CN111613643A - 透明显示装置 - Google Patents

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CN111613643A CN202010106240.5A CN202010106240A CN111613643A CN 111613643 A CN111613643 A CN 111613643A CN 202010106240 A CN202010106240 A CN 202010106240A CN 111613643 A CN111613643 A CN 111613643A
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Abstract

提供了一种透明显示装置，所述透明显示装置包括：基体基底；多个像素，设置在基体基底上，每个像素具有发射区域和对外部光透明的透射区域；电路元件层，设置在基体基底上；第一电极，设置在电路元件层上并且与发射区域对应；像素限定层，设置在电路元件层上，像素限定层包括限定发射区域的第一侧壁和限定透射区域的第二侧壁；发射层，设置在第一电极上并且与发射区域对应；以及第二电极，设置在发射层上并且包括与透射区域对应的开口，其中，第一侧壁以第一角度倾斜，并且第二侧壁以比第一角度大的第二角度倾斜。

Description

透明显示装置
本申请要求于2019年2月22日提交的第10-2019-0021366号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分地阐述一样。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及一种透明显示装置，更具体地，涉及一种具有改善了透射率的透明显示装置。
背景技术
显示装置是显示图像的设备，并且有机发光显示装置近来已经正在受到关注。有机发光显示装置具有优异的特性，诸如与常规显示装置相比的更低的功耗、更高的亮度和更快的快速响应速度。
有机发光显示装置可以包括透明发光显示面板并且具有透明的性质。透明发光显示面板可以包括像素，每个像素具有允许光穿过的透射区域。这样，用户可以识别通过显示面板的像素显示的图像，并且通过穿过透射区域的光感知在显示面板后面的物体或图像。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施例构造的透明显示装置具有改善的透射率。
发明构思的附加特征将在以下描述中进行阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据示例性实施例的透明显示装置包括基体基底和设置在基体基底上的多个像素，每个像素具有发射区域和对外部光透明的透射区域。每个像素包括：电路元件层，设置在基体基底上；第一电极，设置在电路元件层上并且与发射区域对应；像素限定层，设置在电路元件层上，像素限定层包括限定发射区域的第一侧壁和限定透射区域的第二侧壁；发射层，设置在第一电极上并且与发射区域对应；以及第二电极，设置在发射层上并且包括与透射区域对应的开口。第一侧壁以第一角度倾斜，并且第二侧壁以比第一角度大的第二角度倾斜。
制造根据示例性实施例的包括均具有发射区域和对外部光透明的透射区域的多个像素的透明显示装置的方法包括以下步骤：在基体基底的顶表面上形成电路元件层；在电路元件层上形成与发射区域对应的第一电极；在电路元件层上形成限定发射区域和透射区域的像素限定层；在第一电极上形成与发射区域和透射区域对应的初始有机层；形成覆盖初始有机层的电极层；对初始有机层的设置在透射区域中的部分加热，以使初始有机层的该部分与电路元件层分离；以及去除初始有机层的与电路元件层分离的部分以及电极层的一部分，以形成有机层和第二电极，有机层和第二电极中的每个具有与透射区域对应的开口。
将理解的是，前面的总体描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对如要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思，其中，包括附图以提供对发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。
图1是根据示例性实施例的透明显示装置的前视图。
图2是示例性地示出根据示例性实施例的透明显示装置的剖视图。
图3是根据示例性实施例的透明显示面板的像素结构的平面图。
图4是沿着图3的线I-I'截取的示出了图3的透明显示面板的显示元件层的剖视图。
图5是示出图4的部分II的放大图。
图6是根据示例性实施例的透明显示面板的剖视图。
图7是图6的部分III的放大图。
图8是示出根据示例性实施例的透明显示面板的每个像素的电路构造的平面图。
图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F和图9G是示出制造根据示例性实施例的透明显示装置的方法的剖视图。
图10A、图10B和图10C分别是示出图9D至图9F的部分IV的放大剖视图。
图11A、图11B和图11C是示出形成图9C的像素限定层的方法的剖视图。
具体实施方式
在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是作为采用一个或更多个在这里公开的发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，公知的结构和装置以框图形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供实际上可以以其实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用来使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、大小、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一个元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于诸如x轴、y轴和z轴的直角坐标系的三条轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
出于描述的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的(多个)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，在这里使用的空间相对描述语被相应地解释。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式。此外，术语“包含”、“包括”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图示和/或分解图示来描述各种示例性实施例。如此，例如由制造技术和/或公差而引起的与图示的形状的变化是意料之中的。因此，这里公开的示例性实施例不应被必须解释为对具体示出的区域的形状的限制，而是将包括例如由制造引起的形状偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此不必旨在限制。
除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在这里明确如此定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想地或者过于形式化的意义来解释。
图1是根据示例性实施例的透明显示装置的前视图。图2是示例性地示出根据示例性实施例的透明显示装置的剖视图。图3是根据示例性实施例的透明显示面板的像素结构的平面图。
参照图1，透明显示装置DD可以具有限定在其上的显示区域DA和非显示区域NDA。其上显示有图像IM的显示区域DA可以平行于由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的平面。在一些示例性实施例中，第一方向DR1可以平行于透明显示装置DD的短边，第二方向DR2可以平行于透明显示装置DD的长边。
用户可以识别显示在显示区域DA上的图像IM，并且还可以识别在透明显示装置DD后面的物体或图像。图1示例性地示出了透明显示装置DD显示定位在其背侧上的用户的手UH。
透明显示装置DD可以用于诸如电视机、监视器和户外广告牌的大型电子设备，并且也可以用于中小型电子设备，诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏控制台、便携式电子装置和相机。然而，发明构思不限于此，透明显示装置DD可以用于各种其他电子设备。
非显示区域NDA是与显示区域DA相邻且可以不显示图像IM的区域。非显示区域NDA可以限定透明显示装置DD的边框区域。可以不识别透明显示装置DD的非显示区域NDA后面的物体或图像。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。可选地，非显示区域NDA可以部分地与显示区域DA的边缘相邻或者可以被省略。然而，发明构思不限于此。
参照图1和图2，透明显示装置DD可以包括透明显示面板DP。透明显示面板DP可以是柔性显示面板。例如，透明显示面板DP可以是柔性的，因此，其形状可以通过弯曲、折叠、卷绕等来改变。在一些示例性实施例中，透明显示面板DP可以是包括有机发光器件的有机发光显示面板。
透明显示面板DP可以包括基体基底BS和设置在基体基底BS上的显示单元DU。显示单元DU可以包括发射内部光的发光层。发光层可以被设置为对应于发射区域EA。如此，透明显示面板DP可以通过多个发射区域EA显示图像。透明显示面板DP可以允许外部光穿过透射区域TA。因此，透明显示面板DP可以示出位于其背侧上的物体或图像，同时通过发射区域EA显示图像。
显示单元DU可以设置有与发射区域EA对应的各种器件和连接线，因此，入射到发射区域EA上的外部光可以具有极低的透射率或者可以几乎不穿过发射区域EA。然而，各种装置和连接线可以不对应于透射区域TA，这可以增加外部光在透射区域TA中的透射率。
虽然图2示出了其中透射区域TA被设置为与发射区域EA直接相邻的结构，但是在一些示例性实施例中，还可以在发射区域EA与透射区域TA之间设置非发射区域(例如，图3的NEA)。
参照图3，透明显示面板DP可以包括多个像素。多个像素中的每个可以包括发射区域EA、非发射区域NEA和透射区域TA。图3示出了多个像素之中的两个相邻像素PX1和PX2。两个像素PX1和PX2可以具有彼此基本相同的构造。另外，像素中的每个可以具有基本上相同的构造。
像素PX1和PX2中的每个可以包括多个子像素。发射区域EA可以包括分别与多个子像素对应的多个发射区域EA1、EA2和EA3。透射区域TA可以被设置为与多个发射区域EA1、EA2和EA3相邻。
根据示出的示例性实施例，每个像素可以包括显示红色R的第一子像素、显示绿色G的第二子像素和显示蓝色B的第三子像素。第一子像素至第三子像素可以具有基本上相同的尺寸，或者第一子像素至第三子像素中的至少一个可以具有与其他子像素的尺寸不同的尺寸。如图3中所示，第三子像素可以具有比第一子像素和第二子像素的尺寸大的尺寸。在这种情况下，与第三子像素对应的第三发射区域EA3可以具有比分别与第一子像素和第二子像素对应的第一发射区域EA1和第二发射区域EA2的尺寸大的尺寸。
透射区域TA可以具有比第一子像素至第三子像素的尺寸之和大的尺寸。然而，发明构思不限于此，并且在一些示例性实施例中，透射区域TA的尺寸可以基于透明显示装置DD的所需透射率而进行各种改变。
图3示出了像素PX1和PX2中的每个具有一个透射区域TA，然而，发明构思不限于此。在一些示例性实施例中，像素PX1和PX2中的每个可以具有多个透射区域TA。例如，每个像素可以包括分别与第一子像素至第三子像素对应的两个或更多个透射区域TA。
图3示出了发射区域EA1、EA2和EA3中的每个具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的基本上矩形的形状。然而，发明构思不限于此。例如，发射区域EA1、EA2和EA3中的每个可以具有基本上菱形的形状。透射区域TA也被示出为具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的基本上矩形的形状，但是透射区域TA的形状可以基于发射区域EA1、EA2和EA3中的每个形状而改变。
图1至图3中示出的透明显示装置DD被示出为具有其中像素PX1和PX2中的每个设置有透射区域TA的结构，但是发明构思不限于此。例如，一些示例性实施例中的透明显示装置DD的显示区域DA可以被部分地构造为透明显示区域。在这种情况下，透射区域TA可以设置在布置在透明显示区域中的像素上，而设置在除了透明显示区域之外的区域中的像素可以不被包括在透射区域TA中。以这种方式，在透明显示区域中，发射区域EA可以显示图像且透射区域TA可以显示在透明显示装置DD后面的物体或外部图像，而在其他显示区域中，仅发射区域EA可以显示图像。
图4是沿着图3的线I-I'截取的示出了图3的透明显示面板的显示元件层的剖视图。图5示出了图4的部分II的放大图。
参照图4和图5，透明显示面板DP可以包括基体基底BS和显示单元DU，显示单元DU可以包括电路元件层CL、显示元件层DPL和封装层TFE。在一些示例性实施例中，显示单元DU还可以包括触摸传感器、抗反射层和窗中的一个或更多个。
基体基底BS可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、介电膜或包括多个介电层的堆叠结构。
电路元件层CL可以包括设置在每个子像素上的子像素电路和连接到子像素电路的多条信号线SL。子像素电路可以包括多个晶体管TR和电容器。图4示例性地示出了一个晶体管TR，但是发明构思不限于晶体管TR的具体数量和结构。电路元件层CL可以包括阻挡层BR、有源层ACT、栅极绝缘层GI、栅电极GE、层间绝缘层ILD、输入电极SE、输出电极DE和中间绝缘层VLD。
阻挡层BR可以设置在基体基底BS上，并且可以防止外来物质渗入到阻挡层BR中。在一些示例性实施例中，显示单元DU还可以包括在阻挡层BR上的缓冲层。缓冲层可以增加基体基底BS与设置在基体基底BS上的层之间的接合强度。可以可选地设置或省略阻挡层BR和缓冲层。
有源层ACT可以设置在阻挡层BR上。有源层ACT可以用作晶体管TR的沟道区。有源层ACT可以包括选自非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的一种。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。栅极绝缘层GI可以使栅电极GE与有源层ACT绝缘。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以被放置为与有源层ACT叠置。形成信号线SL的第一导电层可以设置在与栅电极GE的水平相同的水平处。
层间绝缘层ILD可以设置在栅电极GE上。层间绝缘层ILD可以使栅电极GE与输入电极SE和输出电极DE电绝缘。层间绝缘层ILD可以包括无机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅等。
输入电极SE和输出电极DE可以设置在层间绝缘层ILD上。输入电极SE和输出电极DE中的每个可以通过设置在层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI中的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2中的对应的一个电连接到有源层ACT。形成信号线SL的第二导电层可以设置在与输入电极SE和输出电极DE的水平相同的水平处。
根据示出的示例性实施例的透明显示面板DP被描述为具有其中栅电极GE设置在有源层ACT上方的顶栅结构，但是发明构思不限于此。在一些示例性实施例中，透明显示面板DP可以具有其中栅电极GE设置在有源层ACT之下的底栅结构。在又一些示例性实施例中，透明显示面板DP可以包括具有顶栅结构的多个晶体管TR中的一个和具有底栅结构的多个晶体管TR中的另一个。
中间绝缘层VLD可以设置在输入电极SE和输出电极DE上。中间绝缘层VLD可以提供平坦化的表面。中间绝缘层VLD可以包括有机材料。有机材料可以包括丙烯酰类树脂、甲基丙烯酰类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的一种或更多种。
显示元件层DPL可以设置在中间绝缘层VLD上。显示元件层DPL可以包括像素限定层PDL和多个显示元件OLED。多个显示元件OLED可以对应地设置在多个子像素上，并且可以连接到对应的子像素电路或信号线SL。在一些示例性实施例中，显示元件OLED可以是有机发光二极管。显示元件OLED可以包括第一电极AE、第一有机层ECL、发射层EML、第二有机层HCL和第二电极CE。
第一电极AE可以设置在中间绝缘层VLD上。第一电极AE可以通过穿透中间绝缘层VLD的第三接触孔CH3连接到输出电极DE。第一电极AE可以是反射电极，而不限于此。例如，在一些示例性实施例中，第一电极AE可以是透射电极或透反射电极。当第一电极AE是透反射电极或反射电极时，第一电极AE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它们的任何复合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。可选地，第一电极AE可以具有多层结构，该多层结构包括由上面提及的材料形成的反射层或透反射层以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电层。例如，第一电极AE可以是具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的多层金属层。
特别地，当第一电极AE形成为反射电极时，第一电极AE可以防止外部光穿过发射区域EA，从而抑制由外部光引起的图像失真。
像素限定层PDL可以包括有机材料。像素限定层PDL设置有对应于发射区域EA限定的第一开口OP1。像素限定层PDL的第一开口OP1暴露第一电极AE的至少一部分。像素限定层PDL设置有对应于透射区域TA限定的第二开口OP2。像素限定层PDL的第二开口OP2部分地暴露电路元件层CL的顶表面。
透明显示面板DP可以设置有发射区域EA和与发射区域EA相邻的非发射区域NEA。非发射区域NEA可以围绕发射区域EA。在一些示例性实施例中，发射区域EA可以对应于第一电极AE的被第一开口OP1暴露的部分。
第一有机层ECL可以是电子控制层。第一有机层ECL可以公共地设置在发射区域EA和非发射区域NEA中。在一些示例性实施例中，诸如第一有机层ECL的公共层可以公共地形成在多个显示元件OLED上。在一些示例性实施例中，第一有机层ECL可以包括电子注入层和电子传输层中的一个或更多个。
发射层EML设置在第一有机层ECL上。发射层EML可以设置在与第一开口OP1对应的区域中。例如，发射层EML可以单独地形成在多个显示元件OLED中的每个上。发射层EML可以包括本领域公知的有机材料。例如，发射层EML可以由发射红色光的材料、发射绿色光的材料和发射蓝色光的材料中的一种或更多种形成，并且可以包括荧光材料或磷光材料。
图4示例性地示出图案化的发射层EML，但是发射层EML可以公共地设置在多个显示元件OLED上。当发射层EML公共地设置在多个显示元件OLED上时，发射层EML可以产生白光。发射层EML可以具有由单一材料制成的单层结构、包括多种不同材料的单层结构或者包括由不同材料制成的多个层的多层结构。
第二有机层HCL可以设置在发射层EML上。在一些示例性实施例中，第二有机层HCL可以公共地形成在多个显示元件OLED上。第二有机层HCL可以是空穴控制层。第二有机层HCL可以包括空穴注入层和空穴传输层中的一个或更多个。
第二电极CE设置在第二有机层HCL上。第二电极CE被公共地放置在多个显示元件OLED上。第二电极CE可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca等形成，但是可以优选地由Mg或其合金形成。第二电极CE可以具有约
Figure BDA0002388528040000101
至约
Figure BDA0002388528040000102
的厚度。
第一有机层ECL和第二有机层HCL中的每个具有与透射区域TA对应的开口结构。另外，第二电极CE可以具有与透射区域TA对应的开口结构的形状。例如，第一有机层ECL和第二有机层HCL可以从与透射区域TA对应的位置去除，并且第二电极CE可以从与透射区域TA对应的位置去除。以此方式，在透射区域TA中，电路元件层CL的顶表面可以不被第一有机层ECL和第二有机层HCL以及第二电极CE覆盖而是被第一有机层ECL和第二有机层HCL以及第二电极CE暴露。
封装层TFE封装显示元件层DPL。封装层TFE设置在第二电极CE上。封装层TFE公共地放置在多个显示元件OLED上。在一些示例性实施例中，封装层TFE直接覆盖第二电极CE。在其他示例性实施例中，覆盖第二电极CE的盖层可以设置在封装层TFE与第二电极CE之间。在这种情况下，封装层TFE可以直接覆盖盖层。封装层TFE可以直接覆盖电路元件层CL的暴露在透射区域TA中的顶表面。
封装层TFE包括至少一个无机层(在下文中，称为封装无机层)。封装层TFE还可以包括至少一个有机层(在下文中，称为封装有机层)。封装无机层保护显示元件层DPL免受湿气/氧的影响，并且封装有机层保护显示元件层DPL免受诸如灰尘颗粒的杂质的影响。封装无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等。封装有机层可以包括丙烯酰类有机层，但不限于此。
如图4和图5中所示，非发射区域NEA被限定在发射区域EA和透射区域TA之间，并且像素限定层PDL位于非发射区域NEA中。像素限定层PDL可以包括限定发射区域EA的第一侧壁SW1和限定透射区域TA的第二侧壁SW2。例如，第一侧壁SW1被设置为与发射区域EA相邻，第二侧壁SW2被设置为与透射区域TA相邻。第一侧壁SW1和第二侧壁SW2中的每个具有倾斜结构。例如，第一侧壁SW1具有以第一角度θ1倾斜的倾斜结构，第二侧壁SW2具有以第二角度θ2倾斜的倾斜结构。第一角度θ1和第二角度θ2具有彼此不同的大小。在一些示例性实施例中，第一角度θ1可以具有大于0°且等于或小于约30°的大小，而第二角度θ2可以具有大于约30°且小于约90°的大小。
在形成显示元件OLED的多个层之中，第一电极AE和发射层EML中的每个可以单独地设置在对应的发射区域EA中。然而，第一有机层ECL、第二有机层HCL和第二电极CE中的每个可以公共地设置在发射区域EA和非发射区域NEA中。在一些示例性实施例中，第一有机层ECL、第二有机层HCL和第二电极CE中的每个可以公共地形成在多个发射区域EA中，例如，形成在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中(参见图3的EA1、EA2和EA3)。在下文中，公共地形成在多个发射区域EA中的层ECL、HCL和CE可以统称为公共层。
第一电极AE和发射层EML可以设置为与第一侧壁SW1叠置，公共层ECL、HCL和CE可以设置为与第一侧壁SW1和第二侧壁SW2叠置。由于第一侧壁SW1以第一角度θ1倾斜并且第二侧壁SW2以比第一角度θ1大的第二角度θ2倾斜，所以公共层ECL、HCL和CE的与第一侧壁SW1叠置的部分的厚度可以不同于公共层ECL、HCL和CE的与第二侧壁SW2叠置的部分的厚度。例如，公共层ECL、HCL和CE的与第二侧壁SW2叠置的部分的厚度可以比公共层ECL、HCL和CE的与第一侧壁SW1叠置的部分的厚度小。
在一些示例性实施例中，公共层ECL、HCL和CE可以不与透射区域TA叠置。例如，公共层ECL、HCL和CE可以形成为在透射区域TA中具有开口结构。具体地，由于公共层ECL、HCL和CE中的第二电极CE具有低透射率，因此从透射区域TA去除公共层ECL、HCL和CE可以提高透明显示面板DP的透射率。
图6是根据示例性实施例的透明显示面板的剖视图。图7是图6的部分III的放大图。图6和图7中所示的透明显示面板与图4和图5中所示的透明显示面板基本上相同，因此，将省略对基本上相同的元件的重复描述以避免冗余。
参照图6和图7，根据示例性实施例的透明显示面板DP2可以具有在第二电极CE上进一步设置有第三电极TE的显示元件层DPL。第三电极TE可以包括具有约50％或更高的透射率的材料。第三电极TE可以包括透明导电氧化物、石墨烯或纳米纤维等。例如，第三电极TE可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或更多种。
第三电极TE电连接到第二电极CE。第三电极TE可以是用于补偿由第二电极CE的厚度和面积的减小而引起的电压降(例如，IR降)的补偿电极。在一些示例性实施例中，第三电极TE可以具有约
Figure BDA0002388528040000121
至约
Figure BDA0002388528040000122
的厚度。
当第三电极TE包括诸如具有高透射率的透明导电氧化物的材料时，第三电极TE可以被设置为朝向透射区域TA延伸。例如，第三电极TE可以公共地形成在发射区域EA、非发射区域NEA和透射区域TA中。这样，可以增加第三电极TE的面积以提高对电压降的补偿效果。另外，由于第三电极TE具有高透射率，所以即使当第三电极TE形成为朝向透射区域TA延伸时，透明显示面板DP2的透射率也可以不减小。
如图6和图7中所示，公共层ECL、HCL和CE以及第三电极TE可以被设置为与第一侧壁SW1和第二侧壁SW2叠置。由于第一侧壁SW1以第一角度θ1倾斜并且第二侧壁SW2以比第一角度θ1大的第二角度θ2倾斜，所以公共层ECL、HCL和CE的与第二侧壁SW2叠置的部分的厚度可以比公共层ECL、HCL和CE的与第一侧壁SW1叠置的部分的厚度小。同样地，第三电极TE的与第二侧壁SW2叠置的部分的厚度可以比第三电极TE的与第一侧壁SW1叠置的部分的厚度小。
另外，公共层ECL、HCL和CE不与透射区域TA叠置。例如，公共层ECL、HCL和CE可以在透射区域TA中具有开口结构。
当第二侧壁SW2具有陡峭的角度或者第三电极TE具有小的厚度时，第三电极TE可以在透射区域TA与非发射区域NEA之间的边界处被去除。当第三电极TE由具有差的阶梯覆盖的材料形成时，第三电极TE可以在透射区域TA和非发射区域NEA之间的边界处被切割。
图8是根据示例性实施例的透明显示面板的每个像素的电路构造的平面图。
参照图8，像素PX1和PX2中的每个包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以包括子像素电路SPC和显示元件OLED。显示元件OLED可以是有机发光二极管，并且可以分别在子像素SPX1、SPX2和SPX3中限定发射区域EA1、EA2和EA3。子像素电路SPC可以设置为与发射区域EA1、EA2和EA3中对应的一个叠置。子像素电路SPC可以与非发射区域NEA叠置。然而，子像素电路SPC不与透射区域TA叠置。
在一些示例性实施例中，子像素电路SPC可以包括两个晶体管TR1和TR2以及一个电容器Cst。然而，发明构思不限于子像素电路SPC的具体结构，并且在一些示例性实施例中，设置在子像素电路SPC中的晶体管和电容器的数量可以进行各种改变。
信号线SL可以电连接到子像素SPX1、SPX2和SPX3中的每个的子像素电路SPC。在一些示例性实施例中，信号线SL可以包括栅极线GL1、GL2和GL3、数据线DL1和DL2以及电力电压线PL。可以基于子像素电路SPC的构造设置除上述的信号线以外的各种信号线。
由于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的子像素电路SPC具有相同的电路构造，所以将参照包括在第一像素PX1的第一子像素SPX1中的子像素电路SPC来描述子像素电路SPC。
第一子像素SPX1的子像素电路SPC包括连接到第一栅极线GL1和第一数据线DL1的第一薄膜晶体管TR1、连接到第一薄膜晶体管TR1和电力电压线PL的第二薄膜晶体管TR2以及连接到第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2的电容器Cst。第一薄膜晶体管TR1用作开关晶体管，第二薄膜晶体管TR2用作驱动晶体管。第二薄膜晶体管TR2电连接到上面讨论的第一电极AE。在图8中，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2被图示为P型，但是发明构思不限于此。例如，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的一个或更多个可以形成为N型。此外，子像素电路SPC中的薄膜晶体管和电容器的数量没有具体限制，并且在一些示例性实施例中，子像素电路SPC可以包括两个或更多个薄膜晶体管以及一个或更多个电容器。
如图8中所示，连接到第一子像素SPX1的第一栅极线GL1在第一方向DR1上延伸，并且被设置为与非发射区域NEA叠置。然而，本发明构思不限于此，并且在一些示例性实施例中，第一栅极线GL1的一部分可以与发射区域EA叠置。然而，第一栅极线GL1可以不与透射区域TA叠置。
连接到第二子像素SPX2的第二栅极线GL2在第一方向DR1上延伸，并且被设置为与第一栅极线GL1相邻。第二栅极线GL2可以设置在非发射区域NEA中。第二栅极线GL2不与透射区域TA叠置。例如，第二栅极线GL2可以被设置为不与透射区域TA叠置，而是绕过透射区域TA。在一些示例性实施例中，第二栅极线GL2可以具有弯曲形状以绕过透射区域TA。在其他示例性实施例中，第二栅极线GL2可以不弯曲而是基本上平行于第一栅极线GL1，如图8中所示。在这种情况下，透明显示面板DP还可以包括用于第二栅极线GL2与第二子像素SPX2之间的电连接的桥接线BL。桥接线BL可以不与透射区域TA叠置，而是与非发射区域NEA和发射区域EA叠置。
连接到第三子像素SPX3的第三栅极线GL3可以在第一方向DR1上延伸，并且被设置为在第二方向DR2上跨过透射区域TA与第一栅极线GL1和第二栅极线GL2间隔开。第三栅极线GL3与非发射区域NEA叠置，但不与透射区域TA叠置。
第一数据线DL1可以共同连接到第一像素PX1的第一子像素SPX1至第三子像素SPX3，并且第二数据线DL2可以共同连接到第二像素PX2的第一子像素SPX1至第三子像素SPX3。第一数据线DL1和第二数据线DL2与非发射区域NEA叠置，但不与透射区域TA叠置。电力电压线PL也与非发射区域NEA叠置，但不与透射区域TA叠置。如上面讨论的，由于信号线GL1至GL3、DL1、DL2以及PL被设置为既不穿透透射区域TA也不与透射区域TA叠置，所以引入透射区域TA中的外部光不被信号线GL1至GL3、DL1、DL2以及PL反射，因此透明显示面板DP的透射率可以不降低。因此，用户可以清楚地识别在透明显示面板DP后面的物体或图像。
图9A至图9G是示出制造根据示例性实施例的透明显示装置的方法的剖视图。图10A至图10C分别是图9D至图9F的部分IV的放大剖视图。
参照图9A，在基体基底BS的顶表面上形成电路元件层CL。电路元件层CL可以包括设置在每个子像素上的子像素电路SPC(见图8)和连接到子像素电路SPC的多条信号线SL。可以在电路元件层CL中形成第三接触孔CH3，使晶体管TR的输出电极DE暴露。
图9A示例性地示出了其中电路元件层CL形成在发射区域EA、非发射区域NEA和透射区域TA(见图9E)中的每个中的结构，但是发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施例中，包括在电路元件层CL中的至少一些层可以从透射区域TA去除。
参照图9B，在电路元件层CL上，对应于发射区域EA形成第一电极AE。第一电极AE可以通过第三接触孔CH3与晶体管TR的输出电极DE接触。第一电极AE可以包括由ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成的透明导电材料和由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等形成的反射电极材料中的至少一种。第一电极AE可以与非发射区域NEA部分地叠置。
参照图9C，在电路元件层CL上形成像素限定层PDL，并且像素限定层PDL限定发射区域EA和透射区域TA。像素限定层PDL可以包括对应于发射区域EA的第一开口OP1和对应于透射区域TA的第二开口OP2。第一开口OP1暴露第一电极AE的至少一部分。第一电极AE被暴露的区域可以被限定为发射区域EA。第二开口OP2部分地暴露电路元件层CL的顶表面。当从透射区域TA完全去除电路元件层CL时，可以暴露电路元件层CL之下的层，或者当去除电路元件层CL的一部分时，可以暴露电路元件层CL的被去除部分之下的层。
参照图9D和图10A，形成初始有机层P_OL，初始有机层P_OL可以包括与发射区域EA对应并设置在第一电极AE上的发射层EML。初始有机层P_OL还包括第一初始有机层P_ECL和第二初始有机层P_HCL。发射层EML与发射区域EA和第一电极AE叠置，而第一初始有机层P_ECL和第二初始有机层P_HCL与发射区域EA、非发射区域NEA和透射区域TA叠置。第一初始有机层P_ECL和第二初始有机层P_HCL可以还与相邻子像素的发射区域EA叠置。
在初始有机层P_OL上形成电极层P_CE。电极层P_CE形成为覆盖第二初始有机层P_HCL的顶表面。电极层P_CE可以包括金属材料，诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca。在一些示例性实施例中，电极层P_CE可以由Mg或其合金形成。例如，电极层P_CE可以具有约
Figure BDA0002388528040000161
至约
Figure BDA0002388528040000162
的厚度。
参照图9E和图10B，基体基底BS在其背面设置有热能。可以使用激光诱导热成像工艺、闪光掩模转移光刻工艺或感应加热工艺等来执行用于供应热能的工艺。
如图9E中所示，当在将激光设备LD设置在基体基底BS的背侧下方之后执行激光诱导热成像工艺时，激光设备LD可以向初始有机层P_OL提供约300℃至约350℃的高温光，同时沿第一方向DR1移动。可以以扫描照射模式供应高温光，在扫描照射模式下，每隔几微秒(μs)从移动中的激光设备LD照射光。
在发射区域EA和非发射区域NEA中，因为高温光被信号线SL、子像素电路SPC的元件(例如，晶体管TR)或第一电极AE反射，所以初始有机层P_OL不接收来自激光设备LD的高温光。然而，因为透射区域TA没有设置有能够反射高温光的层，所以初始有机层P_OL可以接收高温光而不反射高温光。在扫描照射模式下供应的高温光短暂地加热位于透射区域TA中的初始有机层P_OL。
初始有机层P_OL包括熔点比无机材料的熔点低的有机材料。这样，有机材料能被瞬时供应的高温光加热，但是由无机材料制成的其他层由于它们的高熔点而不会被加热。可以使初始有机层P_OL的加热部分从电路元件层CL的顶表面掀起。这样，可以在电路元件层CL的顶表面与加热的初始有机层P_OL之间形成气隙AG。以此方式，可以使初始有机层P_OL的通过热能工艺加热的部分与电路元件层CL容易地分离。
在其他示例性实施例中，可以从透射区域TA去除在初始有机层P_OL之下的电路元件层CL的有机材料层。例如，中间绝缘层VLD可以在对应于透射区域TA的部分处开口。使中间绝缘层VLD在对应于透射区域TA的部分处开口的工艺可以与上面讨论的第三接触孔CH3的形成同时执行。
在又一些示例性实施例中，当在透射区域TA中保留中间绝缘层VLD时，可以由熔点比初始有机层P_OL的熔点高的有机材料形成中间绝缘层VLD。
参照图9F和图10C，可以在电极层P_CE上放置转移基底TS。转移基底TS可以是其上在对应于透射区域TA的区域中形成粘合层AL的基底。当粘合层AL被设置为对应于透射区域TA时，设置在透射区域TA中的初始有机层P_OL的加热部分可以附着到粘合层AL的顶表面，然后随着转移基底TS上升而与电路元件层CL的顶表面分离。以此方式，可以使初始有机层P_OL的加热部分被转移到转移基底TS上。
因此，如图9G中所示，可以在发射区域EA和非发射区域NEA中形成显示元件层DPL，并且显示元件层DPL可以被从透射区域TA去除。因此，显示元件层DPL可以设置有暴露电路元件层CL的在透射区域TA中的顶表面的透射部分。
返回参照图6和图7，还可以在第二电极CE上形成第三电极TE。第三电极TE可以包括具有50％或更高的透射率的材料。第三电极TE可以包括透明导电氧化物、石墨烯或纳米纤维等。例如，第三电极TE可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或更多种。
第三电极TE电连接到第二电极CE。第三电极TE可以是用于补偿由第二电极CE的厚度和面积的减小而引起的电压降(例如，IR降)的补偿电极。在一些示例性实施例中，第三电极TE可以具有约
Figure BDA0002388528040000171
至约
Figure BDA0002388528040000172
的厚度。
当第三电极TE由诸如具有高透射率的透明导电氧化物的材料制成时，第三电极TE可以被设置为朝向透射区域TA延伸。例如，第三电极TE可以公共地形成在发射区域EA、非发射区域NEA和透射区域TA中。
图11A至图11C示出了示出形成图9C的像素限定层的方法的剖视图。
参照图11A，在其上形成有第一电极AE的电路元件层CL上形成初始像素限定层P_PDL。初始像素限定层P_PDL可以包括聚合物树脂。例如，初始像素限定层P_PDL可以包括聚丙烯酸酯类树脂或聚酰亚胺类树脂。除了聚合物树脂之外，初始像素限定层P_PDL还可以包括无机材料。
参照图11B，可以在初始像素限定层P_PDL上设置光掩模MS。光掩模MS可以包括透光部FTA、遮光部FBA和狭缝部HTA。
透光部FTA被定位为对应于发射区域EA(参见图4)和透射区域TA(参见图4)，并且在使用光掩模MS的曝光工艺中允许提供的光穿过其。如此，曝光工艺可以使初始像素限定层P_PDL的对应于透光部FTA的部分曝光。如上所述，当初始像素限定层P_PDL相对于曝光工艺直接曝光时，初始像素限定层P_PDL可以包括感光材料。
遮光部FBA被定位为对应于非发射区域NEA(参见图4的NEA)，并且屏蔽在曝光工艺期间提供的光。如此，曝光工艺可以不使初始像素限定层P_PDL的对应于遮光部FBA的部分曝光。
狭缝部HTA设置在遮光部FBA与透光部FTA之间。狭缝部HTA是包括狭缝图案的区域，其使得在曝光工艺期间提供的光具有比穿过透光部FTA的光低的透射率。如此，曝光工艺可以使初始像素限定层P_PDL的对应于狭缝部HTA的部分部分地曝光。
然后，当曝光工艺和显影工艺去除初始像素限定层P_PDL的曝光部分时，如图11C中所示形成像素限定层PDL。通过狭缝部HTA的局部曝光使得像素限定层PDL具有拥有平缓的倾斜角的第一侧壁SW1。例如，第一侧壁SW1可以具有以大于0°且等于或小于约30°的第一角度θ1倾斜的倾斜结构。像素限定层PDL可以在除了狭缝部HTA之外与透光部FTA和遮光部FBA直接对应的部分处具有第二侧壁SW2，第二侧壁SW2具有比第一侧壁SW1的倾斜角大的倾斜角。在一些示例性实施例中，第二侧壁SW2可以具有以大于约30°且小于约90°的第二角度θ2倾斜的倾斜结构。
根据示例性实施例，可以从与透射区域对应的位置去除公共层，从而提高透明显示装置的透射区域中的透射率。
另外，可以调整像素限定层的侧壁的倾斜角度，以简化从对应于透射区域的位置去除公共层的工艺。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求和如对于本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的更广泛范围。

Claims (10)

1.一种透明显示装置，所述透明显示装置包括基体基底和设置在所述基体基底上的多个像素，每个像素具有发射区域和对外部光透明的透射区域，所述每个像素包括：
电路元件层，设置在所述基体基底上；
第一电极，设置在所述电路元件层上并且与所述发射区域对应；
像素限定层，设置在所述电路元件层上，所述像素限定层包括限定所述发射区域的第一侧壁和限定所述透射区域的第二侧壁；
发射层，设置在所述第一电极上并且与所述发射区域对应；以及
第二电极，设置在所述发射层上并且包括与所述透射区域对应的开口，
其中，所述第一侧壁以第一角度倾斜，并且
其中，所述第二侧壁以比所述第一角度大的第二角度倾斜。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中：
所述第一侧壁的所述第一角度大于0°且等于或小于30°；并且
所述第二侧壁的所述第二角度大于30°且小于90°。
3.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中，所述第二电极具有
Figure FDA0002388528030000013
至
Figure FDA0002388528030000014
的厚度。
4.根据权利要求1所述的透明显示装置，所述透明显示装置还包括：
第一有机层，设置在所述第一电极与所述发射层之间，对应于所述发射区域，并且在所述透射区域中具有开口；以及
第二有机层，设置在所述发射层与所述第二电极之间，对应于所述发射区域，并且在所述透射区域中具有开口。
5.根据权利要求1所述的透明显示装置，所述透明显示装置还包括设置在所述第二电极上并且与所述发射区域对应的第三电极。
6.根据权利要求5所述的透明显示装置，其中，所述第三电极包括具有至少50％的透射率的材料，并且被设置为朝向所述透射区域延伸。
7.根据权利要求6所述的透明显示装置，其中，所述第三电极具有
Figure FDA0002388528030000011
至
Figure FDA0002388528030000012
的厚度。
8.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中：
所述每个像素具有多个子像素；并且
所述发射区域包括分别与所述多个子像素对应的多个发射区域。
9.根据权利要求8所述的透明显示装置，其中，所述电路元件层包括：
子像素电路，设置在所述多个发射区域中；以及
多条信号线，连接到所述子像素电路。
10.根据权利要求9所述的透明显示装置，其中，所述多条信号线不与所述透射区域叠置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115207248A (zh) * 2022-07-15 2022-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
TWI824609B (zh) * 2021-07-30 2023-12-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 透明顯示裝置
WO2024021006A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD933654S1 (en) * 2017-10-13 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
USD971211S1 (en) * 2018-07-23 2022-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Display module
CN109560114B (zh) * 2018-12-06 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置
KR102646719B1 (ko) * 2019-02-22 2024-03-14 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114144886B (zh) * 2020-05-15 2023-01-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
JPWO2022200896A1 (zh) * 2021-03-25 2022-09-29

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450516B1 (ko) 1997-02-28 2004-12-03 오리온전기 주식회사 평판표시소자의전극분리층형성방법
KR100611760B1 (ko) * 2004-06-24 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치의 제조 방법
KR100692091B1 (ko) * 2005-05-11 2007-03-12 엘지전자 주식회사 탑―이미션 방식의 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101084193B1 (ko) 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9287339B2 (en) 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101397110B1 (ko) 2010-10-28 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102223674B1 (ko) 2013-11-28 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 광투과도 제어가 가능한 유기 발광 표시 장치
KR102166502B1 (ko) 2014-09-16 2020-10-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102341032B1 (ko) * 2014-09-19 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102389622B1 (ko) * 2015-09-17 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102572128B1 (ko) * 2016-03-14 2023-08-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102561709B1 (ko) * 2016-07-25 2023-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
KR102646719B1 (ko) * 2019-02-22 2024-03-14 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI824609B (zh) * 2021-07-30 2023-12-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 透明顯示裝置
CN115207248A (zh) * 2022-07-15 2022-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN115207248B (zh) * 2022-07-15 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2024021006A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置

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