CN106206648B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本文公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，在该有机发光显示装置中：在基板的有源区中设置有包括栅电极和源电极的薄膜晶体管(TFT)、阳极电极、有机发光层、阴极电极、设置在与阳极电极的层相同的层上并且连接至阴极电极的辅助电极；在基板的焊盘区中设置有设置在与栅电极的层相同的层上的信号焊盘以及通过接触孔连接至信号焊盘的焊盘电极，并且焊盘电极设置在与源电极的层相同的层上。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年5月28日提交的韩国专利申请第10-2015-0075395号的权益，其通过引用合并到本文中如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置，并且更具体地涉及顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置是自发光装置，并且具有低功耗、快速响应时间、高发光效率、高亮度以及宽视角。

有机发光显示装置基于从有机发光器件发出的光的传输方向划分为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型中，电路元件设置在发光层与图像显示表面之间，并且由于这个原因，开口率降低。另一方面，在顶部发光型中，电路元件不设置在发光层与图像显示表面之间，因此开口率提高。

图1是相关技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图。

如图1中可见，在基板10上的有源区AA中形成有包括有源层11、栅极绝缘层12、栅电极13、层间电介质14、源电极15和漏电极16的薄膜晶体管(TFT)层T，并且在TFT层T上相继地形成有钝化层20和平坦化层30。

在平坦化层30上形成有阳极电极40和辅助电极50。以下将描述辅助电极50减小了阴极电极80的电阻。

堤部(bank)60在阳极电极40和辅助电极50上形成并且限定像素区。在由堤部60限定的像素区中形成有机发光层70，并且在有机发光层70上形成阴极电极80。

在顶部发光型中，从有机发光层70发出的光穿过阴极电极80。因此，阴极电极80由透明导电材料形成，并且阴极电极80的电阻增加。为了减小阴极电极80的电阻，将阴极电极80连接至辅助电极50。

栅极绝缘层12和层间电介质14形成在基板10上的焊盘区PA中，在层间电介质14上形成有信号焊盘90，并且在信号焊盘90上形成有钝化层20。在钝化层20中设置有孔，并且信号焊盘90通过孔暴露于外部。由于信号焊盘90应当连接至外部驱动电路，因此信号焊盘90通过在钝化层20中形成孔暴露于外部。

相关技术的顶部发光型有机发光显示装置具有以下问题。

由于信号焊盘90应当连接至外部驱动电路，因此信号焊盘90的顶部暴露于外部。由于这个原因，信号焊盘90的顶部被腐蚀，并且腐蚀扩展至其它区域。

可以在信号焊盘90的顶部上进一步形成耐蚀性优异的金属层，以防止信号焊盘90的顶部被腐蚀，但是在这种情况下，工艺的数目增加。此外，可以通过同一个工艺在信号焊盘90上形成与阳极电极40相同的电极层，以防止信号焊盘90的顶部被腐蚀而没有增加工艺数目。然而，即使在这种情况下，不能防止电极层的材料被腐蚀，或者不能防止腐蚀扩展穿过电极层的侧表面。

此外，为了将信号焊盘90连接至外部驱动电路，通过在钝化层20中形成孔来暴露出信号焊盘90的顶部，但是当钝化层20的孔先前形成时，用于图案化形成阳极电极40的蚀刻剂会流动穿过孔并损坏信号焊盘90。

发明内容

因此，本发明涉及提供一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点所造成的一个或更多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。

本发明的一个方面涉及提供一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法，其中使附加工艺数目最小化，并且防止信号焊盘被腐蚀以及防止信号焊盘被蚀刻剂损坏。

本发明的另外的优点和特征将部分地在随后的描述中阐述，并且将部分地在本领域技术人员研究下面的内容时变得明显，或者可以通过本发明的实践而获知这些优点和特征。通过在书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其他优点。

为了获得这些优点和其他优点并且根据本发明的目的，如本文中所呈现和大致描述的，提供了一种有机发光显示装置，在该有机发光显示装置中：在基板的有源区中设置有包括栅电极和源电极的薄膜晶体管(TFT)、阳极电极、有机发光层、阴极电极、设置在与阳极电极的层相同的层上并且连接至阴极电极的辅助电极；在基板的焊盘区中设置有设置在与栅电极的层相同的层上的信号焊盘以及通过接触孔连接至信号焊盘的焊盘电极，并且焊盘电极设置在与源电极的层相同的层上。

在本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成栅电极和信号焊盘；在栅电极和信号焊盘上形成层间电介质，并且在层间电介质上形成源电极和焊盘电极；在源电极和焊盘电极上形成钝化层；在钝化层上形成阳极电极以及与阳极电极分离的辅助电极；以及去除钝化层的形成在焊盘电极上的至少一部分，用于向外暴露出焊盘电极。

应该理解，本发明的上述一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本发明的进一步的说明。

附图说明

本申请包括附图用以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出本发明的实施方案，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1是相关技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图；

图2是根据本发明的一个实施方案的有机发光显示装置的截面图；

图3是根据本发明的另一实施方案的有机发光显示装置的截面图；

图4A至图4M是示出制造根据本发明一个实施方案的有机发光显示装置的方法的截面图；以及

图5A至图5L是示出制造根据本发明另一实施方案的有机发光显示装置的方法的截面图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的示例性实施方案，在附图中示出本发明的示例性实施方案的实例。贯穿附图将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。

将通过参照附图描述的下面的实施方案来阐明本发明的优点和特征以及本发明的实现方法。然而，本发明可以以不同的形式来呈现并且不应当被解释为限于本文中所阐述的实施方案。更确切地说，提供这些实施方案使得本公开将严密且完整，并且将对本领域技术人员充分地传达本发明的范围。此外，本发明仅由权利要求的范围来限定。

在用于描述本发明的实施方案的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅为示例，因此本发明不限于所示出的细节。在通篇中相同的附图标记指代相似的元件。在下面的描述中，在确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本发明的主题模糊的情况下，则将省略该详细描述。在使用本说明书中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除了使用“仅...”之外，可以添加另一部分。单数形式的术语可以包括复数形式，除非被指出与此相反。

在解释元件时，虽然未明确描述，但是元件被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，在两个部件之间的位置关系被描述为“在...上”、“在...上方”、“在...下”和“紧邻...”的情况下，可以在所述两个部件之间设置一个或更多个其他部件，除非使用“刚刚”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，在时间顺序被描述为“在...之后”、“随后...”、“接下来...”和“在...之前”的情况下，可以包括不连续的情况，除非使用“刚刚”或“直接”。

应理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

本发明的各个实施方案的特征可以彼此部分地或整体地结合或组合，并且如本领域技术人员能够充分理解的，所述特征可以以各种方式彼此相互作用并且在技术上被驱动。本发明的实施方案可以彼此独立地被实施，或者可以以相互依赖的关系一起被实施。

在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方案。

图2是根据本发明的一个实施方案的有机发光显示装置的截面图。

如图2中可见，根据本发明一个实施方案的有机发光显示装置可以包括：包括在基板100中的有源区AA和焊盘区PA。

可以在基板100的有源区AA中形成薄膜晶体管(TFT)T、钝化层165、平坦化层170、第一阳极电极180、第二阳极电极200、第一辅助电极190、第二辅助电极210、堤部220、分隔壁230、有机发光层240以及阴极电极250。

TFT T可以包括有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150和漏电极160。

有源层110可以形成在基板100上以交叠栅电极130。有源层110可以由硅基半导体材料形成，或者可以由氧化物基半导体材料形成。虽然未示出，但是可以在基板100与有源层110之间进一步形成遮光层，并且在这种情况下，穿过基板100的底部入射的外部光被遮光层阻挡，从而防止有源层110被外部光损坏。

栅极绝缘层120可以形成在有源层110上。栅极绝缘层120可以使有源层110与栅电极130绝缘。栅极绝缘层120可以由无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，但是不限于此。栅极绝缘层120可以延伸至焊盘区PA。

栅电极130可以形成在栅极绝缘层120上。栅电极130可以形成为交叠有源层110，并且栅极绝缘层120在栅电极130与有源层110之间。

栅电极130可以包括下部栅电极131和上部栅电极132。

下部栅电极131可以形成在栅极绝缘层120与上部栅电极132之间，并且可以增强栅极绝缘层120与上部栅电极132之间的粘合力。此外，下部栅电极131保护上部栅电极132的底部，从而防止上部栅电极132的底部被腐蚀。因此，下部栅电极131的氧化速率可以低于上部栅电极132的氧化速率。即，下部栅电极131可以由比形成上部栅电极132的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，下部栅电极131可以用作粘合增强层或防蚀层，并且可以由钼(Mo)和钛(Ti)的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部栅电极132可以形成在下部栅电极131的顶部上。上部栅电极132可以由具有低电阻的金属铜(Cu)形成，但是不限于此。上部栅电极132可以由具有比下部栅电极131的电阻相对较低的电阻的金属形成。为了减小栅电极130的总电阻，上部栅电极132的厚度可以形成为比下部栅电极131的厚度厚。

层间电介质140可以形成在栅电极130上。层间电介质140可以由与栅极绝缘层120的无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层相同的无机绝缘材料形成，但是不限于此。层间电介质140可以延伸至焊盘区PA。

源电极150和漏电极160可以形成为在层间电介质140上彼此面对。可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中包括暴露出有源层110的一端区域的第一接触孔CH1和暴露出有源层110的另一端区域的第二接触孔CH2。源电极150可以通过第二接触孔CH2连接至有源层110的所述另一端区域，以及漏电极160可以通过第一接触孔CH1连接至有源层110的所述一端区域。

源电极150可以由包括下部源电极151和上部源电极152的多层形成。

下部源电极151可以形成在层间电介质140与上部源电极152之间，并且可以增强层间电介质140与上部源电极152之间的粘合力。此外，下部源电极151保护上部源电极152的底部，从而防止上部源电极152的底部被腐蚀。因此，下部源电极151的氧化速率可以低于上部源电极152的氧化速率。即，下部源电极151可以由比形成上部源电极152的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，下部源电极151可以用作粘合增强层或防蚀层，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部源电极152可以形成在下部源电极151的顶部上。上部源电极152可以由具有低电阻的金属Cu形成，但是不限于此。上部源电极152可以由具有比下部源电极151的电阻相对较低的电阻的金属形成。为了减小源电极150的总电阻，上部源电极152的厚度可以形成为比下部源电极151的厚度厚。

类似于上述的源电极150，漏电极160可以形成为包括下部漏电极161和上部漏电极162的多层。

下部漏电极161可以形成在层间电介质140与上部漏电极162之间。下部漏电极161增强层间电介质140与上部漏电极162之间的粘合力，并且此外，下部漏电极161防止上部漏电极162的底部被腐蚀。因此，下部漏电极161的氧化速率可以低于上部漏电极162的氧化速率。即，下部漏电极161可以由比形成上部漏电极162的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，下部漏电极161可以由与下部源电极151的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部漏电极162可以形成在下部漏电极161的顶部上，并且可以由与上部源电极152的上述材料相同的Cu形成，但是不限于此。上部漏电极162的厚度可以形成为比下部漏电极161的厚度厚，从而减小漏电极160的总电阻，

上部漏电极162可以由与上部源电极152的材料相同的材料形成，以具有与上部源电极152的厚度相同的厚度，并且下部漏电极161可以由与下部源电极151的材料相同的材料形成，以具有与下部源电极151的厚度相同的厚度。在这种情况下，漏电极160和源电极150可以通过同一工艺同时形成。

TFT T的结构不限于所示的结构，并且可以以各种方式修改成对本领域技术人员来说已知的结构。例如，在附图中示出栅电极130形成在有源层110上的顶部栅极结构，但是TFT T可以形成为栅电极130形成在有源层110下的底部栅极结构。

钝化层165可以形成在TFT T上，并且更详细地可以形成在源电极150和漏电极160的顶部上。钝化层165保护TFT T。钝化层165可以由无机绝缘材料例如SiOx或SiNx形成，但是不限于此。钝化层165可以延伸至焊盘区PA。

平坦化层170可以形成在钝化层165上。平坦化层170可以使包括TFT T的基板100的上表面平坦。平坦化层170可以由有机绝缘材料例如丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成，但是不限于此。平坦化层170可以不延伸至焊盘区PA。

第一阳极电极180和第一辅助电极190可以形成在平坦化层170上。即，第一阳极电极180和第一辅助电极190可以形成在同一层上。钝化层165和平坦化层170中可以包括暴露出源电极150的第三接触孔CH3，并且源电极150可以通过第三接触孔CH3连接至第一阳极电极180。在一个或更多个实施方案中，第一阳极电极180与源电极150连接。然而，源电极150和漏电极160可以基于晶体管的模式而转换。因此，在一个或更多个实施方案中，第一阳极电极180可以与漏电极160而不是源电极150连接。因此，第一阳极电极180可以与源电极150或者漏电极160连接。

第一阳极电极180可以包括第一下部阳极电极181和第一上部阳极电极182。

第一下部阳极电极181可以形成在平坦化层170与第一上部阳极电极182之间，并且可以增强平坦化层170与第一上部阳极电极182之间的粘合力。此外，第一下部阳极电极181保护第一上部阳极电极182的底部，从而防止第一上部阳极电极182的底部被腐蚀。因此，第一下部阳极电极181的氧化速率可以低于第一上部阳极电极182的氧化速率。即，第一下部阳极电极181可以由比形成第一上部阳极电极182的材料的耐蚀性强的材料形成。此外，第一上部阳极电极181保护上部源电极152的顶部，从而防止上部源电极152的顶部被腐蚀。因此，第一下部阳极电极181的氧化速率可以低于上部源电极152的氧化速率。即，第一下部阳极电极181可以由比形成上部源电极152的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，第一下部阳极电极181防止上部源电极152的顶部被腐蚀，因此源电极150可以形成为上述的双层结构。第一下部阳极电极181可以用作粘合增强层或防蚀层，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上部阳极电极182可以形成在第一下部阳极电极181的顶部上。第一上部阳极电极182可以由具有低电阻的金属Cu形成，但是不限于此。第一上部阳极电极182可以由具有比第一下部阳极电极181的电阻相对较低的电阻的金属形成。为了减小第一阳极电极180的总电阻，第一上部阳极电极182的厚度可以形成为比第一下部阳极电极181的厚度厚。

类似于上述的第一阳极电极180，第一辅助电极190可以包括第一下部辅助电极191和第一上部辅助电极192。

第一下部辅助电极191可以形成在平坦化层170与第一上部辅助电极192之间。第一下部辅助电极191可以增强平坦化层170与第一上部辅助电极192之间的粘合力，并且此外，第一下部辅助电极191防止第一上部辅助电极192的底部被腐蚀。因此，第一下部辅助电极191的氧化速率可以低于第一上部辅助电极192的氧化速率。即，第一下部辅助电极191可以由比形成第一上部辅助电极192的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，第一下部辅助电极191可以由与第一下部阳极电极181的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上部辅助电极192可以形成在第一下部辅助电极191的顶部上，并且可以由与第一上部阳极电极182的上述材料相同的材料Cu形成，但是不限于此。第一上部辅助电极192可以由具有比第一下部辅助电极191的电阻相对较低的电阻的金属形成。具有相对低的电阻的第一上部辅助电极192的厚度可以形成为比具有相对高的电阻的第一下部辅助电极191的厚度厚，从而减小第一辅助电极190的总电阻。

第一上部辅助电极192可以由与第一上部阳极电极182的材料相同的材料形成，以具有与第一上部阳极电极182的厚度相同的厚度，并且第一下部辅助电极191可以由与第一下部阳极电极181的材料相同的材料形成，以具有与第一下部阳极电极181的厚度相同的厚度。在这种情况下，第一辅助电极190和第一阳极电极180可以通过同一工艺同时形成。

第二阳极电极200可以形成在第一阳极电极180的顶部上。第二阳极电极200可以形成为接触第一阳极电极180的整个顶表面和侧表面。即，第二阳极电极200与第一阳极电极180之间可以不形成(例如可以省略)分离绝缘层，因此无需形成绝缘层和接触孔的工艺。第二阳极电极200可以沿着向上方向反射从有机发光层240发出的光，为此，第二阳极电极200可以由具有良好反射率的材料形成。此外，第二阳极电极200可以形成为覆盖第一阳极电极180的顶表面和侧表面，并且防止第一阳极电极180的顶表面和侧表面被腐蚀。

第二阳极电极200可以包括第二下部阳极电极201、第二中间阳极电极202和第二上部阳极电极203。

第二下部阳极电极201可以形成在第一阳极电极180与第二中间阳极电极202之间。第二下部阳极电极201可以形成为覆盖第一阳极电极180的顶表面和侧表面，从而防止第一阳极电极180被腐蚀。为此，第二下部阳极电极201的氧化速率可以比构成第一阳极电极180的第一下部阳极电极181和第一上部阳极电极182中的每一个的氧化速率低。即，第二下部阳极电极201可以由比形成第一下部阳极电极181和第一上部阳极电极182的材料的耐蚀性强的材料形成。此外，第二下部阳极电极201保护第二中间阳极电极202的底部，从而防止第二中间阳极电极202的底部被腐蚀。为此，第二下部阳极电极201的氧化速率可以低于第二中间阳极电极202的氧化速率。即，第二下部阳极电极201可以由比形成第二中间阳极电极202的材料耐蚀性强的材料形成。第二下部阳极电极201可以由诸如铟锡氧化物(ITO)等的透明导电材料形成，但是不限于此。

第二中间阳极电极202可以形成在第二下部阳极电极201与第二上部阳极电极203之间。第二中间阳极电极202可以由具有与第二下部阳极电极201和第二上部阳极电极203相比较低的电阻和较好的反射率的材料形成，例如，第二中间阳极电极202可以由银(Ag)形成。然而，本实施方案不限于此。具有相对低的电阻的第二中间阳极电极202的厚度可以形成为比具有相对高的电阻的第二下部阳极电极201和第二上部阳极电极203中的每一个的厚度厚，从而减小第二阳极电极200的总电阻。

第二上部阳极电极203可以形成在第二中间阳极电极202的顶部上，从而防止第二中间阳极电极202的顶部被腐蚀。为此，第二上部阳极电极203的氧化速率可以低于第二中间阳极电极202的氧化速率。即，第二上部阳极电极203可以由比形成第二中间阳极电极202的材料的耐蚀性强的材料形成。第二上部阳极电极203可以由诸如ITO等的透明导电材料形成，但是不限于此。

第二辅助电极210可以形成在第一辅助电极190的顶部上。第二辅助电极210可以形成在与其上设置有第二阳极电极200的层相同的层上。第二辅助电极210可以形成为接触第一辅助电极190的整个顶表面和侧表面。即，在第二辅助电极210与第一辅助电极190之间可以不形成(例如可以省略)分离绝缘层，因此无需形成绝缘层和接触孔的工艺。第二辅助电极210减小了阴极电极250以及第一辅助电极190的电阻。根据本发明的一个实施方案，可以堆叠形成两个辅助电极(例如第一辅助电极190和第二辅助电极210)用于减小阴极电极250的电阻，因此更容易调整辅助电极的期望的电阻特性。此外，第二辅助电极210可以形成为覆盖第一辅助电极190的顶表面和侧表面，从而防止第一辅助电极190的顶表面和侧表面被腐蚀。

第二辅助电极210可以包括第二下部辅助电极211、第二中间辅助电极212和第二上部辅助电极213。

第二下部辅助电极211可以形成在第一辅助电极190与第二中间辅助电极212之间。第二下部辅助电极211可以形成为覆盖第一辅助电极190的顶表面和侧表面，从而防止第一辅助电极190被腐蚀。为此，第二下部辅助电极211的氧化速率可以比配置第一辅助电极190的第一下部辅助电极191和第一上部辅助电极192中的每一个的氧化速率低。即，第二下部辅助电极211可以由比形成第一下部辅助电极191和第一上部辅助电极192的材料的耐蚀性强的材料形成。此外，第二下部辅助电极211保护第二中间辅助电极212的底部，从而防止第二中间辅助电极212的底部被腐蚀。为此，第二下部辅助电极211的氧化速率可以低于第二中间辅助电极212的氧化速率。即，第二下部辅助电极211可以由比形成第二中间辅助电极212的材料的耐蚀性强的材料形成。第二下部辅助电极211可以由诸如ITO等的透明导电材料形成，但是不限于此。

第二中间辅助电极212可以形成在第二下部辅助电极211与第二上部辅助电极213之间。第二中间辅助电极212可以由具有与第二下部辅助电极211和第二上部辅助电极213相比较低的电阻和较好的反射率的材料形成，例如，第二中间辅助电极212可以由银(Ag)形成。然而，本实施方案不限于此。具有相对低的电阻的第二中间辅助电极212的厚度可以形成为比具有相对高的电阻的第二下部辅助电极211和第二上部辅助电极213中的每一个的厚度厚，从而减小第二辅助电极210的总电阻。

第二上部辅助电极213可以形成在第二中间辅助电极212的顶部上，从而防止第二中间辅助电极212的顶部被腐蚀。为此，第二上部辅助电极213的氧化速率可以低于第二中间辅助电极212的氧化速率。即，第二上部辅助电极213可以由比形成第二中间辅助电极212的材料的耐蚀性强的材料形成。第二上部辅助电极213可以由诸如ITO等的透明导电材料形成，但是不限于此。

第二上部辅助电极213可以由与第二上部阳极电极203的材料相同的材料形成，以具有与第二上部阳极电极203的厚度相同的厚度，第二中间辅助电极212可以由与第二中间阳极电极202的材料相同的材料形成，以具有与第二中间阳极电极202的厚度相同的厚度，以及第二下部辅助电极211可以由与第二下部阳极电极201的材料相同的材料形成，以具有与第二下部阳极电极201的厚度相同的厚度。在这种情况下，第二辅助电极210和第二阳极电极200可以通过同一工艺同时形成。

堤部220可以形成在第二阳极电极200和第二辅助电极210上。

堤部220可以形成在第二阳极电极200的一侧与另一侧上以暴露出第二阳极电极200的顶部。由于堤部220形成为暴露出第二阳极电极200的顶部，因此确保显示图像的区域。此外，由于堤部220形成在第二阳极电极200的一侧与另一侧上，因此防止容易被腐蚀的第二中间阳极电极202的侧表面暴露于外部，从而防止第二中间阳极电极202的侧表面被腐蚀。

堤部220可以形成在第二辅助电极210的一侧和另一侧上以暴露出第二辅助电极210的顶部。由于堤部220形成为暴露出第二辅助电极210的顶部，因此确保第二辅助电极210与阴极电极250之间的电连接空间。此外，由于堤部220形成在第二辅助电极210的一侧和另一侧上，因此防止容易被腐蚀的第二中间辅助电极212的侧表面暴露于外部，从而防止第二中间辅助电极212的侧表面被腐蚀。

此外，堤部220可以形成在第二阳极电极200与第二辅助电极210之间，并且可以使第二阳极电极200绝缘于第二辅助电极210。堤部220可以由诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、苯并环丁烯(BCB)等的有机绝缘材料形成，但是不限于此。

分隔壁230可以形成在第二辅助电极210上。分隔壁230可以与堤部220分离特定距离，并且第二辅助电极210可以穿过分隔壁230与堤部220之间的分离空间电连接至阴极电极250。第二辅助电极210可以在没有形成分隔壁230的情况下电连接至阴极电极250。然而，如果形成了分隔壁230，更容易沉积形成有机发光层240。下面将对此进行更详细地描述。

如果没有形成分隔壁230，那么在沉积有机发光层240时需要覆盖第二辅助电极210的顶部的掩模图案，以使第二辅助电极210的顶部不被有机发光层240覆盖。然而，如果形成了分隔壁230，那么分隔壁230的顶部可以在沉积有机发光层240时用作檐(eave)，因此由于在檐下没有沉积有机发光层240，因此无需覆盖第二辅助电极210的顶部的掩模图案。即，对于有机发光显示装置从前面看的情形，当用作檐的分隔壁230的顶部的宽度大于分隔壁230与堤部220之间的分离宽度时，即，当分隔壁230的顶部形成为覆盖分隔壁230与堤部220之间的分离空间时，有机发光层240不能透入分隔壁230与堤部220之间的分离空间，因此可以在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中暴露出第二辅助电极210。特别地，可以通过沉积工艺如沉积材料直线性优异的蒸镀工艺形成有机发光层240，因此有机发光层240未沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

如上所述，分隔壁230的顶部的宽度可以形成为大于分隔壁230的底部的宽度，以使得分隔壁230的顶部用作檐。分隔壁230可以包括下部第一分隔壁231和上部第二分隔壁232。第一分隔壁231可以形成在第二辅助电极210的顶部上，并且可以通过与堤部220的工艺相同的工艺由与堤部220的材料相同的材料形成。第二分隔壁232可以形成在第一分隔壁231的顶部上。第二分隔壁232的顶部的宽度可以形成为大于第二分隔壁232的底部的宽度，并且特别地，由于第二分隔壁232的顶部的宽度大于分隔壁230与堤部220之间的分离宽度，因此第二分隔壁232的顶部可以用作檐。

有机发光层240可以形成在第二阳极电极200上。有机发光层240可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机发光层240可以被修改以具有对本领域技术人员来说已知的各种结构。

有机发光层240可以延伸至堤部220的顶部。然而，有机发光层240可以以覆盖第二辅助电极210的顶部的状态不延伸至第二辅助电极210的顶部。这是因为当有机发光层240覆盖第二辅助电极210的顶部时，难以使第二辅助电极210电连接至阴极电极250。如上所述，有机发光层240可以通过沉积工艺形成而无需覆盖第二辅助电极210顶部的掩模，并且在这种情况下，有机发光层240可以形成在分隔壁230的顶部上。

阴极电极250可以形成在有机发光层240上。阴极电极250可以形成在光发出的表面上，因此阴极电极250可以由透明导电材料形成。由于阴极电极250由透明导电材料形成，因此阴极电极250的电阻高，由于这个原因，为了减小阴极电极250的电阻，阴极电极250可以连接至第二辅助电极210。即，阴极电极250可以穿过分隔壁230与堤部220之间的分离空间连接至第二辅助电极210。阴极电极250可以通过沉积工艺如沉积材料直线性不好的溅射工艺形成，因此阴极电极250可以在沉积阴极电极250的工艺中沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

虽然未示出，但是可以在阴极电极250上进一步形成封装层以防止水渗入。封装层可以使用对本领域技术人员来说已知的各种材料。此外，虽然未示出，但是可以在阴极电极250上进一步形成用于每个像素的滤色器，并且在这种情况下，可以从有机发光层240发出白光。

栅极绝缘层120、信号焊盘300、层间电介质140、焊盘电极400和钝化层165可以形成在基板100的焊盘区PA中。

栅极绝缘层120可以形成在基板100上。栅极绝缘层120可以通过从有源区AA延伸出来形成在整个焊盘区PA上。

信号焊盘300可以形成在栅极绝缘层120上。信号焊盘300可以形成在与有源区AA中的栅电极130所设置的层相同的层上。信号焊盘300可以包括下部信号焊盘301和上部信号焊盘302。

下部信号焊盘301可以形成在栅极绝缘层120与上部信号焊盘302之间，并且可以增强栅极绝缘层120与上部信号焊盘302之间的粘合力。此外，下部信号焊盘301保护上部信号焊盘302的底部，从而防止上部信号焊盘302的底部被腐蚀。因此，下部信号焊盘301的氧化速率可以低于上部信号焊盘302的氧化速率。即，下部信号焊盘301可以由比形成上部信号焊盘302的材料的耐蚀性强的材料形成。如上所述，下部信号焊盘301可以用作粘合增强层或防蚀层，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部信号焊盘302可以形成在下部信号焊盘301的顶部上。上部信号焊盘302可以由具有低电阻的金属Cu形成，但是不限于此。上部信号焊盘302可以由具有比下部信号焊盘301的电阻相对较低的电阻的金属形成。为了减小信号焊盘300的总电阻，上部信号焊盘302的厚度可以形成为比下部信号焊盘301的厚度厚。

上部信号焊盘302可以由与上部栅电极132的材料相同的材料形成，以具有与上部栅电极132的厚度相同的厚度，并且下部信号焊盘301可以由与下部栅电极131的材料相同的材料形成以具有与下部栅电极131的厚度相同的厚度。在这种情况下，信号焊盘300和栅电极130可以通过同一工艺同时形成。

层间电介质140可以形成在信号焊盘300上。层间电介质140可以形成为覆盖信号焊盘300的侧表面，从而防止信号焊盘300的侧表面被腐蚀。层间电介质140可以从有源区AA延伸出。层间电介质140中可以包括暴露出信号焊盘300的一部分的第四接触孔CH4。

焊盘电极400可以形成在层间电介质140上。焊盘电极400可以通过第四接触孔CH4连接至信号焊盘300。焊盘电极400可以暴露于外部并且连接至外部驱动器。

焊盘电极400保护信号焊盘300的顶部。信号焊盘300的顶部可以由相对易受腐蚀的上部信号焊盘302来配置，因此焊盘电极400可以形成为覆盖通过第四接触孔CH4暴露出的上部信号焊盘302的顶部，从而防止上部信号焊盘302被腐蚀。如上所述，由于焊盘电极400防止上部信号焊盘302的顶部被腐蚀，因此信号焊盘300可以形成为上述的双层结构。即，信号焊盘300的顶部可以由相对易受腐蚀的上部信号焊盘302来配置。焊盘电极400的氧化速率可以低于上部信号焊盘302的氧化速率。即，焊盘电极400可以由比形成上部信号焊盘302的材料的耐蚀性强的材料形成。此外，由于焊盘电极400暴露于外部，因此焊盘电极400可以由具有强耐蚀性的材料形成。焊盘电极400可以由与第一下部源电极151和/或第一下部漏电极161的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。焊盘电极400可以由与第一下部源电极151和/或第一下部漏电极161的材料相同的材料形成，以具有与第一下部源电极151和/或第一下部漏电极161的厚度相同的厚度。在这种情况下，焊盘电极400与第一下部源电极151，焊盘电极400与第一下部漏电极161，或者焊盘电极400、第一下部源电极151以及第一下部漏电极161可以通过相同的掩模工艺形成图案，因此没有增加单独的工艺。

钝化层165可以形成在焊盘电极400上。钝化层165可以从有源区AA延伸出。钝化层165中可以包括暴露出焊盘电极400的一部分的第五接触孔CH5。因此，焊盘电极400可以通过第五接触孔CH5连接至外部驱动电路。

图3是根据本发明的另一实施方案的有机发光显示装置的截面图。除了焊盘区PA的结构改变之外，图3中的有机发光显示装置与图2中的上述有机发光显示装置相同。因此，相同的附图标记指代相似的元件。在下文中，将仅详细描述与图2中的上述元件不同的元件。

如图3中可见，根据本发明的另一实施方案，钝化层165可以不延伸至焊盘区PA。因此，钝化层165可以不覆盖焊盘电极400的顶部。如上所述，由于钝化层165形成为未覆盖焊盘电极400的顶部，因此焊盘电极400的整个顶部可以暴露于外部，因此增强焊盘电极400与外部驱动器的连接性。

图4A至图4M是示出制造根据本发明一个实施方案的有机发光显示装置的方法的截面图，并且涉及制造图2中的上述有机发光显示装置的方法。因此，相同的附图标记指代相似的元件，并且在每个元件的材料和结构方面，不重复相同或相似的描述。

首先，如图4A中可见，可以在基板100上相继形成有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、信号焊盘300、层间电介质140、源电极150、漏电极160和焊盘电极400。

为了提供更详细的描述，可以在基板100上形成有源层110，可以在有源层110上形成栅极绝缘层120，可以在栅极绝缘层120上形成栅电极130和信号焊盘300，可以在栅电极130和信号焊盘300上形成层间电介质140，可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，以及可以在层间电介质140中形成第四接触孔CH4。随后，可以形成通过第一接触孔CH1连接至有源层110的一端区域的漏电极160、通过第二接触孔CH2连接至有源层110的另一端区域的源电极150以及通过第四接触孔CH4连接至信号焊盘300的焊盘电极400。

在此，有源层110、栅电极130、源电极150和漏电极160可以形成在有源区AA中，栅极绝缘层120和层间电介质140可以形成为从有源区AA延伸至焊盘区PA，并且信号焊盘300和焊盘电极400可以形成在焊盘区PA中。通过这样的工艺，可以在有源区AA中形成TFT T，并且可以在焊盘区PA中形成信号焊盘300和焊盘电极400。

栅电极130可以配置为具有下部栅电极131和上部栅电极132，并且信号焊盘300可以配置为具有下部信号焊盘301和上部信号焊盘302。栅电极130和信号焊盘300可以通过同一图案化工艺由相同的材料同时形成。

源电极150可以配置为具有下部源电极151和上部源电极152，漏电极160可以配置为具有下部漏电极161和上部漏电极162，以及焊盘电极400可以配置为具有下部焊盘电极401和上部焊盘电极402。源电极150、漏电极160和焊盘电极400可以通过同一图案化工艺由相同的材料同时形成。

源电极150、漏电极160和焊盘电极400可以通过使用光致抗蚀剂(PR)图案作为掩模来形成图案。即，可以相继地沉积用于形成源电极150、漏电极160和焊盘电极400的下部电极材料层和上部电极材料层，然后，可以在上部电极材料层上形成PR图案。通过采用PR图案作为掩模蚀刻下部电极材料层和上部电极材料层，可以形成如所示出的源电极150、漏电极160和焊盘电极400。

在这种情况下，PR图案可以包括具有相对厚的第一厚度d1的区和具有相对薄的第二厚度d2的另一区。具有第一厚度d1的区可以对应于源电极150和漏电极160的上部区域。具有第二厚度d2的另一区可以对应于焊盘电极400的上部区域。此外，在没有与源电极150、漏电极160和焊盘电极400交叠的区中可以不形成(例如可以省略)PR图案。

可以通过半色调掩模工艺获得包括具有第一厚度d1的区和具有第二厚度d2的另一区的PR图案。

随后，如图4B中可见，通过灰化PR图案，可以去除焊盘电极400上的PR图案。

即，当PR图案被灰化时，可以去除具有相对薄的第二厚度d2并且设置在焊盘电极400上的PR图案，并且仅可以留下具有相对厚的第一厚度的d1并且设置在源电极150和漏电极160上的PR图案。在这种情况下，设置在源电极150和漏电极160上的PR图案可以以具有比第一厚度d1薄的第三厚度d3的状态留下。

随后，如图4C中可见，通过使用所留下的PR图案作为掩模，可以去除上部焊盘电极402而没有蚀刻上部源电极152和上部漏电极162。

为了对此提供更详细的描述，当上部焊盘电极402由Cu形成并且下部焊盘电极401由Mo和Ti的合金(MoTi)形成时，可以通过用于选择性蚀刻仅Cu的蚀刻剂来去除仅上部焊盘电极402。具体地，通过使用包含由磷酸、硝酸和醋酸组成的三组分混合酸的蚀刻剂，下部焊盘电极401可以原样留下，并且在蚀刻工艺中可以去除上部焊盘电极402。可以基于上部焊盘电极402的具体材料来改变蚀刻剂的组分。

由易受腐蚀的材料形成的上部焊盘电极402可以在图案化形成源电极150和漏电极160的工艺中被去除，因此可以获得包括具有极好耐蚀性并且暴露于外部的下部焊盘电极401的焊盘电极(图2中的焊盘电极400)。

随后，如图4D中可见，可以通过剥离留下的PR图案将源电极150和漏电极160暴露于外部。

如上所述，根据本发明的实施方案，通过使用包括具有第一厚度d1的区和具有第二厚度d2的另一区并且已经通过半色调掩模工艺获得的PR图案，可以通过一次掩模工艺对源电极150、漏电极160和包括下部焊盘电极401的焊盘电极(图2中的焊盘电极400)形成图案。

随后，如图4E中可见，可以在源电极150、漏电极160和下部焊盘电极401上形成钝化层165，并且可以在钝化层165上形成平坦化层170。可以在钝化层165和平坦化层170中的每一个的预定区域中形成第三接触孔CH3，因此源电极150可以通过第三接触孔CH3暴露于外部。

钝化层165可以形成为从有源区AA延伸至焊盘区PA，并且平坦化层170可以形成在有源区AA中。由于在焊盘区PA中未形成有TFT，因此对使焊盘区PA的表面平坦的必要性小，因此在焊盘区PA中可以不形成(例如可以省略)平坦化层170。

根据本发明的一个实施方案，下部焊盘电极401可以在形成向外暴露出源电极150的第三接触孔CH3的工艺中不暴露于外部。由于下部焊盘电极401应当连接至外部驱动器，因此可以去除钝化层165的覆盖下部焊盘电极401的顶部的区域，并且可以采用形成第三接触孔CH3的工艺同时执行去除钝化层165的覆盖下部焊盘电极401的顶部的区域的工艺。然而，如果采用形成第三接触孔CH3的工艺同时执行去除钝化层165的覆盖下部焊盘电极401的顶部的区域的工艺，那么下部焊盘电极401可能在稍后执行的图案化形成第一阳极电极180和第一辅助电极190的工艺中被所使用的蚀刻剂损坏。因此，在本发明的实施方案中，下部焊盘电极401可以在形成第三接触孔CH3的工艺中不暴露于外部，以防止下部焊盘电极401被蚀刻剂损坏。

随后，如图4F中可见，可以在设置在有源区AA中的平坦化层170上形成彼此分离的第一阳极电极180和第一辅助电极190。详细地，第一阳极电极180可以形成为通过第三接触孔CH3连接至源电极150。

第一阳极电极180可以配置为具有第一下部阳极电极181和第一上部阳极电极182，并且第一辅助电极190可以配置为具有第一下部辅助电极191和第一上部辅助电极192。

第一阳极电极180和第一辅助电极190可以通过同一图案化工艺由相同的材料同时形成。

图案化形成第一阳极电极180和第一辅助电极190的工艺可以包括使用蚀刻剂的蚀刻工艺。形成在焊盘区PA中的下部焊盘电极401可以在蚀刻工艺中被一起蚀刻。根据本发明的实施方案，如上所述，钝化层165防止下部焊盘电极401被损坏。

随后，如图4G中可见，可以在设置在有源区AA中的第一阳极电极180上形成第二阳极电极200，并且可以在设置在有源区AA中的第一辅助电极190上形成第二辅助电极210。

第二阳极电极200可以形成为覆盖第一阳极电极180的顶表面和侧表面，并且第二辅助电极210可以形成为覆盖第一辅助电极190的顶表面和侧表面。第二阳极电极200和第二辅助电极210可以通过同一图案化工艺由相同的材料同时形成。

第二阳极电极200可以包括第二下部阳极电极201、第二中间阳极电极202和第二上部阳极电极203。第二辅助电极210可以包括第二下部辅助电极211、第二中间辅助电极212和第二上部辅助电极213。

在下文中，图4H至图4J示出在形成堤部220的工艺中去除钝化层165的覆盖下部焊盘电极401的顶部的区域的详细工艺。

如图4H中可见，可以在有源区AA和焊盘区PA中的每个区中形成PR图案220a。

PR图案220a可以形成在第二阳极电极200、第二辅助电极210、平坦化层170和钝化层165上。

PR图案220a可以包括具有相对厚的第一厚度t1的区和具有相对薄的第二厚度t2的另一区。具有第一厚度t1的区可以对应于第二阳极电极200的侧区域，并且还可以对应于第二辅助电极210的侧区域和部分中心区域。具有第二厚度t2的另一区可以对应于具有第一厚度t1的区之间的空间。详细地，具有第二厚度t2的另一区可以对应于第二阳极电极200的中心区域、对应于在第二辅助电极210的中心区域中的具有第一厚度t1的区之间的空间、以及对应于焊盘区PA。此外，在与下部焊盘电极401交叠的区中可以不形成(例如可以省略)PR图案220a。

可以通过半色调掩模工艺来获得具有如下结构的PR图案220a：该结构包括具有第一厚度t1的区和具有第二厚度t2的另一区，并且在与下部焊盘电极401交叠的区中未形成该结构。

随后，如图4I中可见，通过使用PR图案220a作为掩模，可以通过去除钝化层165的覆盖下部焊盘电极401的顶部的区域来形成第五接触孔CH5。即，由于第五接触孔CH5形成在钝化层165中，因此下部焊盘电极401可以通过第五接触孔CH5暴露于外部。

随后，如图4J中可见，堤部220和第一分隔壁231可以通过灰化PR图案220a来形成。

当PR图案220a被灰化时，可以从具有相对薄的第二厚度t2的区去除PR图案220a，并且可以在具有相对厚的第一厚度t1的区中留下PR图案220a，因此堤部220和第一分隔壁231可以通过所留下的PR图案220a来形成。

为了提供更详细的描述，由于从具有相对薄的第二厚度t2的区去除了PR图案220a，因此第二阳极电极200的顶部可以暴露出，第二辅助电极210的顶部的一部分可以暴露出，以及钝化层165的顶部可以暴露出。此外，由于在具有相对厚的第一厚度t1的区中留下了PR图案220a，因此可以在第二阳极电极200的一侧与另一侧上形成堤部220，可以在第二辅助电极220的一侧与另一侧上形成堤部220，以及可以在第二辅助电极210的顶部上形成第一分隔壁231。第一分隔壁231可以形成为以特定距离与堤部220分离。

根据本发明的实施方案，可以通过使用PR图案220a作为掩模来形成向外暴露出下部焊盘电极401的第五接触孔CH5，并且可以通过使用通过灰化PR图案220a所留下的PR图案220a来形成堤部220和第一分隔壁231。如上所述，根据本发明的实施方案，由于第五接触孔CH5、堤部220和第一分隔壁231通过一次掩模工艺形成，因此减少了掩模工艺的数目。

随后，如图4K中可见，可以在第一分隔壁231的顶部上形成第二分隔壁232，因此可以形成包括第一分隔壁231和第二分隔壁232的分隔壁230。为了分隔壁230的顶部用作檐，第二分隔壁232的顶部的宽度可以形成为大于第二分隔壁232的底部的宽度。特别地，对于从有机发光显示装置的前面看该有机发光显示装置的情况，第二分隔壁232的顶部可以覆盖分隔壁230与堤部220之间的分离空间，因此在沉积有机发光层240的下述工艺中，有机发光层240未沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

随后，如图4L中可见，有机发光层240可以形成在第二阳极电极200上。有机发光层240可以通过沉积工艺如沉积材料直线性优异的蒸镀工艺形成，因此有机发光层240可以沉积在堤部220与分隔壁230的顶部上，但是有机发光层240未沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。即，分隔壁230的顶部可以用作沉积有机发光层240时的檐，因此即使在没有覆盖第二辅助电极210的顶部的掩模图案的情况下沉积有机发光层240时，有机发光层240也不会沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

随后，如图4M中可见，可以在有机发光层240上形成阴极电极250。

阴极电极250可以形成为穿过分隔壁230与堤部220之间的分离空间连接至第二辅助电极210。阴极电极250可以通过沉积工艺如沉积材料直线性不好的溅射工艺形成，因此阴极电极250可以在沉积阴极电极250的工艺中沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

如上所述，根据本发明的实施方案，由于用于向外暴露出下部焊盘电极401的第五接触孔CH5在第二阳极电极200与第二辅助电极210形成之后形成，因此在图案化形成第一阳极电极180和第一辅助电极190的工艺中防止下部焊盘电极401被蚀刻剂损坏。此外，通过在形成堤部220和第一分隔壁231的工艺中去除钝化层165的部分区域，可以在没有增加单独的工艺的情况下形成第五接触孔CH5。

图5A至图5L是示出制造根据本发明的另一实施方案的有机发光显示装置的方法的截面图，并且涉及制造图3中的上述有机发光显示装置的方法。因此，相同的附图标记指代相似的元件，并且在每个元件的材料和结构方面，不重复相同或相似的描述。

首先，如图5A中可见，可以在基板100上相继地形成有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、信号焊盘300、层间电介质140、源电极150、漏电极160和焊盘电极400。因此，可以在有源区AA中形成TFT T，并且可以在焊盘区PA中形成信号焊盘300和焊盘电极400。

源电极150、漏电极160和焊盘电极400可以通过使用PR图案作为掩模来形成图案，所述PR图案包括具有相对厚的第一厚度d1的区和具有相对薄的第二厚度d2的另一区。图5A中所示的这样的工艺与图4A中的上述工艺相同。

随后，如图5B中可见，通过灰化PR图案，可以去除焊盘电极400上的PR图案。由于灰化，可以去除具有相对薄的第二厚度d2并且设置在焊盘电极400上的PR图案，并且具有相对厚的第一厚度d1并且设置在源电极150和漏电极160上的PR图案可以以具有第三厚度d3的状态留下。图5B中所示的这样的工艺与图4B中的上述工艺相同。

随后，如图5C中可见，通过使用所留下的PR图案作为掩模，上部焊盘电极402可以被去除而没有蚀刻上部源电极152和上部漏电极162。

由易受腐蚀的材料形成的上部焊盘电极402可以在图案化形成源电极150和漏电极160的工艺中被去除，因此可以获得包括具有极好的耐蚀性并且暴露于外部的下部焊盘电极401的焊盘电极(图2中的焊盘电极400)。图5C中所示的这样的工艺与图4C中的上述工艺相同。

随后，如图5D中可见，源电极150和漏电极160可以通过剥离留下的PR图案来暴露于外部。图5D中所示的这样的工艺与图4D中的上述工艺相同。

随后，如图5E中可见，可以在源电极150、漏电极160和信号焊盘300上形成钝化层165，并且可以在钝化层165上形成平坦化层170。平坦化层170可以包括第三接触孔CH3。图5E中所示的这样的工艺与图4E中的上述工艺相同。

随后，如图5F中可见，可以在设置在有源区AA中的平坦化层170上形成彼此分离的第一阳极电极180和第一辅助电极190。详细地，第一阳极电极180可以形成为通过第三接触孔CH3连接至源电极150。图5F中所示的这样的工艺与图4F中的上述工艺相同。

随后，如图5G中可见，可以在设置在有源区AA中的第一阳极电极180上形成第二阳极电极200，并且可以在设置在有源区AA中的第一辅助电极190上形成第二辅助电极210。图5G中所示的这样的工艺与图4G中的上述工艺相同。

随后，如图5H中可见，可以在第二阳极电极200的一侧与另一侧上形成堤部220以暴露出第二阳极电极200的顶部。此外，堤部220可以形成在第二辅助电极210的一侧与另一侧上以暴露出第二辅助电极210的顶部。此外，可以在第二辅助电极210的所暴露出的顶部上形成第一分隔壁231。第一分隔壁231可以形成为以特定距离与堤部220分离，因此可以在第一分隔壁231与堤部220之间设置分离空间。第一分隔壁231和堤部220可以通过同一图案化工艺由相同的材料同时形成。

随后，如图5I中可见，可以在第一分隔壁231的顶部上形成第二分隔壁232，因此可以形成包括第一分隔壁231和第二分隔壁232的分隔壁230。

为了分隔壁230的顶部用作檐，第二分隔壁232的顶部的宽度可以形成为大于第二分隔壁232的底部的宽度。特别地，对于从有机发光显示装置的前面看该有机发光显示装置的情况，第二分隔壁232的顶部可以覆盖分隔壁230与堤部220之间的分离空间，因此在沉积有机发光层240的下述工艺中，有机发光层240未沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

随后，如图5J中可见，有机发光层240可以形成在第二阳极电极200上。有机发光层240可以沉积在堤部220与分隔壁230的顶部上，但是有机发光层240未沉积在分隔壁230与堤部220之间的分离空间中。

随后，如图5K中可见，可以在有机发光层240上形成阴极电极250。阴极电极250可以形成为穿过分隔壁230与堤部220之间的分离空间连接至第二辅助电极210。

随后，如图5L中可见，下部焊盘电极401可以通过去除形成在焊盘区PA中的钝化层165来暴露于外部。特别地，通过这样的工艺，形成在下部焊盘电极401上的钝化层165可以被全部去除，因此下部焊盘电极401的整个顶部可以暴露于外部。

可以通过使用激光图案化工艺来执行去除钝化层165的工艺，但是不限于此。激光图案化工艺是将激光辐照装置500移动至基板上沉积有薄层的位置的同时形成图案的技术。

在本发明的另一实施方案中，可以在形成堤部220的工艺或在形成封装层(未示出)的工艺之后执行去除形成在焊盘区PA中的钝化层165的工艺，因此，由于在图案化形成第一阳极电极180和第一辅助电极190的工艺中下部焊盘电极401被钝化层165覆盖，因此防止下部焊盘电极401被蚀刻剂损坏。此外，可以通过激光图案化技术来去除钝化层165的预定区域，因此没有增加用于暴露出下部焊盘电极401的单独的掩模工艺。

根据本发明的实施方案，焊盘电极可以形成为覆盖信号焊盘的顶部，从而防止信号焊盘被腐蚀。因此，信号焊盘可以形成为包括下部信号焊盘和易受腐蚀的上部信号焊盘的双层结构。

此外，根据本发明的实施方案，用于向外暴露出焊盘电极的接触孔、堤部和第一分隔壁可以通过一次掩模工艺同时形成，因此减少了掩模工艺的数目。

此外，根据本发明的实施方案，由于在第二阳极电极和第二辅助电极形成之后执行向外暴露出下部焊盘电极的工艺，因此在图案化形成第一阳极电极和第一辅助电极的工艺中防止下部焊盘电极被蚀刻剂损坏。

对本领域技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。

Claims (16)

1.一种有机发光显示装置，包括：

配置成包括有源区和焊盘区的基板；

配置成包括设置在所述基板的所述有源区中的栅电极和源电极的薄膜晶体管(TFT)；

设置在所述薄膜晶体管(TFT)上的阳极电极；

设置在所述阳极电极上的有机发光层；

设置在所述有机发光层上的阴极电极；

设置在与其上设置有所述阳极电极的层相同的层上并且连接至所述阴极电极的辅助电极；

设置在所述基板的所述焊盘区中并且在与其上设置有所述栅电极的层相同的层上的信号焊盘；以及

通过接触孔连接至所述信号焊盘的焊盘电极，

其中所述焊盘电极设置在与其上设置有所述源电极的层相同的层上；

其中所述辅助电极包括：

第一辅助电极；以及

设置成覆盖所述第一辅助电极的顶表面和侧表面的第二辅助电极；以及

其中所述第一辅助电极包括第一下部辅助电极和第一上部辅助电极，以及

所述第二辅助电极包括第二下部辅助电极、第二中间辅助电极和第二上部辅助电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘电极由氧化速率比所述信号焊盘的顶部低的材料形成。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中

所述源电极包括下部源电极和上部源电极，以及

所述焊盘电极由单个层形成，所述单个层由与所述下部源电极的材料相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述焊盘电极上的钝化层，所述钝化层包括向外暴露出所述焊盘电极的接触孔。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘电极的整个顶部暴露于外部。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中

所述信号焊盘包括下部信号焊盘和上部信号焊盘，

所述下部信号焊盘的氧化速率低于所述上部信号焊盘的氧化速率，以及

所述上部信号焊盘的电阻小于所述下部信号焊盘的电阻。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中

所述第一下部辅助电极的氧化速率低于所述第一上部辅助电极的氧化速率，

所述第一上部辅助电极的电阻小于所述第一下部辅助电极的电阻，

所述第二下部辅助电极和所述第二上部辅助电极中的每一个的氧化速率低于所述第二中间辅助电极的氧化速率，以及

所述第二中间辅助电极的电阻小于所述第二下部辅助电极和所述第二上部辅助电极中的每一个的电阻。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：

设置在所述辅助电极的一侧和另一侧上的堤部；以及

设置在所述辅助电极上与所述堤部分离的分隔壁，

其中所述阴极电极穿过所述堤部与所述分隔壁之间的分离空间连接至所述辅助电极。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中其上设置有所述栅电极的所述层为形成在所述栅电极上的层间电介质与栅极绝缘层之间的层。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中其上设置有所述源电极的所述层为形成在所述栅电极上的层间电介质与形成在所述源电极的顶部上的钝化层之间的层。

11.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：

在基板上形成栅电极和信号焊盘；

在所述栅电极和所述信号焊盘上形成层间电介质，并且在所述层间电介质上形成源电极和焊盘电极；

在所述源电极和所述焊盘电极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成阳极电极以及与所述阳极电极分离的辅助电极；以及

去除所述钝化层的形成在所述焊盘电极上的至少一部分，用于向外暴露出所述焊盘电极；其中

形成所述辅助电极包括形成第一辅助电极和第二辅助电极，以及

所述第二辅助电极覆盖所述第一辅助电极的顶表面和侧表面；

其中形成所述第一辅助电极包括形成第一下部辅助电极和第一上部辅助电极，以及

形成所述第二辅助电极包括形成第二下部辅助电极、第二中间辅助电极和第二上部辅助电极。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述钝化层与所述阳极电极之间形成平坦化层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述源电极和所述焊盘电极包括：

通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模来形成下部源电极和上部源电极以及形成下部焊盘电极和上部焊盘电极；

灰化所述光致抗蚀剂图案以去除在所述焊盘电极上的所述光致抗蚀剂图案；以及

蚀刻所述上部焊盘电极。

14.根据权利要求11所述的方法，其中

去除所述钝化层的所述至少一部分包括：

在所述阳极电极、所述辅助电极和所述钝化层上形成光致抗蚀剂图案；以及

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来去除所述钝化层的预定区域来形成向外暴露出所述信号焊盘的第五接触孔，以及

所述方法还包括：在形成所述第五接触孔之后，通过使用在灰化所述光致抗蚀剂图案之后所留下的光致抗蚀剂图案来形成堤部。

15.根据权利要求11所述的方法，其中

形成所述阳极电极包括形成第一阳极电极和第二阳极电极，以及

其中所述第二阳极电极覆盖所述第一阳极电极的顶表面和侧表面。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在形成所述第二阳极电极和所述第二辅助电极与去除所述钝化层的所述至少一部分之间，

在所述第二辅助电极的一侧和另一侧上形成堤部；

在所述第二阳极电极上形成有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成连接至所述第二辅助电极的阴极电极。