CN109994522B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种可通过防止第二电极的电阻增加并防止水分渗入来改进可靠性的显示装置。该显示装置包括：基板，包括发光区域和非发光区域；辅助电极，设置在非发光区域中；第一钝化膜，覆盖发光区域和非发光区域中的辅助电极，并包括暴露辅助电极的第一钝化孔；外涂层，设置在第一钝化膜上，并包括暴露辅助电极的过孔；第一阻挡层，设置在第一钝化膜和外涂层上并接触辅助电极；第二钝化膜，设置在第一阻挡层上，并包括暴露第一阻挡层的第二钝化孔；堤层，具有设置在第二钝化膜上的堤孔，并包括暴露第一阻挡层并具有底切结构的堤孔；有机层，设置在堤层上并通过底切结构断开；以及第二电极，设置在有机层上并经由堤层的堤孔接触第一阻挡层。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地，涉及一种可通过防止水分渗入来改进可靠性的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求正在上升。在显示装置的领域，薄且轻并且可覆盖大面积的平板显示装置(FPD)已迅速取代了笨重的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(ED)等。
在这些类型的显示器当中，有机发光显示器是自发光装置，并且具有快速响应时间、高发光效率、大亮度和宽视角。值得注意的是，有机发光显示器可在柔性塑料基板上制造，并且与等离子体显示面板或无机发光显示器相比优点在于，与等离子体显示面板或无机电致发光(EL)显示器相比，有机发光显示器可在低电压下操作，具有更低的功耗，并且提供鲜艳的颜色再现。
根据光被发射的方向，有机发光显示器被分成底部发射显示器和顶部发射显示器。在底部发射显示器中，从发射层发射的光朝着底部发射，在顶部发射显示器中，光朝着顶部发射。在顶部发射显示器中，形成在发射层上以从发射层向上发射光的第二电极被制造得足够薄以使光通过。第二电极越薄，电阻越高。因此，正在对防止第二电极的电阻增加进行研究。
发明内容
本发明提供了一种可通过防止第二电极的电阻增加并防止水分渗入来改进可靠性并减少画面缺陷的显示装置。
根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置包括：基板，其包括发光区域和非发光区域；辅助电极，其设置在非发光区域中；第一钝化膜，其覆盖发光区域和非发光区域中的辅助电极，并且包括暴露辅助电极的第一钝化孔；外涂层，其设置在第一钝化膜上，并且包括暴露辅助电极的过孔；第一阻挡层，其设置在第一钝化膜和外涂层上并且接触辅助电极；第二钝化膜，其设置在第一阻挡层上，并且包括暴露第一阻挡层的第二钝化孔；堤层，其具有设置在第二钝化膜上的堤孔，并且包括暴露第一阻挡层并具有底切结构的堤孔；有机层，其设置在堤层上并且通过底切结构断开；以及第二电极，其设置在有机层上并且经由堤层的堤孔接触第一阻挡层。
第一阻挡层覆盖第一钝化孔和过孔。
第一阻挡层覆盖形成在第一钝化孔的内周和过孔的内周上的、第一钝化膜和外涂层的界面。
堤孔的内周的部分比第二钝化孔的内周突出。
第二电极通过堤孔的底切结构断开。
第一阻挡层由金属氧化物制成。
第二钝化孔与辅助电极和第一阻挡层交叠。
发光区域包括有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、有机层和第二电极。
该显示装置还包括：第三钝化膜，其设置在第二电极上；以及第二阻挡层，其设置在第三钝化膜上。
第一阻挡层和第二阻挡层由相同的材料制成。
附图说明
附图被包括以提供本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与说明书一起用于说明本发明的原理。附图中：
图1是有机发光显示器的示意性框图；
图2是示出子像素的电路配置的第一例示；
图3是示出子像素的电路配置的第二例示；
图4是示出根据本发明的有机发光显示器的俯视图；
图5是根据本发明的有机发光显示器的子像素的横截面图；
图6是图5的部分A的放大图；
图7是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的横截面图；
图8至图12是示出根据本发明的显示装置的制造方法的各个工艺的示图；以及
图13是示出根据本发明的另一示例性实施方式的显示装置的横截面图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。贯穿说明书，相似的标号表示基本上相似的组件。在描述本发明时，当认为与本发明有关的已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本发明的主题时，其将被省略。本文所使用的元件的术语和名称是为了易于描述而选择的，可不同于实际产品中所使用的部件的名称。当使用术语“上”、“上方”、“下方”、“旁边”等来描述两个部分之间的位置关系时，只要没有使用术语“立即”或“直接”，则一个或更多个部分可位于这两个部分之间。
根据本发明的显示装置是显示元件形成在玻璃基板或柔性基板上的显示装置。尽管显示装置的示例包括有机发光显示器、液晶显示器和电泳显示器等，将关于有机发光显示器来描述本发明。有机发光显示器包括由位于作为阳极的第一电极和作为阴极的第二电极之间的有机材料构成的有机层。来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在有机层内复合，形成激子(即，空穴-电子对)。然后，当激子返回到基态时产生能量，从而使得自发光显示器发射光。
根据本发明的显示装置是顶部发射有机发光显示器。在顶部发射有机发光显示器中，从发射层发射的光通过上面的透明第二电极释放。
以下，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。
图1是有机发光显示器的示意性框图。图2是示出子像素的电路配置的第一例示。图3是示出子像素的电路配置的第二例示。
参照图1，有机发光显示器包括图像处理器10、定时控制器20、数据驱动器30、选通驱动器40和显示面板50。
图像处理器10连同外部供应的数据信号DATA一起输出数据使能信号DE等。除了数据使能信号DE之外，图像处理器10可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号当中的一个或更多个，但是为了说明方便，附图中未示出这些信号。图像处理器10可按照IC(集成电路)的形式设置在系统电路板上。
连同数据使能信号DE或者包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的驱动信号一起，定时控制器20从图像处理器10接收数据信号DATA。
基于驱动信号，定时控制器20输出用于控制选通驱动器40的操作定时的选通定时控制信号GDC以及用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20可按照IC的形式设置在控制电路板上。
响应于从定时控制器20供应的数据定时控制信号DDC，数据驱动器30对从定时控制器20供应的数据信号DATA进行采样并锁存，将其转换为伽马基准电压，并输出伽马基准电压。数据驱动器30通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。数据驱动器30可按照IC的形式结合到基板上。
响应于从定时控制器20供应的选通定时控制信号GDC，选通驱动器40在选通电压的电平移位的同时输出选通信号。选通驱动器40通过选通线GL1至GLm输出选通信号。选通驱动器40按照IC的形式形成在选通电路基板上，或者通过面板中栅极(GIP)技术形成在显示面板50上。
显示面板50显示与分别从数据驱动器30和选通驱动器40供应的数据信号DATA和选通信号对应的图像。显示面板50包括显示图像的子像素SP。
参照图2，各个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED响应于由驱动晶体管DR提供的驱动电流来操作以发射光。
响应于通过选通线GL1供应的选通信号，开关晶体管SW导通以使得通过第一数据线DL1供应的数据信号作为数据电压被存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR响应于存储在电容器Cst中的数据电压来操作以使得驱动电流在高电平电源线VDD和低电平电源线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。此外，连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器Cst可位于补偿电路CC内。补偿电路CC包括一个或更多个薄膜晶体管和电容器。补偿电路CC根据补偿方法具有各种各样的配置，因此其详细例示和描述将被省略。
如图3所示，加上补偿电路CC，子像素还可包括信号线、电源线等，以用于供应特定信号或电力以及驱动补偿薄膜晶体管。选通线GL1可包括用于向开关晶体管SW供应选通信号的第(1-1)选通线GL1a以及用于驱动包括在子像素中的补偿薄膜晶体管的第(1-2)选通线GL1b。附加电源线可被定义为用于重置子像素的特定节点的重置电源线INIT。然而，这仅是示例，本发明不限于此。
此外，图2和图3作为示例示出包括补偿电路CC的子像素。然而，如果补偿实体或电路位于子像素外部(例如，数据驱动器30等中)，则补偿电路CC可被省略。即，各个子像素可具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和有机发光二极管OLED的2T(晶体管)1C(电容器)结构，或者例如，如果补偿电路CC被添加到子像素，则可具有类似3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种另选结构。尽管图2和图3示出补偿电路CC位于开关晶体管SW和驱动晶体管DR之间，但是补偿电路CC可位于驱动晶体管DR和有机发光二极管OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3所示的那些。
图4是示出根据本发明的有机发光显示器的俯视图。图5是根据本发明的有机发光显示器的子像素的横截面图。图6是图5的部分A的放大图。
参照图4，有机发光显示器包括基板SUB1、显示区域A/A、非显示区域N/A和置于显示区域A/A的任一侧的GIP驱动器GIP以及置于基板SUB1的底部的焊盘部分PD。多个子像素SP设置在显示区域A/A中并发射红(R)、绿(G)和蓝(B)光或者红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)光以表示全彩色。GIP驱动器GIP被置于显示区域A/A的任一侧并将选通驱动信号施加到显示区域A/A。焊盘部分PD被置于显示区域A/A的一侧(例如，底侧)，并且膜上芯片COF结合到焊盘部分PD。通过膜上芯片COF将数据信号和电力施加到连接到显示区域A/A的多条信号线(未示出)。
现在，将参照图5描述根据本发明的有机发光显示器的各个子像素SP的横截面结构。
参照图5，根据本发明的有机发光显示器具有位于基板SUB1上的遮光层LS和
第一辅助电极AE1。基板SUB1可由玻璃、塑料或金属制成。遮光层LS遮蔽来自外部的光并防止在薄膜晶体管中生成光电流。第一辅助电极AE1用作减小第二电极(稍后描述)的电阻的辅助电极。缓冲层BUF设置在遮光层LS和第一辅助电极AE1上。缓冲层BUF用于保护在后续工艺中形成的薄膜晶体管免受诸如从基板SUB1泄漏出的碱金属离子的杂质影响。缓冲层BUF可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者这些化合物的多个层。
半导体层ACT设置在缓冲层BUF上。半导体层ACT可由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可包括非晶硅或者结晶多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低功耗和优异的可靠性。因此，多晶硅可被应用于驱动元件和/或复用器(MUX)的选通驱动器，或者被应用于像素中的驱动TFT。由于氧化物半导体具有低截止电流，所以氧化物半导体适合于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，由于氧化物半导体由于低截止电流而可增加像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合于需要低速操作和/或低功耗的显示装置。另外，半导体层ACT包括各自包括p型或n型杂质的漏区和源区，并且还包括漏区和源区之间的沟道。
栅极绝缘膜GI设置在半导体层ACT上。栅极绝缘膜GI可以是氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或者这些化合物的多个层。栅极GA设置在与半导体层ACT的特定区域(即，用于注入杂质的沟道)对应的栅极绝缘膜GI上。栅极GA可由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)以及这些元素的合金构成的组中选择的任一种构成。此外，栅极GA可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及这些元素的合金中的一种形成的多层。例如，栅极GA可由钼/铝-钕或钼/铝的双层组成。
用于将栅极GA绝缘的层间绝缘膜ILD设置在栅极GA上。层间绝缘膜ILD可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者这些化合物的多个层。暴露半导体层ACT的部分的第一接触孔CH1设置在层间绝缘膜ILD的一些区域中。另外，暴露下方的遮光层LS的部分的第二接触孔CH2和暴露第一辅助电极AE1的第三接触孔CH3设置在缓冲层BUF和层间绝缘膜ILD的一些区域中。
漏极DE和源极SE设置在层间绝缘膜ILD上。漏极DE经由暴露半导体层ACT的漏区的第一接触孔CH1连接到半导体层ACT，并且源极SE经由暴露半导体层ACT的源区的第一接触孔CH1连接到半导体层ACT。源极SE和漏极DE可由单个层或多个层组成。如果源极SE和漏极DE由单个层组成，则其可由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)以及这些元素的合金构成的组中选择的任一种构成。另一方面，如果源极SE和漏极DE由多个层组成，则其可由钼/铝-钕的两个层或者钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三个层构成。因此，形成包括半导体层ACT、栅极GA、漏极DE和源极SE的薄膜晶体管TFT。
第二辅助电极AE2被置于与薄膜晶体管TFT间隔开的区域中(例如，第一辅助电极AE1所在的区域中)。第二辅助电极AE2经由第三接触孔CH3连接到第一辅助电极AE1。第三辅助电极AE3设置在第二辅助电极AE2上。第三辅助电极AE3经由与第二辅助电极AE2的接触来电连接到第一辅助电极AE1。
第一钝化膜PAS1设置在包括薄膜晶体管TFT和第三辅助电极AE3的基板SUB1上。第一钝化膜PAS1是保护下方的元件的绝缘膜，并且可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者这些化合物的多个层。外涂层OC设置在第一钝化膜PAS1上。外涂层OC可以是用于使下方的结构上的不规则变平的平坦化膜，并且由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯等的有机材料制成。外涂层OC可通过有机材料以液态涂覆并硬化的诸如SOG(旋涂玻璃)的方法来形成。
暴露漏极DE的通孔VIA设置在外涂层OC的一些区域中。暴露第三辅助电极AE3的第一钝化孔PAH1形成在第一钝化膜PAS1中，并且暴露第一钝化孔PAH1和第三辅助电极AE3的过孔OCH形成在外涂层OC中。
有机发光二极管OLED设置在外涂层OC上。更具体地，第一电极ANO设置在形成有通孔VIA的外涂层OC上。第一电极ANO可充当像素电极，并且经由通孔VIA连接到薄膜晶体管TFT的漏极DE。第一电极ANO是阳极，并且可由透明导电材料(例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或ZnO(氧化锌))制成。在本发明中，由于有机发光显示器具有顶部发射结构，所以第一电极ANO可以是反射电极。因此，第一电极ANO还包括反射层。该反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或者这些元素的合金(优选地，APC(银/钯/铜合金))制成。
用于限定像素的堤层BNK设置在第一电极ANO上。堤层BNK由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯等的有机材料制成。堤层BNK具有暴露第一电极ANO的像素限定部分。接触第一电极ANO的有机层EML被设置在基板SUB1的整个表面上。有机层EML是通过电子和空穴的复合来发射光的层。空穴注入层和可选的空穴传输层可形成在有机层EML和第一电极ANO之间，并且可选的电子传输层和电子注入层可形成在有机层EML上。第二电极CAT设置在有机层EML上。第二电极CAT被设置在显示区域(未示出)的整个表面上，并且是阴极。第二电极CAT可由诸如IZO、ITO或ITZO的透明金属氧化物制成，或者可由镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金制成。
此外，堤层BNK具有暴露外涂层OC的过孔OCH的堤孔BNH。堤孔BNH暴露设置在其下方的第三辅助电极AE3。另外，堤层BNK的堤孔BNH可通过底切工艺在一侧形成底切结构。即，堤孔BNH的内周的部分形成从第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1向上突出的底切结构。堤层BNK的堤孔BNH的底切结构用于使第二电极CAT与第三辅助电极AE3接触。具体地，有机层EML设置在堤层BNK上，并且有机层EML的部分由于堤层BNK的堤孔BNH的底切结构而断开。通过在有机层EML上沉积第二电极CAT，第二电极CAT可通过有机层EML断开的区域与第三辅助电极AE3接触。
第二钝化膜PAS2设置在第二电极CAT上以保护有机发光二极管OLED以及位于其下方的层。形成有滤色器CF和黑色基底BM的保护基板SUB2通过填料FIL结合到基板SUB1，从而形成本发明的有机发光显示器。
参照图6，第二电极CAT和第三辅助电极AE3之间的上述接触结构可导致水分从第一钝化膜PAS1和外涂层OC之间的边界区域①以及从有机层EML和第二电极CAT厚度较小的区域②渗入到内部的路径。这是由于堤层BNK的底切结构③，并且水分渗入导致有机层EML的劣化或者薄膜晶体管的异常操作，从而导致明亮光斑、暗点以及第二电极和第三辅助电极之间的接触部分处的缺陷。
下面公开了一种能够防止堤层BNK的底切结构中的水分渗入的显示装置。
<示例性实施方式>
图7是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的横截面图。图8至图12是示出根据本发明的显示装置的制造方法的各个工艺的示图。在下文中，与上述显示装置相同的组件将由相同的标号表示，并且将简要给出其描述。
参照图7，根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括在基板SUB1上的发光区域EP和非发光区域NP。遮光层LS设置在基板SUB1上的发光区域EP中，并且
第一辅助电极AE1设置在非发光区域NP中。第一辅助电极AE1充当减小第二电极的电阻的辅助电极。缓冲层BUF设置在遮光层LS和第一辅助电极AE1上。半导体层ACT设置在缓冲层BUF上，并且栅极绝缘膜GI设置在半导体层ACT上。栅极GA设置在栅极绝缘膜GI上，并且用于将栅极GA绝缘的层间绝缘膜ILD设置在栅极GA上。暴露半导体层ACT的部分的第一接触孔CH1设置在层间绝缘膜ILD的一些区域中。另外，暴露下方的遮光层LS的部分的第二接触孔CH2以及暴露第一辅助电极AE1的第三接触孔CH3设置在缓冲层BUF和层间绝缘膜ILD的一些区域中。
漏极DE和源极SE设置在层间绝缘膜ILD上。漏极DE经由暴露半导体层ACT的漏区的第一接触孔CH1连接到半导体层ACT，并且源极SE经由暴露半导体层ACT的源区的第一接触孔CH1连接到半导体层ACT。因此，形成包括半导体层ACT、栅极GA、漏极DE和源极SE的薄膜晶体管TFT。
第二辅助电极AE2被置于与薄膜晶体管TFT间隔开的非发光区域NP中(例如，第一辅助电极AE1所在的区域中)。第二辅助电极AE2经由第三接触孔CH3连接到第一辅助电极AE1。第三辅助电极AE3设置在第二辅助电极AE2上。第三辅助电极AE3经由与第二辅助电极AE2的接触电连接到第一辅助电极AE1。第二辅助电极AE2和第三辅助电极AE3可由低电阻金属制成。例如，第二辅助电极AE2和第三辅助电极AE3可由与上述源极SE相同的材料制成。
第一钝化膜PAS1设置在包括薄膜晶体管TFT和第三辅助电极AE3的基板SUB1上，并且外涂层OC设置在第一钝化膜PAS1上。在发光区域EP中，暴露漏极DE的通孔VIA设置在外涂层OC的一些区域中。在非发光区域NP中，暴露第三辅助电极AE3的第一钝化孔PAH1形成在第一钝化膜PAS1中，并且暴露第一钝化孔PAH1和第三辅助电极AE3的过孔OCH形成在外涂层OC中。
第一阻挡层PTL1设置在外涂层OC上以防止水分渗入。具体地，第一阻挡层PTL1沿着外涂层OC和第一钝化膜PAS1的表面形成，并且与第三辅助电极AE3接触。第一阻挡层PTL1被设置为覆盖第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1和外涂层OC的过孔OCH，以便防止水分渗入到第一钝化膜PAS1和外涂层OC的界面中。如图7所示，第一阻挡层PTL1可完全覆盖第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1和外涂层OC的过孔OCH。因此，第一阻挡层PTL1可通过覆盖暴露于第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1的内周和外涂层OC的过孔OCH的内周并且可充当水分渗入路径的第一钝化膜PAS1和外涂层OC的界面来阻挡水分渗入路径。然而，本发明的第一阻挡层PTL1的结构不受具体限制，只要其覆盖第一钝化膜PAS1和外涂层OC的界面即可。
第一阻挡层PTL1可由阻挡水分并且高度耐潮湿的材料(例如，金属氧化物)制成。例如，金属氧化物可以是诸如ITO、IZO或ITZO的透明金属氧化物或者诸如氧化铝(AL2O3)、氧化钛(TiO2)或氧化锆(ZrO2)的不透明金属氧化物。尽管以一些材料可用的示例描述了本发明，但是可使用任何熟知的材料，只要其是阻挡水分并且高度耐潮湿的透明或不透明金属氧化物即可。
第一阻挡层PTL1的厚度不受太多限制，但是第一阻挡层PTL1可具有至的厚度以便防止不必要的变厚。第一阻挡层PTL1可与稍后描述的有机发光二极管的第一电极的透明金属氧化物同时形成。因此，第一阻挡层PTL1可为与第一电极的金属氧化物相同的厚度。然而，本发明的第一阻挡层PTL1不限于此，可在与第一电极分开的工艺中形成。
此外，第二钝化膜PAS2设置在包括第一阻挡层PTL1的基板SUB1上。第二钝化膜PAS2用于保护下方的第一阻挡层PTL1并连同第一阻挡层PTL1一起阻挡水分渗入路径。第二钝化膜PAS2具有暴露第一阻挡层PTL1的第二钝化孔PAH2。第二钝化膜PAS2可通过覆盖形成在第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1的内周和外涂层OC的过孔OCH的内周上并且可充当水分渗入路径的第一钝化膜PAS1和外涂层OC的界面来阻挡水分渗入路径。因此，第二钝化膜PAS2被设置为与第三辅助电极AE3、第一阻挡层PTL1、第一钝化孔PAH1和过孔OCH交叠。类似于上述第一钝化膜PAS1，第二钝化膜PAS2可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者这些化合物的多个层，并且可以是诸如外涂层OC的材料、光致抗蚀剂材料或聚酰亚胺材料的材料。
此外，有机发光二极管OLED设置在发光区域EP中的外涂层OC上。更具体地，第一电极ANO设置在形成有通孔VIA的外涂层OC上。第一电极ANO充当像素电极，并且经由通孔VIA连接到薄膜晶体管TFT的漏极DE。上述的第二钝化膜PAS2设置在第一电极ANO上，并且形成开孔OPH以暴露第一电极ANO。
限定像素的堤层BNK设置在第一电极ANO上。在发光区域EP中，暴露第一电极ANO的像素限定部分OP位于堤层BNK上。在非发光区域NP中，堤层BNK具有暴露下方的第一阻挡层PTL1的堤孔BNH。堤孔BNH可通过底切工艺在一侧形成底切结构。即，堤孔BNH的内周的部分形成从第二钝化膜PAS2的第二钝化孔PAH2向上突出的底切结构。堤层BNK的堤孔BNH的底切结构用于使第二电极CAT与连接到第三辅助电极AE3的第一阻挡层PTL1接触。
接触第一电极ANO的有机层EML设置在基板SUB1的整个表面上，并且第二电极CAT设置在有机层EML上。在非发光区域NP中，有机层EML设置在堤层BNK上，并且有机层EML的部分由于堤层BNK的堤孔BNH的底切结构而断开。通过在有机层EML上沉积第二电极CAT，第二电极CAT可通过有机层EML断开的区域与第一阻挡层PTL1接触。
第三钝化膜PAS3设置在第二电极CAT上以保护有机发光二极管OLED以及位于其下方的层。形成有滤色器CF和黑色基底BM的暴露基板SUB2通过填料FIL结合到基板SUB1，从而形成根据本发明的示例性实施方式的显示装置。
以下，将参照图8至图12描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置的上述制造方法。下面是第三辅助电极和第二电极电连接的本发明的特性部分的制造工艺的描述。
参照图8，在形成有第三辅助电极AE3的基板SUB1上沉积第一钝化膜PAS1，并且将外涂层OC施加到第一钝化膜PAS1上。接下来，使用掩模在外涂层OC中形成过孔OCH。另外，通过使用另一掩模蚀刻通过过孔OCH暴露的第一钝化膜PAS1来形成第一钝化孔PAH1。第一钝化孔PAH1暴露下方的第三辅助电极AE3。
接下来，通过沉积金属氧化物并使用掩模对其进行构图来形成第一阻挡层PTL1。按照覆盖第一钝化膜PAS1的第一钝化孔PAH1和外涂层OC的过孔OCH的方式沿着第一钝化膜PAS1和外涂层OC的表面形成第一阻挡层PTL1。因此，第一阻挡层PTL1可防止水分渗入到第一钝化膜PAS1和外涂层OC的界面中。
接下来，参照图9，在形成有第一阻挡层PTL1的基板SUB1的整个表面上沉积第二钝化膜PAS2，然后施加堤层BNK。另外，通过使用掩模蚀刻堤层BNK来形成暴露下方的第二钝化膜PAS2的堤孔BNH。
接下来，参照图10，将光致抗蚀剂施加到形成有堤孔BNH的基板SUB1的整个表面上，并且形成暴露通过堤孔BNH暴露的第二钝化膜PAS2的部分的光致抗蚀剂图案PR。另外，使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模来蚀刻第二钝化膜PAS2。
参照图11，通过上述蚀刻工艺在第二钝化膜PAS2中形成暴露下方的第一阻挡层PTL1的第二钝化孔PAH2。具体地，在堤层BNK下方过蚀刻第二钝化孔PAH2的部分，由此堤层BNK的堤孔BNH形成底切结构。
接下来，参照图12，当有机层EML被沉积到堤层BNK上时，有机层EML被沉积，在堤孔BNH的底切结构处断开。接下来，将第二电极CAT沉积到有机层EML上。第二电极CAT被一直沉积到有机层EML的断开部分之间的空间中，从而与下面的第一阻挡层PTL1接触。因此，可制造第一阻挡层PTL1和第二电极CAT彼此接触的有机发光显示器。
如上所述，根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过包括可防止辅助电极和第二电极之间的水分渗入的第一阻挡层和第二钝化膜来阻挡充当水分渗入路径的堤层的底切结构以及第一钝化膜和外涂层的界面。因此，可防止由水分渗入导致的有机层的劣化，从而改进显示装置的显示质量。
此外，根据本发明的示例性实施方式的显示装置还可包括附加阻挡层。
图13是示出根据本发明的另一示例性实施方式的显示装置的横截面图。在下面中，与上述示例性实施方式相同的组件的描述将被省略。
参照图13，第三钝化膜PAS3设置在第二电极CAT上，并且第二阻挡层PTL2形成在第三钝化膜PAS3上。第二阻挡层PTL2用于阻挡水分渗入到第三钝化膜PAS3中，并且完全覆盖第三钝化膜PAS3以保护内部元件。
第二阻挡层PTL2可由与第一阻挡层PTL1相同的材料制成。具体地，第二阻挡层PTL2可由阻挡水分并且高度耐潮湿的材料制成——例如，诸如ITO、IZO或ITZO的透明金属氧化物或者诸如氧化铝(AL2O3)、氧化钛(TiO2)或氧化锆(ZrO2)的不透明金属氧化物。尽管以一些材料可用的示例描述了本发明，但是可使用任何熟知的材料，只要其是阻挡水分并且高度耐潮湿的透明或不透明金属氧化物即可。第二阻挡层PTL2的厚度不受太多限制，但是第二阻挡层PTL2可具有至/>的厚度以便防止不必要的变厚。
在本发明中，第一阻挡层可在第二电极和辅助电极之间的连接部分处阻挡水分在辅助电极和第二电极之间渗入，并且可进一步设置第二阻挡层以阻挡水分可沿其渗入的第三钝化膜的任何部分。
如上，根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过包括可防止水分渗入辅助电极和第二电极之间的第一阻挡层和第二钝化膜来阻挡充当水分渗入路径的堤层的底切结构以及第一钝化膜和外涂层的界面。因此，可防止由水分渗入导致的有机层的劣化，从而改进显示装置的显示质量。
此外，根据本发明的示例性实施方式的显示装置还可包括第二阻挡层以阻挡水分可沿其渗入的第三钝化膜的任何部分。
尽管参照其多个例示性实施方式描述了实施方式，应该理解，本领域技术人员可以想到众多其它修改和实施方式，其将落入本公开的原理的范围内。更具体地讲，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，可在组成部件和/或主题组合布置方式方面进行各种变化和修改。除了在组成部件和/或布置方式方面的变化和修改以外，对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。

Claims (9)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板包括发光区域和非发光区域；
辅助电极，该辅助电极设置在所述非发光区域中；
第一钝化膜，该第一钝化膜覆盖所述发光区域和所述非发光区域，并且包括暴露所述辅助电极的第一钝化孔；
外涂层，该外涂层设置在所述第一钝化膜上，并且包括暴露所述辅助电极的过孔；
第一阻挡层，该第一阻挡层设置在所述第一钝化膜和所述外涂层上并且接触所述辅助电极；
第二钝化膜，该第二钝化膜设置在所述第一阻挡层上，并且包括暴露所述第一阻挡层的第二钝化孔；
具有堤孔的堤层，该堤层设置在所述第二钝化膜上，所述堤层限定像素，其中，所述堤孔暴露所述第一阻挡层并且所述堤孔的内周的一部分形成从所述第二钝化膜的所述第二钝化孔向上突出的底切结构；
有机层，该有机层设置在所述堤层上并且通过所述底切结构断开；以及
第二电极，该第二电极设置在所述有机层上并且经由所述堤层的所述堤孔接触所述第一阻挡层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层覆盖所述第一钝化孔和所述过孔。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层覆盖形成在所述第一钝化孔的内周和所述过孔的内周上的、所述第一钝化膜和所述外涂层的界面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极通过所述堤孔的所述底切结构断开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层由金属氧化物制成。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二钝化孔与所述辅助电极和所述第一阻挡层交叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光区域包括有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、所述有机层和所述第二电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
第三钝化膜，该第三钝化膜设置在所述第二电极上；以及
第二阻挡层，该第二阻挡层设置在所述第三钝化膜上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层由相同的材料制成。
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