CN102736340A - 电光装置、电子设备、电光装置的制造方法 - Google Patents

电光装置、电子设备、电光装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种具有所期望的保持电容并且降低由于像素电极的表面上的凹凸而引起的显示不匀的电光装置、具备该电光装置的电子设备和电光装置的制造方法。本实施例的作为电光装置的液晶装置在元件基板(10)上具备：晶体管；与晶体管对应设置的像素电极(15)；在元件基板(10)和像素电极(15)之间设置成一部分与像素电极(15)相对并隔着像素电极(15)和电介质层(14)构成保持电容的电容布线(3b)；其中电容布线(3b)被形成为埋入在元件基板(10)和像素电极(15)之间设置的绝缘膜(13)，其像素电极(15)一侧的面与绝缘膜(13)一同进行平坦化。

Description

电光装置、电子设备、电光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及电光装置、电子设备、电光装置的制造方法。
背景技术
作为上述电光装置，例如有使用薄膜晶体管(TFT)作为像素的开关元件的有源驱动型液晶显示装置。
在这种液晶显示装置中，在基板上形成包含薄膜晶体管、与其连接的各种布线和/或电容等的像素电路和/或其外围电路。
作为上述像素电路的构成，在专利文献1中公开了一种液晶显示装置，其在有源矩阵基板上隔着层间绝缘膜在像素电极和源极线层之间配置遮光性黑矩阵，通过施加特定电位，屏蔽源极线，并且与像素电极形成存储电容。
根据该液晶显示装置，通过用黑矩阵屏蔽源极线，可以降低由于源极线电位引起的串扰，具有大的像素保持电容，并且实现高的开口率。
专利文献1：特开平7-128685号公报
但是，在上述专利文献1的液晶显示装置中，有在像素电极中与黑矩阵重合的部分，即在构成上述像素保持电容的部分，产生台阶，并且在该台阶部分液晶分子的取向混乱，发生显示不匀的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述问题的至少一部分而提出的，能够实现为以下形式或者实施例。
实施例1
本实施例的电光装置，其特征在于，在基板上具备：晶体管；与上述晶体管对应设置的像素电极；在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对、并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容的电容布线；其中上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜，其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。
根据该构成，在隔着电介质层电容布线和像素电极重合的部分构成保持电容。此外，被设置电介质层的部分由于电容布线和绝缘膜的表面进行了平坦化，因此，在隔着电介质层配置的像素电极的表面不产生凹凸。即，能够提供确保像素的开口率并且使用像素电极构成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。
实施例2
优选地，在上述实施例的电光装置中，上述电容布线包含第1导电膜和覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜，上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一面。
根据该实施例，由于第1导电膜被第2导电膜保护，因此，在对电容布线的表面和绝缘膜的表面进行平坦化的工序中，第1导电膜不会损伤，至少确保第1导电膜中的导电性，构成没有电气异常的保持电容。
实施例3
在上述实施例的电光装置中，上述像素电极可以跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。
根据该实施例，与和1个电容布线重合的情况相比，能够增大保持电容中的电气电容。换句话说，容易确保所期望的电气电容。
实施例4
本实施例的电子设备的特征在于，具备上述实施例的电光装置。
根据该实施例，能够提供与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电子设备。
实施例5
本实施例的电光装置的制造方法的特征在于，包括：在基板上形成电容布线层的工序；覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序；研磨上述绝缘膜，使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。
根据该方法，像素电极在覆盖表面被平坦化的电容布线层和绝缘膜的电介质层上被形成为俯视看一部分与电容布线层重合。因此，在所形成的像素电极的表面不产生凹凸。即，能够制造确保像素的开口率并且使用像素电极形成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。
实施例6
上述实施例的电光装置的制造方法，其特征在于，形成上述电容布线层的步骤包括：形成第1导电膜的工序；形成覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序；对上述第1导电膜和上述第2导电膜进行图案化以形成上述电容布线层的工序。
根据该方法，由于第1导电膜被第2导电膜保护，因此，在研磨绝缘膜进行平坦化的工序中，能够防止第1导电膜损伤。即，能够至少确保第1导电膜中的导电性，形成没有电气异常的保持电容。
实施例7
本实施例的其它电光装置的制造方法的特征在于，包括：在基板上形成绝缘膜的工序；在上述绝缘膜形成沟部的工序；填埋上述沟部并且覆盖上述绝缘膜以形成电容布线层的工序；研磨上述电容布线层，在上述沟部中使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。
根据该方法，在预先形成在绝缘膜中的沟部形成电容布线层。因此，与研磨绝缘膜的情况相比，当研磨电容布线层更快时，能够分离电容布线层和绝缘膜，使电容布线层和绝缘膜各自迅速露出。此外，由于沟部被电容布线层填埋，因此，能够防止为了对电容布线层的表面和绝缘膜的表面进行平坦化而研磨电容布线层超过需要的情况。
实施例8
优选地，在上述实施例的电光装置的制造方法中，形成上述电容布线层的工序包括：形成第1导电膜的工序；形成覆盖上述第1导电膜并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序。
根据该方法，由于第1导电膜被第2导电膜保护，因此，在研磨电容布线层的工序中，能够防止第1导电膜损伤。即，能够至少确保第1导电膜中的导电性，形成没有电气异常的保持电容。
附图说明
图1(a)是表示液晶装置的构成的概略俯视图，图1(b)是以图1(a)的H-H′线切开的概略剖面图。
图2是表示液晶装置的电气构成的等效电路图。
图3是表示液晶装置中的像素配置的概略俯视图。
图4(a)和(b)是表示液晶装置中的像素构成的概略俯视图。
图5是表示以图4的A-A′线切开的像素构造的概略剖面图。
图6是表示以图4的B-B′线切开的像素构造的概略剖面图。
图7(a)～(f)是表示液晶装置的制造方法的概略剖面图。
图8是表示作为电子设备的投影型显示装置的构成的概略图。
图9(a)～(d)是表示变形例的液晶装置的制造方法(保持电容的形成方法)的概略剖面图。
符号说明：
3b：电容布线；10：作为基板的元件基板；12：作为绝缘膜的层间绝缘膜；12a：沟部；12b：层间绝缘膜的表面；13：绝缘膜；13a：绝缘膜的表面；14：电介质层；15：像素电极；30：作为晶体管的薄膜晶体管(TFT)；33：第1导电膜；34：第2导电膜；35：电容布线层；100：作为电光装置的液晶装置；1000：作为电子设备的投影型显示装置。
具体实施方式
以下根据附图对具体化本发明的实施方式进行说明。另外，所使用的图进行适当的放大和缩小显示，以使所说明的部分是能够辨认的状态。
另外，在以下的形式中，例如当记载为“在基板上”时，假设表示以下情况：以与基板接触的方式配置的情况、或者在基板上隔着其它构成物配置的情况、或者一部分以与基板接触的方式配置、一部分隔着其它构成物配置的情况。
第1实施方式
在本实施方式中，以具备薄膜晶体管(TFT)作为像素开关元件的作为电光装置的有源矩阵型液晶装置为例进行说明。该液晶装置可以作为例如以后说明的投影型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)适宜地使用。
液晶装置
首先，参照图1和图2对本实施方式的作为电光装置的液晶装置进行说明。图1(a)是表示液晶装置的构成的概略俯视图，图1(b)是以图1(a)的H-H′线切开的概略剖面图，图2是表示液晶装置的电气构成的等效电路图。
如图1(a)和图1(b)所示，本实施方式的液晶装置100具有：相对配置的元件基板10和对置基板20、由这一对基板夹持的液晶层50。元件基板10和对置基板20使用透明的例如石英等的玻璃基板。
元件基板10比对置基板20大一圈，两个基板通过配置成边缘形的密封材料40粘合，并在其间隙中封入具有正或负的电介质各向异性的液晶，构成液晶层50。密封材料40例如采用热硬化性或紫外线硬化性的环氧树脂等粘着剂。在密封材料40中混入用于保持一对基板的间隔为固定的间隙物(省略图示)。
在配置成边缘形的密封材料40的内侧，以相同的边缘形设置有遮光膜21。遮光膜21例如由遮光性的金属或金属氧化物等构成，遮光膜21的内侧成为具有多个像素P的显示区域E。另外，虽然在图1中省略了图示，但在显示区域E中也设置有俯视看划分多个像素P的遮光部。
在沿着元件基板10的一个边的与密封材料40之间设置有数据线驱动电路101。此外，在沿着与该一个边相对的另一边的密封材料40的内侧设置有检查电路103。进一步地，在沿着与该一个边正交且彼此相对的其它两个边的密封材料40的内侧设置有扫描线驱动电路102。在与该一个边相对的另一个边的密封材料40的内侧设置有连接两个扫描线驱动电路102的多个布线105。与这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102连接的布线与沿着该一个边排列的多个外部连接端子104连接。
以下将沿着该一个边的方向设为X方向并将沿着与该一个边正交且彼此相对的其它两个边的方向设为Y方向进行说明。
另外，检查电路103的配置并不限于此，也可以设置在沿着数据线驱动电路101和显示区域E之间的密封材料40的内侧的位置。
如图1(b)所示，在元件基板10的液晶层50一侧的表面，形成有对每个像素P设置的具有光透过性的像素电极15及作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)30、信号布线、覆盖它们的取向膜18。
此外，可以采用防止光入射到TFT 30中的半导体层而使开关操作变得不稳定的遮光结构。有关该遮光结构以后说明。
在对置基板30的液晶层50一侧的表面，设置有遮光膜21、以覆盖遮光膜21的方式成膜的层间膜层22、以覆盖层间膜层22的方式设置的共用电极23、覆盖共用电极23的取向膜24。
遮光膜21，如图1(a)所示，在俯视看与数据线驱动电路101和/或扫描线驱动电路102、检查电路103重合的位置设置成边缘形。这样，实现遮挡从对置基板20一侧入射的光，防止由于包含这些驱动电路的外围电路的光而引起的误操作的目的。此外，以不需要的杂散光不入射到显示区域E的方式进行遮挡，确保显示区域E的显示的高对比度。
层间膜层22例如由氧化硅等无机材料构成，具有光透过性，并以覆盖遮光膜21的方式设置。作为这种层间膜层22的形成方法，例如，可以列举使用等离子CVD法等进行成膜的方法。
共用电极23例如由ITO等透明导电膜构成，覆盖层间膜层22，并且通过如图1(a)所示在对置基板20的四个角设置的上下导通部106来与元件基板10一侧的布线电气连接。
覆盖像素电极15的取向膜18和覆盖共用电极23的取向膜24根据液晶装置100的光学设计而选定。例如，可以列举通过对聚酰亚胺等有机材料进行成膜并摩擦其表面来对液晶分子实施大致水平取向处理的例子、和/或使用气相成长法对SiOx(氧化硅)等无机材料进行成膜并对液晶分子进行大致垂直取向的例子。
如图2所示，液晶装置100具有：至少在显示区域E中彼此绝缘并正交的作为信号线的多个扫描线3a及多个数据线6a；以沿着数据线6a平行的方式配置的电容布线3b。
扫描线3a延伸的方向是X方向，数据线6a延伸的方向是Y方向。
在扫描线3a、数据线6a、电容布线3b以及被这些信号线划分的区域设置有像素电极15、TFT 30、两个保持电容C1、C2，这些构成像素P的像素电路。
扫描线3a与TFT 30的栅极电气连接，数据线6a与TFT 30的源极电气连接。像素电极15与TFT 30的漏极电气连接。
数据线6a与数据线驱动电路101(参照图1)连接，向像素P提供从数据线驱动电路101提供的图像信号D1、D2、…、Dn。扫描线3a与扫描线驱动电路102(参照图1)连接，并将从扫描线驱动电路102提供的扫描信号SC1、SC2、…、SCm提供给各像素P。从数据线驱动电路101提供给数据线6a的图像信号D1～Dn可以按该顺序依次提供，也可以对彼此相邻的多个数据线6a之间按每一组提供。扫描线驱动电路102对扫描线3a在预定的定时以脉冲方式顺序地提供扫描信号SC1～SCm。
液晶装置100被构成为通过将作为开关元件的TFT 30设为根据扫描信号SC1～SCm的输入而只在一定期间成为导通状态，将从数据线6a提供的图像信号D1～Dn在预定的定时写入像素电极15。然后，经由像素电极15写入液晶层50的预定电平的图像信号D1～Dn在像素电极15和隔着液晶层50相对配置的共用电极23之间保持一定时间。
为了防止所保持的图像信号D1～Dn泄漏，与在像素电极15和共用电极23之间形成的液晶电容并联地连接有保持电容C1、C2。保持电容C1、C2被设置在TFT 30的漏极和电容布线3b之间。详细内容以后说明，但保持电容C1、C2通过像素电极15的一部分隔着电介质层与相邻并行的两个电容布线3b重合而构成。在一个电容布线3b与像素电极15之间构成保持电容C1，在另一个电容布线3b与像素电极15之间构成保持电容C2。电容布线3b与固定电位连接。
另外，虽然图1(a)所示的检查电路103与数据线6a连接，并且在液晶装置100的制造过程中被构成为通过检测上述图像信号来确认液晶装置100的操作缺陷等，但在图2的等效电路中省略。此外，检查电路103也可以包含对上述图像信号进行采用并提供给数据线6a的采样电路、将预定电压水平的预充电信号先于图像信号提供给数据线6a的预充电电路。
这种液晶装置100是透过型的，采用像素P在非驱动时为亮显示的常白模式和/或在非驱动是为暗显示的常黑模式的光学设计。在光的入射一侧和射出一侧分别根据光学设计配置使用偏振光元件。
接着，参照图3～图6说明像素P的俯视面的配置和构造。图3是表示第1实施方式的液晶装置中的像素配置的概略俯视图，图4(a)和(b)是表示第1实施方式的液晶装置中的像素构成的概略俯视图，图5是表示以图4的A-A′线切开的像素构造的概略剖面图，图6是表示以图4的B-B′线切开的像素构造的概略剖面图。
如图3所示，液晶装置100中的像素P例如具有俯视看大致矩形的开口区域。开口区域被在X方向和Y方向上延伸的设置成格子形的遮光性非开口区域包围。
在X方向延伸的非开口区域设置有图2所示的扫描线3a。扫描线3a使用了遮光性的导电构件，由扫描线3a构成非开口区域的至少一部分。
同样，在Y方向延伸的非开口区域设置有图2所示的数据线6a和电容布线3b。数据线6a及电容布线3b也使用遮光性的导电构件，并由其构成非开口区域的至少一部分。
非开口区域不仅由在元件基板10一侧设置的上述信号线构成，也可以由在对置基板20一侧被图案化成格子形的遮光膜21构成。
在非开口区域的交叉部附近设置有图2所示的TFT 30。通过在具有遮光性的非开口区域的交叉部附近设置TFT 30，可防止TFT 30的光误操作，并且确保开口区域的开口率。有关详细的像素P的构造以后说明，但由于在交叉部附近设置TFT 30，因此，交叉部附近的非开口区域的宽度比其它部分大。
像素电极15被配置成其外边缘部相对于设置成格子形的非开口区域重合。
如图4(a)所示，像素P的TFT 30被设置在扫描线3a和数据线6a的交叉部。TFT 30具有LDD(轻掺杂漏)构造的半导体层30a，其中，LDD构造具有源极区域30s、漏极区域30d、沟道区域30c、在源极区域30s和沟道区域30c之间设置的接合区域30e、在沟道区域30c和漏极区域30d之间设置的接合区域30f。半导体层30a被配置成穿过上述交叉部，与扫描线3a重合。
扫描线3a在其与数据线6a的交叉部中具有在X、Y方向扩展的俯视看呈矩形的扩展部。设置具有与该扩展部俯视看重合并且与接合区域30f及漏极区域30d不重合的开口部的弯曲形状的栅极电极30g。
栅极电极30g在Y方向延伸的部分俯视看与沟道区域30c重合。此外，从与沟道区域30c重合的部分开始折弯并在X方向延伸，彼此相对的部分分别通过设置在其与扫描线3a的扩展部之间设置的接触孔CNT5、CNT6与扫描线3a电气连接。
接触孔CNT5、CNT6是俯视看X方向长的矩形(长方形)，并以沿着半导体层30a的沟道区域30c和接合区域30f而夹着接合区域30f的方式在两侧设置。
数据线6a在Y方向延伸，并且在其与扫描线3a的交叉部中同样具有俯视看呈矩形的扩展部，并通过在从该扩展部向X方向突出的部分设置的接触孔CNT 1与源极区域30s电气连接。包含接触孔CNT 1的部分成为源极电极31(参照图5)。另一方面，在漏极区域30d的端部设置有重合接合的两个接触孔CNT 2、CNT 3，包含接触孔CNT 2的部分成为漏极电极32(参照图5)。
在接触孔CNT 2(CNT 3)的附近设置有接触孔CNT 4。详细情形以后说明，但接触孔CNT 3和接触孔CNT 4通过以与其重合的方式设置的中继层3c而电气连接。
像素电极15被设置成其外边缘部相对于扫描线3a和/或数据线6a重合，在本实施方式中，与在与扫描线3a重合的位置设置的接触孔CNT 4连接。即，经由接触孔CNT 4、中继层3c、接触孔CNT 2、CNT 3与漏极电极32电气连接。
如图4(b)所示，电容布线3b俯视看与数据线6a重合，并在Y方向上延伸，并且在与扫描线3a和数据线6a的交叉部对应的位置同样具有矩形的扩展部。像素电极15以跨越并行的两个电容布线3b的方式配置，与一个电容布线3b俯视看重合的部分(用斜线表示的部分)具有作为保持电容C1的功能，与另一个电容布线3b俯视看重合的部分(用斜线表示的部分)具有作为保持电容C2的功能。
在两个电容布线3b之间，设置有在与电容布线3b相同的布线层形成的俯视看呈矩形的中继层3c。如前所述，以与该中继层3c重合的方式设置接触孔CNT4，与像素电极15连接。
另外，在图4(b)中虽然省略了图示，但在其它像素P中也同样配置有像素电极15，构成保持电容C1、C2。
接着，参照图5和图6进一步详细说明像素P的构造。
如图5所示，在元件基板10上首先形成扫描线3a。扫描线3a例如能够使用包含Al、Ti、Cr、W、Ta、Mo等金属中的至少一个的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、渗氮物或者层叠了这些的物质，具有遮光性。
以覆盖扫描线3a的方式形成例如由氧化硅等构成的基底绝缘膜11a，在基底绝缘膜11a上按岛状形成半导体层30a。半导体层30a例如由多晶硅膜构成，并被注入杂质离子，形成具有上述的源极区域30s、接合区域30e、沟道区域30c、接合区域30f、漏极区域30d的LDD构造。
以覆盖半导体层30a的方式形成第1绝缘膜(栅极绝缘膜)11b。进一步地，夹着第1绝缘膜11b在与沟道区域30c相对的位置形成栅极电极30g。
覆盖栅极电极30g和第1绝缘膜11b以形成第2绝缘膜11c，并在与半导体层30a的各个端部重合的位置形成贯通第1绝缘膜11b、第2绝缘膜11c的两个接触孔CNT 1、CNT 2。然后，以填埋两个接触孔CNT 1、CNT 2并且覆盖第2绝缘膜11c的方式使用Al(铝)等遮光性导电材料形成导电膜，并通过对其进行图案化，形成经由接触孔CNT 1与源极区域30s连接的源极电极31和数据线6a。同时，形成经由接触孔CNT 2与漏极区域30d连接的漏极电极32。即，源极电极31、数据线6a、漏极电极32是在同一导电层中进行图案化的。
以覆盖数据线6a、漏极电极32以及第2绝缘膜11c的方式形成层间绝缘膜12。层间绝缘膜12例如由硅的氧化物和/或氮化物构成，并实施对由于覆盖设置有TFT 30的区域而产生的表面凹凸进行平坦化的平坦化处理。作为平坦化处理的方法，例如可以列举化学研磨处理(CMP处理)和/或旋转涂敷处理等。
贯通层间绝缘膜12的接触孔CNT 3被形成在与漏极电极32重合的位置，填埋该接触孔CNT 3以形成具有遮光性的导电膜。对该导电膜进行图案化，形成电容布线3b和经由接触孔CNT 3与漏极电极32连接的中继层3c。详细内容以后说明，但电容布线3b及中继层3c被形成为埋入绝缘膜13，并进行平坦化，以致其表面和覆盖层间绝缘膜12的绝缘膜13的表面为同一面。
此外，构成电容布线3b和/或中继层3c的上述遮光性的导电膜使用由Al(铝)构成的第1导电膜和保护第1导电膜的由TiN(氮化钛)等构成的第2导电膜的层叠体。
接着，以覆盖电容布线3b和/或中继层3c以及绝缘膜13的方式形成电介质膜，并以除去电介质膜中与和像素电极15连接的接触孔CNT 4重合的部分的方式进行图案化，形成电介质层14。作为电介质膜，可以使用硅氮化物膜和/或氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等单层膜或者层叠这些单层膜中的至少2种单层膜的多层膜。
然后，以覆盖电介质层14的方式形成ITO和/或IZO等透明导电膜，对其进行图案化，形成经由接触孔CNT 4与中继层3c连接的像素电极15。
如图6所示，在电介质层14上，像素电极15以外边缘部与相邻并行的两个电容布线3b重合的方式进行图案化。隔着电介质层14与两个电容布线3b重合的像素电极15的部分成为保持电容C1、C2。
由于电容布线3b的表面和绝缘膜13的表面为一个面，因此，覆盖它的电介质层14以平坦的状态形成，在电介质层14上形成的像素电极15的表面也变得平坦。
在这种元件基板10的布线构造中，对电容布线3b提供固定电位。作为固定电位，在液晶装置100的驱动电压Vdd和基准电位Vss之间的中间电位被提供。例如，在驱动电压Vdd的最大电位是15.5v，基准电位Vss是0v时，作为中间电位，提供在6.5v±1v左右的范围中的电位。
另外，作为使电容布线3b与上述固定电位连接的方法，例如可以列举使电容布线3b引出到图1(a)所示的显示区域E的外侧的周围区域，与提供上述固定电位的布线连接的方法。
液晶装置的制造方法
以下参照图7说明本实施方式的液晶装置的制造方法。图7(a)～(f)是表示液晶装置的制造方法的概略剖面图。具体地，表示元件基板10上的保持电容的形成方法，相当于图6所示的剖面图。
元件基板10上的像素P的构造如前所述，以下对层间绝缘膜12上的构成保持电容C1、C2的电容布线3b、电介质层14、像素电极15的形成方法进行具体说明。
首先，如图7(a)所示，覆盖层间绝缘膜12，形成第1导电膜33和保护第1导电膜33的第2导电膜34。
第1导电膜33例如由Al(铝)构成，厚度大致是500nm。第2导电膜34可以采用与Al相比难以氧化和/或腐蚀的具有导电性的TiN(氮化钛)等、金属和氮气和/或氧气的化合物。第2导电膜34的厚度考虑后面的绝缘膜13的形成工序和/或绝缘膜13的研磨工序，设为与第1导电膜33相同的大致500nm。
接着，如图7(b)所示，例如用光刻法对层叠的第1导电膜33和第2导电膜34进行图案化，形成彼此以预定间隔并行的电容布线层35(电容布线层的形成工序)。
然后，如图7(c)所示，形成覆盖电容布线层35的绝缘膜13。
绝缘膜13可以使用硅的氧化物和/或氮化物，并例如用等离子CVD法形成厚度为1000nm～1500nm的膜。这样，能够充分覆盖电容布线层35。在覆盖了电容布线层35的绝缘膜13的表面产生凹凸。在本实施方式中，使用SiO2形成绝缘膜13。
接着，如图7(d)所示，除去上述凹凸，并且使电容布线层35露出，研磨绝缘膜13并进行平坦化(绝缘膜的研磨工序)，直到所露出的电容布线层35的表面和周围的绝缘膜13的表面13a变为同一个面。为了可靠地成为同一个面，不仅研磨绝缘膜13，而且进行研磨直到电容布线层35中第2导电膜34的厚度从500nm变为100nm左右。因此，研磨后的绝缘膜13及电容布线层35(即电容布线3b)的厚度大致为600nm。绝缘膜13的研磨可以采用例如使用药品的化学研磨处理(CMP处理)和/或使用研磨剂的机械研磨处理。
接着，如图7(e)所示，覆盖成为一个面的电容布线3b和绝缘膜13以形成电介质膜。如前所述，只对相当于接触孔CNT 4的部分进行蚀刻以除去，形成电介质层14(电介质层的形成工序)。
作为电介质膜，如上所述，可以使用硅氮化膜和/或氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等单层膜或者层叠这些单层膜中的至少2种单层膜的多层膜。在本实施方式中，将氧化铝(Al2O3)和氧化铪(HfO2)按此顺序进行层叠，并将厚度设为20nm～30nm，以致折射率n大致为1.7。
接着，如图7(f)所示，在电介质层14上形成ITO和/或IZO等透明导电膜，以致其厚度例如在20nm～200nm的范围，并通过用光刻法对其进行图案化，形成一部分与并行的两个电容布线3b重合的像素电极15。在本实施方式中，使用折射率n为大致1.9的ITO形成像素电极15。这样，由SiO2构成的绝缘膜13的折射率n大致为1.46，因此，在绝缘膜13和像素电极15之间配置折射率n表示两者的中间值的电介质层14。因此，入射到折射率n不同的膜上的光在膜界面的反射率降低，入射光难以衰减，因此，能够在开口区域中确保所期望的透过率。
根据上述实施方式的液晶装置100及其制造方法，能够得到以下的效果。
(1)电容布线3b被形成为埋入绝缘膜13，并进行平坦化，以致绝缘膜13的表面13a和电容布线3b的表面成为同一个面。因此，在相对绝缘膜13和/或电容布线3b隔着电介质层14配置的像素电极15的表面不会产生凹凸而变为平坦。因此，能够提供降低了由于该凹凸而引起的液晶分子的取向混乱所产生的显示不匀的液晶装置100。
另外，像素电极15被配置成其外边缘部与相邻并行的两个电容布线3b重合，构成两个保持电容C1、C2。保持电容C1、C2如图3和图4(b)所示，由于设置在非开口区域内，因此，伴随着设置保持电容C1、C2，开口区域不会变窄。换句话说，能够实现具有所期望的电气电容的保持电容C1、C2，并且确保高的开口率。
即，能够实现或制造降低了显示不匀并具有优异的显示品质(明亮)的液晶装置100。
(2)电容布线层35由第1导电膜33和保护它的第2导电膜34构成。其原因是在研磨覆盖电容布线层35的绝缘膜13的工序中，即使进行研磨以致电容布线层35和绝缘膜13的表面13a确实变成同一个面，构成电容布线3b的第1导电膜33也不会损伤。因此，由于保持了第1导电膜33中的电气特性，因此，能够得到没有电气异常的保持电容C1、C2。
第2实施方式
电子设备
图8是表示作为电子设备的投影型显示装置的构成的概略图。如图8所示，本实施方式的作为电子设备的投影型显示装置1000具备：沿着系统光轴L配置的偏振光照明装置1100；作为光分离元件的两个分色镜1104、1105；三个反射镜1106、1107、1108；五个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205；三个作为光调制单元的透过型液晶光阀1210、1220、1230；作为光合成元件的交叉分色棱镜1206；投影透镜1207。
偏振光照明装置1100大致具有由高压水银灯和/或卤素灯等白色光源构成的作为光源的灯单元1101、积分仪透镜1102和偏振光变换元件1103。
分色镜1104使从偏振光照明装置1100射出的偏振光束中红色光(R)反射，使绿色光(G)和蓝色光(B)透过。另一个分色镜1105使透过分色镜1104的绿色光(G)反射，使蓝色光(B)透过。
在分色镜1104处反射的红色光(R)在反射镜1106上反射后，经由中继透镜1205入射到液晶光阀1210。
在分色镜1105处反射的绿色光(G)经由中继透镜1204而入射到液晶光阀1220。
透过分色镜1105的蓝色光(B)经由包括三个中继透镜1201、1202、1203和两个反射镜1107、1108的导光系统入射到液晶光阀1230。
液晶光阀1210、1220、1230相对于交叉分色棱镜1206的每个颜色光的入射面分别相对配置。入射到液晶光阀1210、1220、1230的颜色光根据图像信息(图像信号)进行调制，并向交叉分色棱镜1206射出。该棱镜粘贴有4个直角棱镜，在其内面以十字形状形成反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。由这些电介质多层膜合成3个颜色光，并合成表示彩色图像的光。所合成的光由作为投影光学系统的投影透镜1207投影到屏幕1300上，图像被放大显示。
液晶光阀1210适用了上述的液晶装置100。液晶装置100在颜色光的入射一侧和射出一侧，在配置在交叉Nicole镜中的一对偏振光元件之间留有间隙地配置。其它液晶光阀1220、1230也是一样。
根据这种投影型显示装置1000，由于使用降低了显示不匀并具有高开口率的液晶装置100作为液晶光阀1210、1220、1230，因此，能够实现高的显示品质。
除了上述实施方式以外，也考虑各种变形例。以下列举变形例进行说明。
变形例1
在上述实施方式中，以电容布线层35和绝缘膜13的表面13a成为同一个面的方式进行平坦化的保持电容的形成方法并不限于此。图9(a)～(d)是表示变形例的液晶装置的制造方法(保持电容的形成方法)的概略剖面图。
例如，首先，如图9(a)所示，在形成作为绝缘膜的层间绝缘膜12的电容线3b的区域形成沟部12a(沟部的形成工序)。
沟部12a的形成在在层间绝缘膜12上形成图5所示的接触孔CNT 3的工序中，如果例如使用半色调掩膜等进行控制以致层间绝缘膜12的蚀刻深度比接触孔CNT 3浅，则也可以在同一工序中形成接触孔CNT 3和沟12a。
接着，层叠以填埋沟部12a的方式覆盖层间绝缘膜12的第1导电膜33和第2导电膜34，形成电容布线层35(电容布线层的形成工序)。
以下，如图9(b)所示，研磨电容布线层35，进行平坦化，以致所露出的层间绝缘膜12的表面12b和电容布线层35(即电容布线3b)的表面成为同一个面(电容布线层的研磨工序)。电容布线层35的研磨与绝缘膜13的情况一样，可以采用例如使用药品的化学研磨处理(CMP处理)和/或使用研磨剂的机械研磨处理。实际上，为了平坦化，也可以稍微研磨层间绝缘膜12。
以下，如图9(c)所示，覆盖电容布线3b和层间绝缘膜12，形成电介质层14(电介质层的形成工序)。
然后，如图9(d)所示，在电介质层14上形成ITO和/或IZO等透明导电膜，通过用光刻法对其进行图案化，形成与并行的两个电容布线3b一部分重合的像素电极15。
根据这种变形例1的液晶装置的制造方法(保持电容的形成方法)，不需要在层间绝缘膜12上形成绝缘膜13的工序。此外，在研磨电容布线层35的工序中，与层间绝缘膜12的研磨速度相比，当电容布线层35的研磨速度快时，能够使电容布线3b更快从电容布线层35露出。此外，沟部12a由于被电容布线层35填埋，因此，可以防止为了相对层间绝缘膜12的表面12b成为同一个面而研磨电容布线层35超过需要的情况。换句话说，由于能够接近形成电容布线3b所需要的厚度而对电容布线层35成膜，因此，能够节省成膜时的浪费。与研磨上述实施方式的绝缘膜13的情况相比，起到同样的效果。
变形例2
上述液晶装置中的电容布线3b的构成并不限于此。例如，能够除去设置像素电极15的接触孔CNT 4的部分而将电容布线3b配置在扫描线3a的延伸方向(X方向)。此外，也可以将电容布线3b如图3所示的非开口区域那样设置成格子形。这样，能够进一步增加作为保持电容的功能的部分。
变形例3
上述液晶装置100中的半导体层30a的配置并不限于此。例如，即使在扫描线3a和数据线6a的交叉部中将半导体层30a配置在沿着数据线6a的方向上，或者即使在交叉部中折弯半导体层30a进行配置，也能够适用本发明的保持电容的构造配置。
变形例4
适用上述液晶装置100的电子设备并不限于上述实施方式的投影型显示装置1000。例如，可以作为投影型HUD(抬头显示器)和/或直视型HMD(头戴式显示器)、或者电子书籍、个人计算机、数字静态照相机、液晶电视、取景器型或监视直视型录像机、汽车导航系统、电子笔记本、POS等信息终端设备的显示部使用。
变形例5
能够适用上述元件基板10的保持电容C1、C2的结构的电光装置并不限于上述液晶装置100。例如，可以适用于作为具备晶体管的有源驱动型电光装置的有机EL(电致发光)装置、电泳装置等显示装置。
当适用于有机EL装置时，由于在像素电极的表面不产生凹凸，因此，容易将在像素电极上形成的具有发光功能的功能层的膜厚度设成均匀状态。因此，能够降低发光不匀。
当适用于电泳装置时，容易将像素电极上的电泳层的层厚度设成均匀。因此，能够降低显示不匀。

Claims (8)

1.一种电光装置，其特征在于，
在基板上具备：
晶体管；
与上述晶体管对应设置的像素电极；以及
电容布线，其在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对，并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容；
其中，上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜，并且其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
上述电容布线包含第1导电膜和覆盖上述第1导电膜进行保护的第2导电膜；
上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一个面。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，上述像素电极跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。
4.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至3任意一项所述的电光装置。
5.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成电容布线层的工序；
覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序；
研磨上述绝缘膜，使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；
形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以及
以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。
6.根据权利要求5所述的电光装置的制造方法，其特征在于，形成上述电容布线层的工序包括：形成第1导电膜的工序；形成覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序；以及对上述第1导电膜和上述第2导电膜进行图案化以形成上述电容布线层的工序。
7.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成绝缘膜的工序；
在上述绝缘膜形成沟部的工序；
填埋上述沟部并且覆盖上述绝缘膜以形成电容布线层的工序；
研磨上述电容布线层，在上述沟部中使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；
形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以及
以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。
8.根据权利要求7所述的电光装置的制造方法，其特征在于，形成上述电容布线层的步骤包括：形成第1导电膜的工序；以及形成覆盖上述第1导电膜并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序。
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