TWI634468B - 透明顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種透明顯示裝置包括基板、發光元件、第一擋牆結構、第一頂導電圖案、以及阻障封裝多層結構。基板具有發光區及透光區。發光元件位於發光區中。第一擋牆結構具有底切側壁。第一擋牆結構為透光區與發光區的交界，且發光元件位於第一擋牆結構所圍繞的發光區中。第一頂導電圖案配置於第一擋牆結構的頂面上。阻障封裝多層結構配置於發光元件上。阻障封裝多層結構包括第一阻隔層與第二阻隔層。第一阻隔層與第二阻隔層彼此重疊的部分位於由第一擋牆結構圍繞的發光區中。

Description

透明顯示裝置
本發明是有關於一種透明顯示裝置。
透明顯示裝置本身具有一定程度的透明度，其不僅能夠顯示資訊或畫面，且可以讓使用者清楚地看到顯示器後方的背景。透明顯示裝置可適用於建築物窗戶、汽車車窗與商店櫥窗等多種應用，因而備受市場關注。
若是透明顯示裝置的透明度過低，使用者會明顯觀察到顯示裝置本身的存在，而無法清楚觀察到顯示裝置後方的背景。此外，透明顯示裝置若要兼具觸控感測功能，透明顯示裝置的透明度勢必因為觸控感測用的電極與走線的設置而變差。透明顯示裝置尚有許多改善的空間。
本發明實施例提供一種透明顯示裝置，可具有理想的品質及良好的透光性質。
本發明一實施例的透明顯示裝置包括基板、發光元件、 第一擋牆結構、第一頂導電圖案、以及阻障封裝多層結構。基板具有發光區及透光區。發光元件配置於基板上，且位於發光區中。第一擋牆結構配置於基板上，且第一擋牆結構具有底切側壁。第一擋牆結構為透光區與發光區的交界，且發光元件位於第一擋牆結構所圍繞的發光區中。第一頂導電圖案配置於第一擋牆結構的頂面上。阻障封裝多層結構配置於發光元件上。阻障封裝多層結構包括第一阻隔層與第二阻隔層。第一阻隔層與第二阻隔層彼此重疊的部分位於由第一擋牆結構圍繞的發光區中。
本發明實施例的透明顯示裝置將阻障封裝多層結構配置於發光區以在發光區提供理想的阻隔效果，且在透光區提供良好的可見光穿透率。透明顯示裝置可具有理想的品質(例如發光元件不容易損壞)以及良好的透光性質。
為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100~1100‧‧‧透明顯示裝置
110‧‧‧基板
112‧‧‧發光區
112A‧‧‧子區域
114‧‧‧透光區
120‧‧‧發光元件
121‧‧‧有機發光結構
122‧‧‧驅動電路複合層
124‧‧‧第一電極
126‧‧‧發光層
128‧‧‧第二電極
130、630‧‧‧第一擋牆結構
130B‧‧‧底面
130S、630S‧‧‧底切側壁
130T‧‧‧頂面
140‧‧‧第一頂導電圖案
150、250、350‧‧‧阻障封裝多層結構
152、252、352‧‧‧第一阻隔層
154、254、354‧‧‧第二阻隔層
156‧‧‧第三阻隔層
160、760‧‧‧平坦保護層
160S‧‧‧側壁
160T‧‧‧上表面
170、570、670、770‧‧‧畫素定義層
170P‧‧‧畫素開口
172、572、672、772‧‧‧外周部
174‧‧‧分隔部
174X‧‧‧導通開口
180‧‧‧透光區導電層
190‧‧‧第二電極傳輸線路
402‧‧‧無機保護層
572T‧‧‧上表面
572S‧‧‧側壁
830、930、1030‧‧‧擋牆結構
834、934、1034‧‧‧第二擋牆結構
834S‧‧‧底切側壁
836‧‧‧開口
840、940、1040‧‧‧圖案化頂導電層
844、944、1044‧‧‧第二頂導電圖案
1036‧‧‧第三擋牆結構
1046‧‧‧第三頂導電圖案
A-A、B-B、C-C、D-D、E-E、F-F、G-G、H-H‧‧‧線
H630、H672‧‧‧高度
TP‧‧‧觸控線路
TV‧‧‧導通孔
θ‧‧‧底切角
圖1為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。
圖2為本發明一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖3為本發明一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖4為本發明另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖5為本發明再一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖6為本發明又一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖7為本發明再另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖8為本發明又另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖9為本發明再另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。
圖10為本發明另一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。
圖11為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖12為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖13為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖14為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖15為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖16為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖17為透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖。
圖18為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。
圖19為透明顯示裝置900沿線F-F的剖面的一實施例示意 圖。
圖20為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。
圖21為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。
圖22為圖21的透明顯示裝置沿線G-G的剖面結構的一實施方式示意圖。
圖23為圖21的透明顯示裝置沿線G-G的剖面結構的一實施方式示意圖。
圖24與圖25為圖21的透明顯示裝置沿線G-G與線H-H的剖面結構的一實施方式示意圖。
圖1為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。由圖1可知，透明顯示裝置100包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130以及第一頂導電圖案140。發光元件120與第一擋牆結構130都配置於基板110上。第一頂導電圖案140配置於第一擋牆結構130的頂面。圖1中的第一頂導電圖案140與第一擋牆結構130重疊，並且圖1以細點圖案表示第一頂導電圖案140的分布面積。圖1所示的第一擋牆結構130可圍繞發光元件120且圖1所示的第一擋牆結構130將基板110劃分出發光區112以及透光區114並定義出透光區114與發光區112的交界。發光元件120位於發光區112中且位於第一擋牆結構130所圍繞的發光區112內。在其他實施例中，第一擋牆結構130可依不同設計需 求而包括配置於透光區114內或是位於發光區112內的其他部分。另外，圖1以發光元件120包括多個有機發光結構121做為示例，但在其他實施例中，發光元件120可為單一個有機發光結構121。圖1的透明顯示裝置沿線A-A的剖面的實施方式可如圖2所示。請同時參考圖1與圖2，透明顯示裝置100還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層170以及透光區導電層180。
基板110可以為玻璃基板、塑膠基板或是其他具有透光性質且具有足夠支撐性以支撐發光元件120等構件的板狀結構。發光元件120包括驅動電路複合層122、第一電極124、發光層126與第二電極128。驅動電路複合層122配置於基板110上。第一電極124、發光層126與第二電極128可依序配置於驅動電路複合層122上。在本實施例中，第一電極124與第二電極128中，第一電極124相較第二電極128更接近驅動電路複合層122。發光層126的材質可包括有機發光材料。第一電極124、發光層126與第二電極128的堆疊結構可構成發光二極體，且第一電極124可視為陽極而第二電極128可視為陰極。驅動電路複合層122可由多個圖案化的導電層、多個圖案化的絕緣層以及至少一層圖案化的半導體層組成並由這些膜層構成主動元件、電容結構等可以驅動發光二極體的電路。
具體來說，平坦保護層160配置於驅動電路複合層122與發光二極體之間。平坦保護層160可覆蓋驅動電路複合層122 並提供平坦的上表面160T以使發光二極體配置於平坦保護層160的平坦上表面160T上。另外，驅動電路複合層122與發光二極體的第一電極124可通過貫穿平坦保護層160的導通孔TV電性連接。
由圖1與圖2可知，畫素定義層170用以定義發光元件120例如是有機發光結構121的配置區。畫素定義層170可包括外周部172以及分隔部174。外周部172大致沿著發光區112與透光區114的交界延伸分布，且外周部172可以覆蓋平坦保護層160的側壁160S。分隔部174則位在發光區112內以將發光元件120中的多個有機發光結構121分隔開來。以本實施例來說，畫素定義層170包括有多個畫素開口170P，使各有機發光結構121的發光層126位於其中一個畫素開口170P中。另外，這些有機發光結構121的第一電極124也在畫素定義層170的分隔部174處分隔開來，以獨立的驅動不同畫素開口170P中的發光層126。不過，發光元件120彼此共用的第二電極128可連續地覆蓋不同有機發光結構121的發光層126，也覆蓋畫素定義層170使得畫素定義層170與發光層126都位於第二電極128與驅動電路複合層122之間。特別是，畫素定義層170的分隔部174完全被第二電極128覆蓋。
第一擋牆結構130配置於基板110上且具有底切側壁130S。具體來說，第一擋牆結構130可具有上寬下窄的寬度，其接近於基板110的底面130B相對較窄而遠離基板110的頂面130T 相對較寬而具有底切側壁130S。第一擋牆結構130配置在畫素定義層170上且第一擋牆結構130的底切側壁130S與畫素定義層170之間具有底切角θ。在一實施例中，底切角θ由30度到65度。
第一頂導電圖案140配置於第一擋牆結構130的頂面130T上。也就是說，第一頂導電圖案140的輪廓大致上與第一擋牆結構130的頂面130T切齊。
由圖2可知，多個發光元件120的第二電極128可由同一連續導電層構成而為共用陰極。另外，發光元件120的第二電極128與第一頂導電圖案140可以由相同導電材料在相同製作步驟中製作完成，且發光元件120的第二電極128與第一頂導電圖案140藉由第一擋牆結構130的底切側壁130S彼此分隔開來。在製作透明顯示裝置100的過程中，製作完第一擋牆結構130後，可以採用薄膜沉積法之類的方式將用以形成第二電極128與第一頂導電圖案140的導電層製作於基板110上。由於第一擋牆結構130具有底切側壁130S，在進行薄膜沉積法時，被沉積的導電材料無法沉積於第一擋牆結構130的底切側壁130S上而在第一擋牆結構130的頂面130T的邊緣自行斷開。如此一來，無須額外的圖案化步驟就可以形成彼此分離的第二電極128與第一頂導電圖案140。另外，進行薄膜沉積法製作第二電極128與第一頂導電圖案140時，導電材料也可以沉積於透光區114中，在透光區114中形成透光區導電層180。第一擋牆結構130在鄰近於透光區114的一 側也具有底切側壁130S，透光區導電層180可與第一頂導電圖案140彼此分離。
在本實施例中，阻障封裝多層結構150配置於發光元件120上且位於第一擋牆結構130所圍繞的發光區112中。阻障封裝多層結構150配置於發光元件120上。阻障封裝多層結構150的面積大致位於由第一擋牆結構130所圍繞的發光區112中。阻障封裝多層結構150在圖1中可重疊於發光元件120，甚至大致地重疊於整個發光區112卻沒有延伸到透光區114中。
阻障封裝多層結構150包括多層不同材料的膜層堆疊在一起。以本實施例而言，阻障封裝多層結構150包括依序堆疊於基板110上的第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156。亦即，第二阻隔層154夾於第一阻隔層152與第三阻隔層156之間。第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156的材質可以依次為無機材料、有機材料與無機材料，其中無機材料包括有氮化矽、氧化矽、氮氧化矽等無機絕緣材料，而有機材料包括有機絕緣材料。但，第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156的材質亦可不以此為限。在其他實施例中，只要第二阻隔層154與第一阻隔層152以及第三阻隔層156的材質不同且第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156堆疊出來的多層結構可以提供阻擋水氧的作用即可。
第一阻隔層152是阻障封裝多層結構150中較接近基板110的膜層。第一阻隔層152可採用等向性製程製作，第一阻隔層 152可由發光區112連續地延伸到透光區114。換言之，第一阻隔層152連續地覆蓋了第二電極128、位於第一擋牆結構130之底切側壁130S下方的部分畫素定義層170、第一擋牆結構130位於發光區112的底切側壁130S、第一頂導電圖案140、第一擋牆結構130位於透光區114的底切側壁130S以及位於透光區114的透光區導電層180。
第二阻隔層154可配置於第一擋牆結構130所圍繞的發光區112中，且第二阻隔層154只配置於發光區112而不配置於透光區114。如此，穿過透光區114的可見光可以不受第二阻隔層154的材質影響而有助於提高透明顯示裝置100的可見光穿透率。
第三阻隔層156則是在形成第二阻隔層154之後所形成的膜層。第三阻隔層156也可採用等向性製程加以製作，使得第三阻隔層156除了覆蓋發光區112中的第二阻隔層154外也連續地向透光區114延伸。以本實施例而言，第二阻隔層154位於第一擋牆結構130所圍繞的區域，第三阻隔層156在第二阻隔層154以外會接觸第一阻隔層152，而形成第一阻隔層152與第三阻隔層156將第二阻隔層154完全包覆的結構。圖2中，第二阻隔層154的上表面可具有透鏡狀表面，但不以此為限。
在本實施例中，第一阻隔層152與第三阻隔層156雖連續地覆蓋發光區112與透光區114，但第二阻隔層154僅位在發光區112中。第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156彼此重疊的部分可在發光區112提供良好的阻水氧特性，而有助於 避免或是減緩發光層126因為外來的水氧而損壞或變質。在本實施例中，透光區114沒有第二阻隔層154，而有助於提高透明顯示裝置100在透光區114的可見光穿透率，使透明顯示裝置100的透明度提升。另外，透光區導電層180位於透光區114中。第一擋牆結構130的底切側壁130S也使發光元件120的第二電極128不與透光區114的透光區導電層180連接。在透光區114的透光區導電層180因側向的水氧而損壞或變質時，損壞與變質的部分不會延伸到第二電極128而有助於確保第二電極128的使用壽命。
圖3為圖1的透明顯示裝置沿線B-B的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖3，透明顯示裝置100可更包括第二電極傳輸線路190，其用以傳遞第二電極128的訊號。第二電極傳輸線路190可與第一電極124為相同的導電層，其設置於畫素定義層170與平坦保護層160之間。畫素定義層170的分隔部174可具有位於發光區112內的導通開口174X，導通開口174X可對應第二電極傳輸線路190設置，且第二電極128可填入導通開口174X使得第二電極128在導通開口174X與第二電極傳輸線路190電性連接。如此，雖然第二電極128位在第一擋牆結構130圍繞的區域中而不與透光區114的透光區導電層180連接，但可藉由導通開口174X與第二電極傳輸線路190的設置連接到對應的驅動電路。
圖4為本發明另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖4，透明顯示裝置200大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似 的構件。具體來說，透明顯示裝置200可包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構250、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180。在此，基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例，在此不另描述。另外，本實施例的阻障封裝多層結構250包括第一阻隔層252與第二阻隔層254，其與圖2的實施例採用三個阻隔層的設計不同。
第一阻隔層252與第二阻隔層254可為不同材料。在部分實施例中，第一阻隔層252可以為無機材料層，其材質包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等無機絕緣材料。第一阻隔層252可以採用等向性製程製作，第一阻隔層252可以由發光元件120所在的發光區112連續地延伸到透光區114，且連續地包覆第一擋牆結構130。第二阻隔層254可由塗佈式阻障材料製作而成。塗佈式阻障材料例如是含有矽、氮、氧等元素的凝膠態或是液態材料。製作第二阻隔層254的方法包括將塗佈式阻障材料例如以塗佈或是滴注方式形成於第一擋牆結構130圍繞的發光區112中，接著將塗佈式阻障材料乾燥、固化即可在發光區112中形成第二阻隔層254。第二阻隔層254形成於發光區112，第一阻隔層252與第二阻隔層254彼此重疊的部分也會位於由第一擋牆結構130圍繞的發光區112中。如此，透明顯示面板200在透光區114可因無第二阻隔層254而具有良好的可見光透光性質，且在發光區112可 具有良好的水氧阻擋性質。
圖5為本發明再一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖5，透明顯示裝置300大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似的構件。具體來說，透明顯示裝置300包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構350、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180。在此，基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例，在此不另描述。另外，本實施例的阻障封裝多層結構350包括第一阻隔層352與第二阻隔層354，其與圖2的實施例採用三個阻隔層的設計不同。
第一阻隔層352與第二阻隔層354可為不同材料。在部分實施例中，第一阻隔層352可以為高分子材料，例如聚丙烯酸酯或其他高分子材料。第一阻隔層352可以採用塗佈或是滴注方式形成於第一擋牆結構130圍繞的發光區112中，且第一阻隔層352的材料厚度低於第一擋牆結構130的高度，因此第一阻隔層352可侷限於第一擋牆結構130圍繞的發光區112中。第二阻隔層354可由塗佈式阻障材料製作而成。塗佈式阻障材料例如是含有矽、氮、氧等元素的凝膠態或是液態材料。製作第二阻隔層354的方法包括將塗佈式阻障材料例如以塗佈或是滴注方式形成於第一擋牆結構130圍繞的發光區112中使其堆積於第一阻隔層552 上，接著將塗佈式阻障材料乾燥、固化即可在發光區112中形成第二阻隔層354。第一阻隔層352與第二阻隔層354都形成於發光區112，第一阻隔層352與第二阻隔層354彼此重疊的部分也位於由第一擋牆結構130圍繞的發光區112中。如此，透明顯示面板300在透光區114可因無第一阻隔層252與第二阻隔層254而具有良好的可見光透光性質，且在發光區112可具有良好的水氧阻擋性質。另外，本實施例中第二電極128可藉由第一擋牆結構130與第一頂導電圖案140分隔開來又被第一阻隔層252與第二阻隔層254覆蓋，第二電極128可確實獲得保護，不受側向進入的水氧影響而具有較佳的穩定性。
圖6為本發明又一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖6，透明顯示裝置400大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似的構件。具體來說，透明顯示裝置400包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180之外，還包括無機保護層402。在此，基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層170與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例的描述，且阻障封裝多層結構150可由前述的阻障封裝多層結構250或阻障封裝多層結構350替代，因而在此不另詳述這些構件。
在本實施例中，更包括無機保護層402，無機保護層402覆蓋平坦保護層160，且位於畫素定義層170的外周部172與平坦保護層160之間。無機保護層402的材質可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。無機保護層402除了覆蓋平坦保護層160的上表面外，也覆蓋平坦保護層160的側表面。在本實施例中，畫素定義層170的外周部172、平坦保護層160與無機保護層402可都延伸至基板110的表面上，而在驅動電路複合層122的側向方向上形成無機保護層402包覆平坦保護層160，且畫素定義層170的外周部172包覆無機保護層402的多層側壁結構。此外，導通孔TV除了貫穿平坦保護層160外，在本實施例中可以更貫穿無機保護層402以使驅動電路複合層122與有機發光結構121電性連接。
圖7為本發明再另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖7，透明顯示裝置500大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似的構件。具體來說，透明顯示裝置500包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層570與透光區導電層180。在此，基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例的描述，且阻障封裝多層結構150可由前述的阻障封裝多層結構250或阻障封裝多層結構350替代，因而在此不另詳述這些構件。
在本實施例中，畫素定義層570包括外周部572與分隔部174，其中外周部572大致沿著發光區112與透光區114的交界延伸分布，而分隔部174位在發光區112內以將發光元件120中的多個有機發光結構121分隔開來。具體來說，畫素定義層570的分隔部174的結構及配置方式可參考前述實施例的畫素定義層170的分隔部174。不過，在本實施例中，畫素定義層570的外周部572可完全位在平坦保護層160的上表面160T，平坦保護層160的側壁160S並未被畫素定義層570覆蓋。此外，畫素定義層570的外周部572與平坦保護層160構成階梯狀結構，而透光區導電層180可連續地覆蓋畫素定義層570的外周部572的上表面572T、畫素定義層570的外周部572的側壁572S、平坦保護層160的上表面160T以及平坦保護層160的側壁160S並且以遠離發光區112的方向延伸。在部分的實施例中，圖6的無機保護層402可應用於透明顯示裝置500中，包覆平坦保護層160的上表面160T以及平坦保護層160的側壁160S。此時，透光區導電層180可不與平坦保護層160接觸，而覆蓋無機保護層402。
圖8為本發明又另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖8，透明顯示裝置600大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似的構件。具體來說，透明顯示裝置600包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構630、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層670與透光區導電層180。 在此，基板110、發光元件120、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例的描述，且阻障封裝多層結構150可由前述的阻障封裝多層結構250或阻障封裝多層結構350替代，因而在此不另詳述這些構件。
在本實施例中，畫素定義層670包括外周部672與分隔部674，其中外周部672大致沿著發光區112與透光區114的交界延伸分布，而分隔部674位在發光區112內以將發光元件120中的多個有機發光結構121分隔開來。另外，第一擋牆結構630與畫素定義層670的外周部672都配置在平坦保護層160的上表面160T。第一擋牆結構630與畫素定義層670的外周部672並未彼此堆疊而是並排設置。具體而言，畫素定義層670的外周部672位於第一擋牆結構630與發光元件120之間，亦即畫素定義層670的外周部672位於第一擋牆結構630之鄰近於發光區112的一側。
在本實施例中，第一擋牆結構630具有底切側壁630S，且第一擋牆結構630的高度H630高於畫素定義層670的外周部672的高度H672。在第一擋牆結構630之鄰近於發光區112的一側，局部的底切側壁630S凸出於外周部672。發光元件120的第二電極128與第一頂導電圖案140是藉由第一擋牆結構630的底切側壁630S而彼此分離。在部分實施例中，第一擋牆結構630的高度H630與畫素定義層670的外周部672的高度H672之間的高度差可以大於發光元件120的第二電極128的厚度，以確保第二 電極128與第一頂導電圖案140在底切側壁630S處分離。
圖9為本發明再另一實施例的透明顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖9，透明顯示裝置700大致相似於圖2的透明顯示裝置100，因此兩實施例中相同或相似的元件符號將表示相同或相似的構件。具體來說，透明顯示裝置700包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150、平坦保護層760、畫素定義層770與透光區導電層180。在此，基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第一頂導電圖案140、阻障封裝多層結構150與透光區導電層180的配置、結構、材質等可參考前述實施例的描述，且阻障封裝多層結構150可由前述的阻障封裝多層結構250或阻障封裝多層結構350替代，因而在此不另詳述這些構件。
在本實施例中，平坦保護層760可以連續覆蓋發光區112與透光區114範圍。也就是說，平坦保護層760覆蓋基板110的絕大部分面積。透光區導電層180在透光區114中覆蓋於平坦保護層760上。畫素定義層770包括外周部772與分隔部174，其中外周部772大致沿著發光區112與透光區114的交界延伸分布，而分隔部174位在發光區112內以將發光元件120中的多個有機發光結構121分隔開來。並且，畫素定義層770的整個外周部772配置於平坦保護層760上。
圖10為本發明另一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。由圖10可知，透明顯示裝置800包括基板110、發光元件 120、擋牆結構830、圖案化頂導電層840以及透光區導電層180。發光元件120與擋牆結構830都配置於基板110上。圖案化頂導電層840配置於擋牆結構830的頂面。圖10中圖案化頂導電層840與擋牆結構830重疊，且圖10採用細點圖案表示圖案化頂導電層840的面積。發光元件120位於發光區112中且位於擋牆結構830所圍繞的發光區112內。透光區導電層180配置於透光區114中。另外，圖10以發光元件120可包括多個有機發光結構121做為示例，但在其他實施例中，發光元件120可為單一個有機發光結構121。
在本實施例中，擋牆結構830包括第一擋牆結構130與第二擋牆結構834。第一擋牆結構130可圍繞發光元件120且將基板110劃分出發光區112以及透光區114，並定義出透光區114與發光區112的交界。也就是說，第一擋牆結構130上視圖的布局方式可大致相同於前述實施例的第一擋牆結構130。第二擋牆結構834位於透光區114中且連接於第一擋牆結構130以在透光區114中圍出多個開口836。透光區導電層180配置於開口836中。另外，圖案化頂導電層840在本實施例中除了沿著第一擋牆結構130的頂面分布以構成第一頂導電圖案140外，也可沿著第二擋牆結構834的頂面分布以構成第二頂導電圖案844。第二擋牆結構834也具有底切結構。簡言之，圖案化頂導電層840順應著擋牆結構830而構成網格狀的導電圖案，且圖案化頂導電層840藉由擋牆結構830的底切結構而形成獨立的導電圖案不與其他區域的導電層連 接。另外，透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計可以如圖2與圖4~9中任意一者相同。
以透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖2為例，可理解，在本實施例中，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖2所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，由圖2也可知，發光元件120包括驅動電路複合層122、第一電極124、發光層126與第二電極128，其中第一電極124、發光層126與第二電極128的堆疊結構可構成有機發光結構121。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖2時，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖如圖11所示。請同時參考圖11與圖2，發光元件120的驅動電路複合層122、覆蓋於驅動電路複合層122的平坦保護層160以及畫素定義層170可以都沿著第二擋牆結構834分布。在圖11的剖面中構成驅動電路複合層122、平坦保護層160、畫素定義層170以及第二擋牆結構834依序堆疊於基板110上的結構。根據前述實施例的描述，發光元件120的第二電極128利用第二電極傳輸線路190來連接至發光區112外，而第二電極傳輸線路190可以沿著第二擋牆結構834設置。因此，在圖11中可看出第二電極傳輸線路 190位於畫素定義層170與平坦保護層160之間。此外，圖案化頂導電層840採用前述實施例之第一頂導電圖案140的製作方式來製作，因此第一頂導電圖案140、第二頂導電圖案844與發光元件120的第二電極128為相同膜層。第二擋牆結構834具有底切側壁834S，因此第二頂導電圖案844與位於開口836中的透光區導電層180可藉由第二擋牆結構834的底切側壁834S分離開來。如此一來，位於第一擋牆結構130上的第一頂導電圖案140以及位於第二擋牆結構834上的第二頂導電圖案844構成網格狀的圖案且不與其他的導電結構電性連接而可作為觸控感測電極。換言之，透明顯示裝置800無須額外設置觸控感測用的相關導電構件就可以採用既有的圖案化頂導電層840來實現觸控感測功能。
另外，根據前述實施例的描述，在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖2時，透光區導電層180與第二頂導電圖案844被阻障封裝多層結構150的第一阻隔層152與第三阻隔層156覆蓋。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖4時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖4所記載的阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面可如圖12所示。在圖 12的實施方式中，透光區導電層180與第二頂導電圖案844被阻障封裝多層結構250的第一阻隔層152覆蓋。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖5時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖2所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面可大致如圖13，其相似於圖11。在圖13的實施方式中，阻障封裝多層結構850可例如為圖5的阻障封裝多層結構350，透光區導電層180與第二頂導電圖案844不被阻障封裝多層結構350的任何阻隔層覆蓋。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖6時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構350、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構350、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖6所記載的阻障封裝多層結構350、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖可如圖14所示。具體而言，如圖14所示，在平坦保護層160與畫素定義層170之間更配置有無機保護層402，其中無機保護層402覆蓋平坦保護層160的側壁與上表面，且位於畫素定義層170與 平坦保護層160之間。圖14中的部分構件的元件符號相同於圖11，而可參考圖11的相關說明理解這些構件的配置與設計，於此不再詳述。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖7時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層570。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層570大致上相同於圖7所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層570。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖如圖15所示。具體而言，圖15與圖11相似，圖15中的部分構件的元件符號相同於圖11，而可參考圖11的相關說明理解這些構件的配置與設計，於此不再詳述。在圖15中，畫素定義層570完全位在平坦保護層160的上表面而未覆蓋平坦保護層160的側壁。在圖15中，透光區導電層180覆蓋且接觸平坦保護層160的側壁。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖8時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層670，且第一擋牆結構130的剖面結構類似圖8的第一擋牆結構630。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖8所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層670。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另 外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例示意圖如圖16所示。具體而言，圖16與圖11相似，圖16中的部分構件的元件符號相同於圖11，而可參考圖11的相關說明理解這些構件的配置與設計，於此不再詳述。在圖16中，第二擋牆結構834配置於平坦保護層160的上表面且第二電極傳輸線路190夾於第二擋牆結構834與平坦保護層160之間。換言之，第二擋牆結構834與平坦保護層160之間可以沒有畫素定義層670。
在透明顯示裝置800沿著線C-C的剖面結構設計類似於圖9時，透明顯示裝置800還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層760與畫素定義層770。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層760與畫素定義層770大致上相同於圖9所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層760與畫素定義層770。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。另外，透明顯示裝置800沿線D-D的剖面的一實施例的示意圖如圖17所示。具體而言，圖17與圖11相似，圖17中的部分構件的元件符號相同於圖11，而可參考圖11的相關說明理解這些構件的配置與設計，於此不再詳述。在圖17中，平坦保護層760完全覆蓋在基板110上，且整個畫素定義層770配置於平坦保護層760上，而且透光區導電層180覆蓋於平坦保護層760上。
圖18為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。請參考圖18，透明顯示裝置900包括基板110、發光元件120、擋牆結構930、圖案化頂導電層940以及透光區導電層180。發光 元件120與擋牆結構930都配置於基板110上。圖案化頂導電層940配置於擋牆結構930的頂面。圖18中圖案化頂導電層940與擋牆結構930重疊，且圖18採用細點圖案表示圖案化頂導電層940的面積。發光元件120位於發光區112中且位於擋牆結構930所圍繞的發光區112內。透光區導電層180配置於透光區114中。另外，圖18以發光元件120包括多個有機發光結構121做為示例，但在其他實施例中，發光元件120可為單一個有機發光結構121。在本實施例中，透光區114可以沒有阻障封裝多層結構150，有助於提高透明顯示裝置900在透光區114的可見光穿透率，使透明顯示裝置900的透明度提升。
在本實施例中，擋牆結構930包括第一擋牆結構130與第二擋牆結構934。第一擋牆結構130可圍繞發光元件120且將基板110劃分出發光區112以及透光區114，並定義出透光區114與發光區112的交界。也就是說，第一擋牆結構130在上視圖的布局方式可大致相同於前述實施例的第一擋牆結構130。第二擋牆結構934位於發光區112中且連接於第一擋牆結構130以在發光區112中構成網格。另外，圖案化頂導電層940在本實施例中除了沿著第一擋牆結構130的頂面分布以構成第一頂導電圖案140外，也沿著第二擋牆結構934的頂面分布以構成第二頂導電圖案944。圖案化頂導電層940順應著擋牆結構930而構成網格狀的導電圖案。具體來說，透明顯示裝置900沿著線E-E的剖面結構設計可以如圖2與圖4~9中任意一者相同。
以透明顯示裝置900沿著線E-E的剖面結構設計類似於圖2為例，可理解本實施例的透明顯示裝置900還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160、畫素定義層170，這些構件的結構設計與配置方式可參考前述實施例的描述。由圖2也可知，發光元件120包括驅動電路複合層122、第一電極124、發光層126與第二電極128，其中第一電極124、發光層126與第二電極128的堆疊結構可構成有機發光結構121。
在透明顯示裝置900沿著線E-E的剖面結構設計大致相同於圖2的實施例中，透明顯示裝置900還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖2所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。此時，透明顯示裝置900沿線F-F的剖面的一實施例示意圖可如圖19所示。如圖18與圖19所示，第二擋牆結構934疊置於畫素定義層170的分隔部174上，且第二擋牆結構934橫越整個發光區112，將發光區112畫分出獨立的子區域112A。由圖19可知，第二擋牆結構934具有底切側壁934S，各子區域112A的第二電極128藉由底切側壁934S與第二擋牆結構934頂面的第二頂導電圖案944分隔開來。如此一來，不同子區域112A的第二電極128並不連續，而被第二擋牆結構934分隔開來。
在本實施例中，畫素定義層170的分隔部174可具有多 個導通開口174X，導通開口174X分別位於第二擋牆結構934的相對兩側的兩個子區域112A中。畫素定義層170與平坦保護層160之間更設置有第二電極傳輸線路190，且導通開口174X的面積重疊於第二電極傳輸線路190的面積。第二電極128填入導通開口174X而電性連接第二電極傳輸線路190。如此一來，第二電極傳輸線路190可將相鄰兩個子區域112A的第二電極128電性連接在一起並且用以傳遞第二電極128的訊號。
在本實施例中，第一頂導電圖案140沿著第一擋牆結構130分布且第二頂導電圖案944沿著第二擋牆結構934分布而構成網格狀的導電圖案，且第一頂導電圖案140與第二頂導電圖案944不與其他的導電結構電性連接而可作為觸控感測電極。透明顯示裝置900無須額外設置觸控感測用的相關導電構件就可以採用既有的圖案化頂導電層940來實現觸控感測功能。在其他實施例中，透明顯示裝置900的阻障封裝多層結構150可由圖4與圖5中的阻障封裝多層結構250與350的任一者替代；或是，在阻障封裝多層結構150與畫素定義層170之間可增設如圖6的無機保護層402。
圖20為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。請參考圖20，透明顯示裝置1000包括基板110、發光元件120、擋牆結構1030、圖案化頂導電層1040以及透光區導電層180。發光元件120與擋牆結構1030都配置於基板110上。圖案化頂導電層1040配置於擋牆結構1030的頂面。圖20中的圖案化頂導電層 1040可與擋牆結構1030重疊，且圖20採用細點圖案表示圖案化頂導電層1040的面積。發光元件120位於發光區112中且位於擋牆結構1030所圍繞的發光區112內。透光區導電層180配置於透光區114中。另外，本實施例以發光元件120包括多個有機發光結構121做為示例，但在其他實施例中，發光元件120可為單一個有機發光結構121。在本實施例中，透光區114沒有阻障封裝多層結構150，而有助於提高透明顯示裝置1000在透光區114的可見光穿透率，使透明顯示裝置1000的透明度提升。
在本實施例中，擋牆結構1030包括第一擋牆結構130、第二擋牆結構1034與第三擋牆結構1036。第一擋牆結構130可圍繞發光元件120且將基板110劃分出發光區112以及透光區114，並定義出透光區114與發光區112的交界。也就是說，第一擋牆結構130在上視圖的布局方式大致相同於前述實施例的第一擋牆結構130。第二擋牆結構1034位於透光區114中且連接於第一擋牆結構130以在透光區114中構成網格。第三擋牆結構1036位於發光區112中且連接於第一擋牆結構130以在發光區112中構成網格。
另外，圖案化頂導電層1040可包括沿著第一擋牆結構130的頂面分布以構成第一頂導電圖案140、沿著第二擋牆結構1034的頂面分布以構成第二頂導電圖案1044以及沿著第三擋牆結構1036的頂面分布以構成第三頂導電圖案1046。也就是說，圖案化頂導電層1040在發光區112與透光區114都構成導電網格圖 案。
第一擋牆結構130、第二擋牆結構1034與第三擋牆結構1036可分別具有前述實施例中第一擋牆結構130、第二擋牆結構834以及第二擋牆結構934的剖面結構。也就是說，第一擋牆結構130、第二擋牆結構1034與第三擋牆結構1036都具有底切側壁。如此一來，圖案化頂導電層1040的第一頂導電圖案140、第二頂導電圖案1044與第三頂導電圖案1046不會連接透光區導電層180或是發光元件120中的電極層。透明顯示裝置1000可利用網格狀的圖案化頂導電層1040作為觸控感測用的電極以實現觸控感測功能。
在前述各實施例中，除了利用位在擋牆結構頂面的圖案化頂導電層來做為觸控感測電極外，也可選擇利用額外的導電層來構成觸控感測電極。
舉例而言，圖21為本發明一實施例的透明顯示裝置的局部上視示意圖。請同時參考圖21，透明顯示裝置1100包括基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第二擋牆結構834、第一頂導電圖案140、第二頂導電圖案844、透光區導電層180以及觸控線路TP，其中基板110、發光元件120、第一擋牆結構130、第二擋牆結構834、第一頂導電圖案140、第二頂導電圖案844與透光區導電層180的結構設計與配置方式可參考圖10及其相關說明，於此不再詳述。具體來說，本實施例是將觸控線路TP配置於圖10的透明顯示裝置800的一種實施方式。觸控線路TP可具有 網格狀的布局，且在透光區114中沿著第二擋牆結構834分布，而在發光區112中沿著發光元件120的有機發光結構121之部分交界分布。沿著第二擋牆結構834分布的觸控線路TP可以延伸至發光區112並且橫跨發光區112。沿著發光元件120的有機發光結構121之部分交界分布的觸控線路TP可以大致平行於第一擋牆結構130。
圖22為圖21的透明顯示裝置沿線G-G的剖面結構的一種實施方式示意圖。由圖21與圖22可知，在本實施例中，透明顯示裝置1100還包括阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖2所記載的阻障封裝多層結構150、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。
在本實施例中，阻障封裝多層結構150包括依序堆疊於基板110上的第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156，且第一阻隔層152、第二阻隔層154與第三阻隔層156彼此重疊的部分是位於發光區112中。觸控線路TP則配置於第三阻隔層156上，且觸控線路TP可以沿著畫素定義層170的至少一部分(例如分隔不同發光二極體元件的分隔部174)而分布。不過，在其他實施例中，觸控線路TP可依照不同的需求而決定其布局方式。另外，觸控線路TP也可應用於圖1的透明顯示裝置100、圖18的透明顯示裝置900或是圖20的透明顯示裝置1000中。
圖23為圖21的透明顯示裝置沿線G-G的剖面結構的一種實施方式示意圖。由圖21與圖23可知，在本實施例中，透明顯示裝置1100還包括阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170。在本實施例中，阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170大致上相同於圖4所記載的阻障封裝多層結構250、平坦保護層160與畫素定義層170。因此，這些構件的結構設計與配置關係可參考前述實施例的說明。
在本實施例中，阻障封裝多層結構250包括依序堆疊於基板110上的第一阻隔層252與第二阻隔層254，且第一阻隔層252與第二阻隔層254彼此重疊的部分是位於發光區112中。觸控線路TP則配置於第二阻隔層254上，且觸控線路TP可以沿著畫素定義層170的至少一部分(例如分隔不同發光二極體元件的分隔部174)而分布。不過，在其他實施例中，觸控線路TP可依照不同的需求而決定其布局方式。
圖24與圖25為圖21的透明顯示裝置沿線G-G與線H-H的剖面結構的一種實施方式的示意圖。由圖21、圖24與圖25可知，在本實施例中，透明顯示裝置1100還包括阻障封裝多層結構350、平坦保護層160、畫素定義層170以及第二電極傳輸線路190。在本實施例中，阻障封裝多層結構350、平坦保護層160、畫素定義層170以及第二電極傳輸線路190大致上相同於圖5與圖13所記載的阻障封裝多層結構350、平坦保護層160、畫素定義層170以及第二電極傳輸線路190。因此，這些構件的結構設計 與配置關係可參考前述實施例的說明。
在本實施例中，阻障封裝多層結構350包括依序堆疊於基板110上的第一阻隔層352與第二阻隔層354，且第一阻隔層352與第二阻隔層354都完全位於第一擋牆結構130所圍繞的發光區112中。觸控線路TP在發光區112配置於阻障封裝多層結構350的第二阻隔層354上(如圖24所示)，而在透光區114則配置於第二頂導電圖案844，且與第二頂導電圖案844接觸(如圖25所示)。在圖21與圖24中觸控線路TP可以沿著畫素定義層170的至少一部分(例如分隔不同發光二極體元件的分隔部174)而分布。不過，在其他實施例中，觸控線路TP可依照不同的需求而決定其布局方式。
此外，前述圖22至圖24的剖面結構還可有其他替代的實施方式。舉例而言，平坦保護層160與畫素定義層170之間可更設置有如圖6所示的無機保護層402。畫素定義層170可替代成圖7的畫素定義層570。畫素定義層170與第一擋牆結構130的配置關係可以替代成圖8的畫素定義層670與第一擋牆結構630的配置關係。或是，平坦保護層160可替代成圖9的平坦保護層760。
本發明實施例的透明顯示裝置在發光區與透光區之間的交界設置擋牆結構，利用擋牆結構將阻障封裝多層結構的至少一個阻隔層配置於發光區內。透明顯示裝置的透光區可具有良好的可見光穿透率，且在發光區提供良好的水氧阻隔效果以使發光區的元件不易因外界水氧的入侵而損壞。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。

Claims (20)

  1. 一種透明顯示裝置，包括：基板，具有發光區及透光區；發光元件，配置於該基板上，位於該發光區中；第一擋牆結構，配置於該基板上，且該第一擋牆結構具有底切側壁，其中該第一擋牆結構為該透光區與該發光區的交界，且該發光元件位於該第一擋牆結構所圍繞的該發光區中；第一頂導電圖案，位於該第一擋牆結構的頂面上；以及阻障封裝多層結構，配置於該發光元件上，其中該阻障封裝多層結構包括第一阻隔層與第二阻隔層，該第一阻隔層與該第二阻隔層彼此重疊的部分位於由該第一擋牆結構圍繞的該發光區中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示裝置，其中該發光元件包括驅動電路複合層、第一電極、發光層與第二電極，該驅動電路複合層配置於該基板上，該第一電極、該發光層與該第二電極依序疊置而構成發光二極體，該發光二極體配置於該驅動電路複合層上，且該第一電極電性連接該驅動電路複合層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的透明顯示裝置，更包括畫素定義層，該畫素定義層具有畫素開口，該發光層位於該畫素開口中，該第二電極連續地覆蓋該發光層以及該畫素定義層，且該畫素定義層與該發光層位於該第二電極與該驅動電路複合層之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的透明顯示裝置，更包括第二電極傳輸線路，配置於該畫素定義層與該驅動電路複合層之間，其中該畫素定義層更具有導通開口，該第二電極覆蓋該導通開口以在該導通開口連接該第二電極傳輸線路。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的透明顯示裝置，其中該畫素定義層包括外周部，該外周部沿著該發光區與該透光區的交界延伸分布。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的透明顯示裝置，其中該第一擋牆結構疊置於該畫素定義層的該外周部上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的透明顯示裝置，其中該畫素定義層的該外周部位於該第一擋牆結構與該發光元件之間，且該第一擋牆結構的高度高於該畫素定義層的高度。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的透明顯示裝置，更包括平坦保護層，該平坦保護層配置於該驅動電路複合層與該第一電極之間以覆蓋該驅動電路複合層，且該畫素定義層配置於該平坦保護層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的透明顯示裝置，其中該畫素定義層更覆蓋該平坦保護層的側壁。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的透明顯示裝置，其中該平坦保護層更覆蓋該透光區。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的透明顯示裝置，更包括無機保護層，覆蓋該平坦保護層，且位於該畫素定義層與該平坦保護層之間。
  12. 如申請專利範圍第2項所述的透明顯示裝置，更包括第二擋牆結構以及第二頂導電圖案，該第二擋牆結構配置於該基板上，位於該發光區中並連接該第一擋牆結構，且該第二頂導電圖案配置於該第二擋牆結構的頂面並沿該第二擋牆結構分布。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示裝置，更包括透光區導電層，配置於該透光區中。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的透明顯示裝置，更包括第二擋牆結構以及第二頂導電圖案，該第二擋牆結構配置於該基板上，位於該透光區中並連接該第一擋牆結構以圍出多個開口，且該第二頂導電圖案配置於該第二擋牆結構的頂面並沿該第二擋牆結構分布，其中該透光區導電層配置於該些開口中。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示裝置，其中該第一阻隔層位於該第二阻隔層與該發光元件之間，且該第二阻隔層位於由該第一擋牆結構圍繞的該發光區中。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示裝置，其中該阻障封裝多層結構更包括第三阻隔層，且該第二阻隔層夾於該第一阻隔層與該第三阻隔層之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的透明顯示裝置，其中該第一阻隔層與該第三阻隔層在該第二阻隔層外彼此接觸以包覆該第二阻隔層。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示裝置，其中該第一阻隔層連續覆蓋該第一擋牆結構的該底切側壁。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示裝置，其中該第一阻隔層位於由該第一擋牆結構圍繞的該發光區中。
  20. 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示裝置，更包括觸控線路，配置於該基板上且該觸控線路在該發光區中位於該阻障封裝多層結構上。
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