CN113917741B - 电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法 - Google Patents

电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法，能够提高显示品质。液晶装置在第一基材上具有像素(P)和配置于像素(P)与像素(P)之间的遮光区域的电容元件(16)，电容元件(16)具有：第一电容布线(16a)，其沿着遮光区域配置；电介质层(16c)，其覆盖第一电容布线(16a)的至少连续的3个面(O面、P面、Q面)；以及第二电容布线(16b)，其隔着第一电容布线(16a)和电介质层(16c)与第一电容布线(16a)的至少连续的3个面对置。

Description

电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法。
背景技术
作为电光装置，已知有在像素处具备开关元件的有源驱动型的液晶装置。这样的液晶装置例如被用作作为电子设备的投影仪的光阀。
在液晶装置中，为了保持像素电位，设置有在一对电容布线之间夹持有电介质膜的构造的电容元件。电容元件配置在俯视时相邻的像素间的遮光区域。例如，专利文献1中公开了如下技术：为了使遮光区域变窄，并且增加电容量，在沟槽中配置电容元件。
专利文献1：日本特开2006-64967号公报
然而，根据专利文献1的技术，存在产生在沟槽内成膜的膜的覆盖率(coverage)不良的问题。由此，存在像素间距的窄间距化变得困难、即难以微细化的课题。
发明内容
电光装置在基板上具有像素以及电容元件，该电容元件配置于所述像素和与所述像素相邻的像素之间的遮光区域，所述电容元件具有：第一电容电极，其沿着所述遮光区域配置；电容绝缘层，其覆盖所述第一电容电极的至少连续的3个面；以及第二电容电极，其隔着所述电容绝缘层与所述第一电容电极的所述3个面对置。
电子设备具备上述记载的电光装置。
电光装置的制造方法具有以下工序：在基板上形成第一布线；在所述基板和所述第一布线上依次形成层间绝缘层、阻止层和牺牲层；以到达所述第一布线的方式，在所述牺牲层、所述阻止层和所述层间绝缘层形成凹部；在所述凹部的侧壁形成间隔件；在包含所述间隔件的所述凹部中形成插头状的第一电容电极；利用所述阻止层去除所述牺牲层及所述间隔件的一部分，使所述第一电容电极的一部分露出；以覆盖露出的所述第一电容电极的至少连续的3个面的方式依次成膜电容绝缘层和第二电容电极；以及以成为与所述第一布线的宽度大致相同的宽度的方式，去除所述第二电容电极、所述电容绝缘层以及所述阻止层，而形成电容元件。
附图说明
图1是表示本实施方式的液晶装置的结构的俯视图。
图2是沿着图1所示的液晶装置的H-H’线的剖视图。
图3是表示液晶装置的电结构的等效电路图。
图4是表示像素的结构的俯视图。
图5是表示液晶装置的结构的剖视图。
图6是表示电容元件的结构的俯视图。
图7是在沿着图6所示的电容元件的B-B’线的剖面中放大了电容元件16的一部分的立体图。
图8是表示电容元件的制造方法的流程图。
图9是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图10是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图11是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图12是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图13是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图14是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图15是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图16是表示作为电子设备的投影仪的结构的示意图。
图17是表示变形例的像素的结构的俯视图。
标号说明
3a：扫描线；3b：电容线；6a：数据线；10：元件基板；10a：作为基板的第一基材；11a、11b、11c、11d、11e、11f：绝缘层；11g：栅极绝缘层；11h、11i：绝缘层；14：密封件；15：液晶层；16：电容元件；16a：第一电容布线；16b：第二电容布线；16c：作为电容绝缘层的电介质层；18：遮光膜；20：对置基板；20a：第二基材；22：数据线驱动电路；24：扫描线驱动电路；25：检查电路；26：上下导通部；27：像素电极；28：第一取向膜；29：布线；30：晶体管；30a：半导体层；30c：沟道区域；30d：漏极区域；30d1：第二LDD区域；30g1：栅极布线；30g：栅极电极；30s：源极区域；30s1：第一LDD区域；31：对置电极；32：第二取向膜；33：绝缘层；51：中继布线；52：作为第一布线的公共布线；52a、52b、52c：膜；61：间隔件；61a：间隔件膜；62：阻止层；63：牺牲层；64：凹部；70：外部连接用端子；100、200：作为电光装置的液晶装置；116：电容元件；116a：第一电容布线；116c：电介质层；116b：第二电容阻止层；1000：作为电子设备的投影仪；1100：偏振照明装置；1101：灯单元；1102：积分器透镜；1103：偏振变换元件；1104、1105：分色镜；1106、1107、1108：反射镜；1201、1202、1203、1204、1205：中继透镜；1206：十字分色棱镜；1207：投射透镜；1210、1220、1230：液晶光阀；1300：屏幕。
具体实施方式
如图1以及图2所示，作为本实施方式的电光装置的液晶装置100具有对置配置的元件基板10以及对置基板20、以及被这一对基板夹持的液晶层15。作为构成元件基板10的基板的第一基材10a以及构成对置基板20的第二基材20a例如是玻璃或石英等。
元件基板10比对置基板20大，两基板经由沿着对置基板20的外周配置的密封件14而接合。在该间隙中封入具有正或负的介电各向异性的液晶而构成液晶层15。
密封件14例如采用热固性或紫外线固性的环氧树脂等粘接剂。在密封件14中例如混入有用于将一对基板的间隔保持为恒定的间隔件。
在密封件14的内侧设置有将有助于显示的多个像素P排列而成的显示区域E。在显示区域E的周围配置有设置有无助于显示的周边电路等的周边区域E1。
在沿着元件基板10的1边部的密封件14与1边部之间设置有数据线驱动电路22。另外，在沿着与1边部对置的另1边部的密封件14与显示区域E之间设置有检查电路25。进而，在沿着与1边部正交且彼此对置的其他2边部的密封件14与显示区域E之间设置有扫描线驱动电路24。在沿着与1边部对置的另1边部的密封件14与检查电路25之间设置有连接2个扫描线驱动电路24的多个布线29。
在对置基板20侧的配置成边框状的密封件14的内侧，同样以边框状设置有遮光膜18。遮光膜18例如由具有光反射性的金属或者金属氧化物等构成，遮光膜18的内侧成为具有多个像素P的显示区域E。作为遮光膜18，例如能够使用硅化钨(WSi)。
与这些数据线驱动电路22、扫描线驱动电路24相连的布线与沿着1边部排列的多个外部连接用端子70连接。以下，将沿着1边部的方向设为X方向，将沿着与1边部正交且彼此对置的其他2边部的方向设为Y方向来说明。另外，将从Z方向观察的情况称为俯视。
如图2所示，在第一基材10a的液晶层15侧的表面形成有按每个像素P设置的具有透光性的像素电极27、作为开关元件的薄膜晶体管(以下，称为“晶体管30”)、数据线(未图示)、以及覆盖它们的第一取向膜28。
像素电极27例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等透明导电膜形成。本发明中的元件基板10至少包含像素电极27、晶体管30、第一取向膜28。
在对置基板20的液晶层15侧的表面设置有遮光膜18、以覆盖该遮光膜的方式成膜的绝缘层33、以覆盖绝缘层33的方式设置的对置电极31、覆盖对置电极31的第二取向膜32。本发明中的对置基板20至少包含遮光膜18、对置电极31、第二取向膜32。
如图1所示，遮光膜18包围显示区域E，并且设置于在俯视时与扫描线驱动电路24、检查电路25重叠的位置。由此，对从对置基板20侧入射到包含这些驱动电路的周边电路的光进行遮光，起到防止周边电路因光而误动作的作用。另外，以不使不必要的杂散光入射到显示区域E的方式进行遮光，确保显示区域E的显示中的高对比度。
绝缘层33例如由氧化硅等无机材料构成，具有透光性并以覆盖遮光膜18的方式设置。作为这样的绝缘层33的形成方法，例如可举出使用等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法等进行成膜的方法。
对置电极31例如由ITO等透明导电膜构成，覆盖绝缘层33，并且如图1所示，通过设置在对置基板20的四角的上下导通部26与元件基板10侧的布线电连接。
覆盖像素电极27的第一取向膜28以及覆盖对置电极31的第二取向膜32基于液晶装置100的光学设计来选定。作为第一取向膜28及第二取向膜32，可举出使用气相生长法使SiOx(硅氧化物)等无机材料成膜，并相对于具有负的介电各向异性的液晶分子大致垂直地取向的无机取向膜。
这样的液晶装置100例如采用透射型、且不施加电压时的像素P的透射率比电压施加时的透射率大的常白模式或不施加电压时的像素P的透射率小于电压施加时的透射率的常黑模式的光学设计。在光的入射侧和出射侧分别根据光学设计而配置并使用偏振元件。另外，也可以应用于反射型的液晶装置。
如图3所示，液晶装置100至少具有在显示区域E相互绝缘并正交的多个扫描线3a和多个数据线6a、以及电容线3b。例如，扫描线3a延伸的方向为X方向，数据线6a延伸的方向为Y方向。
在由扫描线3a、数据线6a以及电容线3b、以及这些信号线类划分出的区域设置有像素电极27、晶体管30以及电容元件16，它们构成像素P的像素电路。
扫描线3a与晶体管30的栅极电连接，数据线6a与晶体管30的源极区域电连接。像素电极27与晶体管30的漏极区域电连接。
数据线6a与数据线驱动电路22(参照图1)连接，将从数据线驱动电路22供给的图像信号D1、D2、…、Dn供给至像素P。扫描线3a与扫描线驱动电路24(参照图1)连接，将从扫描线驱动电路24供给的扫描信号SC1、SC2、…、SCm供给至各像素P。
从数据线驱动电路22向数据线6a供给的图像信号D1～Dn可以按照该顺序依次进行供给，也可以对彼此相邻的多个数据线6a彼此按每个组进行供给。扫描线驱动电路24以规定的定时对扫描线3a以脉冲方式依次供给扫描信号SC1～SCm。
液晶装置100构成为，通过作为开关元件的晶体管30由于扫描信号SC1～SCm的输入而在固定期间成为导通状态，从而从数据线6a供给的图像信号D1～Dn在规定的定时被写入像素电极27。而且，经由像素电极27写入液晶层15的规定电平的图像信号D1～Dn在像素电极27与隔着液晶层15对置配置的对置电极31之间保持固定期间。
为了防止所保持的图像信号D1～Dn泄漏，与在像素电极27与对置电极31之间形成的液晶电容并联连接有电容元件16。电容元件16在2个电容布线之间具有作为电容绝缘层的电介质层。
如图4所示，像素P的相邻的像素电极27与像素电极27之间成为遮光区域S，在遮光区域S配置有数据线6a、扫描线3a。另外，在数据线6a与扫描线3a交叉的部分配置有晶体管30。
如图5所示，液晶装置100具备元件基板10和与其对置配置的对置基板20。构成元件基板10的第一基材10a例如为石英。元件基板10在第一基材10a上具备扫描线3a、晶体管30、数据线6a、电容元件16、像素电极27以及第一取向膜28。
具体而言，在第一基材10a上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11a。在绝缘层11a上配置有由硅化钨(WSi)等构成的也作为遮光膜发挥功能的扫描线3a。
在扫描线3a以及绝缘层11a之上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11b。在绝缘层11b之上配置有晶体管30。
晶体管30例如具有LDD(Lightly Doped Density)结构，具有由多晶硅(高纯度的多晶硅)等构成的半导体层30a、在半导体层30a上形成的栅极绝缘层11g、在栅极绝缘层11g上形成的由铝等构成的栅极电极30g。
半导体层30a例如通过注入磷(P)离子等N型的杂质离子而形成为N型的晶体管30。具体地，半导体层30a包括沟道区域30c、第一LDD区域30s1、源极区域30s、作为LDD区域的第二LDD区域30d1和漏极区域30d。
在沟道区域30c中掺杂有硼(B)离子等P型的杂质离子。在其他区域(30s1、30s、30d1、30d)中掺杂有磷(P)离子等N型的杂质离子。
在栅电极30g和栅绝缘层11g上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11c。在绝缘层11c之上配置有经由接触孔CNT3与栅极电极30g电连接的由铝等构成的栅极布线30g1。栅极布线30g1经由接触孔CNT4与扫描线3a电连接。
在栅极布线30g1以及绝缘层11c之上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11d。在绝缘层11d之上配置有经由接触孔CNT1a与漏极区域30d电连接的由铝等构成的中继布线51。在中继布线51以及绝缘层11d之上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11e。
在绝缘层11e上配置有经由接触孔CNT2与源极区域30s电连接的数据线6a。在数据线6a及绝缘层11e上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11f。在绝缘层11f之上配置有作为被施加公共电位的第一布线的公共布线52。在公共布线52上配置有由氧化硅等构成的作为层间绝缘层的绝缘层11h。
在绝缘层11h之上配置有电容元件16。具体而言，电容元件16例如具备：作为固定电位侧的电容布线的第一电容布线16a；与晶体管30的漏极区域30d电连接的第二电容布线16b；以及配置在第一电容布线16a与第二电容布线16b之间的电介质层16c。第一电容布线16a经由接触孔CNT5与公共布线52电连接。另外，第一电容布线16a是第一电容电极的一个方式，第二电容布线16b是第二电容电极的一个方式。
在电容元件16上配置有由氧化硅等构成的绝缘层11i。在绝缘层11i之上形成有经由接触孔CNT1与第二电容布线16b电连接的像素电极27。像素电极27例如是ITO等透明导电膜。
在像素电极27上配置有斜向蒸镀氧化硅等无机材料而成的第一取向膜28。在第一取向膜28上配置有在被密封件14包围的空间封入液晶等而成的液晶层15。
另一方面，对置基板20在第二基材20a之上(液晶层15侧)具备绝缘层33、对置电极31以及第二取向膜32。第二基材20a例如是石英。绝缘层33例如由氧化硅构成。对置电极31例如是ITO等透明导电膜。第二取向膜32通过斜向蒸镀氧化硅等无机材料而形成。
液晶层15在像素电极27与对置电极31之间未产生电场的状态下，通过取向膜28、32而成为规定的取向状态。接着，参照图6以及图7，对像素P以及电容元件16的结构进行说明。
图6是表示元件基板10的像素P的结构中的电容元件16及其周边结构的俯视图。图7是在沿着图6所示的电容元件的B-B’线的截面中放大了电容元件16的一部分的立体图，示出了在遮光区域S中从绝缘层11f到电容元件16的构造。
如图6所示，电容元件16在遮光区域S中配置在俯视时与数据线6a以及扫描线3a重叠的位置。另外，如上所述，电容元件16具有第一电容布线16a、第二电容布线16b以及电介质层16c。如图6所示，第一电容布线16a沿着遮光区域S延伸的方向配置。具体而言，如图7所示，第一电容布线16a与公共布线52接触地配置，并与公共布线52电连接。公共布线52例如是硅化钨(W-Si)膜52a、氮化钛(TiN)膜52b以及铝(Al)膜52c的层叠膜。另外，第一电容布线16a也可以构成为不与公共布线52电连接。
第一电容布线16a以贯通绝缘层11h以及阻止层62的方式配置。另外，第一电容布线16a的上部从绝缘层11h以及阻止层62突出地配置。在第一电容布线16a与绝缘层11h及阻止层62之间配置有用于使第一电容布线16a细线化的间隔件61。第一电容布线16a例如是钨。间隔件61例如为氧化硅。阻止层62例如为氮化硅。
在第一电容布线16a中的突出的部分、以及间隔件61以及阻止层62之上，成膜有电介质层16c以及第二电容布线16b。具体而言，电介质层16c以及第二电容布线16b以覆盖第一电容布线16a的至少连续的3个面的方式成膜。电介质层16c例如是作为高介电常数材料的High-K(氧化铝和氧化铪的层叠膜)。第二电容布线16b例如是氮化硅。这样，形成电容元件16。
接着，参照图8的流程图及图9～图15的说明图说明电容元件16的制造方法。图9～图15是在沿着图6所示的电容元件的B-B’线的位置处示出图8的对应步骤中的剖面结构的立体图。首先，如图8所示，在步骤S11中，形成公共布线52。具体而言，如图9所示，在形成于第一基材10a(参照图5)上的绝缘层11f之上形成公共布线52。如上所述，公共布线52是层叠膜(52a、52b、52c)。接着，以覆盖公共布线52和绝缘层11f的方式依次形成绝缘层11h、阻止层62和牺牲层63。牺牲层63例如是氧化硅。
在步骤S12中，如图6的俯视图所示，根据第一电容布线16a的形状在牺牲层63形成槽形状的凹部64。具体而言，如图10所示，通过对绝缘层11h、阻止层62、牺牲层63中的与公共布线52重叠的位置实施蚀刻处理形成凹部64。凹部64形成为深度(Z方向的长度)比开口的宽度(X方向或Y方向的长度)长的形状。
在步骤S13中，如图10所示，在凹部64中和牺牲层63上形成间隔件膜61a。通过对间隔件膜61a进行成膜，能够使凹部64的开口宽度变窄，换言之，能够使槽变细。
步骤S14中，完成间隔件61。具体而言，如图11所示，对间隔件膜61a实施各向异性蚀刻处理。由此，牺牲层63上的间隔件膜61a与凹部64的底部的间隔件膜61a被去除，仅在凹部64的侧壁形成间隔件61。
步骤S15中，在凹部64中埋入第一电容布线16a。具体而言，如图12所示，通过在凹部64中埋入作为第一电容布线16a的材料的钨，从而将在凹部64的底部露出的公共布线52与第一电容布线16a连接，将公共布线52与第一电容布线16a电连接。凹部64形成为深度(Z方向的长度)比开口的宽度(X方向或Y方向的长度中较短的一方的长度)长的形状，因此由形成于凹部64中的钨构成的第一电容布线16a与凹部64的形状同样地形成为Z方向的长度比宽度长的形状，换言之，形成为插头状。在本发明中，所谓插头状，是指在形状上像这样沿着Z方向的高度(或深度)方向的长度比沿着X方向或Y方向的宽度方向的长度长的形状，优选为图示那样的壁形状，但也可以为圆柱形状。或者，在本发明中，所谓插头状，是指在制造工艺中，通过图8至图15所示的第一电容布线16a的制造工艺形成的形状。需要说明的是，通过在凹部64中配置间隔件61，能够实现第一电容布线16a的细线化。
在步骤S16中，使第一电容布线16a的上部露出。具体而言，如图13所示，利用作为氧化硅的牺牲层63与作为氮化硅的阻止层62的选择比，通过蚀刻处理将牺牲层63去除至阻止层62。由此，第一电容布线16a的上部以一半左右的壁状露出。O面、P面、Q面表示第一电容布线16a的露出的连续的3个面。
步骤S17中，进行电介质层16c和第二电容布线16b的成膜。具体而言，如图14所示，以覆盖第一电容布线16a的包括露出的O面、P面、Q面的上部、间隔件61、阻止层62的方式，依次形成电介质层16c和第二电容布线16b的膜。
步骤S18中，完成电容元件16。具体而言，如图15所示，以成为与公共布线52的宽度大致相同的宽度的方式，进行蚀刻处理，直至穿透第二电容布线16b、电介质层16c、阻止层62。由此，完成包含第一电容布线16a、电介质层16c、第二电容布线16b的电容元件16。
如图16所示，作为本实施方式的电子设备的投影仪1000具备：沿着系统光轴L配置的偏振光照明装置1100；作为光分离元件的2个分色镜1104、1105；3个反射镜1106、1107、1108；5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205；作为3个光调制单元的透射型的液晶光阀1210、1220、1230；作为光合成元件的十字分色棱镜1206；以及投射镜头1207。
偏振光照明装置1100大致由作为由超高压水银灯、卤素灯等白色光源构成的光源的灯单元1101、积分器透镜1102、以及偏振变换元件1103构成。
分色镜1104使从偏振光照明装置1100射出的偏振光光束中的红色光(R)反射，使绿色光(G)和蓝色光(B)透过。另1个分色镜1105使透过分色镜1104的绿色光(G)反射，使蓝色光(B)透过。
由分色镜1104反射的红色光(R)在由反射镜1106反射后经由中继透镜1205入射到液晶光阀1210。由分色镜1105反射的绿色光(G)经由中继透镜1204入射到液晶光阀1220。透过分色镜1105的蓝色光(B)经过由3个中继透镜1201、1202、1203和2个反射镜1107、1108构成的导光系统而入射到液晶光阀1230。
液晶光阀1210、1220、1230相对于十字分色棱镜1206的每个色光的入射面分别对置配置。入射到液晶光阀1210、1220、1230的色光基于影像信息(影像信号)被调制并朝向十字分色棱镜1206射出。
该棱镜贴合有4个直角棱镜，在其内表面呈十字状地形成有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜对3个色光进行合成，合成表示彩色图像的光。合成后的光被作为投射光学系统的投射透镜1207投射到屏幕1300上，放大显示图像。
液晶光阀1210应用了上述的液晶装置100。另外，液晶光阀1210也可应用后述的液晶装置200。液晶装置100在色光的入射侧和出射侧配置成正交尼科尔的一对偏振元件之间隔开间隙地配置。其他液晶光阀1220、1230也同样。
此外，作为搭载有液晶装置100的电子设备，除了投影仪1000以外，还能够用于平视显示器(HUD)、头戴式显示器(HMD)、智能手机、EVF(Electrical View Finder：电子取景器)、移动小型投影仪、电子书、移动电话、移动计算机、数码相机、数码摄像机、显示器、车载设备、音频设备、曝光装置、照明设备等各种电子设备。
如上所述，本实施方式的液晶装置100具有在第一基材10a上配置于像素P和与像素P相邻的像素P之间的遮光区域S的电容元件16，电容元件16具有沿着遮光区域S延伸的第一电容布线16a、覆盖第一电容布线16a的至少连续的3个面(O面、P面、Q面)的电介质层16c、以及隔着电介质层16c与第一电容布线16a的3个面(O面、P面、Q面)对置的第二电容布线16b。
根据该结构，由于以覆盖插头状的第一电容布线16a的方式设置有电介质层16c，因此例如与在沟槽中设置电介质层16c的情况相比，能够抑制覆盖率不良的产生。进而，通过使插头状的第一电容布线16a变细，能够缩窄像素P间的遮光区域的宽度，能够实现窄间距化、即微细化。
另外，优选在第一基材10a与电容元件16之间具有公共布线52，公共布线52规定像素P的开口区域，并且与第一电容布线16a电连接。
根据该结构，由于第一电容布线16a的宽度对公共布线52的宽度产生影响，因此例如通过将第一电容布线16a形成得较细，能够使像素间距变窄。
另外，优选在公共布线52与第二电容布线16b之间配置有阻止层62。
根据该结构，由于配置有阻止层62，因此在使插头状的第一电容布线16a的一部分露出时，能够用作蚀刻阻止层。
另外，优选在阻止层62与第一电容布线16a之间配置有间隔件61。
根据该结构，在形成第一电容布线16a之前，通过预先形成间隔件61，能够使第一电容布线16a的宽度变细，即，能够进行细线化，能够进行微细化。
另外，第一电容布线16a优选为钨。
根据该结构，能够制作插头状的第一电容布线16a。
另外，优选在公共布线52与阻止层62之间配置有绝缘层11h。
根据该结构，由于配置有绝缘层11h，因此能够防止第二电容布线16b与公共布线52电连接。
另外，由于具备上述记载的液晶装置100，因此能够提供能够提高显示品质的投影仪1000。
本实施方式的液晶装置100的制造方法具有：在第一基材10a上形成公共布线52的工序；在第一基材10a和公共布线52上依次形成绝缘层11h、阻止层62和牺牲层63的工序；以到达公共布线52的方式，在牺牲层63、阻止层62和绝缘层11h形成凹部64的工序；在凹部64的侧壁形成间隔件61的工序；在包含间隔件61的凹部64中形成插头状的第一电容布线16a的工序；使用阻止层62去除牺牲层63和间隔件61的一部分，使第一电容布线16a的一部分露出的工序；以覆盖露出的第一电容布线16a的至少连续的3个面的方式依次形成电介质层16c和第二电容布线16b的膜的工序；以成为与公共布线52的宽度大致相同的宽度的方式，除去第二电容布线16b、电介质层16c和阻止层62，而形成电容元件16的工序。
根据该方法，由于在使插头状的第一电容布线16a的一部分露出之后形成电介质层16c和第二电容布线16b，所以例如与在沟槽中形成电介质层16c的情况相比，能够抑制覆盖率不良的发生。进而，通过使插头状的第一电容布线16a变细，能够缩窄像素P间的遮光区域的宽度，能够实现窄间距化、即微细化。
另外，并不限定于上述的液晶装置100的构造，例如也可以应用于图17所示的液晶装置200的构造。图17是表示变形例的液晶装置200的像素P、特别是晶体管30以及电容元件116的构造的俯视图。
如图17所示，液晶装置200沿着扫描线3a的延伸方向配置有半导体层30a。电容元件116例如配置在与扫描线3a重叠的位置。电容元件116虽然形状与上述实施方式的电容元件16不同，但具有第一电容布线116a、电介质层116c、第二电容布线116b。
根据该结构，即使是半导体层30a沿着数据线6a配置的情况以及沿着扫描线3a配置的情况中的任一种构造，另外，即使是电容元件116的配置场所、形状不同的构造，也能够与上述实施方式同样地使像素P间的遮光区域的宽度变窄，能够实现窄间距化、即微细化。
另外，并不限定于上述那样的第一电容布线16a、116a的形状，只要是能够获得电容面积那样的形状，则是优选的。

Claims (6)

1.一种电光装置，其特征在于，具有电容元件，
所述电容元件具有：
第一电容电极；
电容绝缘层，其覆盖所述第一电容电极的至少连续的3个面；以及
第二电容电极，其隔着所述电容绝缘层与所述第一电容电极的所述3个面对置，
在所述电光装置的基板与所述电容元件之间具有第一布线，
所述第一布线与所述第一电容电极连接，
在所述第一布线与所述第二电容电极之间配置有阻止层。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
在所述阻止层与所述第一电容电极之间配置有间隔件。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
所述第一电容电极是钨。
4.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
在所述第一布线与所述阻止层之间配置有层间绝缘层。
5.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至4中的任一项所述的电光装置。
6.一种电光装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在基板上形成第一布线；
在所述基板和所述第一布线上依次形成层间绝缘层、阻止层和牺牲层；
以到达所述第一布线的方式，在所述牺牲层、所述阻止层和所述层间绝缘层形成凹部；
在所述凹部的侧壁形成间隔件；
在包含所述间隔件的所述凹部中形成插头状的第一电容电极；
利用所述阻止层去除所述牺牲层及所述间隔件的一部分，使所述第一电容电极的一部分露出；
以覆盖所述第一电容电极的露出的至少连续的3个面的方式依次成膜出电容绝缘层和第二电容电极；以及
以成为与所述第一布线的宽度大致相同宽度的方式，去除所述第二电容电极、所述电容绝缘层以及所述阻止层，而形成电容元件。
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