KR20180036434A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180036434A
KR20180036434A KR1020160127076A KR20160127076A KR20180036434A KR 20180036434 A KR20180036434 A KR 20180036434A KR 1020160127076 A KR1020160127076 A KR 1020160127076A KR 20160127076 A KR20160127076 A KR 20160127076A KR 20180036434 A KR20180036434 A KR 20180036434A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
pad
pad electrode
forming
Prior art date
Application number
KR1020160127076A
Other languages
English (en)
Inventor
정득수
조용선
홍영은
김성수
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160127076A priority Critical patent/KR20180036434A/ko
Priority to US15/367,938 priority patent/US10177206B2/en
Priority to CN202110944415.4A priority patent/CN113782692B/zh
Priority to CN201611206826.9A priority patent/CN107887406B/zh
Publication of KR20180036434A publication Critical patent/KR20180036434A/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5228—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H01L27/3246—
    • H01L27/3258—
    • H01L27/3272—
    • H01L27/3276—
    • H01L51/5206—
    • H01L51/5225—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L2227/323—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 뱅크층 아래에서 서로 이격되도록 구비된 애노드 전극과 처마 구조물, 뱅크층 위에 구비된 캐소드 전극, 및 상기 처마 구조물 아래에 구비되며 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 포함하여 이루어지며, 이때, 상기 캐소드 전극은 상기 처마 구조물 아래의 콘택 공간으로 연장되어 상기 콘택 공간에서 상기 보조 전극과 연결된다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 광의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하기 때문에 상기 회로 소자로 인해서 개구율이 저하되는 단점이 있는 반면에, 상기 상부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하지 않기 때문에 개구율이 향상되는 장점이 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에는 액티브층(11), 게이트 절연막(12), 게이트 전극(13), 층간 절연막(14), 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 포함하는 박막 트랜지스터층(T)이 형성되어 있고, 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에 패시베이션층(20)과 평탄화층(30)이 차례로 형성되어 있다.
상기 평탄화층(30) 상에는 애노드 전극(40)과 보조 전극(50)이 형성되어 있다. 상기 보조 전극(50)은 후술하는 캐소드(Cathode) 전극(80)의 저항을 줄이는 역할을 한다.
상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50) 상에는 뱅크(60)가 형성되어 화소 영역이 정의되고, 상기 뱅크(60)에 의해 정의된 화소 영역 내에는 유기 발광층(70)이 형성되어 있고, 상기 유기 발광층(70) 상에는 캐소드 전극(80)이 형성되어 있다.
상부 발광 방식의 경우 상기 유기 발광층(70)에서 발광된 광이 상기 캐소드 전극(80)을 통과하여 진행하게 된다. 따라서, 상기 캐소드 전극(80)은 투명한 도전물을 이용하여 형성되며, 그로 인해서 상기 캐소드 전극(80)의 저항이 커지는 문제가 발생한다. 이와 같은 캐소드 전극(80)의 저항을 줄이기 위해서 캐소드 전극(80)을 상기 보조 전극(50)에 연결하는 것이다.
상기 캐소드 전극(80)을 상기 보조 전극(50)에 연결하기 위해서는 상기 유기 발광층(70)에 의해서 상기 보조 전극(50)의 상면이 가려져서는 안 된다. 즉, 상기 유기 발광층(70)을 형성한 이후에 상기 보조 전극(50)이 상면 노출되어 있어야 노출된 상기 보조 전극(50)의 상면에 상기 캐소드 전극(80)이 연결될 수 있다. 이와 같이, 상기 유기 발광층(70)에 의해서 상기 보조 전극(50)의 상면이 가려지지 않도록 하기 위해서 종래에는 상기 보조 전극(50)의 상면에 역테이퍼진 구조의 격벽(65)이 형성되어 있다 .
상기 역테이퍼진 구조의 격벽(65)이 형성됨으로써 상기 뱅크(60)와 상기 격벽(65) 사이의 이격 공간이 생긴다. 이때, 상기 역테이퍼진 구조의 격벽(65)은 처마(Eave) 역할을 하여 상기 이격 공간으로 상기 유기 발광층(70)이 증착되지 않도록 한다. 즉, 상기 유기 발광층(70)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 유기 발광층(70)의 증착 공정시 상기 격벽(65)이 처마 역할을 하여 상기 뱅크(60)와 상기 격벽(65) 사이의 이격된 공간으로 상기 유기 발광층(70)이 증착되지 않게 된다.
그에 반하여, 상기 캐소드 전극(80)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 캐소드 전극(80)의 증착 공정시 상기 뱅크(60)와 상기 격벽(65) 사이의 이격된 공간으로 상기 캐소드 전극(80)이 증착될 수 있어, 상기 캐소드 전극(80)과 상기 보조 전극(50) 사이의 전기적 연결이 가능하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 상기 역테이퍼진 구조의 격벽(65)을 필수구성으로 포함하고 있기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 역테이퍼진 구조의 격벽(65)을 패턴 형성하기 위해서는 PEB(Post Exposure bake) 공정을 수행해야 하는데, 상기 PEB 공정을 조절하는 것이 어렵기 때문에 원하는 형상의 역테이퍼진 구조를 얻기가 용이하지 않다. 원하는 형상의 역테이퍼진 구조를 얻지 못할 경우 상기 격벽(65)이 무너지거나 심하면 벗겨지는 문제가 발생하고, 그 경우 상기 캐소드 전극(80)과 상기 보조 전극(50) 사이의 전기적 연결이 어렵게 될 수 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 역테이퍼진 구조의 격벽을 형성하지 않으면서도 캐소드 전극과 보조 전극 사이의 전기적 연결이 용이한 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 뱅크층 아래에서 서로 이격되도록 구비된 애노드 전극과 처마 구조물, 뱅크층 위에 구비된 캐소드 전극, 및 상기 처마 구조물 아래에 구비되며 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 캐소드 전극은 상기 처마 구조물 아래의 콘택 공간으로 연장되어 상기 콘택 공간에서 상기 보조 전극과 연결된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 보조 전극을 형성하고, 상기 보조 전극 상에 패시베이션층과 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층 상에 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하고, 상기 패시베이션층과 상기 평탄화층에 콘택홀을 형성하여 상기 보조 전극을 노출시키고, 상기 애노드 전극과 상기 처마 구조물 상에 뱅크층, 유기 발광층, 및 캐소드 전극을 형성하는 공정을 통해 제조된다. 이때, 상기 캐소드 전극은 상기 처마 구조물 아래의 콘택 공간으로 연장되어 상기 노출된 보조 전극과 연결된다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐소드 전극이 처마 구조물 아래의 콘택 공간에서 보조 전극과 전기적으로 연결되기 때문에, 종래와 같이 역테이퍼진 구조의 격벽을 형성할 필요가 없게 되어 격벽이 무너지거나 벗겨지는 종래의 문제가 해소될 수 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 구비된 액티브 영역(Active Area; AA) 및 패드 영역(Pad Area; PA)을 포함하여 이루어진다.
우선, 상기 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)의 구성을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있다 .
상기 기판(100) 상에는 차광층(110)과 저전압 배선(VSS)(120)이 형성되어 있다.
상기 차광층(110)은 후술하는 액티브층(126)으로 광이 진입하는 것을 차단하는 역할을 하고, 상기 저전압 배선(VSS)(120)은 캐소드 전극(220)에 저전압을 인가하는 역할을 한다. 또한, 상기 저전압 배선(VSS)(120)은 보조 전극(170)과 함께 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 낮추는 역할을 한다.
상기 차광층(110)과 상기 저전압 배선(VSS)(120)은 동일한 층에서 서로 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 상기 차광층(110)과 상기 저전압 배선(VSS)(120)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 차광층(110)은 하부 차광층(111)과 상부 차광층(112)으로 이루어질 수 있고, 상기 저전압 배선(VSS)(120)은 하부 저전압 배선(VSS)(121)과 상부 저전압 배선(VSS)(122)으로 이루어질 수 있다. 상기 하부 차광층(111)과 상기 하부 저전압 배선(VSS)(121)은 서로 동일한 물질로 이루어지고, 상기 상부 차광층(112)과 상기 상부 저전압 배선(VSS)(122)은 서로 동일한 물질로 이루어진다.
상기 하부 차광층(111)은 상기 상부 차광층(112)의 하면이 부식되는 것을 방지하고, 상기 하부 저전압 배선(VSS)(121)은 상기 상부 저전압 배선(VSS)(122)의 하면이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 하부 차광층(111)과 상기 하부 저전압 배선(VSS)(121)은 상기 상부 차광층(112)과 상기 상부 저전압 배선(VSS)(122)보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 차광층(112)과 상기 상부 저전압 배선(VSS)(122)은 상기 하부 차광층(111)과 상기 하부 저전압 배선(VSS)(121)보다 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 저전압 배선(VSS)(120)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 저전압 배선(VSS)(122)의 두께는 상기 하부 저전압 배선(VSS)(121)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 차광층(110)과 저전압 배선(VSS)(120) 상에는 버퍼층(125)이 형성되어 있다. 상기 버퍼층(125)은 상기 액티브 영역(Active Area; AA)에서부터 상기 패드 영역(Pad Area; PA)까지 연장되어 있다. 상기 버퍼층(125)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 버퍼층(125) 상에는 액티브층(126), 게이트 전극(130), 소스 전극(150), 및 드레인 전극(160)을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
상기 액티브층(126)은 상기 버퍼층(125) 상에 형성되어 있고, 상기 액티브층(126) 상에는 게이트 절연막(127)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(127) 상에 상기 게이트 전극(130)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(130) 상에 층간 절연막(140)이 형성되어 있고, 그리고, 상기 층간 절연막(140) 상에 상기 소스 전극(150)과 상기 드레인 전극(160), 및 보조 전극(170)이 형성되어 있다.
상기 액티브층(126)은 실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수도 있고 산화물계 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 게이트 절연막(127)은 상기 액티브층(126)과 상기 게이트 전극(130)을 절연시키는 기능을 수행하는 것으로서, 상기 게이트 전극(130)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막(127)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 전극(130)은 하부 게이트 전극(131)과 상부 게이트 전극(132)으로 이루어질 수 있다. 상기 하부 게이트 전극(131)은 상기 상부 게이트 전극(132)의 하면이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 하부 게이트 전극(131)은 상기 상부 게이트 전극(132)보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 게이트 전극(132)은 상기 하부 게이트 전극(131)보다 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 게이트 전극(130)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 게이트 전극(132)의 두께는 상기 하부 게이트 전극(131)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 층간 절연막(140)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 층간 절연막(140)은 상기 액티브 영역(Active Area; AA)에서부터 상기 패드 영역(Pad Area; PA)까지 연장되어 있다.
상기 소스 전극(150)과 상기 드레인 전극(160)은 상기 층간 절연막(140) 상에서 서로 마주하도록 형성된다. 상기 층간 절연막(140)에는 상기 액티브층(126)의 일단 영역을 노출시키는 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 액티브층(126)의 타단 영역을 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 구비되어 있고, 상기 소스 전극(150)은 상기 제1 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(126)의 일단 영역과 연결되고, 상기 드레인 전극(160)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(126)의 타단 영역과 연결된다.
또한, 상기 버퍼층(125)과 상기 층간 절연막(140)에는 상기 차광층(110)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 구비되어 있고, 상기 소스 전극(150)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해서 상기 차광층(110)과 연결되어 있다. 상기 차광층(110)은 도전성 물질로 이루어져 있는데, 상기 차광층(110)이 플로우팅(floating)되어 있으면 상기 액티브층(126)에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 상기 차광층(110)을 상기 소스 전극(150)에 연결시킴으로써 상기 액티브층(126)에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 경우에 따라, 상기 차광층(110)을 상기 드레인 전극(160)에 연결하는 것도 가능하다.
또한, 상기 버퍼층(125)과 상기 층간 절연막(140)에는 상기 저전압 배선(VSS)(120)을 노출시키는 제4 콘택홀(CH4)이 구비되어 있고, 상기 보조 전극(170)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해서 상기 저전압 배선(VSS)(120)과 연결되어 있다. 상기 보조 전극(170)은 상기 캐소드 전극(220)을 상기 저전압 배선(VSS)(120)에 연결하는 연결 전극으로 기능한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 저전압 배선(VSS)(120)과 보조 전극(170)에 의해서 캐소드 전극(220)의 저항을 용이하게 낮출 수 있다.
상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160) 및 상기 보조 전극(170)은 동일한 층에서 서로 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160) 및 상기 보조 전극(170)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 소스 전극(150)은 하부 소스 전극(151), 상부 소스 전극(152), 및 커버 소스 전극(153)으로 이루어질 수 있고, 상기 드레인 전극(160)은 하부 드레인 전극(161), 상부 드레인 전극(162), 및 커버 드레인 전극(163)으로 이루어질 수 있고, 상기 보조 전극(170)은 하부 보조 전극(171), 상부 보조 전극(172), 및 커버 보조 전극(173)으로 이루어질 수 있다.
상기 하부 소스 전극(151), 상기 하부 드레인 전극(161) 및 상기 하부 보조 전극(171)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 상부 소스 전극(152), 상기 상부 드레인 전극(162) 및 상기 상부 보조 전극(172)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 커버 소스 전극(153), 상기 커버 드레인 전극(163) 및 상기 커버 보조 전극(173)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부 소스 전극(151)은 상기 상부 소스 전극(152)의 하면이 부식되는 것을 방지하고, 상기 하부 드레인 전극(161)은 상기 상부 드레인 전극(162)의 하면이 부식되는 것을 방지하고, 상기 하부 보조 전극(171)은 상기 상부 보조 전극(172)의 하면이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 하부 소스 전극(151), 상기 하부 드레인 전극(161), 및 상기 하부 보조 전극(171)은 상기 상부 소스 전극(152), 상기 상부 드레인 전극(162), 및 상기 상부 보조 전극(172) 보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 커버 소스 전극(153)은 상기 상부 소스 전극(152)의 상면이 부식되는 것을 방지하고, 상기 커버 드레인 전극(163)은 상기 상부 드레인 전극(162)의 상면이 부식되는 것을 방지하고, 상기 커버 보조 전극(173)은 상기 상부 보조 전극(172)의 상면이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 커버 소스 전극(153), 상기 커버 드레인 전극(163), 및 상기 커버 보조 전극(173)은 상기 상부 소스 전극(152), 상기 상부 드레인 전극(162), 및 상기 상부 보조 전극(172) 보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 소스 전극(152), 상기 상부 드레인 전극(162) 및 상기 상부 보조 전극(172)은 상기 하부 소스 전극(151)과 상기 커버 소스 전극(153), 상기 하부 드레인 전극(161)과 상기 커버 드레인 전극(163), 및 상기 하부 보조 전극(171)과 상기 커버 보조 전극(173) 보다 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 소스 전극(150)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 소스 전극(152)의 두께는 상기 하부 소스 전극(151)과 상기 커버 소스 전극(153)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 마찬가지로, 상기 상부 드레인 전극(162)의 두께는 상기 하부 드레인 전극(161)과 상기 커버 드레인 전극(163)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있고, 상기 상부 보조 전극(172)의 두께는 상기 하부 보조 전극(171)과 상기 커버 보조 전극(173)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
이상과 같은 박막 트랜지스터의 구성은 도시된 구조로 한정되지 않고, 당업자에게 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. 예로서, 도면에는 게이트 전극(130)이 액티브층(126)의 위에 형성되는 탑 게이트 구조(Top Gate)를 도시하였지만, 게이트 전극(130)이 액티브층(126)의 아래에 형성되는 바텀 게이트 구조(Bottom Gate)로 이루어질 수도 있다.
상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160) 및 상기 보조 전극(170) 상에는 패시베이션층(175)이 형성되어 있고, 상기 패시베이션층(175) 상에는 평탄화층(178)이 형성되어 있다.
상기 패시베이션층(175)은 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 기능을 하며 상기 상기 액티브 영역(Active Area; AA)에서부터 상기 패드 영역(Pad Area; PA)까지 연장되어 있다. 이와 같은 패시베이션층(175)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 평탄화층(178)은 상기 박막 트랜지스터가 구비되어 있는 상기 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 평탄화층(178)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 평탄화층(178) 상에는 애노드 전극(180)과 처마 구조물(eave structure)(190)이 형성되어 있다.
상기 패시베이션층(175)과 상기 평탄화층(178)에는 상기 소스 전극(150)을 노출시키는 제5 콘택홀(CH5)이 구비되어 있고, 상기 애노드 전극(180)은 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 상기 소스 전극(150)과 연결되어 있다. 구동 방식에 따라서, 상기 제5 콘택홀(CH5)이 상기 드레인 전극(160)을 노출시키도록 형성되고, 상기 애노드 전극(180)이 상기 드레인 전극(160)과 연결될 수도 있다.
또한, 상기 패시베이션층(175)과 상기 평탄화층(178)에는 상기 보조 전극(170)을 노출시키는 제6 콘택홀(CH6)이 구비되어 있고, 상기 처마 구조물(190)은 상기 제6 콘택홀(CH6) 내부로 연장되어 있다. 상기 처마 구조물(190)의 일단부는 상기 패시베이션층(175)과 상기 평탄화층(178)의 경계면에서 상기 경계면과 평행하게 돌출되어 있다. 보다 구체적으로 상기 처마 구조물(190)의 일단부의 하면은 상기 패시베이션층(175)과 상기 평탄화층(178)의 경계면과 일치하도록 형성된다. 즉, 상기 처마 구조물(190)은 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 상기 평탄화층(178)의 측면을 따라 연장되지만 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 상기 패시베이션층(175)의 측면을 따라 연장되지는 않으며, 그에 따라 상기 처마 구조물(190)의 일단부 아래에 콘택 공간(C)이 마련될 수 있다.
상기 애노드 전극(180)과 상기 처마 구조물(190)은 동일한 층에서 서로 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 상기 애노드 전극(180)과 상기 처마 구조물(190)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 처마 구조물(190) 아래에 평탄화층(178)을 제거하여 상기 처마 구조물(190)을 상기 패시베이션층(175) 상에 직접 형성하는 것도 가능하다.
상기 애노드 전극(180)은 하부 애노드 전극(181), 상부 애노드 전극(182), 및 커버 애노드 전극(183)으로 이루어질 수 있고, 상기 처마 구조물(190)은 하부 처마 구조물(191), 상부 처마 구조물(192), 및 커버 처마 구조물(193)로 이루어질 수 있다.
상기 하부 애노드 전극(181)과 상기 하부 처마 구조물(191)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 상부 애노드 전극(182)과 상기 상부 처마 구조물(192)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 커버 애노드 전극(183)과 상기 커버 처마 구조물(193)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부 애노드 전극(181)은 상기 평탄화층(178)과 상기 상부 애노드 전극(182) 사이의 접착력을 증진시키고, 상기 상부 애노드 전극(182)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 마찬가지로, 상기 하부 처마 구조물(191)은 상기 평탄화층(178)과 상기 상부 처마 구조물(192) 사이의 접착력을 증진시키고, 상기 상부 처마 구조물(192)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 애노드 전극(181)과 상기 하부 처마 구조물(191)은 상기 상부 애노드 전극(182)과 상기 상부 처마 구조물(192) 보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 애노드 전극(182)은 상기 하부 애노드 전극(181)과 상기 커버 애노드 전극(183) 사이에 형성되고, 상기 상부 처마 구조물(192)은 상기 하부 처마 구조물(191)과 상기 커버 처마 구조물(193) 사이에 형성된다. 상기 상부 애노드 전극(182)과 상기 상부 처마 구조물(192)은 상기 하부 애노드 전극(181), 상기 커버 애노드 전극(183), 상기 하부 처마 구조물(191), 및 상기 커버 처마 구조물(193) 보다 저항이 낮은 금속인 은(Ag)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 전극(180)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 애노드 전극(182)의 두께는 상기 하부 애노드 전극(181)의 두께 및 상기 커버 애노드 전극(183)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 커버 애노드 전극(183)은 상기 상부 애노드 전극(182)의 부식을 방지한다. 마찬가지로, 상기 커버 처마 구조물(193)은 상기 상부 처마 구조물(192)의 부식을 방지한다.
상기 커버 애노드 전극(183)과 상기 커버 처마 구조물(193)은 상기 상부 애노드 전극(182)과 상기 상부 처마 구조물(192) 보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어지며, 예로서 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도시하지는 않았지만, 상기 하부 애노드 전극(181)과 상기 상부 애노드 전극(182) 사이에 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어진 중간 애노드 전극이 추가로 형성되어 상기 애노드 전극(180)이 4층 구조로 이루어질 수도 있다. 마찬가지로, 상기 하부 처마 구조물(191)과 상기 상부 처마 구조물(192) 사이에 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어진 중간 처마 구조물이 추가로 형성되어 상기 처마 구조물(190)이 4층 구조로 이루어질 수도 있다.
상기 애노드 전극(180)과 상기 처마 구조물(190) 상에는 뱅크층(200a, 200b, 200c)이 형성되어 있다. 상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)에 의해서 화소 영역이 정의된다.
상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)은 제1 뱅크(200a), 제2 뱅크(200b), 및 제3 뱅크(200c)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1 뱅크(200a)는 상기 애노드 전극(180)의 일단을 덮고, 상기 제2 뱅크(200b)는 상기 애노드 전극(180)의 타단을 덮는다. 상기 제1 뱅크(200a)와 상기 제2 뱅크(200b)의 사이 영역에서 상기 애노드 전극(180)의 상면이 노출되며, 상기 노출된 애노드 전극(180)의 상면 영역에서 광이 방출되어 화상이 표시된다.
상기 제2 뱅크(220b)는 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부로 연장되는데, 구체적으로, 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 상기 평탄화층(178)의 측면을 따라 연장될 수 있다. 이와 같이 상기 제2 뱅크(220b)의 일부가 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되면, 후술하는 캐소드 전극(220)이 상기 연장된 제2 뱅크(220b)를 따라 상기 보조 전극(170)과 용이하게 연결될 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 제2 뱅크(220b)의 일부가 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되면, 상기 연장된 제2 뱅크(220b)의 상면 상에 유기 발광층(210)과 상기 캐소드 전극(220)이 차례로 적층될 수 있어, 상기 캐소드 전극(220)이 상기 보조 전극(170)의 상면과 용이하게 접촉할 수 있게 된다. 만약, 상기 제2 뱅크(220b)가 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되지 않을 경우에는 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되는 캐소드 전극(220)이 단절될 가능성도 있다.
한편, 도면에는 상기 제2 뱅크(220b)가 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에서 상기 패시베이션층(175)의 상면까지만 연장되고 상기 패시베이션층(175)의 측면으로 연장되지 않은 경우를 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2 뱅크(220b)가 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에서 상기 패시베이션층(175)의 측면을 따라 연장되어 상기 보조 전극(170)의 상면 일부까지 연장되는 것도 가능하다.
상기 제3 뱅크(220c)는 상기 처마 구조물(190) 상에 형성되어 있다.
이와 같은 뱅크층(200a, 200b, 200c)은 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 뱅크층(200a, 200b, 200c) 상에는 상기 유기 발광층(210)이 형성되어 있고, 상기 유기 발광층(210) 상에는 상기 캐소드 전극(220)이 형성되어 있다.
상기 유기 발광층(210)은 상기 제1 뱅크(220a)와 상기 제2 뱅크(220b) 사이에서 상기 애노드 전극(180)과 접촉하도록 형성되어 있다. 또한, 상기 유기 발광층(210)은 상기 제2 뱅크(220b)를 따라서 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되면서 상기 보조 전극(170)의 상면 일부와 접촉하도록 형성됨으로써, 상기 캐소드 전극(220)이 상기 보조 전극(170)의 상면과 용이하게 접촉할 수 있도록 할 수 있다.
이때, 상기 유기 발광층(210)은 상기 처마 구조물(190) 아래의 콘택 공간(C)에는 형성되지 않으며, 따라서, 상기 콘택 공간(C)에서 상기 보조 전극(170)의 상면이 노출된다. 상기 유기 발광층(210)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 유기 발광층(210)의 증착 공정시 상기 처마 구조물(190) 아래의 상기 콘택 공간(C) 내에는 상기 유기 발광층(210)이 증착되지 않게 된다.
상기 유기 발광층(210)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 발광층(210)은 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
상기 캐소드 전극(220)은 광이 방출되는 면에 형성되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 투명한 도전물질은 저항이 높기 때문에, 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(220)은 상기 보조 전극(170)과 연결된다. 구체적으로, 상기 캐소드 전극(220)은 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되는데, 특히 상기 콘택 공간(C) 내로 연장되어 상기 노출되어 있는 보조 전극(170)의 상면과 접하게 된다. 상기 캐소드 전극(220)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 캐소드 전극(220)의 증착 공정시 상기 콘택 공간(C)으로 상기 캐소드 전극(220)이 증착될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 캐소드 전극(220)이 처마 구조물(190) 아래의 상기 콘택 공간(C)에서 상기 보조 전극(170)과 전기적으로 연결되기 때문에, 종래와 같이 역테이퍼진 구조의 격벽을 형성할 필요가 없게 되어 격벽이 무너지거나 벗겨지는 종래의 문제가 해소될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 상기 캐소드 전극(220) 상에는 밀봉층(encapsulation layer)이 추가로 형성되어 수분의 침투를 방지할 수 있다. 따라서, 상기 밀봉층이 상기 콘택 공간(C) 내로 충진될 수 있다. 상기 밀봉층은 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기 캐소드 전극(220) 상에는 각 화소별로 컬러 필터가 형성된 대향 기판이 추가로 구비될 수 있으며, 이 경우에는 상기 유기 발광층(210)에서 화이트(white) 광이 발광될 수 있다.
상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)의 구성을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
상기 기판(100) 상에는 버퍼층(125)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(125) 상에는 게이트 절연막(127)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(127) 상에는 신호 패드(300)가 형성되어 있고, 상기 신호 패드(300) 상에는 층간 절연막(140)이 형성되어 있고, 상기 층간 절연막(140) 상에는 제1 패드 전극(400)이 형성되어 있고, 상기 제1 패드 전극(400) 상에는 패시베시션층(175)이 형성되어 있다.
상기 버퍼층(125)은 상기 액티브 영역(AA)으로부터 연장되어 있는 것이다.
상기 게이트 절연막(127)은 상기 액티브 영역(AA)에서 게이트 전극(130)의 하면에 형성된 게이트 절연막(127)과 동일한 것으로서, 상기 신호 패드(300)와 동일한 패턴으로 형성되어 있다.
상기 신호 패드(300)는 상기 액티브 영역(AA)의 게이트 전극(130)과 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 상기 신호 패드(300)와 상기 게이트 전극(130)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 신호 패드(300)는 하부 신호 패드(301)와 상부 신호 패드(302)로 이루어질 수 있다. 상기 하부 신호 패드(301)는 전술한 하부 게이트 전극(131)과 동일한 재료로 이루어져 상기 상부 신호 패드(302)의 부식 방지 기능을 수행할 수 있고, 상기 상부 신호 패드(302)는 전술한 상부 게이트 전극(132)과 동일한 재료로 이루어져 상기 신호 패드(300)의 저항을 줄이는 기능을 수행할 수 있다. 상기 신호 패드(300)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 신호 패드(302)의 두께는 상기 하부 신호 패드(301)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 층간 절연막(140)은 상기 액티브 영역(AA)으로부터 연장되어 있는 것이다. 상기 층간 절연막(140)에는 제7 콘택홀(CH7)이 구비되어 있어, 상기 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 상기 신호 패드(300)가 노출되어 있다.
상기 제1 패드 전극(400)은 상기 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 상기 신호 패드(300)에 연결되어 있다.
상기 제1 패드 전극(400)은 상기 액티브 영역(AA)의 상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160), 및 상기 보조 전극(170)과 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 상기 제1 패드 전극(400), 상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160), 및 상기 보조 전극(170)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 제1 패드 전극(400)은 하부 제1 패드 전극(401), 상부 제1 패드 전극(402), 및 커버 제1 패드 전극(403)으로 이루어질 수 있다.
상기 하부 제1 패드 전극(401)은 전술한 액티브 영역(AA)에 구비된 상기 하부 소스 전극(151), 상기 하부 드레인 전극(161) 및 상기 하부 보조 전극(171)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 상부 제1 패드 전극(402)은 전술한 액티브 영역(AA)에 구비된 상기 상부 소스 전극(152), 상기 상부 드레인 전극(162) 및 상기 상부 보조 전극(172)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 커버 제1 패드 전극(403)은 전술한 액티브 영역(AA)에 구비된 상기 커버 소스 전극(153), 상기 커버 드레인 전극(163) 및 상기 커버 보조 전극(173)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부 제1 패드 전극(401)는 상기 상부 제1 패드 전극(402)의 부식을 방지함과 더불어 상기 상부 신호 패드(302)의 부식 방지 기능도 수행할 수 있다.
상기 상부 제1 패드 전극(402)은 상기 제1 패드 전극(400)의 저항을 줄이는 역할을 하며, 상기 제1 패드 전극(400)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 제1 패드 전극(402)의 두께는 상기 하부 제1 패드 전극(401) 및 상기 커버 제1 패드 전극(403)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 커버 제1 패드 전극(403)는 상기 상부 제1 패드 전극(402)의 부식 방지 기능도 수행할 수 있다.
상기 패시베이션층(175)은 상기 액티브 영역(AA)으로부터 연장되어 있는 것이다. 상기 패시베이션층(175)에는 제8 콘택홀(CH8)이 형성되어 있어, 상기 제8 콘택홀(CH8)을 통해서 상기 제1 패드 전극(400)이 외부로 노출된다.
이때, 상기 제1 패드 전극(400)의 측면은 상기 패시베이션층(175)에 의해 가려지므로 부식이 방지될 수 있다. 또한, 상기 제1 패드 전극(400)의 상면은 외부로 노출되지만, 내식성이 있는 상기 커버 제1 패드 전극(403)이 외부로 노출되므로 부식이 방지될 수 있다.
도 2b에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 액티브 영역(AA)과 패드 영역(PA)이 마련되어 있고, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 액티브 영역(AA)으로 저전압 배선(VSS)(120)이 연장되어 있다.
상기 저전압 배선(VSS)(120)은 제4 콘택홀(CH4)을 통해서 보조 전극(170)과 연결되어 있고, 상기 보조 전극(170)은 제6 콘택홀(CH6) 내에서 캐소드 전극(220)과 연결되어 있다. 상기 캐소드 전극(220)은 상기 액티브 영역(AA)에 전체적으로 형성되어 있다.
상기 제4 콘택홀(CH4)과 상기 제6 콘택홀(CH6)은 개별 화소마다 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 패드 영역(PA)의 구성, 제6 콘택홀(CH6) 영역의 구성, 그리고, 제1 패드 전극(400, 소스 전극(150), 드레인 전극(160), 및 보조 전극(170)의 구성이 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 패드 영역(PA)에 대해서 설명하기로 한다.
도 3에서 알 수 있듯이, 패드 영역(PA)에는 기판(100) 상에 버퍼층(125)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(125) 상에는 게이트 절연막(127)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(127) 상에는 신호 패드(300)가 형성되어 있고, 상기 신호 패드(300) 상에는 층간 절연막(140)이 형성되어 있고, 상기 층간 절연막(140) 상에는 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 상기 신호 패드(300)와 연결되는 제1 패드 전극(400)이 형성되어 있고, 상기 제1 패드 전극(400) 상에는 제2 패드 전극(500)이 형성되어 있다.
도 3에 따른 본 발명의 다른 실시예는, 전술한 도 2에 따른 실시예와 달리 상기 제1 패드 전극(400) 상에 패시베이션층(175)이 형성되어 있지 않고, 그 대신에 상기 제1 패드 전극(400) 상에 제2 패드 전극(500)이 형성되어 있다.
상기 제2 패드 전극(500)은 상기 제1 패드 전극(400)의 상면 및 측면을 덮도록 형성되어 상기 제1 패드 전극(400)의 부식을 방지한다. 즉, 상기 제2 패드 전극(500)에 의해서 상기 상부 제1 패드 전극(402)이 가려지게 된다. 따라서, 전술한 도 2에 따른 실시예와 달리, 상기 제1 패드 전극(400)이 하부 제1 패드 전극(401)과 상부 제1 패드 전극(402)으로 이루어지고 상기 상부 제1 패드 전극(402) 위에 별도의 커버 제1 패드 전극(403)이 구성될 필요가 없다. 그에 따라서, 상기 소스 전극(150)도 하부 소스 전극(151)과 상부 소스 전극(152)으로 이루어지고, 상기 드레인 전극(160)도 하부 드레인 전극(161)과 상부 드레인 전극(162)으로 이루어지고, 상기 보조 전극(170)도 하부 보조 전극(171)과 상부 보조 전극(172)으로 이루어진다.
상기 제2 패드 전극(500)은 전술한 액티브 영역(AA)에 구비된 상기 하부 애노드 전극(181) 및 상기 하부 처마 구조물(191)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 따라, 상기 제2 패드 전극(500), 상기 하부 애노드 전극(181) 및 상기 하부 처마 구조물(191)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 도 3에 따르면, 제2 뱅크(220b)가 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 평탄화층(178)과 패시베이션층(175)의 측면을 따라 상기 보조 전극(170)의 상면까지 연장될 수 있다. 그에 따라, 유기 발광층(210)이 상기 제2 뱅크(220b)를 따라서 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부로 연장되면서 상기 보조 전극(170)의 상면까지 연장될 수 있고, 결국, 캐소드 전극(220)이 상기 유기 발광층(210)을 따라서 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부로 연장되면서 콘택 공간(C)에서 상기 보조 전극(170)과 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 패드 영역(PA)의 구성, 그리고, 제1 패드 전극(400, 소스 전극(150), 드레인 전극(160), 및 보조 전극(170)의 구성이 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치와 상이하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 패드 영역(PA)에 대해서 설명하기로 한다.
도 4에서 알 수 있듯이, 패드 영역(PA)에는 기판(100) 상에 버퍼층(125)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(125) 상에는 게이트 절연막(127)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(127) 상에는 신호 패드(300)가 형성되어 있고, 상기 신호 패드(300) 상에는 층간 절연막(140)이 형성되어 있고, 상기 층간 절연막(140) 상에는 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 상기 신호 패드(300)와 연결되는 제1 패드 전극(400)이 형성되어 있고, 상기 제1 패드 전극(400) 상에는 제2 패드 전극(500)이 형성되어 있다.
도 4에 따른 본 발명의 또 다른 실시예는, 전술한 도 2에 따른 실시예와 달리 상기 제1 패드 전극(400) 상에 패시베이션층(175)이 형성되어 있지 않고, 그 대신에 상기 제1 패드 전극(400) 상에 제2 패드 전극(500)이 형성되어 있다.
상기 제2 패드 전극(500)은 상기 제1 패드 전극(400)의 상면 및 측면을 덮도록 형성되어 상기 제1 패드 전극(400)의 부식을 방지한다. 즉, 상기 제2 패드 전극(500)에 의해서 상기 상부 제1 패드 전극(402)이 가려지게 된다. 따라서, 전술한 도 2에 따른 실시예와 달리, 상기 제1 패드 전극(400)이 하부 제1 패드 전극(401)과 상부 제1 패드 전극(402)으로 이루어지고 상기 상부 제1 패드 전극(402) 위에 별도의 커버 제1 패드 전극(403)이 구성될 필요가 없다. 그에 따라서, 상기 소스 전극(150)도 하부 소스 전극(151)과 상부 소스 전극(152)으로 이루어지고, 상기 드레인 전극(160)도 하부 드레인 전극(161)과 상부 드레인 전극(162)으로 이루어지고, 상기 보조 전극(170)도 하부 보조 전극(171)과 상부 보조 전극(172)으로 이루어진다.
상기 제2 패드 전극(500)은 전술한 액티브 영역(AA)에 구비된 상기 애노드 전극(180) 및 상기 처마 구조물(190)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 그에 따라, 상기 제2 패드 전극(500), 상기 애노드 전극(180) 및 상기 처마 구조물(190)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 제2 패드 전극(500)은 하부 제2 패드 전극(501), 상부 제2 패드 전극(502), 및 커버 제2 패드 전극(503)으로 이루어질 수 있다.
상기 하부 제2 패드 전극(501)은 하부 애노드 전극(181)과 하부 처마 구조물(191)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 상부 제2 패드 전극(502)은 상부 애노드 전극(182)과 상부 처마 구조물(192)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 커버 제2 패드 전극(503)은 커버 애노드 전극(183)과 커버 처마 구조물(193)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 하부 제2 패드 전극(501)과 상기 커버 제2 패드 전극(503)은 상기 상부 제2 패드 전극(502)보다 산화도가 작고 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 상부 제2 패드 전극(502)은 상기 하부 제2 패드 전극(501)과 상기 커버 제2 패드 전극(503)보다 저항이 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 상부 제2 패드 전극(502)은 상기 하부 제2 패드 전극(501)과 상기 커버 제2 패드 전극(503) 보다 두꺼운 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 제1 패드 전극(400)과 제2 패드 전극(500)의 일측과 타측에는 패시베이션층(175)과 평탄화층(178)이 차례로 형성되어 있다.
상기 패드 영역(PA)의 패시베이션층(175)은 상기 층간 절연막(140) 상에 형성되어 있고, 상기 패드 영역(PA)의 평탄화층(178)은 상기 패시베이션층(175) 상에 형성되어 있다. 상기 패드 영역(PA)에 형성된 패시베이션층(175)과 평탄화층(178)은 상기 제1 패드 전극(400) 및 상기 제2 패드 전극(500)과 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 패드 영역(PA)에 형성된 패시베이션층(175)과 평탄화층(178)은 제조 공정 중에 상기 평탄화층(178)이 끝단에서부터 벗겨지는 문제를 방지하기 위해서 상기 평탄화층(178)을 두껍게 형성하였기 때문에 남아있는 것이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 물질 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에 차광층(110)과 저전압 배선(VSS)(120)을 패턴 형성하고, 상기 차광층(110)과 저전압 배선(VSS)(120) 상에 버퍼층(125)을 형성한다. 상기 버퍼층(125)은 패드 영역(PA)에도 형성한다.
그 후, 상기 버퍼층(125) 상의 액티브 영역(AA)에 액티브층(126), 게이트 절연막(127) 및 게이트 전극(130)을 패턴 형성함과 더불어 상기 버퍼층(125) 상의 패드 영역(AA)에 게이트 절연막(127)과 신호 패드(300)를 패턴 형성한다.
그 후, 상기 게이트 전극(130)과 상기 신호 패드(300) 상에 층간 절연막(140)을 형성하고, 상기 층간 절연막(140)에 제1 콘택홀(CH1)과 제2 콘택홀(CH2)을 형성하여 상기 액티브층(126)의 일단 영역과 타단 영역을 노출시킨다. 또한, 상기 층간 절연막(140)과 상기 버퍼층(125)에 제3 콘택홀(CH3)과 제4 콘택홀(CH4)을 형성하여 상기 차광층(110)과 상기 저전압 배선(VSS)(120)을 노출시킨다. 또한, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 층간 절연막(140)에 제7 콘택홀(CH7)을 형성하여 상기 신호 패드(300)를 노출시킨다.
그 후, 상기 층간 절연막(140) 상에 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 액티브층(126)과 연결됨과 더불어 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 상기 차광층(110)과 연결되는 소스 전극(150)을 패턴 형성하고, 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 액티브층(126)과 연결되는 드레인 전극(160)을 패턴 형성한다. 또한, 상기 층간 절연막(140) 상에 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해 상기 저전압 배선(VSS)(120)과 연결되는 보조 전극(170)을 패턴 형성한다. 또한, 상기 층간 절연막(140) 상에 상기 제7 콘택홀(CH7)을 통해 상기 신호 패드(300)와 연결되는 제1 패드 전극(400)을 패턴 형성한다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 소스 전극(150), 상기 드레인 전극(160), 보조 전극(170), 및 상기 제1 패드 전극(400) 상에 패시베이션층(175)을 형성하고, 상기 패시베이션층(175) 상에 평탄화층(178)을 패턴 형성한다.
상기 평탄화층(178)은 상기 소스 전극(150)의 일부 위에는 형성하지 않고, 상기 보조 전극(170)의 일부와 상기 패드 영역(PA) 위에는 상대적으로 얇은 두께(t1)로 형성하고, 그 외의 부분은 상대적으로 두꺼운 두께(t2)로 형성한다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 평탄화층(178)을 마스크로 하여 상기 소스 전극(150)의 일부 위의 패시베이션층(175)을 제거하여 제5 콘택홀(CH5)을 형성함으로써 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 상기 소스 전극(150)을 노출시킨다.
그 후, 상기 평탄화층(178)을 애싱(ashing)처리한다. 그리하면, 상기 두꺼운 두께(t2) 영역의 평탄화층(178)만 잔존하고 상기 얇은 두께(t1) 영역의 평탄화층(178)은 제거되어, 상기 보조 전극(170)과 상기 패드 영역(PA) 위의 패시베이션층(175)이 노출된다. 이때, 상기 보조 전극(170) 위에서 제거된 상기 평탄화층(178)에 의해 제6 콘택홀(CH6) 영역이 마련된다.
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 상기 평탄화층(178) 상에 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190)을 패턴 형성한다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 상기 소스 전극(150)과 연결되도록 패턴 형성한다. 상기 처마 구조물(190)은 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되어 상기 노출된 패시베이션층(175)의 상면 일부까지 연장되도록 패턴 형성한다.
다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190) 상에 뱅크층(200)을 형성한다.
상기 뱅크층(200)은 액티브 영역(AA) 및 패드 영역(PA)에 형성한다.
상기 뱅크층(200)은 상기 제1 패드 전극(400) 일부분의 위쪽, 상기 애노드 전극(180) 상의 화소 영역의 위쪽 및 상기 보조 전극(170)의 일부분의 위쪽에는 형성하지 않고, 상기 패드 영역(PA) 및 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역의 끝 부분에는 상대적으로 얇은 두께(h1)로 형성하고, 그 외의 부분은 상대적으로 두꺼운 두께(h2)로 형성한다.
그 후, 상기 뱅크층(200)을 마스크로 하여 상기 패시베이션층(175)을 제거함으로써, 상기 제1 패드 전극(400)과 상기 보조 전극(170)을 노출시킨다. 이때, 상기 처마 구조물(190)의 하부의 패시베이션층(175)도 함께 제거되어 콘택 공간(C)이 마련된다. 또한, 상기 제1 패드 전극(400) 위에 제8 콘택홀(CH8)이 형성된다.
다음, 도 5f에서 알 수 있듯이, 상기 뱅크층(200)을 애싱처리한다. 그리하면, 상기 얇은 두께(h1) 영역의 뱅크층(200)은 제거되고 상기 두꺼운 두께(h2) 영역의 뱅크층(200)만 잔존하여 제1 뱅크(200a), 제2 뱅크(200b), 및 제3 뱅크(200c)가 형성된다.
다음, 도 5g에서 알 수 있듯이, 상기 액티브 영역(AA)에서 상기 제1 뱅크(200a), 제2 뱅크(200b), 및 제3 뱅크(200c) 상에 유기 발광층(210)을 형성하고, 상기 유기 발광층(210) 상에 캐소드 전극(220)을 형성한다.
상기 유기 발광층(210)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성하며, 그에 따라, 상기 유기 발광층(210)은 상기 처마 구조물(190) 하부의 상기 콘택 공간(C)에는 증착되지 않게 된다.
상기 캐소드 전극(220)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있으며, 그에 따라 상기 콘택 공간(C) 내로 증착될 수 있다. 따라서, 상기 캐소드 전극(220)은 상기 콘택 공간(C) 내에서 상기 보조 전극(170)과 연결된다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 물질 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 6a 내지 도 6c의 공정은 전술한 도 5a 내지 도 5c의 공정과 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다. 다만, 도 6a 공정에서 커버 제1 패드 전극(403), 커버 소스 전극(153), 커버 드레인 전극(163) 및 커버 보조 전극(173)이 형성되지 않은 점에서 전술한 도 5a 공정과 상이하다.
다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 평탄화층(178) 상에 하부층(1), 상부층(2), 및 커버층(3)으로 이루어진 전극층(5)을 형성하고, 상기 전극층(5) 상에 포토 레지스트층(PR)을 패턴 형성한다.
상기 전극층(5)은 후술하는 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190)을 형성하기 위한 것이다.
상기 포토 레지스트층(PR)은 제1 패드 전극(400)을 제외한 패드 영역(PA), 제6 콘택홀(CH6) 영역 및 그 근방의 위쪽에는 형성하지 않고, 상기 제1 패드 전극(400)의 위쪽에는 상대적으로 얇은 두께(t1)로 형성하고, 그 외의 부분은 상대적으로 두꺼운 두께(t2)로 형성한다.
다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 상기 포토 레지스트층(PR)을 마스크로 하여 상기 전극층(5)을 패터닝함으로써, 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190)을 형성한다. 이때, 상기 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190) 사이 영역의 상기 전극층(5)과 그 하부의 패시베이션층(175)이 함께 제거됨으로써, 제6 콘택홀(CH6)이 완성되고 그에 따라 보조 전극(170)이 노출된다. 즉, 상기 제6 콘택홀(CH6) 내에서 상기 처마 구조물(190) 아래에 콘택 공간(C)이 마련된다.
또한, 패드 영역(PA)에서도 상기 전극층(5)의 일부가 제거된다.
다음, 도 6f에서 알 수 있듯이, 상기 포토 레지스트층(PR)을 애싱처리한 후, 잔존하는 포토 레지스트층(PR)을 마스크로 하여 패드 영역(PA)에 잔존한 상기 전극층(5)의 상부층(2)과 커버층(3)을 제거하여 상기 하부층(1)으로 이루어진 제2 패드 전극(500)을 완성하고, 그 후 잔존하는 포토 레지스트층(PR)을 제거한다.
상기 포토 레지스트층(PR)을 애싱처리하면 상기 얇은 두께(t1) 영역의 포토 레지스트층(PR)은 제거되고 상기 두꺼운 두께(t2) 영역의 포토 레지스트층(PR)만이 잔존하므로, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 상부층(2)과 커버층(3)을 제거할 때 상기 액티브 영역(AA)에 있는 상기 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190)은 제거되지 않는다.
다음, 도 6g에서 알 수 있듯이, 상기 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190) 상에 뱅크층(200a, 200b, 200c)을 형성하고, 상기 액티브 영역(AA)에서 상기 제1 뱅크(200a), 제2 뱅크(200b), 및 제3 뱅크(200c) 상에 유기 발광층(210)을 형성하고, 상기 유기 발광층(210) 상에 캐소드 전극(220)을 형성한다.
상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)은 상기 애노드 전극(180)의 일단을 덮는 제1 뱅크층(200a), 상기 애노드 전극(180)의 타단을 덮으면서 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 상기 평탄화층(178)과 상기 패시베이션층(175)의 측면을 따라 보조 전극(170)의 상면 일부까지 연장된 제2 뱅크층(200b), 및 상기 처마 구조물(190) 상에 형성된 제3 뱅크층(200c)으로 이루어진다.
상기 유기 발광층(210)은 상기 처마 구조물(190) 하부의 상기 콘택 공간(C)에는 증착되지 않는다.
상기 캐소드 전극(220)은 상기 콘택 공간(C) 내로 증착되어 상기 보조 전극(170)과 연결된다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 물질 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 7a의 공정은 전술한 도 5a의 공정과 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다. 다만, 도 7a 공정에서 커버 제1 패드 전극(403), 커버 소스 전극(153), 커버 드레인 전극(163) 및 커버 보조 전극(173)이 형성되지 않은 점에서 전술한 도 5a 공정과 상이하다.
다음, 도 7b에서 알 수 있듯이, 소스 전극(150), 드레인 전극(160), 보조 전극(170), 및 제1 패드 전극(400) 상에 패시베이션층(175)을 형성하고, 상기 패시베이션층(175) 상에 평탄화층(178)을 패턴 형성한다.
상기 평탄화층(178)은 상기 소스 전극(150)의 일부분의 위쪽 및 상기 제1 패드 전극(400)의 일측과 타측을 제외한 패드 영역(PA)의 위쪽에는 형성하지 않고, 상기 보조 전극(170)의 일부분의 위에는 상대적으로 얇은 두께(t1)로 형성하고, 그 외의 부분은 상대적으로 두꺼운 두께(t2)로 형성한다.
특히, 상기 제1 패드 전극(400)의 일측과 타측에 상대적으로 얇은 두께(t1)로 평탄화층(178)을 형성하면, 상기 제1 패드 전극(400)의 근방에서 상기 평탄화층(178)이 벗겨질 수 있기 때문에, 상기 평탄화층(178)은 상기 제1 패드 전극(400)의 일측과 타측에 두꺼운 두께(t2)로 형성한다.
다음, 도 7c에서 알 수 있듯이, 상기 평탄화층(178)을 마스크로 하여 상기 소스 전극(150)의 일부분 위의 패시베이션층(175) 및 상기 패드 영역(PA)의 일 부분의 패시베이션층(175)을 제거한다. 그리하면, 상기 소스 전극(150) 위에 제5 콘택홀(CH5)이 형성되어 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 상기 소스 전극(150)이 노출되고, 또한, 상기 제1 패드 전극(400)의 상면과 측면도 노출된다.
그 후, 상기 평탄화층(178)을 애싱(ashing)처리한다. 그리하면, 상기 두꺼운 두께(t2) 영역의 평탄화층(178)만 잔존하고 상기 얇은 두께(t1) 영역의 평탄화층(178)은 제거되어, 상기 보조 전극(170) 위의 패시베이션층(175)이 추가로 노출된다. 이때, 상기 보조 전극(170) 위에 제6 콘택홀(CH6) 영역이 마련된다.
다음, 도 7d에서 알 수 있듯이, 상기 액티브 영역(AA)에서 상기 평탄화층(178) 상에 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190)을 패턴 형성하고, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 제1 패드 전극(400) 상에 제2 패드 전극(500)을 패턴 형성한다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 상기 소스 전극(150)과 연결되도록 패턴 형성하고, 상기 처마 구조물(190)은 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역으로 연장되어 상기 노출된 패시베이션층(175)의 상면 일부까지 연장되도록 패턴 형성한다. 상기 제2 패드 전극(500)은 상기 제1 패드 전극(400)의 상면과 측면을 덮는다.
다음, 도 7e에서 알 수 있듯이, 상기 애노드 전극(180)과 처마 구조물(190) 상에 뱅크층(200a, 200b, 200c)을 형성한다.
상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)은 상기 애노드 전극(180)의 일단을 덮는 제1 뱅크층(200a), 상기 애노드 전극(180)의 타단을 덮으면서 상기 제6 콘택홀(CH6)의 내부에 구비된 상기 평탄화층(178)의 측면을 따라 연장된 제2 뱅크층(200b), 및 상기 처마 구조물(190) 상에 형성된 제3 뱅크층(200c)으로 이루어진다.
그 후, 상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)을 마스크로 하여 상기 제6 콘택홀(CH6) 영역에 노출된 패시베이션층(175)을 제거하여 상기 처마 구조물(190)의 아래에 콘택 공간(C)을 형성한다. 그 후, 상기 뱅크층(200a, 200b, 200c)을 애싱처리하여 도시된 바와 같은 구조가 형성된다.
다음, 도 7f에서 알 수 있듯이, 상기 액티브 영역(AA)에서 상기 제1 뱅크(200a), 제2 뱅크(200b), 및 제3 뱅크(200c) 상에 유기 발광층(210)을 형성하고, 상기 유기 발광층(210) 상에 캐소드 전극(220)을 형성한다.
상기 유기 발광층(210)은 상기 처마 구조물(190) 하부의 상기 콘택 공간(C)에는 증착되지 않고, 상기 캐소드 전극(220)은 상기 콘택 공간(C) 내로 증착되어 상기 보조 전극(170)과 연결된다.
이상은 본 발명의 실시예에 따른 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치에 대해서 설명하였는데, 이와 같은 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 본 발명의 기술적 특징을 가지는 한 다양하게 변경될 수 있다. 예로서, 본 발명은 화소 영역의 전체에서 발광이 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 화소 영역의 일부에서는 발광이 이루어지고 화소 영역의 나머지 부분에서는 발광이 이루어지지 않고 투명하게 구성되어 투명 유기 발광 장치를 구성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 110: 차광층
120: 저전압 배선(VSS) 125: 버퍼층
130: 게이트 전극 140: 층간 절연막
150: 소스 전극 160: 드레인 전극
170: 보조 전극 175: 패시베시션층
178: 평탄화층 180: 애노드 전극
190: 처마 구조물 200: 뱅크층
210: 유기 발광층 220: 캐소드 전극
300: 신호 패드 400: 제1 패드 전극
500: 제2 패드 전극

Claims (18)

  1. 액티브 영역과 패드 영역을 구비한 기판;
    상기 기판 상의 액티브 영역에 구비된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 상에서 화소 영역을 정의하는 뱅크층;
    상기 뱅크층 상에 구비되며 상기 애노드 전극과 연결되는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 구비된 캐소드 전극;
    상기 뱅크층 아래에서 상기 애노드 전극과 이격되도록 구비된 처마 구조물; 및
    상기 처마 구조물 아래에 구비되며 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 캐소드 전극은 상기 처마 구조물 아래의 콘택 공간으로 연장되어 상기 콘택 공간에서 상기 보조 전극과 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 전극 아래에 구비된 평탄화층 및 상기 평탄화층 아래에 구비된 패시베이션층을 추가로 포함하여 이루어지고,
    상기 평탄화층과 상기 패시베이션층은 상기 보조 전극이 노출되도록 콘택홀을 구비하고 있고,
    상기 콘택홀 내에 상기 콘택 공간이 마련되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 뱅크층은 상기 콘택홀 내에서 상기 평탄화층의 측면을 따라 연장되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 뱅크층은 상기 콘택홀 내에서 상기 패시베이션층의 측면을 따라 상기 보조 전극까지 추가로 연장되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 상기 콘택홀 내에서 상기 뱅크층을 따라 상기 보조 전극의 상면까지 연장되어 있고, 상기 캐소드 전극은 상기 콘택홀 내에서 상기 유기 발광층을 따라 상기 콘택 공간으로 연장되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 처마 구조물은 상기 콘택홀 내에서 상기 평탄화층의 측면을 따라 연장되어 있고, 상기 처마 구조물의 일단부는 상기 패시베이션층과 상기 평탄화층의 경계면에서 상기 경계면과 평행하게 돌출되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 처마 구조물은 상기 애노드 전극과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보조 전극 아래에 위치하며 별도의 콘택홀을 통해서 상기 보조 전극과 연결되는 저전압 배선(VSS)을 추가로 포함하여 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 애노드 전극 아래에서 상기 애노드 전극과 연결되어 있는 소스 전극 또는 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 또는 드레인 전극 아래에 구비된 차광층을 추가로 포함하고,
    상기 보조 전극은 상기 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어지고,
    상기 저전압 배선(VSS)은 상기 차광층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 패드 영역에 구비된 신호 패드;
    상기 신호 패드 상에 구비되며 별도의 콘택홀을 통해서 상기 신호 패드와 연결되는 제1 패드 전극; 및
    상기 제1 패드 전극의 상면 일부를 노출시키면서 상기 제1 패드 전극의 측면을 가리는 패시베이션층을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 패드 전극은 상기 신호 패드 상에 구비된 하부 제1 패드 전극, 상기 하부 제1 패드 전극 상에 구비된 상부 제1 패드 전극, 및 상기 상부 제1 패드 전극 상에 구비되어 외부로 노출되는 커버 제1 패드 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 하부 제1 패드 전극과 상기 커버 제1 패드 전극은 상기 상부 제1 패드 전극보다 산화도가 작고, 상기 상부 제1 패드 전극은 상기 하부 제1 패드 전극과 상기 커버 제1 패드 전극보다 저항이 낮은 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 패드 영역에 구비된 신호 패드;
    상기 신호 패드 상에 구비되며 별도의 콘택홀을 통해서 상기 신호 패드와 연결되는 제1 패드 전극; 및
    상기 제1 패드 전극의 상면 및 측면을 가리는 제2 패드 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 패드 전극은 상기 신호 패드 상에 구비된 하부 제1 패드 전극, 및 상기 하부 제1 패드 전극 상에 구비된 상부 제1 패드 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 하부 제1 패드 전극은 상기 상부 제1 패드 전극보다 산화도가 작고, 상기 상부 제1 패드 전극은 상기 하부 제1 패드 전극보다 저항이 낮은 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 패드 영역에서 상기 제1 패드 전극 및 상기 제2 패드 전극과 이격되어 있는 패시베이션층과 평탄화층을 추가로 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 기판 상에 보조 전극을 형성하는 공정;
    상기 보조 전극 상에 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 평탄화층을 형성하는 공정;
    상기 평탄화층 상에 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정;
    상기 패시베이션층과 상기 평탄화층에 콘택홀을 형성하여 상기 콘택홀을 통해서 상기 보조 전극을 노출시키는 공정;
    상기 애노드 전극과 상기 처마 구조물 상에 뱅크층을 형성하는 공정;
    상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 공정; 및
    상기 유기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 캐소드 전극은 상기 처마 구조물 아래의 콘택 공간으로 연장되어 상기 노출된 보조 전극과 연결되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 뱅크층을 형성하는 공정은 상기 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정 이후에 수행하고,
    상기 보조 전극을 노출시키는 공정은 상기 뱅크층을 마스크로 하여 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 보조 전극을 형성하는 공정과 동시에 상기 기판 상에 제1 패드 전극을 형성하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 평탄화층은 상기 제1 패드 전극 상에 추가로 형성하고,
    상기 보조 전극을 노출시키는 공정과 동시에 상기 제1 패드 전극 상의 상기 패시베이션층을 제거하여 상기 제1 패드 전극을 노출시키는 공정을 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 보조 전극을 형성하는 공정과 동시에 상기 기판 상에 제1 패드 전극을 형성하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 패시베이션층과 상기 평탄화층은 상기 제1 패드 전극의 일측과 타측에 추가로 형성하고,
    상기 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정은 상기 제1 패드 전극 상에 제2 패드 전극을 형성하는 공정을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정은 상기 보조 전극을 노출시키는 공정과 동시에 수행하고,
    상기 뱅크층을 형성하는 공정은 상기 보조 전극을 노출시키는 공정 이후에 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 보조 전극을 형성하는 공정과 동시에 상기 기판 상에 제1 패드 전극을 형성하는 공정을 추가로 포함하고,
    상기 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정은 상기 제1 패드 전극 상에 복수의 층으로 구성된 전극층을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 애노드 전극과 처마 구조물을 형성하는 공정 이후에 복수의 전극층 중 일부의 전극층을 제거하여 상기 제1 패드 전극 상에 제2 패드 전극을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
KR1020160127076A 2016-09-30 2016-09-30 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 KR20180036434A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160127076A KR20180036434A (ko) 2016-09-30 2016-09-30 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US15/367,938 US10177206B2 (en) 2016-09-30 2016-12-02 Organic light emitting display device having eaves structure and method of manufacturing the same
CN202110944415.4A CN113782692B (zh) 2016-09-30 2016-12-23 有机发光显示装置
CN201611206826.9A CN107887406B (zh) 2016-09-30 2016-12-23 有机发光显示装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160127076A KR20180036434A (ko) 2016-09-30 2016-09-30 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180036434A true KR20180036434A (ko) 2018-04-09

Family

ID=61757880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160127076A KR20180036434A (ko) 2016-09-30 2016-09-30 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10177206B2 (ko)
KR (1) KR20180036434A (ko)
CN (2) CN113782692B (ko)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102405695B1 (ko) * 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108496260B (zh) 2015-10-26 2020-05-19 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
KR20200006569A (ko) 2017-05-17 2020-01-20 오티아이 루미오닉스 인크. 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스
CN109103215B (zh) * 2017-06-21 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
CN109411619B (zh) * 2017-08-17 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN107565049B (zh) * 2017-08-25 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 Amoled显示面板及其制备方法
KR102461391B1 (ko) * 2017-10-16 2022-10-31 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR102498288B1 (ko) * 2017-12-22 2023-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102482991B1 (ko) * 2017-12-28 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN108899352B (zh) * 2018-07-20 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN108962955B (zh) * 2018-07-23 2021-04-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
KR20200049336A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10872944B2 (en) * 2018-11-26 2020-12-22 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device including display substrate
TWI677813B (zh) * 2018-11-30 2019-11-21 友達光電股份有限公司 主動元件基板
CN109713017B (zh) * 2019-01-14 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR102632445B1 (ko) * 2019-01-15 2024-02-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200098803A (ko) 2019-02-12 2020-08-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
CN110047886B (zh) * 2019-04-11 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
US11049884B2 (en) 2019-04-28 2021-06-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing same, and display module
CN110148599B (zh) * 2019-04-28 2023-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110085648B (zh) * 2019-05-17 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
KR20210011529A (ko) 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
EP4020572A4 (en) * 2019-08-23 2022-09-07 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DRIVING SUBSTRATE
CN110634918B (zh) * 2019-08-27 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和oled显示面板的制备方法
KR20210048005A (ko) * 2019-10-22 2021-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
CN110828485B (zh) * 2019-11-19 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110867475B (zh) * 2019-11-26 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示基板及其制备方法、电致发光显示装置
CN111048526A (zh) * 2019-11-27 2020-04-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
KR20210079615A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210086059A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210086306A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220005240A (ko) * 2020-07-06 2022-01-13 주식회사 엘엑스세미콘 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20220010638A (ko) * 2020-07-16 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220042815A (ko) * 2020-09-28 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치
CN112289954B (zh) * 2020-10-28 2022-11-01 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
KR20220060664A (ko) * 2020-11-05 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN113013356B (zh) * 2021-02-22 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
CN113540194B (zh) * 2021-07-12 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579184B1 (ko) * 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN102881713B (zh) * 2006-06-19 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 发光显示装置及其制造方法
US8692455B2 (en) * 2007-12-18 2014-04-08 Sony Corporation Display device and method for production thereof
KR101525804B1 (ko) * 2008-04-14 2015-06-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101574210B1 (ko) * 2008-09-25 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US9178174B2 (en) * 2012-03-27 2015-11-03 Sony Corporation Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus
KR101994227B1 (ko) * 2012-12-07 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR102080009B1 (ko) * 2013-05-29 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102141557B1 (ko) * 2013-12-26 2020-08-05 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판
JP6169005B2 (ja) * 2014-01-17 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置
US9716134B2 (en) * 2014-01-21 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9337247B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9934723B2 (en) * 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
US9553156B2 (en) * 2014-07-16 2017-01-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9570471B2 (en) * 2014-08-05 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102320591B1 (ko) * 2014-10-30 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102374833B1 (ko) * 2014-11-25 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2016181332A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置および表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113782692A (zh) 2021-12-10
US10177206B2 (en) 2019-01-08
CN107887406A (zh) 2018-04-06
US20180097047A1 (en) 2018-04-05
CN107887406B (zh) 2021-09-07
CN113782692B (zh) 2024-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180036434A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180046229A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106206648B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US10276838B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR101879180B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102506532B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102405695B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10269880B2 (en) Manufacturing method of organic light emitting display device having a partition
KR102555656B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102515033B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170071152A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20170050171A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102545253B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102520874B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102482986B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20160141176A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170050733A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111785741B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal