KR20200111859A - 전자 장치 - Google Patents

전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200111859A
KR20200111859A KR1020190031275A KR20190031275A KR20200111859A KR 20200111859 A KR20200111859 A KR 20200111859A KR 1020190031275 A KR1020190031275 A KR 1020190031275A KR 20190031275 A KR20190031275 A KR 20190031275A KR 20200111859 A KR20200111859 A KR 20200111859A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
patterns
refractive
disposed
electronic device
Prior art date
Application number
KR1020190031275A
Other languages
English (en)
Inventor
박승현
윤주선
정윤모
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190031275A priority Critical patent/KR20200111859A/ko
Priority to US16/810,696 priority patent/US11417711B2/en
Priority to CN202010180484.8A priority patent/CN111725415A/zh
Publication of KR20200111859A publication Critical patent/KR20200111859A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/007—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movable or deformable optical element controlling the colour, i.e. a spectral characteristic, of the light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되는 윈도우층 상기 윈도우층 상에 배치되는 컬러 필터층 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하고 제1 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고, 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최대 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 발광 패턴의 너비보다 크다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 전자 장치는 영상을 표시하는 표시 패널을 포함할 수 있다. 표시 패널에 있어서, 유기 발광 표시 패널은 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도를 가진다.
유기 발광 표시 패널은 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역에 대응되는 광을 각각 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층이 제공된 구조 또는 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역에 백색광을 발광하는 유기 발광층이 제공되고, 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역에 대응되는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터가 제공된 구조 등이 사용되고 있다.
전자 장치는 영상이 표시되는 액티브 영역 및 액티브 영역과 인접한 베젤 영역을 포함한다.
본 발명은, 표시 패널 및 커버 패널 사이에 배치되는 굴절 제어층을 포함함으로써, 인접한 발광 영역 간의 혼색을 방지하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 전자 장치는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 개구부들이 정의된 화소 정의막, 상기 개구부들에 배치된 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고 상기 표시 패널과 마주하는 배면과 상기 배면과 대향된 전면을 포함하는 윈도우층, 상기 배면 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널, 및 상기 표시 패널 및 상기 커버 패널 사이에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하며 제1 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고, 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최대 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 발광 패턴들 각각의 너비보다 크다.
상기 발광 패턴들은, 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 발광 패턴들 중 상기 제2 방향으로 배열된 발광 패턴들과 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 상기 제2 굴절 패턴과 교번하여 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 굴절 패턴을 사이에 두고 서로 이격되어 배치 되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러 제어층은, 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고,
상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최소 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 발광 패턴들과 중첩하는 발광 영역들 및 상기 발광 영역들과 인접하는 비발광 영역으로 구분되고, 상기 커버 패널은, 상기 배면 상에 배치되고 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층, 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층, 및 상기 커버 무기층 상에 배치되어 상기 굴절 제어층과 접촉하는 커버 유기층을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 커버 무기층은 제3 굴절률을 갖고, 상기 커버 유기층은 상기 제3 굴절률보다 낮은 제4 굴절률을 갖고, 상기 제1 굴절률은 상기 제4 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 커버 패널은, 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층 사이에 배치되고, 상기 비발광 영역과 중첩하고, 상기 커버 유기층에 의해 커버되는 추가 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 컬러 제어층과 인접한 상부, 상기 상부와 대향하고 상기 봉지층과 접촉하는 하부 및 상기 상부와 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고, 상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 방향에 따른 단면상에서, 상기 제1 굴절 패턴들 각각의 형상은 사다리꼴 형상을 갖고, 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하게 배치된 제2 굴절 패턴의 형상은 역 사다리꼴 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차이는 0.05 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 봉지층은, 적어도 하나의 봉지 무기층 및 상기 봉지 무기층과 접촉하는 봉지 유기층을 포함하고, 상기 굴절 제어층은, 상기 봉지 무기층 및 상기 봉지 유기층 중 어느 하나에 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 굴절 제어층의 두께는 5um 이상, 100um 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고 상기 표시 패널과 마주하는 배면과 상기 배면과 대향된 전면을 포함하는 윈도우층, 상기 배면 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널, 상기 봉지층 상에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하고 소정의 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 제1 굴절 패턴들의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고, 상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 봉지층 상에 배치된 하부, 상기 하부와 대향하는 상부, 상기 상부 및 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고, 제1 방향에서 하부의 너비는, 발광 패턴들 중 상기 하부와 중첩하는 상기 발광 패턴들의 너비 보다 크다.
상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러 제어층은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고, 상기 제1 방향에서 상기 상부의 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 발광 영역들과 중첩하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 인접하는 비발광 영역으로 구분되고, 상기 커버 패널은, 상기 배면 상에 배치되고 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층, 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층, 및 상기 커버 무기층 상에 배치되어 상기 굴절 제어층과 접촉하는 커버 유기층을 포함하고, 상기 봉지층, 제1 굴절 패턴, 상기 커버 유기층, 및 상기 커버 무기층으로 갈수록 높은 굴절률을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절 패턴들 각각은 뿔대 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되는 윈도우층, 상기 윈도우층 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널, 상기 봉지층 상에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하고 제1 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고, 상기 발광 패턴들은, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 발광 패턴들 중 상기 제2 방향으로 배열된 발광 패턴들과 중첩한다.
상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최대 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 발광 패턴의 너비보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러 제어층은, 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고,
상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최소 너비는, 상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴절 패턴들 각각은, 상기 컬러 제어층과 인접한 상부, 상기 상부와 대향하고 상기 봉지층과 접촉하는 하부 및 상기 상부와 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고, 상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 패널과 커버 패널 사이에 배치된 굴절 제어층이 서로 다른 굴절률을 갖는 패턴들을 포함하고, 상대적으로 고굴절률을 갖는 패턴이 표시 패널의 발광 영역들과 중첩함에 따라, 표시 패널과 커버 패널 사이의 이격 공간으로 인해 발생하는 광의 혼색을 방지할 수 있다. 이에 따라, 신뢰성이 향상된 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분을 확대한 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 10a 내지 도 10g는 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절 제어층 제조 방법에 대한 도면들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전자 장치(EA)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에서 정의되는 평면상에서 제3 방향(D3)을 향해 영상(IM)을 표시한다. 전자 장치(EA)는 커버 패널(CU), 굴절 제어층(RCL), 표시 패널(DP), 및 커버 케이스(EDC)를 포함한다.
커버 패널(CU)은 윈도우층(WM) 및 광학층(CF)을 포함한다. 커버 패널(CU)은 굴절 제어층(RCL) 상에 배치되어 굴절 제어층(RCL)을 커버한다. 윈도우층(WM)은 외부에 노출되는 전면(FS)을 포함한다. 표시 패널(DP)에 표시되는 영상은 전면(FS)을 통해 외부에서 시인된다.
윈도우층(WM)은 단층 또는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우층(WM)은 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름의 적층 구조를 가지거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름의 적층 구조를 가질 수도 있다. 윈도우층(WM)은 광학적으로 투명할 수 있다. 예를 들어, 윈도우층(WM)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
윈도우층(WM)의 전면(FS)은 평면상에서 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로 구분될 수 있다. 투과 영역(TA)은 표시 패널(DP)로부터 제공된 광을 투과시키는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)은 표시 패널(DP)의 액티브 영역(AA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 전면 또는 적어도 일부와 중첩한다. 따라서, 액티브 영역(AA)에 표시되는 영상(IM)은 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 시인될 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의한다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워는 폐 라인 형상을 가질 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 표시 패널(DP)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)에서 생성된 광이 주변 영역(NAA)으로 누설되는 경우, 베젤 영역(BZA)에 의해 누설되는 광을 차단하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다.
표시 패널(DP)은 전면(IS)에 영상(IM)을 표시한다. 전면(IS)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 영상(IM)은 액티브 영역(AA)에 표시된다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다.
표시 패널(DP)은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 화소들은 전기적 신호에 응답하여 광을 표시한다. 화소들은 각각 광을 생성하고, 광 들이 모여 액티브 영역(AA)에 영상(IM)을 구현한다. 액티브 영역(AA)은 화소들로부터 광이 제공되는 영역인 발광 영역들(PXA) 및 발광 영역들(PXA)과 인접한 비발광 영역(NPXA)으로 구분될 수 있다.
커버 케이스(EDC)는 커버 패널(CU)과 결합될 수 있다. 커버 케이스(EDC)는 전자 장치(EA)의 배면을 제공한다. 커버 케이스(EDC)는 커버 패널(CU)과 결합되어 내부 공간을 제공한다. 표시 패널(DP)의 구성들은 내부 공간에 수용될 수 있다. 커버 케이스(EDC)는 소정의 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 커버 케이스(EDC)는 글라스, 플라스틱, 메탈로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 커버 케이스(EDC)는 내부 공간에 수용된 전자 장치(EA)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다. 도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분을 확대한 단면도이다.
도 3에는 도 2에 도시된 전자 장치(EA)의 구성들 중 표시 패널(DP)과 굴절 제어층(RCL)을 도시하였다. 본 발명에 따른 굴절 제어층(RCL)은 제1 굴절 패턴들(RL1) 및 제2 굴절 패턴(RL2)을 포함한다. 도 3에는 발명의 용이한 설명을 위해 도 2의 발광 영역들(PXA) 중 일부 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3, PXA4, PXA5)을 예시적으로 도시하였다.
굴절 제어층(RCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치된다. 굴절 제어층(RCL)은 표시 패널(DP)을 커버할 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1)은 스트라이프 패턴(stripe pattern)을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 굴절 패턴들(RL1)은 제2 굴절 패턴(RL2)과 교번하여 배치될 수 있다. 즉, 서로 인접한 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에는 제2 굴절 패턴(RL2)이 배치될 수 있다.
제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 뿔대 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 발광 영역들(PXA, 도 2 참조)과 인접한 하면, 및 하면과 대향하고 하면보다 작은 면적을 가진 상면, 및 하면과 상면을 연결하는 측면들을 포함하는 뿔대 형상을 가질 수 있다. 제2 굴절 패턴(RL2)은 제2 방향(D2)으로 연장된 뿔대 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 발광 영역들(PXA)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격되어 배치된다. 발광 영역들(PXA)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 정의되는 평면 상에서 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 발광 영역들 중 제2 방향(D2)으로 배열된 발광 영역들과 중첩할 수 있다. 제2 굴절 패턴(RL2)은 제1 방향(D1)을 따라 인접한 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에 배치됨에 따라 발광 영역들과 비 중첩 할 수 있다.
도 4a를 참조하면, 본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 절연층들(BL, 10, 20, 30, 40), 봉지층(ECL), 및 화소(PX)를 포함한다. 도 4a에는 도 3에 도시된 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3, PXA4, PXA5) 중 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3)에 중첩하는 화소들(PX) 및 화소들(PX) 상에 배치된 구성들을 도시하였다.
베이스층(BS)은 표시 패널(DP)의 구성들이 배치되는 기저층으로 제공될 수 있다. 베이스층(BS)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BS)은 유리, 수지 필름, 또는 유기층 및 무기층이 교번하여 적층된 필름을 포함할 수 있다.
화소들(PX) 각각은 광을 생성하고, 광들이 모여 액티브 영역(AA)에 영상(IM)을 구현한다. 화소들(PX) 각각은 미도시된 복수의 신호 라인들과 연결될 수 있다. 예를 들어, 각각의 화소들(PX)에 연결된 신호 라인들은 게이트 라인 또는 데이터 라인일 수 있다.
보조층(BL)은 무기물을 포함한다. 보조층(BL)은 배리어층(barrier layer) 및/또는 버퍼층(buffer layer)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 보조층(BL)은 베이스층(BS)을 통해 유입되는 산소나 수분이 화소들(PX)에 침투되는 것을 방지할 수 있으며, 화소들(PX)이 안정적으로 형성되도록 베이스층(BS)의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 제공할 수 있다.
한편, 베이스층(BS) 및 보조층(BL) 중 적어도 어느 하나는 복수로 제공되어 서로 교번하여 적층될 수도 있다. 또는, 보조층(BL)을 구성하는 배리어층 및 버퍼층의 적어도 어느 하나는 복수로 제공될 수도 있고 생략될 수도 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 다양한 구조로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
화소들(PX) 각각은 트랜지스터(TR) 및 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SP), 제어 전극(GE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다.
반도체 패턴(SP)은 보조층(BL) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SP)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴(SP)은 결정질 반도체 물질, 산화물 반도체 물질, 다결정 실리콘, 및 비정질 실리콘 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제어 전극(GE)은 제1 절연층(10)을 사이에 두고 반도체 패턴(SP)으로부터 이격된다. 제어 전극(GE)은 도전 물질을 포함한다. 예를 들어, 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 및 텅스텐(W)과 같은 금속, 또는 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제2 절연층(20)을 사이에 두고 제어 전극(GE)으로부터 이격 된다. 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 관통하여 반도체 패턴(SP)의 일 측 및 타 측에 각각 접속된다.
입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 각각 도전성 물질을 포함한다. 예를 들어, 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE) 각각은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 텅스텐(W), 및 이들 각각의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE) 각각은 단일막 또는 다중막일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치되어 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)을 커버한다. 한편, 본 발명에 있어서, 반도체 패턴(SP)은 제어 전극(GE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 반도체 패턴(SP)은 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 반도체 패턴(SP)과 동일 층 상에 배치되어 반도체 패턴(SP)에 직접 접속될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터(TR)는 다양한 구조들로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
유기발광소자(OLED)는 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 유기발광소자(OLED)는 광을 표시할 수 있는 다양한 소자들 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 제1 전극(E1), 발광 패턴(EP), 제어층(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다.
제1 전극(E1)은 제3 절연층(30)을 관통하여 트랜지스터(TR)에 접속될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 표시 패널(DP)은 제1 전극(E1)과 트랜지스터(TR) 사이에 배치되는 별도의 연결 전극을 더 포함할 수도 있고, 이때, 제1 전극(E1)은 연결 전극을 통해 트랜지스터(TR)에 전기적으로 접속될 수 있다
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 제4 절연층(40)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 제4 절연층(40)에는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 개구부(OP)는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킨다. 제4 절연층(40)은 화소 정의막일 수 있다.
발광 패턴(EP)은 제4 절연층(40)에 정의된 개구부(OP)에 배치된다. 발광 패턴(EP)은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 발광 패턴(EP)은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EP)은 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 패턴(EP)은 양자점(Quantum Dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3)은 화소들(PX) 각각에 포함된 발광 패턴(EP)과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 발광 영역들은 제4 절연층(40)의 개구부(OP)에 배치된 발광 패턴(EP)의 형상과 대응될 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따른 발광 패턴들은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 발광 패턴(EP)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)은 면적이 넓을수록 발광 패턴(EP)의 발광 효율 및 수명이 증대될 수 있다.
제어층(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된다. 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)에 인접하여 배치된다. 제어층(EL)은 전하의 이동을 제어하여 유기발광소자(OLED)의 발광 효율 및 수명을 향상시킨다. 제어층(EL)은 정공 수송 물질, 정공 주입 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)과 제1 전극(E1) 사이에 배치될 수도 있고, 발광 패턴(EP)을 사이에 두고 제3 방향(D3)을 따라 적층되는 복수의 층들로 제공될 수도 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자(OLED)에 있어서, 제어층(EL)은 생략될 수도 있다.
제어층(EL)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제어층(EL)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.
제2 전극(E2)은 제어층(EL) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 제1 전극(E1)과 대향될 수 있다. 제2 전극(E2)은 액티브 영역(AA, 도 2 참조)으로부터 주변 영역(NAA, 도 2 참조)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 전극(E2)은 복수의 화소들(PX)에 공통적으로 제공될 수 있다. 화소들(PX) 각각에 배치된 유기발광소자(OLED)는 제2 전극(E2)을 통해 공통의 전원 전압(이하, 제2 전원 전압)을 수신한다.
제2 전극(E2)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(EP)에서 생성된 광은 제2 전극(E2)을 통해 제3 방향(D3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자(OLED)는 설계에 따라, 제1 전극(E1)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
봉지층(ECL)은 유기발광소자(OLED) 상에 배치되어 유기발광소자(OLED)를 밀봉한다. 봉지층(ECL)은 복수의 화소들(PX)에 공통적으로 제공될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)과 봉지층(ECL) 사이에는 제2 전극(E2)을 커버하는 캡핑층(capping layer)이 더 배치될 수도 있다.
봉지층(ECL)은 적어도 하나의 봉지 무기층 및 봉지 무기층과 접촉하는 봉지 유기층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 굴절 제어층(RCL)은 봉지 무기층 및 봉지 유기층 중 어느 하나에 접촉될 수 있다.
일 실시예에 따른 굴절 제어층(RCL)은 봉지층(ECL) 상에 배치된다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격되어 배치된다. 이격되어 배치된 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에는 제2 굴절 패턴(RL2)이 배치될 수 있다.
제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 대응되는 발광 영역들과 중첩하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격되어 배치된 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제1 방향(D1) 및 제3 방향(D3)에 의해 정의된 단면상에서 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
제2 굴절 패턴(RL2)은 인접한 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에 배치될 수 있다. 제2 굴절 패턴(RL2)은 단면상에서 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3) 사이에 형성된 비발광 영역(NPXA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 굴절 패턴(RL2)은 인접한 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에서 역 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
커버 패널(CU)은 윈도우층(WM) 및 광학층(CF)을 포함한다. 광학층(CF)은 차광층(ABM), 컬러 필터층(CC), 컬러 제어층(CP), 커버 무기층(CIOL), 및 커버 유기층(COL)을 포함한다.
차광층(ABM)은 윈도우층(WM)의 배면 상에 배치된다. 차광층(ABM)은 비발광 영역(NPXA)에 중첩하여 배치될 수 있다. 차광층(ABM)은 도 3에 도시된 비발광 영역(NPXA)의 형상과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 차광층(ABM)은 누설된 광을 흡수하기 위한 소정의 컬러를 가질 수 있다. 예를 들어, 차광층(ABM)은 블랙 컬러를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 차광층(ABM)은 광을 투과 시키지 않는 물질을 포함한다. 예를 들어, 차광층(ABM)은 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 입자, 상기 금속 입자의 산화물, 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
컬러 필터층(CC)은 제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3)을 포함한다. 컬러 필터층(CC) 윈도우층(WM)의 배면 상에 배치된다. 제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3) 각각의 일부는 차광층(ABM)을 커버할 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3) 각각의 적어도 일부는 대응하는 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3)과 중첩할 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3)은 서로 다른 컬러의 광을 차단 및 투과 시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 패턴(CC1)은 청색광 만을 투과시킬 수 있으며, 제2 컬러 패턴(CC2)은 청색광을 차단하고 적색광 만을 투과 시킬 수 있다. 제3 컬러 패턴(CC3)은 청색광을 차단하고 녹색광 만을 투과시킬 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3) 각각은 서로 다른 컬러의 광을 차단하는 유기 물질을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3) 각각은 서로 다른 컬러를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 패턴(CC1)은 청색 컬러, 제2 컬러 패턴(CC2)은 적색 컬러, 제3 컬러 패턴(CC3)은 녹색 컬러를 가질 수 있다.
컬러 제어층(CP)은 표시 패널(DP)에서 제공된 광의 색 재현성을 개선시킬 수 있다. 컬러 제어층(CP)은 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3)을 포함한다. 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3) 각각은 대응되는 제1 내지 제3 컬러 패턴들(CC1, CC2, CC3)과 중첩하여 배치된다. 예를 들어, 제1 제어 패턴(CP1)은 제1 컬러 패턴(CC1) 상에 배치된다. 제2 제어 패턴(CP2)은 제2 컬러 패턴(CC2) 상에 배치되며, 제3 제어 패턴(CP3)은 제3 컬러 패턴(CC3) 상에 배치된다.
본 발명에 따른 제1 제어 패턴(CP1)은 표시 패널(DP)에서 공급되는 광과 동일한 컬러를 표시한다. 예를 들어, 표시 패널(DP)에서 발생된 청색광은 제1 제어 패턴(CP1)을 그대로 투과할 수 있다.
청색광을 방출하는 영역에 해당하는 제1 제어 패턴(CP1)은 별도의 형광체들 또는 양자점들 없이 입사된 청색광을 출광하는 물질을 포함할 수 있다. 제1 제어 패턴(CP1)은 산란체를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 제어 패턴(CP1)은 산화 티타늄(TiO2) 및 감광성 수지 등의 폴리머 또는 청색 염료, 청색 안료 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 이에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
제2 제어 패턴(CP2) 및 제3 제어 패턴(CP3)은 각각은 광을 변환시키는 양자점(Quantum Dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 양자점은, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
또한, 제2 제어 패턴(CP2) 및 제3 제어 패턴(CP3) 각각은 서로 다른 광으로 변환하는 복수 개의 형광체(phosphor)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 제어 패턴(CP2)은 표시 패널(DP, DP-1)에서 출사되는 청색광을 흡수하고 적색광을 방출하는 복수 개의 형광체들을 포함할 수 있다. 적색광 형광체들은 예를 들어, (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
제3 제어 패턴(CP3)은 유기발광소자(OLED)에서 출사되는 청색광을 흡수하고 녹색광을 방출하는 형광체들을 포함할 수 있다. 녹색광 형광체들은 예를 들어, 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(
Figure pat00001
-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
커버 무기층(CIOL)은 컬러 제어층(CP) 상에 배치된다. 커버 무기층(CIOL)은 컬러 제어층(CP) 및 컬러 제어층(CP)으로부터 노출된 컬러 필터층(CC)을 커버한다. 커버 무기층(CIOL)은 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3)을 구획할 수 있다. 커버 무기층(CIOL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다.
커버 무기층(CIOL)은 컬러 제어층(CP)을 커버함으로써 외부로부터 컬러 제어층(CP)으로 유입되는 수분 및 산소를 차단할 수 있다.
커버 유기층(COL)은 커버 무기층(CIOL) 상에 배치된다. 커버 유기층(COL)은 평탄면을 제공 할 수 있다. 커버 무기층(CIOL) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 커버 유기층(COL)에 의해 커버되어, 커버 무기층(CIOL)의 표면 상태가 커버 유기층(COL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 이에 따라, 커버 패널(CU)과 굴절 제어층(RCL)을 합착 시 균일하게 접합될 수 있다. 또한, 커버 유기층(COL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 커버 유기층(COL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 4b에는 도 3에 도시된 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3, PXA4, PXA5) 중 제3 내지 제5 발광 영역들(PXA3, PXA4, PXA5)에 중첩하는 화소들(PX) 및 화소들(PX) 상에 배치된 구성들을 도시하였다.
일 실시예에 따른 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제2 방향(D2)을 따라 연장된다. 따라서, 제2 방향(D2)으로 배열된 발광 영역들(PXA3, PXA4, PXA5)에 전면 중첩할 수 있다.
제2 방향(D2)으로 연장된 발광 영역들(PXA3, PXA4, PXA5)은 하나의 제1 굴절 패턴(RL1)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 같은 행(row) 상에 배치된 발광 영역들(PXA3, PXA4, PXA5)에서 제공된 광은 동일한 제1 굴절 패턴(RL1), 제3 제어 패턴(CP3), 및 제3 컬러 패턴(CC3)을 경유하여 동일한 컬러의 광으로 제공될 수 있다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 봉지층(ECL) 상에 배치된 하부(RB), 하부(RB)와 대향되고, 커버 유기층(COL)과 인접한 상부(RU), 상부(RU) 및 하부(RB)를 연결하고 제2 굴절 패턴(RL2)과 경계를 형성하는 측부(RS)를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 하부(RB)와 측부(RS)가 이루는 각도(θ)는 예각일 수 있다. 이에 따라 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제1 방향(D1)과 제3 방향(DR3)에 의해 정의된 단면상에서 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 또한, 인접한 제1 굴절 패턴들(RL1) 사이에 배치된 제2 굴절 패턴(RL2)은 역 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
제1 방향(D1)에 따른 단면상에서 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 최대 너비는 하부 너비(R1)와 대응될 수 있다. 제1 방향(D1)에 따른 단면상에서 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 최소 너비는 상부 너비(R2)와 대응될 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 하부(RB)의 면적은 상부(RU)의 면적보다 클 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 패턴(EP)은 제1 방향(D1)에서 제1 너비(L1)를 가질 수 있다. 본 발명에 따르면, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 최대 너비 즉, 하부 너비(R1)는 발광 패턴(EP)의 제1 너비(L1) 보다 크다.
일 실시예에 따른 제어 패턴들(CP1(생략), CP2, CP3) 각각은 제1 방향(D1)에서 제2 너비(L2)를 가질 수 있다. 본 발명에 따르면, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 최소 너비 즉, 상부 너비(R2)는 제2 너비(L2) 보다 크다.
제1 굴절 패턴들(RL1) 및 제2 굴절 패턴(RL2)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제2 굴절 패턴(RL2) 보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 또한, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 굴절률과 제2 굴절 패턴(RL2)의 굴절률 차이는 0.05 이상일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 패턴(EP)에서 제공된 광이 컬러 필터층(CC)까지 도달하는 경로에 배치된 구성들 굴절률들은 증가할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EP)에서 제공된 광은 봉지층(ECL), 제1 굴절 패턴들(RL1), 커버 유기층(COL), 커버 무기층(CIOL)을 통해 컬러 필터층(CC, 도 4a 참조)까지 도달하게 되므로, 봉지층(ECL), 제1 굴절 패턴들(RL1), 커버 유기층(COL), 및 커버 무기층(CIOL)으로 갈수록 높은 굴절률을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 굴절 제어층(RCL)의 두께(TH)는 5um 이상, 100um 이하일 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 두께가 5um 미만인 경우, 제1 굴절 패턴들(RL1)로 입사된 광이 전반사 될 수 있는 측부(RS)의 면적이 감소한다. 이에 따라, 제1 굴절 패턴들(RL1)로 입사된 광이 인접한 제어 패턴들(CP1(생략), CP2, CP3)로 입사되어 혼색이 발생할 수 있다.
굴절 제어층(RCL)의 두께(TH)의 두께가 100um 초과인 경우, 굴절 제어층(RCL)의 두께(TH)을 통과하는 광 경로가 길어지게 됨에 따라, 광 손실이 발생할 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광 패턴(EP)의 제1 너비(L1)를 증가시키더라도, 이보다 큰 하부(RB) 너비를 가진 제1 굴절 패턴들(RL1)을 포함함으로써, 발광 패턴(EP)의 발광 효율 및 수명을 향상 시킬 수 있다. 또한, 발광 패턴(EP)의 제1 너비(L1)을 증가시키더라도, 발광 패턴(EP)으로부터 제공된 광이 제1 굴절 패턴들(RL1)과 제2 굴절 패턴(RL2) 사이에서 굴절 또는 전반사 인접한 발광 영역들(PXA)로 입사되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 제2 굴절 패턴(RL2) 보다 높은 굴절률을 가짐으로써, 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각에 제공된 광은 제1 굴절 패턴들(RL1) 및 제2 굴절 패턴(RL2) 경계에서 전반사가 이루어 짐으로써, 굴절 제어층(RLC)으로 유입된 광의 손실을 방지할 수 있다.
또한, 제1 방향(D1)에서, 차광층(ABM)의 너비(M2)는 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 상부(RU) 사이에 배치된 제2 굴절 패턴(RL2)의 상부 너비(M1)보다 클 수 있다. 이에 따라, 서로 다른 컬러를 가진 광들의 혼색을 방지할 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 분해 사시도이다. 도 1 내지 도 5와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
도 6a를 참조하면, 일 실시예에 따른 굴절 제어층(RCL-S) 중 제1 굴절 패턴들(RL1-A) 각각은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 제2 굴절 패턴(RL2-A)을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 굴절 패턴들(RL1-A) 각각은 발광 영역들(PXA) 각각에 일대일 대응하여 중첩할 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각은 뿔대 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA)과 인접한 하면, 하면과 대향하고 하면보다 작은 면적을 가진 상면, 및 상면과 하면을 연결하는 측면들을 포함하는 뿔대 형상을 가질 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL1-A) 각각은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에서 서로 이격된 아일랜드 패턴(island pattern)을 가질 수 있다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 이격된 제1 굴절 패턴들(RL1-A) 사이에는 제2 굴절 패턴(RL2-A)이 배치될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-B)은 서로 다른 형상의 발광 영역들(PXA-1, PXA-2, PXA-3, PXA-4, PXA-5)을 포함할 수 있다.
굴절 제어층(RCL-B) 중 제1 굴절 패턴들(RL-1, RL-2, RL-3, RL-4, RL-5) 각각은 제2 굴절 패턴(RL-2)을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 굴절 제어층(RCL-B) 중 제1 굴절 패턴들(RL-1, RL-2, RL-3, RL-4, RL-5) 각각은 뿔대 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-1, PXA-2, PXA-3, PXA-4, PXA-5)과 인접한 하면, 하면과 대향하고 하면보다 작은 면적을 가진 상면, 및 상면과 하면을 연결하는 측면들을 포함하는 뿔대 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 굴절 패턴들(RL-1, RL-2, RL-3, RL-4, RL-5) 각각의 하면의 형상은 서로 상이할 수 있다. 제1 굴절 패턴들(RL-1, RL-2, RL-3, RL-4, RL-5) 각각의 하면의 형상은 중첩하는 발광 영역들(PXA-1, PXA-2, PXA-3, PXA-4, PXA-5)의 형상과 대응될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 굴절 패턴들 각각이 서로 이격되고, 중첩하는 발광 영역의 형상과 대응되는 하면 및 상면을 가진 뿔대 형상을 갖는 것이면 제1 굴절 패턴들의 형상은 어느 하나에 한정되지 않는다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 단면도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 구성들의 단면도이다. 도 1 내지 도 5와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP-1)은 화소들(PX)을 커버하는 봉지층(ECL-1)을 포함한다. 봉지층(ECL-1) 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 봉지 무기층(IOL1), 봉지 유기층(OL), 및 제2 봉지 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 봉지층(ECL-1)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 더 포함할 수 있다.
제1 봉지 무기층(IOL1)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 봉지 무기층(IOL1)은 외부 수분이나 산소가 유기발광소자(OLED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지 무기층(IOL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 봉지 무기층(IOL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
봉지 유기층(OL)은 제1 봉지 무기층(IOL1) 상에 배치되어 제1 봉지 무기층(IOL1)에 접촉할 수 있다. 봉지 유기층(OL)은 제1 봉지 무기층(IOL1) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 봉지 무기층(IOL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 봉지 무기층(IOL1) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 봉지 유기층(OL)에 의해 커버되어, 제1 봉지 무기층(IOL1)의 표면의 상태가 봉지 유기층(OL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다.
또한, 봉지 유기층(OL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 봉지 유기층(OL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 봉지 무기층(IOL2)은 봉지 유기층(OL) 상에 배치되어 봉지 유기층(OL)을 커버한다. 제2 봉지 무기층(IOL2)은 제1 봉지 무기층(IOL1) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 봉지 무기층(IOL2)은 봉지 유기층(OL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 봉지 무기층(IOL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 봉지 무기층(IOL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
굴절 제어층(RCL)은 봉지층(ECL-1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 굴절 제어층(RCL)은 제2 봉지 무기층(IOL2) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 봉지 유기층(OL)을 포함한 봉지층(ECL-1) 상에 굴절 제어층(RCL)을 배치시킴으로써, 표시 패널(DP-1)로부터 제공된 광이 제1 봉지 무기층(IOL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 봉지 무기층(IOL1) 상에 존재하는 파티클(particle)의 영향을 받지 않고 균일하게 굴절 제어층(RCL)에 입사될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상된 전자 장치(EA, 도 4a 참조)를 제공할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 일 실시예에 따른 봉지층(ECL-2)은, 도 7a의 봉지층(ECL-1)과 달리 봉지 유기층(OL)을 커버하는 제2 봉지 무기층(IOL2)이 생략될 수 있다. 이에 따라, 굴절 제어층(RCL)은 봉지 유기층(OL) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 무기 물질을 포함한 제2 봉지 무기층(IOL2)을 생략함으로써, 표시 패널(DP-2)과 굴절 제어층(RCL)이 접촉하는 계면 사이의 굴절률 차이를 용이하게 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 1 내지 도 5와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
일 실시예에 따른 커버 패널(CU-1)은 윈도우층(WM) 및 광학층(CF-1)을 포함한다. 광학층(CF-1)은 투과 영역(TA, 도 2 참조)에 중첩하여 배치된 격벽층(WA), 컬러 필터층(CC), 차광층(ABM), 및 컬러 제어층(CP)을 포함한다.
격벽층(WA)은 윈도우층(WM)의 배면 상에 배치된다. 격벽층(WA)은 윈도우층(WM)의 배면 상에 배치되어 외부로부터 윈도우층(WM)의 전면으로 유입되는 광에 의해 표시 패널(DP)의 구성들이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 격벽층(WA)은 광을 차단하는 유기 물질을 포함할 수 있다. 격벽층(WA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 예를 들어, 격벽층(WA)은 청색 컬러를 가질 수 있다.
격벽층(WA)에는 개구부들이 정의된다. 윈도우층(WM)의 배면의 적어도 일부는 격벽층(WA)으로부터 개구부들을 통해 노출될 수 있다. 개구부들 각각은 표시 패널(DP)의 대응되는 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3)과 중첩 할 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 컬러 패턴(CC1)은 격벽층(WA)과 동일 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 컬러를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 격벽층(WA)은 제1 발광 영역(PXA1)과 중첩할 수 있고, 이 경우, 제1 컬러 패턴(CC1)은 생략될 수도 있다.
차광층(ABM)은 격벽층(WA) 상에 배치될 수 있다. 차광층(ABM)은 발광 영역들(PXA1, PXA2, PXA3) 사이에 배치되어 서로 다른 발광 영역으로 향하는 광을 흡수한다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 커버 패널(CU-2)은 윈도우층(WM) 및 광학층(CF-2)을 포함한다. 광학층(CF-2)은 컬러 필터층(CC), 차광층(ABM), 컬러 제어층(CP), 및 추가 차광층(ABM-S)을 포함한다.
추가 차광층(ABM-S)은 커버 무기층(CIOL) 상에 배치된다. 예를 들어, 추가 차광층(ABM-S)은 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3)을 구획하는 커버 무기층(CIOL) 사이에 배치되고, 비발광 영역(NPXA)과 중첩할 수 있다. 추가 차광층(ABM-S)은 커버 유기층(COL)에 의해 커버될 수 있다.
추가 차광층(ABM-S)은 차광층(ABM)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 차광층(ABM-S)은 광을 투과 시키지 않는 물질을 포함한다. 예를 들어, 추가 차광층(ABM-S)은 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 입자, 상기 금속 입자의 산화물, 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
추가 차광층(ABM-S)은 굴절 제어층(RCL)으로부터 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3)으로 제공된 광들 간의 혼색을 방지할 수 있다. 또한, 인접한 제1 내지 제3 제어 패턴들(CP1, CP2, CP3)로 누설된 광을 흡수하여 신뢰성이 향상된 전자 장치(EA)를 제공할 수 있다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절 제어층 제조 방법에 대한 도면들이다. 도 1 내지 도 5와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다. 이하 도 10a 내지 10b를 참조하여 일 실시예에 따른 굴절 제어층 제조방법을 설명한다.
도 10a를 참조하면, 굴절 제어층 제조방법은 예비 굴절 제어층(RCL-A)을 제공하는 단계를 포함한다. 예비 굴절 제어층(RCL-A)은 서로 다른 굴절률을 갖는 물질이 포함되어 있는 감광성 수지를 포함한다. 예를 들어, 예비 굴절 제어층(RCL-A)은 고굴절 성분의 물질, 저굴절 성분의 물질, 광 개시제(Photo-initiator), 및 UV 흡수제(UV absorber)가 혼합된 감광성 수지일 수 있다. 고굴절 성분의 물질은 Ethoxylated o-phenylphenol acrylate을 포함할 수 있다. 저굴절 성분의 물질은 Urethane methacrylate oligomer를 포함할 수 있다.
이후, 도 10b 내지 10e를 참조하면, 예비 굴절 제어층에 광을 조사하는 단계를 포함한다. 광을 조사하는 단계는 판형 광원(LS)를 이용해 UV(ultra-violet)광을 제1 각도(θ1) 내지 제3 각도(θ3)로 예비 굴절 제어층(RCL-A)에 순차적으로 조사한다.
제1 각도(θ1) 내지 제3 각도(θ3) 각각은 예비 굴절 제어층(RCL-A)과 판형 광원(LS)으로부터 조사되는 UV광 사이의 각도일 수 있다.
예비 굴절 제어층(RCL-A)에 제1 각도(θ1) 내지 제3 각도(θ3)를 따라 광이 조사되는 경우, 예비 굴절 제어층(RCL-A)포함된 광 개시제(Photo-initiator)에 의해 노광된 영역에는 고굴절 성분의 물질이 응집되게 되며, 노광되지 않은 영역에는 저굴절 성분의 물질이 응집되게 된다.
도 10e를 참조하면, 제1 각도(θ1) 내지 제3 각도(θ3)를 따라 광이 조사된 예비 굴절 제어층(RCL-A)의 일 영역에는 고굴절 성분의 물질로 이루어진 제1 굴절 패턴(RL1-1)이 형성된다.
이후, 도 10f를 참조하면, 제1 굴절 패턴(RL1-1)과 이격된 영역에 판형 광원(LS, 도 10b 참조)을 이용하여 제1 각도(θ1) 내지 제3 각도(θ3)를 따라 노광시켜 고굴절 성분의 물질로 이루어진 제1 굴절 패턴(RL1-2)을 형성할 수 있다.
이후, 도 10g를 참조하면, 상기 광을 조사하는 과정을 반복하여 서로 제1 방향(D1)으로 이격되고, 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 굴절 패턴들(RL1)을 형성할 수 있다. 제2 굴절 패턴(RL2)은 서로 이격된 제1 굴절 패턴들(RL1) 각각의 사이에 형성될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
EA: 전자 장치 DP: 표시 패널
CU: 커버 패널 CF: 광학층
RCL: 굴절 제어층 RL1: 제1 굴절 패턴
RL2: 제2 굴절 패턴

Claims (25)

  1. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 개구부들이 정의된 화소 정의막, 상기 개구부들에 배치된 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고 상기 표시 패널과 마주하는 배면과 상기 배면과 대향된 전면을 포함하는 윈도우층, 상기 배면 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널; 및
    상기 표시 패널 및 상기 커버 패널 사이에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하며 제1 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고,
    제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최대 너비는,
    상기 제1 방향에서 상기 발광 패턴들 각각의 너비보다 큰 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 패턴들은,
    상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격되어 배치되고,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 발광 패턴들 중 상기 제2 방향으로 배열된 발광 패턴들과 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 상기 제2 굴절 패턴과 교번하여 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 굴절 패턴을 사이에 두고 서로 이격되어 배치 되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 컬러 제어층은,
    상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최소 너비는,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광 패턴들과 중첩하는 발광 영역들 및 상기 발광 영역들과 인접하는 비발광 영역으로 구분되고,
    상기 커버 패널은,
    상기 배면 상에 배치되고 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층, 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층, 및 상기 커버 무기층 상에 배치되어 상기 굴절 제어층과 접촉하는 커버 유기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 커버 무기층은 제3 굴절률을 갖고, 상기 커버 유기층은 상기 제3 굴절률보다 낮은 제4 굴절률을 갖고,
    상기 제1 굴절률은 상기 제4 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 커버 패널은,
    상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층 사이에 배치되고, 상기 비발광 영역과 중첩하고, 상기 커버 유기층에 의해 커버되는 추가 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 컬러 제어층과 인접한 상부, 상기 상부와 대향하고 상기 봉지층과 접촉하는 하부 및 상기 상부와 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고,
    상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 방향에 따른 단면상에서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각의 형상은 사다리꼴 형상을 갖고,
    상기 제1 굴절 패턴들과 인접하게 배치된 제2 굴절 패턴의 형상은 역 사다리꼴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차이는 0.05 이하인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지층은,
    적어도 하나의 봉지 무기층 및 상기 봉지 무기층과 접촉하는 봉지 유기층을 포함하고,
    상기 굴절 제어층은,
    상기 봉지 무기층 및 상기 봉지 유기층 중 어느 하나에 접촉하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 굴절 제어층의 두께는 5um 이상, 100um 이하인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고 상기 표시 패널과 마주하는 배면과 상기 배면과 대향된 전면을 포함하는 윈도우층, 상기 배면 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하고 소정의 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 제1 굴절 패턴들의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 봉지층 상에 배치된 하부, 상기 하부와 대향하는 상부, 상기 상부 및 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고,
    제1 방향에서 하부의 너비는,
    발광 패턴들 중 상기 하부와 중첩하는 상기 발광 패턴들의 너비 보다 큰 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 컬러 제어층은,
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 방향에서 상기 상부의 너비는,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광 영역들과 중첩하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 인접하는 비발광 영역으로 구분되고,
    상기 커버 패널은,
    상기 배면 상에 배치되고 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층, 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들을 구획하는 커버 무기층, 및 상기 커버 무기층 상에 배치되어 상기 굴절 제어층과 접촉하는 커버 유기층을 포함하고,
    상기 봉지층, 제1 굴절 패턴, 상기 커버 유기층, 및 상기 커버 무기층으로 갈수록 높은 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은 뿔대 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  21. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 발광 패턴들을 포함하는 발광 소자들, 및 상기 발광 소자들을 커버하는 봉지층을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되는 윈도우층, 상기 윈도우층 상에 배치되는 컬러 필터층, 및 상기 컬러 필터층 상에 배치되고 양자점을 포함하는 컬러 제어층을 포함하는 커버 패널;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 상기 발광 패턴들 각각에 중첩하고 제1 굴절률을 갖는 제1 굴절 패턴들 및 상기 제1 굴절 패턴들과 인접하고 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절 패턴을 포함하는 굴절 제어층을 포함하고,
    상기 발광 패턴들은,
    제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 서로 이격되어 배치되고,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 발광 패턴들 중 상기 제2 방향으로 배열된 발광 패턴들과 중첩하는 전자 장치.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최대 너비는,
    상기 제1 방향에서 상기 발광 패턴의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 컬러 제어층은,
    상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 굴절 패턴들과 중첩하는 제1 내지 제3 제어 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 굴절 패턴의 최소 너비는,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 내지 제3 제어 패턴들 각각의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  24. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 굴절 패턴들 각각은,
    상기 컬러 제어층과 인접한 상부, 상기 상부와 대향하고 상기 봉지층과 접촉하는 하부 및 상기 상부와 상기 하부를 연결하고 상기 제2 굴절 패턴과 경계를 형성하는 측부를 포함하고,
    상기 하부와 상기 측부가 이루는 각도는 예각인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  25. 제24 항에 있어서,
    상기 하부의 면적은 상기 상부의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.

KR1020190031275A 2019-03-19 2019-03-19 전자 장치 KR20200111859A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190031275A KR20200111859A (ko) 2019-03-19 2019-03-19 전자 장치
US16/810,696 US11417711B2 (en) 2019-03-19 2020-03-05 Electronic apparatus with improved reliability
CN202010180484.8A CN111725415A (zh) 2019-03-19 2020-03-16 电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190031275A KR20200111859A (ko) 2019-03-19 2019-03-19 전자 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200111859A true KR20200111859A (ko) 2020-10-05

Family

ID=72514677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190031275A KR20200111859A (ko) 2019-03-19 2019-03-19 전자 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11417711B2 (ko)
KR (1) KR20200111859A (ko)
CN (1) CN111725415A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113328047A (zh) * 2021-06-02 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109524568B (zh) 2018-12-10 2021-09-24 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
CN114792713A (zh) * 2021-06-30 2022-07-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR20230017968A (ko) * 2021-07-28 2023-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113690390A (zh) * 2021-08-23 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN114361362B (zh) * 2021-12-30 2023-12-15 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2023205918A1 (zh) * 2022-04-24 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477128B1 (ko) 1997-08-25 2005-07-18 삼성전자주식회사 광차단막을갖는액정표시장치용박막트랜지스터기판
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
KR102051103B1 (ko) 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102111974B1 (ko) * 2013-07-03 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6330563B2 (ja) 2014-08-08 2018-05-30 日産自動車株式会社 走行支援装置及び走行支援方法
KR20160034457A (ko) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102298757B1 (ko) * 2014-10-24 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20160067303A (ko) 2014-12-03 2016-06-14 울산과학기술원 실러 도포 품질 검사 장치 및 이를 이용한 실러 도포 품질 검사 방법
US20160178812A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Industrial Technology Research Institute Optical film and display assembly applying the same
JP2017156412A (ja) 2016-02-29 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102512274B1 (ko) * 2016-08-12 2023-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10367171B2 (en) * 2016-12-29 2019-07-30 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Low reflective display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113328047A (zh) * 2021-06-02 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111725415A (zh) 2020-09-29
US20200303466A1 (en) 2020-09-24
US11417711B2 (en) 2022-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11608944B2 (en) Color conversion panel and display device including color conversion panel
CN106526947B (zh) 颜色转换面板以及包括颜色转换面板的显示装置
KR102627322B1 (ko) 표시 장치
KR102655757B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10330974B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11839128B2 (en) Display device
KR20200111859A (ko) 전자 장치
KR20200050517A (ko) 표시 장치
KR102584304B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US11073718B2 (en) Color conversion panel having blue light cutting filter and display device including the same
US11469403B2 (en) Display panel with reduced external reflection and improved light efficiency
US11469287B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same
JP7492835B2 (ja) ディスプレイパネル
KR20220008995A (ko) 표시 패널
KR20200099630A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP3893284A1 (en) Display panel
KR20200113077A (ko) 표시 패널
US20210376000A1 (en) Display panel and method for manufacturing the same
US11665949B2 (en) Display panel
CN111192894A (zh) 显示装置
US20220293685A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal