CN111261693A - 一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板包括若干显示区、柱区、桥区和开孔区,其中所述柱区围绕所述显示区,所述桥区设于所述开孔区和所述柱区之间或所述开孔区之间;其中,所述柱区设有间隔柱结构,所述间隔柱与所述显示区间隔设置;所述桥区具有桥接结构,所述桥接结构与所述间隔柱结构间隔设置;每一显示区具有显示单元,所述可形变的显示面板还包括信号线,从所述桥区穿过所述柱区连接于所述显示单元。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,能够进行柔性显示的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)促进了显示的多样化,逐渐成为显示技术的主流。在一些相关技术中,OLED柔性显示装置能够满足二维面的弯折,但不适用于情况更复杂的(例如可穿戴等)的柔性显示需求。
可拉伸(Stretchable)的OLED显示面板具有任意变形后画面显示效果不变的特性,可以应用于异性显示、可穿戴设备等特定显示领域中,为未来的显示领域增添多样性与可能性。
由于可拉伸OLED需要任意变形,因此对于OLED结构的设计与工艺流程的实现尤为重要,但现有技术对于可拉伸OLED中相应的结构与工艺流程并没有记载。
因此,确有必要来开发一种新型的显示面板的制备方法,以填补现有技术的空缺。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可形变的显示面板的制备方法,其能够解决现有技术对于可拉伸显示面板中相应的结构与工艺流程并没有记载的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种可形变的显示面板,包括若干显示区、柱区、桥区和开孔区,其中所述柱区围绕所述显示区,所述桥区设于所述开孔区和所述柱区之间或所述开孔区之间;其中,所述柱区设有间隔柱结构,所述间隔柱结构与所述显示区间隔设置;所述桥区具有桥接结构,所述桥接结构与所述间隔柱结构间隔设置;每一显示区具有显示单元,所述可形变的显示面板还包括信号线,从所述桥区穿过所述柱区连接于所述显示单元。
进一步的,在其他实施方式中,所述显示面板包括基板层,从所述显示区区延伸至所述开孔区;可拉伸衬底,从所述显示区区延伸至所述桥区;阻隔层,设于所述可拉伸衬底上,从所述显示区区延伸至所述桥区。
进一步的,在其他实施方式中,所述显示面板还包括缓冲层,设于所述显示区的所述阻隔层上;有源层,设于所述显示区的所述缓冲层上;第一栅极绝缘层,设于所述显示区的所述缓冲层上,且覆盖所述有源层;第一栅极层,设于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上;层间介质层,设于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上,且覆盖所述第一栅极层;通孔,贯穿所述层间介质层和所述第一栅极绝缘层;所述信号线包括源漏极层,设于所述层间介质层上和所述通孔中以及所述柱区和所述桥区的阻隔层上。
进一步的,在其他实施方式中,所述显示面板还包括还包括平坦层,设于所述显示区的所述层间介质层和所述桥区的所述阻隔层上,并覆盖所述桥区的所述信号线,在所述显示区,所述平坦层具有且具有一开口,该开口对应所述源漏极层;阳极层,设于所述显示区的所述平坦层的表面上以及所述柱区的所述信号线上,且所述阳极层延伸至所述开口中连接至所述源漏极;像素定义层,设于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述平坦层上和所述阳极层上;PS隔层,设于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述像素定义层上;OLED发光层,设于所述显示区的所述阳极上;所述信号线还包括阴极层,设于所述显示区的所述OLED发光层和所述桥区的所述PS隔层上;在所述显示区中,所述缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、层间介质层、源漏极层、平坦层、阳极层、像素定义层、PS隔层、OLED发光层和阴极层形成所述显示单元;在所述柱区,所述源漏极层、阳极层、像素定义层和PS隔层形成所述间隔柱结构;在所述桥区,所述源漏极层、平坦层、像素定义层、PS隔层和阴极层形成所述桥接结构;所述桥区的阴极层、所述显示区的阳极层均与所述柱区的阳极层相接。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述柱区的所述源漏极层和阳极层整体呈倒梯形。
为实现上述目的,本发明还提供一种制备方法,用以制备本发明涉及的所述的可形变的显示面板,包括若干显示区、柱区、桥区和开孔区,其中所述柱区围绕所述显示区,所述桥区设于所述开孔区和所述柱区之间或所述开孔区之间;所述制备方法包括:制备显示单元于所述显示区;制备间隔柱结构于所述柱区;制备桥接结构于所述桥区;其中,所述间隔柱与所述显示区间隔设置;所述桥接结构与所述间隔柱结构间隔设置;所述可形变的显示面板还包括信号线,从所述桥区穿过所述柱区连接于所述显示单元。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述制备方法具体包括以下步骤:提供一基板层,从所述显示区区延伸至所述开孔区;制备可拉伸衬底,从所述显示区延伸至所述开孔区;制备阻隔层于所述可拉伸衬底上,从所述显示区延伸至所述开孔区;制备缓冲层于所述阻隔层上,从所述显示区延伸至所述开孔区;制备有源层于所述显示区的所述缓冲层上;制备第一栅极绝缘层于所述缓冲层上,且覆盖所述有源层,所述第一栅极绝缘层从所述显示区延伸至所述开孔区;制备第一栅极层于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上;制备层间介质层于所述栅极绝缘层上且覆盖所述第一栅极层,所述层间介质层从所述显示区延伸至所述开孔区;刻蚀掉所述柱区、桥区、开孔区的所述第一栅极绝缘层、层间介质层和部分所述显示区的所述第一栅极绝缘层、层间介质层,在所述显示区上形成贯穿所述层间介质层和所述第一栅极绝缘层的通孔;刻蚀掉所述柱区、桥区、开孔区的所述缓冲层;制备源漏极层于所述显示区的所述通孔、所述柱区和所述桥区的所述阻隔层上,所述显示区、柱区和桥区的所述源漏极层分别间隔设置;刻蚀掉所述开孔区的所述阻隔层、可拉伸衬底;制备平坦层于所述显示区的所述层间介质层和所述桥区的所述阻隔层上,并覆盖所述桥区的所述源漏极层,在所述显示区,所述平坦层具有且具有一开口,该开口对应所述源漏极层,其中在所述桥区上制备平坦层能够为后续变形提供一定的能力,所述开孔区上不设置所述平坦层是为了后续能够变形,在其他实施方式中,在所述柱区上也可制备平坦层,主要是根据后续阴极的断开情况进行膜层堆叠控制;制备阳极层于所述显示区的所述平坦层的表面上以及所述柱区的所述源漏极层上,且所述阳极层延伸至所述开口中连接至所述源漏极;制备像素定义层于于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述平坦层上和所述阳极层上,其中在所述桥区上制备像素定义层能够在保护所述源漏极层走线的同时提升后续显示面板变形的性能;制备PS隔层于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述像素定义层上;刻蚀所述柱区的部分所述源漏极层和阳极层,使得所述柱区的源漏极层和阳极层呈倒梯形,为后续断开阴极提供条件。因为蚀刻液对于所述源漏极层的刻蚀速率要大于所述阳极的刻蚀速率,因此可以最终形成倒梯形的所述柱区的源漏极层和阳极层,这种结构有助于后续阴极在此处断开,通过调整所述柱区的源漏极层和阳极层的高度和倒梯形的结构可以使阴极在此处断开并且间隔柱结构还可以作为挡墙结构起到阻水氧作用。
其中,所述开孔区能够变大或变小,当所述开孔区变大或变小时,所述显示区跟着进行旋转。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述阻隔层的材料采用氧化硅,所述第一栅极绝缘层的材料采用氧化硅或氮化硅,所述栅极层的材料采用钼金属,所述层间介质层的材料采用氧化硅和氮化硅,其中所述层间介质层中的氮化硅的能够补氢填补前制程中ELA对于所述有源层的损伤调节电性。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述源漏极层采用钛金属或铝金属,所述平坦层和像素定义层的材料采用光刻胶,在其他实施方式中,所述平坦层和像素定义层的材料也可以采用弹性较高且和所述源漏极层模量匹配的有机材料。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述PS隔层和所述像素定义层采用半色调掩膜版工艺制备的,能够节省成本。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述制备方法还包括制备OLED发光层于所述显示区的所述阳极上;制备阴极层于所述显示区的所述OLED发光层和所述桥区的所述PS隔层上。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示装置,包括本发明涉及的所述的可形变的显示面板。
相对于现有技术,本发明的有益效果在于:本发明提供一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置,揭示了可拉伸显示面板中相应的结构与工艺流程,填补了现有技术的空缺,并且工艺可行性高,便于工厂实际生产。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的可形变的显示面板的剖视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的可形变的显示面板的俯视结构示意图;
图3为本发明实施例提供的可形变的显示面板的制备方法的流程图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S9时的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S10时的结构示意图图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S11时的结构示意图图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S12时的结构示意图图;
图8为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S13时的结构示意图图;
图9为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S14时的结构示意图图;
图10为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S15时的结构示意图图;
图11为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S16时的结构示意图图;
图12为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S17时的结构示意图图;
图13为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S18时的结构示意图图;
图14为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S19时的结构示意图图;
图15为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S20时的结构示意图图;
图16为本发明实施例提供的显示面板的制备方法步骤S21时的结构示意图图。
具体实施方式中的附图说明:
显示面板-100;
显示区-101; 柱区-102;
桥区-103; 开孔区-104;
显示单元-110; 间隔柱结构-120;
桥接结构-130; 信号线-140;
基板层-10;
可拉伸衬底-111; 阻隔层-112;
缓冲层-113; 有源层-114;
第一栅极绝缘层-1151; 第一栅极层-1161;
第二栅极绝缘层-1152; 第二栅极层-1162;
层间介质层-117; 通孔-1171;
源漏极层-141; 平坦层-118;
阳极层-119; 像素定义层-121;
PS隔层-122; OLED发光层-123;
阴极层-142。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
具体的,请参阅图1和图2,图1和图2分别是为本实施例提供的可形变的显示面板100的剖视结构示意图和俯视结构示意图,可形变的显示面板100包括包括若干显示区101、柱区102、桥区103和开孔区104。
其中柱区102围绕显示区101,桥区103设于开孔区104和柱区102之间或开孔区104之间。其中开孔区104呈工字型。
柱区102设有间隔柱结构120,间隔柱结构120与显示区101间隔设置;桥区103具有桥接结构130,桥接结构130与间隔柱结构120间隔设置;每一显示区101具有显示单元110。
可形变的显示面板100还包括信号线140,从桥区103穿过柱区102连接于显示单元110。
具体地,显示面板100包括基板层10、可拉伸衬底111、阻隔层112、缓冲层113、有源层114、第一栅极绝缘层1151、第一栅极层1161、层间介质层117、源漏极层141、平坦层118、阳极层119、像素定义层121、PS隔层122、OLED发光层123和阴极层142。
基板层10,从显示区101区延伸至开孔区104;可拉伸衬底111,从显示区101区延伸至桥区103;阻隔层112,设于可拉伸衬底111上,从显示区101区延伸至桥区103。
缓冲层113,设于显示区101的阻隔层112上;有源层114,设于显示区101的缓冲层113上;第一栅极绝缘层1151,设于显示区101的缓冲层113上,且覆盖有源层114;第一栅极层1161,设于显示区101的第一栅极绝缘层1151上;第二栅极绝缘层1152,设于显示区101的第一栅极绝缘层1151上,且覆盖第一栅极层1161;第二栅极层1162,设于显示区101的第二栅极绝缘层1152上;层间介质层117,设于显示区101的第二栅极绝缘层1152上,且覆盖第二栅极层1162;通孔1171,贯穿层间介质层117、第一栅极绝缘层1151和第二栅极绝缘层1152;信号线140包括源漏极层141,设于层间介质层117上和通孔1171中以及柱区102和桥区103的阻隔层112上。
平坦层118,设于显示区101的层间介质层117和桥区103的阻隔层112上,并覆盖桥区103的信号线140,在显示区101,平坦层118具有且具有一开口,该开口对应源漏极层141;阳极层119,设于显示区101的平坦层118的表面上以及柱区102的信号线140上,且阳极层119延伸至开口中连接至源漏极;像素定义层121,设于显示区101、柱区102和桥区103的平坦层118上和阳极层119上;PS隔层122,设于显示区101、柱区102和桥区103的像素定义层121上;OLED发光层123,设于显示区101的阳极上;信号线140还包括阴极层142,设于显示区101的OLED发光层123和桥区103的PS隔层122上。
在显示区101中,缓冲层113、有源层114、第一栅极绝缘层1151、第一栅极层1161、层间介质层117、源漏极层141、平坦层118、阳极层119、像素定义层121、PS隔层122、OLED发光层123和阴极层142形成显示单元110;在柱区102,源漏极层141、阳极层119、像素定义层121和PS隔层122形成间隔柱结构120;在桥区103,源漏极层141、平坦层118、像素定义层121、PS隔层122和阴极层142形成桥接结构130;桥区103的阴极层142层、显示区101的阳极层119均与柱区102的阳极层119相接。
其中柱区102的源漏极层141和阳极层119整体呈倒梯形。这种结构有助于后续阴极在此处断开,通过调整柱区102的源漏极层141和阳极层119的高度和倒梯形的结构可以使阴极在此处断开并且间隔柱结构120还可以作为挡墙结构起到阻水氧作用。
本实施例还提供一种制备方法,用以制备本实施例涉及的的可形变的显示面板100,可形变的显示面板100包括若干显示区101、柱区102、桥区103和开孔区104,其中柱区102围绕显示区101,桥区103设于开孔区104和柱区102之间或开孔区104之间;制备方法包括步骤S100-步骤S300。请参阅图3,图3所示为本实施例提供的可形变的显示面板的制备方法的流程图。
步骤S100:制备显示单元110于显示区101。
步骤S200:制备间隔柱结构120于柱区102。
步骤S300:制备桥接结构130于桥区103。
其中,间隔柱结构120与显示区101间隔设置;桥接结构130与间隔柱结构120间隔设置;可形变的显示面板100还包括信号线140,从桥区103穿过柱区102连接于显示单元110。
制备方法具体包括以下步骤:
步骤S1:提供一基板层10,从所述显示区101区延伸至所述开孔区104。
步骤S2:制备可拉伸衬底111,从显示区101延伸至开孔区104。
步骤S3:制备阻隔层112于可拉伸衬底111上,从显示区101延伸至开孔区104;其中阻隔层112的材料采用氧化硅。
步骤S4:制备缓冲层113于阻隔层112上,从显示区101延伸至开孔区104。
步骤S5:制备有源层114于显示区101的缓冲层113上;
步骤S6:制备第一栅极绝缘层1151于缓冲层113上,且覆盖有源层114,第一栅极绝缘层1151从显示区101延伸至开孔区104。
步骤S7:制备第一栅极层1161于显示区101的第一栅极绝缘层1151上;其中第一栅极绝缘层1151的材料采用氧化硅或氮化硅,第一栅极层1161的材料采用钼金属。
步骤S8:制备第二栅极绝缘层1152于缓冲层113上,且覆盖第一栅极层1161,第二栅极绝缘层1152从显示区101延伸至开孔区104。
步骤S9:制备第二栅极层1162于显示区101的第二栅极绝缘层1152上;请参阅图4,图4所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S9时的结构示意图。
其中第二栅极绝缘层1152的材料采用氧化硅或氮化硅,第二栅极层1162的材料采用钼金属。
步骤S10:制备层间介质层117于栅极绝缘层上且覆盖第二栅极层1162,层间介质层117从显示区101延伸至开孔区104;请参阅图5,图5所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S10时的结构示意图。
其中层间介质层117的材料采用氧化硅和氮化硅,其中层间介质层117中的氮化硅的能够补氢填补前制程中ELA对于有源层114的损伤调节电性。
步骤S11:刻蚀掉柱区102、桥区103、开孔区104的第一栅极绝缘层1151、层间介质层117、第二栅极绝缘层1152和部分显示区101的第一栅极绝缘层1151、层间介质层117、第二栅极绝缘层1152,在显示区101上形成贯穿层间介质层117、第二栅极绝缘层1152和第一栅极绝缘层1151的通孔1171;请参阅图6,图6所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S11时的结构示意图。
步骤S12:刻蚀掉柱区102、桥区103、开孔区104的缓冲层113;请参阅图7,图7所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S12时的结构示意图。
步骤S13:制备源漏极层141于显示区101的通孔1171、柱区102和桥区103的阻隔层112上,显示区101、柱区102和桥区103的源漏极层141分别间隔设置;请参阅图8,图8所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S13时的结构示意图。
其中源漏极层141采用钛金属或铝金属。
步骤S14:刻蚀掉开孔区104的阻隔层112、可拉伸衬底111;请参阅图9,图9所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S14时的结构示意图。
步骤S15:制备平坦层118于显示区101的层间介质层117和桥区103的阻隔层112上,并覆盖桥区103的源漏极层141,在显示区101,平坦层118具有且具有一开口,该开口对应源漏极层141;请参阅图10,图10所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S15时的结构示意图。
其中在桥区103上制备平坦层118能够为后续变形提供一定的能力,开孔区104上不设置平坦层118是为了后续能够变形,在其他实施方式中,在柱区102上也可制备平坦层118,主要是根据后续阴极的断开情况进行膜层堆叠控制。
步骤S16:制备阳极层119于显示区101的平坦层118的表面上以及柱区102的源漏极层141上,且阳极层119延伸至开口中连接至源漏极;请参阅图11,图11所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S16时的结构示意图。
步骤S17:制备像素定义层121于于显示区101、柱区102和桥区103的平坦层118上和阳极层119上;请参阅图12,图12所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S17时的结构示意图。
其中在桥区103上制备像素定义层121能够在保护源漏极层141走线的同时提升后续显示面板100变形的性能。
其中平坦层118和像素定义层121的材料采用光刻胶,在其他实施方式中,平坦层118和像素定义层121的材料也可以采用弹性较高且和源漏极层141模量匹配的有机材料。
步骤S18:制备PS隔层122于显示区101、柱区102和桥区103的像素定义层121上;请参阅图13,图13所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S18时的结构示意图。
其中PS隔层122和像素定义层121采用半色调掩膜版工艺制备的,能够节省成本。
步骤S19:刻蚀柱区102的部分源漏极层141和阳极层119,使得柱区102的源漏极层141和阳极层119呈倒梯形,为后续断开阴极提供条件。请参阅图14,图14所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S19时的结构示意图。
因为蚀刻液对于源漏极层141的刻蚀速率要大于阳极的刻蚀速率,因此可以最终形成倒梯形的柱区102的源漏极层141和阳极层119,这种结构有助于后续阴极在此处断开,通过调整柱区102的源漏极层141和阳极层119的高度和倒梯形的结构可以使阴极在此处断开并且间隔柱结构120还可以作为挡墙结构起到阻水氧作用。
步骤S20:制备OLED发光层123于显示区101的阳极上;请参阅图15,图15所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S20时的结构示意图。
步骤S21:制备阴极层142于显示区101的OLED发光层123和桥区103的PS隔层122上;请参阅图16,图16所示为本实施例提供的显示面板的制备方法步骤S21时的结构示意图。
其中,开孔区104能够变大或变小,当开孔区104变大或变小时,显示区101跟着进行旋转。
本实施例还提供一种显示装置,包括本发明涉及的的可形变的显示面板100。
本发明的有益效果在于:本发明提供一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置,揭示了可拉伸显示面板中相应的结构与工艺流程,填补了现有技术的空缺,并且工艺可行性高,便于工厂实际生产。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种可形变的显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种可形变的显示面板,其特征在于,包括若干显示区、柱区、桥区和开孔区,其中所述柱区围绕所述显示区,所述桥区设于所述开孔区和所述柱区之间或所述开孔区之间;
其中,所述柱区设有间隔柱结构,所述间隔柱结构与所述显示区间隔设置;所述桥区具有桥接结构,所述桥接结构与所述间隔柱结构间隔设置;
每一显示区具有显示单元,所述可形变的显示面板还包括信号线,从所述桥区穿过所述柱区连接于所述显示单元。
2.如权利要求1所述的可形变的显示面板,其特征在于,包括
基板层,从所述显示区区延伸至所述开孔区;
可拉伸衬底,从所述显示区区延伸至所述桥区;
阻隔层,设于所述可拉伸衬底上,从所述显示区区延伸至所述桥区。
3.如权利要求2所述的可形变的显示面板,其特征在于,还包括
缓冲层,设于所述显示区的所述阻隔层上;
有源层,设于所述显示区的所述缓冲层上;
第一栅极绝缘层,设于所述显示区的所述缓冲层上,且覆盖所述有源层;
第一栅极层,设于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上;
层间介质层,设于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上,且覆盖所述第一栅极层;
通孔,贯穿所述层间介质层和所述第一栅极绝缘层;
所述信号线包括源漏极层,设于所述层间介质层上和所述通孔中以及所述柱区和所述桥区的阻隔层上。
4.如权利要求3所述的可形变的显示面板,其特征在于,还包括
平坦层,设于所述显示区的所述层间介质层和所述桥区的所述阻隔层上,并覆盖所述桥区的所述信号线,在所述显示区,所述平坦层具有且具有一开口,该开口对应所述源漏极层;
阳极层,设于所述显示区的所述平坦层的表面上以及所述柱区的所述信号线上,且所述阳极层延伸至所述开口中连接至所述源漏极;
像素定义层,设于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述平坦层上和所述阳极层上;
PS隔层,设于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述像素定义层上;
OLED发光层,设于所述显示区的所述阳极上;
所述信号线还包括阴极层,设于所述显示区的所述OLED发光层和所述桥区的所述PS隔层上;
在所述显示区中,所述缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、层间介质层、源漏极层、平坦层、阳极层、像素定义层、PS隔层、OLED发光层和阴极层形成所述显示单元;
在所述柱区,所述源漏极层、阳极层、像素定义层和PS隔层形成所述间隔柱结构;
在所述桥区,所述源漏极层、平坦层、像素定义层、PS隔层和阴极层形成所述桥接结构;
所述桥区的阴极层、所述显示区的阳极层均与所述柱区的阳极层相接。
5.如权利要求4所述的可形变的显示面板,其特征在于,其中所述柱区的所述源漏极层和阳极层整体呈倒梯形。
6.一种制备方法,用以制备如权利要求1所述的可形变的显示面板,其特征在于,包括若干显示区、柱区、桥区和开孔区,其中所述柱区围绕所述显示区,所述桥区设于所述开孔区和所述柱区之间或所述开孔区之间;所述制备方法包括:
制备显示单元于所述显示区;
制备间隔柱结构于所述柱区;
制备桥接结构于所述桥区;
其中,所述间隔柱与所述显示区间隔设置;所述桥接结构与所述间隔柱结构间隔设置;
所述可形变的显示面板还包括信号线,从所述桥区穿过所述柱区连接于所述显示单元。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法具体包括以下步骤:
提供基板层,从所述显示区区延伸至所述开孔区;
制备可拉伸衬底,从所述显示区延伸至所述开孔区;
制备阻隔层于所述可拉伸衬底上,从所述显示区延伸至所述开孔区;
制备缓冲层于所述阻隔层上,从所述显示区延伸至所述开孔区;
制备有源层于所述显示区的所述缓冲层上;
制备第一栅极绝缘层于所述缓冲层上,且覆盖所述有源层,所述第一栅极绝缘层从所述显示区延伸至所述开孔区;
制备第一栅极层于所述显示区的所述第一栅极绝缘层上;
制备层间介质层于所述栅极绝缘层上且覆盖所述第一栅极层,所述层间介质层从所述显示区延伸至所述开孔区;
刻蚀掉所述柱区、桥区、开孔区的所述第一栅极绝缘层、层间介质层和部分所述显示区的所述第一栅极绝缘层、层间介质层,在所述显示区上形成贯穿所述层间介质层和所述第一栅极绝缘层的通孔;
刻蚀掉所述柱区、桥区、开孔区的所述缓冲层;
制备源漏极层于所述显示区的所述通孔、所述柱区和所述桥区的所述阻隔层上,所述显示区、柱区和桥区的所述源漏极层分别间隔设置;
刻蚀掉所述开孔区的所述阻隔层、可拉伸衬底;
制备平坦层于所述显示区的所述层间介质层和所述桥区的所述阻隔层上,并覆盖所述桥区的所述源漏极层,在所述显示区,所述平坦层具有且具有一开口,该开口对应所述源漏极层;
制备阳极层于所述显示区的所述平坦层的表面上以及所述柱区的所述源漏极层上,且所述阳极层延伸至所述开口中连接至所述源漏极;
制备像素定义层于于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述平坦层上和所述阳极层上;
制备PS隔层于所述显示区、所述柱区和所述桥区的所述像素定义层上;
刻蚀所述柱区的部分所述源漏极层和阳极层,使得所述柱区的源漏极层和阳极层呈倒梯形。
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述阻隔层的材料采用氧化硅,所述第一栅极绝缘层的材料采用氧化硅或氮化硅,所述栅极层的材料采用钼金属,所述层间介质层的材料采用氧化硅和氮化硅,所述源漏极层采用钛金属或铝金属,所述平坦层和像素定义层的材料采用光刻胶,所述PS隔层和所述像素定义层采用半色调掩膜版工艺制备的。
9.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括
制备OLED发光层于所述显示区的所述阳极上;
制备阴极层于所述显示区的所述OLED发光层和所述桥区的所述PS隔层上。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的可形变的显示面板。
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