CN110828489B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110828489B
CN110828489B CN201911169679.6A CN201911169679A CN110828489B CN 110828489 B CN110828489 B CN 110828489B CN 201911169679 A CN201911169679 A CN 201911169679A CN 110828489 B CN110828489 B CN 110828489B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal layer
hole
insulating layer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911169679.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110828489A (zh
Inventor
陈诚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911169679.6A priority Critical patent/CN110828489B/zh
Priority to US16/638,767 priority patent/US11495620B2/en
Priority to PCT/CN2019/126133 priority patent/WO2021103204A1/zh
Publication of CN110828489A publication Critical patent/CN110828489A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110828489B publication Critical patent/CN110828489B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括：在水平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区；所述显示面板从下至上依次包括基板、阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：第一通孔、第二金属层、第一有机层、第二通孔、第三金属层、层间绝缘层、第四金属层；其中，位于所述显示区的部分第四金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至第三金属层。本发明的技术效果在于，提高显示面板的弯折性能，降低电路压降，提高显示面板的亮度均一性。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
目前高端手机对亮度均一性要求较高，如何提升屏幕的亮度均一性是各大厂商开发的重点方向。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有的显示面板的亮度均一性无法满足高要求的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，在水平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区；所述显示面板从下至上依次包括基板、阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：第一通孔，依次贯穿位于所述弯折区的所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，作为源漏极搭接开孔；第二金属层，设于所述第一通孔的底部及内侧壁，且延伸至所述第二栅极绝缘层的表面；第一有机层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面及所述第一通孔内；第二通孔，贯穿所述显示区内的第一有机层，所述第二通孔部分地连通至所述第一通孔，作为源漏极搭接开孔；另一部分与所述第一金属层驱动电路电容下电极图形相对设置，为形成电容开孔；第三金属层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面，部分所述第三金属层设于所述电容开孔内；层间绝缘层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；以及第四金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第一有机层一侧的表面；其中，位于所述显示区的部分第四金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至所述第三金属层。
进一步地，所述第一金属层材质包括铝或者铝合金；和/或，所述第二金属层材质包括铝或者铝合金。
进一步地，所述显示面板还包括第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层、所述第一有机层、所述第二栅极绝缘层及第一栅极绝缘层；和/或，第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层及所述第一有机层；和/或，第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层。
进一步地，所述第四金属层部分地设于所述第三通孔内。
进一步地，所述第四金属层通过所述第三通孔部分地搭接至所述第二金属层的网状走线，形成并联电路。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括如前文所述的显示面板。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，依次包括基板提供步骤、阻隔层制备步骤、缓冲层制备步骤、有源层制备步骤、第一栅极绝缘层制备步骤、第一金属层制备步骤及第二栅极绝缘层制备步骤，还包括：第一通孔设置步骤，穿透所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，形成第一通孔；第二金属层制备步骤，在所述第一通孔的底部及内侧壁并延伸至所述第二栅极绝缘层上表面上制备出第二金属层；第一有机层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层的上表面及所述第二金属层上制备出第一有机层；第二通孔设置步骤，在所述第一金属层上方的第一有机层处设置第二通孔；第三金属层制备步骤，曝光所述第一有机层，在所述第二栅极绝缘层上表面以及所述第二通孔内形成第二金属层；层间绝缘层制备步骤，在所述第一有机层及所述第三金属层的上表面制备出层间绝缘层；以及第四金属层制备步骤，在所述层间绝缘层的上表面制备出第四金属层。
进一步地，在所述层间绝缘层制备步骤之后，所述显示面板的制备方法还包括：第四通孔设置步骤，在所述层间绝缘层上设置第四通孔，使得所述第四通孔贯穿于所述层间绝缘层，且与所述第一通孔相对设置；以及第二有机层制备步骤，在所述第四通孔内制备出第二有机层；在所述第四金属层制备步骤中，所述第四金属层部分地设于所述第二有机层的上表面。
本发明的技术效果在于，金属层采用铝或铝合金，提高金属走线是电导率，改善金属走线的弯折特性。弯折区的数据信号线直接设于基板上表面，使得数据信号线更接近于中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形的金属层结构，源漏极与栅极层搭接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，进而降低显示面板的压降，改善显示面板的亮度均一性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例所述显示面板的截面图；
图2为本发明实施例所述显示面板的俯视图；
图3为本发明实施例所述显示面板的制备方法的流程图。
部分组件标识如下：
100、显示区；200、换线区；300、弯折区；
101、基板；102、阻隔层；103、缓冲层；104、有源层；105、第一栅极绝缘层；106、第一金属层；107、第二栅极绝缘层；108、第二金属层；109、第一有机层；110、层间绝缘层；111、第四金属层；112、第二有机层；113、平坦层；114、阳极层；115、像素定义层；116、隔垫物；117、第三通孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，本实施例提供一种显示装置，包括如图1所示的显示面板，所述显示面板在水平方向上被划分为显示区100、换线区200及弯折区300。在竖直方向上，从下至上依次包括基板101、阻隔层102、缓冲层103、有源层104、第一栅极绝缘层105、第一金属层106、第二栅极绝缘层107，还包括第二金属层108、第一有机层109、第三金属层118；层间绝缘层110、第四金属层111、第二有机层112、平坦层113、阳极层114、像素定义层115及隔垫物116。
基板101为柔性基板，具有阻隔水氧作用，基板101可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护显示面板。基板101的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
阻隔层102设于基板101的上表面，起到阻隔水氧的作用。
缓冲层103设于阻隔层102的上表面，缓冲层103起到缓冲作用，缓冲层103的材质为二氧化硅SiO2或者硅的氮化物SiNx，可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
有源层104设于缓冲层103的上表面。有源层104的材质为氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物IGZO，厚度为300A～500A(埃)，在本实施例中，有源层104的厚度优选为400A(埃)。
第一栅极绝缘层105设于有源层104及缓冲层103的上表面，第一栅极绝缘层105起到绝缘作用，防止薄膜晶体管内部发生短路问题。第一栅极绝缘层105可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。
第一金属层106设于第一栅极绝缘层105的上表面，且与有源层104相对设置。第一金属层106为第一栅极层，设于第一金属层106正下方的有源层保留半导体特性。第一金属层106的材质为金属，在本实施例中，优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了第一金属层106的电导率，改善其弯折特性，降低了第一金属层106在被弯折时的断裂风险。
第二栅极绝缘层107设于第一栅极绝缘层105及第一金属层106的上表面，第二栅极绝缘层107起到绝缘作用，防止薄膜晶体管内部发生短路问题。第二栅极绝缘层107可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。
第一通孔依次贯穿于弯折区300内的阻隔层102、缓冲层103、第一栅极绝缘层105及第二栅极绝缘层107，作为源漏极搭接开孔。
第二金属层108设于所述第一通孔的底部及其内侧壁，且延伸至第二栅极绝缘层107的上表面。第二金属层108的材质为金属，在本实施例中，优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了第二金属层108的电导率，改善其弯折特性，降低了第二金属层108在被弯折时的断裂风险。第二金属层108用以传输数据信号。
第二金属层108为网格状结构，由于图1为显示面板的截面图，所以在图1中的第二金属层108为断开的结构，但实际为相连的结构。第二金属层108设于所述第一通孔的底部，更接近于中性面，所以，在弯折时，第二金属层108不易断裂。
第一有机层109设于第二栅极绝缘层107的上表面及所述第一通孔内，第一有机层109为有机绝缘层，起到绝缘作用，防止各层金属层出现短路问题。
第二通孔贯穿于显示区100的第一有机层109，所述第二通孔部分地连通至所述第一通孔，作为源漏极搭接开孔；另一部分与第一金属层106的驱动电路电容下电极图形相对设置，为形成电容开孔。
第三金属层118设于所述第二通孔内及第二栅极绝缘层107的上表面部分设于所述电容开孔内，与所述第一金属层106相对设置。第三金属层118为第二栅极层，第三金属层118材质为金属，在本实施例中，优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了第二金属层118的电导率，改善其弯折特性，降低了第三金属层118在被弯折时的断裂风险。
层间绝缘层110设于第三金属层118及第一有机层109的上表面，层间绝缘层110上设有两个以上第三通孔117，第三通孔117穿过层间绝缘层110，和/或，第三通孔117穿过层间绝缘层110及第一有机层109，和/或，第三通孔117贯穿于层间绝缘层110、第一有机层109、第二栅极绝缘层107及第一栅极绝缘层105，为后续第四金属层111提供通道。
第四金属层111设于层间绝缘层110的上表面，且设于第三通孔117内，部分地电连接至有源层104，为源漏极层，形成第四金属层111与有源层104的电性连接。
显示区100的第四金属层111设于第三通孔117内，电连接至第三金属层118，第三金属层118为网状结构，参见图2的俯视图，网状结构的金属层电阻较小，可进一步降低电路中的压降。
换线区200的第四金属层111设于第三通孔117内，电连接至第二金属层108，延伸到弯折区300的第二金属层108，用以走数据信号。换线区200的第四金属层111设于所述第三通孔内，电连接至第三金属层118，在弯折区300直接换线到第二金属层108。用以走数据信号。所以，弯折区300所有的数据信号都从第二金属层108走，第二金属层108设于所述第一通孔的底部，更接近于中性面，所以，在弯折时，第二金属层108不易断裂。
平坦层113设于第四金属层111及层间绝缘层110的上表面，平坦层113起到保护下面各膜层的作用。平坦层113上设有第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔相对设置，所述第四通孔贯穿平坦层113，为后续膜层提供通道。
第二有机层112设于所述第四通孔内，第二有机层112为有机绝缘层，起到绝缘作用，防止各层金属层出现短路问题。
阳极层114设于平坦层113的上表面，且与第四金属层111相对设置，阳极层114穿过平坦层113，电连接至第四金属层111，可从薄膜晶体管获得电信号，为发光层的发光提供电信号。
第五金属层为VI走线，用以走初始化电压信号，所述第五金属层可设于第四金属层111或阳极层114上，为显示面板提供初始的电压信号。所述第五金属层与第四金属层111形成双层电压走线，可降低电阻，进一步降低压降，改善显示面板的亮度均一性。
像素定义层115设于平坦层113及阳极层114的上表面，用以定义发光层的大小。像素定义层115上设有像素定义层通孔，所述像素定义层通孔贯穿像素定义层115，与阳极层114相对设置，为后续的发光层提供通道。
隔垫物116设于像素定义层115的上表面，用以支撑后续膜层，防止出现坍塌变形的问题，保障显示面板的良率。
本实施例所述显示面板的技术效果在于，金属层采用铝或铝合金，提高金属走线是电导率，改善金属走线的弯折特性。弯折区的数据信号线直接设于基板上表面，使得数据信号线更接近于中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形的金属层结构，源漏极与栅极层搭接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，进而降低显示面板的压降，改善显示面板的亮度均一性。
如图3所示，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S1～S。
S1基板提供步骤，提供一基板，所述基板为柔性基板，具有阻隔水氧作用，所述基板可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护显示面板。
S2阻隔层制备步骤，在所述基板的上表面制备出阻隔层，所述阻隔层起到阻隔水氧的作用。
S3缓冲层制备步骤，在所述阻隔层的上表面制备出缓冲层，所述缓冲层起到缓冲作用，所述缓冲层的材质为二氧化硅SiO2或者硅的氮化物SiNx，可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
S4有源层制备步骤，在所述缓冲层的上表面制备出有源层。
S5第一栅极绝缘层制备步骤，在所述有源层及所述缓冲层的上表面制备出第一栅极绝缘层，可采用气相沉积法沉积绝缘材料，固化后形成第一栅极绝缘层，防止各金属线路之间造成短路问题。
S6第一金属层制备步骤，在所述第一栅极绝缘层的上表面制备出第一金属层。
S7第二栅极绝缘层制备步骤，在所述第一栅极绝缘层及所述第一金属层的上表面制备出第二栅极绝缘层，可采用气相沉积法沉积绝缘材料，固化后形成第二栅极绝缘层，防止各金属线路之间造成短路问题。
S8第一通孔设置步骤，通过掩膜板在设置第一通孔，所述第一通孔依次贯穿于所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层。
S9第二金属层制备步骤，在所述第一通孔的底部及内侧壁并延伸至所述第二栅极绝缘层上表面上制备出第二金属层；
S10第一有机层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层的上表面制备出第一有机层，所述第一有机层的材质为有机绝缘材料，可防止各金属层之间造成短路问题。
S11第二通孔设置步骤，在所述第一有机层上开设第二通孔。在所述第一金属层的上方的第一有机层处刻蚀出第二通孔，为后续金属层提供通道。
S12第三金属层制备步骤，曝光所述第一有机层，在所述第二栅极绝缘层上表面以及所述第二通孔内形成第三金属层；在所述第一有机层的上表面形成第三金属层。
S13层间绝缘层制备步骤，在所述第一有机层及所述第三金属层的上表面制备出层间绝缘层。
S14第四通孔设置步骤，在所述层间绝缘层上设置第四通孔，使得所述第四通孔贯穿于所述层间绝缘层，且与所述第一通孔相对设置。
S15第二有机层制备步骤，在所述第四通孔内制备出第二有机层。
S16第四金属层制备步骤，在所述层间绝缘层及所述第二有机层的上表面制备出第四金属层。
S17平坦层制备步骤，在所述层间绝缘层及所述第四金属层的上表面制备出平坦层。
S18平坦层开孔步骤，采用掩膜板在所述平坦层上开设一平坦层通孔，用以为后续的阳极层提供通道。
S19阳极层制备步骤，在所述平坦层的上表面及所述平坦层通孔内制备出阳极层，使得所述阳极层电连接至所述第四金属层，可在所述阳极层上设置第五金属层，所述第五金属层用以走初始电压信号，给整个显示面板提供初始电压信号。
S20像素定义层制备步骤，在所述平坦层及所述阳极层的上表面制备出像素定义层，所述像素定义层可用以定义发光层的大小。
S21隔垫物设置步骤，在所述像素定义层的上方设置隔垫物。
在金属层制备步骤(所述第一金属层制备、所述第二金属层制备步骤、所述第三金属层制备及所述第四金属层制备步骤)中，沉积的金属材质优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了金属层电导率，改善其弯折特性，降低了金属层在被弯折时的断裂风险。
在所述像素定义层之后，所述显示面板的制备方法还可包括：发光层制备步骤，像素电极层制备步骤等，因其都为现有技术，在此不作赘述。
本发明实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于，金属层采用铝或铝合金，提高金属走线是电导率，改善金属走线的弯折特性。弯折区的数据信号线直接设于基板上表面，使得数据信号线更接近于中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形的金属层结构，源漏极与栅极层搭接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，进而降低显示面板的压降，改善显示面板的亮度均一性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，在水平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区；
所述显示面板从下至上依次包括基板、阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：
第一通孔，依次贯穿位于所述弯折区的所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，作为源漏极搭接开孔；
第二金属层，设于所述第一通孔的底部及内侧壁，且延伸至所述第二栅极绝缘层的表面；
第一有机层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面及所述第一通孔内；
第二通孔，贯穿所述显示区内的第一有机层，所述第二通孔部分地连通至所述第一通孔，作为源漏极搭接开孔；另一部分与所述第一金属层驱动电路电容下电极图形相对设置，为形成电容开孔；
第三金属层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面，部分所述第三金属层设于所述电容开孔内；
层间绝缘层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；以及
第四金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第一有机层一侧的表面；
其中，位于所述显示区的部分第四金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至所述第三金属层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一金属层材质包括铝或者铝合金；和/或，
所述第二金属层材质包括铝或者铝合金。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层、所述第一有机层、所述第二栅极绝缘层及第一栅极绝缘层；和/或，
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层及所述第一有机层；和/或，
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第四金属层部分地设于所述第三通孔内。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第四金属层通过所述第三通孔部分地搭接至所述第二金属层的网状走线，形成并联电路。
6.一种显示装置，包括如权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，依次包括基板提供步骤、阻隔层制备步骤、缓冲层制备步骤、有源层制备步骤、第一栅极绝缘层制备步骤、第一金属层制备步骤及第二栅极绝缘层制备步骤，还包括：
第一通孔设置步骤，穿透所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，形成第一通孔；
第二金属层制备步骤，在所述第一通孔的底部及内侧壁并延伸至所述第二栅极绝缘层上表面上制备出第二金属层；
第一有机层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层的上表面及所述第二金属层上制备出第一有机层；
第二通孔设置步骤，在所述第一金属层上方的第一有机层处设置第二通孔；
第三金属层制备步骤，曝光所述第一有机层，在所述第二栅极绝缘层上表面以及所述第二通孔内形成第三金属层；
层间绝缘层制备步骤，在所述第一有机层及所述第三金属层的上表面制备出层间绝缘层；以及
第四金属层制备步骤，在所述层间绝缘层的上表面制备出第四金属层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述层间绝缘层制备步骤之后，还包括：
第四通孔设置步骤，在所述层间绝缘层上设置第四通孔，使得所述第四通孔贯穿于所述层间绝缘层，且与所述第一通孔相对设置；以及
第二有机层制备步骤，在所述第四通孔内制备出第二有机层；
在所述第四金属层制备步骤中，
所述第四金属层部分地设于所述第二有机层的上表面。
CN201911169679.6A 2019-11-26 2019-11-26 显示面板及其制备方法、显示装置 Active CN110828489B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911169679.6A CN110828489B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 显示面板及其制备方法、显示装置
US16/638,767 US11495620B2 (en) 2019-11-26 2019-12-18 Display panel, fabrication method thereof, and display device
PCT/CN2019/126133 WO2021103204A1 (zh) 2019-11-26 2019-12-18 显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911169679.6A CN110828489B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110828489A CN110828489A (zh) 2020-02-21
CN110828489B true CN110828489B (zh) 2022-10-04

Family

ID=69559191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911169679.6A Active CN110828489B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110828489B (zh)
WO (1) WO2021103204A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111540757B (zh) * 2020-05-07 2024-03-05 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111584570A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
CN111769142B (zh) * 2020-06-23 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112086576B (zh) * 2020-09-07 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及制程方法
CN113053969B (zh) * 2021-03-10 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113900542B (zh) * 2021-10-08 2023-09-22 昆山国显光电有限公司 触控面板及其制备方法
CN114093277A (zh) * 2021-12-09 2022-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接屏
CN114637425B (zh) * 2022-03-15 2024-08-20 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板、制作方法及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108389869A (zh) * 2018-03-01 2018-08-10 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN109065575A (zh) * 2018-07-24 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109166880A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN109585511A (zh) * 2018-12-03 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN109686758A (zh) * 2018-12-04 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN110429116A (zh) * 2019-07-24 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101291318B1 (ko) * 2006-11-21 2013-07-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
CN108288631A (zh) * 2017-01-09 2018-07-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性oled显示面板及其形成方法
CN109300848B (zh) * 2018-08-24 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板
CN109659339A (zh) * 2018-12-10 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示面板及其制作方法和可折叠显示装置
CN109742121B (zh) * 2019-01-10 2023-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制备方法、显示装置
CN110265409B (zh) * 2019-06-20 2021-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108389869A (zh) * 2018-03-01 2018-08-10 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN109065575A (zh) * 2018-07-24 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109166880A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN109585511A (zh) * 2018-12-03 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN109686758A (zh) * 2018-12-04 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN110429116A (zh) * 2019-07-24 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110828489A (zh) 2020-02-21
WO2021103204A1 (zh) 2021-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110828489B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
US10872932B2 (en) Organic electroluminescent display substrate, method for manufacturing the same and display device
JP7486523B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
US20210335931A1 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
US9614021B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof
WO2020063128A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN112602197B (zh) 显示基板及显示装置
US11081663B2 (en) Organic electroluminescent display panel with auxiliary electrodes, method for manufacturing the same, and display device using the same
WO2021218395A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN110635067B (zh) 一种有机发光显示面板及显示装置
US10840267B2 (en) Array substrates and manufacturing methods thereof, and display panels
US20240196721A1 (en) Display panel and display device
CN109671722B (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制造方法
CN112420784A (zh) 一种阵列基板及其制备方法与显示面板
CN111785758A (zh) 显示面板及显示装置
CN110649068A (zh) 一种阵列基板及其制备方法
US20190157355A1 (en) Touch screen panel and manufacturing method thereof
CN111106130A (zh) 一种阵列基板及其制备方法
CN112885975B (zh) 显示基板及其制备方法以及显示装置
CN213042915U (zh) 显示基板和显示装置
CN115552612A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109671724B (zh) 发光面板及显示装置
US11495620B2 (en) Display panel, fabrication method thereof, and display device
CN212725312U (zh) 显示面板及显示装置
CN210668428U (zh) 可折叠显示基板和可折叠显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant