KR20230139905A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230139905A
KR20230139905A KR1020220037466A KR20220037466A KR20230139905A KR 20230139905 A KR20230139905 A KR 20230139905A KR 1020220037466 A KR1020220037466 A KR 1020220037466A KR 20220037466 A KR20220037466 A KR 20220037466A KR 20230139905 A KR20230139905 A KR 20230139905A
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light
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문지욱
양병춘
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배열된 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소에 각각 대응되는 복수의 발광부, 및 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소 간의 경계에 대응한 격벽부를 포함한다. 상기 복수의 서브 화소는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소, 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소, 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소, 및 상기 제1 색상, 상기 제2 색상 및 상기 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소를 포함한다. 상기 복수의 서브 화소 각각의 발광부는 발광소자와, 상기 발광소자를 덮는 광조절층을 포함하고, 상기 격벽부로 둘러싸인다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다.
표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 발광 표시 장치(Light Emitting Display) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다.
발광 표시 장치는 광을 방출하는 발광소자에 따라, 유기 발광 다이오드 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 무기 반도체 소자를 포함하는 무기 발광 표시 장치, 및 초소형 발광 다이오드 소자(또는 마이크로 발광 다이오드 소자, micro light emitting diode element)를 포함하는 초소형 발광 다이오드 표시 장치 등을 통칭할 수 있다.
한편, 표시 장치는 상호 인접한 둘 이상의 서브화소에서 각각 방출되는 서로 다른 색상의 광의 혼색을 통해 백색을 비롯한 각종 색상을 표시할 수 있다.
그런데, 백색에 대응되는 둘 이상의 서브화소가 모두 구동되어야만 백색을 표시할 수 있으므로, 전력소비 절감에 한계가 있는 문제점이 있다.
또한, 둘 이상의 서브화소에서 각각 방출되는 서로 다른 색상의 광의 혼색으로 마련되는 백색광은 둘 이상의 서브화소에 대응되지 않는 파장 대역의 광을 포함하지 않으므로, 태양광과 유사해지기 어려운 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 백색 표시에 필요한 전력소비를 절감할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 태양광과 유사한 백색광을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제 해결을 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배열된 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소에 각각 대응되는 복수의 발광부, 및 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소 간의 경계에 대응한 격벽부를 포함한다. 상기 복수의 서브 화소는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소, 상기 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소, 상기 제1 색상 및 상기 제2 색상과 상이한 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소, 및 상기 제1 색상, 상기 제2 색상 및 상기 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소를 포함한다. 상기 복수의 서브 화소 각각의 발광부는 발광소자와, 상기 발광소자를 덮는 광조절층을 포함하고, 상기 격벽부로 둘러싸인다.
상기 복수의 발광부는 상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부, 상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부, 상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부, 및 상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함한다. 상기 제1 발광부는 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광소자를 포함하고, 상기 제2 발광부는 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광소자를 포함하며, 상기 제3 발광부는 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자를 포함하고, 상기 제4 발광부는 상기 제3 발광소자를 포함할 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제5 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며, 상기 제5 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환한다.
상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체와 함께 분산된 제1 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환한다.
상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택되고, 상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체 및 상기 제1 색상의 형광체와 함께 분산된 제2 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환한다.
상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Sr, Ba, Mg)SiO4:Eu2+ 및 (Sr, Ba, Mg)SiO2N2:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택되고, 상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+, K2SiF6:Mn4+, Na2SiF6:Mn4+, KNaSiF6:Mn4+, K2GeF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2··2:Mn4+, Sr(Li2Al2O2N2):Eu2+, (Sr, Ba)2Si5N8:Eu2+, BaMgAl10O17:Mn4+, Mg2+, CaS:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbI3 (Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택되며, 상기 제2 색상의 형광체는 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+, Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, Gamma AlON:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbBr3 (QDs)(Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체, 상기 제1 색상의 형광체 및 상기 제2 색상의 형광체와 함께 분산된 제6 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제6 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제5 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되고, 상기 제6 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제6 색상의 광으로 변환한다.
상기 제6 색상의 형광체는 Alpha-SiAlON 또는 Sr3SiO5:Eu2+으로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제1 색상의 형광체 및 제2 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하며, 상기 제2 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환한다.
상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택되고, 상기 제2 색상의 형광체는 Lu3Al5O12:Ce3+ 또는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce3+으로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제1 색상의 형광체 및 상기 제2 색상의 형광체와 함께 분산된 제7 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제7 색상은 상기 제2 색상의 파장 대역과 상기 제3 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며, 상기 제7 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제7 색상의 광으로 변환한다.
상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ 또는 K2SiF6:Mn4+으로 선택되고, 상기 제2 색상의 형광체는 Lu3Al5O12:Ce3+ 또는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce3+으로 선택되며, 상기 제7 색상의 형광체는 (Ba, Mg)Si2O2N2:Eu2+ 또는 (Ba, Mg)3Si6O3N8:Eu2+으로 선택될 수 있다.
상기 복수의 발광부는 상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부, 상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부, 상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부, 및 상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함한다. 상기 제1 발광부, 상기 제2 발광부, 상기 제3 발광부 및 상기 제4 발광부 각각의 상기 발광소자는 상기 제3 색상의 광을 방출할 수 있다. 상기 제1 발광부는 상기 제1 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광부는 상기 제2 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제4 발광부는 상기 제4 발광부의 광조절층에 분산되는 제5 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되고, 상기 제5 색상의 형광체는 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환한다.
상기 복수의 발광부는 상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부, 상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부, 상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부, 및 상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함한다. 상기 제1 발광부, 상기 제2 발광부, 상기 제3 발광부 및 상기 제4 발광부 각각의 상기 발광소자는 상기 제3 색상의 파장 대역보다 낮은 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 상기 제1 발광부는 상기 제1 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광부는 상기 제2 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 발광부는 상기 제3 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제3 색상의 광으로 변환하는 제3 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제4 발광부는 상기 제4 발광부의 광조절층에 분산되는 상기 제1 색상의 형광체, 상기 제2 색상의 형광체 및 상기 제3 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 색상의 형광체는 Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, K2(Si, Ge, Ti)SiF6:Mn4+ 및 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택되고, 상기 제2 색상의 형광체는 Beta-SiAlON:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, BaAlMg10O17:Eu2+, Mn2+ , (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+ 및 (Lu,Y)3(Al, Ga)5O12:Ce3+ 중 적어도 하나로 선택되며, 상기 제3 색상의 형광체는 BaAlMg10O17:Eu2+으로 선택될 수 있다.
상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제5 색상의 형광체 및 제6 색상의 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며, 상기 제5 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환할 수 있다. 상기 제6 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제5 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며, 상기 제6 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제6 색상의 광으로 변환할 수 있다. 상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택되며, 상기 제6 색상의 형광체는 Alpha-SiAlON 또는 Sr3SiO5:Eu2+으로 선택될 수 있다.
상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는 일 방향에서 한 개의 제1 서브 화소, 한 개의 제4 서브 화소, 한 개의 제3 서브 화소 및 한 개의 제4 서브 화소가 상호 나란하게 반복 배열되는 제1 화소열과, 상기 일 방향에 교차하는 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열과 교번하고, 상기 일 방향에서 한 개의 제2 서브 화소 및 한 개의 제4 서브 화소가 상호 나란하게 반복 배열되는 제2 화소열을 포함할 수 있다. 상기 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제1 화소열의 제3 서브 화소 각각은 상기 제2 화소열의 제4 서브 화소와 이웃할 수 있다. 상기 다른 일 방향에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소는 상기 제1 화소열의 제4 서브 화소와 이웃할 수 있다.
상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각의 양측은 상기 제4 서브 화소와 이웃할 수 있다.
상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 여덟 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련될 수 있다. 상기 복수의 화소 각각은 상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제3 서브 화소와 두 개의 제4 서브 화소, 및 상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 두 개의 제2 서브 화소와 두 개의 제4 서브 화소로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는 일 방향에서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제1 화소열과, 상기 일 방향에서 상기 제2 서브 화소와 상기 제3 서브 화소가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제2 화소열과, 상기 일 방향에서 상기 제4 서브 화소가 나란하게 배열되는 제3 화소열을 포함할 수 있다. 상기 일 방향에 교차하는 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열과 상기 제2 화소열은 상호 이웃할 수 있다. 상기 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소는 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소와 이웃하고 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소는 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소와 이웃할 수 있다. 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 화소열은 상기 제1 화소열의 일측과 상기 제2 화소열의 다른 일측 사이에 배치될 수 있다.
상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열 중 한 개의 제2 서브 화소 및 한 개의 제3 서브 화소와 이웃하며, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열 중 한 개의 제1 서브 화소 및 한 개의 제2 서브 화소와 이웃할 수 있다. 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 일 방향에서 소정의 제1 너비로 이루어질 수 있다. 상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비의 두 배보다 큰 제2 너비로 이루어질 수 있다.
상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 소정의 제3 너비로 이루어질 수 있다. 상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비보다 작은 제4 너비로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 다섯 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련될 수 있다. 상기 복수의 화소 각각은 상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 및 상기 제3 화소열 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어질 수 있다.
상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃할 수 있다. 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상호 동일한 너비로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 여섯 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련될 수 있다. 상기 복수의 화소 각각은 상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 및 상기 제3 화소열 중 두 개의 제4 서브 화소로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는 상기 다른 일 방향에서 상기 제4 서브 화소가 나란하게 배열되는 교차열을 더 포함할 수 있다. 상기 교차열 중 상기 제1 화소열 및 상기 제2 화소열에 대응되는 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 적어도 하나와 이웃하고, 상기 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 적어도 하나와 이웃할 수 있다. 상기 교차열 중 상기 제3 화소열에 대응되는 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제3 화소열의 제4 서브 화소와 이웃할 수 있다.
상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향 및 상기 다른 일 방향에 교차하는 제1 대각 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 사이에 배치되고, 상기 제1 대각 방향에 수직한 제2 대각 방향에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 사이에 배치될 수 있다.
상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소와 이웃할 수 있다. 상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 화소열 및 상기 제2 화소열과 이웃할 수 있다. 상기 교차열 중 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제3 화소열과 이웃할 수 있다. 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 일 방향에서 소정의 제1 너비로 이루어질 수 있다. 상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비의 두 배보다 큰 제2 너비로 이루어질 수 있다. 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 다른 일 방향에서 소정의 제3 너비로 이루어질 수 있다. 상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 제3 너비의 두 배보다 큰 제4 너비로 이루어질 수 있다.
상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비로 이루어지고 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비로 이루어질 수 있다.
상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비보다 작은 제5 너비로 이루어질 수 있다. 상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비보다 작은 제6 너비로 이루어질 수 있다. 상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제6 너비로 이루어지고 상기 다른 일 방향에서 상기 제5 너비로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 일곱 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련될 수 있다. 상기 복수의 화소 각각은 상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제3 화소열 중 한 개의 제4 서브 화소, 상기 교차열의 일부 중 한 개의 제4 서브 화소, 및 상기 교차열의 다른 일부 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어질 수 있다.
상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃할 수 있다. 상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃할 수 있다. 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소는 상기 일 방향 및 상기 다른 일 방향 각각에서 상호 동일한 너비로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 아홉 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련될 수 있다. 상기 복수의 화소 각각은 상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 상기 제3 화소열 중 두 개의 제4 서브 화소, 상기 교차열의 일부 중 두 개의 제4 서브 화소, 및 상기 교차열의 다른 일부 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어질 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역에 배열된 복수의 서브 화소를 포함하고, 복수의 서브 화소는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소, 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소, 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소 및 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소를 포함한다. 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상은 서로 상이하며, 제4 색상은 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진다. 복수의 서브 화소 각각의 발광부는 발광소자와 발광소자를 덮는 광조절층을 포함한다.
이러한 표시 장치는 제4 서브 화소를 포함함에 따라, 제4 색상의 표시를 위해 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소가 모두 구동될 필요가 없다. 그러므로, 제4 색상의 표시에 소모되는 전력소비가 절감될 수 있다.
그리고, 일 실시예에 따르면, 제4 색상은 제4 서브 화소의 발광부에서 표시되므로, 제4 색상의 광은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소에 의한 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 혼색으로 한정되지 않는다. 이로써, 제4 서브 화소의 발광부에 따라, 제4 색상의 광이 태양광과 유사해질 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 영역을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A 부분에 대한 제1 예시를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 어느 하나의 서브화소를 보여주는 회로도이다.
도 5는 제1 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 어느 하나의 발광소자를 상세히 보여주는 단면도이다.
도 7은 제2 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 제3 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 9는 제4 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 10은 제5 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 제6 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 12는 제7 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 13은 제8 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 14는 제9 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 2의 A 부분에 대한 제2 예시를 보여주는 평면도이다.
도 16은 도 2의 A 부분에 대한 제3 예시를 보여주는 평면도이다.
도 17은 도 2의 A 부분에 대한 제4 예시를 보여주는 평면도이다.
도 18은 도 2의 A 부분에 대한 제5 예시를 보여주는 평면도이다.
도 19는 도 2의 A 부분에 대한 제6 예시를 보여주는 평면도이다.
도 20은 도 2의 A 부분에 대한 제7 예시를 보여주는 평면도이다.
도 21은 도 2의 A 부분에 대한 제8 예시를 보여주는 평면도이다.
도 22는 도 2의 A 부분에 대한 제9 예시를 보여주는 평면도이다.
도 23은 도 2의 A 부분에 대한 제10 예시를 보여주는 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다. 도 2는 도 1의 표시 영역을 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 및 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
표시 장치(100)는 평판 형태로 이루어질 수 있고, 표시 장치(100) 중 적어도 일면은 영상이 표시되는 표시면이 될 수 있다.
표시 장치(100)의 표시면은 영상 표시를 위한 광을 방출하는 표시 영역(DA)과, 표시 영역의 주변인 비표시영역(NDA)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 사각형 등의 다각형 또는 원형 등의 평면으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 표시영역(DA)은 제1 방향(DR1)의 단변과 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 이루어질 수 있다.
직사각형 형태의 표시 영역(DA)에 있어서, 제1 방향(DR1)의 단변과 제2 방향(DR2)의 장변 간의 접점은 직각 형태의 모서리를 이룰 수 있다. 또는, 제1 방향(DR1)의 단변과 제2 방향(DR2)의 장변 간의 접점은 소정 곡률의 곡선 형태의 모서리를 이룰 수 있다.
표시 영역(DA)은 표시 장치(100)의 발광면 중 중앙의 대부분에 해당되고, 비표시영역(NDA)으로 둘러싸일 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 장치(100)의 발광면 중 가장자리에 해당될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 가장자리 중 제2 방향(DR2)의 양측에 각각 인접한 제1 패드영역(PDA1)과 제2 패드영역(PDA2)을 포함할 수 있다.
제1 패드영역(PDA1) 및 제2 패드영역(PDA2) 각각에는 표시패널(100)의 구동을 위한 신호 또는 전압을 공급하는 외부의 회로보드(미도시)가 접속되는 복수의 신호패드(PD)가 배치될 수 있다.
다만, 도 1의 도시는 단지 예시일 뿐이며, 비표시 영역(NDA)은 제1 패드영역(PDA1)과 제2 패드영역(PDA2) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 화소(PX)가 마련될 수 있다.
후술하는 바와 같이, 복수의 화소(PX)는 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 상호 이웃하고 서로 다른 색상의 광을 방출하는 넷 이상의 서브 화소로 각각 이루어질 수 있다.
도 3은 도 2의 A 부분에 대한 제1 예시를 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 어느 하나의 서브화소를 보여주는 회로도이다.
도 3을 참조하면, 제1 예시(A1)에 따른 표시 장치의 표시 영역(DA)에는 복수의 서브 화소(SPX)가 복수의 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
복수의 서브 화소(SPX)는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소(SP1), 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소(SP2), 제1 색상 및 제2 색상과 상이한 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소(SP3), 및 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소(SP4)를 포함한다.
일 예로, 제1 색상은 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역에 의한 적색이고, 제2 색상은 제1 색상보다 낮은 파장 대역, 즉 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역에 의한 녹색일 수 있다. 제3 색상은 제2 색상보다 낮은 파장 대역, 즉 대략 420㎚ 내지 450㎚의 파장 대역에 의한 청색일 수 있다.
그리고, 제4 색상은 광의 파장 대역 중 서로 상이한 둘 이상의 파장 대역의 혼합에 대응되는 백색일 수 있다.
즉, 제4 색상의 파장 대역 중 최소값은 제3 색상의 파장 대역의 최소값에 인접하고, 제4 색상의 파장 대역 중 최대값은 제1 색상의 파장 대역의 최대값에 인접할 수 있다. 달리 설명하면, 제4 색상의 파장 대역은 420㎚ 내지 750㎚의 파장 대역 중 서로 다른 일부로 선택된 둘 이상의 메인 피크 파장들을 포함할 수 있다.
다만, 제1 색상, 제2 색상, 제3 색상 및 제4 색상 각각의 파장 대역에 대한 설명은 단지 예시일 뿐이며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.
제1 예시(A1)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제2 방향(DR2)에서 상호 교번하는 제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11)과 제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12)을 포함할 수 있다.
제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11)에서는 한 개의 제1 서브 화소(SP1), 한 개의 제4 서브 화소(SP4), 한 개의 제3 서브 화소(SP3) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 제1 방향(DR1)에서 상호 나란하게 반복 배열된다.
제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12)에서는 한 개의 제2 서브 화소(SP2) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 제1 방향(DR1)에서 상호 나란하게 반복 배열된다.
여기서, 제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제2 방향(DR2)에서 제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12)의 제2 서브 화소(SP2)는 제2 방향(DR2)에서 제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
즉, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에서 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각의 양측은 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
그리고, 제1 예시(A1)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)에 의해, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에서 상호 이웃한 여덟 개의 서브 화소(SPX)로 각각 이루어진 복수의 화소(PX_E1)가 마련될 수 있다.
즉, 복수의 화소(PX_E1) 각각은 제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11) 중 제1 방향(DR1)으로 이웃한 한 개의 제1 서브 화소(SP1)와 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4), 및 제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12) 중 제1 방향(DR1)으로 이웃한 두 개의 제2 서브 화소(SP2)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4)로 이루어질 수 있다.
한편, 이상에서는 제1 예시(A1)에 대해 제1 방향(DR1)의 제1 화소열(PXL11)과 제1 방향(DR1)의 제2 화소열(PXL12)로 설명하였다. 그런데, 제1 예시(A1)에 따르면, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에서 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각의 양측은 제4 서브 화소(SP4)와 이웃하므로, 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)이 아닌 제2 방향(DR2)에서의 제1 화소열(PXL21)과 제2 화소열(PXL22)로도 설명될 수 있다.
즉, 제1 예시(A1)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)에서 상호 교번하는 제2 방향(DR2)의 제1 화소열(PXL21)과 제2 방향(DR2)의 제2 화소열(PXL22)을 포함할 수 있다.
제2 방향(DR2)의 제1 화소열(PXL21)에서는 한 개의 제1 서브 화소(SP1), 한 개의 제4 서브 화소(SP4), 한 개의 제3 서브 화소(SP3) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 제2 방향(DR2)에서 상호 나란하게 반복 배열된다.
제2 방향(DR2)의 제2 화소열(PXL22)에서는 한 개의 제2 서브 화소(SP2) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 제2 방향(DR2)에서 상호 나란하게 반복 배열된다.
제2 방향(DR2)의 제1 화소열(PXL21)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제1 방향(DR1)에서 제2 방향(DR2)의 제2 화소열(PXL22)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
제2 방향(DR2)의 제2 화소열(PXL22)의 제2 서브 화소(SP2)는 제1 방향(DR1)에서 제2 방향(DR2)의 제1 화소열(PXL21)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
여기서, 복수의 화소(PX_E2) 각각은 제2 방향(DR2)의 제1 화소열(PXL21) 중 제2 방향(DR2)으로 이웃한 한 개의 제1 서브 화소(SP1)와 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4), 및 제2 방향(DR2)의 제2 화소열(PXL22) 중 제2 방향(DR2)으로 이웃한 두 개의 제2 서브 화소(SP2)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4)로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 제1 예시(A1)에 따르면, 복수의 화소(PX_E1)(PX_E2) 각각은 한 개의 제1 서브 화소(SP1)에서 방출된 제1 색상의 광, 두 개의 제2 서브 화소(SP2)에서 방출된 제2 색상의 광 및 한 개의 제3 서브 화소(SP3)에서 방출된 제3 색상의 광을 이용하여 색상을 표시할 수 있다.
그리고, 복수의 화소(PX_E1)(PX_E2) 각각은 한 개의 제1 서브 화소(SP1), 두 개의 제2 서브 화소(SP2) 및 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 이웃한 네 개의 제4 서브 화소(SP4)에 의해 제4 색상의 광을 표시할 수 있다.
달리 설명하면, 복수의 화소(PX_E1)(PX_E2) 각각은 제1 색상의 광, 제2 색상의 광 및 제3 색상의 광의 혼색으로 제4 색상의 광을 표시하지 않는 것이 아니라, 네 개의 제4 서브 화소(SP4) 중 적어도 하나로 제4 색상의 광을 표시한다. 즉, 복수의 화소(PX_E1)(PX_E2) 각각은 제4 색상의 광을 표시하기 위해 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 모두를 구동할 필요가 없다.
또한, 복수의 화소(PX_E1)(PX_E2) 각각은 네 개의 제4 서브 화소(SP4)를 선택적으로 개별 구동함으로써, 더욱 다분화된 계조로 제4 색상의 광을 표시할 수 있다.
그러므로, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제4 색상의 광을 표시하는 데에 필요한 전력소비를 절감할 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소(SPX)를 개별적으로 구동하기 위해, 복수의 서브 화소(SPX) 각각의 화소 구동부(도 4의 PDU)를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 발광소자(LE)와, 그에 구동전류를 공급하는 화소 구동부(PDU)를 포함할 수 있다.
화소 구동부(PDU)는 데이터의 기입 여부를 선택하기 위한 스캔 신호를 공급하는 스캔 배선(SL), 데이터 신호를 공급하는 데이터 배선(DL), 발광소자(LE)의 구동을 위한 제1 전원(VDD)을 공급하는 전원 배선(PL)에 연결되고, 적어도 하나의 박막트랜지스터(T1, T2)를 포함할 수 있다.
일 예로, 화소 구동부(PDU)는 발광소자(LE)와 연결된 제1 박막트랜지스터(T1), 및 제1 박막트랜지스터(T1)와 연결된 제2 박막트랜지스터(T2)와 스토리지 커패시터(CST)를 포함할 수 있다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 제1 구동전원(VDD)을 공급하는 전원 배선(PL)과 제1 구동전원(VDD)보다 낮은 전압레벨의 제2 구동전원(VSS)을 공급하는 공통 배선(CL) 사이에 발광소자(LE)와 직렬로 연결된다.
즉, 제1 박막트랜지스터(T1)의 제1 전극은 전원 배선(PL)에 연결되고, 제1 박막트랜지스터(T1)의 제2 전극은 발광소자(LE)의 애노드전극에 연결될 수 있다.
그리고, 발광소자(LE)의 캐소드전극은 공통 배선(CL)에 연결될 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 제1 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과, 각 서브 화소(SPX)에 대응한 데이터신호를 공급하는 데이터라인(DL) 사이에 연결된다. 그리고, 제2 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극은 데이터신호의 기입 여부를 선택하기 위한 스캔신호를 공급하는 스캔라인(SL)에 연결된다.
스토리지 커패시터(CST)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결된다. 제1 노드(N1)는 제1 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 제2 박막트랜지스터(T2) 사이의 접점이고, 제2 노드(N2)는 제1 박막트랜지스터(T1)와 전원 배선(PL) 사이의 접점이다. 즉, 스토리지 커패시터(CST)는 제1 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 제1 전극 사이에 연결된다.
제2 박막트랜지스터(T2)가 스캔라인(SL)의 스캔신호에 기초하여 턴온되면, 턴온된 제2 박막트랜지스터(T2)를 통해 데이터라인(DL)의 데이터신호가 제1 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극 및 스토리지 커패시터(CST)로 공급된다. 이에, 제1 박막트랜지스터(T1)는 데이터신호에 기초하여 턴온되며, 턴온된 제1 박막트랜지스터(T1)를 통해 데이터신호에 대응한 구동전류가 발광소자(LE)에 공급된다. 그리고, 제1 박막트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(CST)에 충진된 전압에 기초하여 턴온 상태를 유지할 수 있다.
도 5는 제1 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6은 도 5에 도시된 어느 하나의 발광소자를 상세히 보여주는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소(SPX)가 배열된 표시 영역(도 1, 도 2의 DA)을 포함하는 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치되고 복수의 서브 화소(SPX)에 각각 대응되는 복수의 발광부(EP), 및 기판(SUB) 상에 배치되고 복수의 서브 화소(SPX) 간의 경계에 대응한 격벽부(PWL)를 포함한다.
복수의 서브 화소(SPX) 각각의 발광부(EP)는 발광소자(LE)와, 발광소자(LE)를 덮는 광조절층(LCL)을 포함하고, 격벽부(PWL)로 둘러싸인다.
그리고, 앞서 기재한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 복수의 서브 화소(SPX)는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소(SP1), 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소(SP2), 제1 색상 및 제2 색상과 상이한 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소(SP3), 및 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소(SP4)를 포함한다.
이에, 복수의 발광부(EP)는 제1 서브 화소(SP1)에 대응되고 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부(EP1), 제2 서브 화소(SP2)에 대응되고 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부(EP2), 제3 서브 화소(SP3)에 대응되고 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부(EP3) 및 제4 서브 화소(SP4)에 대응되고 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부(EP4a)를 포함할 수 있다.
여기서, 제2 색상이 제1 색상보다 낮은 파장 대역이고, 제3 색상이 제2 색상보다 낮은 파장 대역일 수 있으며, 이 경우, 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상은 각각 적색, 녹색 및 청색일 수 있다. 그리고, 제4 색상은 적색, 녹색 및 청색보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 백색일 수 있다.
기판(SUB)은 강성(rigid)의 평판 형태로 마련될 수 있다. 또는, 기판(SUB)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등의 변형이 용이한 연성(flexible)의 평판 형태로 마련될 수도 있다.
그리고, 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(SUB) 상에 배치되고 복수의 서브 화소(SPX) 각각의 화소 구동부(도 4의 PDU)를 포함하는 트랜지스터 어레이층(TFTL)을 더 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 고분자 수지의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
또는, 기판(SUB)은 금속 재료로 이루어질 수도 있다.
기판(SUB)은 그 위에 배치된 트랜지스터 어레이(TFTL), 복수의 발광부(EP) 및 격벽부(PWL) 등을 지지한다.
여기서, 화소 구동부(PDU)는 발광소자(LE)와 연결되는 제1 박막트랜지스터(T1), 및 제1 박막트랜지스터(T1)과 데이터 배선(도 4의 DL) 사이에 연결되는 제2 박막트랜지스터(도 4의 T2)를 포함할 수 있다.
별도로 도시되지 않았으나, 제1 박막트랜지스터(T1)는 반도체 물질로 이루어진 액티브층(미도시)과, 액티브층의 채널 영역에 중첩되는 게이트전극(미도시)을 포함할 수 있다.
액티브층은 채널 영역의 양측에 접하는 소스 영역과 드레인 영역을 더 포함한다. 액티브층의 소스 영역과 드레인 영역 중 어느 하나는 전원 배선(도 4의 PL)에 연결되고, 다른 나머지 하나는 제1 콘택홀(CT1) 등을 통해 화소 전극(PE)에 연결될 수 있다.
별도로 도시되지 않았으나, 트랜지스터 어레이층(TFTL)은 화소 구동부(PDU)에 연결되는 스캔 배선(도 4의 SL), 데이터 배선(도 4의 DL) 및 전원 배선(도 4의 PL)과, 발광소자(LE)에 연결되는 공통 배선(CL)을 더 포함할 수 있다.
공통 배선(CL)은 소정의 절연막(미도시)에 의해 제1 박막트랜지스터(T1)과 다른 층에 배치되거나, 제1 박막트랜지스터(T1)으로부터 이격됨으로써, 제1 박막트랜지스터(T1)와 절연될 수 있다.
트랜지스터 어레이층(TFTL)은 화소 구동부(PDU)를 이루는 적어도 하나의 박막트랜지스터(T1), 및 공통 배선(CL) 등과 같은 각종 배선들(SL, DL, PL, CL)을 덮는 오버코트층(OCL)을 더 포함할 수 있다.
오버코트층(OCL)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 중 어느 하나의 유기절연재료로 이루어질 수 있다. 또는 오버코트층(OCL)은 무기절연재료를 더 포함하여 다중층으로 이루어질 수 있다.
또한, 트랜지스터 어레이층(TFTL)은 오버코트층(OCL) 상에 배치되고 복수의 서브 화소(SPX) 각각에 대응하며 상호 이격된 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)을 더 포함할 수 있다.
화소전극(PE) 및 공통전극(CE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
화소 전극(PE)은 오버코트층(OCL)을 관통하는 제1 콘택홀(CT1)을 통해 제1 박막트랜지스터(T1)에 연결될 수 있다.
공통 전극(CE)은 오버코트층(OCL)을 관통하는 제2 콘택홀(CT2)을 통해 공통 배선(CL)에 연결될 수 있다.
공통 전극(CE)의 일부는 격벽부(PWL)에 중첩될 수 있다.
복수의 서브 화소(SPX) 각각의 발광부(EP)는 트랜지스터 어레이층(TFTL) 상에 배치될 수 있다.
복수의 발광부(EP) 각각의 발광소자(LE)는 트랜지스터 어레이층(TFTL)의 화소 전극(PE) 상에 배치될 수 있다.
일 예로, 도 6의 도시와 같이, 발광소자(LE)는 수직형일 수 있다. 즉, 발광소자(LE)는 상호 대향하는 제1 발광전극(EE1)과 제2 발광전극(EE2)을 포함할 수 있다.
발광소자(LE)는 제1 발광전극(EE1)과 제2 발광전극(EE2) 사이에 배치되는 제1 반도체층(SEL1), 활성층(MQW) 및 제2 반도체층(SEL2)을 더 포함할 수 있다.
제1 반도체층(SEL1)은 제1 발광전극(EE1) 상에 배치되고 p-형 도펀트로 도핑된 p-GaN 반도체로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1 반도체층(SEL1)은 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등의 p-형 도펀트를 포함할 수 있다.
발광소자(LE)는 제1 반도체층(SEL1)과 활성층(MQW) 사이에 배치되는 전자저지층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 전자저지층은 p-형 도펀트로 도핑된 p-AlGaN으로 이루어질 수 있다. 전자저지층에 의해, 활성층(MQW)에서 제1 반도체층(SEL1)으로의 전자 이동이 방지될 수 있다.
활성층(MQW)은 구동전류에 따라 제1 반도체층(SEL1)과 제2 반도체층(SEL2)으로부터 각각 공급되는 정공과 전자의 결합으로 전자-정공 쌍이 생성되면서, 광자(Photon)의 형태로 에너지를 방출시킨다.
활성층(MQW)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 이루어질 수 있다.
일 예로, 활성층(MQW)은 우물층(well layer)과 배리어층(barrier layer)이 교번하여 적층된 다중 양자 우물 구조로 이루어질 수 있다. 여기서, 우물층은 InGaN으로 이루어질 수 있다. 그리고, 배리어층은 GaN 또는 AlGaN으로 이루어질 수 있다. 우물층은 대략 1㎚~4㎚의 두께이고, 배리어층은 대략 3㎚~10㎚ 두께로 이루어질 수 있다. 다만 이는 단지 예시일 뿐이며, 발광소자(LE)의 활성층(MQW)의 재료 및 구조는 다양하게 변경될 수 있다.
즉, 다른 일 예로, 활성층(MQW)은 밴드갭에너지(Band Gap Energy)가 큰 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질이 상호 교번하여 적층된 구조로 이루어질 수 있다.
또 다른 일 예로, 활성층(MQW)은 발광소자(LE)의 타겟 색상의 파장영역에 대응한 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수 있다.
발광소자(LE)는 활성층(MQW)과 제2 반도체층(SEL2) 사이에 배치되고 활성층(MQW)과 제2 반도체층(SEL2) 간의 응력 차이를 완화시키기 위한 초격자층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 초격자층은 InGaN 또는 GaN로 이루어질 수 있다.
제2 반도체층(SEL2)은 제2 발광전극(EE2) 아래에 배치되고 n-형 도펀트로 도핑된 n-GaN 반도체로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제2 반도체층(SEL2)은 Si, Ge, Sn 등의 n-형 도펀트를 포함할 수 있다.
도 5의 도시와 같이, 수직형 발광소자(LE)의 제1 발광전극(도 6의 EE1)은 화소 전극(PE) 상에 도전성 점착 재료(미도시)로 고정됨으로써, 화소 전극(PE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 수직형 발광소자(LE)의 제2 발광전극(도 6의 EE2)은 별도의 본딩 와이어(BW)를 통해 공통 전극(CE)과 연결될 수 있다.
다만, 이는 단지 예시일 뿐이며, 제1 실시예의 발광소자(LE)는 도 6에 도시된 수직형으로 한정되지 않는다.
다른 일 예로, 별도로 도시되지 않았으나, 발광소자(LE)는 화소전극(PE)에 대향하는 면에 상호 이격되어 배치된 제1 발광전극과 제2 발광전극을 포함하는 수평형(Lateral type)일 수 있다. 수평형 발광소자에서, 제1 도전형의 제1 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 제2 반도체층이 순차 적층되고, 제1 발광전극은 제2 반도체층의 일부 및 그에 이어진 활성층의 일부를 제거하여 노출된 제1 반도체층 상에 배치되며, 제2 발광전극은 제2 반도체층의 다른 일부 상에 배치될 수 있다. 이러한 수평형 발광소자에 있어서, 제1 발광전극과 제2 발광전극은 각각의 본딩와이어를 통해 화소전극(PE) 및 공통전극(CE)에 각각 연결될 수 있다.
또 다른 일 예로, 별도로 도시되지 않았으나, 발광소자(LE)는 화소전극(PE)에 마주하는 면에 상호 이격되어 배치된 제1 발광전극과 제2 발광전극을 포함하는 플립형(Flip type)일 수 있다. 이러한 플립형 발광소자에 있어서, 제1 발광전극과 제2 발광전극은 각각에 마주하는 화소전극(PE)과 공통전극(CE) 상에 각각 배치됨으로써, 화소전극(PE)과 공통전극(CE)에 각각 연결될 수 있다.
도 5의 도시와 같이, 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(SUB) 상에 배치되는 복수의 발광부(EP)와, 복수의 발광부(EP) 주변을 둘러싸도록 배치되는 격벽부(PWL)를 포함한다.
격벽부(PWL)는 광을 흡수하는 재료 또는 광을 반사하는 재료를 포함할 수 있다.
이러한 격벽부(PWL)에 의해 복수의 발광부(EP)가 복수의 서브 화소(SPX)에 각각 대응될 수 있고, 각각의 광을 방출할 수 있다.
복수의 서브 화소(SPX)에 각각 대응한 복수의 발광부(EP)는 제1 서브 화소(SP1)에 대응하고 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부(EP1), 제2 서브 화소(SP2)에 대응하고 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부(EP2), 제3 서브 화소(SP3)에 대응하고 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부(EP3) 및 제4 서브 화소(SP4)에 대응하고 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부(EP4a)를 포함한다.
복수의 발광부(EP) 각각은 기판(SUB) 상에 실장되고 광을 방출하는 발광소자(LE), 및 발광소자(LE)를 덮고 발광소자(LE)의 광을 조절하는 광조절층(LCL)을 포함한다.
그리고, 복수의 발광부(EP) 각각은 격벽부(PWL)로 둘러싸인다. 즉, 복수의 발광부(EP) 각각의 광조절층(LCL)은 격벽부(PWL)로 둘러싸인다.
광조절층(LCL)은 발광소자(LE)의 광을 가이드하여 각 서브 화소(SPX)에 대응되는 형태로 변경시킬 수 있다. 광조절층(LCL)은 자외선 또는 열에 의해 경화되고 투광성을 갖는 유기물질로 이루어진 베이스 수지를 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
광조절층(LCL)은 베이스 수지에 분산되고 발광소자(LE)의 광을 산란시키는 산란체를 더 포함할 수 있다. 산란체는 반사율이 95%이상인 재료, 및 대략 구형의 형태로 이루어질 수 있다. 산란체의 크기는 10㎚~500㎚의 범위일 수 있다. 일 예로, 산란체는 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 알루미늄(Al2O3) 및 산화 지르코늄(ZrO2) 중 적어도 하나의 금속산화물로 이루어질 수 있다. 이와 같이 광조절층(LCL)이 산란체를 포함하면, 각 발광부(EP)의 광방출효율이 증가될 수 있다.
더불어, 복수의 발광부(EP) 중 일부는 발광소자(LE)의 광이 서브 화소(SPX)의 색상과 상이할 수 있다. 이 경우, 광조절층(LCL)에 분산되고, 발광소자(LE)의 광을 더 높은 파장 대역으로 변환하는 형광체를 더 포함할 수 있다. 이에 대한 설명은 후술한다.
제1 실시예에 따르면, 제1 발광부(EP1)는 제1 서브 화소(SP1)에 대응한 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광소자(LE1)를 포함한다. 이러한 제1 발광부(EP1)는 제1 발광소자(LE1)에 의한 제1 색상의 광을 광조절층(LCL)을 통해 방출한다. 제1 색상은 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역에 대응한 적색일 수 있다.
제2 발광부(EP2)는 제2 서브 화소(SP2)에 대응한 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광소자(LE2)를 포함한다. 이러한 제2 발광부(EP2)는 제2 발광소자(LE2)에 의한 제2 색상의 광을 광조절층(LCL)을 통해 방출한다. 제2 색상은 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역에 대응한 녹색일 수 있다.
제3 발광부(EP3)는 제3 서브 화소(SP3)에 대응한 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함한다. 이러한 제3 발광부(EP3)는 제3 발광소자(LE3)에 의한 제3 색상의 광을 광조절층(LCL)을 통해 방출한다. 제3 색상은 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역에 대응한 청색일 수 있다.
여기서, 제1 발광소자(LE1), 제2 발광소자(LE3) 및 제3 발광소자(LE3)는 서로 다른 파장 대역의 광을 방출하기 위해 서로 다른 재료 또는 서로 다른 조성 또는 서로 다른 두께로 이루어진 활성층(도 6의 MQW)을 포함할 수 있다.
제4 서브 화소(SP4)는 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상보다 넓은 파장 대역의 제4 색상, 즉 백색에 대응될 수 있다. 그런데, 백색광을 방출하는 발광소자는 비교적 고가이며, 제1, 제2 및 제3 발광소자(LE1, LE2, LE3)와 별도로 마련되어야 하는 번거로움이 있다. 이에 따라, 공정의 용이성 및 제조비용 절감을 위해, 제1 실시예에 따른 제4 발광부(EP4a)는 제3 발광부(EP3)와 같이, 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함할 수 있다.
그리고, 제4 발광부(EP4a)는 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함하면서도 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광을 방출하기 위해, 광조절층(LCL)에 분산된 제5 색상의 형광체(PY)를 더 포함할 수 있다.
제5 색상은 제1 색상의 파장 대역과 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응될 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 제1 색상이 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역에 의한 적색이고, 제2 색상은 제1 색상보다 낮은 파장 대역, 즉 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역에 의한 녹색일 수 있다. 이 경우, 제5 색상은 제1 색상의 파장 대역과 제2 색상의 파장 대역 사이인 대략 570㎚ 내지 620㎚의 파장 대역에 대응되는 노란색(Yellow)일 수 있다. 일 예로, 제5 색상의 메인 피크 파장은 대략 570㎚ 내지 590㎚일 수 있다.
제5 색상의 형광체(PY)는 제3 발광소자(LE3)로부터 방출된 제3 색상의 광(즉, 청색광) 중 일부를 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제5 색상(즉, 노란색)의 광으로 변환한다.
일 예로, 제5 색상의 형광체(PY)는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택될 수 있다.
이로써, 제1 실시예에 따른 제4 발광부(EP4a)는 제3 발광소자(LE3)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제5 색상의 형광체(PY)에 의한 제5 색상(즉, 노란색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제1 실시예의 제4 발광부(EP4a)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역과, 제5 색상에 대응한 대략 560㎚ 내지 600㎚의 파장 대역을 포함한 두 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
도 7은 제2 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 제2 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4b)가 광조절층(LCL)에 제5 색상의 형광체(PY)와 함께 분산된 제1 색상의 형광체(PR)를 더 포함하는 점을 제외하면, 도 5에 도시된 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
제1 색상의 형광체(PR)는 제3 발광소자(LE3)로부터 방출된 제3 색상의 광(즉 청색광) 중 일부를 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제1 색상(즉, 적색)의 광으로 변환한다.
일 예로, 제1 색상의 형광체(PR)는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택될 수 있다.
이로써, 제2 실시예에 따른 제4 발광부(EP4b)는 제3 발광소자(LE)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제5 색상의 형광체(PY)에 의한 제5 색상(즉, 노란색)의 광과, 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상(즉, 적색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제2 실시예의 제4 발광부(EP4b)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역과, 제5 색상에 대응한 대략 560㎚ 내지 600㎚의 파장 대역과, 제1 색상에 대응한 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역을 포함한 세 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
그러므로, 제2 실시예의 제4 발광부(EP4b)에 의한 제4 색상의 광은 제1 실시예의 제4 발광부(EP4a)에 의한 제4 색상의 광보다 높은 CRI를 나타낼 수 있다. 여기서, CRI는 백색광이 약 12시 내지 14시 사이의 태양광과 유사한 정도를 지시하는 파라미터이다.
일 예로, 제1 실시예의 제4 발광부(EP4a)에 의한 제4 색상의 광은 제3 색상 및 제5 색상의 혼색으로 마련되어 대략 65 내지 70의 CRI를 나타냄으로써, 실내에서 백색으로 인지될 수 있다.
반면, 제2 실시예의 제4 발광부(EP4a)에 의한 제4 색상의 광은 제1 색상, 제3 색상 및 제5 색상의 혼색으로 마련되어, 대략 70 내지 80의 CRI를 나타냄으로써, 실내뿐만 아니라 실외에서도 백색으로 인지될 수 있다.
도 8은 제3 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 제3 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4c)가 광조절층(LCL)에 제5 색상의 형광체(PY) 및 제1 색상의 형광체(PR)과 함께 분산된 제2 색상의 형광체(PG)를 더 포함하는 점을 제외하면, 도 7에 도시된 제2 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
제2 색상의 형광체(PG)는 제3 발광소자(LE3)로부터 방출된 제3 색상의 광(즉, 청색광) 중 일부를 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제2 색상(즉, 녹색)의 광으로 변환한다.
제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 구비되는 제5 색상의 형광체(PY)는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Sr, Ba, Mg)SiO4:Eu2+ 및 (Sr, Ba, Mg)SiO2N2:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 구비되는 제1 색상의 형광체(PR)는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+, K2SiF6:Mn4+, Na2SiF6:Mn4+, KNaSiF6:Mn4+, K2GeF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, Sr(Li2Al2O2N2):Eu2+, (Sr, Ba)2Si5N8:Eu2+, BaMgAl10O17:Mn4+, Mg2+, CaS:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbI3 (Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 구비되는 제2 색상의 형광체(PG)는 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+, Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, Gamma AlON:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbBr3 (QDs)(Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
이로써, 제3 실시예에 따른 제4 발광부(EP4c)는 제3 발광소자(LE)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제2 색상의 형광체(PG)에 의한 제1 색상(즉, 녹색)의 광과, 제5 색상의 형광체(PY)에 의한 제5 색상(즉, 노란색)의 광과, 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상(즉, 적색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역과, 제2 색상에 대응한 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역과, 제5 색상에 대응한 대략 560㎚ 내지 600㎚의 파장 대역과, 제1 색상에 대응한 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역을 포함한 네 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
그러므로, 제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 의한 제4 색상의 광은 제2 실시예의 제4 발광부(EP4b)에 의한 제4 색상의 광보다 높은 CRI를 나타낼 수 있다.
일 예로, 제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 의한 제4 색상의 광은 제1 색상, 제2 색상, 제3 색상 및 제5 색상의 혼색으로 마련되어, 대략 80 내지 90의 CRI를 나타냄으로써, 조명으로 이용될 수 있다.
도 9는 제4 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 제4 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4d)가 광조절층(LCL)에 제5 색상의 형광체(PY), 제1 색상의 형광체(PR) 및 제2 색상의 형광체(PG)과 함께 분산된 제6 색상의 형광체(PAM)를 더 포함하는 점을 제외하면, 도 8에 도시된 제3 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
제6 색상은 제1 색상의 파장 대역과 제5 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응될 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 제1 색상은 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역에 의한 적색이고, 제5 색상은 메인 피크 파장이 대략 570㎚ 내지 590㎚인 노란색일 수 있다. 이 경우, 제6 색상은 제1 색상의 파장 대역과 제5 색상의 파장 대역 사이인 대략 590㎚ 내지 620㎚의 파장 대역에 대응되는 호박색(Amber, 또는 오렌지색)일 수 있다.
제6 색상의 형광체(PAM)는 Alpha-SiAlON 또는 Sr3SiO5:Eu2+으로 선택될 수 있다.
이로써, 제4 실시예에 따른 제4 발광부(EP4d)는 제3 발광소자(LE)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제2 색상의 형광체(PG)에 의한 제1 색상(즉, 녹색)의 광과, 제5 색상의 형광체(PY)에 의한 제5 색상(즉, 노란색)의 광과, 제6 색상의 형광체(PAM)에 의한 제6 색상(즉, 호박색)의 광과, 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상(즉, 적색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제4 실시예의 제4 발광부(EP4d)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역과, 제5 색상에 대응한 대략 560㎚ 내지 600㎚의 파장 대역과, 제1 색상에 대응한 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역과, 제2 색상에 대응한 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역과, 제6 색상에 대응한 대략 590㎚ 내지 620㎚의 파장 대역을 포함한 다섯 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
그러므로, 제4 실시예의 제4 발광부(EP4d)에 의한 제4 색상의 광은 제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)에 의한 제4 색상의 광보다 높은 CRI를 나타낼 수 있다.
도 10은 제5 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 제5 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4e)가 제5 색상의 형광체(PY)를 포함하지 않는 점을 제외하면, 도 8에 도시된 제3 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
즉, 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)는 광조절층(LCL)에 분산된 제1 색상의 형광체(PR)와 제2 색상의 형광체(PG)를 포함한다.
일 예로, 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)에 구비되는 제1 색상의 형광체(PR)는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택될 수 있다.
제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)에 구비되는 제2 색상의 형광체(PG)는 Lu3Al5O12:Ce3+ 또는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce3+으로 선택될 수 있다.
이로써, 제5 실시예에 따른 제4 발광부(EP4e)는 제3 발광소자(LE)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제2 색상의 형광체(PG)에 의한 제1 색상(즉, 녹색)의 광과, 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상(즉, 적색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역과, 제2 색상에 대응한 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역과, 제1 색상에 대응한 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역을 포함한 세 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
이에 따라, 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)에 의한 제4 색상의 광은 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 혼색으로 마련되어, 대략 80 내지 90의 CRI를 나타냄으로써, 조명으로 이용될 수 있다.
도 11은 제6 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 제6 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4f)가 제7 색상의 형광체(PCY)를 더 포함하는 점을 제외하면, 도 10에 도시된 제5 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
제7 색상은 제2 색상의 파장 대역과 제3 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응될 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 제2 색상은 대략 490㎚ 내지 570㎚의 파장 대역에 의한 녹색이고, 제3 색상은 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역에 의한 청색일 수 있다. 여기서, 제3 색상의 메인 피크 파장은 대략 430㎚ 내지 480㎚일 수 있다. 그리고, 제2 색상의 메인 피크 파장은 대략 520㎚ 내지 570㎚일 수 있다. 이 경우, 제7 색상은 대략 480㎚ 내지 520㎚의 파장 대역에 대응되는 청록색(Cyan)일 수 있다.
일 예로, 제6 실시예의 제4 발광부(EP4f)에 구비되는 제7 색상의 형광체(PCY)는 (Ba, Mg)Si2O2N2:Eu2+ 또는 (Ba, Mg)3Si6O3N8:Eu2+으로 선택될 수 있다.
이로써, 제6 실시예에 따른 제4 발광부(EP4f)는 제3 발광소자(LE)에 의한 제3 색상(즉, 청색)의 광과, 제7 색상의 형광체(PCY)에 의한 제7 색상(즉, 청록색)의 광과, 제2 색상의 형광체(PG)에 의한 제1 색상(즉, 녹색)의 광과, 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상(즉, 적색)의 광의 혼색으로 마련되는 제4 색상(즉, 백색)의 광을 방출할 수 있다.
즉, 제6 실시예의 제4 발광부(EP4f)에서 방출되는 제4 색상의 광은 제3 색상에 대응한 대략 430㎚ 내지 480㎚의 메인 피크 파장과, 제7 색상에 대응한 대략 480㎚ 내지 520㎚의 파장 대역과, 제2 색상에 대응한 대략 520㎚ 내지 570㎚의 메인 피크 파장과, 제1 색상에 대응한 대략 620㎚ 내지 750㎚의 파장 대역을 포함한 네 개의 메인 피크 파장으로 이루어질 수 있다.
그러므로, 제6 실시예의 제4 발광부(EP4f)에 의한 제4 색상의 광은 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)에 의한 제4 색상의 광보다 높은 CRI를 나타낼 수 있다.
일 예로, 제6 실시예의 제4 발광부(EP4f)에 의한 제4 색상의 광은 제1 색상, 제2 색상, 제7 색상 및 제3 색상의 혼색으로 마련되어, 대략 90 내지 99의 CRI를 나타낼 수 있다. 이로써, 스포츠 경기 등의 야외 촬영용 조명으로 이용될 수 있다.
도 12는 제7 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 제7 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 발광부(EP) 각각이 제3 발광소자(LE3)를 포함하는 점과, 제1 발광부(EP1')가 광조절층(LCL)에 분산된 제1 색상의 형광체(PR)를 더 포함하는 점과, 제2 발광부(EP2')가 광조절층(LCL)에 분산된 제2 색상의 형광체(PR)를 더 포함하는 점을 제외하면, 위에서 설명한 제1 내지 제6 실시예와 동일하므로, 중복되는 설명을 생략한다.
즉, 제7 실시예에 따르면, 제1 발광부(EP1') 및 제2 발광부(EP2')는 제1 발광소자(LE1) 및 제2 발광소자(LE2)를 각각 포함하는 것이 아니라, 제3 발광부(EP3)와 같이 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함한다.
대신, 제1 발광부(EP1')는 제1 서브 화소(SP1)에 대응되는 제1 색상의 광을 방출하기 위해, 제3 발광소자(EP1)에 의한 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 제1 색상의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체(PR)를 더 포함한다.
마찬가지로, 제2 발광부(EP2')는 제2 서브 화소(SP2)에 대응되는 제2 색상의 광을 방출하기 위해, 제3 발광소자(EP1)에 의한 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 제2 색상의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체(PG)를 더 포함한다.
이와 같이, 제7 실시예에 따르면, 제1 발광부(EP1'), 제2 발광부(EP2'), 제3 발광부(EP3) 및 제4 발광부(EP4g)는 모두 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상 중 가장 낮은 파장 대역인 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함한다.
이로써, 서로 다른 파장 대역의 광을 방출하는 다수 종류의 발광소자를 구비할 필요가 없으므로, 공정의 용이성 및 제조비용 절감에 유리해질 수 있다.
제7 실시예의 제1 발광부(EP1')는 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함하면서도 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제1 색상의 광을 방출하기 위해, 광조절층(LCL)에 분산된 제1 색상의 형광체(PR)를 더 포함한다.
제1 색상의 형광체(PR)는 제3 발광소자(LE3)로부터 방출된 제3 색상의 광(즉, 청색광) 중 일부를 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제1 색상(즉, 적색)의 광으로 변환한다.
일 예로, 제1 색상의 형광체(PR)는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+, K2SiF6:Mn4+, Na2SiF6:Mn4+, KNaSiF6:Mn4+, K2GeF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, Sr(Li2Al2O2N2):Eu2+, (Sr, Ba)2Si5N8:Eu2+, BaMgAl10O17:Mn4+, Mg2+, CaS:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbI3 (Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제7 실시예의 제2 발광부(EP2')는 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함하면서도 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제2 색상의 광을 방출하기 위해, 광조절층(LCL)에 분산된 제2 색상의 형광체(PG)를 더 포함한다.
제2 색상의 형광체(PG)는 제3 발광소자(LE3)로부터 방출된 제3 색상의 광(즉, 청색광) 중 일부를 제3 색상보다 높은 파장 대역인 제2 색상(즉, 녹색)의 광으로 변환한다.
일 예로, 제2 색상의 형광체(PG)는 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+, Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, Gamma AlON:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbBr3 (QDs)(Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함하면서도 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광을 방출하기 위해, 광조절층(LCL)에 분산된 한 종류 이상의 형광체를 더 포함할 수 있다.
즉, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 5의 제1 실시예와 같이, 제5 색상의 형광체(PY)를 더 포함할 수 있다.
또는, 별도로 도시하고 있지 않으나, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 7 내지 도 11에 도시된 제2 내지 제6 실시예의 제4 발광부(EP4b~f)와 동일하게 적어도 한 종류의 형광체를 더 포함할 수 있다.
즉, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 7에 도시된 제2 실시예의 제4 발광부(EP4b)와 같이, 제5 색상의 형광체(PY)와 제1 색상의 형광체(PR)를 더 포함할 수 있다.
또는, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 8에 도시된 제3 실시예의 제4 발광부(EP4c)와 같이, 제5 색상의 형광체(PY), 제1 색상의 형광체(PR) 및 제2 색상의 형광체(PG)를 더 포함할 수 있다.
또는, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 9에 도시된 제4 실시예의 제4 발광부(EP4d)와 같이, 제5 색상의 형광체(PY), 제1 색상의 형광체(PR), 제2 색상의 형광체(PG) 및 제6 색상의 형광체(PAM)를 더 포함할 수 있다.
또는, 도 12의 도시와 달리, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 10에 도시된 제5 실시예의 제4 발광부(EP4e)와 같이, 제1 색상의 형광체(PR)와 제2 색상의 형광체(PG)를 더 포함할 수 있다.
또는, 제7 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 도 11에 도시된 제6 실시예의 제4 발광부(EP4f)와 같이, 제1 색상의 형광체(PR), 제2 색상의 형광체(PG) 및 제7 색상의 형광체(PCY)를 더 포함할 수 있다.
더불어, 제7 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 발광부(EP) 상에 배치되는 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 제1 서브 화소(SP1)에 대응하는 제1 컬러필터(CF1), 제2 서브 화소(SP2)에 대응하는 제2 컬러필터(CF2), 제3 서브 화소(SP3)에 대응하는 제3 컬러필터(CF3), 및 제4 서브 화소(SP4)에 대응하는 투과패턴(TP)을 포함할 수 있다.
제1 컬러필터는 제1 색상에 대응한 파장영역의 광을 선택적으로 투과하는 염료 또는 안료를 포함할 수 있다.
제2 컬러필터는 제2 색상에 대응한 파장영역의 광을 선택적으로 투과하는 염료 또는 안료를 포함할 수 있다.
제3 컬러필터는 제3 색상에 대응한 파장영역의 광을 선택적으로 투과하는 염료 또는 안료를 포함할 수 있다.
투과패턴(TP)은 비교적 투명한 재료로 이루어질 수 있다.
이러한 컬러필터층(CFL)에 의해, 제1 색상에 대응하는 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 색상에 대응하는 제2 서브 화소(SP2)가 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(LE3)를 포함하더라도, 복수의 서브 화소(SPX) 각각에서 방출되는 광의 색순도 저하가 방지될 수 있다.
도 13은 제8 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 13을 참조하면, 제8 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 발광부(EP)가 제3 색상보다 낮은 파장 대역의 광을 방출하는 제4 발광소자(LE4)를 포함하는 점과, 제3 발광부(EP3')가 광조절층(LCL)에 분산된 제3 색상의 형광체(PB)를 더 포함하는 점을 제외하면, 제7 실시예와 동일하므로, 중복되는 설명을 생략한다.
즉, 제8 실시예에 따르면, 복수의 발광부(EP) 각각은 제3 색상보다 낮은 파장대역의 광(예를 들면, UV(자외선))을 방출하는 제4 발광소자(LE4)를 포함한다. 일 예로, 제4 발광소자(LE4)는 대략 400㎚ 내지 420㎚의 파장 대역에 의한 자외선 광을 방출할 수 있다.
제8 실시예의 제1 발광부(EP1")는 광조절층(LCL)에 분산되고 제4 발광소자(LE4)의 광 중 적어도 일부를 제1 색상(즉, 적색)의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체(PR)를 포함한다.
일 예로, 제1 색상의 형광체(PR)는 Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, K2(Si, Ge, Ti)SiF6:Mn4+ 및 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제8 실시예의 제2 발광부(EP2")는 광조절층(LCL)에 분산되고 제4 발광소자(LE4)의 광 중 적어도 일부를 제2 색상(즉, 녹색)의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체(PG)를 포함한다.
일 예로, 제2 색상의 형광체(PG)는 Beta-SiAlON:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, BaAlMg10O17:Eu2+, Mn2+ , (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+ 및 (Lu,Y)3(Al, Ga)5O12:Ce3+ 중 적어도 하나로 선택될 수 있다.
제8 실시예의 제3 발광부(EP3')는 광조절층(LCL)에 분산되고 제4 발광소자(LE4)의 광 중 적어도 일부를 제3 색상(즉, 청색)의 광으로 변환하는 제3 색상의 형광체(PB)를 포함한다.
일 예로, 제3 색상의 형광체(PB)는 BaAlMg10O17:Eu2+으로 선택될 수 있다.
그리고, 제8 실시예의 제4 발광부(EP4g)는 광조절층(LCL)에 분산된 제1 색상의 형광체(PR), 제2 색상의 형광체(PG) 및 제3 색상의 형광체(PB)를 포함할 수 있다.
이로써, 제4 발광부(EP4g)는 제1 색상의 형광체(PR)에 의한 제1 색상의 광, 제2 색상의 형광체(PG)에 의한 제2 색상의 광 및 제3 색상의 형광체(PB)에 의한 제3 색상의 광의 혼색으로 마련된 제4 색상의 광을 방출할 수 있다.
도 14는 제9 실시예에 따른 도 3의 B-B'를 따라 절단한 표시 장치를 보여주는 단면도이다.
도 14를 참조하면, 제9 실시예에 따른 표시 장치는 제4 발광부(EP4i)가 광조절층(LCL)에 제1 색상의 형광체(PR), 제2 색상의 형광체(PG) 및 제3 색상의 형광체(PB)와 함께 분산된 제5 색상의 형광체(PY) 및 제6 색상의 형광체(PAM)를 더 포함하는 점을 제외하면, 도 13에 도시된 제8 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복 설명을 생략한다.
제9 실시예에 따른 제4 발광부(EP4i)는 제5 색상의 형광체(PY) 및 제6 색상의 형광체(PAM)를 더 포함함에 따라, 제9 실시예의 제4 발광부(EP4i)에 의한 제4 색상의 광은 제8 실시예의 제4 발광부(EP4h)에 의한 제4 색상의 광보다 높은 CRI를 나타낼 수 있다.
한편, 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 일 실시예에 따르면, 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 어느 하나)에서 한 개의 제1 서브 화소(SP1), 한 개의 제4 서브 화소(SP4), 한 개의 제3 서브 화소(SP3) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 상호 나란하게 반복 배열되는 제1 화소열(PXL11, PXL21)과, 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 어느 하나)에서 한 개의 제2 서브 화소(SP2) 및 한 개의 제4 서브 화소(SP4)가 상호 나란하게 반복 배열되는 제2 화소열(PXL12, PXL22)을 포함한다. 여기서, 제1 화소열(PXL11, PXL21)과 제2 화소열(PXL12, PXL22)은 다른 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 다른 나머지 하나)에서 상호 교번한다.
그리고, 다른 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 다른 나머지 하나)에서 제1 화소열(PXL11, PXL21)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제2 화소열(PXL21, PXL22)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다. 또한, 다른 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 다른 나머지 하나)에서 제2 화소열(PXL21, PXL22)의 제2 서브 화소(SP2)는 제1 화소열(PXL11, PXL21)의 제4 서브 화소(SP4)와 이웃한다.
즉, 일 실시예에 따르면, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에서, 가시광 중 서로 다른 파장 대역에 대응하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각의 양측은 가시광의 전체 파장 대역에 대응하는 제4 서브 화소(SP4)와 이웃할 수 있다.
여기서, 복수의 서브 화소(SPX) 중 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 어느 하나) 또는 다른 일 방향(즉, DR1 및 DR2 중 다른 나머지 하나)에서 상호 이웃한 여덟 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소(PX_E1, PX_E2)가 마련될 수 있다.
복수의 화소(PX_E1, PX_E2) 각각은 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 혼색으로 각종 색상을 표시하는 기본단위가 될 수 있도록, 적어도 하나의 제1 서브 화소(SP1), 적어도 하나의 제2 서브 화소(SP2) 및 적어도 하나의 제3 서브 화소(SP3)를 포함하며, 제4 색상의 광을 표시할 수 있도록 적어도 하나의 제4 서브 화소(SP4)를 더 포함할 수 있다.
즉, 일 실시예에 따른 복수의 화소(PX_E1, PX_E2) 각각은 제1 화소열(PXL11, PXL21) 중 상호 나란한 한 개의 제1 서브 화소(SP1)와 한 개의 제3 서브 화소(SP2)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4), 및 제2 화소열(PXL21, PXL22) 중 상호 나란한 두 개의 제2 서브 화소(SP2)와 두 개의 제4 서브 화소(SP4)로 이루어질 수 있다.
다만 도 3의 도시는 일 실시예에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태에 대한 일 예시에 불과하며, 일 실시예에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 도 3의 도시에 국한되지 않는다.
이하에서는 도 15 내지 도 23을 참조하여 일 실시예에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태에 대한 다른 예시들을 설명한다.
도 15는 도 2의 A 부분에 대한 제2 예시를 보여주는 평면도이다.
도 15를 참조하면, 제2 예시(A2)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)에서 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제1 화소열(PXL1)과, 제1 방향(DR1)에서 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3)가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제2 화소열(PXL2)과, 제1 방향(DR1)에서 제4 서브 화소(SP42)가 나란하게 배열되는 제3 화소열(PXL3)을 포함할 수 있다.
제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)에서 제1 화소열(PXL1)과 제2 화소열(PXL2)은 상호 이웃한다.
또한, 제2 방향(DR2)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1)는 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃하고, 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP3)는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃한다.
제3 화소열(PXL3)은 제1 화소열(PXL1)의 제2 방향(DR2)의 일측(즉, 도 15의 상측)과 제2 화소열(PXL2)의 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 15의 하측) 사이에 배치될 수 있다.
즉, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP42)는 제2 방향(DR2)의 일측(즉, 도 15의 상측)에서 제2 화소열(PXL2) 중 한 개의 제2 서브 화소(SP2) 및 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 이웃하고, 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 15의 하측)에서 제1 화소열(PXL1) 중 한 개의 제1 서브 화소(SP1) 및 한 개의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃할 수 있다.
다만, 이는 단지 예시일 뿐이며, 제2 예시는 도 15의 도시에 국한되지 않는다. 즉, 제2 예시에 따르면, 제3 화소열(PXL3)은 제2 화소열(PXL2)의 제2 방향(DR2)의 일측(즉, 도 15의 상측)과 제1 화소열(PXL1)의 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 15의 하측) 사이에 배치될 수도 있다.
달리 설명하면, 제2 방향(DR2)에서 제4 서브 화소(SP42) 각각은 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 중 어느 하나와 제2 서브 화소(SP2)에 이웃할 수 있다.
제1 화소열(PXL1) 또는 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)은 제1 방향(DR1)에서 상호 동일한 소정의 제1 너비(W11)로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP42)는 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)의 두 배보다 큰 제2 너비(W12)로 이루어질 수 있다.
여기서, 제2 너비(W12)는 제1 너비(W11)의 두 배(2*W11)와 서브 화소 사이의 간격(α)의 합에 대응될 수 있다. (W12 = 2*W11+α)
더불어, 제2 예시(A2)에 따르면, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 제2 방향(DR2)에서 상호 동일한 소정의 제3 너비(W21)로 이루어질 수 있다.
제2 예시(A2)에 따르면, 복수의 서브 화소(SPX) 중 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 상호 이웃한 다섯 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소(PX)가 마련될 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 제4 색상을 비롯한 각종 색상을 표시하는 기본 단위가 될 수 있도록, 적어도 하나의 제1 서브 화소(SP1), 적어도 하나의 제2 서브 화소(SP2), 적어도 하나의 제3 서브 화소(SP3) 및 적어도 하나의 제4 서브 화소(SP42)를 포함한다.
즉, 제2 예시(A2)에 따른 복수의 화소(PX) 각각은 제1 화소열(PXL1) 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소(SP1)와 한 개의 제2 서브 화소(SP2), 제2 화소열(PXL2) 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 한 개의 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 화소열(PXL3) 중 한 개의 제4 서브 화소(SP42)로 이루어질 수 있다.
이러한 제2 예시(A2)에 따르면, 제1 예시(도 3의 A1)에 비해, 제4 서브 화소(SP42)의 개수가 감소되므로, 제4 색상의 광을 표시하는 구동을 위한 배선들이 감소될 수 있어, 제4 서브 화소(SP42)의 부가로 인한 비표시영역(NDA)의 너비 증가가 경감될 수 있다.
도 16은 도 2의 A 부분에 대한 제3 예시를 보여주는 평면도이다.
도 16을 참조하면, 제3 예시(A3)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각이 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)로 이루어지고, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP43)가 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)보다 작은 제4 너비(W23)로 이루어지는 점을 제외하면, 도 15에 도시된 제2 예시(A2)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
이러한 제3 예시(A3)에 따르면, 제4 서브 화소(SP43)의 제2 방향(DR2)의 너비가 감소됨에 따라, 제4 서브 화소(SP43)의 부가로 인한 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)의 너비 저하가 경감될 수 있다.
도 17은 도 2의 A 부분에 대한 제4 예시를 보여주는 평면도이다.
도 17을 참조하면, 제4 예시(A4)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP44)가 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)와 마찬가지로 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)로 이루어지고, 제2 방향(DR2)에서 제2 너비(W21)로 이루어지는 점을 제외하면, 도 15의 제2 예시(A2)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
즉, 제4 예시(A4)에 따르면, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP44)는 제1 방향(DR1)에서 상호 동일한 소정의 제1 너비(W11)로 이루어질 수 있다.
이에, 제4 예시(A4)에 따르면, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP44)는 제2 방향(DR2)의 일측(즉, 도 15의 상측)에서 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 중 어느 하나와 이웃하고, 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 15의 하측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2) 중 어느 하나와 이웃할 수 있다.
이와 같이 하면, 각 화소(PX)가 동일한 너비로 이루어진 두 개의 제4 서브 화소(SP44)를 포함하므로, 제4 색상의 광의 계조 표현이 다분화될 수 있다.
도 18은 도 2의 A 부분에 대한 제5 예시를 보여주는 평면도이다.
도 18을 참조하면, 제5 예시(A5)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)을 반대로 적용한 점을 제외하면, 도 15의 제2 예시(A2)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
즉, 제5 예시(A5)에 따르면, 제1 화소열(PXL1)이 제2 방향(DR2)에서 나란하게 번갈아 배열되는 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)로 이루어지고, 제2 화소열(PXL2)이 제2 방향(DR2)에서 나란하게 번갈아 배열되는 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3)로 이루어지며, 제3 화소열(PXL3)이 제2 방향(DR2)로 나란하게 배열되는 제4 서브 화소로 이루어지고, 제1 화소열(PXL1), 제2 화소열(PXL2) 및 제3 화소열(PXL3)이 제1 방향(DR1)에서 이웃할 수 있다.
제3 화소열(PXL3)은 제1 방향(DR1)에서 제1 화소열(PXL1)의 일측(즉, 도 18의 좌측)과 제2 화소열(PXL2)의 다른 일측(즉, 도 18의 우측) 사이에 배치될 수 있다.
제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP45)는 제1 방향(DR1)의 다른 일측(즉, 도 18의 우측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2)와 이웃하고, 제1 방향(DR1)의 일측(즉, 도 18의 좌측)에서 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제2 서브 화소(SP2)와 이웃할 수 있다.
그리고, 제5 예시(A5)에 따르면, 제1 화소열(PXL1) 또는 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)은 제2 방향(DR2)에서 상호 동일한 소정의 제1 너비(W21)로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP45)는 제2 방향(DR2)에서 제1 너비(W21)의 두 배보다 큰 제2 너비(W22)로 이루어질 수 있다.
도 19는 도 2의 A 부분에 대한 제6 예시를 보여주는 평면도이다.
도 19를 참조하면, 제6 예시(A6)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)을 반대로 적용한 점을 제외하면, 도 16의 제3 예시(A3)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
즉, 제6 예시(A6)에 따르면, 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제1 방향(DR1)에서 제3 너비(W11)로 이루어지고, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP46)는 제1 방향(DR1)에서 제3 너비(W11)보다 작은 제4 너비(W13)로 이루어질 수 있다.
도 20은 도 2의 A 부분에 대한 제7 예시를 보여주는 평면도이다.
도 20을 참조하면, 제7 예시(A7)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)을 반대로 적용한 점을 제외하면, 도 17의 제4 예시(A4)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
즉, 제7 예시(A7)에 따르면, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP47)는 제1 방향(DR1)의 다른 일측(즉, 도 18의 우측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2) 중 어느 하나와 이웃하고, 제1 방향(DR1)의 일측(즉, 도 18의 좌측)에서 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제2 서브 화소(SP2) 중 어느 하나와 이웃할 수 있다.
도 21은 도 2의 A 부분에 대한 제8 예시를 보여주는 평면도이다.
도 21을 참조하면, 제8 예시(A8)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제2 방향(DR2)에서 제4 서브 화소(SP4)가 나란하게 배열되는 교차열(CPL)을 더 포함하는 점을 제외하면, 도 15의 제2 예시(A2)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
즉, 제8 예시(A8)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제2 방향(DR2)에서 번갈아 배치되는 제1 화소열(PXL1), 제2 화소열(PXL2) 및 제3 화소열(PXL3)과, 제2 방향(DR2)으로 배열된 제4 서브 화소(SP482, SP483)로 이루어진 교차열(CPL)을 포함한다.
제1 화소열(PXL1)은 제1 방향(DR1)에서 상호 나란하게 번갈아 배열된 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)로 이루어진다.
제2 화소열(PXL2)은 제1 방향(DR1)에서 상호 나란하게 번갈아 배열된 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3)로 이루어진다.
제1 화소열(PXL1)과 제2 화소열(PXL2)은 제2 방향(DR2)에서 상호 이웃한다. 즉, 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1)는 제2 방향(DR2)에서 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃하고, 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP2)는 제2 방향(DR2)에서 제1 화소열(PXL1)의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃한다.
제3 화소열(PXL3)은 제1 방향(DR1)으로 나란하게 배열된 제4 서브 화소(SP481)로 이루어진다.
제3 화소열(PXL3)은 제2 방향(DR1)의 일측(즉, 도 21의 하측)에서 제1 화소열(PXL1)과 이웃하고, 제2 방향(DR1)의 다른 일측(즉, 도 21의 상측)에서 제2 화소열(PXL2)과 이웃할 수 있다.
이에, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481) 각각은 제2 방향(DR1)의 일측(즉, 도 21의 하측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2)와 이웃할 수 있다. 그리고, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481) 각각은 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 21의 상측)에서 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)와 이웃할 수 있다.
제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제1 방향(DR1)에서 소정의 제1 너비(W11)로 이루어지고, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP4)는 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)의 두 배보다 큰 제2 너비(W12)로 이루어질 수 있다.
제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 포함된 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 제2 방향(DR2)에서 상호 동일한 소정의 제3 너비(W21)로 이루어질 수 있다.
마찬가지로, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP4) 또한 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)로 이루어질 수 있다.
교차열(CPL) 중 일부의 제4 서브 화소(SP482)는 제1 방향(DR1)에서 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)과 이웃하고, 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483)는 제1 방향(DR1)에서 제3 화소열(PXL3)과 이웃한다.
즉, 교차열(CPL)은 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)과 대응한 제4 서브 화소(SP482)와, 제3 화소열(PXL3)과 대응한 제4 서브 화소(SP483)가 제2 방향(DR2)에서 번갈아 배치되는 구조로 이루어진다.
일 예로, 교차열(CPL) 중 일부의 제4 서브 화소(SP482)는 제1 방향(DR1)의 일측(즉, 도 21의 좌측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2)와 이웃할 수 있다. 그리고, 교차열(CPL) 중 일부의 제4 서브 화소(SP482)는 제1 방향(DR1)의 다른 일측(즉, 도 21의 우측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP3)와 이웃할 수 있다.
그리고, 교차열(CPL) 중 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483)는 제1 방향(DR1)에서 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481)와 이웃할 수 있다.
이에, 교차열(CPL) 중 제3 화소열(PXL3)에 대응한 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 교차하는 제1 대각 방향에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소열(PXL2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되고, 제1 대각 방향에 수직한 제2 대각 방향에서 제1 화소열(PXL1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이에 배치될 수 있다.
교차열(CPL)의 제4 서브 화소(SP482, SP483) 각각은 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)로 이루어질 수 있다.
교차열(CPL) 중 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 대응한 일부의 제4 서브 화소(SP482) 각각은 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)의 두 배보다 큰 제4 너비(W22)로 이루어질 수 있다.
교차열(CPL) 중 제3 화소열(PXL3)에 대응한 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483) 각각은 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)로 이루어질 수 있다.
제8 예시(A8)에 따르면, 복수의 서브 화소(SPX) 중 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 상호 이웃한 일곱 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소(PX)가 마련될 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 제4 색상을 비롯한 각종 색상을 표시하는 기본 단위가 될 수 있도록, 적어도 하나의 제1 서브 화소(SP1), 적어도 하나의 제2 서브 화소(SP2), 적어도 하나의 제3 서브 화소(SP3) 및 적어도 하나의 제4 서브 화소(SP42)를 포함한다.
즉, 제8 예시(A8)에 따른 복수의 화소(PX) 각각은 제1 화소열(PXL1) 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소(SP1)와 한 개의 제2 서브 화소(SP2), 제2 화소열(PXL2) 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소(SP3)와 한 개의 제2 서브 화소(SP2), 제3 화소열(PXL3) 중 한 개의 제4 서브 화소(SP42), 교차열(CPL)의 일부 중 한 개의 제4 서브 화소(SP482), 및 교차열(CPL)의 다른 나머지 일부 중 한 개의 제4 서브 화소(SP483)로 이루어질 수 있다.
이와 같이 하면, 제2 예시(A2)에 비해, 각 화소(PX)가 교차열(CPL)의 일부 중 한 개의 제4 서브 화소(SP482) 및 교차열(CPL)의 다른 나머지 일부 중 한 개의 제4 서브 화소(SP483)를 더 포함하므로, 제4 색상의 광의 밝기가 개선될 수 있다.
도 22는 도 2의 A 부분에 대한 제9 예시를 보여주는 평면도이다.
도 22를 참조하면, 제9 예시(A9)에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481')가 제2 방향(DR2)에서 제3 너비(W21)보다 작은 제5 너비(W23)로 이루어지고, 교차열(CPL) 중 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 대응한 일부의 제4 서브 화소(SP482')가 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)보다 작은 제6 너비(W13)로 이루어지는 점을 제외하면, 도 21에 도시된 제8 예시(A8)과 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
여기서, 교차열(CPL) 중 제3 화소열(PXL3)에 대응한 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483')는 제1 방향(DR1)에서 제6 너비(W13)로 이루어지고, 제2 방향(DR2)에서 제5 너비(W23)로 이루어질 수 있다.
이러한 제9 예시(A9)에 따르면, 제8 예시(A8)에 비해, 제4 서브 화소(SP481', SP482', SP483')의 너비가 감소됨에 따라, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)의 너비 저하가 경감될 수 있다.
도 23은 도 2의 A 부분에 대한 제10 예시를 보여주는 평면도이다.
도 23을 참조하면, 제10 예시에 따른 복수의 서브 화소(SPX)의 배열 형태는 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481")가 제1 방향(DR1)에서 제1 너비(W11)로 이루어지고, 교차열(CPL) 중 제1 화소열(PXL1) 및 제2 화소열(PXL2)에 대응한 일부의 제4 서브 화소(SP482")가 제2 방향(DR2)에서 제2 너비(W21)로 이루어지는 점을 제외하면, 도 21의 제8 예시(A8)와 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.
제10 예시(A10)에 따르면, 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481")는 제2 방향(DR2)의 일측(즉, 도 23의 상측)에서 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 중 어느 하나와 이웃하고, 제2 방향(DR2)의 다른 일측(즉, 도 23의 하측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2) 중 어느 하나와 이웃할 수 있다.
그리고, 교차열(CPL) 중 일부의 제4 서브 화소(SP482")는 제1 방향(DR1)의 일측(즉, 도 23의 좌측)에서 제1 화소열(PXL1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소열(PXL2)의 제2 서브 화소(SP2) 중 어느 하나와 이웃할 수 있다.
교차열(CPL) 중 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소(SP483)는 제1 방향(DR1)에서 제3 화소열(PXL3)의 제4 서브 화소(SP481)와 이웃할 수 있다.
이와 같이 하면, 각 화소(PX)가 동일한 너비로 이루어진 다섯 개의 제4 서브 화소(SP481", SP482", SP483")를 포함하므로, 제4 색상의 광의 계조 표현이 더욱 다분화될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 표시 장치 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 PDA1, PDA2: 제1, 제2 패드영역
PD: 신호 패드 PX: 화소
SPX: 서브 화소
SP1, SP2, SP3, SP4: 제1, 제2, 제3, 제4 서브 화소
PXL11, PXL21, PXL1: 제1 화소열
PXL12, PXL22, PXL2: 제2 화소열
PDU: 화소 구동부 LE: 발광소자
T1, T2: 제1, 제2 박막트랜지스터
PL: 전원배선 CL: 공통배선
SL: 스캔배선 DL: 데이터배선
SUB: 기판 OCL: 오버코트층
TFTL: 트랜지스터 어레이층 CT1, CT2: 제1, 제2 콘택홀
PE: 화소 전극 CE: 공통 전극
EP: 발광부 PWL: 격벽부
EP1, EP2, EP3: 제1, 제2, 제3 발광부
EP4a-i: 제4 발광부 LCL: 광조절층
LE1, LE2, LE3, LE4: 제1, 제2, 제3, 제4 발광소자
PY: 제5 색상의 형광체 PR: 제1 색상의 형광체
PG: 제2 색상의 형광체 PAM: 제6 색상의 형광체
PCY: 제7 색상의 형광체 PB: 제3 색상의 형광체

Claims (34)

  1. 복수의 서브 화소가 배열된 표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소에 각각 대응되는 복수의 발광부; 및
    상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 서브 화소 간의 경계에 대응한 격벽부를 포함하며,
    상기 복수의 서브 화소는 제1 색상의 광에 대응되는 제1 서브 화소, 상기 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광에 대응되는 제2 서브 화소, 상기 제1 색상 및 상기 제2 색상과 상이한 제3 색상의 광에 대응되는 제3 서브 화소, 및 상기 제1 색상, 상기 제2 색상 및 상기 제3 색상보다 넓은 파장 대역으로 이루어진 제4 색상의 광에 대응되는 제4 서브 화소를 포함하고,
    상기 복수의 서브 화소 각각의 발광부는 발광소자와, 상기 발광소자를 덮는 광조절층을 포함하고, 상기 격벽부로 둘러싸이는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광부는
    상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부;
    상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부;
    상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부; 및
    상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함하며,
    상기 제1 발광부는 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광소자를 포함하고,
    상기 제2 발광부는 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광소자를 포함하며,
    상기 제3 발광부는 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자를 포함하고,
    상기 제4 발광부는 상기 제3 발광소자를 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제5 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며,
    상기 제5 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택되는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체와 함께 분산된 제1 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제1 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택되고,
    상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택되는 표시 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체 및 상기 제1 색상의 형광체와 함께 분산된 제2 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제2 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+, (Sr, Ba, Mg)SiO4:Eu2+ 및 (Sr, Ba, Mg)SiO2N2:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택되고,
    상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+, K2SiF6:Mn4+, Na2SiF6:Mn4+, KNaSiF6:Mn4+, K2GeF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, Sr(Li2Al2O2N2):Eu2+, (Sr, Ba)2Si5N8:Eu2+, BaMgAl10O17:Mn4+, Mg2+, CaS:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbI3 (Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택되며,
    상기 제2 색상의 형광체는 (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+, Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, Gamma AlON:Eu2+, InP (QDs) 및 CsPbBr3 (QDs)(Perovskite QDs) 중 적어도 하나로 선택되는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제5 색상의 형광체, 상기 제1 색상의 형광체 및 상기 제2 색상의 형광체와 함께 분산된 제6 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제6 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제5 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되고,
    상기 제6 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제6 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제6 색상의 형광체는 Alpha-SiAlON 또는 Sr3SiO5:Eu2+으로 선택되는 표시 장치.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제1 색상의 형광체 및 제2 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제1 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하며,
    상기 제2 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+으로 선택되고,
    상기 제2 색상의 형광체는 Lu3Al5O12:Ce3+ 또는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce3+으로 선택되는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 상기 제1 색상의 형광체 및 상기 제2 색상의 형광체와 함께 분산된 제7 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제7 색상은 상기 제2 색상의 파장 대역과 상기 제3 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며,
    상기 제7 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제7 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 색상의 형광체는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ 또는 K2SiF6:Mn4+으로 선택되고,
    상기 제2 색상의 형광체는 Lu3Al5O12:Ce3+ 또는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce3+으로 선택되며,
    상기 제7 색상의 형광체는 (Ba, Mg)Si2O2N2:Eu2+ 또는 (Ba, Mg)3Si6O3N8:Eu2+으로 선택되는 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광부는
    상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부;
    상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부;
    상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부; 및
    상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함하며,
    상기 제1 발광부, 상기 제2 발광부, 상기 제3 발광부 및 상기 제4 발광부 각각의 상기 발광소자는 상기 제3 색상의 광을 방출하고,
    상기 제1 발광부는 상기 제1 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제2 발광부는 상기 제2 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 적어도 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제4 발광부는 상기 제4 발광부의 광조절층에 분산되는 제5 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되고,
    상기 제5 색상의 형광체는 상기 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환하는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광부는
    상기 제1 서브 화소에 대응되고 상기 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광부;
    상기 제2 서브 화소에 대응되고 상기 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광부;
    상기 제3 서브 화소에 대응되고 상기 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광부; 및
    상기 제4 서브 화소에 대응되고 상기 제4 색상의 광을 방출하는 제4 발광부를 포함하며,
    상기 제1 발광부, 상기 제2 발광부, 상기 제3 발광부 및 상기 제4 발광부 각각의 상기 발광소자는 상기 제3 색상의 파장 대역보다 낮은 파장 대역의 광을 방출하고,
    상기 제1 발광부는 상기 제1 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제1 색상의 광으로 변환하는 제1 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제2 발광부는 상기 제2 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제2 색상의 광으로 변환하는 제2 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제3 발광부는 상기 제3 발광부의 광조절층에 분산되고 상기 발광소자로부터 방출된 광 중 적어도 일부를 상기 제3 색상의 광으로 변환하는 제3 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제4 발광부는 상기 제4 발광부의 광조절층에 분산되는 상기 제1 색상의 형광체, 상기 제2 색상의 형광체 및 상기 제3 색상의 형광체를 더 포함하며,
    상기 제1 색상의 형광체는 Mg4GeO3F:Mn4+, 3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+, K2(Si, Ge, Ti)SiF6:Mn4+ 및 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ 중 적어도 하나로 선택되고,
    상기 제2 색상의 형광체는 Beta-SiAlON:Eu2+, SrGa2S4:Eu2+, BaAlMg10O17:Eu2+, Mn2+ , (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu2+ 및 (Lu,Y)3(Al, Ga)5O12:Ce3+ 중 적어도 하나로 선택되며,
    상기 제3 색상의 형광체는 BaAlMg10O17:Eu2+으로 선택되는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제4 발광부는 상기 광조절층에 분산된 제5 색상의 형광체 및 제6 색상의 형광체를 더 포함하고,
    상기 제5 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제2 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며,
    상기 제5 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제5 색상의 광으로 변환하고,
    상기 제6 색상은 상기 제1 색상의 파장 대역과 상기 제5 색상의 파장 대역 사이의 파장 대역에 대응되며,
    상기 제6 색상의 형광체는 상기 제3 발광소자로부터 방출된 상기 제3 색상의 광 중 일부를 상기 제6 색상의 광으로 변환하고,
    상기 제5 색상의 형광체는 (Y, Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ 또는 (Lu,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+으로 선택되며,
    상기 제6 색상의 형광체는 Alpha-SiAlON 또는 Sr3SiO5:Eu2+으로 선택되는 표시 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는
    일 방향에서 한 개의 제1 서브 화소, 한 개의 제4 서브 화소, 한 개의 제3 서브 화소 및 한 개의 제4 서브 화소가 상호 나란하게 반복 배열되는 제1 화소열과,
    상기 일 방향에 교차하는 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열과 교번하고, 상기 일 방향에서 한 개의 제2 서브 화소 및 한 개의 제4 서브 화소가 상호 나란하게 반복 배열되는 제2 화소열을 포함하며,
    상기 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제1 화소열의 제3 서브 화소 각각은 상기 제2 화소열의 제4 서브 화소와 이웃하고,
    상기 다른 일 방향에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소는 상기 제1 화소열의 제4 서브 화소와 이웃하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각의 양측은 상기 제4 서브 화소와 이웃하는 표시 장치.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 여덟 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련되고,
    상기 복수의 화소 각각은
    상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제3 서브 화소와 두 개의 제4 서브 화소, 및
    상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 두 개의 제2 서브 화소와 두 개의 제4 서브 화소로 이루어지는 표시 장치.
  21. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는
    일 방향에서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제1 화소열과,
    상기 일 방향에서 상기 제2 서브 화소와 상기 제3 서브 화소가 상호 나란하게 번갈아 배열되는 제2 화소열과,
    상기 일 방향에서 상기 제4 서브 화소가 나란하게 배열되는 제3 화소열을 포함하고,
    상기 일 방향에 교차하는 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열과 상기 제2 화소열은 상호 이웃하며,
    상기 다른 일 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소는 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소와 이웃하고 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소는 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소와 이웃하며,
    상기 다른 일 방향에서 상기 제3 화소열은 상기 제1 화소열의 일측과 상기 제2 화소열의 다른 일측 사이에 배치되는 표시 장치.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열 중 한 개의 제2 서브 화소 및 한 개의 제3 서브 화소와 이웃하며, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열 중 한 개의 제1 서브 화소 및 한 개의 제2 서브 화소와 이웃하고,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 일 방향에서 소정의 제1 너비로 이루어지고,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비의 두 배보다 큰 제2 너비로 이루어지는 표시 장치.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 소정의 제3 너비로 이루어지고,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비보다 작은 제4 너비로 이루어지는 표시 장치.
  24. 제22 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 다섯 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련되고,
    상기 복수의 화소 각각은
    상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 및
    상기 제3 화소열 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어지는 표시 장치.
  25. 제21 항에 있어서,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상호 동일한 너비로 이루어지는 표시 장치.
  26. 제25 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 여섯 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련되고,
    상기 복수의 화소 각각은
    상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소, 및
    상기 제3 화소열 중 두 개의 제4 서브 화소로 이루어지는 표시 장치.
  27. 제21 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소의 배열 형태는
    상기 다른 일 방향에서 상기 제4 서브 화소가 나란하게 배열되는 교차열을 더 포함하고,
    상기 교차열 중 상기 제1 화소열 및 상기 제2 화소열에 대응되는 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 적어도 하나와 이웃하고, 상기 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 적어도 하나와 이웃하며,
    상기 교차열 중 상기 제3 화소열에 대응되는 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제3 화소열의 제4 서브 화소와 이웃하는 표시 장치.
  28. 제27 항에 있어서,
    상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향 및 상기 다른 일 방향에 교차하는 제1 대각 방향에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 사이에 배치되고, 상기 제1 대각 방향에 수직한 제2 대각 방향에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 사이에 배치되는 표시 장치.
  29. 제27 항에 있어서,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소와 이웃하며,
    상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 화소열 및 상기 제2 화소열과 이웃하고,
    상기 교차열 중 다른 나머지 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제3 화소열과 이웃하며,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 일 방향에서 소정의 제1 너비로 이루어지고,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비의 두 배보다 큰 제2 너비로 이루어지며,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각은 상기 다른 일 방향에서 소정의 제3 너비로 이루어지고,
    상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 제3 너비의 두 배보다 큰 제4 너비로 이루어지는 표시 장치.
  30. 제29 항에 있어서,
    상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비로 이루어지고 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비로 이루어지는 표시 장치.
  31. 제29 항에 있어서,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향에서 상기 제3 너비보다 작은 제5 너비로 이루어지고,
    상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제1 너비보다 작은 제6 너비로 이루어지며,
    상기 교차열 중 다른 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향에서 상기 제6 너비로 이루어지고 상기 다른 일 방향에서 상기 제5 너비로 이루어지는 표시 장치.
  32. 제29 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 일곱 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련되고,
    상기 복수의 화소 각각은
    상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제3 화소열 중 한 개의 제4 서브 화소,
    상기 교차열의 일부 중 한 개의 제4 서브 화소, 및
    상기 교차열의 다른 일부 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어지는 표시 장치.
  33. 제27 항에 있어서,
    상기 제3 화소열의 제4 서브 화소는 상기 다른 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 다른 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하며,
    상기 교차열 중 일부의 제4 서브 화소는 상기 일 방향의 일측에서 상기 제1 화소열의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제2 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하고, 상기 일 방향의 다른 일측에서 상기 제1 화소열의 제2 서브 화소 및 상기 제2 화소열의 제3 서브 화소 중 어느 하나와 이웃하며,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소는 상기 일 방향 및 상기 다른 일 방향 각각에서 상호 동일한 너비로 이루어지는 표시 장치.
  34. 제33 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 중 상기 일 방향 또는 상기 다른 일 방향에서 상호 이웃한 아홉 개의 서브 화소로 각각 이루어진 복수의 화소가 마련되고,
    상기 복수의 화소 각각은
    상기 제1 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제1 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제2 화소열 중 상호 이웃한 한 개의 제3 서브 화소와 한 개의 제2 서브 화소,
    상기 제3 화소열 중 두 개의 제4 서브 화소,
    상기 교차열의 일부 중 두 개의 제4 서브 화소, 및
    상기 교차열의 다른 일부 중 한 개의 제4 서브 화소로 이루어지는 표시 장치.
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