CN109585511A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示面板及其制造方法，所述显示面板包含基板、有源层、绝缘层、第一金属层、有机绝缘层及第二金属层。本发明实施例的显示面板及其制造方法通过以有机材料作为介电绝缘层，以减少所述显示面板在弯折时积累较大应力，而容易发生破裂的问题。此外，由于有机材料的穿孔的最小孔径大于无机材料的穿孔的最小孔径而不利于高像素密度的显示面板，故本发明通过所述第一金属层的第一接触部和第二接触部电连接所述有源层，以及所述第二金属层的源极和漏极分别电连接所述第一接触部和所述第二接触部，可应用于高像素密度的显示面板。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种面板及其制造方法，特别是有关于一种显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)显示装置具有重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。特定是柔性有机发光二极管显示装置具有可弯折及易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
然而，目前的有机发光二极管显示装置的薄膜晶体管(TFT)会在第二栅极层后沉积一无机材料作为一介电绝缘层。然而，大部份的无机材料在弯折过程中易积累较大应力，并且容易发生破裂(crack)。
故，有必要提供一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例的一目的在于提供一种显示面板及其制造方法，其可以减少所述显示面板在弯折时积累较大应力，而容易发生破裂的问题。此外，本发明实施例还可应用于高像素密度的显示面板。
为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种显示面板，包括显示区和弯折区，其中所述显示面板包含：基板、有源层、绝缘层、第一金属层、有机绝缘层及第二金属层。所述有源层位于所述显示区且设于所述基板上。所述绝缘层设于所述有源层上，且位于所述弯折区的所述绝缘层中设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层。所述第一金属层设于所述绝缘层上，所述第一金属层包括位于所述第一通孔中的第一金属走线。所述有机绝缘层设置在所述第一金属层上，所述有机绝缘层中设有至少一第二通孔。所述第二金属层设置在所述有机绝缘层上，所述第二金属层包括设置在所述弯折区的第二金属走线，所述第二金属走线通过所述至少一第二通孔与所述第一金属走线连接。
在本发明的一实施例中，所述绝缘层设有两个第三通孔，所述第一金属层包括设置在所述显示区的第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别通过所述两个第三通孔与所述有源层电连接；及所述有机绝缘层包括两个第四通孔，所述第二金属层包括设置在所述显示区的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述两个第四通孔与相应的所述第一接触部和所述第二接触部电连接。
在本发明的一实施例中，所述至少一第二通孔及所述两个第四通孔各具有孔径，所述孔径大于等于3.5微米。
在本发明的一实施例中，所述有机绝缘层的材料包含聚酰亚胺类。
在本发明的一实施例中，所述显示面板更包含氧化层，所述氧化层设在所述基板上，其中所述第一通孔贯通部分所述氧化层。
在本发明的一实施例中，所述绝缘层包含一第一绝缘层与一第二绝缘层，所述第一绝缘层设在所述有源层上，所述第二绝缘层设在所述第一绝缘层上。
在本发明的一实施例中，所述显示面板更包含一栅极，所述栅极设在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。
再者，本发明另一实施例提供一种显示面板的制造方法，其中所述显示面板的制造方法包含步骤：提供基板；形成有源层于所述显示区且设于所述基板上；形成绝缘层于所述有源层上，且位于所述弯折区的所述绝缘层中设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层；形成第一金属层于所述绝缘层上，所述第一金属层包括位于所述第一通孔上的第一金属走线；形成有机绝缘层在所述第一金属层上，所述有机绝缘层中设有至少一第二通孔；及形成第二金属层在所述有机绝缘层上，所述第二金属层包括设置在所述弯折区的第二金属走线，所述第二金属走线通过所述至少一第二通孔与所述第一金属走线连接。
在本发明的一实施例中，所述绝缘层设有两个第三通孔，所述第一金属层包括设置在所述显示区的第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别通过所述两个第三通孔与所述有源层电连接；及所述有机绝缘层包括两个第四通孔，所述第二金属层包括设置在所述显示区的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述两个第四通孔与相应的所述第一接触部和所述第二接触部电连接。
在本发明的一实施例中，所述至少一第二通孔及所述两个第四通孔各具有孔径，所述孔径大于等于3.5微米。
在本发明的一实施例中，所述有机绝缘层的材料包含聚酰亚胺类。
在本发明的一实施例中，所述显示面板的制造方法更包含步骤：形成一氧化层在所述基板上，其中所述第一通孔贯通部分所述氧化层。
本发明实施例的显示面板及其制造方法通过以有机材料作为介电绝缘层，以减少所述显示面板在弯折时积累较大应力，而容易发生破裂的问题。此外，由于有机材料的穿孔的最小孔径需大于无机材料的穿孔的最小孔径而不利于高像素密度的显示面板，故本发明通过所述第一金属层的第一接触部和第二接触部电连接所述有源层，以及所述第二金属层的源极和漏极分别电连接所述第一接触部和所述第二接触部，可应用于高像素密度的显示面板。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1是本发明实施例的显示面板的剖面示意图。
图2是本发明实施例的显示面板的制造方法的流程示意图。
图3A至3G是本发明实施例的显示面板的制造方法的各个制造步骤的剖面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1所示，图1是本发明实施例的显示面板10的剖面示意图。本发明一实施例的一种显示面板10包含：基板11、有源层12、绝缘层13、第一金属层14、有机绝缘层15及第二金属层16。所述显示面板10可定义有一显示区10A(active area；AA)及一弯折区10B，所述显示区10A相邻所述可弯折区10B。在一实施例中，所述基板11例如是一衬底基板，可用于承载所述有源层12、所述绝缘层13、所述第一金属层14、所述有机绝缘层15及所述第二金属层16。在一实施例中，所述基板11例如是一柔性基板、一透光基板或者一柔性透光基板。
所述有源层12位于所述显示区10A且设于所述基板11上。所述有源层12可包含通过掺杂方式所形成的一源极掺杂区121与一漏极掺杂区122，以及设置在所述源极掺杂区121与所述漏极掺杂区122之间的一沟道区123。所述源极掺杂区121、所述漏极掺杂区122与所述沟道区123位在所述显示区10A上。
所述绝缘层13设于所述有源层12上，且位于所述弯折区10B的所述绝缘层13中设有第一通孔13A，所述第一通孔13A贯穿所述绝缘层13。在一实施例中，所述第一通孔13A例如可以通过微影蚀刻的方式形成。在一实施例中，所述绝缘层13还可包含有位在所述显示区10A中的至少两个第三通孔13B，可以理解的是，为方便说明，附图中仅示出两个第三通孔13B，实际上第三通孔13B的数量大于两个。
所述第一金属层14设于所述绝缘层13上，所述第一金属层14包括位于所述第一通孔13A中的第一金属走线141。在一实施例中，所述第一金属层14还可包括设置在所述显示区10A的第一接触部142和第二接触部143，所述第一接触部142和所述第二接触部143分别通过所述两个第三通孔13B与所述有源层12电连接。在一实施例中，所述第一接触部142呈一倒梯型结构。在另一实施例中，所述第二接触部143呈一倒梯型结构。
所述有机绝缘层15设置在所述第一金属层14上，位于弯折区10B的所述有机绝缘层15中设有至少一第二通孔15A。在一实施例中，所述有机绝缘层15的材料包含聚酰亚胺类。值得一提的是，所述有机绝缘层15主要作为一介电绝缘层，用以避免或阻隔所述第一金属层14中各个图案之间的直接电性连接。另一方面，相较于无机材料，一般有机材料具有较高的耐弯折性，故使用所述有机绝缘层15作为介电绝缘层可减少或避免所述显示面板在弯折时积累较大应力而容易发生破裂的问题。在一实施例中，所述有机绝缘层15包括至少两个第四通孔15B，可以理解的是，为方便说明，附图中仅示出两个第四通孔15B，实际上第四通孔15B的数量大于两个。
所述第二金属层16设置在所述有机绝缘层15上，所述第二金属层16包括设置在所述弯折区10B的第二金属走线161，所述第二金属走线161通过所述至少一第二通孔15A与所述第一金属走线141连接。在一实施例中，所述第二金属层16包括图案化形成在所述显示区10A的源极162和漏极163，所述源极162和所述漏极163分别通过所述两个第四通孔15B与相应的所述第一接触部142和所述第二接触部143电连接。在一实施例中，所述源极162呈一倒梯型结构。在一实施例中，所述源极162的底面积小于所述第一接触部142的顶面积。在一实施例中，所述漏极163呈一倒梯型结构。在一实施例中，所述漏极163的底面积小于所述第二接触部143的顶面积。这边要提到的是，无机材料的穿孔的最小孔径约为2.5微米，而有机材料的穿孔(例如第二通孔与第四通孔15B)的最小孔径约为3.5微米。然而，对于高解析度的显示面板而言，需要较高密度的穿孔，故如果采用现有技术的方式(使用单一金属层)来直接电性连接所述源极掺杂区121及所述漏极掺杂区122时，将不利于高像素密度的显示面板的制作。因此，本发明实施例的显示面板10至少是通过二个金属层的搭接方式，即所述第一金属层14的第一接触部142和第二接触部143电连接所述有源层12，以及所述第二金属层16的源极162和漏极163分别电连接所述第一接触部142和所述第二接触部143，进而降低穿孔的密度，故本发明实施例可应用于高像素密度的显示面板。
在一实施例中，所述显示面板10可更包含氧化层17，所述氧化层17设在所述基板11上，其中所述第一通孔13A贯通部分所述氧化层11。在一范例中，该经刻蚀的较薄的氧化层的厚度例如是小于或等于100纳米。
在一实施例中，所述绝缘层13包含第一绝缘层131与第二绝缘层132，其中所述第一绝缘层131设在所述有源层12上，以及所述第二绝缘层132设在所述第一绝缘层131上。另外，所述第一绝缘层131与第二绝缘层132之间可设有一第一栅极124，所述第一栅极124可与所述有源层12形成一晶体管结构。所述第一金属层14可更包含第二栅极144，位在所述第一栅极124上方，所述第二栅极144可与所述第一栅极124形成存储电容，在本实施例中，仅示意出一个第一栅极和一个第二栅极，可以理解的是，实际上是大于一个的，且由第二栅极按功能可分为两类，一类是与第一栅极形成存储电容，另一类与沟道区123搭接起泄放电压信号的作用。
在一实施例中，所述显示面板10还可包含常用于显示面板的层状结构，例如一缓冲层181、一平坦层182、一阳极层183或一像素定义层184。所述缓冲层181设在基板11与所述有源层12之间。所述平坦层182设在所述有机绝缘层15与所述第二金属层16上。所述阳极层183设在所述平坦层182上，并且所述阳极层183的一部分例如穿过所述电性连接所述第二金属层16的漏极163。值得一提的是，所述显示面板10亦可包含其他层状结构，例如阴极层(未绘示)、彩色滤光片(未绘示)及发光层(未绘示)等等。这些层状结构的材料或制作方式可参考一般显示面板工艺中常见材料或制作方法。
请一并参照图2及图3A至3G，图2是本发明实施例的显示面板的制造方法20的流程示意图，及图3A至3G是本发明实施例的显示面板的制造方法20的各个制造步骤的剖面示意图。本发明实施例的显示面板的制造方法20中，所述显示面板包括显示区和弯折区，并且包含步骤21至25：提供基板(步骤21)；形成有源层于所述显示区且设于所述基板上(步骤22)；形成绝缘层于所述有源层上，且位于所述弯折区的所述绝缘层中设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层(步骤23)；形成第一金属层于所述绝缘层上，所述第一金属层包括位于所述第一通孔上的第一金属走线(步骤24)；形成有机绝缘层在所述第一金属层上，所述有机绝缘层中设有至少一第二通孔(步骤25)；及形成第二金属层在所述有机绝缘层上，所述第二金属层包括设置在所述弯折区的第二金属走线，所述第二金属走线通过所述至少一第二通孔与所述第一金属走线连接(步骤26)。
请一并参照图2及3A，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤21是：提供一基板11。在一实施例中，所述基板11例如是一柔性基板、一透光基板或者一柔性透光基板。在另一实施例中，一氧化层17形成在所述基板11上。在一范例中，所述氧化层17的厚度例如是小于或等于100纳米。
请一并参照图2及3A，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤22是：形成有源层12于所述显示区10A且设于所述基板11上。所述有源层12可包含通过掺杂方式所形成的一源极掺杂区121与一漏极掺杂区122。所述源极掺杂区121与所述漏极掺杂区122位在所述显示区10A上。在一实施例中，还可形成一缓冲层181在所述基板11与所述有源层12之间。
请一并参照图2及3A，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤23是：形成绝缘层13于所述有源层12上，且位于所述弯折区10B的所述绝缘层13中设有第一通孔13A，所述第一通孔13A贯穿所述绝缘层13。在一实施例中，所述第一通孔13A例如可以通过微影蚀刻的方式形成。在一实施例中，所述绝缘层13还可包含有位在所述显示区10A中的至少两个第三通孔13B。可以理解的是，为方便说明，附图中仅示出两个第三通孔13B，实际上第三通孔13B的数量大于两个。
请一并参照图2及图3B至3D，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤24是：形成第一金属层14于所述绝缘层13上，所述第一金属层14包括位于所述第一通孔13A中的第一金属走线141。在一实施例中，例如可通过二次的蚀刻步骤以使所述源极掺杂区121、所述漏极掺杂区122及位在所述弯折区10B的基板11露出，以使所述第一金属层14可例如通过沉积的方式而一次性形成。在一具体范例中，第一次的蚀刻步骤主要是使所述源极掺杂区121与所述漏极掺杂区122露出，以及蚀刻位在所述弯折区10B的绝缘层13的一部分(图3B所示)。之后，第二次的蚀刻步骤是蚀刻位在所述弯折区10B的绝缘层13的剩余部分，以露出所述基板11(图3C所示)。在一实施例中，亦可蚀刻至所述基板11上的氧化层17。
在一实施例中，所述第一金属层14还可包括设置在所述显示区10A的第一接触部142和第二接触部143，所述第一接触部142和所述第二接触部143分别通过所述两个第三通孔13B与所述有源层12电连接。在一实施例中，所述第一接触部142呈一倒梯型结构。在另一实施例中，所述第二接触部143呈一倒梯型结构。
请一并参照图2及图3E，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤25是：形成有机绝缘层15在所述第一金属层14上，位于弯折区10B的所述有机绝缘层15中设有至少一第二通孔15A。在一实施例中，所述有机绝缘层15的材料可包含聚酰亚胺类。在另一实施例中，形成所述有机绝缘层15的步骤包含步骤：形成一有机材料层在所述第一金属层14；及对所述有机材料层进行一微影蚀刻步骤，以形成具有至少一第二通孔15A(及的所述有机绝缘层15。在一实施例中，所述有机绝缘层15还可包括位在显示区10A的至少两个第四通孔15B，可以理解的是，为方便说明，附图中仅示出两个第四通孔15B，实际上第四通孔15B的数量大于两个。在一实施例，所述至少一第二通孔15A与两个第四通孔15B各具有一孔径，所述孔径大于等于3.5微米。换言之，可通过对一有机材料层进行图案化，进而一次性的完成所述有机绝缘层15。
请一并参照图2及图3F，本发明实施例的显示面板的制造方法20的步骤26是：形成第二金属层16在所述有机绝缘层15上，所述第二金属层16包括设置在所述弯折区10B的第二金属走线161，所述第二金属走线161通过所述至少一第二通孔15A与所述第一金属走线141连接。在一实施例中，所述第二金属层16包括图案化形成在所述显示区10A的源极162和漏极163，所述源极162和所述漏极163分别通过所述两个第四通孔15B与相应的所述第一接触部142和所述第二接触部143电连接。在一实施例中，所述源极162呈一倒梯型结构。在一实施例中，所述源极162的底面积小于所述第一接触部142的顶面积。在一实施例中，所述漏极163呈一倒梯型结构。在一实施例中，所述漏极163的底面积小于所述第二接触部143的顶面积。
在一实施例中，形成所述第二金属层16的步骤26包含步骤：形成一金属材料层在所述绝缘层13上及所述至少一第二通孔15A及所述两个第四通孔15B中；及图案化所述电性材料层，以形成所述第二金属层16的第二金属走线161、所述源极162及所述漏极163。换言之，可通过对所述电性材料层进行图案化，进而一次性的完成所述第二电性图案层15。
请一并参照图2及图3G，在形成所述第二金属层16的步骤26后，还可形成常用于显示面板的层状结构，例如一平坦层182、一阳极层183或一像素定义层184。在另一实施例中，所述显示面板10还可包含其他层状结构，例如阴极层(未绘示)、彩色滤光片(未绘示)及发光层(未绘示)等等。由于这些层状结构已在前面段落描述，故此处不再重复描述。
这边要提到的是，相较于无机材料，一般有机材料具有较高的耐弯折性，故本发明实施例的显示面板的制造方法20是使用所述有机绝缘层15作为介电绝缘层，可减少或避免所述显示面板在弯折时积累较大应力而容易发生破裂的问题。另一方面，一般而言，无机材料的穿孔的最小孔径约为2.5微米，而有机材料的穿孔(例如第二通孔15A与第四通孔15B)的最小孔径约为3.5微米。然而，对于高解析度的显示面板而言，需要较高密度的穿孔，故如果采用现有技术的方式(使用单一金属层)来直接电性连接所述源极掺杂区121及所述漏极掺杂区122时，将不利于高像素密度的显示面板的制作。因此，本发明实施例的显示面板10至少是通过二个金属层的搭接方式，即所述第一金属层14的第一接触部142和第二接触部143电连接所述有源层12，以及所述第二金属层16的源极162和漏极163分别电连接所述第一接触部142和所述第二接触部143，进而降低穿孔的密度，故本发明实施例可应用于高像素密度的显示面板。
在一实施例中，所述第一接触部142与所述源极162例如具有大致相同尺寸的底面以及大致相同尺寸的顶面，其中所述底面的面积小于所述顶面的面积。在另一实施例，所述第二接触部143与所述漏极163例如具有大致相同尺寸的底面以及大致相同尺寸的顶面，其中所述底面的面积小于所述顶面的面积。
综上所述，本发明实施例的显示面板及其制造方法通过以有机材料作为介电绝缘层，以减少所述显示面板在弯折时积累较大应力，而容易发生破裂的问题。此外，由于有机材料的穿孔的最小孔径大于无机材料的穿孔的最小孔径而不利于高像素密度的显示面板，故本发明通过所述第一金属层的第一接触部和第二接触部电连接所述有源层，以及所述第二金属层的源极和漏极分别电连接所述第一接触部和所述第二接触部，可应用于高像素密度的显示面板。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种显示面板，包括显示区和弯折区，其特征在于：所述显示面板包括：基板；
有源层，位于所述显示区且设于所述基板上；
绝缘层，设于所述有源层上，且位于所述弯折区的所述绝缘层中设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层；
第一金属层，设于所述绝缘层上，所述第一金属层包括位于所述第一通孔上的第一金属走线；
有机绝缘层，设置在所述第一金属层上，所述有机绝缘层中设有至少一第二通孔；及
第二金属层，设置在所述有机绝缘层上，所述第二金属层包括设置在所述弯折区的第二金属走线，所述第二金属走线通过所述至少一第二通孔与所述第一金属走线连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层设有两个第三通孔，所述第一金属层包括设置在所述显示区的第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别通过所述两个第三通孔与所述有源层电连接；及
所述有机绝缘层包括两个第四通孔，所述第二金属层包括设置在所述显示区的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述两个第四通孔与相应的所述第一接触部和所述第二接触部电连接。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述至少一第二通孔及所述两个第四通孔各具有孔径，所述孔径大于等于3.5微米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述有机绝缘层的材料包含聚酰亚胺类。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板更包含氧化层，所述氧化层设在所述基板上，其中所述第一通孔贯通部分所述氧化层。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述绝缘层包含一第一绝缘层与一第二绝缘层，所述第一绝缘层设在所述有源层上，所述第二绝缘层设在所述第一绝缘层上。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板更包含一栅极，所述栅极设在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。
8.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括显示区和弯折区，其特征在于：所述显示面板的制造方法包含步骤：
提供基板；
形成有源层于所述显示区且设于所述基板上；
形成绝缘层于所述有源层上，且位于所述弯折区的所述绝缘层中设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层；
形成第一金属层于所述绝缘层上，所述第一金属层包括位于所述第一通孔中的第一金属走线；
形成有机绝缘层在所述第一金属层上，所述有机绝缘层中设有至少一第二通孔；及
形成第二金属层在所述有机绝缘层上，所述第二金属层包括设置在所述弯折区的第二金属走线，所述第二金属走线通过所述至少一第二通孔与所述第一金属走线连接。
9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层设有两个第三通孔，所述第一金属层包括设置在所述显示区的第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别通过所述两个第三通孔与所述有源层电连接；及
所述有机绝缘层包括两个第四通孔，所述第二金属层包括设置在所述显示区的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述两个第四通孔与相应的所述第一接触部和所述第二接触部电连接。
10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述至少一第二通孔及所述两个第四通孔各具有孔径，所述孔径大于等于3.5微米。
11.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述有机绝缘层的材料包含聚酰亚胺类。
12.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述显示面板的制造方法更包含步骤：形成一氧化层在所述基板上，其中所述第一通孔贯通部分所述氧化层。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110112171A (zh) * 2019-05-21 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN110429088A (zh) * 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN110797348A (zh) * 2019-10-12 2020-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN110828489A (zh) * 2019-11-26 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110865732A (zh) * 2019-10-28 2020-03-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性触控显示面板及柔性触控显示装置
CN111106154A (zh) * 2019-12-12 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
CN112116872A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021012567A1 (zh) * 2019-07-25 2021-01-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
WO2021027169A1 (zh) * 2019-08-12 2021-02-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN113097234A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
WO2022041496A1 (zh) * 2020-08-28 2022-03-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
US11374035B2 (en) 2019-07-25 2022-06-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860239B (zh) * 2018-12-13 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN111668239B (zh) * 2020-06-19 2022-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183600A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108573920A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 显示装置、应用于显示装置中的线结构以及形成线的方法
CN109148514A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI555150B (zh) * 2014-05-27 2016-10-21 財團法人工業技術研究院 電子元件及其製法
KR102396295B1 (ko) * 2015-08-04 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102547686B1 (ko) * 2016-04-11 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
TWI565039B (zh) * 2016-05-30 2017-01-01 友達光電股份有限公司 可撓式畫素陣列基板及可撓式顯示面板
CN106783917B (zh) * 2016-12-15 2018-11-20 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示屏结构及其制作方法
WO2018138823A1 (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネル、ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネルの製造装置
CN106972030B (zh) * 2017-03-30 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
CN107910335A (zh) * 2017-11-08 2018-04-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置
CN109065575A (zh) * 2018-07-24 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109686758A (zh) * 2018-12-04 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183600A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN108573920A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 显示装置、应用于显示装置中的线结构以及形成线的方法
CN109148514A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110112171A (zh) * 2019-05-21 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN110429088A (zh) * 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
US11908870B2 (en) 2019-07-18 2024-02-20 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate having metal layer bridging structure and display panel including the same
WO2021007980A1 (zh) * 2019-07-18 2021-01-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种 tft 阵列基板及其显示面板
WO2021012567A1 (zh) * 2019-07-25 2021-01-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
US11374035B2 (en) 2019-07-25 2022-06-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
US12096664B2 (en) 2019-08-12 2024-09-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. TFT array substrate and display panel
WO2021027169A1 (zh) * 2019-08-12 2021-02-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN110797348B (zh) * 2019-10-12 2022-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN110797348A (zh) * 2019-10-12 2020-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
US11778872B2 (en) 2019-10-12 2023-10-03 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN110865732A (zh) * 2019-10-28 2020-03-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性触控显示面板及柔性触控显示装置
WO2021103204A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110828489B (zh) * 2019-11-26 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110828489A (zh) * 2019-11-26 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021114476A1 (zh) * 2019-12-12 2021-06-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
US11424311B2 (en) 2019-12-12 2022-08-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display panel having mask-etching metal connection line in display and non-display areas and fabricating method thereof
CN111106154A (zh) * 2019-12-12 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
WO2022041496A1 (zh) * 2020-08-28 2022-03-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
US11837610B2 (en) 2020-08-28 2023-12-05 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
CN112116872A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113097234A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

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