CN111048552A - 显示装置 - Google Patents

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CN111048552A CN201910851121.XA CN201910851121A CN111048552A CN 111048552 A CN111048552 A CN 111048552A CN 201910851121 A CN201910851121 A CN 201910851121A CN 111048552 A CN111048552 A CN 111048552A
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金头焕
金载明
李在爀
李周远
赵尹衡
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括基体层、设置在基体层的一个表面上的多个波长转换部、设置在多个波长转换部中的相邻的波长转换部之间并具有第一折射率的分隔壁、被构造为覆盖多个波长转换部并具有大于第一折射率的第二折射率的覆盖部以及设置在由分隔壁和覆盖部提供的表面上的图像显示部。

Description

显示装置
本专利申请要求于2018年10月12日提交的第10-2018-0121956号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在此涉及一种具有改善的显示质量和光效率的显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置可以包括波长转换构件以表示颜色。波长转换构件可以包括包含预定颜色的颜料颗粒或发射具有预定颜色的光的发光体。当从一个像素区域提供的光被提供给相邻像素区域时，发生色混问题。
发明内容
实施例提供了一种具有改善的显示质量和光效率的显示装置及其制造方法。
发明构思的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基体层；多个波长转换部，设置在基体层的一个表面上；分隔壁，设置在多个波长转换部中的相邻的波长转换部之间并且具有第一折射率；覆盖部，被配置为覆盖多个波长转换部，并且具有大于第一折射率的第二折射率；以及图像显示部，设置在由分隔壁和覆盖部提供的表面上。
在实施例中，所述表面是平坦表面，并且图像显示部可以接触由分隔壁和覆盖部提供的平坦表面。
在实施例中，图像显示部可以包括：基体基底；电路层，设置在基体基底上；发光元件层，设置在电路层上；以及封装层，覆盖发光元件层和电路层，其中，封装层可以直接接触分隔壁和覆盖部。
在实施例中，分隔壁在剖面上可以具有矩形形状。
在实施例中，分隔壁在剖面上可以具有梯形形状。
在实施例中，分隔壁在剖面上可以具有曲率。
在实施例中，分隔壁可以具有从基体层侧朝向图像显示部侧逐渐增加的宽度。
在实施例中，分隔壁可以具有从基体层侧朝向图像显示部侧逐渐减小的宽度。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在基体层和分隔壁之间的光阻挡层。
在实施例中，光阻挡层的厚度和分隔壁的厚度的第一总和可以与基体层和图像显示部之间的距离基本相同，并且第一总和可以与多个波长转换部中的一个波长转换部的厚度和设置在所述一个波长转换部上的覆盖部的厚度的第二总和基本相同。
在实施例中，多个波长转换部可以包括多个第一波长转换部和多个第二波长转换部，并且多个第一波长转换部可以在第一方向上布置，多个第二波长转换部可以在第一方向上布置，并且多个第一波长转换部和多个第二波长转换部可以在与第一方向交叉的第二方向上交替布置。
在实施例中，分隔壁可以设置成多个，多个分隔壁中的每个可以在第一方向上延伸，并且多个分隔壁可以设置成在第二方向上彼此隔开。
在实施例中，分隔壁可以设置成多个，并且多个分隔壁可以在第一方向和第二方向上布置。
在实施例中，第一折射率和第二折射率之间的差可以是0.5或更大。
在实施例中，分隔壁可以包括聚四氟乙烯、氟化镁和聚偏氟乙烯中的一种。
在发明构思的实施例中，显示装置包括：基体层；光阻挡层，设置在基体层上，并且在光阻挡层中限定多个开口；波长转换部，一一对应于多个开口，以覆盖多个开口；分隔壁，设置在波长转换部之间，设置在光阻挡层上，并且具有第一折射率；以及覆盖部，被构造为覆盖波长转换部并且具有大于第一折射率的第二折射率，其中，分隔壁包括聚四氟乙烯、氟化镁和聚偏氟乙烯中的至少一种。
在发明构思的实施例中，一种用于制造显示装置的方法包括：制备基体层；在基体层的一个表面上形成多个波长转换部；形成图像显示部；在基体层或图像显示部上形成分隔壁；在分隔壁之间形成覆盖材料；以及将图像显示部结合到基体层，并且分隔壁和覆盖材料设置在基体层与图像显示部之间，其中，图像显示部和基体层彼此结合，使得当在平面图中观察时分隔壁与多个波长转换部相邻的区域叠置。
在实施例中，可以在基体层上形成分隔壁，其中，可以在形成多个波长转换部之后形成分隔壁。
在实施例中，可以在基体层上形成分隔壁，其中，可以在形成分隔壁之后形成多个波长转换部。
在实施例中，分隔壁的形成可以包括光刻工艺或印刷工艺。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的透视图；
图2是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图3A是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图；
图3B是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图；
图3C是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图；
图3D是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图；
图4是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图；
图5是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图；
图6是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图7是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图8是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图9是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图10是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图；
图11是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图；
图12是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图；
图13A、图13B、图13C、图13D和图13E是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图；
图14A和图14B是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图；以及
图15A、图15B、图15C、图15D和图15E是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图。
具体实施方式
在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，该组件可以直接设置在所述一个组件上/直接连接到所述一个组件/直接结合到所述一个组件，或者也可以存在中间的第三组件。
同样的附图标号始终指同样的元件。另外，在附图中，为了说明的清楚，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
将理解的是，尽管这里使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应当受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为第一元件的第一元件可在另一实施例中被称为第二元件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外，“在……之下”、“在……下方”、“在……之上”、“上面的”等用于解释附图中所示的组件的关系关联。术语可以是相对概念，并且基于附图中表示的方向来描述。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。另外，术语(诸如通用词典中定义的术语)将被解释为具有与在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在此明确地定义。
“包括”或“包含”的含义是指性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除其他性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或其组合。
在下文中，将参照附图来描述发明构思的示例性实施例。
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置DD可以通过显示区域DA显示图像。图1示出了其中显示区域DA设置在由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的平坦表面上的示例。然而，根据发明构思的另一实施例的显示装置的显示区域可以设置在弯曲表面上。
在第三方向DR3上表示显示装置DD的厚度。表示为第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3的方向可以是相对概念，并且因此改变成不同的方向。在本说明书中，“当在平面图中观看时”可以意味着在第三方向DR3上的视图。另外，“厚度方向”可以意味着第三方向DR3。
图1示出了其中显示装置DD是电视机的示例。然而，显示装置DD可以是诸如监视器或外部广告牌的大型电子装置以及诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航、游戏控制台、智能电话、平板和照相机的中小型电子装置。另外，上述装置仅作为示例性实施例来举例说明，因此，除非脱离发明构思的精神和范围，否则显示装置DD可以适用于其他电子设备。
图2是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
参照图2，显示装置DD可以包括基体层BS、波长转换部CCF1、CCF2和CCF3、光阻挡层BM、分隔壁BR、覆盖部CP和图像显示部IDP。
基体层BS可以是塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层压结构。
光阻挡层BM可以设置在基体层BS的一个表面BSs上。光阻挡层BM可以包括光阻挡材料。例如，光阻挡材料可以是黑色颜料和黑色染料。多个开口OPAR、OPAG和OPAB可以限定在光阻挡层BM中。多个开口OPAR、OPAG和OPAB可以是光透射通过的区域，并且可以一一对应于像素区域。
多个开口OPAR、OPAG和OPAB可以包括第一开口OPAR、第二开口OPAG和第三开口OPAB。穿过第一开口OPAR、第二开口OPAG和第三开口OPAB的光可以具有彼此不同的波长。
波长转换部CCF1、CCF2和CCF3可以设置在基体层BS的一个表面BSs上。波长转换部CCF1、CCF2和CCF3可以包括第一波长转换部CCF1、第二波长转换部CCF2和第三波长转换部CCF3。
第一波长转换部CCF1可以覆盖第一开口OPAR，第二波长转换部CCF2可以覆盖第二开口OPAG，第三波长转换部CCF3可以覆盖第三开口OPAB。第一波长转换部CCF1、第二波长转换部CCF2和第三波长转换部CCF3中的每个可以完全覆盖光阻挡层BM中的多个开口OPAR、OPAG和OPAB以及光阻挡层BM的相对边缘。
第一波长转换部CCF1可以包括第一滤色器层CF1和第一波长转换层EF1，第二波长转换部CCF2可以包括第二滤色器层CF2和第二波长转换层EF2。第一波长转换层EF1可以包括第一基体BN1和第一发光体EP1，第二波长转换层EF2可以包括第二基体BN2和第二发光体EP2。
第三波长转换部CCF3可以包括第三滤色器层CF3和光透射层EF3，并且光透射层EF3可以包括第三基体BN3和散射颗粒SP。例如，散射颗粒SP可以是TiO2或二氧化硅基纳米颗粒。第三波长转换部CCF3可以散射蓝光以将散射的蓝光提供给第三滤色器层CF3。然而，发明构思的实施例不限于此。例如，根据发明构思的另一实施例，第三波长转换部CCF3可以不包括蓝色滤色器，并且光透射层EF3还可以包括第三发光体。
尽管未示出，但保护层还可以设置在第一滤色器层CF1与第一波长转换层EF1之间、第二滤色器层CF2与第二波长转换层EF2之间以及第三滤色器层CF3与光透射层EF3之间。保护层可以覆盖第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3。保护层可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的透明绝缘层。
第一基体至第三基体BN1、BN2和BN3中的每个可以是透明聚合物树脂。例如，第一基体至第三基体BN1、BN2和BN3中的每个可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、硅氧烷类树脂、环氧类树脂等。
第一发光体EP1和第二发光体EP2中的每个可以包括吸收预定光并且将所吸收的光的波长转换为具有与预定光的波长不同的波长的光的材料。例如，第一发光体EP1和第二发光体EP2中的每个可以是量子点。第一发光体EP1可以吸收光以发射第一颜色的光，例如，红色光。第二发光体EP2可以吸收光以发射第二颜色的光，例如，绿色光。
量子点可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，二元元素化合物选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合组成的组，三元元素化合物选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合组成的组，四元元素化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合组成的组。
III-V族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，二元元素化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合组成的组，三元元素化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合组成的组，四元元素化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合组成的组。
IV-VI族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，二元元素化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合组成的组，三元元素化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合组成的组，四元元素化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合组成的组。
IV族元素可以选自由Si、Ge及其组合组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其组合组成的组的二元元素化合物。这里，二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物可以以均匀浓度存在于颗粒中，或者以其中浓度分布被划分为局部不同状态的状态存在于颗粒中。
量子点可以具有包括围绕核的壳的核壳结构。可选择地，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素具有朝向中心逐渐减小的浓度的浓度梯度。
量子点可以具有拥有纳米级的尺寸的颗粒。另外，量子点可以具有诸如球形形状、锥形形状、多臂形形状的形状或者立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒等的形状。然而，发明构思的实施例不限于此。通过量子点发射的光可以在所有方向(360度)发射以改善光学视角。
从量子点发射的光可以根据量子点的颗粒尺寸而在颜色上变化。因此，第一发光体EP1可以具有不同于第二发光体EP2的颗粒尺寸的颗粒尺寸。例如，第一发光体EP1可以具有大于第二发光体EP2的颗粒尺寸的颗粒尺寸。在这种情况下，第一发光体EP1可以发射具有比由第二发光体EP2发射光的波长大的波长的光。
第一滤色器层CF1可以吸收在穿过第一波长转换层EF1的光之中未被第一发光体EP1转换的光，第二滤色器层CF2可以吸收在穿过第二波长转换层EF2的光之中未被第二发光体EP2转换的光。另外，第一滤色器层至第三滤色器层CF1、CF2和CF3可以防止外部光入射到第一波长转换层EF1、第二波长转换层EF2和光透射层EF3上。第一滤色器层CF1可以是红色滤色器层，第二滤色器层CF2可以是绿色滤色器层，第三滤色器层CF3可以是蓝色滤色器层。根据发明构思的另一实施例，第一滤色器层CF1和第二滤色器层CF2中的每个可以是黄色滤色器。根据发明构思的另一实施例，可以省略第一滤色器层至第三滤色器层CF1、CF2和CF3中的至少一个。
分隔壁BR可以设置在第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3中相邻的波长转换部之间以与光阻挡层BM叠置。例如，分隔壁BR可以设置在第一波长转换部CCF1与第二波长转换部CCF2之间、第二波长转换部CCF2与第三波长转换部CCF3之间以及第三波长转换部CCF3与第一波长转换部CCF1之间。分隔壁BR在剖面上可以具有方形形状。例如，分隔壁BR可以具有矩形形状。剖面可以是平行于第二方向DR2和第三方向DR3的平面。
第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3可以被覆盖部CP覆盖。覆盖部CP可以填充第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3与相邻分隔壁BR之间的空间。
分隔壁BR可以具有第一折射率，并且覆盖部CP可以具有第二折射率。第一折射率可以小于第二折射率。
入射到分隔壁BR上的光可以由于折射率的差异以临界角变化。以临界角度或更大角入射的光可以被覆盖部CP与分隔壁BR之间的边界全反射。当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.7时，临界角可以为大约36度，并且当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.6时，临界角可以为大约40.3度。当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.5时，临界角可以为大约44.9度，并且当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.4时，临界角可以为大约49.9度。当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.3时，临界角可以为大约55.4度，当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.2时，临界角可以为大约61.9度，并且当第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.1时，临界角可以为大约70.3度。测量的临界角可以是覆盖部CP具有大约1.7的折射率时根据分隔壁BR的折射率的变化测量的临界角。
第一折射率与第二折射率之间的差可以等于或大于大约0.1并且可以等于或小于大约2.0。例如，折射率的差可以等于或大于大约0.1，并且可以等于或小于大约0.7，特别地，折射率的差可以为从大约0.5至大约0.7。
入射到与第二开口OPAG叠置的区域上的光的一部分LT可以行进到分隔壁BR。在其中第一折射率与第二折射率之间的差为大约0.5的情况下，当光LT的入射角AG为大约44.9度或更大时，光LT可以被全反射，然后入射到第二波长转换部CCF2中，该入射角AG是在垂直于分隔壁BR的表面的线与入射到分隔壁BR的表面上的光的一部分LT之间形成的角度。因此，可以通过具有比覆盖部CP的折射率低的折射率的分隔壁BR来防止其中颜色在相邻像素之间混合的色混现象。结果，可以提高显示质量。另外，由于通过分隔壁BR防止了其中颜色在相邻像素之间混合的色混现象，所以光阻挡层BM的宽度WDT可以减小，并且因此可以增加显示装置DD的开口率。另外，由分隔壁BR全反射的光可以再次入射到相应的波长转换部上，从而通过防止光损耗来提高光效率。
分隔壁BR可以由具有大于大约1.0且等于或小于大约1.6的折射率的材料制成。例如，分隔壁BR可以包括聚四氟乙烯、氟化镁和聚偏氟乙烯中的至少一种。除上述材料外，分隔壁BR可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅油、乙烯四氟乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚乳酸中的至少一种。
只要覆盖部CP的材料具有大于分隔壁BR的折射率的折射率，就不具体限制可用于覆盖部CP的材料。覆盖部CP可以由例如硅基聚合物、环氧类树脂或丙烯酸类树脂的树脂制成。另外，当分隔壁BR包括聚四氟乙烯时，覆盖部CP可以包括具有大于在作为分隔壁BR的材料示例的材料之中的聚四氟乙烯的折射率的折射率的聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
分隔壁BR和覆盖部CP可以提供平坦表面PS。图像显示部IDP可以设置在由分隔壁BR和覆盖部CP提供的平坦表面PS上。平坦表面PS和图像显示部IDP可以彼此直接接触。例如，图像显示部IDP可以接触分隔壁BR和覆盖部CP中的每个。
图像显示部IDP可以包括多个像素(未示出)。多个像素(未示出)中的每个可以包括像素电路和发光元件，并且可以一一对应于多个开口OPAR、OPAG和OPAB。
分隔壁BR可以设置在图像显示部IDP与设置在基体层BS上的光阻挡层BM之间以用作间隔物。当图像显示部IDP与基体层BS之间的距离不均匀时，波长转换部CCF1、CCF2和CCF3与图像显示部IDP之间的距离会不均匀，从而亮度根据显示装置DD内的位置而变化，或者色坐标根据显示装置DD内的位置而变化。根据发明构思的实施例，图像显示部IDP与基体层BS之间的距离可以通过分隔壁BR来均匀地保持。因此，可以防止根据显示装置DD(参见图1)内的位置的亮度变化或色坐标变化的发生。
根据发明构思的实施例，光阻挡层BM的厚度Tk1和分隔壁BR的厚度Tk2的第一总和可以与基体层BS和图像显示部IDP之间的距离DST基本相同。另外，第一总和可以与例如第一波长转换部CCF1的厚度Tk3和在波长转换部CCF1、CCF2和CCF3之中的第一波长转换部CCF1上的覆盖部CP的厚度Tk4的第二总和基本相同。这里，覆盖部CP的厚度Tk4可以是在剖视图中与第一波长转换部CCF1叠置的区域的厚度。
图3A是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图。
参照图3A，图像显示部IDP可以是有机发光显示面板。图像显示部IDP可以包括基体基底BP、电路层ML、发光元件层OEL和封装层ENCL。
基体基底BP可以是塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层压结构。
缓冲层BFL可以设置在基体基底BP上。电路层ML可以设置在缓冲层BFL上。电路层ML可以包括晶体管TR和绝缘层L1、L2、L3和L4。
晶体管TR可以设置在缓冲层BFL上。晶体管TR可以包括控制电极CE、输入电极IE、输出电极OE和半导体图案SCP。
半导体图案SCP可以设置在缓冲层BFL上。缓冲层BFL可以在半导体图案SCP上提供修饰的表面。在这种情况下，半导体图案SCP与缓冲层BFL的粘合力可以大于与基体基底BP的粘合力。可选择地，缓冲层BFL可以是保护半导体图案SCP的底表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层BFL可以防止从外部通过基体基底BP引入电路层ML和发光元件层OEL或者从基体基底BP引入电路层ML和发光元件层OEL的污染物或湿气渗透到半导体图案SCP中。
第一绝缘层L1可以设置在缓冲层BFL上以覆盖半导体图案SCP。第一绝缘层L1可以包括无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝，但不限于此。
控制电极CE可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2可以设置在第一绝缘层L1上以覆盖控制电极CE。第二绝缘层L2可以包括无机材料。
第三绝缘层L3可以设置在第二绝缘层L2上。输入电极IE和输出电极OE可以设置在第三绝缘层L3上。输入电极IE和输出电极OE可以通过穿过第一绝缘层至第三绝缘层L1、L2和L3的通孔连接到半导体图案SCP。
第四绝缘层L4可以设置在第三绝缘层L3上以覆盖输入电极IE和输出电极OE。第四绝缘层L4可以是单层或多层。第四绝缘层L4可以包括有机材料和/或无机材料。
发光元件层OEL(在下文中称为有机发光元件)可以设置在第四绝缘层L4上。有机发光元件OEL可以包括第一电极层EL1、发光单元LU和第二电极层EL2。
第一电极层EL1可以设置在第四绝缘层L4上，并且通过穿过第四绝缘层L4的通孔电连接到输出电极OE。第一电极层EL1可以是像素电极层或阳极电极层。第一电极层EL1可以由具有高功函数的材料制成，使得空穴容易注入。
像素限定层PDL设置在第四绝缘层L4和第一电极层EL1上。像素限定层PDL暴露第一电极层EL1的一部分。第一电极层EL1的暴露区域可以被定义为像素区域PXA。像素区域PXA可以对应于参照图2描述的多个开口OPAR、OPAG和OPAB中的一个。
图像显示部IDP可以包括多个像素(未示出)。多个像素中的每个可以包括像素电路和像素电极。像素电路可以包括多个晶体管TR和至少一个电容器。在图3A中示出多个晶体管TR中的一个。像素电极可以是第一电极层EL1。
第二电极层EL2设置在第一电极层EL1上。第二电极层EL2可以是共电极层或阴极电极层。第二电极层EL2面对第一电极层EL1。例如，当第一电极层EL1是阳极电极层时，第二电极层EL2可以是阴极电极层。第二电极层EL2可以由具有低功函数的材料制成，使得电子容易注入。
发光单元LU可以设置在第一电极层EL1与第二电极层EL2之间以产生蓝光。例如，发光单元LU可以向多个开口OPAR、OPAG和OPAB提供蓝色光(参见图2)。
第一波长转换层EF1可以将蓝色光转换为红色光以将红色光提供给第一滤色器层CF1，第二波长转换层EF2可以将蓝色光转换为绿色光以将绿色光提供给第二滤色器层CF2。光透射层EF3可以散射蓝色光以将散射的蓝色光提供给第三滤色器层CF3。
第一滤色器层CF1可以透射具有红色光的波长带的光，并且吸收除了具有红色光的波长带的光之外的光。第二滤色器层CF2可以透射具有绿色光的波长带的光，并且吸收除了具有绿色光的波长带的光之外的光。第三滤色器层CF3可以透射具有蓝色光的波长带的光，并且吸收除了具有蓝色光的波长带的光之外的光。发光单元LU可以具有串联结构或单层结构。
根据发明构思的另一实施例，发光单元LU可以产生具有白色的光、具有红色的光或具有绿色的光。然而，发明构思的实施例不限于此。
封装层ENCL可以设置在有机发光元件OEL上以覆盖有机发光元件OEL和电路层ML。封装层ENCL可以密封有机发光元件OEL。例如，封装层ENCL可以保护有机发光元件OEL免受诸如湿气/氧或灰尘颗粒的异物的影响。封装层ENCL可以是层压结构或基底。例如，层压结构可以包括交替层压的至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。基底可以是玻璃基底或塑料基底。
图3B是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图。
参照图3B，有机发光元件OEL可以包括第一电极层EL1、发光单元LU和第二电极层EL2。发光单元LU可以包括空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL。空穴控制层HCL可以设置在发光层EML与第一电极层EL1之间，并且电子控制层ECL可以设置在发光层EML与第二电极层EL2之间。
空穴控制层HCL可以包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层和电子阻挡层。空穴控制层HCL可以具有由单一材料制成的单层、由彼此不同的材料制成的单层或包括由彼此不同的材料制成的多层的多层结构。空穴控制层HCL可以由空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种制成。空穴注入材料和空穴传输材料中的每种可以是公知的材料。
电子控制层ECL可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层。电子控制层ECL可以具有由单一材料制成的单层结构、由彼此不同的材料制成的单层结构或包括由彼此不同的材料制成的多层的多层结构。电子控制层ECL可以包括电子传输材料和电子注入材料中的至少一种。电子注入材料和电子传输材料中的每种可以是公知的材料。
发光层EML可以包括主体材料和掺杂剂材料。发光层EML可以通过在主体材料中使用磷光或荧光发光材料作为掺杂剂来形成。发光层EML可以发射具有预定颜色的光。例如，发光层EML可以发射蓝色光。
图3C是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图。
参照图3C，有机发光元件OEL-1可以包括第一电极层EL1、发光单元LU-1和第二电极层EL2。发光单元LU-1可以包括第一空穴控制层HCL1、第一发光层EML1、第一电子控制层ECL1、电荷产生层CGL、第二空穴控制层HCL2、第二发光层EML2和第二电子控制层ECL2。
电荷产生层CGL可以设置在第一发光层EML1与第二发光层EML2之间。当向电荷产生层CGL施加电压时，可以通过氧化-还原反应产生络合物以产生电荷。
电荷产生层CGL中产生的电子可以经由第一电子控制层ECL1到达第一发光层EML1。电荷产生层CGL中产生的空穴可以经由第二空穴控制层HCL2到达第二发光层EML2。
在该实施例中，第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个可以产生具有蓝色光的波长带的光。第一发光层EML1和第二发光层EML2可以包括相同的材料或彼此不同的材料。
第一发光层EML1产生第一光。第二发光层EML2产生第二光。第一光和第二光中的每者可以是具有蓝色光的波长带的光。第一光和第二光可以具有相同的光谱或彼此不同的光谱。例如，第一光可以是深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种，第二光可以是深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种。
然而，上述描述可以仅仅是示例。根据发明构思的实施例的第一发光层EML1和第二发光层EML2可以被设计成产生具有各种颜色的光，并且也可以不限于任何一个实施例。
图3D是根据发明构思的实施例的有机发光元件的剖视图。
参照图3D，有机发光元件OEL-2可以包括第一电极层EL1、发光单元LU-2和第二电极层EL2。发光单元LU-2可以包括第一空穴控制层HCL1、第一发光层EML1、第一电子控制层ECL1、第一电荷产生层CGL1、第二空穴控制层HCL2、第二发光层EML2、第二电子控制层ECL2、第二电荷产生层CGL2、第三空穴控制层HCL3、第三发光层EML3和第三电子控制层ECL3。
第三发光层EML3可以设置在第一发光层EML1与第二发光层EML2之间。第一发光层EML1和第二发光层EML2可以分别对应于图3C的第一发光层和第二发光层。第三发光层EML3可以包括与第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个的材料不同的材料。根据发明构思的实施例，第三发光层EML3可以包括与第一发光层EML1和第二发光层EML2中的至少一个的材料相同的材料。
在第三发光层EML3中产生的第三光可以是具有蓝色光的波长带的光。例如，第三光可以是深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种。
然而，上述描述可以仅仅是示例。第三发光层EML3可以被设计成产生具有各种颜色的光，但不限于特定实施例。
第一电荷产生层CGL1设置在第一发光层EML1与第三发光层EML3之间。在第一电荷产生层CGL1中产生的电子可以经由第一电子控制层ECL1到达第一发光层EML1，并且在第一电荷产生层CGL1中产生的空穴可以经由第三空穴控制层HCL3到达第三发光层EML3。
第二电荷产生层CGL2设置在第二发光层EML2与第三发光层EML3之间。在第二电荷产生层CGL2中产生的空穴可以经由第二空穴控制层HCL2到达第二发光层EML2，并且在第二电荷产生层CGL2中产生的电子可以经由第三电子控制层ECL3到达第三发光层EML3。在下文中，关于图3D的其他层的详细描述可以与关于图3C的上述层的详细描述对应，因此，将省略其详细描述。
图4是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图。
参照图4，图像显示部IDP-1可以是微LED显示面板。图像显示部IDP-1可以包括基体基底BP、电路层ML和发光元件ED。相同的附图标记用于与图3A的构件相同的构件，将省略其描述。
连接电极CNE可以设置在第四绝缘层L4上。连接电极CNE可以连接到输出电极OE。
第五绝缘层L5可以设置在第四绝缘层L4上以覆盖连接电极CNE。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5可以覆盖设置在其下方的电路层ML并提供平坦表面。
第一分隔壁BR1和第二分隔壁BR2设置在第五绝缘层L5上。第一分隔壁BR1和第二分隔壁BR2中的每个可以在第一方向DR1上延伸。第二分隔壁BR2可以在第二方向DR2上与第一分隔壁BR1隔开。
第一电极E1可以设置在第一分隔壁BR1上，第二电极E2可以设置在第二分隔壁BR2上。第一电极E1可以在第一方向DR1上延伸以覆盖第一分隔壁BR1，第二电极E2可以在第一方向DR1上延伸以覆盖第二分隔壁BR2。即，第一分隔壁BR1可以设置在第一电极E1与第五绝缘层L5之间，第二分隔壁BR2可以设置在第二电极E2与第五绝缘层L5之间。
通孔可以限定在第五绝缘层L5中，并且连接电极CNE可以通过通孔暴露。第一电极E1可以经由通孔电连接到暴露的连接电极CNE。第二电极E2可以电连接到电力线，并且电力电压可以被施加到第二电极E2。
第一电极E1可以包括第一反射电极RFE1和第一盖电极CPE1，第二电极E2可以包括第二反射电极RFE2和第二盖电极CPE2。
第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以包括反射材料。第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有单层结构或多层结构。例如，第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有其中氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)被顺序层叠的结构。
第一盖电极CPE1可以盖住第一反射电极RFE1，第二盖电极CPE2可以盖住第二反射电极RFE2。例如，第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2中的每个可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)和其混合物/化合物中的至少一种。
发光元件ED可以设置在第五绝缘层L5上。发光元件ED可以设置为多个。多个发光元件ED可以彼此并联连接。发光元件ED可以电连接到第一电极E1和第二电极E2。
发光元件ED可以是微LED元件。微LED元件可以是具有几纳米至几百微米的长度的LED元件。然而，微LED元件的长度仅仅是示例。例如，微LED元件的长度不限于上述长度范围。
从发光元件ED发射的光可以被覆盖第一分隔壁BR1的第一电极E1和覆盖第二分隔壁BR2的第二电极E2反射，然后被发射到图像显示部IDP-1的外部。像素区域PXA可以被限定为对应于第一分隔壁BR1和第二分隔壁BR2中的每个的一个端部之间的区域。像素区域PXA可以对应于参照图2描述的多个开口OPAR、OPAG和OPAB中的一个。
第六绝缘层L6(或绝缘图案)可以设置在发光元件ED上。第六绝缘层L6可以覆盖发光元件ED的顶表面的至少一部分。
发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1电连接到第一电极E1并且通过第二连接电极CNE2电连接到第二电极E2。
第二连接电极CNE2可以设置在发光元件ED和第二电极E2上。第七绝缘层L7可以设置在第二连接电极CNE2上。第一连接电极CNE1可以设置在发光元件ED和第一电极E1上。即使发光元件ED具有几百微米的长度，第二连接电极CNE2和第一连接电极CNE1也可以不彼此直接接触，因为第七绝缘层L7可以覆盖第二连接电极CNE2。不过，这仅是示例。根据发明构思的另一实施例，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过同一工艺同时形成。在该实施例中，可以省略第七绝缘层L7。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)和其混合物/化合物中的至少一种。然而，发明构思的实施例不限于此。例如，导电材料可以是金属材料。例如，金属材料可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。
第八绝缘层L8可以设置在第一连接电极CNE1和第七绝缘层L7上。第八绝缘层L8可以是封装层。根据另一实施例，第九绝缘层L9可以设置在第八绝缘层L8上。第九绝缘层L9可以是平坦化层。第九绝缘层L9可以是接触图2的平坦表面PS的表面。
图5是根据发明构思的实施例的图像显示部的剖视图。
参照图5，图像显示部IDP-2可以是液晶显示面板。图像显示部IDP-2可以包括第一基体基底BP1、第二基体基底BP2、电路层ML、液晶层LCL、像素电极PE和共电极CME。相同的附图标记用于与图3A的构件相同的构件，并且将省略其描述。
第一基体基底BP1和第二基体基底BP2中的每个可以是硅基底、塑料基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层压结构。第二基体基底BP2可以具有接触图2的平坦表面PS的顶表面。
像素电极PE可以设置在第四绝缘层L4上。像素电极PE可以电连接到输出电极OE。液晶层LCL可以设置在像素电极PE上。共电极CME可以设置在液晶层LCL上。共电极CME可以设置在第二基体基底BP2的一个表面上。
其上可以限定像素电极PE的区域被定义为像素区域PXA。像素区域PXA可以对应于参照图2描述的多个开口OPAR、OPAG和OPAB中的一个。
尽管在图5中液晶层LCL设置在共电极CME与像素电极PE之间，但是发明构思的实施例不限于此。例如，根据发明构思的另一实施例，液晶层LCL可以设置在共电极CME和像素电极PE上。在这种情况下，共电极CME和像素电极PE可以设置在第一基体基底BP1上。
液晶层LCL可以包括多个液晶分子LC。液晶分子LC可以根据共电极CME与像素电极PE之间产生的电场而改变排列。
图6是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图6的显示装置DD-1在分隔壁BR-1的形状方面不同于图2的显示装置DD。例如，分隔壁BR-1在剖视图中可以具有梯形形状。
分隔壁BR-1可以具有从基体层BS侧朝向图像显示部IDP侧逐渐增加的宽度WDT-1。因此，分隔壁BR-1可以在图像显示部IDP侧上具有比在基体层BS侧上的宽度宽的宽度。分隔壁BR-1的宽度WDT-1可以表示第二方向DR2上的宽度。
图6示出了从像素区域提供的光LT-1。光LT-1可以是从图像显示部IDP沿与图2的光LT的方向相同的方向发射的光。因此，光LT与图像显示部IDP的顶表面之间的角度可以与光LT-1与图像显示部IDP的顶表面之间的角度相同。
入射到分隔壁BR-1上的光LT-1可以具有比图2的光LT的入射角大的入射角AG-1。根据发明构思的实施例，由于分隔壁BR-1具有梯形形状，所以可以使入射到分隔壁BR-1中的光的全反射的可能性增加。因此，可以通过分隔壁BR-1来更有效地防止其中颜色在相邻像素之间彼此混合的色混现象。另外，由覆盖部CP与分隔壁BR-1之间的边界全反射的光可以再次入射到相应的波长转换部(例如，第二波长转换部CCF2)上，以防止光损耗，从而提高光效率。
图7是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
参照图7，显示装置DD-2在分隔壁BR-2的形状方面不同于图2的显示装置DD。例如，分隔壁BR-2在剖视图中可以具有倒梯形形状。
分隔壁BR-2可以具有从基体层BS侧朝向图像显示部IDP侧逐渐减小的宽度WDT-2。因此，分隔壁BR-2可以在图像显示部IDP侧上具有比在基体层BS侧上的宽度窄的宽度。
图8是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
参照图8，显示装置DD-3在分隔壁BR-3的形状方面不同于图2的显示装置DD。例如，分隔壁BR-3可以在剖视图中具有曲率。分隔壁BR-3可以具有从基体层BS侧朝向图像显示部IDP侧逐渐减小的宽度WDT-3。
图9是根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
参照图9，显示装置DD-4在分隔壁BR-4的形状方面不同于图2的显示装置DD。例如，分隔壁BR-4可以在剖视图中具有曲率。分隔壁BR-4可以具有从基体层BS侧朝向图像显示部IDP侧逐渐增加的宽度WDT-4。
图10是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图。
参照图10，示出了第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3、第一开口至第三开口OPAR、OPAG和OPAB以及第一分隔壁至第三分隔壁BRA、BRB和BRC。
第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3中的每个被设置为多个。多个第一波长转换部CCF1、多个第二波长转换部CCF2和多个第三波长转换部CCF3可以沿第一方向DR1布置。例如，多个第一波长转换部CCF1可以在第一方向DR1上布置，多个第二波长转换部CCF2可以在第一方向DR1上布置，并且多个第三波长转换部CCF3可以在第一方向DR1上布置。多个第一波长转换部CCF1、多个第二波长转换部CCF2和多个第三波长转换部CCF3可以在第二方向DR2上交替布置。
第一分隔壁至第三分隔壁BRA、BRB和BRC中的每个可以具有与参照图2、图6、图7、图8和图9描述的分隔壁BR、BR-1、BR-2、BR-3和BR-4中的一个的剖面相同的剖面。
第一分隔壁至第三分隔壁BRA、BRB和BRC可以在第一方向DR1上延伸，并且设置成在第二方向DR2上彼此隔开。例如，第一分隔壁BRA可以设置在第一波长转换部CCF1与第二波长转换部CCF2之间，第二分隔壁BRB可以设置在第二波长转换部CCF2与第三波长转换部CCF3之间，第三分隔壁BRC可以设置在第三波长转换部CCF3与第一波长转换部CCF1之间。
另外，根据发明构思的另一实施例，显示装置还可以包括在第二方向DR2上延伸的附加分隔壁(未示出)。例如，附加分隔壁可以设置在第一波长转换部CCF1之间、第二波长转换部CCF2之间以及第三波长转换部CCF3之间。
图11是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图。
参照图11，分隔壁BR-11、BR-12、BR-13、BR-21和BR-31中的每个可以具有与参照图2、图6、图7、图8和图9描述的分隔壁BR、BR-1、BR-2、BR-3和BR-4中的一个的剖面相同的剖面。
分隔壁BR-11、BR-12、BR-13、BR-21和BR-31可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。分隔壁BR-11、BR-12、BR-13、BR-21和BR-31中的每个可以在第一方向DR1上延伸。
分隔壁BR-11、BR-12、BR-13、BR-21和BR-31在第一方向DR1上的长度可以小于图10的第一分隔壁至第三分隔壁BRA、BRB和BRC中的每个的在第一方向DR1上的长度。
图12是根据发明构思的实施例的显示装置的平面图。
图12的第一开口至第三开口OPARa、OPAGa和OPABa可以被布置为Pentile结构。
与第一开口OPARa叠置的第一波长转换部CCF1a和与第三开口OPABa叠置的第三波长转换部CCF3a可以在第一方向DR1和第二方向DR2上交替布置。
与第二开口OPAGa叠置的第二波长转换部CCF2a可以设置成在第四方向DR4或第五方向DR5上与第一波长转换部CCF1a隔开。第四方向DR4可以被定义为第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向，并且第五方向DR5可以被定义为与第四方向DR4基本上垂直交叉的方向。
第一开口至第三开口OPARa、OPAGa和OPABa可以具有彼此不同的面积。每个面积可以表示当在平面图中观察时的面积。例如，提供蓝色光的第三开口OPABa可以具有最大的面积，并且提供红色光的第一开口OPARa可以具有第二大的面积。提供绿色光的第二开口OPAGa可以具有最小的面积。
当在平面图中观察时，分隔壁BRm1和BRm2可以不与第一波长转换部至第三波长转换部CCF1a、CCF2a和CCF3a叠置。例如，分隔壁BRm1和BRm2可以设置成同与其上设置有第一波长转换部至第三波长转换部CCF1a、CCF2a和CCF3a的区域相邻的区域叠置。
分隔壁BRm1可以在第五方向DR5上延伸并且设置成在第四方向DR4上彼此隔开，分隔壁BRm2可以在第四方向DR4上延伸并且设置成在第五方向DR5上彼此隔开。分隔壁BRm1和BRm2中的每个可以具有与参照图2、图6、图7、图8和图9描述的分隔壁BR、BR-1、BR-2、BR-3和BR-4中的一个的剖面相同的剖面。
图13A至图13E是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图。
参照图13A，形成基体层BS。尽管未单独示出，但在制造工艺中，可以在工作基底(未示出)上设置基体层BS。在制造显示装置之后，可以从基体层BS移除工作基底。
参照图13B，在基体层BS的一个表面BSs上形成光阻挡层BM。可以在光阻挡层BM中形成多个第一开口至第三开口OPAR、OPAG和OPAB。
可以在基体层BS的一个表面BSs上形成第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3。第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3可以一一对应于第一开口至第三开口OPAR、OPAG和OPAB，以覆盖第一开口至第三开口OPAR、OPAG和OPAB。第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3可以形成为完全覆盖第一开口至第三开口OPAR、OPAG和OPAB，并且部分覆盖光阻挡层BM的相对边缘。
参照图13C，在基体层BS的一个表面BSs上形成分隔壁BRs。可以在第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3之间设置分隔壁BRs。例如，可以在光阻挡层BM上形成分隔壁BRs。在该实施例中，可以形成第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3，然后可以形成分隔壁BRs。分隔壁BRs的上表面可以高于第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3的上表面。
可以通过光刻工艺或印刷工艺形成分隔壁BRs。例如，在光刻工艺中，分隔壁BRs可以包括光敏材料。在施加光敏材料之后，可以执行曝光工艺和显影工艺以形成分隔壁BRs。印刷工艺可以包括例如喷墨印刷工艺、丝网印刷工艺、压印印刷工艺或分配器印刷工艺。
参照图13D，在分隔壁BRs之间设置覆盖材料CPM。每个分隔壁BRs可以用作坝。覆盖材料CPM可以是具有比每个分隔壁BRs的折射率大的折射率的材料。
参照图13E，将图像显示部IDP和其上形成有波长转换部CCF1、CCF2和CCF3的基体层BS彼此结合。在将图像显示部IDP和基体层BS彼此结合之后，可以使覆盖材料CPM固化以形成覆盖部CP。分隔壁BRs可以设置在图像显示部IDP与基体层BS之间以用作间隔件。分隔壁BRs可以均匀地保持图像显示部IDP与基体层BS之间的距离。因此，可以防止发生其中亮度根据显示装置DD(见图1)内的位置而变化或者色坐标改变的现象。
图14A和图14B是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图。
参照图14A和图14B，在光阻挡层BM上形成分隔壁BRs。在形成分隔壁BRs之后，可以在分隔壁BRs之间形成第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3。参照图13A至图13E的上述用于制造显示装置的方法与根据该实施例的用于制造显示装置的方法在分隔壁BRs和第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3的形成顺序上不同。
当首先形成分隔壁BRs时，分隔壁BRs可以用于限定其上将形成第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3的区域。此外，当形成分隔壁BRs时，可以消除第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3损坏的可能性。
图15A至图15E是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的视图。
参照图15A和图15B，形成图像显示部IDP。在图像显示部IDP上形成分隔壁BRs。可以在图像显示部IDP上直接形成分隔壁BRs。
参照图15C，在分隔壁BRs之间设置覆盖材料CPM。覆盖材料CPM可以具有流动性。可以考虑第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3中的每个的体积来调节覆盖材料CPM的量。例如，覆盖材料CPM可以具有小于分隔壁BRs的每个上表面的高度的高度。
参照图15D，使其上形成有光阻挡层BM和第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3的基体层BS在其上设置有分隔壁BRs和覆盖材料CPM的图像显示部IDP上对准。例如，可以使基体层BS和图像显示部IDP彼此对准，使得分隔壁BRs与同第一波长转换部至第三波长转换部CCF1、CCF2和CCF3相邻的其上设置有光阻挡层BM的区域叠置。
参照图15E，将图像显示部IDP和基体层BS结合到分隔壁BRs，并且覆盖材料CPM设置在其间。在使图像显示部IDP和基体层BS彼此组合之后，可以使覆盖材料CPM固化以形成覆盖部CP。
根据发明构思的实施例，从像素区域发射的光中发射到与对应于像素区域的波长转换部相邻的波长转换部的光可以被分隔壁全反射并且入射到对应于像素区域的波长转换部上。因此，可以通过分隔壁来防止其中颜色在相邻像素之间混合的色混现象，以提高显示质量。另外，由于全反射的光入射到相应的像素区域和相应的波长转换部中，所以可以防止光损耗以提高光效率。另外，分隔壁可以用作间隔件。因此，可以恒定地保持图像显示部与其上设置有波长转换部的基体层之间的距离。
对于本领域技术人员将明显的是，可以在发明构思中做出各种修改和改变。因此，本公开旨在覆盖本发明构思的修改和改变，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。因此，发明构思的实际保护范围应由所附权利要求的技术范围来确定。

Claims (15)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层；
多个波长转换部，设置在所述基体层的一个表面上；
分隔壁，设置在所述多个波长转换部中的相邻的波长转换部之间，并且具有第一折射率；
覆盖部，被构造为覆盖所述多个波长转换部，并且具有大于所述第一折射率的第二折射率；以及
图像显示部，设置在由所述分隔壁和所述覆盖部提供的表面上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述表面是平坦表面，并且所述图像显示部接触由所述分隔壁和所述覆盖部提供的所述平坦表面。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述图像显示部包括：
基体基底；
电路层，设置在所述基体基底上；
发光元件层，设置在所述电路层上；以及
封装层，覆盖所述发光元件层和所述电路层，
其中，所述封装层直接接触所述分隔壁和所述覆盖部。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁在剖面上具有矩形形状。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁在剖面上具有梯形形状。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁在剖面上具有曲率。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁具有从所述基体层侧朝向所述图像显示部侧逐渐增大的宽度。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁具有从所述基体层侧朝向所述图像显示部侧逐渐减小的宽度。
9.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基体层与所述分隔壁之间的光阻挡层。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述光阻挡层的厚度和所述分隔壁的厚度的第一总和与所述基体层和所述图像显示部之间的距离相同，并且
所述第一总和与所述多个波长转换部中的一个波长转换部的厚度和设置在所述一个波长转换部上的所述覆盖部的厚度的第二总和相同。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个波长转换部包括多个第一波长转换部和多个第二波长转换部，并且
所述多个第一波长转换部在第一方向上布置，所述多个第二波长转换部在所述第一方向上布置，并且所述多个第一波长转换部和所述多个第二波长转换部在与所述第一方向交叉的第二方向上交替布置。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述分隔壁被设置成多个，
所述多个分隔壁中的每个分隔壁在所述第一方向上延伸，并且
所述多个分隔壁被设置成在所述第二方向上彼此隔开。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述分隔壁被设置成多个，并且
所述多个分隔壁在所述第一方向和所述第二方向上布置。
14.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一折射率与所述第二折射率之间的差为0.5或更大。
15.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁包括聚四氟乙烯、氟化镁和聚偏氟乙烯中的一种。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11444131B2 (en) * 2019-08-05 2022-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018111637A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
KR102602673B1 (ko) * 2018-10-12 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR20200086774A (ko) 2019-01-09 2020-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
KR20210110451A (ko) 2020-02-28 2021-09-08 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210129309A (ko) * 2020-04-17 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210142038A (ko) * 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210154315A (ko) * 2020-06-11 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20220000021A (ko) * 2020-06-24 2022-01-03 삼성디스플레이 주식회사 광제어부재를 포함하는 표시장치 및 광제어부재의 제조 방법
KR20220008995A (ko) * 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
KR20220046041A (ko) * 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113659058B (zh) * 2021-08-20 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN116685176A (zh) * 2022-02-22 2023-09-01 群创光电股份有限公司 显示装置以及其制造方法
KR102694403B1 (ko) * 2022-09-21 2024-08-13 한국전자기술연구원 디스플레이 소자의 격벽 구조체 및 그 제조방법
WO2024072134A1 (ko) * 2022-09-27 2024-04-04 삼성전자 주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150090991A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Japan Display Inc. Electro-luminescence device and method of manufacturing the same
CN105097878A (zh) * 2015-07-17 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN108398840A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI384660B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US20110042647A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 U.S. Government As Represented By The Secretary Of The Army Corrugated-quantum well infrared photodetector with reflective sidewall and method
KR101615397B1 (ko) * 2010-03-31 2016-04-25 가부시키가이샤 제이올레드 표시 패널 장치 및 표시 패널 장치의 제조 방법
JP2015064391A (ja) * 2012-01-23 2015-04-09 シャープ株式会社 蛍光体基板、表示装置および電子機器
KR102051103B1 (ko) 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6262496B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20150144928A1 (en) 2013-11-26 2015-05-28 The Regents Of The University Of Michigan BURIED GRID FOR OUTCOUPLING WAVEGUIDED LIGHT IN OLEDs
JP2016218151A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 シャープ株式会社 波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
KR102504073B1 (ko) 2015-12-14 2023-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102291493B1 (ko) 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102673170B1 (ko) 2016-09-02 2024-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP6823443B2 (ja) 2016-12-07 2021-02-03 キヤノン株式会社 表示装置およびその製造方法
KR102663231B1 (ko) 2016-12-30 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102602673B1 (ko) * 2018-10-12 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150090991A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Japan Display Inc. Electro-luminescence device and method of manufacturing the same
CN105097878A (zh) * 2015-07-17 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN108398840A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 三星显示有限公司 显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11444131B2 (en) * 2019-08-05 2022-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102602673B1 (ko) 2023-11-17
US20200119237A1 (en) 2020-04-16
US11177418B2 (en) 2021-11-16
EP3637471A1 (en) 2020-04-15
KR20200042058A (ko) 2020-04-23

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