CN111584570A - 显示面板以及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 192
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板以及显示装置，所述显示面板包括基板；以及功能层，设于所述基板一侧的表面；其中，所述基板包括若干通孔；所述通孔部分地贯穿所述基板；所述通孔内填充有有机材料。本发明的技术效果在于，减小基板在弯折过程中产生的应力，提高弯折效果，改善显示装置的良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板以及显示装置。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器件已经逐步取代CRT显示器。
LCD显示器件是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate，TFT Array Substrate)与一片彩色滤光片(Color Filter，CF)基板贴合而成，且在TFT基板与CF基板之间灌入液晶，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器件。
OLED显示器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极，发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有的显示装置中通孔刻蚀不良、导致基板弯折效果不佳，显示装置良率不高的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：基板；以及功能层，设于所述基板一侧的表面；其中，所述基板包括若干通孔；所述通孔部分地贯穿所述基板；所述通孔内填充有有机材料。
进一步地，所述通孔的横向截面为矩形和/或正方形。
进一步地，所述通孔的内径为2微米～5微米。
进一步地，所述通孔的深度范围为500纳米～2000纳米。
进一步地，所述通孔设于所述基板的两个子像素之间。
进一步地，所述通孔设于所述基板的两个源漏极之间。
进一步地，所述显示面板分为显示区以及环绕所述显示区的非显示区；所述通孔设于所述显示区内。
进一步地，所述基板还包括：基底；缓冲层，设于所述基底一侧的表面；有源层，设于所述缓冲层远离所述基底一侧的表面；第一栅极绝缘层，设于所述有源层以及所述缓冲层远离所述基底一侧的表面；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述缓冲层一侧的表面；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极层以及所述第一栅极绝缘层远离所述缓冲层一侧的表面；第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面；以及介电层，设于所述第二栅极层以及所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面；其中，所述通孔依次贯穿所述介电层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层。
进一步地，所述功能层依次包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括如前文所述的显示面板。
本发明的技术效果在于，在基板上设置通孔，在所述通孔内填充有机材料，减小基板在弯折过程中产生的应力，采用相同孔径的通孔，提高曝光机的曝光效果，使其在后续的弯折制程中，能提高弯折效果，改善显示装置的良率。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例所述显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例所述通孔的分布示意图。
部分组件标识如下：
1、基板；2、像素定义层；3、功能层；4、隔垫物；
100、显示区；200、非显示区；
10、基底；11、缓冲层；12、有源层；13、第一栅极绝缘层；14、第一栅极层；15、第二栅极绝缘层；16、第二栅极层；17、第一介电层；18、第二介电层；19、源漏极层；110、通孔；
30、子像素；31、阳极层；32、发光层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示装置，具体地，所述显示装置包括如图1至图2所示的显示面板，在竖直方向上，所述显示面板包括基板1、像素定义层2、功能层3以及隔垫物4等，在水平方向上，所述显示面板包括显示区100以及环绕显示区100的非显示区200。
基板1包括基底10、缓冲层11、有源层12、第一栅极绝缘层13、第一栅极层14、第二栅极绝缘层15、第二栅极层16、第一介电层17、第二介电层18以及源漏极层19。
基底10为柔性基底，基底10包括第一聚酰亚胺膜层、阻隔层以及第二聚酰亚胺膜层等多层结构，起到衬底作用，柔性基底可弯折，便于在弯折制程中基底能一起弯折。
基底10设于显示区100以及非显示区200内，所述第一聚酰亚胺膜层的厚度范围为5000纳米～20000纳米，在本实施例中，优选为10000纳米。所述阻隔层的厚度范围为300纳米～800纳米，在本实施例中，优选为500纳米。所述第二聚酰亚胺膜层的厚度范围为5000纳米～20000纳米，在本实施例中，优选为10000纳米。
遮光层(图未示)设于基板1的上表面，所述遮光层设于显示区100以及非显示区200内，所述遮光层的材质为遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，遮光层21起到遮光作用。
缓冲层11设于所述遮光层的上表面，起到缓冲作用，缓冲层11的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物，缓冲层11的厚度为200纳米～800纳米，在本实施例中，优选为500纳米。
有源层12设于缓冲层11的上表面，有源层12的材质为半导体材料，有源层12的厚度为30纳米～100纳米，在本实施例中，优选为45纳米。有源层12设于显示区100内，有源层12给显示面板提供电路支持。
第一栅极绝缘层13覆盖于有源层12的上表面，第一栅极绝缘层13的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物，第一栅极绝缘层13的厚度为100纳米～200纳米，在本实施例中，优选为130纳米。第一栅极绝缘层13起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。
第一栅极层14设于第一栅极绝缘层13的上表面，第一栅极层14的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构，在本实施例中，优选为钼。第一栅极层14的厚度为200纳米～300纳米，在本实施例中，优选为250纳米，第一栅极层14与有源层12相对设置。
第二栅极绝缘层15覆盖于第一栅极层14以及第一栅极绝缘层13的上表面，第二栅极绝缘层15的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氮化物，第二栅极绝缘层15的厚度范围为100纳米～200纳米，在本实施例中，优选为110纳米。第二栅极绝缘层15起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。
第二栅极层16设于第二栅极绝缘层15的上表面，第二栅极层16的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构，在本实施例中，优选为钼。第二栅极层16的厚度为200纳米～300纳米，在本实施例中，优选为250纳米，第二栅极层16与第一栅极层14相对设置。
第一介电层17设于第二栅极层16以及第二栅极绝缘层15的上表面，第一介电层17为层间绝缘层，第一介电层17的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物，起到绝缘作用，防止电路短路。第一介电层17的厚度为200纳米～400纳米，在本实施例中，优选为300纳米。
第二介电层18设于第一介电层17的上表面，第二介电层18为有机层间绝缘层，第一介电层17的材质包括无机材料与有机光阻，所述无机材料包括硅的氮化物，设于显示区100内，起到绝缘作用，防止电路短路，所述有机光阻设于非显示区200内。显示区100内的第二介电层18的厚度为100纳米～300纳米，在本实施例中，优选为200纳米，在非显示区200内的第二介电层18的厚度为1000纳米～2000纳米，在本实施例中，优选为1500纳米。
源漏极层19设于第二介电层18的上表面，源漏极层19的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分源漏极层19依次穿过第二介电层18、第一介电层17、第二栅极绝缘层15以及第一栅极绝缘层13，电连接至有源层12，形成电路连接。源漏极层19设于显示区100以及非显示区200内，源漏极层19的厚度为700纳米～800纳米，在本实施例中，源漏极层19为钛-铝-钛的多层结构，底层钛的厚度为80纳米，铝的厚度为600纳米，顶层钛的厚度为50纳米。
在第二介电层18以及源漏极层19的上表面还有钝化层以及平坦层等膜层，在此不做具体阐述。
通孔110从上至下依次贯穿于第二介电层18、第一介电层17、第二栅极绝缘层15以及第一栅极绝缘层13，通孔110内填充有有机材料，使得在后续的弯折过程中，提高基板1的应力，改善弯折效果。
通孔110被称作ISO，即InSulator Open，ISO指的是利用阵列基板内部单一器件或者一个像素中的可显示的区域将无机绝缘层等进行部分开孔的做法，也就是说在背板阵列(backplane array)的内部导入一个通孔。
为使得ISO结构能在工艺上被广泛运用，本实施例采用相同孔径的通孔110，使得曝光机在曝光过程中能正常刻蚀，通孔110的横向截面为矩形或正方形，其内径为2微米～5微米，在本实施例中，优选为2.5微米，特别地，采用2.5微米*2.5微米的正方形结构作为通孔110的曝光效果最佳。在试验过程中，采用横向截面为椭圆形、圆形、无规则方形的通孔，在曝光过程中，均不可实现良好的曝光效果，由于曝光机的负载效应，会造成蚀刻不良的技术问题，在后续的弯折制程中，会影响弯折效果，进而影响显示装置的良率。
如图2所示，在本实施例中，通孔110大量分布于显示区100内，通孔100可设于两个子像素30之间，也可设于两个源漏极层19之间，只要确保通孔110不会与基板1内的线路之间产生干涉即可。
像素定义层2设于基板1的上表面，像素定义层2的材质为有机光阻，像素定义层2的厚度范围为1000纳米～2000纳米。在本实施例中，优选为1500纳米，像素定义层2设于显示区100以及非显示区200内，用以定义发光层的大小。
功能层3部分设于像素定义层2的上方，功能层3起到发光作用。功能层3包括阳极层31、空穴注入层、空穴传输层、发光层32、电子传输层、电子注入层以及阴极层。其中，阳极层31设于像素定义层2与基板1之间，且只设于显示区100内，发光层32设于像素定义层2的像素定义层通孔内，用作发光，其余膜层在此不作具体阐述。其发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子(空穴以及电子)注入和复合导致发光。
隔垫物4设于功能层3的上方，起到支撑作用，隔垫物4的材料为有机光阻，其设于显示区100以及非显示区200内，隔垫物4的厚度为1000纳米～2000纳米。在本实施例中，优选为1500纳米。
本发明实施例所述显示装置的技术效果在于，在基板上设置若干通孔，在所述通孔内填充有机材料，减小基板在弯折过程中产生的应力。采用相同孔径的通孔，提高曝光机的曝光效果，使其在后续的弯折制程中，能提高弯折效果，改善显示装置的良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；以及
功能层，设于所述基板一侧的表面；
其中，所述基板包括若干通孔；
所述通孔部分地贯穿所述基板；
所述通孔内填充有有机材料。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔的横向截面为矩形和/或正方形。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔的内径为2微米～5微米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔的深度范围为500纳米～2000纳米。
5.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，
所述通孔设于所述基板的两个子像素之间。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔设于所述基板的两个源漏极之间。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板分为显示区以及环绕所述显示区的非显示区；
所述通孔设于所述显示区内。
8.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，
所述基板还包括：
基底；
缓冲层，设于所述基底一侧的表面；
有源层，设于所述缓冲层远离所述基底一侧的表面；
第一栅极绝缘层，设于所述有源层以及所述缓冲层远离所述基底一侧的表面；
第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述缓冲层一侧的表面；
第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极层以及所述第一栅极绝缘层远离所述缓冲层一侧的表面；
第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面；以及
介电层，设于所述第二栅极层以及所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面；
其中，所述通孔依次贯穿所述介电层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述功能层依次包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
10.一种显示装置，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示面板。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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