CN111627967B - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111627967B
CN111627967B CN202010486832.4A CN202010486832A CN111627967B CN 111627967 B CN111627967 B CN 111627967B CN 202010486832 A CN202010486832 A CN 202010486832A CN 111627967 B CN111627967 B CN 111627967B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
electrode
light emitting
display device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010486832.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111627967A (zh
Inventor
陈联祥
郭拱辰
徐圣凯
朱夏青
史梅君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to CN202010486832.4A priority Critical patent/CN111627967B/zh
Publication of CN111627967A publication Critical patent/CN111627967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111627967B publication Critical patent/CN111627967B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

本发明的显示设备包括:一第一基板;多条数据线设置于该第一基板上;以及多个像素,设置于该第一基板上,该些像素包含一第一像素及一第二像素,该第二像素为与该第一像素最靠近的像素,且该些像素分别包含一第一电极;其中,该第一像素的该第一电极与该些数据线之一者部分重叠,且该第二像素的该第一电极与该些数据线之另一者部分重叠。

Description

显示设备
本申请是分案申请,母案的申请号:201610809206.8,申请日:2016年9月8日,名称:显示设备。
技术领域
本发明提供一种显示设备,尤指一种可提升其制作良率的显示设备。
背景技术
随着显示器技术不断进步,所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器,如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中,薄型显示器可应用的领域相当多,举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示面板,大多数均使用该些显示面板。
其中,有机发光二极管装置具有:重量轻、厚度薄、亮度高、反应速度快、视角大、不需要背光源、制造成本低、及可弯曲等优势,而极具潜力为下一世代的显示设备。
在有机发光二极管装置的制作过程中,必须以蒸镀的方式形成可发出不同颜色的发光层。然而,若不同颜色的像素两者太过接近,蒸镀所使用的掩模必须更加精细,且不同颜色彼此之间也有可能会产生混色的情形。
有鉴于此,目前亟需发展一种有机发光二极管装置,借由改善像素的设计,而可提升有机发光二极管装置的制作良率。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种显示设备,以提升显示面板的制作良率。
本发明的显示设备包括:一第一基板;一数据线,沿着一数据线延伸方向延伸,且该数据线设置于该第一基板上;以及多个像素,设置于该第一基板上。其中,该些像素分别包含:一薄膜晶体管组件,设置于该第一基板上;一第一绝缘层,设置于该薄膜晶体管组件上且包含一上表面,该第一绝缘层包含至少一通孔;一第一电极,设置于该第一绝缘层的该上表面上,该第一电极通过该通孔与该薄膜晶体管组件电性连接;一像素定义层,设置于该第一电极及该第一绝缘层上,且曝露出部分该第一电极以形成一发光区域;一发光层,设置于该第一电极上且设于该发光区域中;以及一第二电极,设置于该发光层上。其中,该些像素包含一第一像素,于该第一像素中,该通孔于该第一绝缘层的该上表面具有一第一轮廓,而该发光区域具有一第二轮廓;该第一轮廓具有一第一点,该第二轮廓具有一第二点,该第一轮廓与该第二轮廓的最短距离为该第一点与该第二点的距离,该第一点与该第二点的连线的一第一延伸方向与该数据线延伸方向形成一锐角,该锐角介于10~80度之间。
本发明的另一显示设备包括:一第一基板;一数据线,沿着一数据线延伸方向延伸,且该数据线设置于该第一基板上;以及多个像素,设置于该第一基板上,该些像素分别包含:一薄膜晶体管组件,设置于该第一基板上,该薄膜晶体管组件包含一第一金属层、一半导体层及一第二金属层,该第二金属层设置于该半导体层上,且该第一金属层对应该半导体层设置;一第一绝缘层,设置于该薄膜晶体管组件上且包含一上表面,该第一绝缘层包含至少一通孔;一第一电极,设置于该第一绝缘层的该上表面上,该第一电极与该第二金属层电性连接;一像素定义层,设置于该第一电极及该第一绝缘层上,且曝露出部分该第一电极以形成一发光区域;一发光层,设置于该第一电极上;以及一第二电极,设置于该发光层上;其中,该些像素的其中一像素为一第一像素,于该第一像素中,该通孔于该绝缘层的该上表面具有一第一轮廓,而该发光区域具有一第二轮廓;其中,该第一轮廓具有一第一点,该第二轮廓具有一第二点,该第一轮廓与该第二轮廓的最短距离为该第一点与该第二点的距离,该第一点与该第二点的连线的一第一延伸方向与该数据线延伸方向不平行也不垂直。
在本发明的显示设备中,当通孔于第一绝缘层上表面的第一轮廓与发光区域的第二轮廓间的最短距离的连线的第一延伸方向与数据线延伸方向不平行且不垂直时,则发光区域可偏离数据线;借由将发光区域设计成与数据线偏离,可维持像素间彼此的间距,进而提升显示设备的制作良率。
更具体而言,若通孔与数据线延伸方向平行或垂直设置时,即通孔的第一轮廓和发光区域的第二轮廓间的最短距离的第一延伸方向与数据线延伸方向相同或垂直时,且在发光区于显示区的摆放位置不变的情形下,则会使得通孔与当个像素或相邻像素太过接近而容易有短路的情形发生,或者相邻像素容易有混色的情形产生,而造成显示设备的良率降低;且当形成发光层时,所需使用的掩模也必须更精细。然而,若为了避免混色的情形,而将发光区域彼此之间的间距放大,如此又会造成显示设备的显示区所能摆放的像素数目减少。因此,于本发明的显示设备中,借由将发光区域设计成偏离数据线摆放,如此可在有限的显示区面积中,在不减少像素数目的情形下,提升显示设备的制作良率。
附图说明
图1为本发明实施例1的有机发光二极管显示设备剖面示意图。
图2为本发明实施例1的有机发光二极管显示设备的显示区剖面示意图。
图3为本发明实施例1的有机发光二极管显示设备的显示区的部分上视图。
图4为图3的包含第一像素的区域的放大图。
图5为图3的包含第一像素、第二像素及第三像素的区域的放大图。
图6为本发明实施例2的有机发光二极管显示设备的显示区的部分上视图。
图7为本发明实施例3的有机发光二极管显示设备的显示区的部分上视图。
【符号说明】
11 第一基板 12 第二基板
13 胶材 14 支撑组件
15 有机发光二极管单元 151,1511,1512,1513 第一电极
152 发光层 153 第二电极
16 像素定义层 161 像素开口
1611 第二轮廓 1612 第四轮廓
1612a 第一边缘 1612b 第二边缘
1612c 第三边缘 1612d 第四边缘
1613 第六轮廓 21 半导体层
22 栅极绝缘层 23 第一金属层
24 第二绝缘层 25 第二金属层
251 数据线 26 第一绝缘层
261 上表面 262,2621,2622,2623 通孔
2631 第一轮廓 2632 第三轮廓
2633 第五轮廓 AA 示区
B 外围区 D1,D11 第一间隔距离
D2,D21 第二间隔距离 E,E1,E2,E3,E4 发光区域
L1-L1’ 剖面线 P1 第一点
P2 第二点 P3 第三点
P4 第四点 P5 第五点
P6 第六点 Px1 第一像素
Px2 第二像素 Px3 第三像素
Px4 第四像素 TFT 薄膜晶体管组件
W1 第一宽度 W2 第二宽度
W3 第三宽度 W4 第四宽度
W5 第五宽度 W6 第六宽度
W7 第七宽度 X 方向
Y 数据线延伸方向 θ1 锐角
θ2 夹角
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可借由其他不同的具体实施例加以实施或应用,本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用,在不悖离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
再者,说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词,以修饰权利要求的组件,其本身并不包含及代表该组件有任何之前的序数,也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序,该些序数的使用仅用来使具有某命名的一组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。
实施例1
图1为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。于有机发光二极管显示设备的制作过程中,先提供一第一基板11及一第二基板12。其中,第一基板11上设置有一有机发光二极管单元15及一像素定义层16,其中每一像素定义层16设于两相邻的有机发光二极管单元15间。同时,第一基板11与第二基板12之间则设置有多个支撑组件14,并于第二基板12的边缘先形成有一胶材13(于本实施例中,为一玻璃胶材),且胶材13通过点胶及加热烧结制程接合于第二基板12上。接着,将第一基板11及第二基板12进行对组,其中第二基板12上的支撑组件14对应于像素定义层16上的未形成有像素开口161的区域。而后,以激光加热的方式,使胶材13与第一基板11进行接合,而制得本实施例的有机发光二极管显示设备。
在本实施例中,第一基板11及第二基板12可为玻璃基板或塑料基板等具有弹性的基板或膜材,但其他实施例并不仅限于此。此外,如图1所示,本实施例的有机发光二极管显示设备包括一显示区AA及一外围区B,所谓的外围区B即走线分布的区域,而所谓的显示区AA则为布设有前述有机发光二极管单元15以及薄膜晶体管组件(图未示)的区域。再者,在本实施例中,每一有机发光二极管单元15可分别发出红光、绿光及蓝光,但其他实施例并不仅限于此;举例来说,有机发光二极管单元15可为一白光有机发光二极管单元,在此情形下,第一基板11或第二基板12的其中一侧还需设置一彩色滤光组件(图未示)。
此外,如图1所示,于本实施例的有机发光二极管显示面板中,有机发光二极管单元15包括于第一基板11上依序叠置的一第一电极151、一发光层152及一第二电极153;其中,第一电极151与第一基板11上的薄膜晶体管组件(图未示)电性连接,而像素定义层16设于部分第一电极151上,且通过像素定义层16的像素开口161以定义出光区域。在此,仅以包含有第一电极151、发光层152及第二电极153的有机发光二极管组件作为举例,但本发明并不限于此;其他本技术领域常用的有机发光二极管组件均可应用于本发明的有机发光二极管显示面板中,例如:包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层、空穴注入层、及其他可帮助电子空穴传输结合的层的有机发光二极管组件均可应用于本发明中。
接下来,将详细描述本实施例的有机发光二极管显示设备中第一基板11上显示区AA的像素结构及其制作方法。
图2为本实施例的有机发光二极管显示设备的显示区剖面示意图。于本实施例的显示设备中,第一基板11上方设置有薄膜晶体管组件TFT,而其制作方法约略如下所述。首先,提供一第一基板11,其上方还形成有一半导体层21,其由非晶硅激光退火后所形成的多晶硅层,但其他实施例并不仅限于此。接着,于第一基板11上依序形成一栅极绝缘层22、一第一金属层23、及一第二绝缘层24。其中,第一金属层23作为一栅极;而栅极绝缘层22及第二绝缘层24的材料可为绝缘层材料,如氧化硅、氮化硅等,但其他实施例并不仅限于此。而后,再于第二绝缘层24上形成一第二金属层25。其中,位于薄膜晶体管组件TFT上的第二金属层25还贯穿第二绝缘层24,而做为源极及漏极;而位于薄膜晶体管组件TFT的第二金属层25包括一数据线251。
在此,第一基板11上的薄膜晶体管组件TFT为低温多晶硅薄膜晶体管;然而,在其他实施例中,薄膜晶体管组件的方式与结构并不仅限于图2所示的薄膜晶体管组件TFT。此外,于本发明其他实施例中,薄膜晶体管组件并非仅包括如图2所示的各层别,亦可包括其他层别,如缓冲层及其他绝缘层,以帮助各层之间的附着性及薄膜晶体管组件的电性。于本发明其他实施例中,薄膜晶体管组件也可以是下栅极(bottom gate)薄膜晶体管组件,也就是先在第一基板11上形成第一金属层23后再设置栅极绝缘层22及半导体层21,接着再设置其他层别。
于形成第二金属层25后,还于第一基板11上依序形成一第一绝缘层26、一第一电极层151、一像素定义层16、一有机显示介质层152及一第二电极层153,则完成本实施例的有机发光二极管单元15。其中,第一绝缘层26可使用本技术领域常用的平坦层材料所制作,但其他实施例并不仅限于此;像素定义层16亦可使用本技术领域常用的绝缘层材料所制作,并图案化后形成像素开口161以定义发光区域E;至于第一电极层151可选用本发明所属技术领域已知的反射电极或透明电极(优选为,反射电极),而第二电极层153可选用本发明所属技术领域已知的透明电极或半透明电极。其中,反射电极可例如为Ag、Ge、Al、Cu、Mo、Ti、Sn、AlNd、ACX、APC等所制成的电极;透明电极可为透明氧化物电极(TCO电极),如ITO电极或IZO电极;而半透明电极可为一金属薄膜电极,如镁银合金薄膜电极、金薄膜电极、铂薄膜电极、铝薄膜电极等。此外,若需要,本实施例的第二电极层153可选用透明电极与半透明电极的复合电极,如:TCO电极与铂薄膜电极的复合电极。需说明的是,第一电极层151及第二电极层153所使用的材料均于其他实施例中并不仅限于此。
在本实施例中,前述的层别均通过本技术领域的图案化制程制作,以形成包括开口的特定图案。
图3为本实施例的有机发光二极管显示设备的显示区的部分上视图;其中,图2即为图3中剖面线L1-L1’的剖面示意图。如图3所示,本实施例的显示设备包括多个像素,如:第一像素Px1、第二像素Px2、第三像素Px3及第四像素Px4。
图4为图3的包含第一像素Px1的区域的放大图。如图2至图4所示,本实施例的显示设备包括:一第一基板11;一数据线251,沿着一数据线延伸方向Y延伸,且数据线251设置于第一基板11上;以及多个像素(包括:第一像素Px1、第二像素Px2、第三像素Px3及第四像素Px4),设置于第一基板11上。其中,该些像素分别包含:一薄膜晶体管组件TFT,设置于第一基板11上,薄膜晶体管组件TFT包含一第一金属层23、一半导体层21及一第二金属层25,第二金属层25设置于半导体层21上,且第一金属层23对应半导体层21设置;一第一绝缘层26,设置于薄膜晶体管组件TFT上且包含一上表面261,第一绝缘层26包含至少一通孔262;一第一电极151,设置于第一绝缘层26的上表面261上,第一电极151通过通孔262与第二金属层25电性连接,更详细的说,部分该第一电极151延伸入该通孔262内而与该第二金属层25电性连接;一像素定义层16,设置于第一绝缘层26及部分第一电极151上,且曝露出部分第一电极151以形成一发光区域E;一发光层152,设置于第一电极151上且设于发光区域E中;以及一第二电极153,设置于发光层152上。
如图3所示,于本实施例的显示设备中,像素的其中一像素为一第一像素Px1。如图2及图4所示,于第一像素Px1中,通孔2621(等同于图2所示的通孔262)于第一绝缘层26的上表面261具有一第一轮廓2631,而发光区域E1(等同于图2所示的发光区域E)于第一电极151的上表面具有一第二轮廓1611;其中,第一轮廓2631具有一第一点P1,第二轮廓1611具有一第二点P2,第一轮廓2631与第二轮廓1611的最短距离为第一点P1与第二点P2的距离,第一点P1与第二点P2的连线的一第一延伸方向与数据线延伸方向Y不平行也不垂直,于另一实施例中,第一点P1与第二点P2的连线的一第一延伸方向与数据线延伸方向Y可形成一介于10~80度之间的锐角θ1(取两延伸方向所夹出的锐角来看)。需说明的是,数据线可为一直线、一弯曲线或具有弯曲部的线,只要数据线具有一数据线延伸方向Y,即为本发明的范畴。于本实施例的显示设备中,当通孔2621(等同于图2所示的通孔262)于第一绝缘层26的上表面261的第一轮廓2631与发光区域E1(等同于图2所示的发光区域E)的第二轮廓1611间的最短距离的第一延伸方向与数据线延伸方向Y不同而形成一锐角时,则发光区域E1可偏离数据线251;借由将发光区域E1设计成与数据线251偏离,可维持像素间彼此的间距,进而提升显示设备的制作良率。
更具体而言,若发光区域E1与数据线延伸方向Y垂直设置时,即通孔2621(等同于图2所示的通孔262)的第一轮廓2631和发光区域E1(等同于图2所示的发光区域E)的第二轮廓1611间的最短距离的第一延伸方向与数据线延伸方向Y实质上垂直时,且在通孔2621(等同于图2所示的通孔262)于显示区的摆放位置不变的情形下,则会使得相邻像素容易有混色的情形产生,而造成显示设备的良率降低,且当形成发光层152时,所需使用的掩模也必须更精细;若发光区域E1与数据线延伸方向Y平行设置时,即通孔2621(等同于图2所示的通孔262)的第一轮廓2631和发光区域E1(等同于图2所示的发光区域E)的第二轮廓1611间的最短距离的第一延伸方向与数据线延伸方向Y实质上平行时,且在通孔2621(等同于图2所示的通孔262)于显示区的摆放位置不变的情形下,则会使得第一电极可被曝露的范围变小,也就是发光区域E1缩小,造成整体发光效率的降低。然而,若为了避免前述情形,而将发光区域E1(等同于图2所示的发光区域E)彼此之间的间距放大,如此又会造成显示设备的显示区所能摆放的像素数目减少。因此,于本发明的显示设备中,借由将发光区域E1设计成偏离数据线251摆放,也就是偏离通孔2621摆放,如此可在有限的显示区面积中,在不减少像素数目的情形下,提升显示设备的制作良率。
此外,如图4所示,于本实施例的显示设备中,第一轮廓2631具有弧形边缘。特别是,第一轮廓2631具有一类椭圆形外型。其中,第一轮廓2631于数据线延伸方向Y上具有一第一宽度W1,第一轮廓2631于与数据线延伸方向Y垂直的方向X上具有一第二宽度W2,且第一宽度W1不等于第二宽度W2。于另一实施例中,第一宽度W1大于第二宽度W2;此时,第一轮廓2631的类椭圆形外型的长轴的长度方向与数据线延伸方向Y大略平行。若第一宽度W1小于第二宽度W2时,因第一轮廓2631的类椭圆形外型的长轴的长度方向与数据线延伸方向Y大略垂直,导致第一轮廓2631的边缘与相邻数据线251太过接近(请参考图3),若在形成通孔2621的黄光显影制程时有误差时,容易造成短路的情形发生。
图5为图3的包含第一像素Px1、第二像素Px2及第三像素Px3的区域的放大图。如图2及图5所示,于本实施例的显示设备的像素中,第二像素Px2与第一像素Px1相邻,且为与第一像素Px1距离最近而最靠近的像素。于第二像素Px2中,通孔2622(等同于图2所示的通孔262)于第一绝缘层26的上表面261具有一第三轮廓2632,发光区域E2(等同于图2所示的发光区域E)具有一第四轮廓1612;其中,第三轮廓2632具有一第三点P3,第四轮廓1612具有一第四点P4,第三轮廓2632与第四轮廓1612的最短距离为第三点P3与第四点P4的距离,而第三点P3与第四点P4的连线的一第二延伸方向不同于第一点P1与第二点P2的连线的第一延伸方向。在另一实施例中,第一延伸方向与第二延伸方向的夹角θ2介于60~120度之间。
如图2、图3及图5所示,在本实施例的显示设备的像素中,该些像素沿着数据线延伸方向Y排列,及沿着垂直数据线延伸方向Y的一方向X排列,与第一像素Px1相邻且位于方向X上的像素为一第三像素Px3。于第三像素Px3中,通孔2623(等同于图2所示的通孔262)于第一绝缘层26的上表面261具有一第五轮廓2633,发光区域E3(等同于图2所示的发光区域E)具有一第六轮廓1613;其中,第五轮廓2633具有一第五点P5,第六轮廓1613具有一第六点P6,第五轮廓2633与第六轮廓1613的最短距离为第五点P5与第六点P6的距离,且第五点P5与第六点P6的连线为一第三延伸方向。其中,第一像素Px1的发光区域E1于第一延伸方向(第一点P1与第二点P2的连线)上具有一第三宽度W3,第三像素Px3的发光区域E3于第三延伸方向(第五点P5与第六点P6的连线)上具有一第四宽度W4,-而第三宽度W3不等于第四宽度W4。
此外,在本实施例中,第三像素Px3与第一像素Px1相邻且与第一像素Px1具有相同颜色。
再者,如图3及图5所示,于本实施例中,第一像素Px1的发光区域E1具有一类椭圆形外型,且第一像素Px1的第一电极151与数据线251重叠;该些像素还包含一第二像素Px2及一第四像素Px4,且第二像素Px2的发光区域E2小于第四像素Px4的发光区域E4;第二像素Px2的发光区域及第四像素Px4的发光区域分别位于第一像素Px1或是一数据线251的两侧,第二像素Px2及第四像素Px4排列于同一列,且与第一像素Px1的发光区域位于不同列,第二像素Px2与第一像素Px1相邻且位于第一像素Px1的发光区域E1的类椭圆形外型的长轴的延伸方向上,而第四像素Px4与第一像素Px1相邻且位于第一像素Px1的发光区域E1的类椭圆形外型的短轴的延伸方向上。
如图5所示,于本实施例中,第一像素Px1的发光区域E1与第三像素Px3的发光区域E3均具有类椭圆形的外型,而其长轴的长度方向并不相同。特别是,如图3及图5所示,第四像素Px4的发光区域E4面积大于第二像素Px2的发光区域E2面积,其中第二像素Px2与第一像素Px1相邻且排列于第一像素Px1的发光区域E1的类椭圆形外型的长轴的延伸方向上,而第四像素Px4与第一像素Px1相邻且排列于第一像素Px1的发光区域E1的发光区域E3的类椭圆形外型的短轴的延伸方向上。当第一像素Px1的发光区域E1与第三像素Px3的发光区域E3的长轴的长度方向不同,特别是,这些长轴的长度方向均朝向具有较小发光区域的第二像素Px2,如此可补偿第二像素Px2的亮度,使得显示设备的整体亮度更加均匀。
在本实施例中,第一像素Px1的发光区域E1与第三像素Px3的发光区域E3均具有类椭圆形的外型;然而,本发明并不仅限于此,第一像素Px1的发光区域E1与第三像素Px3的发光区域E3也可具有类长方形的外型,只要类长方形的发光区域E1及发光区域E3其长轴长度方向不同且面积较小的第二像素Px2排列于类长方形外型的长轴的延伸方向上即可。
此外,如图4所示,于与第一延伸方向(第一点P1与第二点P2的连线)垂直的方向上,第一像素Px1的第二轮廓1611与第一电极151的边缘具有一第一间隔距离D1与一第二间隔距离D2,且第一间隔距离D1不等于第二间隔距离D2。
再者,如图5所示,于与第二延伸方向(第三点P3与第四点P4的连线)垂直的方向上,第二像素Px2的第二轮廓1612与第一电极1512的边缘也相同具有一第一间隔距离D11与一第二间隔距离D21,且第一间隔距离D11不等于第二间隔距离D21。在此,第二像素Px2的发光区域具有类矩形的外型,且具有一邻近通孔2622的第一边缘1612a、一与第一边缘1612a相对的第二边缘1612b、及介于第一边缘1612a及第二边缘1612b间的第三边缘1612c及第四边缘1612d;而第一间隔距离D11及第二间隔距离D21分别为第一电极1512的边缘与第三边缘1612c间的距离及第一电极1512的边缘与第四边缘1612d间的距离。
此外,如图4所示,于与第一延伸方向(第一点P1与第二点P2的连线)垂直的方向上,第一像素Px1的第一电极1511于对应第一轮廓2631处具有一第五宽度W5,第一像素Px1的第一电极1511于第一轮廓2631与第二轮廓1611间具有一第六宽度W6,且第六宽度W6大于第五宽度W5。如此,第一电极1511由第一轮廓2631至第二轮廓1611有一渐宽的设计,由此可避免第一电极1511于第一轮廓2631与第二轮廓1611间有较高热能的产生。在另一实施例中,第一像素Px1的第一电极1511于对应第二轮廓1611处具有一第七宽度W7,第七宽度W7大于第六宽度W6。
实施例2及3
图6及图7分别为实施例2及3的有机发光二极管显示设备的显示区的部分上视图。其中,实施例2及3的有机发光二极管显示设备的特征与实施例1大致相同,除了第一电极、发光区域、通孔的外型及摆放位置不同而已。
在本发明中,前述实施例所制得的显示设备,可与触控面板合并使用,而做为一触控显示设备。同时,本发明前述实施例所制得的显示设备或触控显示设备,可应用于本技术领域已知的任何需要显示屏幕的电子装置上,如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等需要显示影像的电子装置上。
上述实施例仅为了方便说明而举例而已,本发明所主张的权利范围自应以权利要求所限定所述范围为准,而非仅限于上述实施例。

Claims (10)

1.一种显示设备,其特征在于,包括:
一第一基板;
多条数据线,设置于该第一基板上;以及
多个像素,设置于该第一基板上,该些像素包含一第一像素及一第二像素,该第二像素为与该第一像素最靠近的像素,且该些像素分别包含一第一电极;
其中,该第一像素的该第一电极与该些数据线之一者部分重叠,且该第二像素的该第一电极与该些数据线之另一者部分重叠。
2.如权利要求1所述的显示设备,其中该第一像素包含一通孔,该第一像素的该通孔与该些数据线之该一者不重叠,且该第二像素包含一通孔,该第二像素的该通孔与该些数据线之该另一者不重叠。
3.如权利要求1所述的显示设备,其中该些像素包含一第三像素,该第三像素为沿着一与该些数据线延伸方向垂直的方向上与该第一像素相邻排列的像素。
4.如权利要求3所述的显示设备,其中该第三像素的该第一电极与该些数据线之又一者部分重叠。
5.如权利要求3所述的显示设备,其中该第三像素包含一通孔,该第三像素的该通孔与该些数据线之又一者不重叠。
6.如权利要求3所述的显示设备,其中该第一像素与该第三像素具有相同颜色。
7.如权利要求1所述的显示设备,其中该些像素分别包含一像素定义层,设置于该第一基板上且曝露出部分该些像素的该第一电极以形成一发光区域。
8.如权利要求7所述的显示设备,其中该第一像素的该发光区域与该些数据线之该一者部分重叠,该第二像素的该发光区域与该些数据线之该另一者部分重叠。
9.如权利要求7所述的显示设备,其中该些像素包含一第三像素,该第三像素为沿着一与该些数据线延伸方向垂直的方向上与该第一像素相邻排列的像素,其中该第一像素的该发光区域与该些数据线之该一者部分重叠,该第三像素的该发光区域与该些数据线之又一者部分重叠。
10.如权利要求2所述的显示设备,其中该第一像素的该通孔具有一类椭圆形外型。
CN202010486832.4A 2016-09-08 2016-09-08 显示设备 Active CN111627967B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010486832.4A CN111627967B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010486832.4A CN111627967B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备
CN201610809206.8A CN107808892B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610809206.8A Division CN107808892B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111627967A CN111627967A (zh) 2020-09-04
CN111627967B true CN111627967B (zh) 2022-12-23

Family

ID=61281338

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010486832.4A Active CN111627967B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备
CN201610809206.8A Active CN107808892B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610809206.8A Active CN107808892B (zh) 2016-09-08 2016-09-08 显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (5) US10236329B2 (zh)
KR (1) KR102562108B1 (zh)
CN (2) CN111627967B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170050729A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111627967B (zh) * 2016-09-08 2022-12-23 群创光电股份有限公司 显示设备
KR102587116B1 (ko) 2018-05-31 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102575029B1 (ko) 2018-11-14 2023-09-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200091059A (ko) * 2019-01-21 2020-07-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210013493A (ko) * 2019-07-26 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
AU2019279972B2 (en) 2019-07-31 2021-08-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescent display panel and display device
CN112673477A (zh) * 2019-07-31 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示面板及显示装置
WO2021018303A2 (zh) * 2019-07-31 2021-02-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
US11500433B2 (en) * 2020-01-14 2022-11-15 Au Optronics Corporation Flexible electronic device
CN111653201B (zh) * 2020-06-30 2022-03-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置
US20220416005A1 (en) * 2020-10-20 2022-12-29 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN117500304A (zh) * 2022-07-22 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958340A (zh) * 2009-07-20 2011-01-26 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102736340A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备、电光装置的制造方法
CN103000657A (zh) * 2005-11-30 2013-03-27 精工爱普生株式会社 发光装置及电子设备
CN103487994A (zh) * 2013-05-22 2014-01-01 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
EP2790241A1 (en) * 2003-11-29 2014-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic electro luminescence display
CN104698646A (zh) * 2015-04-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999157A (en) * 1995-12-27 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform
KR100260611B1 (ko) * 1997-04-03 2000-07-01 윤종용 배선을 수리하기 위한 평판 표시 장치용 기판
JP5046529B2 (ja) * 2005-02-25 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4706845B2 (ja) * 2006-02-15 2011-06-22 凸版印刷株式会社 有機el素子の製造方法
JP5388500B2 (ja) * 2007-08-30 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4623138B2 (ja) * 2008-05-21 2011-02-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
CN102132204B (zh) * 2008-08-27 2013-06-26 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机以及有源矩阵基板的制造方法
US8259249B2 (en) * 2009-10-12 2012-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display device having the display substrate
KR101881852B1 (ko) * 2011-06-09 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102061283B1 (ko) * 2012-09-13 2020-01-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조
KR101938716B1 (ko) * 2012-05-03 2019-01-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102881712B (zh) * 2012-09-28 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、oled显示装置
KR102096051B1 (ko) * 2013-03-27 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TWI505004B (zh) * 2013-09-12 2015-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構
JP6453579B2 (ja) * 2014-08-08 2019-01-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR102227691B1 (ko) * 2014-09-30 2021-03-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104536215B (zh) * 2014-12-29 2017-12-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN104597670B (zh) * 2014-12-29 2017-10-10 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法及显示装置
JP6654280B2 (ja) * 2015-01-14 2020-02-26 天馬微電子有限公司 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法
KR102465379B1 (ko) * 2015-12-02 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
TWI559511B (zh) * 2016-03-03 2016-11-21 友達光電股份有限公司 導電元件基板、導電元件基板的製造方法以及顯示面板
CN111627967B (zh) 2016-09-08 2022-12-23 群创光电股份有限公司 显示设备
KR20200037027A (ko) * 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2790241A1 (en) * 2003-11-29 2014-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic electro luminescence display
CN103000657A (zh) * 2005-11-30 2013-03-27 精工爱普生株式会社 发光装置及电子设备
CN101958340A (zh) * 2009-07-20 2011-01-26 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102736340A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备、电光装置的制造方法
CN103487994A (zh) * 2013-05-22 2014-01-01 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN104698646A (zh) * 2015-04-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102562108B1 (ko) 2023-07-31
CN107808892A (zh) 2018-03-16
KR20180028387A (ko) 2018-03-16
US20200381500A1 (en) 2020-12-03
US10236329B2 (en) 2019-03-19
US11335751B2 (en) 2022-05-17
US20180069065A1 (en) 2018-03-08
US11723239B2 (en) 2023-08-08
CN111627967A (zh) 2020-09-04
US20230329045A1 (en) 2023-10-12
US20220238617A1 (en) 2022-07-28
US10790343B2 (en) 2020-09-29
US20190165070A1 (en) 2019-05-30
CN107808892B (zh) 2020-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111627967B (zh) 显示设备
US11825713B2 (en) Display device
JP6756538B2 (ja) 表示装置
US10903297B2 (en) Bidirectional organic light emitting display device
CN112470287B (zh) 一种显示基板及相关装置
US20140217397A1 (en) Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP2018112859A (ja) 表示装置
CN111540779B (zh) 发光二极管显示设备
TWI606771B (zh) 顯示面板
US20090267075A1 (en) Oganic thin film transistor and pixel structure and method for manufacturing the same and display panel
CN110164880B (zh) 显示装置
KR101778364B1 (ko) 디스플레이 디바이스
WO2019120168A1 (zh) 基板及其制作方法、电子装置
US20200396835A1 (en) Bonding pad structure
CN115210878A (zh) 显示基板及显示装置
JP2010244828A (ja) 照明装置の製造方法及び画像表示装置の製造方法
WO2023137663A1 (zh) 显示基板和显示装置
CN110649082A (zh) 显示面板
CN117873341A (zh) 一种显示面板及显示装置
JP2021043373A (ja) 表示装置
CN111341809A (zh) 显示面板及显示装置
CN116096174A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant