CN111540779B - 发光二极管显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一发光二极管显示设备，包含：一第一基板；一驱动晶体管，设于该第一基板上，其中该驱动晶体管包括一栅极电极；以及一连接件，与该栅极电极电性连接，其中该连接件投影到该第一基板上具有一投影轮廓，且该投影轮廓具有至少一弧段。

Description

发光二极管显示设备
本申请是分案申请，母案的申请号：201610889344.1，申请日：2016年10月12日，名称：显示设备。
技术领域
本发明关于一种显示设备，尤指一种连接驱动晶体管与补偿晶体管的连接件具有特殊形状的显示设备。
背景技术
显示器技术不断进步，所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器，如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中，薄型显示器可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示面板，大多数均使用该些显示面板。
其中，有机发光二极管装置具有：重量轻、厚度薄、亮度高、反应速度快、视角大、不需要背光源、制造成本低、及可弯曲等优势，而极具潜力为下一世代的显示设备。
其中，有机发光二极管的驱动主要为电流驱动，且于每一像素单元中，透过多个晶体管及至少一电容以控制有机发光二极管的发光，故该些晶体管及电容彼此的间有着复杂的电路关系。其中，于该些晶体管中，驱动晶体管与补偿晶体管彼此的间透过一连接件电性连接。
若要确保驱动晶体管及补偿晶体管能良好电性连接而无断线可能，则必须确保连接件与驱动晶体管及补偿晶体管的电性连接关系。有鉴于此，若能针对连接件进行改良，则能够确保驱动晶体管及补偿晶体管的电性连接关系，进而避免有机发光二极管无法正确驱动的风险。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种显示设备，其中借由设计连接件的图案，而可避免连接件补偿驱动晶体管与补偿晶体管的补偿电容降低的问题。
本发明的显示设备，包含：一第一基板；一驱动晶体管，设于该第一基板上，其中该驱动晶体管包括一栅极电极、一源极电极以及一漏极电极，且该栅极电极投影到该第一基板上具有一第一投影轮廓；一第一绝缘层，设于该栅极电极上；一第一金属图案层，设于该第一绝缘层上，其中该第一金属图案层具有一开口，且该开口投影到该第一基板上具有一第二投影轮廓；一第二绝缘层，设于该第一金属图案层上；一接触孔，穿设于该第二绝缘层与该第一绝缘层；一连接件，通过该接触孔与该栅极电极电性连接，其中该连接件投影到该第一基板上具有一第三投影轮廓；以及一显示介质，设于该第二绝缘层上；其中该第三投影轮廓与该第一投影轮廓具有相交的一第一交点与一第二交点，该第一交点与该第二交点具有一第一距离，该第三投影轮廓与该第二投影轮廓具有相交的一第三交点与一第四交点，该第三交点与该第四交点具有一第二距离，且该第二距离大于该第一距离。
于本发明的显示设备中，栅极电极、第一金属图案层及连接件可于第一基板上分别形成第一、第二及第三投影轮廓。其中，连接件于第二投影轮廓上的宽度(即第三与第四交点的联机所形成的第二距离)大于连接件于第一投影轮廓上的宽度(即第一与第二交点的联机所形成的第一距离)；表示相较于连接件于第一金属图案层的开口外且同时与栅极电极及第一金属图案层重叠的区域，连接件于第一金属图案层的开口处具有较大的宽度。透过将连接件于第一金属图案层的开口处设计成较大的宽度，可增加连接件于开口处的接触面积，避免连接件于开口处剥离以确保连接件与栅极电极有良好的电性连接。
此外，于本发明的显示设备中，该连接件包括一第一端部与一第二端部，其中该第一端部通过该接触孔与该栅极电极电性连接，而该第二端部与一补偿晶体管电性连接。借此，连接件的功能除了补偿驱动晶体管的补偿电容外，还与补偿晶体管电性连接以提供补偿晶体管的补偿电容。因此，当连接件于第一金属图案的开口处具有较大的宽度，除了可确保连接件与栅极电极有良好的电性连接，还可确保连接件可提供补偿电容给驱动晶体管及补偿晶体管。
附图说明
图1A为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。
图1B为本发明另一实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。
图2为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备的一像素区域的等效电路图。
图3为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备的部分上视图。
图4为沿图3剖面线L1-L2的剖面示意图。
图5为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备的部分上视图。
图6及图7为图5的部分放大图。
图8及图9为本发明其他实施例的有机发光二极管显示设备的连接件部分示意图。
附图标记说明：
11 第一基板 111 缓冲层
112 半导体层 1121 通道区
1122，1122’ 漏极电极 1123 源极电极
113 栅极绝缘层 114 栅极电极
115 第一绝缘层 116 第一金属图案层
1161 开口 117 第二绝缘层
1171，1172 接触孔 1181 连接件
1181a 第一端部 1181b 第二端部
1181c 中间部 11811 第一部分
11812 第二部分 1182 电源线
1183 数据线 119 平坦层
12 第二基板 13 胶材
14 支撑元件 15 有机发光二极管单元
151 第一电极 152 发光层
153 第二电极 16 像素定义层
161 像素开口 17 偏光片
18 粘着层 21，22，23，24 信号线
AA 显示区 A1 第一弧形边缘
A11 第一弧段 A12 第二弧段
A1’ 第一面积 A2 第二弧形边缘
A21 第三弧段 A22 第四弧段
A2’ 第二面积 A3，A4 弧形边缘
B 外围区 C1 补偿电容
C2 储存电容 D 数据信号
D1 第一距离 D2 第二距离
EM 发光控制信号 ELVDD 驱动电压
ELVSS 公共电压 La 第一虚拟线
Lb 第二虚拟线 OLED 有机发光二极管单元
P1 第一交点 P2 第二交点
P3 第三交点 P4 第四交点
P5 第五交点 P6 第六交点
SN，SN-1 扫描信号 T1 驱动晶体管
T2 开关晶体管 T3 补偿晶体管
T4 初始化晶体管 T5 操作控制晶体管
T6 发光控制晶体管 T7 旁路晶体管
Vini 初始电压 W，W1，W2，W3 宽度
X 第一方向
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可借由其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”至“第六”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。
图1A为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。于有机发光二极管显示设备的制作过程中，先提供一第一基板11及一第二基板12，其可为一玻璃基板或其他的硬性基板。其中，第一基板11上设置有一有机发光二极管单元15及一像素定义层16，其中每一像素定义层16设于两相邻的有机发光二极管单元15间。同时，第二基板12上则设置有多个支撑元件14，并于第二基板12的边缘先形成有一胶材13(例如，一玻璃胶材，但本发明并不仅限于此)，且胶材13透过点胶及加热烧结制程接合于第二基板12上。接着，将第一基板11及第二基板12进行对组，其中第二基板12上的支撑元件14对应于像素定义层16的未形成有像素开口161的区域。而后，以雷射加热的方式，使胶材13与第一基板11进行接合，而制得本实施例的有机发光二极管显示设备，且第二基板12上方设置有一偏光片17。
图1B为本发明另一实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图，其与图1A所示的显示设备的差异在于，图1B的显示设备不需使用第二基板，而于粘着层18上设置偏光片17。此外，于图1B所示的显示设备中，第一基板11为一软性基板，其材料可为塑料基板或其他的可挠性基板；因第一基板11为软性基板时，故胶材13为一粘着材不需前述的加热烧结步骤。
如图1A及图1B所示，本实施例的有机发光二极管显示设备包括一显示区AA及一外围区B，其中外围区B邻近显示区AA且位于显示区AA外。所谓的外围区B即走线分布的区域，而所谓的显示区AA则为布设有前述有机发光二极管单元15以及薄膜晶体管元件(图未示)的区域。再者，于本实施例中，每一有机发光二极管单元15可分别发出红光、绿光及蓝光，但其他实施例并不仅限于此；举例来说，有机发光二极管单元15可为一白光有机发光二极管单元，于此情形下，第一基板11或第二基板12的其中一侧还需设置一彩色滤光元件(图未示)。
此外，如图1A及图1B所示，于本实施例的有机发光二极管显示设备中，有机发光二极管单元15包括于第一基板11上依序叠置的一第一电极151、一发光层152及一第二电极153；其中，第一电极151与第一基板11上的薄膜晶体管元件(图未示)电性连接，而像素定义层16设于第一电极151与发光层152间，且透过像素定义层16的像素开口161以定义出光区域。在此，仅以包含有第一电极151、发光层152及第二电极153的有机发光二极管元件作为举例，但本发明并不限于此；其他本技术领域常用的有机发光二极管元件均可应用于本发明的有机发光二极管显示设备中，例如：包括电子传输层、电子注入层、电洞传输层、电洞注入层、及其他可帮助电子电洞传输结合的层的有机发光二极管元件均可应用于本发明中。
图2为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备的一像素区域的等效电路图。于一像素区域中，共包括七个晶体管，分别为驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、及旁路晶体管T7。此外，于一像素区域中，还包括两个电容，分别为补偿电容C1、及储存电容C2。再者，于一像素区域中，还包括：提供扫描信号SN，SN-1的信号线21，22、提供数据信号D的信号线23、提供发光控制信号EM的信号线24、及有机发光二极管单元OLED。其中，一驱动电压ELVDD及一公共电压ELVSS提供至有机发光二极管单元OLED，而一初始电压Vini则提供给补偿晶体管T3及旁路晶体管T7。
图3及图5为本发明一实施例的有机发光二极管显示设备的部分上视图，其为第一基板上的元件投影至第一基板上的轮廓；而图4为沿图3剖面线L1-L2的剖面示意图。其中，图3与图5为相同视图，仅标号差异。
如图3至图5所示，本实施例的显示设备的制作流程约略如下。首先，提供一第一基板11；而后，在第一基板11形成一缓冲层111。接着，于缓冲层111上形成薄膜晶体管单元。在此，以图3至图5所示的驱动晶体管为例。于缓冲层111层先形成一半导体层112，且透过将半导体层112进行掺杂，而可形成通道区1121、漏极电极1122及源极电极1123；其中漏极电极1122及源极电极1123为经掺杂的区域，而信道区1121为未经掺杂的区域且位于漏极电极1122及源极电极1123间。于本发明中，漏极电极1122及源极电极1123的关系并无绝对，当其中一者定义为源极时，另一者则定义为漏极；反之亦可。接着，于半导体层112上形成一栅极绝缘层113，再于栅极绝缘层113上形成一栅极电极114。如此，则完成本实施例显示设备的驱动晶体管的制作。
接着，于栅极电极114上形成一第一绝缘层115，再于第一绝缘层115上形成一第一金属图案层116；其中，此第一金属图案层116与栅极电极114重叠的区域可形成一电容，此电容即为补偿电容C1(如图2所示)。接着，于一金属图案层116上形成一第二绝缘层117，再于第二绝缘层117上形成连接件1181、电源线1182及数据线1183。最后，再形成一平坦层119。
于本实施例中，半导体层112的材料可为单晶硅、多晶硅、或氧化物半导体材料(如：IGZO、IZO、ITZO或其他金属氧化物)；其中，导体层112可透过p掺杂或n掺杂，形成漏极电极1122及源极电极1123。此外，栅极绝缘层113、第一绝缘层115、第二绝缘层117及平坦层119的材料可为一绝缘材料，如氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅。再者，栅极电极114、第一金属图案层116、连接件1181、电源线1182及数据线1183的材料则可为金属、合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他电极材料。前述材料用于举例用，但本发明并不仅限于此。
如图3至图5所示，经由前述步骤，则完成本实施例的显示设备，其包括：一第一基板11；一驱动晶体管，设于第一基板11上，其中驱动晶体管包括一栅极电极114、一源极电极1123以及一漏极电极1122；一第一绝缘层115，设于栅极电极114上；一第一金属图案层116，设于第一绝缘层115上，其中第一金属图案层116具有一开口1161；一第二绝缘层117，设于第一金属图案层116上；一接触孔1171，穿设于第二绝缘层117与第一绝缘层115；一连接件1181，通过接触孔1171与栅极电极114电性连接；以及一显示介质(即图1A及图1B的有机发光二极管单元15)，设于第二绝缘层117上。
当第一基板11上的元件投影至第一基板11时，其轮廓如图3及图5所示。其中，栅极电极114投影到第一基板11上具有一第一投影轮廓；第一金属图案层116的开口1161投影到第一基板11上具有一第二投影轮廓；而连接件1181投影到第一基板11上具有一第三投影轮廓。
如图6所示，其为图5的部分放大图，其中连接件1181的第三投影轮廓与栅极电极114的第一投影轮廓具有相交的一第一交点P1与一第二交点P2，第一交点P1与第二交点P2具有一第一距离D1，连接件1181的第三投影轮廓与第一金属图案层116的开口1161的第二投影轮廓具有相交的一第三交点P3与一第四交点P4，第三交点P3与第四交点P4具有一第二距离D2，且第二距离D2大于第一距离D1。
于本实施例中，连接件1181于第一金属图案层116的开口1161的第二投影轮廓上的宽度(即第三交点P3与第四交点P4的联机所形成的第二距离D2)大于连接件1181于栅极电极114的第一投影轮廓上的宽度(即第一交点P1与第二交点P2的联机所形成的第一距离D1)；故相较于连接件1181于第一金属图案层116的开口1161外且同时与栅极电极114及第一金属图案层116重叠的区域，连接件1181于第一金属图案层116的开口1161处具有较大的宽度。透过将连接件1181于第一金属图案层116的开口1161处设计成较大的宽度，可增加连接件1181于开口1161处的接触面积，避免连接件1181因开口1161处的高度差而于开口1161处剥离，以确保连接件1181与栅极电极114有良好的电性连接。
如图2、图5及图6所示，连接件1181包括一第一端部1181a与一第二端部1181b，其中第一端部1181a通过接触孔1171与栅极电极114电性连接，而第二端部1181b透过一接触孔1172与一补偿晶体管T3的漏极电极1122’电性连接。
图3及图5为图2部分等效电路的驱动晶体管T1、补偿晶体管T3及补偿电容C1的俯视图。于本实施例中，如图3至图5所示，第一金属图案层116与栅极电极114重叠的区域可形成一电容，此电容即为补偿电容C1(如图2所示)。如图2、图5及图6所示，连接件1181的功能除了可用于补偿驱动晶体管T1的补偿电容外还与补偿晶体管T3电性连接以提供补偿晶体管T3的补偿电容。因此，当连接件1181于第一金属图案层116的开口1161处具有较大的宽度，除了可确保连接件1181与栅极电极114有良好的电性连接而形成补偿电容C1(如图2所示)外，还可确保连接件1181可提供补偿电容给驱动晶体管T1及补偿晶体管T3。
如图5及图6所示，本实施例的显示设备还包括一位于连接件1181旁的电源线1182；其中，连接件1181还包括一位于第一端部1181a与第二端部1181b间的中间部1181c，且在第一交点P1与第二交点P2联机的第一方向X上，中间部1181c的宽度W3小于第一端部1181a的宽度W1或第二端部1181b的宽度W2。换言之，于连接件1181中，中间部1181c具有最小宽度。由于第一端部1181a及第二端部1181b需延伸至接触孔1171，1172，故需较大的宽度，以避免因接触孔1171，1172处的高度差而使得第一端部1181a及第二端部1181b有剥离的情形发生；但中间部1181c所设置的区域并未如第一端部1181a及第二端部1181b所设置的区域有高度差，故可无须设计成具有较大宽度，而可缩减中间部1181c的宽度，以与电源线1182间维持一距离。
如图7所示，其为图5的部分放大图，连接件1181的第三投影轮廓包含一第一部分11811与一第二部分11812，第一部分11811位于第一金属图案层116的开口1161的第二投影轮廓内，第二部分11812位于开口1161的第二投影轮廓外。其中，将第一交点P1与第二交点P2相连的延伸方向定义为一第一方向X，通过第三交点P3在垂直第一方向X上定义一第一虚拟线La，第一虚拟线La与第一部分11811具有相交的一第五交点P5，而第一部分11811于第三交点P3与第五交点P5间具有一第一弧形边缘A1。其中，第一弧形边缘A1包括一第一弧段A11及一第二弧段A12(如虚线所示)，第一弧段A11相对靠近第三交点P3，而第二弧段A12相对靠近第五交点P5，且第一弧段A11与第二弧段A12的曲率半径可相同或不相同。较佳为，第一弧段A11与第二弧段A12的曲率半径不相同。
此外，通过第四交点P4在垂直第一方向X上定义一第二虚拟线Lb，第二虚拟线Lb与第一部分11811具有相交的一第六交点P6，第一部分11811于第四交点P4与第六交点P6间具有一第二弧形边缘A2。其中，第二弧形边缘A2包括一第三弧段A21及一第四弧段A22(如虚线所示)，第三弧段A21相对靠近第四交点P4，而第四弧段A22相对靠近第六交点P6，且第三弧段A21与第四弧段A22的曲率半径可相同或不相同。较佳为，且第三弧段A21与第四弧段A22的曲率半径不相同。
如图7所示，由于连接件1181的功能在于传导电流，若连接件1181不具有前述的第一弧形边缘A1及第二弧形边缘A2，使得边缘具有一折角，电荷容易在折角处有电荷残留的情形，而容易导致静电放电(Electrostatic discharge)效应，此静电放电效应会造成连接件1181的损坏。因此，于本实施例的显示设备中，当连接件1181设计成具有前述的第一弧形边缘A1及第二弧形边缘A2，连接件1181的边缘不会有折角产生，进而可避免前述电荷残留所导致的静电放电效应。
再者，连接件1181的第三投影轮廓于邻近第一交点P1处与邻近第二交点P2处也分别具有一弧形边缘A3，A4。
如图7所示，第三交点P3与第五交点P5相连形成一第一线段(如第一虚拟线La所示的线段)，第四交点P4与第六交点P6相连形成一第二线段(如第二虚拟线Lb所示的线段)，第一线段(如第一虚拟线La所示的线段)与第一弧形边缘A1形成一第一面积A1’，第二线段(如第二虚拟线Lb所示的线段)与第二弧形边缘A2形成一第二面积A2’，且第一面积A1’与第二面积A2’不同。
此外，如图7所示，将第一交点P1与第二交点P2相连的延伸方向定义为一第一方向X，于第一方向X上，位于第一金属图案层116的开口1161内的连接件1181具有一宽度W，且宽度W大于第一距离D1。
图8及图9为本发明其他实施例的有机发光二极管显示设备的连接件部分示意图。本发明其他实施例的有机发光二极管显示设备结构与前述实施例相同，除了第一部分11811于第三交点P3与第五交点P5间具有一第一弧形边缘A1具有不同外型，且第一弧段A11与第二弧段A12的曲率半径也与前述实施例不同。举例来说，图9的第一弧段A11的曲率半径小于图7及图8的第一弧段A11的曲率半径。此外，相较于图7所示的第一部分11811，于图8及图9中第一线段(如第一虚拟线La所示的线段)与第一弧形边缘A1所形成的第一面积A1’均小于图7中第一线段(如第一虚拟线La所示的线段)与第一弧形边缘A1所形成的第一面积A1’。此外，于图7中，夹置于第一弧段A11与第二弧段A12间的线段具有一接近直线的外型。于图8中，夹置于第一弧段A11与第二弧段A12间的线段具有一内凹外型故第一弧段A11与第二弧段A12间的线段和第一弧段A11及第二弧段A12连接处分别为一反曲点。于图9中，夹置于第一弧段A11与第二弧段A12间的线段具有一微凸出外型。然而，本发明的连接件外型并非仅限于图7至图9所示，可具有其他外型。
于本发明中，前述实施例所制得的显示设备，可与触控面板合并使用，而做为一触控显示设备。同时，本发明前述实施例所制得的显示设备或触控显示设备，可应用于本技术领域已知的任何需要显示屏幕的电子装置上，如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等需要显示影像的电子装置上。
上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。上面那些实施例内的特征可以依设计需求混和并用，不限于各自的实施例内。

Claims (10)

1.一种发光二极管显示设备，其特征在于，包含：
一第一基板；
一驱动晶体管，设于该第一基板上，其中该驱动晶体管包括一栅极电极；以及
一连接件，与该栅极电极电性连接，其中该连接件投影到该第一基板上具有一投影轮廓，且该投影轮廓具有至少一弧段。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该至少一弧段与该栅极电极部分重叠。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该栅极电极投影到该第一基板上形成一另一投影轮廓，该另一投影轮廓具有至少一另一弧段。
4.根据权利要求3所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该另一投影轮廓与该投影轮廓具有相交的一第一交点与一第二交点，该第一交点与该第二交点间具有一距离，且该投影轮廓沿一第一方向上具有一最小宽度，其中该距离大于该最小宽度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该连接件包含一第一端部及一中间部，该第一端部与该栅极电极重叠；其中该第一端部沿一第一方向上具有一第一最大宽度，该中间部沿该第一方向上具有一第二最大宽度，其中该第一最大宽度大于该第二最大宽度。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该连接件还包含一第二端部；其中该第二端部沿该第一方向上具有一第三最大宽度，且该第三最大宽度大于该第二最大宽度。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该第二端部与一补偿晶体管电性连接。
8.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该发光二极管显示设备还包括一半导体层，该半导体层设置于该第一基板上，且该半导体层形成一通道区、一漏极电极及一源极电极；其中该通道区位于该漏极电极及该源极电极间。
9.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该发光二极管显示设备还包括一绝缘层，设置于该连接件与该栅极电极之间，其中该连接件透过该绝缘层的一接触孔与该栅极电极电性连接。
10.根据权利要求1所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该发光二极管显示设备还包括一电源线，该电源线与该栅极电极部分重叠。
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