JP2018018740A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡略化された製造方法と、それを用いた信頼性の高い表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上の第１面に複数の表示パネルを形成する表示装置の製造方法において、複数の表示パネルの表示領域に、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を形成し、複数の表示パネルの境界領域に、回路素子層を構成する半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を形成し、複数の表示パネルの略全面に封止膜を形成し、バンプ部で、基板を切断して表示パネルを個片化すること、とを含む表示装置の製造方法を提供する。
【選択図】図５Ａ

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。例えば発光素子として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、各画素に有機ＥＬ素子が設けられ、有機ＥＬ素子は、アノード電極、およびカソード電極から成る一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」という）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、アノード電極が画素ごとに個別画素電極として設けられ、カソード電極は複数の画素に跨って共通の電位が印加される共通画素電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。
有機ＥＬ層は水分に極めて弱く、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生し得る。そこで、有機ＥＬ層への水分の侵入を防止するために、有機ＥＬ素子が配列された表示領域の構造を覆うように、封止膜を形成する対策が取られている。封止膜としては、例えば有機絶縁膜と、有機絶縁膜の側面及び上下面を無機絶縁膜で積層した構造がよく一般的に用いられる。
特許文献１には、転写方式によるフレキシブルＴＦＴ基板において、基板周辺におけるマイクロクラックに起因するＴＦＴアレイの破壊を防止する方法が開示されている。
特開２０１０−２２４４２６号公報
複数の表示パネルを同時に形成する表示装置の製造方法において、多面取り用大型パネルは個片切断する必要がある。このときに、封止膜に応力が集中してダメージが生じる可能性がある。
本発明は、多面取り用大型パネルを個片切断するときに、封止膜に発生するダメージが表示領域に伝播することを防止することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態によると、基板上の第１面に複数の表示パネルを形成する表示装置の製造方法において、複数の表示パネルの表示領域に、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を形成し、複数の表示パネルの境界領域に、回路素子層を構成する半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を形成し、複数の表示パネルの略全面に封止膜を形成し、バンプ部で、基板を切断して表示パネルを個片化すること、とを含む表示装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態によると、基板上の第１面に複数の表示パネルを形成する表示装置の製造方法において、複数の表示パネルの表示領域に、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を形成し、複数の表示パネルの境界領域に、回路素子層を構成する半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含む複数のバンプ部を形成し、複数の表示パネルの略全面に封止膜を形成し、複数のバンプ部の間で、基板を切断して表示パネルを個片化すること、とを含む表示装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態によると、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する表示領域と、表示領域を囲み、半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を有する封止領域と、表示領域と封止領域との略全面に設けられた封止膜と、を有し、封止膜は、封止領域においてバンプ部の上面とバンプ部に隣接する領域とで分離されている、表示装置が提供される。
本発明の一実施形態によると、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する表示領域と、表示領域を囲む封止領域と、表示領域と封止領域とに設けられた封止膜と、を有し、封止膜は封止領域に端部を有し、封止膜の端部は、封止領域の外周の方向に向かって封止膜の膜厚が減少する傾斜部を有することを特徴とする表示装置が提供される。
本発明の一実施形態によると、基板上の第１面に複数の表示パネルを有する多面取り用基板であって、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する複数の表示パネルと、表示パネルの少なくとも一辺に沿って、半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を含む境界領域と、複数の表示パネルの略全面に設けられた封止膜と、を有し、封止膜は、境界領域においてバンプ部の上面とバンプ部に隣接する領域とで分離されている、多面取り用基板が提供される。
本発明の一実施形態によると、基板上の第１面に複数の表示パネルを有する多面取り用基板であって、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する複数の表示パネルと、表示パネルの少なくとも一辺に沿って、半導体層、絶縁層、及び導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を複数含む境界領域と、複数の表示パネルの略全面に設けられた封止膜と、を有し、封止膜は、境界領域においてバンプ部の上面とバンプ部に隣接する領域とで分離されている、多面取り用基板が提供される。
本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構造を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示領域の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。
以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の実施形態では、特に有機ＥＬ表示装置を好適な応用例として例示するが、これに限定されるものではない。
図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上（又は下）」にあるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素に設けられる発光素子の劣化を抑制している。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
図２及び図３を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の概略構造について説明する。図２は、本実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示装置１００の概略構造を示す平面図である。図３は、本実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示領域１０６の概略構造を示す断面図である。
図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２上に表示画面を形成する表示領域１０６が設けられている。第１基板１０２には、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６は、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板との接点を形成する。接続端子１１６におけるこの接点は、外部に露出している。第１基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力する第１駆動回路１１１および第２駆動回路１１２が設けられている。本実施形態において、第１駆動回路１１１は第２基板１０４の内側に、第２駆動回路１１２は第２基板１０４の外側に配置されている。
表示領域１０６と、第１駆動回路１１１及び第２駆動回路１１２とは、それぞれ配線によって接続される。表示領域１０６は、画素１０８以外に走査信号線、映像信号線と呼ばれる配線が設けられている。表示領域１０６の各画素１０８は、これらの配線により第１駆動回路１１１、第２駆動回路１１２と接続されている。例えば、第１駆動回路１１１は、表示領域１０６に走査信号を出力する駆動回路であり、第２駆動回路１１２は表示領域１０６に映像信号を出力する駆動回路である。
図３に示すように、表示領域１０６は回路素子を有する。本実施形態において回路素子層は、半導体層１４０、ゲート絶縁層１４８、ゲート電極１４２、第１絶縁層１５０、ソース・ドレイン電極１４４、第２絶縁層１５２、個別画素電極１２２、第３絶縁層１５４、発光層１２６、および共通画素電極１２４を含む多層構造を有する。表示領域１０６の複数の画素１０８の各々は、トランジスタ１１８及び発光素子１２０を有する。トランジスタ１１８は発光素子１２０の発光を制御する。
トランジスタ１１８は、半導体層１４０、ゲート絶縁層１４８、ゲート電極１４２が積層された構造を有している。半導体層１４０は、非晶質又は多結晶のシリコン、若しくは酸化物半導体などで形成される。ソース・ドレイン電極１４４は、第１絶縁層１５０を介して、ゲート電極１４２の上層に設けられている。ソース・ドレイン電極１４４の上層には平坦化層としての第２絶縁層１５２が設けられている。そして、第２絶縁層１５２の上面に発光素子１２０が設けられている。第２絶縁層１５２は、ソース・ドレイン電極１４４及び、第１絶縁層１５０に設けられたコンタクトホール、ゲート電極１４２及び半導体層１４０の形状に伴う第１絶縁層１５０の凹凸を埋設し、略平坦な表面を有している。第２絶縁層１５２は、無機絶縁層の表面をエッチング加工、化学的機械研摩加工することで形成された平坦表面、またはアクリル、ポリイミドなどの前駆体を含む組成物を塗布又は堆積し、レベリングされた平坦表面を有していてもよい。
発光素子１２０は、個別画素電極１２２とこれに対向して配置される共通画素電極１２４とで発光層１２６を挟んだ構造を有している。個別画素電極１２２は画素１０８ごとに独立しており、それぞれトランジスタ１１８と接続される。共通画素電極１２４は複数の画素に跨って共通の電位が印加される。しかしながらこれに限定されず、各々の画素の全てまたは一部において、共通画素電極１２４を隣接画素とは独立して個別に設けても良い。発光素子１２０は２端子素子であり、個別画素電極１２２と共通画素電極１２４との間の電位を制御することで発光が制御される。隣接する２つの画素１０８の間には、第３絶縁層１５４が設けられている。第３絶縁層１５４は、端部が個別画素電極１２２の周縁部を覆うように設けられている。なお、第３絶縁層１５４は、個別画素電極１２２の端部において共通画素電極１２４と短絡することを防ぎ、かつ隣接する画素１０８間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、第３絶縁層１５４を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。
第１絶縁層１５０から上層である第２絶縁層１５２、第３絶縁層１５４、および共通画素電極１２４は、表示領域１０６内で段階的に成形範囲が小さくなることで、表示領域１０６の端部において第２絶縁層１５２から共通画素電極１２４までの端部が、段状に積層されてもよい。すなわち、表示領域１０６内で回路素子層の高さは段階的であり、端部は第２絶縁層１５２、第３絶縁層１５４、および共通画素電極１２４のそれぞれの層の高さによって段状に形成されてもよい。
本実施形態で示す表示装置１００は、発光素子１２０が発光した光を共通画素電極１２４側に出射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有している。本実施形態においてはトップエミッション型を例示するが、これに限らず個別画素電極１２２側に出射する、いわゆるボトムエミッション型に適用することも可能である。個別画素電極１２２は、発光層１２６で発光した光を、共通画素電極１２４側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、個別画素電極１２２を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。一方、共通画素電極１２４は、発光層１２６で発生した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通画素電極１２４として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
図３では示さなかったが、第１駆動回路１１１も回路素子を有する。例えば図７及び図８において、第１駆動回路１１１では、表示領域１０６に設けられているトランジスタ１１８と同じ構造を有するトランジスタによって信号処理回路が形成されている。第１駆動回路１１１の端部における第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４の端部も、それぞれ段状に積層されてもよい。ただし図７及び図８において、第２絶縁層１５２はなくてもよい。
表示領域１０６の上部には封止膜が設けられている。例えば発光素子１２０として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層は、水分に極めて弱いため、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットが発生し得る。そのため、表示領域１０６の回路素子を覆うように封止膜が設けられている。本実施形態において表示領域１０６の上部における封止膜は３層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の３層は、いずれも表示領域１０６の回路素子を覆うように配置されている。
第１の絶縁膜１３０としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第１の絶縁膜１３０としては水分の遮断性の高い膜が好ましく、特に無機絶縁層を用いるのが好ましい。例えば、無機絶縁材料を使用する場合、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌｘＯｙＮｚ））、窒化酸化アルミニウム （ＡｌｘＮｙＯｚ）等の膜などを使用することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。このとき、表示領域１０６内の発光素子１２０等による凹凸のために、第１の絶縁膜１３０のみの単層では十分に被覆することができず、水分の伝搬経路が発生する場合がある。
そこで、第２の層として高い平坦性を確保するための第２の絶縁膜１３２を設ける。第２の絶縁膜１３２としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などの有機絶縁層等を用いることができる。図３に示すように、第２の絶縁膜１３２は、表示領域１０６を覆うように形成される。すなわち第２の絶縁膜１３２の端部は、表示領域１０６の外周部１１３に位置する。
平坦性の向上した第２の絶縁膜１３２上に、第３の絶縁膜１３４を設ける。第２の絶縁膜１３２による平坦化のため、第３の絶縁膜１３４は高い被覆性を有し、水分の伝搬経路の発生を抑制することができる。第３の絶縁膜１３４としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第３の絶縁膜１３４は、特に水分の遮断性が高い膜が好ましく、例えば窒化シリコン膜等の無機絶縁材料を用いることが好ましい。上記の有機絶縁層および無機絶縁層を積層構造にすることによって、水分の侵入の防止が期待できる。
表示領域１０６の外周には、外周部１１３が設けられている。第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置されている。一方で、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、いずれも第１基板１０２の略全面に配置されている。すなわち、３層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。図２および図３に示すように、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、第２の絶縁膜１３２より大きく、第２の絶縁膜１３２の端部の外側で第１の絶縁膜１３０と第３の絶縁膜１３４とが接している。このような構造を有することによって、特に第２の絶縁膜１３２の端部が露出することを防いでいる。第２の絶縁膜１３２として有機絶縁層が用いられた場合、その端部が露出していると、外部から侵入した水分の侵入経路となり得る。第２の絶縁膜１３２の端部から侵入した水分は発光素子１２０へ伝搬し、表示装置１００の寿命を低下させることが懸念される。このため有機絶縁層の端部は無機絶縁層によって覆われている必要がある。このような構造を、水分遮断領域ともいう。
図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す平面図である。本実施形態において複数の表示装置の各回路素子は、多面取り用基板である第１基板１０２上に同時形成する。封止膜である第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、第１基板１０２の略全面に一括形成する。封止膜である第２の絶縁膜１３２は、各表示領域１０６上に形成する。各々の表示パネルの境界領域には、切断部位１６０を配置する。各々の表示パネルは、第１基板１０２を切断部位１６０で切断することで得る。各表示パネルは、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって、表示領域１０６が大気に晒されないように封止し、本実施形態に係る表示装置１００を得る。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
図５Ａは、本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構成を示す断面図である。図５Ａに示すように、各表示パネルの境界領域には、封止領域１１５が配置される。封止領域１１５は、切断部位１６０にバンプ部１２８を有する。本実施形態においてバンプ部１２８は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている回路素子層で形成されている。しかしながらこれに限定されず、回路素子とは別にバンプ部１２８が形成されてもよい。バンプ部１２８は、同一範囲において各層が積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状が形成される。これによって、表示領域１０６および第１駆動回路１１１の端部と比べて、大きな段差が形成される。すなわちバンプ部１２８と隣接する領域とでは、大きな段差が形成される。なお、図５Ａにおいて、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。また、バンプ部１２８と隣接する領域との段差の高さは２μｍ以上が好ましい。このような高さを有することで、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が段切れするようにできる。ここで、段切れとは第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４が下地面の段差に対して、その段差部で不連続である状態を示す。
本実施形態において、封止領域１１５における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８の上面との間で分離されている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示装置の略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、図５Ａにおいて、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、図５Ｂに示すように、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で膜厚が減少する傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。特に、バンプ部１２８に隣接する領域における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部が、階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などを有することによって、バンプ部１２８の側面に第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が接触または近接することを抑制することができ、個片切断時にかかる応力や、外部応力が、表示領域１０６を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４にマイクロクラックを発生することを防ぐことができる。
図６は、本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構成を示す上面図である。図６に示すように、封止領域１１５は、切断部位１６０にバンプ部１２８を有する。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れしている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示装置の略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５において、バンプ部１２８の両脇側面において不連続な状態となる。なお、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、垂直に断絶されてもよく、また階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などであってもよい。
これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示装置の境界領域に配置されたバンプ部上を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。
図７は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構造を示す断面図である。図７は、図２のＡ−Ｂに沿った表示装置１００の断面図を示している。図７に示すように、表示装置１００は、第１基板１０２のＢ側端部から、封止領域１１５、第１駆動回路１１１、外周部１１３、表示領域１０６が設けられている。
本実施形態において封止領域１１５では、表示領域１０６に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、および第３絶縁層１５４によってバンプ部１２８が形成されている。しかしながらこれに限定されず、表示領域１０６に設けられている半導体層１４０、絶縁層であるゲート絶縁層１４８、第１絶縁層１５０、および導電層である個別画素電極１２２、共通画素電極１２４、ゲート電極１４２、ソース・ドレイン電極１４４などによってバンプ部１２８が形成されてもよい。バンプ部１２８は、各層が同一範囲に積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状に形成される。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じる。なお、図７において、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。
バンプ部１２８は、表示装置の外周に配置される。すなわち、バンプ部１２８は封止領域の外側端部に配置される。多面取り用基板を個片切断することで複数の表示パネルを同時に形成する製造方法において、バンプ部１２８は各表示パネルの境界領域に配置される。各表示パネルの境界領域に配置されるバンプ部１２８、第１の絶縁膜１３０、および第３の絶縁膜１３４は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている回路素子層とは不連続であることから、個片切断時にかかる応力が表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。バンプ部１２８の一部またはすべては、例えば、多面取り用基板を個片切断するときに脱落することもある。この場合、表示装置の外周から、少なくとも第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が欠失することとなる。すなわち、表示領域を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５に端部を有し、封止領域１１５の外周より小さい領域に配置される。表示装置の外周には、少なくとも第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が配置されない領域ができる。外部応力の影響を受けやすい表示装置の外周において、封止膜である第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が欠失することで、表示領域１０６を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４にマイクロクラックが発生することを防ぐことができる。
表示領域１０６、第１駆動回路１１１、およびバンプ部１２８の上部には封止膜が設けられている。本実施形態において表示領域１０６の上部における封止膜は３層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の３層は、いずれも表示領域１０６を覆うように配置されている。
表示領域１０６と第１駆動回路１１１との間には、外周部１１３が設けられている。第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置されている。一方で、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、いずれも第１基板１０２の略全面に配置されている。すなわち、３層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。このような構造を有することによって、特に第２の絶縁膜１３２の端部が露出することを防いでいる。
本実施形態において第１駆動回路１１１、および封止領域１１５（バンプ部１２８を含む）における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、いずれも第１駆動回路１１１を覆うように配置されている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れしている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の両脇側面において不連続な状態となる。これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示パネルの境界領域に配置されたバンプ部上を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが進展することを防ぐことができる。なお、図７において、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で膜厚が減少する傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。
封止領域１１５にはシール材１１０が設けられている。シール材１１０は第１基板１０２と第２基板１０４とを接着している。本実施形態において、シール材１１０は封止領域１１５内のバンプ部１２８に隣接する領域に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８上であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域１０６への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、更に水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。ここで従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。図８Ａ〜Ｄは、本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。図８Ａ〜Ｄは、図４のＣ−Ｄに沿った断面図を示している。本実施形態において、回路素子層の形成は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図８Ａ〜Ｄにおいては第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、封止膜を形成する方法をより詳しく説明する。
図８Ａは、第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、各回路素子層を形成した第１基板１０２の断面図である。図８Ａには示していないが、表示領域１０６および第１駆動回路１１１には、半導体層、絶縁層及び導電層を含む回路素子層を形成する。表示領域１０６および第１駆動回路１１１の回路素子層は、端部がそれぞれ段状に積層されてもよい。封止領域１１５の切断部位１６０には、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、および第３絶縁層１５４によってバンプ部１２８を形成する。表示領域１０６の回路素子、第１駆動回路１１１の回路素子、および封止領域１１５のバンプ部１２８は、パターニングによって形成する。バンプ部１２８は、各層を同一範囲において積層することで第１基板１０２から突出した凸形状に形成する。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じる。バンプ部１２８は表示パネルの外周に配置する。すなわち、バンプ部１２８は各表示パネルの境界領域に配置する。なお、図８Ａにおいて、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。
次に、第１の絶縁膜１３０を形成する。図８Ｂに示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８の凸形状のため、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
図８Ａ〜Ｄに図示しなかったが、次に、表示領域１０６上に第２の絶縁膜１３２を形成する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。第２の絶縁膜１３２は表示領域１０６を覆うように形成する。このとき第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置する。
次に、第３の絶縁膜１３４を形成する。図８Ｃに示すように、第１の絶縁膜１３０（および第２の絶縁膜１３２上）に第３の絶縁膜１３４を形成する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第３の絶縁膜１３４は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８の凸形状のため、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第３の絶縁膜１３４の端部は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
次に、切断部位１６０で第１基板１０２を切断する。ここで、第１基板１０２上に一括形成された複数の表示パネルは、個片切断される。図８Ｄに示すように、切断部位１６０にはバンプ部１２８が配置されている。個片切断時には、バンプ部１２８上を切断する。切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
切断部位１６０で第１基板１０２を切断するとき、第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４に応力がかかりマイクロクラックが生じること、あるいはバンプ部ごと脱落してしまうことがある。さらに、フレキシブルなシートディスプレイでは変形を繰り返すことでマイクロクラックが進展して水分の侵入経路が広がっていくことがある。封止膜である第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックは、水分侵入経路となり、画素に設けられる発光素子に到達するとダークスポットが発生し得る。本実施形態において、切断部位１６０に配置された第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８と隣接する領域の間で段切れしている。このため、切断時に発生しうるバンプ部１２８上の第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックが、表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。
個片切断された各表示パネルを、シール材１１０を用いて第２基板１０４で封止することで、図７に示す表示装置１００が得られる。本実施形態において、シール材１１０は、封止領域１１５内のバンプ部１２８に隣接する領域に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８上であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、更に水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。ここで従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、封止領域１１５におけるバンプ部１２８を、各絶縁層を積層した凸形状に形成する。第２実施形態では、バンプ部１２８をさらにアッシングすることで庇形状に形成する。尚、本実施形態と第１実施形態において、表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
図９は、本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。図９に示すように、各表示パネルの境界領域には、封止領域１１５が配置される。封止領域１１５は、切断部位１６０にバンプ部１２８を有する。本実施形態においてバンプ部１２８は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている回路素子層で形成されている。しかしながらこれに限定されず、回路素子とは別にバンプ部１２８が形成されてもよい。バンプ部１２８は、同一範囲において各層が積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状に形成される。凸形状のバンプ部１２８をさらにアッシングすることで庇形状に形成する。これによって、表示領域１０６および第１駆動回路１１１の端部と比べて、大きな段差が形成される。すなわちバンプ部１２８と隣接する領域とでは、大きな段差が形成される。さらにバンプ部１２８の側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となる。なお、図９において、バンプ部１２８の側面は大部分が切断部位１６０方向に刳れた形状を示したが、これに限定されない。バンプ部１２８の側面の一部分が切断部位１６０方向に刳れた形状であってもよい。バンプ部１２８と隣接する領域との段差の高さは２μｍ以上が好ましい。このような高さを有することで、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が段切れするようにできる。
本実施形態において、封止領域１１５における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８の上面との間で分離されている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、さらにバンプ部１２８の側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となっているため、表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示パネルの境界領域に配置されたバンプ部上を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。なお、図９において、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で膜厚が減少する傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。特に、バンプ部１２８に隣接する領域における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部が、階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などを有することによって、バンプ部１２８の側面に第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が接触または近接することを抑制することができ、個片切断時にかかる応力や、外部応力が、表示領域１０６を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４にマイクロクラックを発生することを防ぐことができる。
図１０は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構造を示す断面図である。図１０は、図２のＡ−Ｂに沿った断面図を示している。図１０に示すように、表示装置１００は、第１基板１０２のＢ側端部から、封止領域１１５、第１駆動回路１１１、外周部１１３、表示領域１０６が設けられている。
本実施形態において封止領域１１５では、表示領域１０６に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、第３絶縁層１５４、および導電層である共通画素電極１２４とによってバンプ部１２８が形成されている。しかしながらこれに限定されず、表示領域１０６に設けられている半導体層１４０、および導電層である個別画素電極１２２、共通画素電極１２４、ゲート電極１４２、およびソース・ドレイン電極１４４などによってバンプ部１２８が形成されてもよい。バンプ部１２８は、各層が積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状に形成される。さらにバンプ部１２８は、第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４がアッシングされる。このためバンプ部１２８の表示領域側面において、共通画素電極１２４の端部が、第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４の端部より外側に突出した庇形状に形成される。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じ、さらにバンプ部１２８の表示領域側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となる。なお、図１０において、バンプ部１２８の側面は大部分が切断部位１６０方向に刳れた形状を示したが、これに限定されない。バンプ部１２８の側面の一部分が切断部位１６０方向に刳れた形状であってもよい。
バンプ部１２８は、表示装置の外周に配置される。すなわち、バンプ部１２８は封止領域の外側端部に配置される。多面取り用基板を個片切断することで複数の表示パネルを同時に形成する製造方法において、バンプ部１２８は各表示パネルの境界領域に配置される。各表示パネルの境界領域に配置されるバンプ部１２８、第１の絶縁膜１３０、および第３の絶縁膜１３４は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている回路素子層とは不連続であることから、個片切断時にかかる応力が表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。バンプ部１２８の一部またはすべては、例えば、多面取り用基板を個片切断するときに脱落することもある。この場合、表示装置の外周から、少なくとも第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が欠失することとなる。すなわち表示装置の外周には、少なくとも第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が配置されない領域ができる。外部応力の影響を受けやすい表示装置の外周において、封止膜である第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が欠失することで、表示領域１０６を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４にマイクロクラックが発生することを防ぐことができる。
表示領域１０６、第１駆動回路１１１、およびバンプ部１２８の上部には封止膜が設けられている。本実施形態において表示領域１０６の上部における封止膜は３層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置されている。一方で、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、いずれも第１基板１０２の略全面に配置されている。すなわち、３層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。
本実施形態において第１駆動回路１１１、および封止領域１１５（バンプ部１２８を含む）における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、いずれも第１駆動回路１１１を覆うように配置されている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れしている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、さらにバンプ部１２８の側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となっているため、表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の両脇側面において不連続な状態となる。これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示パネルの境界領域に配置されたバンプ部上を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが進展することを防ぐことができる。なお、図１０において、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。
封止領域１１５にはシール材１１０が設けられている。シール材１１０は第１基板１０２と第２基板１０４とを接着している。本実施形態において、シール材１１０は封止領域１１５内のバンプ部１２８に隣接する領域に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８上であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域１０６への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、更に水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。ここで従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。図１１Ａ〜Ｅは、本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。図１１Ａ〜Ｅは、図４のＣ−Ｄに沿った断面図を示している。本実施形態において、回路素子層の形成は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図１１Ａ〜Ｅにおいては第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、封止膜を形成する方法をより詳しく説明する。
図１１Ａは、第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、各回路素子層を形成した第１基板１０２の断面図である。図１１Ａには示していないが、表示領域１０６および第１駆動回路１１１には、半導体層、絶縁層及び導電層を含む回路素子層を形成する。表示領域１０６および第１駆動回路１１１の回路素子層は、端部がそれぞれ段状に積層されてもよい。封止領域１１５の切断部位１６０には、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、および第３絶縁層１５４と、導電層である共通画素電極１２４とによってバンプ部１２８を形成する。表示領域１０６の回路素子、第１駆動回路１１１の回路素子、および封止領域１１５のバンプ部１２８は、パターニングによって形成する。バンプ部１２８は、各層を同一範囲において積層することで第１基板１０２から突出した凸形状に形成する。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じる。バンプ部１２８は表示パネルの外周に配置する。すなわち、バンプ部１２８は各表示パネルの境界領域に配置する。
次に、バンプ部１２８をアッシングする。図１１Ｂに示すように、バンプ部１２８の第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４をアッシングする。ここではアッシング方法として、Ｏ２プラズマアッシングを用いたが、これに限定しない。導電層である共通画素電極１２４よりも、第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４の選択性が高いアッシング方法であればよい。ここで、表示領域１０６および第１駆動回路１１１の第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４の端部は、導電層である個別画素電極１２２、共通画素電極１２４、ゲート電極１４２、およびソース・ドレイン電極１４４から十分離れているので、第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４がアッシングされてもそれぞれの回路素子に影響はない。このようにして、バンプ部１２８において、共通画素電極１２４の端部が、第２絶縁層１５２および第３絶縁層１５４の端部より外側に突出した庇形状を形成する。しかしながらこれに限定されず、バンプ部１２８の形成に用いる層の材料および組合せによって、適宜アッシング方法を選択することができ、それによってバンプ部１２８側面の少なくとも一部を内側に刳れた形状に形成すればよい。
次に、第１の絶縁膜１３０を形成する。図１１Ｃに示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８の庇形状のため、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、さらにバンプ部１２８の側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となっているため、表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
図１１Ａ〜Ｅに図示しなかったが、次に、表示領域１０６上に第２の絶縁膜１３２を形成する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。第２の絶縁膜１３２は表示領域１０６を覆うように形成する。このとき第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置する。
次に、第３の絶縁膜１３４を形成する。図１１Ｄに示すように、第１の絶縁膜１３０（および第２の絶縁膜１３２上）に第３の絶縁膜１３４を形成する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第３の絶縁膜１３４は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８の庇形状のため、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、さらにバンプ部１２８の側面は切断部位１６０方向に刳れた形状となっているため、表示パネルの略全面に一括形成される第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第３の絶縁膜１３４の端部は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
次に、切断部位１６０で第１基板１０２を切断する。ここで、第１基板１０２上に一括形成された複数の表示パネルは、個片切断される。図１１Ｅに示すように、切断部位１６０にはバンプ部１２８が配置されている。個片切断時には、バンプ部１２８上を切断する。切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
切断部位１６０で第１基板１０２を切断するとき、第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４に応力がかかりマイクロクラックが生じること、あるいはバンプ部ごと脱落してしまうことがある。さらに、フレキシブルなシートディスプレイでは変形を繰り返すことでマイクロクラックが進展して水分の侵入経路が広がっていくことがある。封止膜である第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックは、水分侵入経路となり、画素に設けられる発光素子に到達するとダークスポットが発生し得る。本実施形態において、切断部位１６０に配置された第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８と隣接する領域の間で段切れしている。このため、切断時に発生しうるバンプ部１２８上の第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックが、表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。
個片切断された各表示パネルを、シール材１１０を用いて第２基板１０４で封止することで、図１０に示す表示装置１００が得られる。本実施形態において、シール材１１０は、封止領域１１５内のバンプ部１２８に隣接する領域に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８上であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、更に水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
＜第３実施形態＞
第１実施形態では、封止領域１１５におけるバンプ部１２８を表示パネルの境界領域に形成し、バンプ部１２８上を切断した。第３実施形態では、バンプ部１２８を表示パネルの境界領域に複数形成し、バンプ部１２８間隙の凹部を切断する。尚、本実施形態と第１実施形態において、表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
図１２は、本発明の一実施形態に係る製造方法における切断部位の概略構造を示す断面図である。図１２に示すように、各表示パネルの境界領域には、封止領域１１５が配置される。封止領域１１５は、複数のバンプ部１２８を有し切断部位１６０にバンプ部１２８間隙の凹部を有する。本実施形態においてバンプ部１２８は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている回路素子層で形成されている。しかしながらこれに限定されず、回路素子とは別にバンプ部１２８が形成されてもよい。本実施形態においてバンプ部１２８は、第１駆動回路１１１と一体形成されている。しかしながらこれに限定されず、バンプ部１２８は別体に形成されてもよい。バンプ部１２８は、それぞれ同一範囲において各層が積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状に形成される。これによって、表示領域１０６の端部と比べて、大きな段差が形成される。すなわちバンプ部１２８と隣接する領域とでは、大きな段差が形成される。なお、図１２において、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。また、バンプ部１２８と隣接する領域との段差の高さは２μｍ以上が好ましい。このような高さを有することで、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が段切れするようにできる。
本実施形態において、封止領域１１５における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれも、バンプ部１２８上および隣接する領域に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８の上面との間で分離されている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示パネルの境界領域に配置されたバンプ部間隙を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。なお、図１２において、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で膜厚が減少する傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。特に、バンプ部１２８に隣接する領域における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部が、階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などを有することによって、バンプ部１２８の側面に第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が接触または近接することを抑制することができ、個片切断時にかかる応力や、外部応力が、表示領域１０６を覆う第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４にマイクロクラックを発生することを防ぐことができる。
図１３は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構造を示す断面図である。図１３は、図２のＡ−Ｂに沿った断面図を示している。図１３に示すように、表示装置１００は、第１基板１０２のＢ側端部から、封止領域１１５、第１駆動回路１１１、外周部１１３、表示領域１０６が設けられている。
本実施形態において封止領域１１５では、表示領域１０６に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、および第３絶縁層１５４によってバンプ部１２８が形成されている。しかしながらこれに限定されず、表示領域１０６に設けられている半導体層１４０、および導電層である個別画素電極１２２、共通画素電極１２４、ゲート電極１４２、およびソース・ドレイン電極１４４などによってバンプ部１２８が形成されてもよい。本実施形態においてバンプ部１２８は、第１駆動回路１１１と一体形成されている。しかしながらこれに限定されず、バンプ部１２８は別体に形成されてもよい。バンプ部１２８は、各層が積層されることで第１基板１０２から突出した凸形状に形成される。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じる。なお、図１３において、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。
バンプ部１２８は、表示装置の外周がバンプ部１２８間隙となるよう配置される。すなわち、各表示パネルの境界領域には複数のバンプ部１２８が形成され、バンプ部１２８間隙が封止領域の外側端部となるように配置される。多面取り用基板を個片切断することで複数の表示パネルを同時に形成する製造方法において、バンプ部１２８間隙は各表示パネルの境界領域に配置される。
表示領域１０６、第１駆動回路１１１、およびバンプ部１２８の上部には封止膜が設けられている。本実施形態において表示領域１０６の上部における封止膜は３層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置されている。一方で、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、いずれも第１基板１０２の略全面に配置されている。すなわち、３層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。
本実施形態において第１駆動回路１１１、および封止領域１１５（バンプ部１２８を含む）における封止膜は２層の積層構造を有し、下層側より、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が設けられている。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、いずれも第１駆動回路１１１を覆うように配置されている。封止領域１１５において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層はいずれもバンプ部１２８上および隣接する領域（バンプ部１２８間隙を含む）に配置される。しかしながら第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の２層は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れしている。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の両脇側面において不連続な状態となる。これによって多面取り用基板を個片切断するとき、各表示パネルの境界領域に配置されたバンプ部１２８間隙を切断することで、切断時に発生しうる第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４のマイクロクラックが進展することを防ぐことができる。なお、図１３において、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、バンプ部１２８に隣接する領域およびバンプ部１２８上においていずれも垂直に断絶されている。しかしながらこれに限定されず、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部は、階段状や、それぞれの段で傾斜面を有する形状などであってもよい。また、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４の端部の形状は、それぞれ異なってもよく、また異なる形状の組み合わせであってもよい。
封止領域１１５にはシール材１１０が設けられている。シール材１１０は第１基板１０２と第２基板１０４とを接着している。本実施形態において、シール材１１０はバンプ部１２８上に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８に隣接する領域であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。更に、ここで従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。図１４Ａ〜Ｄは、本発明の一実施形態に係る製造方法を示す断面図である。１４Ａ〜Ｄは、図４のＣ−Ｄに沿った断面図を示している。本実施形態において、回路素子層の形成は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図１４Ａ〜Ｄにおいては第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、封止膜を形成する方法をより詳しく説明する。
図１４Ａは、第１駆動回路１１１および封止領域１１５における、各回路素子層を形成した第１基板１０２の断面図である。図１４Ａには示していないが、表示領域１０６および第１駆動回路１１１には、半導体層、絶縁層及び導電層を含む回路素子層を形成する。表示領域１０６および第１駆動回路１１１の回路素子層は、端部がそれぞれ段状に積層されてもよい。封止領域１１５の切断部位１６０には、表示領域１０６および第１駆動回路１１１に設けられている絶縁層である第２絶縁層１５２、および第３絶縁層１５４によってバンプ部１２８を形成する。表示領域１０６の回路素子、第１駆動回路１１１の回路素子、および封止領域１１５のバンプ部１２８は、パターニングによって形成する。本実施形態においてバンプ部１２８は、第１駆動回路１１１と一体形成する。しかしながらこれに限定されず、バンプ部１２８は別体に形成してもよい。バンプ部１２８は、各層を同一範囲において積層することで第１基板１０２から突出した凸形状に形成する。これによって、バンプ部１２８と隣接する領域とで、大きな段差が生じる。バンプ部１２８は、バンプ部１２８間隙が切断部位１６０となるよう配置する。すなわち、各表示パネルの境界領域に複数のバンプ部１２８を形成し、バンプ部１２８間隙が各表示パネルの外周となるように配置する。なお、図１４Ａにおいて、バンプ部１２８と隣接する領域との段差は垂直に示したが、これに限定されない。傾斜面を有する形状などであってもよい。
次に、第１の絶縁膜１３０を形成する。図１４Ｂに示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８間隙の凹形状のため、第１の絶縁膜１３０は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第１の絶縁膜１３０は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第１の絶縁膜１３０は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
図１４Ａ〜Ｄに図示しなかったが、次に、表示領域１０６上に第２の絶縁膜１３２を形成する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。第２の絶縁膜１３２は表示領域１０６を覆うように形成する。このとき第２の絶縁膜１３２の端部は、外周部１１３内に配置する。
次に、第３の絶縁膜１３４を形成する。図１４Ｃに示すように、第１の絶縁膜１３０（および第２の絶縁膜１３２上）に第３の絶縁膜１３４を形成する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。本実施形態において第３の絶縁膜１３４は、表示領域１０６および第１駆動回路１１１を覆うように形成する。封止領域１１５においても、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８上および隣接する領域に形成する。しかしながらバンプ部１２８間隙の凹形状のため、第３の絶縁膜１３４は、バンプ部１２８に隣接する領域とバンプ部１２８上との間で段切れする。バンプ部１２８と隣接する領域とでは大きな段差があり、このため表示パネルの略全面に一括形成される第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８の側面には成膜されない。なお、封止領域１１５における第３の絶縁膜１３４の端部は、垂直に断絶されてもよく、また傾斜面を有する形状などであってもよい。
次に、切断部位１６０で第１基板１０２を切断する。ここで、第１基板１０２上に一括形成された複数の表示パネルは、個片切断される。図１４Ｄに示すように、切断部位１６０にはバンプ部１２８間隙が配置されている。個片切断時には、バンプ部１２８間隙を切断する。切断方法は、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせを用いることができる。
切断部位１６０で第１基板１０２を切断するとき、第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４に応力がかかりマイクロクラックが生じることがある。さらに、フレキシブルなシートディスプレイでは変形を繰り返すことでマイクロクラックが進展して水分の侵入経路が広がっていくことがある。封止膜である第１の絶縁膜１３０および／または第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックは、水分侵入経路となり、画素に設けられる発光素子に到達するとダークスポットが発生し得る。本実施形態において、切断部位１６０に配置された第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、封止領域１１５においてバンプ部１２８と隣接する領域の間で段切れしている。このため、切断時に発生しうるバンプ部１２８間隙の第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４におけるマイクロクラックが、表示領域１０６の方向に進展することを防ぐことができる。
個片切断された各表示パネルを、シール材１１０を用いて第２基板１０４で封止することで、図１３に示す表示装置１００が得られる。本実施形態において、シール材１１０は、封止領域１１５内のバンプ部１２８上に配置したが、これに限定されない。封止領域１１５内であれば、バンプ部１２８に隣接する領域であってもよい。シール材１１０により第１基板１０２と第２基板１０４との間の領域は大気と遮断され、その中に表示領域１０６は封入される。尚、第２基板１０４の固定にあたり、ここでは表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いる構成で説明したが、その構成に限られるものではなく、他の手段にて第２基板１０４が固定される場合などは、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
本実施形態のように、３層に積層された封止膜構造とすることで、表示領域への水分の侵入を抑制することができる。第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が封止領域１１５内で断切れしている構造とすることで、第１基板１０２の切断時に発生しうる絶縁膜のマイクロクラックが進展することを防ぐことができ、更に水分の侵入を抑制することがでる。これによって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。ここで従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００及びその製造方法について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
表示装置：１００、基板：１０２、１０４、表示領域：１０６、画素：１０８、シール材：１１０、第１駆動回路：１１１、第２駆動回路：１１２、外周部：１１３、端子領域：１１４、封止領域：１１５、接続端子：１１６、トランジスタ：１１８、発光素子：１２０、個別画素電極：１２２、共通画素電極：１２４、発光層：１２６、バンプ部：１２８、第１の絶縁膜：１３０、第２の絶縁膜：１３２、第３の絶縁膜：１３４、半導体層：１４０、ゲート電極：１４２、ソース・ドレイン電極：１４４、ゲート絶縁層：１４８、第１絶縁層：１５０、第２絶縁層：１５２、第３絶縁層：１５４、切断部位：１６０

Claims (23)

  1. 基板上の第１面に複数の表示パネルを形成する表示装置の製造方法において、
    前記複数の表示パネルの表示領域に、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を形成し、
    前記複数の表示パネルの境界領域に、前記回路素子層を構成する前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を形成し、
    前記複数の表示パネルの略全面に封止膜を形成し、
    前記バンプ部で、前記基板を切断して前記表示パネルを個片化すること、
    とを含む表示装置の製造方法。
  2. 基板上の第１面に複数の表示パネルを形成する表示装置の製造方法において、
    前記複数の表示パネルの表示領域に、半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を形成し、
    前記複数の表示パネルの境界領域に、前記回路素子層を構成する前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一層を含む複数のバンプ部を形成し、
    前記複数の表示パネルの略全面に封止膜を形成し、
    前記複数のバンプ部の間で、前記基板を切断して前記表示パネルを個片化すること、
    とを含む表示装置の製造方法。
  3. 前記バンプ部は、少なくとも前記絶縁層を含み、前記基板の第１面から突出した形状に形成する、
    請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記バンプ部は、少なくとも前記絶縁層と前記導電層を含み、前記絶縁層から前記導電層の端部が外側に突出した形状に形成する、
    請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記バンプ部は、前記回路素子層の形成時にパターニングによって形成される、請求項３または４に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記回路素子層は、個別画素電極、共通画素電極、発光層、半導体層、ゲート電極、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁層、第１絶縁層、第２絶縁層、および第３絶縁層を含み、
    前記バンプ部は、前記個別画素電極、前記共通画素電極、前記半導体層、前記ゲート電極、前記ソース・ドレイン電極、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層から選ばれた少なくとも一層を含む請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記封止膜を、前記バンプ部と隣接する領域とで不連続に形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記封止膜を、プラズマＣＶＤ法によって成膜する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記封止膜を、無機絶縁材料を用いて形成する、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記封止膜を、窒化シリコン膜を用いて形成する請求項９に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記基板を、スクライビングホイールによるスクライブ・ブレーク、打ち抜き切断、レーザ切断、およびその組み合わせによって切断する請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  12. 半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する表示領域と、
    前記表示領域を囲み、前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を有する封止領域と、
    前記表示領域と前記封止領域との略全面に設けられた封止膜と、を有し、
    前記封止膜は、前記封止領域において前記バンプ部の上面と前記バンプ部に隣接する領域とで分離されている、表示装置。
  13. 前記バンプ部は、前記封止領域の外側端部に位置する
    ことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  14. 前記バンプ部を構成する前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一つの層と、前記回路素子層を構成する前記半導体層、前記絶縁層、および前記導電層とは分離されている、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  15. 前記表示領域に、発光層を含む有機層をさらに備えることを特徴とする、請求項１２乃至１４の何れか１項に記載の表示装置。
  16. 前記封止膜が、前記封止領域において前記バンプ部の上面と前記バンプ部に隣接する領域とで分離されていることは、
    前記表示領域を覆う封止膜の端部が、前記封止領域の外周の方向に向かって前記封止膜の膜厚が減少する傾斜部を有することを特徴とする請求項１２乃至１５の何れか一項に記載の表示装置。
  17. 半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する表示領域と、
    前記表示領域を囲む封止領域と、
    前記表示領域と前記封止領域とに設けられた封止膜と、を有し、
    前記封止膜は前記封止領域に端部を有し、
    前記封止膜の前記端部は、前記封止領域の外周の方向に向かって前記封止膜の膜厚が減少する傾斜部を有することを特徴とする表示装置。
  18. 前記封止膜の前記端部は、前記封止領域の外周より小さい領域に位置する、
    ことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
  19. 基板上の第１面に複数の表示パネルを有する多面取り用基板であって、
    半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する前記複数の表示パネルと、
    前記表示パネルの少なくとも一辺に沿って、前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を含む境界領域と、
    前記複数の表示パネルの略全面に設けられた封止膜と、を有し、
    前記封止膜は、前記境界領域において前記バンプ部の上面と前記バンプ部に隣接する領域とで分離されている、多面取り用基板。
  20. 前記バンプ部を構成する前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一つの層と、前記回路素子層を構成する前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層とは分離されている、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の多面取り用基板。
  21. 基板上の第１面に複数の表示パネルを有する多面取り用基板であって、
    半導体層、絶縁層、及び導電層を含む回路素子層を有する前記複数の表示パネルと、
    前記表示パネルの少なくとも一辺に沿って、前記半導体層、前記絶縁層、及び前記導電層から選ばれた少なくとも一層を含むバンプ部を複数含む境界領域と、
    前記複数の表示パネルの略全面に設けられた封止膜と、を有し、
    前記封止膜は、前記境界領域において前記バンプ部の上面と前記バンプ部に隣接する領域とで分離されている、多面取り用基板。
  22. 前記表示パネルに、発光層を含む有機層をさらに備えることを特徴とする、請求項１９乃至２１の何れか１項に記載の多面取り用基板。
  23. 前記封止膜が、前記境界領域において前記バンプ部の上面と前記バンプ部に隣接する領域とで分離されていることは、
    前記封止膜の端部が、前記表示パネルの外周の方向に向かって膜厚が減少する傾斜部を有することを特徴とする請求項１９乃至２２の何れか一項に記載の多面取り用基板。
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