CN114420725A - 有机发光二极管显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种有机发光二极管显示面板及显示装置。有机发光二极管显示面板包括衬底、薄膜晶体管器件层、发光器件、钝化层、平坦层、垫高层、突台部、辅助电极及底切通道。突台部设置于垫高层的正上方。辅助电极包过接触部及台阶部，且台阶部所在的水平面高度高于接触部所在的水平面高度。底切通道在衬底的正投影与垫高层在衬底的正投影相互间隔。利用垫高层及突台部增高地势，改善了平坦层作为底切支撑层的量产可靠性。

Description

有机发光二极管显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示科技的发展，各式显示技术不断推陈出新，其中有机发光二极管(organic lightemitting diode,OLED)具有厚度薄、自发光性、彩度高及可弯折性等优点，使得有机发光二极管被誉为显示技术的明日之星。
OLED面板工作时显示中心与中心以外、四周边缘会有电压衰退(IR drop)的问题(即压降导致最终的亮度不均)，需制作辅助电极，给压降较大的区域额外施加辅助，使整个面板工作时画面显示均一。目前制备辅助电极的主要方案是在背板上制作底切(undercut)结构，使阴极与辅助源搭接，实现辅助电极的作用。传统底切结构采用新增多一层的焊盘层作为支撑层，但新增的焊盘光罩不仅增加成本，更不利于缩短制程时间。具体的，传统底切结构是通过氟化氢蚀刻支撑层下方的钝化层。利用湿法侧蚀配合支撑层形成底切支撑层与钝化层之间的的界面致密度会对底切的深度，形状产生重要影响。此外，若采用平坦层作为支撑层，由于平坦层为有机材料，硬度不及无机材料，且与钝化层的界面密着度不好。氟化氢蚀刻钝化层时侧蚀速率很快，导致界面处的钝化层的顶部侧蚀过快，底部侧蚀慢，最终底切实际深度不足，钝化层的蚀刻侧倾斜角(taper)较缓，或深度满足时却引起平坦层支撑稳定性不佳，造成后续制程中有塌陷风险。
发明内容
本申请提供一种有机发光二极管显示面板及显示装置，用以解决传统底切结构实际深度不足，钝化层的蚀刻侧倾斜角(taper)较缓，或深度满足时却引起平坦层支撑稳定性不佳，造成后续制程中有塌陷风险的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种有机发光二极管显示面板，包括衬底；薄膜晶体管器件层，设置于所述衬底上，包括功能膜层及薄膜晶体管；发光器件，设置于所述薄膜晶体管器件层上方；钝化层，设置于所述薄膜晶体管器件层上；平坦层，设置于所述钝化层上；所述功能膜层包括垫高层及突台部，其中所述突台部设置于所述垫高层的正上方，包括第一顶面及位于所述第一顶面一侧的第一侧壁；辅助电极，设置于所述发光器件与所述衬底之间，包过接触部及台阶部，所述台阶部位于所述第一顶面上，所述接触部相邻于所述第一侧壁，且所述台阶部所在的水平面高度高于所述接触部所在的水平面高度；以及底切通道，设置于所述辅助电极的接触部上，且所述底切通道上方具有穿透所述平坦层的第一通孔。所述底切通道在所述衬底的正投影与所述垫高层在所述衬底的正投影相互间隔。
可选地，所述平坦层包括第一支撑部，其包括凹槽，所述钝化层包括第二支撑部，所述第二支撑部包覆于所述凹槽内，其中所述第一支撑部及所述第二支撑部分别设置于所述辅助电极的台阶部上，且部分所述第一支撑部及所述第二支撑部延伸出所述第一侧壁，并悬空于所述底切通道的上方。
可选地，所述第一支撑部相邻所述底切通道的底面的正投影全部位在所述底切通道上。
可选地，所述薄膜晶体管器件层还包括遮光层，所述遮光层设置于所述薄膜晶体管下方，其中所述垫高层与所述遮光层同层设置。
可选地，所述功能膜层还包括缓冲层及设置于所述缓冲层上的层间介电层，所述突台部包括第一突台及第二突台，其中所述第一突台设置于所述缓冲层上，并位于所述垫高层正上方，所述第二突台设置于所述层间介电层上，所述辅助电极的台阶部位于所述第二突台上，且所述垫高层、所述第一突台、所述第二突台及所述台阶部相互对齐。
可选地，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，其中所述辅助电极与所述源极及漏极同层设置。
可选地，所述垫高层包括相互叠设的第一膜层及第二膜层，所述第一膜层为所述栅极绝缘层图形化的一部分，所述第二膜层为所述栅极图形化的一部分。
可选地，所述功能膜层还包括缓冲层及设置于所述缓冲层上的层间介电层，所述突台部设置于所述层间介电层上，并位于所述垫高层正上方，且所述垫高层设置于所述缓冲层上。
可选地，所述发光器件包括依序设置的阳极、有机发光层及阴极，其中所述有机发光层及所述阴极通过所述第一通孔及所述底切通道接触于所述辅助电极，且所述有机发光层在所述阴极层上的正投影位于所述底切通道内的所述阴极层的边界之内。
本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例所述的有机发光二极管显示面板。
本申请的有益效果为：本申请实施例提供一种有机发光二极管显示面板及显示装置。通过垫高层的设置增加上方膜层的地势，解决了钝化层与平坦层蚀刻界面侧蚀问题，使平坦层形状稳定性得到改善，同时地势的影响修正了钝化层的倾斜角，从而使平坦层在底切结构的实际深度满足支撑性的要求，改善了平坦层作为底切支撑层的量产可靠性，且可减少制作工艺中光罩的使用数量。据此，本申请的有机发光二极管显示面板及显示装置有效解决传统底切结构实际深度不足，钝化层的蚀刻侧倾斜角较缓，或深度满足时却引起平坦层支撑稳定性不佳，造成后续制程中有塌陷风险的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例的有机发光二极管显示面板的剖面结构示意图。
图2为本申请实施例的底切通道的结构示意图。
图3为本申请实施例的垫高层与上方膜层地势增高的结构示意图。
图4为本申请实施例的钝化层及平坦层在所述底切通道的光学模拟示意图。
图5为本申请另一实施例的有机发光二极管显示面板的剖面结构示意图。
图6为本申请实施例的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
本申请实施例提供一种有机发光二极管(organic lightemitting diodes,OLED)显示面板及显示装置，其具有可以改善传统底切结构的支撑性不足，容易造成塌陷风险的问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1。图1为本申请实施例的有机发光二极管显示面板100的剖面结构示意图。如图1所示，本申请的有机发光二极管显示面板100包括衬底11及设置于所述衬底11上的薄膜晶体管器件层1及发光器件2，其中所述薄膜晶体管器件层1包括功能膜层及薄膜晶体管3。
在本实施例中，所述衬底11可以由玻璃等硬质材料制作而成，也可以由聚酰亚胺等柔性材料制作而成。如图1所示，所述有机发光二极管显示面板100的功能膜层包括设置于所述衬底11上的缓冲层12及设置于所述缓冲层12上的层间介电层13。所述缓冲层12可由氧化硅或氮化硅制作。所述层间介电层13上设置有钝化层14。所述钝化层14的材料可为氧化硅或氮化硅的无机绝缘膜，并覆盖所述薄膜晶体管3远离所述衬底11的一侧。所述钝化层14上设置有平坦层15。具体地，所述平坦层15的材料可以为有机光阻，例如可溶性聚四氟乙烯(PFA)或聚酰亚胺胶，但本申请并不以此为限。在所述平坦层15远离所述钝化层14的一侧设置所述发光器件2。
续请参阅图1，所述发光器件2包括依序设置的阳极21、像素定义层22、有机发光层23及阴极24。所述像素定义层22上设置有多个凹孔，所述阳极21、所述有机发光层23及所述阴极24在所述凹孔内直接叠层。在此实施例中，所述有机发光层23及所述阴极24沿所述像素定义层22的表面设置。
如图1所示，所述薄膜晶体管器件层1包括设置于所述衬底11上的遮光层31、设置于所述缓冲层12上的有源层32、设置于所述有源层32上的栅极绝缘层33、设置于所述栅极绝缘层33上的栅极34及设置于所述层间介电层13上的源极35和漏极36。所述源极35和所述漏极36通过设置于所述层间介电层13上的过孔与所述有源层32电性连接，所述源极35通过所述层间介电层13和所述缓冲层12上的过孔与所述遮光层31电性连接，且所述层间介电层13覆盖所述有源层32、所述栅极绝缘层33及所述栅极34。具体地，所述有源层32、所述栅极绝缘层33、所述栅极34、所述源极35和所述漏极36共同构成所述薄膜晶体管3，其中所述栅极34定义为第一金属层，所述源极35和所述漏极36定义为第二金属层，所述遮光层31位于衬底11与缓冲层12之间。需要注意的是，本申请的薄膜晶体管是以顶栅型薄膜晶体管为实施例，惟亦可采用底栅型薄膜晶体管。此外，本申请的薄膜晶体管可为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物半导体薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的类型在本申请并不限定。
特别说明的是，本申请实施例的有机发光二极管显示面板100设置有底切搭配辅助电极的结构，用以改善显示面板的四周边缘或其他位置会有压降(IR drop)的问题。请参阅图1配合图2。图2为本申请实施例的底切通道的结构示意图，其中图2主要用于示意底切通道，因此并未显示有机发光层及阴极。如图1所示，本申请的所述功能膜层还包括垫高层30及突台部10。在此实施例中，所述垫高层30与所述遮光层31同层设置。具体地，所述垫高层30为所述遮光层31通过光刻工艺图形化的一部分，亦即，所述垫高层30与所述遮光层31是通过同一道光刻工艺形成。由于所述垫高层30的设置增加了上方其他膜层的地势，因此，在所述垫高层30上的缓冲层12的地势对应增高，并形成第一突台120；在缓冲层12上的层间介电层13的地势对应增高，并形成第二突台130。亦即，在所述垫高层30的正上方形成了包括第一突台120及第二突台130的突台部10。具体地，所述突台部10包括第一顶面101及位于所述第一顶面101一侧的第一侧壁102。在此实施例中，第一顶面101及第一侧壁102是形成于第二突台130。换句话说，在制备所述缓冲层12的过程中，同时可以形成所述第一突台120；在制备所述层间介电层13的过程中，同时可以形成所述第二突台130。
续请参阅图1。本申请的有机发光二极管显示面板100包括辅助电极37，其设置于所述发光器件2与所述衬底11之间，并包过接触部371及台阶部372。所述台阶部372位于所述第一顶面101上，亦即，位于所述第二突台130上。所述接触部371相邻于所述第一侧壁102。由于所述第二突台130的设置，所述台阶部372的地势增高，使所述台阶部372所在的水平面高度高于所述接触部371所在的水平面高度。具体地，所述垫高层30、所述第一突台120、所述第二突台130及所述台阶部372在轴向上相互对齐。在此实施例中，所述辅助电极37与所述源极35及漏极36同层设置。亦即，所述辅助电极37跟源极35及漏极36是由所述第二金属层通过一道光刻工艺形成。
如图1所示，底切通道201设置于所述辅助电极37的接触部371上，且所述底切通道201上方具有穿透所述平坦层15的第一通孔202。在此实施例中，底切通道201是通过氟化氢蚀刻辅助电极37上的钝化层14形成。具体地，所述底切通道201在所述衬底11的正投影与所述垫高层30在所述衬底11的正投影相互间隔。
续请参阅图1，所述平坦层15包括第一支撑部150，其包括凹槽151。所述钝化层14包括第二支撑部140，所述第二支撑部140包覆于所述凹槽151内。由于垫高层30升高地势，所述第一支撑部150及所述第二支撑部140分别设置于所述辅助电极37的台阶部372上，且部分所述第一支撑部150及所述第二支撑部140延伸出所述第一侧壁102，并悬空于所述底切通道201的上方(如图2所示)。
请参阅图1配合图2至图4。图3为本申请实施例的垫高层与上方膜层地势增高的结构示意图，其中图3为了示意说明垫高层30与底切通道201的关系而未显示缓冲层12。图4为本申请钝化层14及平坦层15在所述底切通道201的光学模拟示意图。如图1及图2所示，所述底切通道201的一端连通于上方的第一通孔202，另一端封闭于所述辅助电极37的台阶部372。通过所述底切通道201的结构，所述第一支撑部150相邻所述底切通道201的底面的正投影全部位在所述底切通道201上。也就是说，所述钝化层14顶部的侧蚀长度L1随着蚀刻时间增加时，受地势影响，且被所述辅助电极37的台阶部372阻挡，使所述侧蚀长度L1深度加深有限，从而使所述钝化层14底部侧蚀长度L2的深度增加且逐渐与L1深度接近，最终修正了所述钝化层14倾斜角(taper)为30°以上，所述底切通道201的实际深度(亦即为L2)达到1微米(如图2所示)，同时平坦层15的底切形状(亦即悬空部位)稳定性提高(如图4所示)。
续请参阅图1，所述有机发光层23及所述阴极24通过所述第一通孔202及所述底切通道201接触于所述辅助电极37的接触部371。特别说明的是，通过对所述有机发光层23及所述阴极24的蒸镀角的控制，所述有机发光层23在所述阴极24上的正投影位于所述底切通道201内的所述阴极24的边界之内。亦即，所述有机发光层23在所述底切通道201的对应区域断开，以增大所述阴极24与所述辅助电极37之间的接触面积，又有利于所述阴极24可以向所述底切通道201延伸，从而增大所述阴极24与所述辅助电极37之间的接触面积，更好地搭接电连接，以减小压降。
请参阅图5，其为本申请另一实施例的有机发光二极管显示面板100’的剖面结构示意图。图5所示的实施例与上述实施例的不同在于垫高层30’设置的位置不同，其他与上述实施例相同的结构于此实施例中不再复述。在此实施例中，所述垫高层30’设置于缓冲层12’上，并包括相互叠设的第一膜层330及第二膜层340。所述第一膜层330为所述栅极绝缘层33图形化后的一部分，亦即，所述第一膜层330与所述栅极34是通过同一道光刻工艺制作。此外，所述第二膜层340为所述栅极34图形化后的一部分，亦即，所述第二膜层340与所述栅极34是由所述第一金属层通过同一道光刻工艺制作。需要注意的是，所述第二膜层340与所述第一膜层330可以通过自对准工艺以相同一道光刻工艺制作。在本实施例中，由于第一膜层330及第二膜层340构成的垫高层30’增高了上方膜层的地势，因此，位于所述垫高层30’上方的层间介电层13’的地势对应增加，并形成突台部10’。亦即，本实施例的突台部10’是形成在所述层间介电层13上，并位于所述垫高层30’正上方。如图5所示，本实施例的突台部10’包括第一顶面101’及位于所述第一顶面101’一侧的第一侧壁102’。本实施例通过垫高层30’设置于所述缓冲层12’上，同样可以达到增加地势的效果，使上方膜层的地势升高，达到相同于图1所示实施例的垫高层的相同功效。
请参阅图6，其为本申请实施例的显示装置的结构示意图。本申请实施例还提供一种显示装置200，包括上述任一实施例的有机发光二极管显示面板100，所述显示装置200可为电视、笔记本电脑、平板电脑或手机等电子产品。
综上所述，本申请实施例提供一种有机发光二极管显示面板及显示装置。通过垫高层的设置增加上方膜层的地势，解决了钝化层与平坦层蚀刻界面侧蚀问题，使平坦层形状稳定性得到改善，同时地势的影响修正了钝化层的倾斜角，从而使平坦层在底切结构的实际深度满足支撑性的要求，改善了平坦层作为底切支撑层的量产可靠性，且可减少制作工艺中光罩的使用数量。据此，本申请的有机发光二极管显示面板及显示装置有效解决传统底切结构实际深度不足，钝化层的蚀刻侧倾斜角较缓，或深度满足时却引起平坦层支撑稳定性不佳，造成后续制程中有塌陷风险的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
薄膜晶体管器件层，设置于所述衬底上，包括功能膜层及薄膜晶体管；
发光器件，设置于所述薄膜晶体管器件层上方；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管器件层上；
平坦层，设置于所述钝化层上；
所述功能膜层包括垫高层及突台部，其中所述突台部设置于所述垫高层的正上方，包括第一顶面及位于所述第一顶面一侧的第一侧壁；
辅助电极，设置于所述发光器件与所述衬底之间，包过接触部及台阶部，所述台阶部位于所述第一顶面上，所述接触部相邻于所述第一侧壁，且所述台阶部所在的水平面高度高于所述接触部所在的水平面高度；以及
底切通道，设置于所述辅助电极的接触部上，且所述底切通道上方具有穿透所述平坦层的第一通孔，其中所述底切通道在所述衬底的正投影与所述垫高层在所述衬底的正投影相互间隔。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述平坦层包括第一支撑部，其包括凹槽，所述钝化层包括第二支撑部，所述第二支撑部包覆于所述凹槽内，其中所述第一支撑部及所述第二支撑部分别设置于所述辅助电极的台阶部上，且部分所述第一支撑部及所述第二支撑部延伸出所述第一侧壁，并悬空于所述底切通道的上方。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一支撑部相邻所述底切通道的底面的正投影全部位在所述底切通道上。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层还包括遮光层，所述遮光层设置于所述薄膜晶体管下方，其中所述垫高层与所述遮光层同层设置。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述功能膜层还包括缓冲层及设置于所述缓冲层上的层间介电层，所述突台部包括第一突台及第二突台，其中所述第一突台设置于所述缓冲层上，并位于所述垫高层正上方，所述第二突台设置于所述层间介电层上，所述辅助电极的台阶部位于所述第二突台上，且所述垫高层、所述第一突台、所述第二突台及所述台阶部相互对齐。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，其中所述辅助电极与所述源极及漏极同层设置。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述垫高层包括相互叠设的第一膜层及第二膜层，所述第一膜层为所述栅极绝缘层图形化的一部分，所述第二膜层为所述栅极图形化的一部分。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述功能膜层还包括缓冲层及设置于所述缓冲层上的层间介电层，所述突台部设置于所述层间介电层上，并位于所述垫高层正上方，且所述垫高层设置于所述缓冲层上。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述发光器件包括依序设置的阳极、有机发光层及阴极，其中所述有机发光层及所述阴极通过所述第一通孔及所述底切通道接触于所述辅助电极，且所述有机发光层在所述阴极上的正投影位于所述底切通道内的所述阴极的边界之内。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板。
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