状を有する、請求項１０に記載の発光表示装置。
16. 前記赤色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれは、発光部と非発光部を有し、
    前記発光表示装置は、前記赤色サブピクセル、前記白色サブピクセル、前記青色サブピクセル、および前記緑色サブピクセルのそれぞれの前記発光部に配置された凸凹パターン部を有するオーバーコート層をさらに含み、
    前記第1発光部に配置された凸凹パターン部は、前記第2発光部に配置された凸凹パターン部と異なる構造を有するか、または異なる表面形状を有する、請求項１０に記載の発光表示装置。
17. 前記白色サブピクセルは、
    前記第2発光部に配置されたカラーフィルタ、または
    前記第2発光部に配置されたパターン層と前記パターン層上に配置されたカラーフィルタをさらに含む、請求項１０から請求項１６のいずれか一項に記載の発光表示装置。
18. 前記第2発光部に配置されたカラーフィルタは、青色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタである、請求項１７に記載の発光表示装置。
19. 前記凸凹パターン部は、複数の凸部を含み、
    前記第1発光部に配置された凸凹パターン部の凸部は、前記第2発光部に配置された凸凹パターン部の凸部と異なる構造を有する、請求項６または請求項１６に記載の発光表示装置。
20. 前記凸凹パターン部は、複数の凸部を含み、
    前記第2発光部に配置された凸部の底面の直径は、前記第1発光部に配置された凸部の底面の直径に対して0.5倍～1.5倍、または
    前記第2発光部に配置された凸部の高さは、前記第1発光部に配置された凸部の高さに対して0.5倍～1.5倍である、請求項６または請求項１６に記載の発光表示装置。
21. 前記凸凹パターン部は、複数の凹部を含み、
    前記第2発光部に配置された凹部の個数は、前記第1発光部に配置された凹部の個数よりも多いか少ない、請求項６または請求項１６に記載の発光表示装置。

Images