CN112242498A - 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法 - Google Patents

一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112242498A
CN112242498A CN202011122340.3A CN202011122340A CN112242498A CN 112242498 A CN112242498 A CN 112242498A CN 202011122340 A CN202011122340 A CN 202011122340A CN 112242498 A CN112242498 A CN 112242498A
Authority
CN
China
Prior art keywords
anode
layer
wafer
photoresist
pad area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011122340.3A
Other languages
English (en)
Inventor
由振琪
孙云翔
曹贺
刘晓佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd filed Critical Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority to CN202011122340.3A priority Critical patent/CN112242498A/zh
Publication of CN112242498A publication Critical patent/CN112242498A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种硅基OLED微显示器单色工艺产品及其制备方法，包括：得到已开PAD区的晶圆；在所述晶圆的PAD区上制作保护涂层；在晶圆上按照预设图案制作阳极，其中PAD区上存在阳极；在晶圆上制作像素界定层，其中像素界定层被配置为与阳极处于同一层且覆盖阳极的空隙；在阳极和像素界定层的上制作有机发光层和封装层，其中PAD区上存在封装层；对PAD区上存在的封装层和阳极进行刻蚀；以及除去PAD区上制作的保护涂层得到OLED微显示器单色工艺产品。该硅基OLED微显示器单色工艺产品及其制备方法可以防止PAD区在生产过程中被腐蚀。

Description

一种硅基OLED微显示器工艺产品及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，具体地，涉及一种硅基OLED微显示器单色工艺产品及其制备方法。
背景技术
在OLED微显示器的产品生产中，当进行键合焊盘工艺时，其工艺中的干刻需刻蚀来料的焊盘保护层和OLED的封装层。目前，键合焊盘工艺中存在下述的问题，1、因为焊盘上的各个膜层结构较薄，刻蚀速率难以精确控制，若膜层刻蚀不到位，会导致焊盘未裸露出来造成模组键合失败，造成产品的不合格；2、因为焊盘的PAD区长时间裸露，在生产过程中，其容易被腐蚀。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅基OLED微显示器单色工艺产品及其制备方法，该硅基OLED微显示器单色工艺产品及其制备方法可以防止PAD区在生产过程中被腐蚀。
为了实现上述目的，本发明提供了一种硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法包括：得到已开PAD区的晶圆；在所述晶圆的PAD区上制作保护涂层；在所述晶圆上按照预设图案制作阳极，其中所述PAD区上存在阳极；在所述晶圆上制作像素界定层，其中所述像素界定层被配置为与所述阳极处于同一层且覆盖所述阳极的空隙；在所述阳极和所述像素界定层的上制作有机发光层和封装层，其中所述PAD区上存在封装层；对所述PAD区上存在的封装层和阳极进行刻蚀；以及除去所述PAD区上制作的保护涂层得到所述OLED微显示器单色工艺产品。
优选地，所述在所述晶圆的PAD区上制作保护涂层包括：在所述晶圆上涂敷光刻胶；以及将已涂敷光刻胶的晶圆进行曝光显影，其中所述晶圆的PAD区上还存在一层光刻胶作为保护涂层。
优选地，所述在所述晶圆上按照预设图案制作阳极包括：在所述晶圆上铺设用于制作阳极的成膜；以及按照预设图案涂敷指定种类的光刻胶并依次执行与所述指定种类的光刻胶相适配的显影方法、刻蚀方法和光刻胶去除方法得到阳极。
优选地，所述光刻胶去除方法被配置为干法灰化或湿法剥离。
优选地，在所述阳极和所述像素界定层的上制作有机发光层和封装层之后，并在所述对所述PAD区上存在的封装层和阳极进行刻蚀之前，所述制备方法包括：在所述有机发光层和封装层上涂敷一层光刻胶，其中所述PAD区上存在光刻胶；以及针对所述PAD区上存在的光刻胶执行相应的曝光显影方法。
优选地，所述除去所述PAD区上制作的保护涂层得到所述OLED微显示器的方法包括：对所述保护涂层进行干法去胶并进行灰化，以得到所述OLED微显示器单色工艺产品。
另外，本发明还提供一种硅基OLED微显示器单色工艺产品，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品被配置为通过上述制备方法来制备得到。
根据上述技术方案，本发明的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法通过先在电极区(PAD区)形成光刻胶保护层，然后再阳极制备时留下PAD区的阳极膜层结构，在进行键合焊盘工艺时，先进行TFE充分刻蚀，然后进行阳极充分刻蚀和灰化处理，再将TFE封装层和PAD区光刻胶充分去除，此制备方法，可有效保证PAD区不会在制成工艺的过程中被腐蚀，且最终的灰化去胶可实现无残留物，有效提高Bonding效率和良率，进而可以节约成本。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的一种硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法的流程图；
图2是已开PAD区的晶圆的结构示意图；
图3a是S102中涂敷完光刻胶的晶圆结构示意图；
图3b是S102中曝光显影后的晶圆结构的示意图；
图4a是S103中制作成膜后的晶圆结构示意图；
图4b是S103中涂覆指定种类的光刻胶后的晶圆结构示意图；
图4c是S103中按照阳极预设图案进行显影后的晶圆结构示意图；
图4d是S103中执行完刻蚀方法和光刻胶去除方法之后的晶圆结构示意图；
图5是S104中完成像素界定层的制作之后的晶圆结构示意图；
图6是S105中完成有机发光层和封装层的制作之后的晶圆结构示意图；
图7是S106中完成封装层和阳极进行刻蚀的制作之后的晶圆结构示意图；
图8是S107中除去所述PAD区上制作的保护涂层之后的晶圆结构示意图；
图9a是在S105后，并在S106之前，在所述有机发光层和封装层上涂敷一层光刻胶后的晶圆结构示意图；以及
图9b是在S105后，并在S106之前，针对所述PAD区上存在的光刻胶执行相应的曝光显影方法之后的晶圆结构示意图。
附图标记说明
1 晶圆 2 保护涂层
3 阳极 4 PAD区
5 像素界定层 6 有机发光层
7 封装层 8 成膜
9 指定种类的光刻胶 10 外层光刻胶
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
图1是本发明的一种硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法的流程图，如图1所示，所述制备方法包括：
S101，得到已开PAD区4的晶圆1；其中，所述晶圆1的结构如图2所示，其右侧形成有PAD区4，其中，此区需要进行保护，在现有技术中，由于没有保护的结构导致该区域在进行刻蚀等操作时会出现腐蚀等情况，严重的导致了产品合格率的下降。
S102，在所述晶圆1的PAD区4上制作保护涂层2。所述保护涂层2可以是光刻胶层，具体制备方式如下所述：
在晶圆1上表面涂敷光刻胶，涂敷完光刻胶的结构如图3a所示；以及将已涂敷光刻胶的晶圆1进行曝光显影，其中所述晶圆1的PAD区4上还存在一层光刻胶作为保护涂层2，曝光显影后的晶圆1结构如图3b所示，其中所述PAD区4上还有光刻层。
S103，在所述晶圆1上按照预设图案制作阳极3，其中所述PAD区4上存在阳极3。其中所述PAD上存在的阳极3用于保护所述PAD区4，使其不会在后续的刻蚀中被腐蚀，其中，具体地，在所述晶圆1上按照预设图案制作阳极3的方法包括：
在所述晶圆1上铺设用于制作阳极3的成膜8，制作成膜8后的晶圆1结构示意图如图4a所示；以及按照预设图案涂敷指定种类的光刻胶9并依次执行与所述指定种类的光刻胶9相适配的显影方法、刻蚀方法和光刻胶去除方法得到阳极3。其中，S103中涂覆指定种类的光刻胶9后的晶圆1结构示意图如图4b所示，按照阳极3预设图案进行显影后的晶圆1结构示意图如图4c所示，执行完刻蚀方法和光刻胶去除方法之后的晶圆1结构示意图如图4d所示。该制作过程不会破坏PAD区4的结构。
S104，在所述晶圆1上制作像素界定层5(PDL功能层)，其中所述像素界定层5被配置为与所述阳极3处于同一层且覆盖所述阳极3的空隙，完成S104后的产品结构如图5所示。
S105，在所述阳极3和所述像素界定层5的上制作有机发光层6和封装层7，其中所述PAD区4上存在封装层7，其中所述封装层7为TFE封装层7，完成S105后的产品结构如图6所示。
S106，对所述PAD区4上存在的封装层7和阳极3进行刻蚀。该方法使得所述PAD区4上的封装层7和阳极3全部刻蚀掉，且不会影响PAD区4的质量，因为所述PAD区4上方还具有保护层，刻蚀所述封装层7和阳极3的溶液不会直接接触所述PAD区4，完成S106后的产品结构如图7所示。
S107，除去所述PAD区4上制作的保护涂层2得到OLED微显示器单色工艺产品。其中，除去保护涂层2的方式可以是干法灰化或湿法剥离。完成S107后的产品结构如图8所示。
优选地，在S105后，并在S106之前，所述制备方法还包括：
在所述有机发光层6和封装层7上涂敷一层外层光刻胶10，其中所述PAD区4上存在外层光刻胶10，该步骤中涂覆完外层光刻胶10的晶圆1结构示意图如图9a所示；以及针对所述PAD区4上存在的光刻胶执行相应的曝光显影方法，使得所述PAD区4上存在的光刻胶被去除，完成曝光显影方法后的结构示意图如图9b所示，采用此种方式可以保存晶圆1上除PAD区4以外区域的阳极3和像素界定层5混合层、有机发光层6、封装层7的正常，不会被腐蚀，此外，上述一层外侧光刻胶与所述保护涂层2的光刻胶相同，可以采用相同的去除方式最终去除。在该实施例中，如图7所示，完成S106之后晶圆1上方除了PAD区4，依次分别是阳极3和像素界定层5混合层、有机发光层6、封装层7、光刻胶层。所述PAD区4的上方仅存在光刻胶层。
优选地，所述除去所述PAD区4上制作的保护涂层2得到所述OLED微显示器的方法包括：对所述保护涂层2进行干法去胶并进行灰化，以得到所述OLED微显示器单色工艺产品，最终得到的产品结构示意图如图8所示。
另外，本发明还提供一种硅基OLED微显示器单色工艺产品，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品被配置为通过上述制备方法来制备得到。
其中所述一种硅基OLED微显示器单色工艺产品的PAD区4在工艺制成过程中不会被腐蚀，且利用所述干法灰化或湿法剥离实现光刻胶去除的方法可以去胶且没有残留物，在键合时由于所述PAD区4不存在腐蚀，进而提高PAD区4的键合效率，另一方面看，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品的合格率更高。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (7)

1.一种硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法包括：
得到已开PAD区的晶圆；
在所述晶圆的PAD区上制作保护涂层；
在所述晶圆上按照预设图案制作阳极，其中所述PAD区上存在阳极；
在所述晶圆上制作像素界定层，其中所述像素界定层被配置为与所述阳极处于同一层且覆盖所述阳极的空隙；
在所述阳极和所述像素界定层的上制作有机发光层和封装层，其中所述PAD区上存在封装层；
对所述PAD区上存在的封装层和阳极进行刻蚀；以及
除去所述PAD区上制作的保护涂层得到OLED微显示器单色工艺产品。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆的PAD区上制作保护涂层包括：
在所述晶圆上涂敷光刻胶；以及
将已涂敷光刻胶的晶圆进行曝光显影，其中所述晶圆的PAD区上还存在一层光刻胶作为保护涂层。
3.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆上按照预设图案制作阳极包括：
在所述晶圆上铺设用于制作阳极的成膜；以及
按照预设图案涂敷指定种类的光刻胶并依次执行与所述指定种类的光刻胶相适配的显影方法、刻蚀方法和光刻胶去除方法得到阳极。
4.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，所述光刻胶去除方法被配置为干法灰化或湿法剥离。
5.根据权利要求4所述的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，在所述阳极和所述像素界定层的上制作有机发光层和封装层之后，并在所述对所述PAD区上存在的封装层和阳极进行刻蚀之前，所述制备方法包括：
在所述有机发光层和封装层上涂敷一层光刻胶，其中所述PAD区上存在光刻胶；以及
针对所述PAD区上存在的光刻胶执行相应的曝光显影方法。
6.根据权利要求5所述的硅基OLED微显示器单色工艺产品的制备方法，其特征在于，所述除去所述PAD区上制作的保护涂层得到所述OLED微显示器的方法包括：
对所述保护涂层进行干法去胶并进行灰化，以得到所述OLED微显示器单色工艺产品。
7.一种硅基OLED微显示器单色工艺产品，其特征在于，所述硅基OLED微显示器单色工艺产品被配置为通过所述权利要求1-6中任意一种制备方法来制备得到。
CN202011122340.3A 2020-10-20 2020-10-20 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法 Pending CN112242498A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011122340.3A CN112242498A (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011122340.3A CN112242498A (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112242498A true CN112242498A (zh) 2021-01-19

Family

ID=74169102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011122340.3A Pending CN112242498A (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112242498A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090315451A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-24 Min-Hyuk Choi Organic Light Emitting Diode Display And Method Of Manufacturing The Same
CN105742324A (zh) * 2014-12-29 2016-07-06 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106206648A (zh) * 2015-05-28 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20180144950A1 (en) * 2016-11-22 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Backplane for display device and method of manufacturing the same
CN108400258A (zh) * 2018-03-05 2018-08-14 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示芯片的封装工艺
CN111048571A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示器的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090315451A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-24 Min-Hyuk Choi Organic Light Emitting Diode Display And Method Of Manufacturing The Same
CN105742324A (zh) * 2014-12-29 2016-07-06 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106206648A (zh) * 2015-05-28 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20180144950A1 (en) * 2016-11-22 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Backplane for display device and method of manufacturing the same
US20200273943A1 (en) * 2016-11-22 2020-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Backplane for display device and method of manufacturing the same
CN108400258A (zh) * 2018-03-05 2018-08-14 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示芯片的封装工艺
CN111048571A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示器的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101883140B1 (ko) 픽셀 규정 층을 갖는 디스플레이 기판 및 제조 방법, 및 그를 포함하는 디스플레이 장치
US8258535B2 (en) Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
JP3948082B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9985241B2 (en) Electro-optical apparatus and electronic device
EP2237335B1 (en) Method for fabricating a white-light emitting light emitting diode chip
US20190252641A1 (en) Oled encapsulation structure, display device and method for manufacturing oled encapsulation structure
US8053337B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US8062834B2 (en) Method for manufacturing transparent electrode pattern and method for manufacturing electro-optic device having the transparent electrode pattern
CN111048571A (zh) 一种硅基oled微显示器的制备方法
US9093578B2 (en) Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera
WO2016000399A1 (zh) 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置
JP2014011084A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
US20130043474A1 (en) Active array substrate and method for manufacturing the same
CN115132941A (zh) 显示面板的制备方法及显示面板
CN109213372B (zh) 一种触控面板及其制备方法、触控装置
CN112242498A (zh) 一种硅基oled微显示器工艺产品及其制备方法
CN102637698B (zh) 一种阵列基板及其制备方法
US9958609B2 (en) Method of manufacturing nano antenna
KR20160066463A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR100812085B1 (ko) 반도체 소자의 개별화 방법
CN109713168B (zh) 一种柔性显示器件、显示装置及其制作方法
CN110931528A (zh) 显示面板的制备方法
CN107785307B (zh) 具有台阶型的氮化钛图形的制造方法
CN110167280B (zh) 一种在电路衬底上制作保护膜层的方法
KR20040022289A (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210119

RJ01 Rejection of invention patent application after publication