CN112952023B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板，包括：基板、辅助阴极、平坦化层和连接结构；基板位于基板一侧；辅助阴极位于辅助阴极远离所述基板一侧，平坦化层设置有凸起部或凹陷部，且凸起部或凹陷部的位置与辅助阴极的位置对应；平坦化层位于平坦化层远离基板一侧，且连接结构的位置与辅助阴极的位置对应，连接结构覆盖凸起部或所述凹陷部，并通过贯穿平坦化层的搭接孔与辅助阴极连接。由于平坦化层设置有凸起部或凹陷部，从而增大了覆盖在凸起部或凹陷部的连接结构的面积，使得阴极与连接结构的搭接面积增大，从而保证了阴极与辅助阴极搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

为了满足大尺寸OLED(有机电致发光二极管)显示面板对于高清显示的需求，高刷新频率的OLED显示面板需要减少阴极的电阻，即将一部分阴极走线在显示基板制备的时候一并制备完成，这样的导电结构称为辅助阴极。

由于辅助阴极上面会覆盖平坦化层，最后通过刻蚀去除辅助阴极上面的平坦化层以形成搭接孔，通过在平坦化层上形成连接结构并填充搭接孔，使得后续沉积的OLED阴极与该连接结构相连，从而实现阴极与辅助阴极的搭接。

现有的OLED显示器件结构中，由于阴极与连接结构的搭接面积较小，容易出现搭接不良的问题，从而影响显示效果。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有OLED显示器件结构中由于阴极与连接结构的搭接面积小而容易出现搭接不良的问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基板、辅助阴极、平坦化层和连接结构；所述基板位于所述基板一侧；所述辅助阴极位于所述辅助阴极远离所述基板一侧，所述平坦化层设置有凸起部或凹陷部，且所述凸起部或凹陷部的位置与所述辅助阴极的位置对应；所述平坦化层位于所述平坦化层远离所述基板一侧，且所述连接结构的位置与所述辅助阴极的位置对应，所述连接结构覆盖所述凸起部或所述凹陷部，并通过贯穿所述平坦化层的搭接孔与所述辅助阴极连接。

可选地，所述连接结构包括依次层叠设置的第一导电结构、反射结构和第二导电结构；所述第一导电结构位于所述平坦化层远离所述基板一侧，且覆盖所述凸起部或所述凹陷部，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接。

可选地，所述凸起部包括第一平滑区、以及位于所述第一平滑区两侧的第一坡度区和第二坡度区，所述搭接孔位于所述第一平滑区，所述第一导电结构覆盖所述第一坡度区和所述第二坡度区，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接；所述反射结构位于所述第一平滑区；所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述反射结构在所述基板上的正投影区域的面积，且所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域覆盖部分所述第一坡度区和部分所述第二坡度区。

可选地，所述凹陷部包括第二平滑区、以及位于所述第二平滑区两侧的第三坡度区和第四坡度区；所述搭接孔位于所述第二平滑区，所述第一导电结构覆盖所述第三坡度区和所述第四坡度区，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接；所述反射结构位于所述第二平滑区；所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述反射结构在所述基板上的正投影区域的面积，且所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域覆盖部分所述第三坡度区和部分所述第四坡度区。

可选地，所述显示基板还包括阴极，所述阴极位于所述第二导电结构远离所述基板一侧；所述阴极分别与所述第一导电结构、所述反射结构和所述第二导电结构连接。

可选地，所述基板包括薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构与所述辅助阴极错开设置；所述薄膜晶体管结构包括依次层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。

可选地，所述显示基板还包括阳极，所述阳极位于所述薄膜晶体管结构远离所述基板一侧；所述阳极包括第一阳极层、反射阳极层和第二阳极层；所述第一阳极层通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述漏极连接。

可选地，所述第一导电结构与所述第一阳极层同层设置，所述反射结构与所述反射阳极层同层设置，所述第二导电结构与所述第二阳极层同层设置。

第二个方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括如第一个方面所述的显示基板。

第三个方面，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上的预设区域形成辅助阴极；

在所述辅助阴极远离所述基板的一侧形成具有凸起部或凹陷部的平坦化层；

在对应于所述凸起部或凹陷部的位置形成贯穿所述平坦化层的搭接孔，并暴露出所述辅助阴极；

在所述凸起部或所述凹陷部远离所述基板的一侧形成连接结构，使得所述连接结构通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果至少包括：

本申请实施例提供的显示基板，由于平坦化层设置有凸起部或凹陷部，从而增大了覆盖在凸起部或凹陷部的连接结构的面积，使得阴极与连接结构的搭接面积增大，由于连接结构通过搭接孔与辅助阴极连接，相当于增加了阴极与辅助阴极的搭接面积，从而保证了阴极与辅助阴极搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；

图4为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法中制备表面平齐的平坦化层的工艺结构图；

图5为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法中步骤S103所对应的工艺结构图；

图6为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法中步骤S104所对应的工艺结构图；

图7为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法中步骤S105所对应的工艺结构图；

图8为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图；

图9为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法中步骤S203所对应的工艺结构图；

图10为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法中步骤S204所对应的工艺结构图；

图11为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法中步骤S205所对应的工艺结构图；

图中：

100-基板；110-基底；120-缓冲层；130-开关器件层；131-薄膜晶体管

结构；

200-辅助阴极；

300-平坦化层；

310-凸起部；311-第一平滑区；312-第一坡度区；313-第二坡度区；

320-搭接孔；

330-凹陷部；314-第二平滑区；315-第三坡度区；316-第四坡度区；

400-连接结构；410-第一导电结构；420-反射结构；430-第二导电结构；

500-阳极；510-第一阳极层；520-反射阳极层；530-第二阳极层；

600-发光层；

700-阴极。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

如图1所示，本申请实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括：基板100、辅助阴极200、平坦化层300和连接结构400。

为了便于描述，将基板100划分为显示区(有效发光区)和非显示区。其中，辅助阴极200位于基板100的一侧且对应于非显示区，辅助阴极200主要用于增加阴极700的面积，从而减小电阻。

具体地，平坦化层300位于辅助阴极200远离基板100一侧，且覆盖整个基板100。平坦化层300用于对基板100进行平坦化，以便于后续膜层的制备。图1中，为了增加阴极700与连接结构400的搭接面积，平坦化层300对应于辅助阴极200的位置设有凸起部310，凸起部310位于平坦化层300远离基板100的一侧，凸起部310也同样位于非显示区。需要说明的是，凸起部310的位置与辅助阴极200的位置对应是指：凸起部310在基板100上的正投影与辅助阴极200在基板100上的正投影至少部分重合。

可以理解的是，凸起部310是指平坦化层300远离基板100的一侧朝背离基板100的方向凸起所形成的结构。

进一步地，连接结构400位于平坦化层300远离基板100一侧，且连接结构400的位置同样与辅助阴极200的位置对应，即连接结构400也位于非显示区。连接结构400覆盖凸起部310，并通过贯穿平坦化层300的搭接孔320与辅助阴极200连接。由于发光层600的爬坡效应弱于阴极700，位于凸起部310的高度变化区域一般不会覆盖发光层600，使得发光层600上的阴极700能够与覆盖在凸起部310两侧的连接结构400接触，相当于增加了阴极700与连接结构400的接触面积。

本申请实施例中，由于平坦化层300设有凸起部310，从而增大了覆盖在凸起部310的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，相当于增加了阴极700与辅助阴极200的搭接面积，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

可选地，本申请实施例中的基板100包括基底110、以及层叠在基底110上的缓冲层120和开关器件层130，平坦化层300位于开关器件层130远离基底110的一侧。此外，平坦化层300与开关器件层130之间还设有钝化层(图1中未示出)，用于保护开关器件层130。其中，基底110可以是玻璃材质或者半导体材质。

在一些实施例中，继续参阅图1，图1中的连接结构400包括依次层叠设置的第一导电结构410、反射结构420和第二导电结构430。其中，第一导电结构410位于平坦化层300远离基板100一侧且覆盖凸起部310，并通过搭接孔320与辅助阴极200连接。

本实施例中，第一导电结构410用于连接阴极700与辅助阴极200，第一导电结构410覆盖凸起部310两侧的高度变化部位，由于该部位没有发光层600，使得阴极700能够与该斜坡部位的第一导电结构410接触，相当于增加了阴极700与第一导电结构410的接触面积，进而增加了阴极700与辅助阴极200搭接的搭接面积，提升了产品良率。

在一些实施例中，继续参阅图1，图1中的凸起部310具体包括：第一平滑区311、以及位于第一平滑区311两侧的第一坡度区312和第二坡度区313。

具体地，本实施例中的搭接孔320位于第一平滑区311，即搭接孔320贯穿第一平滑区311的平坦化层300，第一导电结构410覆盖第一坡度区312和第二坡度区313，并通过搭接孔320与辅助阴极200连接。反射结构420位于第一平滑区311，并将搭接孔320中未被第一导电结构410填充的间隙填充。

进一步地，第二导电结构430在基板100上的正投影区域的面积大于反射结构420在基板100上的正投影区域的面积，且第二导电结构430在基板100上的正投影区域覆盖部分第一坡度区312和部分第二坡度区313。需要说明的是，第二导电结构430可以作为反射结构420图形化的掩膜结构，以简化工艺步骤。

本实施例中，由于第一导电结构410覆盖第一坡度区312和第二坡度区313，由于反射结构420仅位于第一平滑区311，相当于增加了第一导电结构410未被反射结构420覆盖的面积，使得阴极700与第一导电结构410的搭接面积增大，从而提升了辅助阴极200搭接产品的良率。

在一些实施例中，如图2所示，本申请实施例提供了另一种显示基板，该显示基板同样包括：基板100、辅助阴极200、平坦化层300和连接结构400。

与图1中的显示基板所不同的是，本实施例中的平坦化层300对应于辅助阴极200的位置设有凹陷部330。凹陷部330位于平坦化层300远离基板100的一侧，凹陷部330也同样位于非显示区。需要说明的是，凹陷部330的位置与辅助阴极200的位置对应是指：凹陷部330在基板100上的正投影与辅助阴极200在基板100上的正投影至少部分重合。

可以理解的是，凹陷部330是指平坦化层300远离基板100的一侧朝靠近基板100的方向凹陷所形成的结构。

进一步地，连接结构400位于平坦化层300远离基板100一侧，且连接结构400的位置同样与辅助阴极200的位置对应，即连接结构400也位于非显示区。连接结构400覆盖凹陷部330，并通过贯穿平坦化层300的搭接孔320与辅助阴极200连接。由于发光层600的爬坡效应弱于阴极700，位于凹陷部330的高度变化区域一般不会覆盖发光层600，使得发光层600上的阴极700能够与覆盖在凹陷部330两侧的连接结构400接触，相当于增加了阴极700与连接结构400的接触面积。

本申请实施例中，由于平坦化层300设有凹陷部330，从而增大了覆盖在凹陷部330的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

在一些实施例中，继续参阅图2，连接结构400包括依次层叠设置的第一导电结构410、反射结构420和第二导电结构430。第一导电结构410位于平坦化层300远离基板100一侧，且覆盖凹陷部330，并通过所述搭接孔320与所述辅助阴极200连接。

本实施例中，第一导电结构410用于连接阴极700与辅助阴极200，第一导电结构410覆盖凹陷部330两侧的高度变化部位，由于该部位没有发光层600，使得阴极700能够与该斜坡部位的第一导电结构410接触，相当于增加了阴极700与第一导电结构410的接触面积，进而增加了阴极700与辅助阴极200搭接的搭接面积，提升了产品良率。

在一些实施例中，继续参阅图2，图2中的凹陷部330包括第二平滑区314、以及位于第二平滑区314两侧的第三坡度区315和第四坡度区316。

具体地，搭接孔320位于第二平滑区314，即搭接孔320贯穿第二平滑区314的平坦化层300，第一导电结构410至少覆盖第三坡度区315和第四坡度区316，并通过搭接孔320与辅助阴极200连接。反射结构420位于第二平滑区314，并将搭接孔320中未被第一导电结构410填充的间隙填充。

进一步地，第二导电结构430在基板100上的正投影区域的面积大于反射结构420在所述基板100上的正投影区域的面积，且第二导电结构430在基板100上的正投影区域覆盖部分第三坡度区315和部分所述第四坡度区316。需要说明的是，第二导电结构430可以作为反射结构420图形化的掩膜结构，以简化工艺步骤。

本实施例中，由于第一导电结构410覆盖第三坡度区315和第四坡度区316，由于反射结构420仅位于第二平滑区314，相当于增加了第一导电结构410未被反射结构420覆盖的面积，使得阴极700与第一导电结构410的搭接面积增大，从而提升了辅助阴极200搭接产品的良率。

在一些实施例中，继续参阅图1和图2，本申请实施例中的显示基板除了基板100、辅助阴极200、平坦化层300和连接结构400之外，还包括阴极700。其中，阴极700位于第二导电结构430远离基板100一侧，阴极700分别与第一导电结构410、反射结构420和第二导电结构430连接。

具体地，由于本申请实施例中的阴极700采用打印的工艺制备，因此阴极700不仅覆盖显示区，而且还覆盖非显示区。阴极700覆盖位于斜坡区域的第一导电结构410，并沿着反射结构420向上延伸直至与第二导电结构430接触。

可选地，由于阴极700采用打印工艺制备，因而在第二导电结构430远离基板100的一侧也沉积有部分阴极700，这部分阴极700与第二导电结构430之间还设置有发光层600。

在一些实施例中，继续参阅图1和图2，本申请实施例中的基板100包括薄膜晶体管结构131，薄膜晶体管结构131位于显示区，用于控制显示区的发光器件结构发光。薄膜晶体管结构131与位于非显示区的辅助阴极200错开设置。

具体地，薄膜晶体管结构131包括依次层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极(图1和图2中未示出)。漏极通过贯穿平坦化层300的过孔与有源层的漏区电连接，源极通过贯穿平坦化层300的过孔与有源层的源区电连接。

本实施例中，辅助阴极200可以与薄膜晶体管结构131的源极和漏极位于同一膜层，可由金属沉积工艺与图形化工艺相结合制备得到，从而降低工艺难度，节约生产成本。

在一些实施例中，继续参阅图1和图2，本申请实施例中的显示基板除了基板100、辅助阴极200、平坦化层300和连接结构400之外，还包括阳极500。

具体地，阳极500位于薄膜晶体管结构131远离基板100一侧，即阳极500同样位于显示区。阳极500远离基板100的一侧依次层叠有发光层600和阴极700，阳极500与发光层600和阴极700构成发光器件结构。阳极500包括依次层叠的第一阳极层510、反射阳极层520和第二阳极层530，发光层600位于第二阳极层530远离基板100的一侧。其中，第一阳极层510通过贯穿平坦化层300的过孔与漏极连接。

可选地，阳极500与连接结构400错位布置，二者之间相互独立，不存在电连接关系。

在一些实施例中，继续参阅图1和图2，为了降低工艺制作难度，本申请实施例中的第一导电结构410与第一阳极层510可以同层设置，使得第一导电结构410与第一阳极500结构可由同一成膜工艺制备，并通过图形化工艺得到。

同理，反射结构420与反射阳极层520同层设置，使得反射结构420与反射阳极层520可由同一成膜工艺制备，并通过图形化工艺得到。第二导电结构430与第二阳极层530同层设置，使得第二导电结构430与第二阳极500结构可由同一成膜工艺制备，并通过图形化工艺得到。

可选地，第一导电结构410与第一阳极层510的材料为氧化铟锡(ITO)，第二导电结构430与第二阳极层530的材料也为ITO。反射结构420与反射阳极层520的材料可以为铝(Al)或者铝合金。

本实施例中的显示基板，由于阳极500的各膜层结构与连接结构400的各膜层结构一致，可通过同一成膜工艺并结合图形化工艺制备得到，避免了额外增加工艺步骤，降低了产品制造成本。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括了本申请实施例中前述的显示基板。其中，显示装置包括显示面板、手机、平板电脑、电视等设备。

本申请实施例提供的显示装置，包括了前述的显示基板，该显示基板的平坦化层300设有凸起部310或者凹陷部330，从而增大了覆盖在凸起部310或者凹陷部330的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，相当于增加了阴极700与辅助阴极200的搭接面积，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

基于同一发明构思，如图3所示，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：

S101，提供一基板100。

可选地，如图4所示，基板100可以包括基底110、以及层叠在基底110上的缓冲层120和开关器件层130。其中，基底110可以是玻璃材质或者半导体材质。

S102，在基板100上的预设区域形成辅助阴极200。

可选地，继续参阅图4，辅助阴极200可以与开关器件层130的源极和漏极一并制备得到，此时上述步骤S101中的开关器件层130不包括源极和漏极。当然，辅助阴极200也可以在开关器件层130的源极和漏极制备完成之后再制备得到。此外，基板100上的预设区域对应于非显示区，即辅助阴极200制备完成后位于基板100的非显示区。

S103，在辅助阴极200远离基板100的一侧形成具有凸起部310的平坦化层300。

可选地，如图4所示，可预先制备远离基板100的一侧平齐的平坦化层300。然后通过图形化工艺对平坦化层300图形化(去除辅助阴极200上方的部分平坦化层300)，从而形成凸起部310，如图5所示。

S104，在对应于凸起部310的位置形成贯穿平坦化层300的搭接孔320，并暴露出辅助阴极200。

可选地，如图6所示，通过刻蚀工艺使得搭接孔320贯穿平坦化层300的凸起部310，并且进一步贯穿钝化层(图6中未示出)，直至暴露出辅助阴极200。

S105，在凸起部310远离基板100的一侧形成连接结构400，使得连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接。

可选地，如图7所示，连接结构400可以与阳极500一并制备得到。具体工艺步骤如下：

首先，在平坦化层300远离基板100的一侧依次制备第一导电层、反射层和第二导电层。其中，第一导电层和反射层的一部分填充在搭接孔320内，以实现连接结构400与辅助阴极200的电连接。

然后，对第二导电层进行图形化，得到位于显示区的第二阳极层530和位于非显示区的第二导电结构430。

接着，以第二导电结构430和第二阳极500结构作为掩膜，对反射层进行图形化，得到位于显示区的反射阳极层520和位于非显示区的反射结构420。

之后，对第一导电层进行图形化，得到位于显示区的第一阳极层510和位于非显示区的第一导电结构410。

可选地，在步骤S105之后还包括：

在阳极500和连接结构400远离基板100的一侧制备发光层600和阴极700，参阅图1。阴极700覆盖位于凸起部310的高度变化区域的部分第一导电结构410，相当于增加了阴极700与第一导电结构410的搭接面积。

本申请实施例提供的制备方法，通过在显示基板的平坦化层300设置凸起部310，从而增大了覆盖在凸起部310的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，相当于增加了阴极700与辅助阴极200的搭接面积，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

在一些实施例中，如图8所示，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：

S201，提供一基板100。

可选地，如图4所示，基板100包括基底110、以及层叠在基底110上的缓冲层120和开关器件层130。其中，基底110可以是玻璃材质或者半导体材质。

S202，在基板100上的预设区域形成辅助阴极200。

可选地，继续参阅图4，辅助阴极200可以与开关器件层130的源极和漏极一并制备得到，此时上述步骤S201中的开关器件层130不包括源极和漏极。当然，辅助阴极200也可以在开关器件层130的源极和漏极制备完成之后再制备得到。此外，基板100上的预设区域对应于非显示区，即辅助阴极200制备完成后位于基板100的非显示区。

S203，在辅助阴极200远离基板100的一侧形成具有凹陷部330的平坦化层300。

可选地，如图4所示，可预先制备远离基板100的一侧平齐的平坦化层300。然后通过图形化工艺对平坦化层300图形化(去除辅助阴极200上方的部分平坦化层300)，从而形成凹陷部330，如图9所示。

S204，在对应于凹陷部330的位置形成贯穿平坦化层300的搭接孔320，并暴露出辅助阴极200。

可选地，如图10所示，通过刻蚀工艺使得搭接孔320贯穿平坦化层300的凹陷部330，并且进一步贯穿钝化层(图10中未示出)，直至暴露出辅助阴极200。

S205，在凹陷部330远离基板100的一侧形成连接结构400，使得连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接。

可选地，如图11所示，连接结构400可以与阳极500一并制备得到。具体工艺步骤可参考上述实施例的内容，此处不再详细赘述。

可选地，在步骤S205之后还包括：

在阳极500和连接结构400远离基板100的一侧制备发光层600和阴极700，参阅图2。阴极700覆盖位于凹陷部330的高度变化区域的部分第一导电结构410，相当于增加了阴极700与第一导电结构410的搭接面积。

本申请实施例提供的制备方法，通过在显示基板的平坦化层300设置凹陷部330，从而增大了覆盖在凸起部310的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，相当于增加了阴极700与辅助阴极200的搭接面积，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

本申请各实施例至少具有以下技术效果：

1、本申请实施例提供的显示基板，由于平坦化层300设置有凸起部310或者凹陷部330，从而增大了覆盖在凸起部310或者凹陷部330的连接结构400的面积，使得阴极700与连接结构400的搭接面积增大，由于连接结构400通过搭接孔320与辅助阴极200连接，相当于增加了阴极700与辅助阴极200的搭接面积，从而保证了阴极700与辅助阴极200搭接的产品良率，提升了显示面板的产品质量。

2、第一导电结构410用于连接阴极700与辅助阴极200，第一导电结构410覆盖凸起部310或者凹陷部330两侧的高度变化部位，由于该部位没有发光层600，使得阴极700能够与该斜坡部位的第一导电结构410接触，相当于增加了阴极700与第一导电结构410的接触面积，进而增加了阴极700与辅助阴极200搭接的搭接面积，提升了产品良率。

3、由于第一导电结构410覆盖第一坡度区312和第二坡度区313，由于反射结构420仅位于第一平滑区311，相当于增加了第一导电结构410未被反射结构420覆盖的面积，使得阴极700与第一导电结构410的搭接面积增大，从而提升了辅助阴极200搭接产品的良率。

4、由于第一导电结构410覆盖第三坡度区315和第四坡度区316，由于反射结构420仅位于第二平滑区314，相当于增加了第一导电结构410未被反射结构420覆盖的面积，使得阴极700与第一导电结构410的搭接面积增大，从而提升了辅助阴极200搭接产品的良率。

5、辅助阴极200可以与薄膜晶体管结构131的源极和漏极位于同一膜层，可由金属沉积工艺与图形化工艺相结合制备得到，从而降低工艺难度，节约生产成本。

6、由于阳极500的各膜层结构与连接结构400的各膜层结构一致，可通过同一成膜工艺并结合图形化工艺制备得到，避免了额外增加工艺步骤，降低了产品制造成本。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

基板；

辅助阴极，位于所述基板一侧；

平坦化层，位于所述辅助阴极远离所述基板一侧，所述平坦化层设置有凸起部或凹陷部，且所述凸起部或凹陷部的位置与所述辅助阴极的位置对应；

连接结构，位于所述平坦化层远离所述基板一侧，且所述连接结构的位置与所述辅助阴极的位置对应，所述连接结构覆盖所述凸起部或所述凹陷部，并通过贯穿所述平坦化层的搭接孔与所述辅助阴极连接；其中：

所述连接结构包括依次层叠设置的第一导电结构、反射结构和第二导电结构；

所述第一导电结构位于所述平坦化层远离所述基板一侧，且覆盖所述凸起部或所述凹陷部，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起部包括第一平滑区、以及位于所述第一平滑区两侧的第一坡度区和第二坡度区；

所述搭接孔位于所述第一平滑区，所述第一导电结构覆盖所述第一坡度区和所述第二坡度区，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接；

所述反射结构位于所述第一平滑区；

所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述反射结构在所述基板上的正投影区域的面积，且所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域覆盖部分所述第一坡度区和部分所述第二坡度区。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷部包括第二平滑区、以及位于所述第二平滑区两侧的第三坡度区和第四坡度区；

所述搭接孔位于所述第二平滑区，所述第一导电结构覆盖所述第三坡度区和所述第四坡度区，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接；

所述反射结构位于所述第二平滑区；

所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域的面积大于所述反射结构在所述基板上的正投影区域的面积，且所述第二导电结构在所述基板上的正投影区域覆盖部分所述第三坡度区和部分所述第四坡度区。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括阴极，所述阴极位于所述第二导电结构远离所述基板一侧；

所述阴极分别与所述第一导电结构、所述反射结构和所述第二导电结构连接。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基板包括薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构与所述辅助阴极错开设置；

所述薄膜晶体管结构包括依次层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括阳极，所述阳极位于所述薄膜晶体管结构远离所述基板一侧；

所述阳极包括第一阳极层、反射阳极层和第二阳极层；

所述第一阳极层通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述漏极连接。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电结构与所述第一阳极层同层设置，所述反射结构与所述反射阳极层同层设置，所述第二导电结构与所述第二阳极层同层设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上的预设区域形成辅助阴极；

在所述辅助阴极远离所述基板的一侧形成具有凸起部或凹陷部的平坦化层；

在对应于所述凸起部或凹陷部的位置形成贯穿所述平坦化层的搭接孔，并暴露出所述辅助阴极；

在所述凸起部或所述凹陷部远离所述基板的一侧形成连接结构，使得所述连接结构通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接；其中：所述连接结构包括依次层叠设置的第一导电结构、反射结构和第二导电结构；所述第一导电结构位于所述平坦化层远离所述基板一侧，且覆盖所述凸起部或所述凹陷部，并通过所述搭接孔与所述辅助阴极连接。

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