JP4843247B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
駆動回路と表示部とを有すると共に、ノーマリホワイトモードの表示を行うアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置において、
上記駆動回路は、1フレームの画面全体の全絵素に同一極性のデータを書き込むと共に、時間軸において互いに隣接するフレームには互いに極性が異なるデータを書き込むようになっており、
上記表示部におけるソースバスラインの延在方向に隣接する絵素電極間には、当該隣接絵素電極の電極間容量、あるいは、TFTのドレインに接続されて当該隣接絵素電極の下部に絶縁膜を介して形成された導電性の遮光層と当該隣接絵素電極との重なり部分による容量が、形成されている
ことを特徴としている。
(第1参考例)
上述したように、ポリシリコンTFTは、その特性が単結晶シリコンのトランジスタの特性に対して大幅に劣っているために高速動作に限度がある。そこで、本参考例においては、Ni,Pt,Sn,Pdのうち少なくとも1つをアモルファスシリコン(a‐Si)膜に添加し、結晶生成長を促進して形成したポリシリコンを活性層に持つTFTを形成する。そして、このTFTを用いて駆動回路一体型パネルを構成することによって、従来のポリシリコンTFT用いた駆動回路一体型パネルの2倍以上の動作速度を実現し、フレーム周波数を約2倍に上げてフリッカの防止を図るのである。
本参考例においては、950℃以上の酸化工程によって、結晶生成長を促進して形成されたポリシリコンから成る活性層を有するTFTを形成する。そして、このTFTを用いて駆動回路一体型パネルを構成することによって、従来のポリシリコンTFTを用いた駆動回路一体型パネルの2倍以上の動作速度を実現し、フレーム周波数を約2倍に上げてフリッカの防止を図るのである。
本参考例においては、5気圧以上のドライO2あるいは水蒸気を含む雰囲気下での高圧酸化工程によって、結晶生成長を促進して形成したポリシリコンから成る活性層を有するTFTを形成する。そして、このTFTを用いて駆動回路一体型パネルを構成することによって、従来のポリシリコンTFTを用いた駆動回路一体型パネルの2倍以上の動作速度を実現し、フレーム周波数を約2倍に上げてフリッカの防止を図るのである。
図4は、本参考例の液晶表示装置における表示絵素部のレイアウトを模式的に示す。本参考例においては、各絵素に用いるTFTを、上記第1〜第3参考例と同様に、活性層に結晶生成長を促進して形成したポリシリコンを用いて従来のポリシリコン膜TFTの倍速を実現するTFTとする。図4では、絵素補助容量の共通配線31とゲートバスライン32との間のスペースに従来形成していた遮光パターンを形成しないで光が透過するようにしている。尚、33はコンタクトホール、35は金属配線、36は絵素コンタクトホール、37は絵素電極である。
上記各参考例においては、フリッカを防止するめに2倍速のフレーム反転駆動を行うようにしている。したがって、従来の水平ライン反転駆動においては特に問題とはならなかった以下のような問題が発生する。
上述したように、データドライバから供給される表示データ(ビデオ信号)の電圧に、上記データドライバのトランジスタの耐圧や消費電力の観点から制限がある。従って、アクティブマトリックス駆動液晶表示装置に対して水平ライン反転駆動を行う場合には、液晶に印加される駆動電圧が不足し、特にノーマリホワイトモードの表示においては高コントラストを実現するのは困難であるという問題がある。
/(Cs+Clc+Csd+CPP(Y)+Cgd) …(1)
12…a‐Si膜(多結晶Si膜)、
13…ゲート酸化膜、
14…ゲート電極、
15,31,43,53…絵素補助電極容量、
16…平坦化膜、
17,33,45,55…コンタクトホール、
18,35,47,57…金属配線、
21,34,46,56…ビアホール、
22…遮光膜、
23…層間絶縁膜、
24,36,48,58…絵素コンタクトホール、
25,37,49,51,52…透明絵素電極、
26…データドライバ、
27…ゲートドライバ、
28…液晶表示部、
29…駆動回路一体型パネル、
32,44,54…ゲートバスライン、
41…遮光パターン層、
42,59…ソースバスライン、
60…TFT、
62…遮光層。
Claims (3)
- 駆動回路と表示部とを有すると共に、ノーマリホワイトモードの表示を行うアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置において、
上記駆動回路は、1フレームの画面全体の全絵素に同一極性のデータを書き込むと共に、時間軸において互いに隣接するフレームには互いに極性が異なるデータを書き込むようになっており、
上記表示部におけるソースバスラインの延在方向に隣接する絵素電極間には、当該隣接絵素電極の電極間容量、あるいは、薄膜トランジスタのドレインに接続されて当該隣接絵素電極の下部に絶縁膜を介して形成された導電性の遮光層と当該隣接絵素電極との重なり部分による容量が、形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記ソースバスラインの延在方向に隣接する絵素電極間のスペースを、当該絵素電極におけるソースバスラインの延在方向への長さの概15%以下とすることにより、当該隣接絵素電極の電極間容量を得ることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の液晶表示装置において、
上記表示部は、各絵素毎に補助容量を有すると共に、
上記ソースバスラインの延在方向に隣接する絵素電極間の容量は、寄生容量も含めた当該絵素電極に係る補助容量の0.5%以上且つ10%以下である
ことを特徴とする液晶表示装置。
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