CN113809131A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容，显示装置包括：基板，其包括发光区和非发光区，并且在基板中限定多个子像素；第一电极，其分别设置在多个子像素中；堤部，其设置在多个子像素之间的非发光区中，并且通过开口使第一电极露出；突出部，其被设置在非发光区的第二非发光区中，非发光区被划分成在堤部的平坦的顶表面处的第一非发光区和在堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区；设置在多个第一电极上的有机层；以及设置在有机层上的第二电极。因此，在突出部处，可以增加泄漏电流流动路径的长度，并且有机层和第二电极在相邻子像素之间彼此断开连接，从而可以使电流泄漏最小化。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0073199号的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开内容涉及显示装置，更具体地，涉及一种可以使由泄露电流引起的发光元件的发光最小化的显示装置。

背景技术

随着世界进入全面的信息时代，用于可视地显示电信息信号的显示装置领域迅速发展。因此，为了提高各种显示装置的薄型化、轻量化、低功耗化等性能，进行了大量的研究。

在这些显示装置中，有机发光二极管显示装置是与液晶显示装置不同的不需要单独光源的自发光显示装置。因此，可以将有机发光二极管显示装置制造为重量轻且薄的形式。此外，有机发光二极管显示装置在功耗方面是有利的，因为它是由低电压驱动的。另外，有机发光二极管显示装置具有优异的色彩表现能力、高响应速度、宽视角和高对比度CR。因此，已经研究了有机发光二极管显示装置作为下一代显示装置。

发明内容

本公开内容要实现的目的是提供一种具有多堆叠结构的显示装置，其中多个发光单元被层叠以实现提高的效率和寿命。

本公开内容要实现的另一目的是提供一种显示装置，其中可以使由泄漏电流引起的来自具有公共层的多个发光元件中的一些的发光最小化。

本公开内容要实现的又一目的是提供一种显示装置，其中可以稳定地确保有机层的断开结构。

本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上述未提及的其他目的。

根据本公开内容的一方面，显示装置包括：基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素。此外，显示装置包括分别设置在多个子像素中的多个第一电极。此外，显示装置包括设置在多个子像素之间的非发光区中并通过开口使第一电极露出的堤部。此外，显示装置包括设置在非发光区的第二非发光区中的突出部，该非发光区被划分成在堤部的平坦的顶表面处的第一非发光区和在堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区。此外，显示装置包括设置在多个第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。

根据本公开内容的另一方面，显示装置包括分别设置在多个子像素中的多个第一电极。此外，显示装置包括堤部，该堤部被设置成覆盖第一电极的边缘的一部分并且包括在平坦的顶表面处的第一区和在倾斜的顶表面处的第二区。此外，显示装置包括设置在堤部上的突出部和设置在第一电极上的有机层。此外，显示装置包括设置在有机层上的第二电极。突出部设置在第二区中，并且有机层和第二电极在相邻子像素之间在突出部的侧表面处彼此断开连接。

根据本公开内容的又一方面，显示装置包括：基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素；多个第一电极，其分别设置在所述多个子像素中；堤部，其设置在所述多个子像素之间的所述非发光区中，并通过开口使所述第一电极露出；至少部分地设置在所述非发光区的第一非发光区中并且围绕所述第一电极的突出部，所述非发光区被划分成在所述堤部的平坦的顶表面处的第一非发光区和在所述堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区；有机层，其设置在所述多个第一电极上；以及第二电极，其设置在所述有机层上。

示例性实施方式的其他详细事项包括在详细描述和附图中。

根据本公开内容，有机发光元件具有多堆叠结构，因此可以实现高效率并且可以以低电流被驱动。因此，可以提高有机发光元件的寿命。

根据本公开内容，可以抑制由多个发光元件的公共层引起的泄漏电流。

根据本公开内容，当驱动具有多堆叠结构的显示装置时，来自非期望的发光元件的发光可以被最小化。因此，可以增强颜色再现特性。

根据本公开内容，可以稳定地确保有机层的断开结构。因此，可以提高产量和可加工性。

根据本公开内容的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置的示意性系统配置图；

图2是根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图3A是根据本公开内容的第一示例性实施方式的子像素的放大平面图；

图3B是沿图3A的线III-III’截取的截面图；

图4是根据本公开内容的第一示例性实施方式的子像素的截面图；

图5是用于说明根据本公开内容的突出部的角度范围的图；

图6A是根据本公开内容的第二示例性实施方式的子像素的放大平面图；

图6B是沿图6A的线VI-VI’截取的截面图；

图7A是根据本公开内容的第三示例性实施方式的子像素的放大平面图；

图7B是沿图7A的线VIIa-VIIa’截取的截面图；

图7C是沿图7A的线VIIb-VIIb’截取的截面图；

图8是根据本公开内容的第四示例性实施方式的子像素的截面图；

图9是根据本公开内容的第五示例性实施方式的子像素的截面图；

图10A和图10B是根据本公开内容的第六示例性实施方式的子像素的截面图；

图11A和图11B是根据本公开内容的第七示例性实施方式的子像素的截面图；

图12A是根据本公开内容的第八示例性实施方式的子像素的放大平面图；

图12B是沿图12A的线XII-XII’截取的截面图；

图13A至图13D是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图14A至图14D是顺序示出根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图15A至图15D是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的另一制造过程的截面图；

图16A至图16F是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的又一制造过程的截面图；

图17A至图17F是顺序示出根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的另一制造过程的截面图；

图18A至图18C是顺序示出根据本公开内容的第九示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图19A至图19C是顺序示出根据本公开内容的第十示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图20A至图20C是顺序示出根据本公开内容的第十一示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图21A至图21C是顺序示出根据本公开内容的第十二示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图；

图22是示出根据本公开内容的第九示例性实施方式的子像素的一部分的截面图；

图23是示出根据本公开内容的第十三示例性实施方式的子像素的一部分的截面图；

图24是根据本公开内容的一个示例性实施方式的显示装置的平面图；

图25是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图26是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图27是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图28是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图29是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图30是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图31是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；以及

图32是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

具体实施方式

通过参考以下详细描述的示例性实施方式以及附图，本公开内容的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题不清楚。本文所使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及均可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也会被解释为包括普通的误差范围。

当使用诸如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“旁边”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非一个术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于这两个部件之间。

当一个元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接置于另一元件上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不限于这些术语。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开内容的技术概念中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了在附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于所示出的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且各实施方式可以彼此独立地或彼此关联地实施。

在下文中，将参考附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。

图1是根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置的示意性系统配置图。

为了便于说明，图1仅示出了显示装置100的各种部件中的显示面板PN、栅极驱动器GD、数据驱动器DD和定时控制器TC。然而，本公开内容不限于此。

参照图1，显示装置100可以包括显示面板PN，显示面板PN包括多个子像素SP。显示装置100还可以包括：栅极驱动器GD和数据驱动器DD，其被配置成向显示面板PN提供各种信号；以及定时控制器TC，其被配置成控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。

栅极驱动器GD可以响应于从定时控制器TC提供的多个栅极控制信号GCS而将多个扫描信号提供至多条扫描线SL。多个扫描信号可以包括第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。尽管图1示出了一个栅极驱动器GD与显示面板PN间隔开地设置在显示面板PN的一侧，但是本公开内容不限于此。

栅极驱动器GD也可以以GIP(Gate In Panel，板内栅极)的方式设置，并且本公开内容不限于栅极驱动器GD的数量和位置。

数据驱动器DD可以响应于从定时控制器TC提供的多个数据控制信号DCS，通过使用参考伽马电压将从定时控制器TC输入的图像数据RGB转换成数据信号。此外，数据驱动器DD可以将经转换的数据信号提供至多条数据线DL。

定时控制器TC可以控制从外部输入的图像数据RGB，并且将图像数据RGB提供至数据驱动器DD。

定时控制器TC可以通过使用从外部输入的诸如点时钟信号、数据使能信号和水平/垂直同步信号之类的同步信号SYNC来生成栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。定时控制器TC可以将生成的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS提供至栅极驱动器GD和数据驱动器DD以分别控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。

显示面板PN被配置成向用户显示图像，并且可以包括多个子像素SP。显示面板PN可以包括彼此相交的多条扫描线SL和多条数据线DL，并且多个子像素SP中的每个子像素可以连接至扫描线SL和数据线DL。尽管在图中未示出，但是多个子像素SP中的每个子像素还可以连接至高电势电力线、低电势电力线、初始化信号线、发光控制信号线等。

多个子像素SP中的每个子像素是用于显示图像的最小单元，并且可以包括发光元件和用于驱动发光元件的像素电路。可以根据显示面板PN的类型而不同地定义多个发光元件。例如，如果显示面板PN是有机发光显示面板，则发光元件可以是包括阳极、发光单元和阴极的有机发光元件。在下文中，将在假设发光元件是有机发光元件的情况下进行描述，但是发光元件不限于此。

像素电路被配置成控制发光元件的驱动。像素电路可以包括多个晶体管和电容器，但是不限于此。

在下文中，将参照图2更详细地描述子像素SP的像素电路。

图2是根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。

参照图2，多个子像素SP中的每个子像素的像素电路可以包括第一至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst。

第一晶体管T1可以连接至第二扫描线，并由通过第二扫描线提供的第二扫描信号SCAN2控制。第一晶体管T1可以电连接在提供数据信号Vdata的数据线与电容器Cst之间。当通过第二扫描线施加导通电平电压的第二扫描信号SCAN2时，第一晶体管T1可以将从数据线提供的数据信号Vdata传送至电容器Cst。第一晶体管T1可以被称为开关晶体管，其控制将数据信号Vdata施加至电容器Cst的定时。

第二晶体管T2可以电连接在提供高电势电力信号EVDD的高电势电力线与第五晶体管T5之间。此外，第二晶体管T2的栅电极可以电连接至电容器Cst。第二晶体管T2可以被称为驱动晶体管，其通过根据施加至栅电极的电压来控制流到发光元件130的电流来控制发光元件130的亮度。

另外，第三晶体管T3可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1来控制。根据第三晶体管T3的类型，第三晶体管T3可以电连接在第二晶体管T2的栅电极与漏电极之间或栅电极与源电极之间。

作为驱动晶体管的第二晶体管T2被配置成根据施加至子像素SP的数据信号Vdata来控制流到发光元件130的电流。然而，由于设置在各个子像素SP中的第二晶体管T2之间的阈值电压差，设置在各个子像素SP中的发光元件130之间的亮度可能存在差异。

在这种情况下，第三晶体管T3可以被设置成补偿第二晶体管T2的阈值电压，并且第三晶体管T3可以被称为补偿晶体管。例如，如果使第三晶体管T3导通的第一扫描信号SCAN1被施加，则可以将通过从高电势电力信号EVDD中减去第二晶体管T2的阈值电压而获得的电压施加至第二晶体管T2的栅电极。在从中减去了阈值电压的高电势电力信号EVDD被施加至第二晶体管T2的栅电极的状态下，数据信号Vdata可以被施加至电容器Cst。因此，可以补偿第二晶体管T2的阈值电压。

第三晶体管T3和第一晶体管T1被示出为分别通过不同的扫描线接收不同的扫描信号SCAN1和SCAN2。然而，第三晶体管T3和第一晶体管T1可以连接至相同的扫描线并且可以接收相同的扫描信号SCAN1或SCAN2，但是本公开内容不限于此。

第四晶体管T4可以电连接至电容器Cst和提供初始化信号Vini的初始化信号线。此外，第四晶体管T4可以由通过发光控制信号线提供的发光控制信号EM控制。当通过发光控制信号线施加导通电平电压的发光控制信号EM时，第四晶体管T4可以初始化电容器Cst的电压。替选地，第四晶体管T4可以允许根据数据信号Vdata的电流在发光元件130中流动，同时缓慢地释放施加至电容器Cst的数据信号Vdata。

第五晶体管T5可以电连接在第二晶体管T2与发光元件130之间。此外，第五晶体管T5可以由通过发光控制信号线提供的发光控制信号EM来控制。当将数据信号Vdata施加至电容器Cst并且将具有补偿的阈值电压的高电势电力信号EVDD施加至第二晶体管T2的栅电极时，可以施加导通电平电压的发光控制信号EM。在这种情况下，第五晶体管T5可以导通以允许电流在发光元件130中流动，其中，发光元件130连接到低电势电力信号EVSS。

第六晶体管T6可以电连接在提供初始化信号Vini的初始化信号线与发光元件130的阳极之间。此外，第六晶体管T6可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1控制。如果通过第一扫描线施加导通电平电压的第一扫描信号SCAN1，则第六晶体管T6可以使用初始化信号Vini来初始化发光元件130的阳极。替选地，第六晶体管T6可以使用初始化信号Vini初始化第二晶体管T2与第五晶体管T5之间的节点。

电容器Cst可以是存储电容器Cst，其存储要施加至作为驱动晶体管的第二晶体管T2的栅电极的电压。在此，电容器Cst可以电连接在第二晶体管T2的栅电极与发光元件130的阳极之间。因此，电容器Cst可以存储第二晶体管T2的栅电极的电压与施加至发光元件130的阳极的电压之差。

在以上描述中，多个子像素SP中的每个子像素的像素电路被示出为包括例如第一至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst。然而，如上所述，本公开内容不限于此。

在下文中，将参照图3A、图3B和图4更详细地描述根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置100的子像素SP。

图3A是根据本公开内容的第一示例性实施方式的子像素的放大平面图。

图3B是沿图3A的线III-III’截取的截面图。

图4是根据本公开内容的第一示例性实施方式的子像素的截面图。

图3A示出了子像素具有六边形形状的示例，但是本公开内容不限于子像素的形状。图3B未示出覆盖层113下方的下部结构，并且图4示出了包括在图3B的截面图中示出的晶体管120的下部结构。然而，本公开内容不限于图4所示的下部结构。

为了便于说明，图3A仅示出了发光元件130的部件中的第一电极131和堤部114。堤部114可以设置在第一电极131上，除了通过开口OP露出的区域之外。为了便于说明，图4仅示出了子像素的像素电路的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst之中的一个晶体管120。

参照图3A、图3B和图4，根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置可以包括基板110、晶体管120、发光元件130、覆盖层113、堤部114和密封构件150。显示装置可以是顶部发光型显示装置，但不限于此。

多个子像素中的每个子像素是发光的单元，并且发光元件130可以设置在多个子像素中的每个子像素中。多个子像素可以包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。例如，第一子像素可以是蓝色子像素，第二子像素可以是绿色子像素，第三子像素可以是红色子像素。然而，本公开内容不限于此。

堤部114可以限定多个子像素。也就是说，堤部114可以被设置成与多个子像素中的发光元件130的第一电极131的一部分和覆盖层113交叠。基板110可以被划分成发光区EA和非发光区NEA。例如，在非发光区NEA中，堤部114可以设置在第一电极131上以阻挡在非发光区NEA中的光的产生。由于堤部114未设置在发光区EA中，因此有机层132直接位于第一电极131上。因此，可以从有机层132产生光。

非发光区NEA可以被划分成第一非发光区NEA1和第二非发光区NEA2。

第一非发光区NEA1是指堤部114的平坦的顶表面处的区域，第二非发光区NEA2是指堤部114的倾斜的顶表面处的区域。第二非发光区NEA2可以位于第一非发光区NEA1与发光区EA之间。

根据本公开内容，至少一个突出部140设置在第二非发光区NEA2中。图3A、图3B和图4示出了一个示例，其中一个突出部140设置在堤部114的一个侧表面(即，在第二非发光区NEA2中)，但是本公开内容不限于此。本公开内容的突出部140可以设置在堤部114的两个侧表面处(即，在第二非发光区NEA2中)，或者两个或更多个突出部140可以设置在堤部114的至少一个侧表面处。

如图3A所示，突出部140可以设置成围绕子像素的第一电极131的一部分。替选地，突出部140可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极131的边缘处，但是不限于此。图3A示出了其中突出部140仅设置在子像素的第一电极131的边缘的一部分上的示例，但是不限于此。本公开内容的突出部140可以不设置在子像素的第一电极131的边缘的一部分上，以用于在相邻子像素之间连接第二电极133。在下文中，有时将第二电极133称为阴极133。替选地，本公开内容的突出部140的至少一部分可以设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。替选地，本公开内容的突出部140可以沿着开口OP的边缘设置，并且至少一部分设置在第一非发光区NEA1中，而其他部分设置在第二非发光区NEA2中，并且设置在第二非发光区NEA2中的其他部分的长度大于突出部140的设置在第一非发光区NEA1中的至少一部分的长度。

突出部140可以被分成多个部分。也就是说，突出部140可以在第一电极131的边缘的一部分处断开连接并且被分成多个部分。然而，本公开内容不限于此。

此外，突出部140可以设置为与突出部140下方的第一电极131部分地交叠，但是不限于此。

本公开内容的突出部140在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。在这种情况下，在下边缘即下底的端部处的两个角度θ1和θ2在预定范围内可以是锐角或钝角。在截面图中，本公开内容的突出部140可以具有各种形状，例如多边形形状，例如三角形或矩形形状，或钟形形状。

本公开内容的突出部140可以起到抑制在例如多堆叠结构中发生的横向泄漏电流的作用。也就是说，本公开内容的突出部140可以在相邻的子像素之间使有机层132和阴极133彼此断开连接。然而，本公开内容不限于多堆叠结构，并且可以有效地应用于在普通的有机发光二极管显示装置中发生横向泄漏电流的情况。

为了抑制由于在有机发光二极管显示装置中使用公共层而发生并且主要由于在低灰度区域中的强电流路径而发生的电流泄漏的影响，可以增加电流路径的路径或断开连接。本公开内容在断开电流路径方面更有效。

特别地，根据本公开内容，突出部140设置在堤部114的倾斜侧表面处，即，在第二非发光区NEA2中。因此，不仅可以以钝角断开有机层132，而且可以以作为锥角的90°以下的锐角断开有机层132。在此，锥角(或切线角)是指基板110与在其上在第二非发光区NEA2中设置有突出部140的堤部114的顶表面的切线之间的角度。

本公开内容的突出部140可以由与堤部114不同的材料制成，但是不限于此。本公开内容的突出部140可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部140和堤部114可以以相同的工艺形成。

突出部140可以与堤部114一起被图案化。

与先前的使用蚀刻速率差的方法相比，根据本公开内容的断开电流路径的方法在简单的工艺条件下执行并且在选择材料方面具有高度的自由度。

参照图3B和图4，基板110是用于支承显示装置的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料制成。

例如，基板110可以由玻璃、树脂等制成。另外，基板110可以由包括塑料的材料例如聚合物或聚酰亚胺PI制成，或者可以由具有柔性的材料制成。

缓冲层111可以设置在基板110上。缓冲层111可以抑制水分或杂质渗透通过基板110。缓冲层111可以形成为硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层，或者硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的多层，但不限于此。然而，根据基板110的类型或晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但是不限于此。

晶体管120可以设置在缓冲层111上。晶体管120可以包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。

图4所示的晶体管120具有这样的结构，其中有源层122设置在栅电极121上，源电极123和漏电极124设置在有源层122上。也就是说，晶体管120具有底部栅极结构，其中栅电极121位于最低层，但是本公开内容不限于此。

栅电极121可以设置在缓冲层111上。

栅电极121可以由诸如铜Cu、铝Al、钼Mo、镍Ni、钛Ti、铬Cr或其合金的导电材料制成，但是不限于此。

栅极绝缘层112可以设置在栅电极121上。

栅极绝缘层112被配置成使有源层122与栅电极121绝缘。栅极绝缘层112可以形成为硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层，或者硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的多层，但不限于此。

有源层122可以设置在栅极绝缘层112上。

有源层122可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但是不限于此。例如，如果有源层122由氧化物半导体制成，则有源层122由沟道区、源极区和漏极区组成。源极区和漏极区可以被制成导电的，但是本公开内容不限于此。

蚀刻停止层117可以设置在有源层122上。当通过蚀刻和图案化来形成源电极123和漏电极124时，蚀刻停止层117可以用于抑制由等离子体引起的对有源层122的表面的损坏。蚀刻停止层117的一端可以与源电极123交叠，并且蚀刻停止层117的另一端可以与漏电极124交叠。否则，可以省略蚀刻停止层117。

源电极123和漏电极124可以设置在有源层122和蚀刻停止层117上。源电极123和漏电极124彼此间隔开并且可以电连接至有源层122。源电极123和漏电极124可以由诸如铜Cu、铝Al、钼Mo、镍Ni、钛Ti、铬Cr或其合金的导电材料制成，但是不限于此。

覆盖层113可以设置在晶体管120上。覆盖层113是被配置成平坦化基板110的上部的绝缘层。覆盖层113可以由有机材料制成。覆盖层113可以形成为例如聚酰亚胺或光丙烯酸的单层，或聚酰亚胺和光丙烯酸的多层，但是不限于此。

多个发光元件130可以设置在覆盖层113上的多个子像素中。每个发光元件130可以包括第一电极131、有机层132和第二电极133。虽然图中未示出，有机层132可以由设置在发光区EA中的发光层和设置在包括发光区EA和非发光区NEA的基板110的整个表面上的公共层组成。

第一电极131可以设置在覆盖层113上。

第一电极131可以电连接至晶体管120，并且因此可以被提供有像素电路的驱动电流。第一电极131可以由具有高功函的导电材料制成，以向发光层提供空穴。第一电极131可以由诸如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO的透明导电材料制成，但是不限于此。

显示装置可以被实现为顶部发光型或底部发光型。在顶部发光型显示装置的情况下，从发光层发射的光在向上方向(即，朝第二电极133)上被第一电极131反射。为此，还可以在第一电极131的下方设置由具有高反射效率的金属材料例如铝Al或银Ag制成的反射层。在底部发光型显示装置的情况下，第一电极131可以仅由透明导电材料制成。在下文中，将在假定本公开内容的显示装置是顶部发射显示装置的情况下进行描述。

例如，第一电极131可以具有包括反射层的两层或更多层的堆叠结构。

有机层132可以设置在第一电极131与第二电极133之间。

从第一电极131和第二电极133提供的电子和空穴在有机层132中结合，从而使有机层132发光。

为了提高有机发光二极管显示装置的质量和生产率，已经提出了用于提高效率和寿命并降低有机发光元件的功耗的各种有机发光元件结构。

因此，已经提出了采用单个堆叠即单个电致发光单元(EL单元)的有机发光元件。另外，已经提出采用多个堆叠即多个EL单元的堆叠的串联有机发光元件130以提高效率和寿命。然而，本公开内容不限于串联结构。在下文中，为了便于说明，将以串联结构为例进行描述。

在串联结构即采用第一EL单元和第二EL单元的堆叠的有机发光元件130中，通过电子和空穴之间的复合而发光的发光区位于第一EL单元和第二EL单元中的每个单元中。此外，从第一EL单元的第一发光层发射的光和从第二EL单元的第二发光层发射的光引起相长干涉。因此，串联有机发光元件130可以比采用单堆叠结构的有机发光元件130提供更高的亮度。

堆叠结构可以包括例如设置在第一电极131与第二电极133之间的电荷产生层。此外，堆叠结构可以包括设置在电荷产生层与第一电极131之间的第一堆叠以及设置在第二电极133与电荷产生层之间的第二堆叠。电荷产生层可以设置在第一堆叠与第二堆叠之间并且可以产生电荷。电荷产生层可以具有其中p型电荷产生层和n型电荷产生层被层叠的结构。也就是说，电荷产生层可以包括p型电荷产生层和n型电荷产生层，以在两个方向上产生正电荷和负电荷。电荷产生层可以基本上用作电极。

第一堆叠和第二堆叠中的每一个均包括至少一个发光层，并且可以包括在发光层上和下方的公共层。

随着有机发光二极管显示装置的分辨率增加，有机发光元件130中的由单个像素组成的多个子像素之间的距离减小。除了发光层EML之外的辅助有机层，例如空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电荷产生层CGL、电子注入层EIL和电子传输层ETL通过使用公共掩模被沉积并形成为对应于所有多个子像素的公共层。产生不同波长的光的多个子像素内部的发光层可以通过使用精细金属掩模被分别沉积并形成为对应于各个子像素。

对于如上所述的有机发光元件130，当在第一电极131和第二电极133之间施加电压时，通过在有机发光元件130内部形成的公共层在有机发光元件130的水平方向上产生横向泄漏电流。因此，发生由于与发光所需的子像素相邻的子像素的不期望的发光而引起的颜色混合。

与具有单堆叠结构的有机发光元件相比，在具有利用光的相长干涉的第一EL单元和第二EL单元被层叠的双堆叠结构的有机发光元件130中更严重地发生这种颜色混合。

因此，在本公开内容中，如图3A、图3B和图4所示，突出部140形成在堤部114的倾斜的第二非发光区NEA2中。因此，相邻的子像素之间的有机层132与第二电极133部分地断开连接。因此，特别地，当驱动具有多堆叠结构的显示装置时，可以使泄漏电流最小化。

再次参照图3B和图4，堤部114可以设置在第一电极131和覆盖层113上。堤部114是设置在多个子像素之间以将多个子像素分开的绝缘层。

堤部114可以包括开口OP，第一电极131的一部分通过开口OP露出。堤部114可以是设置成覆盖第一电极131的边缘或外围部分的有机绝缘材料。堤部114可以由聚酰亚胺或基于丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)的树脂制成，但不限于此。

多个间隔件可以设置在第一非发光区NEA1中的堤部114上。也就是说，间隔件可以设置在第一非发光区NEA1中的堤部114的平坦的顶表面上。间隔件可以设置在第一非发光区NEA1中的堤部114上，以在形成发光元件130时与沉积掩模保持预定距离。间隔件和沉积掩模下方的堤部114与第一电极131之间的预定距离可以由间隔件保持。另外，间隔件抑制了由接触引起的损坏。在此，多个间隔件中的每个间隔件可以形成为例如其宽度朝着其上侧减小的锥形形状，以最小化与沉积掩模的接触面积。

有机层132可以设置在第一电极131上。有机层132可以包括设置在多个子像素的每个子像素中的发光层和共同设置在多个子像素中的公共层。发光层是被配置成发射特定颜色的光的有机层。不同的发光层可以分别设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中。然而，本公开内容不限于此。子像素中的每个子像素可以包括多个发光层以发射白光。

公共层是被配置成提高发光层的发射效率的有机层。公共层可以形成为跨多个子像素的单层。也就是说，多个子像素中的每个子像素中的公共层可以彼此连接并且集成为一体。公共层可以包括HIL、HTL、ETL、EIL、CGL等，但是不限于此。

第二电极133可以设置在有机层132上。

第二电极133是被配置成向根据本公开内容的第一示例性实施方式的有机发光元件130提供电子的电极。第二电极133可以由具有低功函数的材料制成。第二电极133可以包含透明导电材料。例如，第二电极133可以由铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO、铟镓锌氧化物IGZO等制成。替选地，第二电极133可以包含选自金属材料(例如金Au、银Ag、铝Al、钼Mo、镁Mg、钯Pd和铜Cu或它们的合金)的任何一种。例如，第二电极133可以由镁Mg和银Ag的合金(Mg：Ag)制成。替选地，第二电极133可以具有由透明导电材料(例如，铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO或铟镓锌氧化物IGZO)制成的层和由金属材料(例如金Au、银Ag、铝Al、钼Mo、镁Mg、钯Pd或铜Cu或其合金)制成的层的堆叠，但不限于此。

尽管在附图中未示出，但是第二电极133可以电连接至低电势电力线，因此可以被提供有低电势电力信号。

密封构件150可以设置在第二电极133上。密封构件150可以设置在堤部114和发光元件130上。密封构件150可以抑制氧气和水分从外部渗透到显示装置中。例如，当显示装置露出于水分或氧气时，可能发生其中发光区EA减小的像素收缩，或者在发光区EA中可能出现黑点。因此，密封构件150阻挡氧气和水分以保护显示装置。

密封构件150可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。

第一封装层可以设置在第二电极133上以抑制水分或氧气的渗透。第一封装层可以由诸如硅氮化物SiNx、氮硅氧化物SiNxOy或氧化铝AlyOz的无机材料制成，但是不限于此。

第二封装层可以设置在第一封装层上以平坦化第一封装层的表面。另外，第二封装层可以覆盖在显示装置的制造过程中可能产生的异物或颗粒。第二封装层可以由诸如碳硅氧化物SiOxCz或基于丙烯酸或环氧基的树脂的有机材料制成，但不限于此。

第三封装层可以设置在第二封装层上，以类似于第一封装层抑制水分或氧气的渗透。第三封装层可以由诸如硅氮化物SiNx、氮硅氧化物SiNxOy、硅氧化物SiOx或铝氧化物AlyOz的无机材料制成，但不限于此。

如上所述，多个发光元件130的公共层可以形成为跨多个子像素的单层。由于多个子像素的发光元件130共享公共层，因此当特定子像素的发光元件130发光时，电流可以流到相邻子像素的发光元件130。也就是说，可能发生泄漏电流。电流泄漏导致不想要的子像素的发光元件130发光，这可能导致多个子像素之间的颜色混合以及功耗的增加。此外，由于泄漏电流，可能会观察到异常的颜色、色斑(mura)等，这可能会降低显示质量。例如，如果多个子像素中的仅第一子像素发光，则被提供来驱动第一子像素的发光元件130的一些电流可能通过公共层泄漏到与其相邻的第二子像素和/或第三子像素。

在根据本公开内容的显示装置中，如上所述，突出部140形成在第二非发光区NEA2中，即，隔堤部114的倾斜侧表面中。因此，可以使通过发光元件130的公共层的电流泄漏最小化。首先，在堤部114的倾斜侧表面处形成突出部140，并且在突出部140上沉积有机层132和第二电极133。因此，可以增加漏电流流路的长度。由于用作横向泄漏电流流路的有机层132的公共层形成在从堤部114突出的突出部140上方，因此不管有机层132是否断开连接，泄漏电流流路都可以增加。因此，可以减少流到相邻子像素的发光元件130的泄漏电流。有机层132可以被划分成设置在开口OP处的第一有机层和从堤部114的第一非发光区NEA1到突出部140的上部设置的第二有机层。这里，第二有机层的端部可以在突出部140的一个侧表面处与第一有机层间隔开。

另外，在根据本公开内容的显示装置中，突出部140设置在第二非发光区NEA2中，即堤部114的倾斜侧表面中。因此，在相邻子像素之间的有机层132和第二电极133可以至少部分地断开连接。因此，可以使流向相邻的子像素的泄露电流最小。

图3B和图4示出了有机层132和第二电极133在突出部140的右侧即在发光区EA与第二非发光区NEA2之间彼此断开连接的示例。然而，本公开内容不限于此。有机层132和第二电极133可以根据下基部处的左侧角度θ2的程度在突出部140的左侧和右侧彼此断开连接。

有机层132和第二电极133之间的这种断开结构可以形成在突出部140的至少一个侧表面处。由于突出部140设置在第二非发光区NEA2中，即堤部114的倾斜侧表面中，因此相对于水平面的突出部140的下基部的右侧角度θ1的程度可以大幅度增加。将参照图5对此进行详细描述。

图5是用于说明根据本公开内容的突出部的角度范围的图。

图5是用于说明根据本公开内容的第一示例性实施方式并且在图3B中示出的突出部140例如突出部140的角度范围的图。

参照图5，在本公开内容的突出部140的下基部处的右侧角θ1可以具有大于90°-α的锐角，以具有断开结构。另外，在突出部140的下基部处的左侧角θ2可以具有锐角。

在这种情况下，突出部140可以由有机材料或无机材料制成。

此外，突出部140可以由金属材料制成。如果突出部140由金属制成，则可以在初始定时时段中通过放电(或接地)来完全阻挡横向泄漏电流。

在本文中，α是指其上设置有突出部140的堤部114的顶表面与水平线之间的角度。也就是说，α是指基板110与在第二非发光区NEA2中其上设置有突出部140的堤部114的顶表面的切线之间的角度。在本文中，水平线可以位于与有机层132的沉积方向相同的方向上。

另外，β指的是在其上设置突出部140的堤部114的顶表面与垂直线之间的角度。

此外，γ1和γ2被示为突出部140的下基部的右侧角θ1的示例。

由于突出部140的下基部处的右侧角θ1更接近垂直角(90)，所以与隔堤部114的锥角无关，对于断开结构而言更有利。然而，本公开内容不限于此。在突出部140的下基部的端部处的右侧角θ1也可以具有90°。

由于α具有等于90°-β的值，因此突出部140下基部的右侧角θ1必须具有大于β的锐角。这是因为，如果突出部140的下基部的右侧角θ1等于与水平角形成的角度，则有机层132和阴极133也可以沉积在突出部140的侧表面上。然而，在考虑到有机层132的沉积期间的衍射和干涉裕量的情况下，突出部140的下基部的右侧角θ1需要具有显著大于β的锐角。

此外，在本公开内容的突出部140的下基部处的右侧角θ1可以具有小于120°的钝角。如果下基部处的右侧角度θ1为120°或更大，则由于上基部和下基部之间的长度差异较大，突出部140可能会塌陷。然而，本公开内容不限于此。钝角的范围可以根据突出部140的高度或关键尺寸CD而变化。突出部140的下基部处的左侧角θ2也可以具有钝角。

在这种情况下，突出部140可以由有机材料制成，例如形成交联剂的基于化学放大抗蚀剂(CAR)的负性光致抗蚀剂(PR)。

同时，如果在本公开内容的突出部140的下基部处的角度θ1和θ2具有锐角并且突出部140的至少一部分设置在第二非发光区NEA2中，则可以形成断开结构。如果突出部140的下基部处的角度θ1和θ2具有钝角，则断开结构可以形成在任何区域中。

另外，即使本公开内容的突出部140设置在第二非发光区NEA2中，相比于在切线角在45°与90°之间的区域中，也可以在堤部114的锥角的切线角为45°或更小的区域中更稳定地获得可加工性。

同时，如上所述，本公开内容的突出部可以设置在堤部的两个侧表面处。将根据本公开内容的第二示例性实施方式对此进行详细描述。

图6A是根据本公开内容的第二示例性实施方式的子像素的放大平面图。

图6B是沿图6A的线VI-VI'截取的截面图。

图6A和图6B中示出的本公开内容的第二示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了突出部240a和240b设置在堤部114的两个侧表面处，即，设置在开口OP的两个边缘处，并且因此有机层232和阴极233在开口OP的两个边缘处断开连接。在下文中，有时将阴极233称为第二电极233。因此，将省略重复的描述。

图6A示出了子像素具有六边形形状的示例，但是本公开内容不限于子像素的形状。为了便于说明，图6B未示出覆盖层113下方的下部结构。

为了便于说明，图6A仅示出了发光元件230的部件中的第一电极231和堤部114。在下文中，有时将第一电极231称为阳极231。堤部114可以设置在除了通过开口OP暴露的区域之外的任何区域中。

参照图6A和图6B，在根据本公开内容的第二示例性实施方式的显示装置中，突出部240a和240b可以设置在堤部114的两个侧表面(即，开口OP的两个边缘)处。

两个或更多个突出部240a和240b可以设置在堤部114的两个侧表面处。

如图6A所示，突出部240a和240b可以被设置为围绕子像素的第一电极231的一部分。替选地，突出部240a和240b可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极231的边缘处，但是本公开内容不限于此。

突出部240a和240b被分离为第一突出部240a和第二突出部240b，但是本公开内容不限于此。第一突出部240a和第二突出部240b可以延伸以在上部或下部处彼此连接。第一突出部240a和第二突出部240b可以不设置在子像素的第一电极231的边缘处，以在相邻子像素之间在第二电极233之间进行连接。替选地，本公开内容的突出部240a和240b可以至少部分地设置在第一非发光区中而不是在第二非发光区中。

此外，突出部240a和240b可以被设置为与突出部240a和240b下方的第一电极231部分交叠，但是本公开内容不限于此。

本公开内容的突出部240a和240b中的每一个在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是本公开内容不限于此。在这种情况下，下基部的端部处的两个角度在预定范围内可以是锐角或钝角。本公开内容的突出部240a和240b中的每一个在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的突出部240a和240b可以由与堤部114不同的材料制成，但是本公开内容不限于此。本公开内容的突出部240a和240b可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部240a和240b与堤部114可以以相同的工艺形成。

突出部240a和240b可以与堤部114一起被图案化。

同时，在本公开内容的第二示例性实施方式中，突出部240a和240b形成在堤部114的两个倾斜的侧表面处。沉积在第一电极231上的有机层232和第二电极233可以在堤部114的两个倾斜的侧表面处彼此断开连接。因此，在本公开内容的第二示例性实施方式中，与在本公开内容的第一示例性实施方式中相比，可以更有效地使电流泄漏最小化。此外，如果突出部240a和240b对称地设置在开口OP的左边缘和右边缘处，则可以改善视角。

如上所述，本公开内容的突出部可以被设置为围绕子像素的第一电极并且至少部分地与第一非发光区而不是在第二非发光区交叠。将根据本公开内容的第三示例性实施方式对此进行详细描述。

图7A是根据本公开内容的第三示例性实施方式的子像素的放大平面图。

图7B是沿图7A的线VIIa-VIIa'截取的截面图。

图7C是沿图7A的线VIIb-VIIb'截取的截面图。

图7A至图7C中示出的本公开内容的第三示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了突出部340被设置为围绕子像素的第一电极231并且至少部分地被设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。因此，将省略重复的描述。

图7B是沿图7A的线VIIa-VIIa'截取的子像素的左部和右部的截面图。图7C是沿图7A的线VIIb-VIIb'截取的子像素的下部的截面图。

图7B示出了第二非发光区NEA2和发光区EA的截面图，以及图7C示出了第一非发光区NEA1和第二非发光区NEA2以及发光区EA的截面图。

图7A示出了子像素具有六边形形状的示例，但是本公开内容不限于子像素的形状。为了便于说明，图7B和图7C未示出覆盖层113下方的下部结构。

为了便于说明，图7A仅示出了发光元件230的部件中的阳极231和堤部114。堤部114可以设置在除了通过开口OP暴露的区域之外的任何区域中。

参照图7A和图7B，在根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置中，突出部340可以设置在堤部114的开口OP的边缘处。

在此，突出部340可以被设置为围绕子像素的第一电极231的整个圆周。替选地，突出部340可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极231的边缘处，但是不限于此。

在本公开内容的第三示例性实施方式中，突出部340被设置为围绕子像素的第一电极231的整个圆周。因此，沉积在第一电极231上的有机层232和第二电极233可以在开口OP的至少上部以及左边缘和右边缘处彼此断开连接。因此，在本公开内容的第三示例性实施方式中，与在本公开内容的第一和第二示例性实施方式中相比，可以更有效地使电流泄漏最小化。

此外，突出部340可以被设置为与突出部340下方的第一电极231部分交叠，但是不限于此。

本公开内容的突出部340在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。在这种情况下，下基部的端部处的两个角度在预定范围内可以是锐角或钝角。本公开内容的突出部340在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的突出部340可以由与堤部114不同的材料制成，但是不限于此。本公开内容的突出部340可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部340和堤部114可以以相同的工艺形成。

突出部340可以与堤部114一起被图案化。

参照图7A和图7C，本公开内容的突出部340可以至少部分地设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中，以在相邻子像素之间在第二电极233之间进行连接。

设置在第一非发光区NEA1中的突出部340在下基部处相对于水平线的角度小于设置在堤部114的倾斜侧表面处即设置在第二非发光区NEA2中的突出部340的角度。因此，突出部340置于其间的有机层232和阴极233可以在不断开连接的情况下连续地沉积。

同时，可以提供两个基板以抑制湿气的渗透并支承部件。将根据本公开内容的第四示例性实施方式对此进行详细描述。

图8是根据本公开内容的第四示例性实施方式的子像素的截面图。

图8中示出的本公开内容的第四示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了设置有两个基板410a和410b。因此，将省略重复的描述。

图8示出了下部结构的示例，但是本公开内容不限于此。

为了便于说明，图8仅示出了子像素中的像素电路的电容器和多个晶体管中的一个晶体管120。

参照图8，根据本公开内容的第四示例性实施方式的显示装置可以包括第一基板410a和第二基板410b、晶体管120、发光元件130、覆盖层113、堤部114和密封构件150。显示装置可以被实现为顶部发射型，但是不限于此。

也就是说，根据第四示例性实施方式的显示装置包括第一基板410a和第二基板410b，并且还可以包括在第一基板410a与第二基板410b之间的缓冲层415。

第一基板410a和第二基板410b是用于支承显示装置的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料制成。例如，第一基板410a和第二基板410b可以由包括诸如聚合物或聚酰亚胺PI的塑料的材料制成，或者可以由具有柔性的材料制成。此外，缓冲层415可以形成为硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层，或者硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的多层，但是不限于此。

图8中示出的晶体管120具有其中有源层122设置在栅电极121上并且源电极123和漏电极124设置在有源层122上的结构。也就是说，晶体管120具有栅电极121位于最低层的底栅结构，但是本公开内容不限于此。

图8示出了一个突出部140设置在堤部114的一个侧表面处(即，在第二非发光区NEA2中)的示例，但是本公开内容不限于此。本公开内容的突出部140可以设置在堤部114的两个侧表面处(即，在第二非发光区NEA2中)，或者两个或更多个突出部140可以设置在堤部114的至少一个侧表面处。

此外，本公开内容的突出部140可以被设置为围绕子像素的第一电极131，除了子像素的第一电极131的边缘的一部分。替选地，本公开内容的突出部140可以至少部分地设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。

此外，本公开内容的突出部140可以包括沿着子像素的开口的形状在第一电极131的边缘的至少一部分处的两个或更多个部分。

同时，考虑到像素电路的多个晶体管中的每个晶体管的功能，有源层可以由彼此不同的材料制成。将根据本公开内容的第五示例性实施方式对此进行详细描述。

图9是根据本公开内容的第五示例性实施方式的子像素的截面图。

图9中示出的本公开内容的第五示例性实施方式具有与图8中示出的显示装置基本上相同的配置，除了晶体管520a和520b。因此，将省略重复的描述。

图9示出了下部结构的示例，但是本公开内容不限于此。

为了便于说明，图9示出了子像素中的像素电路的多个晶体管中的第一晶体管520a和第二晶体管520b。

参照图9，根据本公开内容的第五示例性实施方式的显示装置可以包括第一基板310a和第二基板310b、第一晶体管520a和第二晶体管520b、发光元件130、覆盖层113、堤部114和密封构件150。

也就是说，根据第五示例性实施方式的显示装置包括第一基板310a和第二基板310b，并且还可以包括在第一基板310a与第二基板310b之间的缓冲层311b。

图9示出了一个突出部140设置在堤部114的一个侧表面处(即，在第二非发光区NEA2中)的示例，但是本公开内容不限于此。本公开内容的突出部140可以设置在堤部114的两个侧表面处(即，在第二非发光区NEA2中)，或者两个或更多个突出部140可以设置在堤部114的至少一个侧表面处。

此外，本公开内容的突出部140可以被设置为围绕除了子像素的第一电极131的边缘的一部分之外的、子像素的第一电极131。替选地，本公开内容的突出部140可以至少部分地设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。

第一基板310a和第二基板310b是用于支承显示装置的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料制成。例如，第一基板310a和第二基板310b可以由包括诸如聚合物或聚酰亚胺PI的塑料的材料制成，或者可以由具有柔性的材料制成。此外，缓冲层311b可以形成为硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层，或者硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的多层，但是不限于此。

可以在第一基板310a上设置另一缓冲层311a。

缓冲层311a可以抑制湿气或杂质透过第一基板310a的渗透。缓冲层311a可以形成为硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层，或者硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的多层，但是不限于此。

尽管在附图中未示出，但是可以在缓冲层311a上设置又一缓冲层。

又一缓冲层可以抑制在第一晶体管520a的结晶化期间生成的离子或杂质的渗透。

可以在缓冲层311a上设置第一晶体管520a和第二晶体管520b。

第一晶体管520a可以包括第一有源层522a、第一栅电极521a、第一源电极523a和第一漏电极524a。

第二晶体管520b可以包括第二有源层522b、第二栅电极521b、第二源电极523b和第二漏电极524b。

可以在缓冲层311a上设置第一有源层522a。

例如，第一有源层522a可以由低温多晶硅LTPS制成。多晶硅具有高迁移率、低功耗和优异的可靠性。因此，多晶硅可以应用于驱动晶体管等。

可以在第一有源层522a上设置栅极绝缘层312。

可以在栅极绝缘层312上设置第一栅电极521a。

可以在栅极绝缘层312上设置第一存储电极ST1和遮光层525b。

遮光层525b被设置为与第二晶体管520b的第二有源层522b交叠，并且保护第二晶体管520b免受从外部进入的光或湿气的影响。因此，遮光层525b可以使第二晶体管520b的元件特性的变化最小化。尽管图9示出了遮光层525b是浮置的，但是遮光层525b可以电连接至诸如多条线的另一部件，但是本公开内容不限于此。

可以在第一栅电极521a、第一存储电极ST1和遮光层525b上设置层间绝缘层313。

第二存储电极ST2可以设置在层间绝缘层313上，以便与第一存储电极ST1的一部分交叠。

可以在第二存储电极ST2上设置第一钝化层314a和第二钝化层314b。第一钝化层314a和第二钝化层314b可以包括用于在第一源电极523a和第一漏电极524a分别与第一有源层522a之间连接的接触孔。此外，第二钝化层314b可以包括用于在第二源电极523b和第二漏电极524b分别与第二有源层522b之间连接的接触孔。

可以在第一钝化层314a上设置第二有源层522b。

第二有源层522b可以由氧化物半导体材料制成。氧化物半导体材料具有比硅大的带隙，使得电子在截止状态下可能不穿过带隙并且截止电流低。因此，由氧化物半导体材料制成的晶体管可以应用于保持短时间导通和长时间截止的开关晶体管。

可以在第二有源层522b上设置栅极绝缘层，并且可以在栅极绝缘层上设置第二栅电极521b。

栅极绝缘层可以以与第二栅电极521b相同的方式被图案化。

可以在第二钝化层314b上设置第一源电极523a和第一漏电极524a。彼此间隔开的第一源电极523a和第一漏电极524a可以电连接至第一有源层522a。此外，可以在第二钝化层314b上设置第二源电极523b和第二漏电极524b。彼此间隔开的第二源电极523b和第二漏电极524b可以电连接至第二有源层522b。

可以在第二钝化层314b上设置覆盖层113。

图9示出了第一晶体管520a的第一有源层522a由LTPS制成并且第二晶体管520b的第二有源层522b由氧化物半导体材料制成的示例。然而，第一有源层522a可以由氧化物半导体材料制成，或者第二有源层522b可以由LTPS制成，但是本公开内容不限于此。

在根据本公开内容的第五示例性实施方式的显示装置中，像素电路的多个晶体管520a和520b由彼此不同的类型组成。因此，可以改善像素电路的性能。像素电路包括多个晶体管520a和520b以及电容器，并且多个晶体管520a和520b可以是彼此不同类型的晶体管。例如，在多个晶体管520a和520b之中的第一晶体管520a中，第一有源层522a可以由LTPS制成。此外，在第二晶体管520b中，第二有源层522b可以由氧化物半导体材料制成。包括LTPS的第一晶体管520a具有高迁移率和低功耗，并且因此可以应用于驱动晶体管。包括氧化物半导体材料的第二晶体管520b保持短时间导通和长时间截止，并且因此可以应用于开关晶体管。因此，在根据本公开内容的第五示例性实施方式的显示装置中，考虑到像素电路的多个晶体管520a和520b中的每一个的功能，第一有源层522a和第二有源层522b可以由彼此不同的材料制成。另外，可以改善像素电路的性能。

如上所述，本公开内容的突出部的下基部的端部处的角度可以是钝角。将根据本公开内容的第六示例性实施方式对此进行详细描述。

图10A和图10B是根据本公开内容的第六示例性实施方式的子像素的截面图。

图10A和图10B中示出的本公开内容的第六示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了在突出部640的下基部的端部处的两个角度(θ1，θ2)是钝角。因此，将省略重复的描述。

为了便于说明，图10B示出了图10A的放大图，其中省略了覆盖层113下方的下部结构。

参照图10A和图10B，在根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置中，突出部640可以设置在堤部114的一个侧表面处(即，开口OP的一个边缘处)。然而，如上所述，本公开内容不限于此，并且突出部640可以设置在堤部114的两个侧表面处。

此外，两个或更多个突出部640可以设置在堤部114的至少一个侧表面处。

突出部640可以被设置为围绕子像素的第一电极131的至少一部分。替选地，突出部640可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极131的边缘处，但是不限于此。

突出部640可以被分成多个部分，但是本公开内容不限于此。也就是说，突出部640可以在第一电极131的边缘的一部分处断开连接并且被分成多个部分。在此，突出部640可以不设置在子像素的第一电极131的边缘的一部分处，以在相邻子像素之间在第二电极133之间进行连接。替选地，本公开内容的突出部640可以至少部分地设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。

此外，突出部640可以被设置为与突出部640下方的第一电极131部分交叠，但是不限于此。

本公开内容的突出部640在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。在这种情况下，下基部的端部处的两个角度(θ1，θ2)可以在预定范围内呈钝角。本公开内容的突出部640在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的突出部640可以由与堤部114不同的材料制成，但是不限于此。本公开内容的突出部640可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部640和堤部114可以以相同的工艺形成。

突出部640可以与堤部114一起被图案化。

根据本公开内容的第六示例性实施方式的在突出部640的下基部处的右侧角度θ1可以具有小于120°的钝角。如果下基部处的右侧角度θ1为120°或更大，则突出部640可能由于上基部与下基部之间的长度差异大而塌陷。然而，本公开内容不限于此。钝角的范围可以根据突出部640的高度或临界尺寸CD而变化。突出部640的下基部处的左侧角度θ2也可以具有钝角。

在这种情况下，突出部640可以由有机材料制成，例如形成交联剂的基于化学放大抗蚀剂(CAR)的负性光致抗蚀剂PR。

本公开内容的突出部可以由与堤部相同的材料制成并且与堤部一起被图案化。将根据本公开内容的第七示例性实施方式对此进行详细描述。

图11A和图11B是根据本公开内容的第七示例性实施方式的子像素的截面图。

图11A和图11B中示出的本公开内容的第七示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了突出部714a由与堤部714相同的材料制成并且与堤部714一起被图案化。因此，将省略重复的描述。

为了便于说明，图11B示出了图11A的放大图，其中省略了在覆盖层113下方的下部结构。

参照图11A和图11B，在根据本公开内容的第七示例性实施方式的显示装置中，突出部714a可以设置在堤部714的一个侧表面处(即，在开口OP的一个边缘处)。然而，本公开内容不限于此，并且突出部714a可以设置在堤部714的两个侧表面处。

此外，两个或更多个突出部714a可以设置在堤部714的至少一个侧表面处。

突出部714a可以被设置为围绕子像素的第一电极131的至少一部分。替选地，突出部714a可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极131的边缘处，但是不限于此。

突出部714a可以被分成多个部分，但是本公开内容不限于此。也就是说，突出部714a可以在第一电极131的边缘的一部分处断开连接并且被分成多个部分。在此，突出部714a可以不设置在子像素的第一电极131的边缘的一部分处，以在相邻子像素之间在第二电极133之间进行连接。替选地，本公开内容的突出部714a可以至少部分地设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。

此外，突出部714a可以被设置为与突出部714a下方的第一电极131部分交叠，但是不限于此。

本公开内容的突出部714a在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。在这种情况下，下基部的端部处的两个角度在预定范围内可以是锐角或钝角。本公开内容的突出部714a在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的突出部714a可以由与堤部714相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部714a和堤部714可以以相同的工艺形成。

堤部714和突出部714a可以是有机材料。例如，堤部714和突出部714a可以由有机材料例如聚酰亚胺或丙烯酸基树脂或苯并环丁烯基树脂制成，但是不限于此。

例如，如果堤部714和突出部714a由聚酰亚胺制成，则堤部714和突出部714a可以具有约1.6的折射率。

堤部714和突出部714a可以一起被图案化。在这种情况下，可以使用半色调掩模、三色调掩模或多色调掩模。在这种情况下，间隔件也可以与突出部714a一起形成。

特别地，在本公开内容的第七示例性实施方式中，不需要对准堤部714和突出部714a，这对于处理是有利的。

同时，如上所述，两个或更多个突出部可以设置在堤部的至少一个侧表面处。将根据本公开内容的第八示例性实施方式对此进行详细描述。

图12A是根据本公开内容的第八示例性实施方式的子像素的放大平面图。

图12B是沿图12A的线XII-XII'截取的截面图。

图12A和图12B中示出的本公开内容的第八示例性实施方式具有与本公开内容的第一示例性实施方式基本上相同的配置，除了在堤部114的一个侧表面处设置有两个即第一突出部840a和第二突出部840b。因此，将省略重复的描述。

图12A示出了子像素具有六边形形状的示例，但是本公开内容不限于子像素的形状。为了便于说明，图12B未示出覆盖层113下方的下部结构。

为了便于说明，图12A仅示出了发光元件130的部件中的第一电极131和堤部114。堤部114可以设置在除了通过开口OP暴露的区域之外的任何区域中。

参照图12A和图12B，在根据本公开内容的第八示例性实施方式的显示装置中，第一突出部840a和第二突出部840b可以设置在堤部114的一个侧表面处(即，开口OP的一个边缘处)。

替选地，两个即第一突出部840a和第二突出部840b可以设置在堤部114的两个侧表面处。也就是说，两个或更多个第一突出部840a和第二突出部840b可以设置在堤部114的至少一个侧表面处。

如图12A所示，第一突出部840a和第二突出部840b可以被设置为围绕子像素的第一电极131的一部分。替选地，第一突出部840a和第二突出部840b可以沿着子像素的开口OP的形状设置在第一电极131的边缘，但是本公开内容不限于此。

第一突出部840a和第二突出部840b可以彼此分离，但是本公开内容不限于此。第一突出部840a的下基部和第二突出部840b的下基部可以彼此连接。

第一突出部840a和第二突出部840b可以不设置在子像素的第一电极131的边缘的一部分处，以在相邻子像素之间在第二电极133之间进行连接。替选地，本公开内容的第一突出部840a和第二突出部840b可以至少部分地设置在第一非发光区中而不是在第二非发光区中。

此外，第一突出部840a和第二突出部840b可以被设置为与第一突出部840a和第二突出部840b下方的第一电极131部分交叠，但是不限于此。

本公开内容的第一突出部840a和第二突出部840b中的每一个在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是本公开内容不限于此。在这种情况下，下基部的端部处的两个角度在预定范围内可以是锐角或钝角。本公开内容的第一突出部840a和第二突出部840b中的每一个在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的第一突出部840a和第二突出部840b可以由与堤部114不同的材料制成，但是本公开内容不限于此。本公开内容的第一突出部840a和第二突出部840b可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，第一突出部840a和第二突出部840b与堤部114可以以相同的工艺形成。

第一突出部840a和第二突出部840b可以与堤部114一起被图案化。

第一突出部840a和第二突出部840b可以具有彼此不同的尺寸。

第一突出部840a和第二突出部840b可以具有彼此不同的高度。

第一突出部840a和第二突出部840b可以设置在彼此不同的位置处。

在本公开内容的第八示例性实施方式中，在堤部114的至少一个侧表面处形成至少两个、第一突出部840a和第二突出部840b。因此，可以增加电流路径的长度。此外，当调节第一突出部840a和第二突出部840b的下基部的端部处的角度时，有机层132和第二电极133可能在第二突出部840b的一个侧表面处断开连接。此外，有机层132和第二电极133可能在第一突出部840a的一个侧表面处，即在第一突出部840a与第二突出部840b之间断开连接。因此，在本公开内容的第八示例性实施方式中，与在本公开内容的第一示例性实施方式中相比，可以更有效地使电流泄漏最小化。

本公开内容的断开结构可以通过附加的掩模工艺形成，或者可以通过用于形成常规堤部或间隔件的掩模工艺形成。将参照附图对此进行详细描述。

图13A至图13D是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

为了便于说明，将省略覆盖层113下方的下部结构进行描述。

参照图13A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

覆盖层113是被配置成使基板的上部变平的绝缘层。覆盖层113可以由有机材料制成。覆盖层113可以形成为例如聚酰亚胺或光丙烯酸的单层，或聚酰亚胺和光丙烯酸的多层，但是不限于此。

覆盖层113可以形成为约2μm的厚度，但是不限于此。

可以在多个子像素中在覆盖层113上设置多个发光元件。每个发光元件可以包括第一电极231、有机层和第二电极。

首先，在覆盖层113上形成第一电极231。

第一电极231可以电连接至晶体管，并且因此可以被供应有像素电路的驱动电流。第一电极231可以由具有高功函数的导电材料制成，以向发射层供应空穴。第一电极231可以由诸如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO的透明导电材料制成，但是不限于此。

显示装置可以被实现为顶部发射型或底部发射型。在顶部发射型显示装置的情况下，还可以在第一电极231下方设置由具有高反射效率的金属材料如铝Al或银Ag制成的反射层。在底部发射型显示装置的情况下，第一电极231可以仅由透明导电材料制成。在下文中，将在假定本公开内容的显示装置是顶部发射显示装置的情况下进行描述。

例如，第一电极231可以具有包括反射层的两层或更多层的堆叠结构。

第一电极231可以形成为约0.1μm的厚度，但是不限于此。

然后，参照图13B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成堤部114和间隔件360。

堤部114和间隔件360可以分别以相同的掩模工艺或以不同的掩模工艺形成。

堤部114可以包括开口OP，第一电极231的一部分通过开口OP暴露。堤部114可以是被设置成覆盖第一电极231的边缘或外围部分的有机绝缘材料。堤部114可以由聚酰亚胺或丙烯酸基树脂或苯并环丁烯(BCB)基树脂制成，但是不限于此。

间隔件360可以形成在堤部114的平坦顶表面上，即，在第一非发光区上。间隔件360可以设置在堤部114上，以在形成发光元件时与沉积掩模保持预定距离。在间隔件360下方的堤部114和第一电极231与沉积掩模之间的预定距离可以由间隔件360保持。此外，间隔件360可以抑制由接触引起的损坏。在本文中，多个间隔件360中的每一个可以形成为例如锥形形状，其宽度朝着其上侧减小，以使与沉积掩模的接触面积最小化。

堤部114和间隔件360可以分别形成为1μm至2μm和1.5μm至2.5μm的厚度，但是不限于此。

然后，参照图13C，将光反应性有机材料涂覆在基板的整个表面上。

光反应性有机材料可以包括光致抗蚀剂PR。

在本文中，可以使用正型PR。在这种情况下，可以形成具有正常锥形形状的突出部。

PR可以被涂覆至0.5μm或更小的厚度，但是不限于此。

然后，使用预定掩模390进行曝光和显影，以在堤部114的侧表面处即第二非发光区中形成突出部340。

在此，由于使用正型PR，因此可以将掩模390的阻挡区域定位为与要形成的突出部340相对应。

突出部340在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。本公开内容的突出部340在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

突出部340可以具有正常锥形形状，即在下基部的端部处成锐角。

然后，参照图13D，可以通过热处理来固化突出部340。固化工艺可以抑制由锥形形状引起的由有机材料制成的突出部340的向下流动。

在此，形成的突出部340的高度可以小于间隔件360的高度。

然后，可以形成有机层和阴极。如上所述，有机层和阴极可以在开口OP的两个边缘处彼此断开连接。形成有机层之后的工艺与常规工艺中基本上相同，并且因此将省略其描述。

图14A至图14D是顺序示出根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

图14A至图14D中示出的根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的制造过程与图13A至图13D中示出的制造过程基本上相同，除了使用负型PR作为有机材料。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图14A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图14B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成堤部114和间隔件360。

然后，参照图14C，将光反应性有机材料涂覆在基板的整个表面上。

光反应性有机材料可以包括PR。

在本文中，可以使用负型PR。在这种情况下，可以形成具有倒锥形形状的突出部。

PR可以被涂覆至约1.5μm的厚度，但是不限于此。

然后，使用预定掩模690进行曝光和显影，以在堤部114的侧表面处即第二非发光区中形成突出部640。

在此，由于使用负型PR，因此可以将掩模690的透射区域定位为与要形成的突出部640相对应。

突出部640在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。本公开内容的突出部640在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

突出部640可以具有倒锥形形状，即在下基部的端部处成钝角。在这种情况下，由于倒锥形形状，可以形成稳定的断开结构。

然后，参照图14D，可以通过热处理来固化突出部640。

在此，形成的突出部640的高度可以小于间隔件360的高度。

同时，如果通过附加的掩模工艺形成突出部340和640，则可以使用无机材料代替上述有机材料。在使用无机材料的情况下，容易控制突出部340和640的锥形形状和高度。

图15A至图15D是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的另一制造过程的截面图。

图15A至图15D中示出的根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的另一制造过程与图13A至图13D中示出的制造过程基本上相同，除了突出部使用精细金属掩模FMM由无机材料制成。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图15A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图15B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成堤部114和间隔件360。

然后，参照图15C和图15D，在基板上方设置作为沉积掩模390'的FMM。

此后，通过沉积掩模390'将诸如硅氧化物SiOx的无机材料沉积在基板上，使得在堤部114的侧表面处即第二非发光区中形成突出部340'。。

在这种情况下，可以沉积具有正常锥形形状的突出部340'。

突出部340'可以形成为约0.7μm至1.5μm的厚度，但是不限于此。

然后，可以使用缓冲氧化物蚀刻BOE进行蚀刻。

当使用沉积掩模390'形成突出部340'时，可以抑制由曝光和显影引起的对曝光区域的损坏。

图16A至图16F是顺序示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的又一制造过程的截面图。

图16A至图16F中示出的根据本公开内容的第三示例性实施方式的显示装置的又一制造过程与图13A至图13D中示出的制造过程基本上相同，除了突出部由无机材料或金属制成。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图16A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图16B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成堤部114和间隔件360。

然后，参照图16C，在基板的整个表面上形成第一层370和第二层380。

提供第一层370以形成突出部，并且第一层370可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料或诸如Mo或Cu的导电金属制成。

可以通过化学气相沉积CVD来沉积无机材料，并且可以通过溅射来沉积金属。

第二层380可以由诸如PR的光反应性有机材料制成。

在本文中，可以使用正型PR。在这种情况下，可以形成具有正常锥形形状的突出部。

然后，参照图16D，可以在其上已经形成有第一层370和第二层380的基板上方设置预定掩模390。

此后，通过掩模390选择性地暴露第二层，以形成由第二层制成的第一PR图案380'和第二PR图案380”。

可以通过显影溶液去除暴露的第一PR图案380'。

然后，参照图16E，使用在不被显影溶液去除的情况下保留的第二PR图案380”作为掩模来选择性地蚀刻其下部中的第一层。因此，突出部340形成在堤部114的侧表面处即第二非发光区中。

在此，如果第一层由无机材料制成，则BOE可以用作蚀刻剂。

突出部340在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。本公开内容的突出部340在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

突出部340可以具有正常锥形形状，即在下基部的端部处成锐角。

然后，参照图16F，可以通过剥离去除保留的第二PR图案380”。

图17A至图17F是顺序示出根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的另一制造过程的截面图。

图17A至图17F中示出的根据本公开内容的第六示例性实施方式的显示装置的另一制造过程与图16A至图16F中示出的制造过程基本上相同，除了使用负型PR。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图17A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图17B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成堤部114和间隔件660。

然后，参照图17C，在基板的整个表面上形成第一层670和第二层680。

提供第一层670以形成突出部，并且第一层670可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料或诸如Mo或Cu的导电金属制成。

第二层680可以由诸如PR的光反应性有机材料制成。

在本文中，可以使用负型PR。在这种情况下，可以形成具有倒锥形形状的突出部。

然后，参照图17D，可以在其上已经形成有第一层670和第二层680的基板上方设置预定掩模690。

此后，通过掩模690选择性地暴露第二层，以形成由第二层制成的第一PR图案680'和第二PR图案680”。

由于使用负型PR，因此可以通过显影溶液去除未暴露的第一PR图案680'。

然后，参照图17E，使用在不被显影溶液去除的情况下保留的第二PR图案680”作为掩模来选择性地蚀刻其下部中的第一层。因此，突出部640形成在堤部114的侧表面处即第二非发光区中。

突出部640在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。本公开内容的突出部640在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

突出部640可以具有倒锥形形状，即在下基部的端部处成钝角。然而，本公开内容不限于此。根据工艺条件，突出部640也可以具有正常锥形形状。

然后，参照图17F，可以通过剥离去除保留的第二PR图案680”。

同时，如果突出部340和640由无机材料形成，则容易形成具有陡峭锥形的图案等，并且可以抑制突出部340和640的向下流动。

此外，如果使用负型PR，则暴露区域可以被最小化。因此，可以使由曝光和显影引起的损坏最小化。特别地，第一电极231、堤部114和间隔件660可以不暴露于该工艺。

图18A至图18C是顺序示出根据本公开内容的第九示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

在图18A至图18C中示出的根据本公开内容的第九示例性实施方式的显示装置的制造过程中，通过使用半色调掩模的单掩模工艺形成堤部914、间隔件960和突出部940。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图18A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图18B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成第一层和第二层。

尽管在附图中未示出，但是第一层可以由有机材料制成以形成堤部914，并且第二层可以由光反应性有机材料制成以形成间隔件960和突出部940。

光反应性有机材料可以包括PR。

然后，在其上已经形成有第一层和第二层的基板上方设置半色调掩模990。

半色调掩模990可以包括堤部光掩模部分990a和间隔件光掩模部分990b。

此后，可以使用半色调掩模990进行曝光和显影，以形成堤部914、间隔件960和突出部940。

堤部914、间隔件960和突出部940在锥角上可以彼此相似。

间隔件960和突出部940中的每一个可以具有圆顶形状而不是附图中示出的梯形形状，但是梯形形状更易于形成结构。间隔件960和突出部940中的每一个可以具有正常锥形形状，即在下基部的端部处成锐角。然而，本公开内容不限于此。

然后，参照图18C，可以通过热处理来固化间隔件960和突出部940。

在此，形成的突出部940可以具有与间隔件960相同的高度。

图19A至图19C是顺序示出根据本公开内容的第十示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

图19A至图19C中示出的根据本公开内容的第十示例性实施方式的显示装置的制造过程与根据第九示例性实施方式的制造过程基本上相同，除了间隔件1060和突出部1040中的每一个具有圆顶形状。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图19A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图19B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成第一层和第二层。

尽管在附图中未示出，但是第一层可以由有机材料制成以形成堤部1014，并且第二层可以由光反应性有机材料制成以形成间隔件1060和突出部1040。

光反应性有机材料可以包括PR。

然后，在其上已经形成有第一层和第二层的基板上方设置半色调掩模1090。

半色调掩模1090可以包括堤部光掩模部分1090a和间隔件光掩模部分1090b。

此后，可以使用半色调掩模1090进行曝光和显影，以形成堤部1014、间隔件1060和突出部1040。

堤部1014、间隔件1060和突出部1040在锥角上可以彼此相似。

间隔件1060和突出部1040中的每一个可以具有圆顶形状。

突出部1040可以是双倾斜的，并且其下部可以比其上部更陡峭的倾斜，但是不限于此。

然后，参照图19C，可以通过热处理来固化间隔件1060和突出部1040。

图20A至图20C是顺序示出根据本公开内容的第十一示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

图20A至图20C中示出的根据本公开内容的第十一示例性实施方式的显示装置的制造过程与根据第九示例性实施方式的制造过程基本上相同，除了通过使用三色调掩模的单掩模工艺形成堤部1114、间隔件1160和突出部1140中的每一个。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图20A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图20B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成第一层和第二层。

尽管在附图中未示出，但是第一层可以由有机材料制成以形成堤部1114，并且第二层可以由光反应性有机材料制成以形成间隔件1160和突出部1140。

光反应性有机材料可以包括PR。

然后，在其上已经形成有第一层和第二层的基板上方设置三色调掩模1190。

三色调掩模1190可以包括堤部光掩模部分1190a、间隔件光掩模部分1190b和突出部光掩模部分1190c。

此后，可以使用三色调掩模1190进行曝光和显影，以形成堤部1114、间隔件1160和突出部1140。

堤部1114、间隔件1160和突出部1140在锥角上可以彼此相似。

间隔件1160和突出部1140中的每一个可以具有梯形形状。

然后，参照图20C，可以通过热处理来固化间隔件1160和突出部1140。

图21A至图21C是顺序示出根据本公开内容的第十二示例性实施方式的显示装置的一部分的制造过程的截面图。

图21A至图21C中示出的根据本公开内容的第十二示例性实施方式的显示装置的制造过程与根据第十一示例性实施方式的制造过程基本上相同，除了间隔件1260和突出部1240中的每一个具有圆顶形状。因此，将省略对相同配置和制造过程的重复描述。

参照图21A，在包括电容器和多个晶体管的基板上形成覆盖层113。

然后，在覆盖层113上形成第一电极231。

此后，参照图21B，在其上已经形成有第一电极231的基板上形成第一层和第二层。

尽管在附图中未示出，但是第一层可以由有机材料制成以形成堤部1214，并且第二层可以由光反应性有机材料制成以形成间隔件1260和突出部1240。

光反应性有机材料可以包括PR。

然后，在其上已经形成有第一层和第二层的基板上方设置三色调掩模1290。

三色调掩模1290可以包括堤部光掩模部分1290a、间隔件光掩模部分1290b和突出部光掩模部分1290c。

此后，可以使用三色调掩模1290进行曝光和显影，以形成堤部1214、间隔件1260和突出部1240。

堤部1214、间隔件1260和突出部1240在锥角上可以彼此相似。

间隔件1260和突出部1240中的每一个可以具有圆顶形状。

同时，如果使用三色调掩模1190和1290，则间隔件1160和1260可以分别具有与突出部1140和1240不同的高度。

图22是示出根据本公开内容的第九示例性实施方式的子像素的一部分的截面图。

图23是示出根据本公开内容的第十三示例性实施方式的子像素的一部分的截面图。

图22示出了通用掩模990的布局以及示出使用通用掩模990形成的子像素的一部分的截面图。

图23示出了多色调掩模1390的布局以及示出使用多色调掩模1390形成的子像素的一部分的截面图。

在此，为了便于说明，省略了突出部的图示。

参照图22和图23，可以看出，如果使用多色调掩模1390形成堤部1314和间隔件1360，则与使用通用掩模990的情况相比，增加了曝光区域。因此，增加了堤部1314的锥形区域。

也就是说，可以看出，如果使用多色调掩模1390，则第二非发光区NEA2进一步增大，并且堤部1314的锥角减小。

尽管在附图中未示出，但是如果使用多色调掩模1390，则堤部1314、间隔件1360和突出部在锥角上可以彼此相似。

间隔件1360和突出部中的每一个可以具有圆顶形状而不是附图中示出的梯形形状，但是梯形形状更易于形成结构。

根据本公开内容，如上所述形成的突出部可以应用于具有pentile结构或实结构的子像素。将参照以下附图对此进行详细描述。

图24是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。

图25是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图26是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图27是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图28是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图29是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图30是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图24至图30示出了其中第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3以菱形形状布置的菱形pentile像素阵列结构。菱形pentile像素阵列结构已知为具有优异的感知图像质量。然而，本公开内容不限于像素结构。

参照图24至图30，子像素SP可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。

多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3可以交替设置在同一列中或同一行中。例如，第一子像素SP1和第三子像素SP3可以交替设置在同一列中，并且第一子像素SP1和第三子像素SP3可以交替设置在同一行中。

多个第二子像素SP2可以设置在与多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3不同的列中和不同的行中。例如，多个第二子像素SP2可以设置在一个行中，并且多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3可以交替设置在与该一个行相邻的另一行中。多个第二子像素SP2可以设置在一个列中，并且多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3可以交替设置在与该一个列相邻的另一列中。替选地，多个第一子像素SP1可以对角地面对多个第二子像素SP2，并且多个第三子像素SP3也可以对角地面对多个第二子像素SP2。因此，多个子像素SP可以以格子图案设置。

图24至图30示出了多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3设置在同一列中和同一行中，并且多个第二子像素SP2设置在与多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3不同的列中和不同的行中。然而，多个子像素SP的阵列不限于此。

同时，多个第二子像素SP2在形状上彼此不同，但是不限于此。

参照图24至图29，突出部340可以被设置为围绕每个子像素SP的第一电极231。突出部340可以沿着每个子像素SP的开口OP的形状设置在第一电极231的边缘处，但是不限于此。

此外，如图7A至图7C中所示，本公开内容的突出部340的至少一部分可以设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。也就是说，突出部340的至少一部分设置在第一非发光区NEA1中，使得第二电极可以在相邻子像素SP之间彼此连接。

图24至图29(以及图30)示出了其中突出部340的设置在第一非发光区NEA1中的部分比其他部分向外进一步突出并且形成连接部CP的示例。然而，本公开内容不限于此。

突出部340可以被设置为与突出部340下方的第一电极231部分交叠，但是不限于此。

本公开内容的突出部340在截面图中可以具有大致梯形的形状，但是不限于此。在这种情况下，突出部340的下基部的端部处的角度在预定范围内可以是锐角或钝角。本公开内容的突出部340在截面图中可以具有各种形状，诸如多边形形状例如三角形或矩形形状或者钟形形状。

本公开内容的突出部340可以起到抑制在多堆叠结构中发生的横向泄漏电流的作用。也就是说，本公开内容的突出部340可以在相邻子像素SP之间使有机层和阴极彼此部分断开连接。

本公开内容的突出部340可以由有机材料或无机材料制成。

本公开内容的突出部340可以由与堤部114不同的材料制成，但是不限于此。本公开内容的突出部340可以由与堤部114相同的材料制成，并且在这种情况下，突出部340和堤部114可以以相同的工艺形成。

突出部340可以与堤部114一起被图案化。

图24至图26示出了突出部340的各种形状，以及图24示出了连接部CP在子像素SP中的每一个中位于相同位置的示例。也就是说，突出部340的连接部CP可以位于例如每个子像素SP的左上角处。突出部340的连接部CP可以位于第一子像素SP1与第二子像素SP2之间以及第二子像素SP2与第三子像素SP3之间。

图25和图26示出了第一子像素SP1的突出部340的连接部CP位于与第二子像素SP2和第三子像素SP3的连接部CP不同的位置处的示例。

图27和图28示出了与图24的示例性实施方式中的配置基本上相同的配置，除了在子像素SP之间形成伪图案1440、1440a和1440b。

图27和图28示出了其中伪图案1440、1440a和1440b中的每一个形成为子像素SP之间的对角线的示例，但是不限于此。

伪图案1440、1440a和1440b中的每一个可以起到增加相邻子像素SP之间的电流路径的长度的作用。

图28示出了其中伪图案包括第一伪图案1440a和第二伪图案1440b的示例，但是伪图案的数量不受限制。

伪图案1440、1440a和1440b可以由与突出部340相同的材料制成，但是不限于此。

图29示出了突出部340和伪图案1440由金属制成的示例，并且在这种情况下，突出部340和伪图案1440可以通过连接图案1445彼此连接。

初始信号或接地信号可以被施加至伪图案1440。伪图案1440可以起到在初始时段期间对电压进行放电的作用。

图30示出了与图24的示例性实施方式中的配置基本上相同的配置，除了突出部1540a和1540b是双重形成。本公开内容不限于突出部1540a和1540b的数量。

图31是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图32是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。

图31和图32示出了各自具有真实结构的子像素。

参照图31和图32，子像素SP可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。

多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3可以交替设置在同一列或同一行中。例如，第一子像素SP1和第三子像素SP3可以交替设置在同一列中。

多个第二子像素SP2可以设置在与多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3不同的列中或不同的行中。例如，多个第二子像素SP2可以设置在一个行中，并且多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3可以交替设置在与该一个行相邻的另一行中。

图31和图32示出了其中多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3设置在同一列中并且多个第二子像素SP2设置在与多个第一子像素SP1和多个第三子像素SP3不同的列中的示例。然而，多个子像素SP的阵列不限于此。

同时，多个子像素SP在形状上彼此不同，但是不限于此。

参照图31和图32，突出部1640和1740中的每一个可以被设置为围绕每个子像素SP的第一电极231。突出部1640和1740中的每一个可以沿着每个子像素SP的开口OP的形状设置在第一电极231的边缘处，但是不限于此。

此外，如图7A至图7C中所示，本公开内容的突出部1640的至少一部分可以设置在第一非发光区NEA1中而不是在第二非发光区NEA2中。也就是说，突出部1640的至少一部分设置在第一非发光区NEA1中，使得第二电极可以在相邻子像素SP之间彼此连接。

然而，本公开内容不限于此。参照图32，本公开内容的突出部1740的至少一部分可以不设置在第一非发光区NEA1中。

本公开内容的示例性实施方式还可以被描述如下：

根据本公开内容的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素；第一电极，所述第一电极分别设置在多个子像素中；堤部，其设置在多个子像素之间的非发光区中，并通过开口使第一电极暴露；至少部分地设置在非发光区的第二非发光区中的突出部，所述非发光区被划分成在堤部的平坦顶表面处的第一非发光区和在堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区；有机层，其设置在多个第一电极上；以及第二电极，其设置在有机层上。

有机层可以包括设置在多个子像素中的每个子像素中的发光层以及共同地设置在多个子像素中的公共层，并且公共层和第二电极可以在突出部处在相邻子像素之间彼此断开连接。

突出部可以沿着子像素的开口的形状设置在第一电极的边缘的至少一部分处，并且突出部可以不设置在第一电极的边缘的其他部分中。

突出部可以沿着开口的边缘设置，并且至少一部分可以设置在第一非发光区中，而其他部分可以设置在第二非发光区中，并且设置在第二非发光区中的其他部分的长度可以大于突出部的设置在第一非发光区中的所述至少一部分的长度。

突出部可以在第一电极的边缘的一部分处断开连接并且被分成多个部分。

突出部可以被设置成与第一电极部分交叠。

突出部可以由与堤部不同的材料制成。

突出部可以由与堤部相同的材料制成并且成为堤部的一部分。

有机层可以包括：设置在开口处的第一有机层；以及从堤部的第一非发光区到突出部的上部设置的第二有机层，并且第二有机层的端部可以在突出部的一个侧表面处与第一有机层间隔开。

显示装置还可以包括设置在第一非发光区中的堤部上方的间隔件。

突出部可以由与间隔件相同的材料制成。

突出部在截面图中可以具有包括矩形形状或梯形形状的多边形形状、圆顶形状或钟形形状。

如果突出部在截面图中可以具有梯形形状，则突出部的下基部的端部处的角度可以具有大于90°-α的锐角，并且α可以指的是基板与其上设置有突出部的堤部的顶表面的切线之间的角度。

如果突出部在截面图中可以具有梯形形状，则突出部的下基部的端部处的角度可以具有小于120°的钝角。

两个或更多个突出部可以沿着子像素的开口的形状设置在第一电极的边缘的至少一部分处。

多个子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且多个第一子像素和多个第三子像素可以交替设置在同一列中或同一行中，并且多个第二子像素可以设置在与多个第一子像素和多个第三子像素不同的列中和不同的行中。

设置在第一非发光区中的突出部可以比其他部分向外进一步突出并形成连接部，并且有机层和第二电极可以在连接部处在相邻子像素之间彼此断开连接。

显示装置还可以包括被设置为子像素之间的对角线的伪图案，其中，伪图案可以在与突出部相同的层上由与突出部相同的材料制成。

突出部和伪图案可以由金属制成，并且突出部和伪图案可以通过连接图案彼此连接。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一电极，所述第一电极分别设置在多个子像素中；堤部，其被设置成覆盖第一电极的边缘的一部分，并且包括在平坦顶表面处的第一区和在倾斜的顶表面处的第二区；突出部，其设置在堤部上；有机层，其设置在第一电极上；以及第二电极，其设置在有机层上，其中，突出部可以设置在第二区中，并且有机层和第二电极可以在相邻子像素之间在突出部的侧表面处彼此断开连接。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素；第一电极，其分别设置在所述多个子像素中；堤部，其设置在所述多个子像素之间的所述非发光区中，并通过开口使所述第一电极露出；至少部分地设置在所述非发光区的第一非发光区中并且围绕所述第一电极的突出部，所述非发光区被划分成在所述堤部的平坦的顶表面处的第一非发光区和在所述堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区；有机层，其设置在所述多个第一电极上；以及第二电极，其设置在所述有机层上。

尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术概念的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅出于说明性目的，而不旨在限制本公开内容的技术概念。本公开内容的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术概念应被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：

基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素；

多个第一电极，其分别设置在所述多个子像素中；

堤部，其设置在所述多个子像素之间的所述非发光区中，并通过开口使所述第一电极露出；

至少部分地设置在所述非发光区的第二非发光区中的突出部，所述非发光区被划分成在所述堤部的平坦的顶表面处的第一非发光区和在所述堤部的倾斜的顶表面处的所述第二非发光区；

有机层，其设置在所述多个第一电极上；以及

第二电极，其设置在所述有机层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括：发光层，其设置在所述多个子像素的每个子像素中；以及公共层，其共同地设置在所述多个子像素中；并且

所述公共层和所述第二电极在所述突出部处在相邻子像素之间彼此断开连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部沿着所述子像素的所述开口的形状设置在所述第一电极的边缘的至少一部分处，并且

所述突出部不设置在所述第一电极的边缘的其他部分中。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部沿着所述开口的边缘设置，并且至少一部分设置在所述第一非发光区中，而其他部分设置在所述第二非发光区中，并且

设置在所述第二非发光区中的所述其他部分的长度大于所述突出部的设置在所述第一非发光区中的所述至少一部分的长度。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述突出部在所述第一电极的边缘的一部分处断开连接并且被分成多个部分。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部被设置成与所述第一电极部分地交叠。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部由与所述堤部不同的材料制成。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部由与所述堤部相同的材料制成，并且成为所述堤部的一部分。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括：

第一有机层，其设置在所述开口处；以及

第二有机层，其被设置成从所述堤部的所述第一非发光区到所述突出部的上部，并且

所述第二有机层的端部在所述突出部的一个侧表面处与所述第一有机层间隔开。

10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

间隔件，其设置在所述第一非发光区中的所述堤部上方。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述突出部由与所述间隔件相同的材料制成。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部在截面图中具有包括矩形形状或梯形形状的多边形形状、圆顶形形状或钟形形状。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，如果所述突出部在截面图中具有所述梯形形状，

则所述突出部的下基部的端部处的角度具有大于90°-α的锐角，并且

所述α是指所述基板与其上设置有所述突出部的所述堤部的顶表面的切线之间的角度。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，如果所述突出部在截面图中具有所述梯形形状，

则所述突出部的下基部的端部处的角度具有小于120°的钝角。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，两个或更多个突出部沿着所述子像素的所述开口的形状设置在所述第一电极的边缘的至少一部分处。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，

多个第一子像素和多个第三子像素交替设置在同一列或同一行中，以及

多个第二子像素设置在与所述多个第一子像素和所述多个第三子像素不同的列和不同的行中。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，设置在所述第一非发光区中的所述突出部比其他部分向外进一步突出并且形成连接部，并且

所述有机层和所述第二电极在所述连接部处在相邻子像素之间彼此断开连接。

18.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：

设置为所述子像素之间的对角线的伪图案，

其中，所述伪图案在与所述突出部相同的层上由与所述突出部相同的材料制成。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述突出部和所述伪图案由金属制成，并且

所述突出部和所述伪图案通过连接图案彼此连接。

20.一种显示装置，包括：

多个第一电极，其分别设置在多个子像素中；

堤部，其设置成覆盖所述第一电极的边缘的一部分，并且包括在平坦的顶表面处的第一区和在倾斜的顶表面处的第二区；

突出部，其设置在所述堤部上；

有机层，其设置在所述第一电极上；以及

第二电极，其设置在所述有机层上，

其中，所述突出部设置在所述第二区中，并且

所述有机层和所述第二电极在相邻子像素之间在所述突出部的侧表面处彼此断开连接。

21.一种显示装置，包括：

基板，其包括发光区和非发光区，并且其中限定了多个子像素；

多个第一电极，其分别设置在所述多个子像素中；

堤部，其设置在所述多个子像素之间的所述非发光区中，并通过开口使所述第一电极露出；

突出部，其至少部分地设置在所述非发光区的第一非发光区中并且围绕所述第一电极，其中，所述非发光区被划分成在所述堤部的平坦的顶表面处的所述第一非发光区和在所述堤部的倾斜的顶表面处的第二非发光区；

有机层，其设置在所述多个第一电极上；以及

第二电极，其设置在所述有机层上。

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