CN113782692A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置可包括：基板；基板上的阳极电极；阳极电极上的限定像素区域的堤层；位于堤层上并与阳极电极连接的有机发光层；有机发光层上的阴极电极；位于堤层下方并且与阳极电极分隔开的屋檐结构；阳极电极下方的平坦化层；平坦化层下方的钝化层；以及位于屋檐结构下方并且与阴极电极电连接的辅助电极，其中屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分与位于钝化层和平坦化层之间的界面平行地突出并且从第二部分的第一端延伸，并且第三部分设置在平坦化层上并且从第二部分的第二端延伸，以及其中阴极电极延伸至位于屋檐结构下方的接触空间，并且阴极电极在接触空间中与辅助电极连接。

Description

有机发光显示装置
本发明申请是申请日期为2016年12月23日、申请号为“201611206826.9”、发明名称为“有机发光显示装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年9月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0127076的权益，通过引用将该专利申请结合在此，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有低功耗、快速响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。
根据从有机发光装置发射的光的方向，OLED装置可大体上分为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型的情形中，在发光层与图像显示表面之间设置有电路装置，由此由于电路装置，可降低开口率。同时，在顶部发光型的情形中，在发光层与图像显示表面之间没有设置电路装置，由此可提高开口率。
图1是相关技术的顶部发光型OLED装置的剖面图。
如图1中所示，包括有源层11、栅极绝缘膜12、栅极电极13、层间绝缘层14、源极电极15和漏极电极16的薄膜晶体管层T设置在基板10上，然后钝化层20和平坦化层30按顺序设置在薄膜晶体管层T上。
此外，阳极电极40和辅助电极50设置在平坦化层30上。设置辅助电极50是用来降低稍后将描述的阴极电极80的电阻。
在阳极电极40和辅助电极50上设置堤部60，以限定像素区域。此外，有机发光层70设置在由堤部60限定的像素区域中，并且阴极电极80设置在有机发光层70上。
在顶部发光型的情形中，从有机发光层70发射的光穿过阴极电极80。在这种情形中，阴极电极80由透明导电材料形成，这导致其电阻的增加。为了降低阴极电极80中的电阻，阴极电极80与辅助电极50连接。
为了将阴极电极80与辅助电极50连接，辅助电极50的上表面不被有机发光层70覆盖。就是说，在形成有机发光层70的工艺之后辅助电极50的上表面暴露到外部，以使阴极电极80与辅助电极50的上表面连接。在相关技术的情形中，在辅助电极50的上表面上设置倒锥形分隔部65，从而防止辅助电极50的上表面被有机发光层70覆盖。
由于倒锥形分隔部65，在堤部60与分隔部65之间提供了间隙空间。在这种情形中，倒锥形分隔部65充当屋檐(eave)，使得有机发光层70不沉积在该间隙空间中。就是说，通过使用具有出色笔直度(straightness)的沉积材料的沉积工艺，例如蒸镀工艺形成有机发光层70。在有机发光层70的沉积工艺过程中根据充当屋檐的分隔部65，有机发光层70不沉积在堤部60与分隔部65之间的间隙空间中。
同时，可通过使用具有较差笔直度的沉积材料的沉积工艺，例如溅射工艺形成阴极电极80。因而，阴极电极80可沉积在堤部60与分隔部65之间的间隙空间中，由此阴极电极80和辅助电极50可彼此电连接。
然而，必然包括倒锥形分隔部65的相关技术的顶部发光型OLED装置可导致下列缺点。
应当执行PEB(Post Exposure Bake，曝光后烘烤)工艺，从而图案化出倒锥形分隔部65。PEB工艺非常复杂，使得难以获得期望的倒锥形。如果倒锥形结构未形成为期望的形状，则分隔部65可能塌陷或脱落。在这种情形中，难以将阴极电极80和辅助电极50彼此电连接。
发明内容
因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
本发明实施方式的一个方面旨在提供一种不用形成倒锥形分隔部就容易实现阴极电极与辅助电极之间的电连接的顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
在下面的描述中将部分列出本发明实施方式的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明实施方式的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明实施方式的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其它优点，并根据本发明实施方式的意图，如在此具体化和概括地描述的，提供了一种有机发光显示装置，可包括：设置在堤层下方并且彼此分隔开的阳极电极和屋檐结构、设置在所述堤层上的阴极电极、以及设置在所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极。在这种情形中，所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且延伸的阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接。
此外，可通过下述步骤制造有机发光显示装置：在基板上设置辅助电极；在所述辅助电极上设置钝化层和平坦化层；在所述平坦化层上设置阳极电极和屋檐结构；在所述钝化层和所述平坦化层中设置接触孔，以暴露所述辅助电极；以及在所述阳极电极和所述屋檐结构上设置堤层、发光层和阴极电极。在这种情形中，所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且延伸的阴极电极与暴露的辅助电极连接。
根据本发明的一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：具有有效区域和焊盘区域的基板；位于所述基板的有效区域上的阳极电极；在所述阳极电极上的用于限定像素区域的堤层；位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；位于所述有机发光层上的阴极电极；位于所述堤层下方并且与所述阳极电极分隔开的屋檐结构；和位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极，其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且所述阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接。
根据本发明的另一个方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在基板上设置辅助电极；在所述辅助电极上设置钝化层，并且在所述钝化层上设置平坦化层；在所述平坦化层上设置阳极电极和屋檐结构；在所述钝化层和所述平坦化层中设置接触孔，以经由所述接触孔暴露所述辅助电极；在所述阳极电极和所述屋檐结构上设置堤层；在所述阳极电极上设置有机发光层；和在所述有机发光层上设置阴极电极，其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且延伸的阴极电极与暴露的辅助电极连接。
根据本发明的又一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：具有有效区域和焊盘区域的基板；位于所述基板的有效区域上的阳极电极；在所述阳极电极上的用于限定像素区域的堤层；位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；位于所述有机发光层上的阴极电极；位于所述堤层下方并且具有第一部分和第二部分的屋檐结构，所述第一部分与所述基板平行，所述第二部分与所述基板不平行；位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极；和位于所述辅助电极与所述屋檐结构的第一部分之间的接触空间。
根据本发明的又一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：基板；位于基板上的阳极电极；位于阳极电极上的限定像素区域的堤层；位于堤层上并与阳极电极连接的有机发光层；位于有机发光层上的阴极电极；位于堤层下方并且与阳极电极分隔开的屋檐结构；位于阳极电极下方的平坦化层；位于平坦化层下方的钝化层；以及位于屋檐结构下方并且与阴极电极电连接的辅助电极，其中屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分与位于钝化层和平坦化层之间的界面平行地突出并且从第二部分的第一端延伸，并且第三部分设置在平坦化层上并且从第二部分的第二端延伸，以及其中阴极电极延伸至位于屋檐结构下方的接触空间，并且阴极电极在接触空间中与辅助电极连接。
根据本发明的又一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：基板；位于基板上的阳极电极；位于阳极电极上的限定像素区域的堤层；位于堤层上并与阳极电极连接的有机发光层；位于有机发光层上的阴极电极；位于堤层下方的屋檐结构，屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分与基板平行并且从第二部分的第一端延伸，第二部分与基板不平行，并且第三部分与基板平行并且从第二部分的第二端延伸；位于屋檐结构下方并且与阴极电极电连接的辅助电极；以及位于辅助电极和屋檐结构的第一部分之间的接触空间。
根据本发明的又一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：基板；位于基板上的辅助电极；位于辅助电极上的钝化层；位于钝化层上的平坦化层；位于平坦化层上的阳极电极和屋檐结构；位于阳极电极和屋檐结构上的堤层；位于堤层上并与阳极电极连接的有机发光层；以及位于有机发光层上的阴极电极，其中阴极电极延伸至位于屋檐结构下方的接触空间，并且阴极电极在接触空间中与辅助电极连接，其中在平坦化层和钝化层中具有暴露辅助电极的接触孔，以及其中接触孔在钝化层的水平面处的第一宽度小于接触孔在平坦化层的水平面处的第二宽度
应当理解，本发明实施方式前面的大体性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括来给本发明的实施方式提供进一步理解且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明实施方式的原理。在附图中：
图1是图解根据相关技术的顶部发光型OLED装置的剖面图；
图2A是图解根据本发明一个实施方式的OLED装置的剖面图，图2B是图解根据本发明一个实施方式的OLED装置的平面图；
图3是图解根据本发明另一个实施方式的OLED装置的剖面图；
图4是图解根据本发明另一个实施方式的OLED装置的剖面图；
图5A到5G是图解根据本发明一个实施方式的OLED装置的制造方法的剖面图，其涉及图2A和2B中所示的OLED装置的制造方法；
图6A到6G是图解根据本发明另一个实施方式的OLED装置的制造方法的剖面图，其涉及图3中所示的OLED装置的制造方法；以及
图7A到7F是图解根据本发明另一个实施方式的OLED装置的制造方法的剖面图，其涉及图4中所示的OLED装置的制造方法。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中披露的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在使用本申请中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，可添加另外的部分，除非使用了“仅”。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包括误差范围。
在本发明实施方式的描述中，当一结构(例如，电极、线、配线、层或接触部)被描述为形成在另一结构的上部/下部处或者形成在其他结构上/下时，该描述应当解释为包括这些结构彼此接触的情形以及在它们之间设置有第三结构的情形。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将元件彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可能被称为第二元件，相似地，第二元件可能被称为第一元件。
所属领域技术人员能够充分理解，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系一起实施。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明实施方式的有机发光显示(OLED)装置。
图2A是图解根据本发明一个实施方式的OLED装置的剖面图，图2B是图解根据本发明一个实施方式的OLED装置的平面图。
如图2A中所示，根据本发明一个实施方式的OLED装置可包括位于基板100上的有效区域AA和焊盘区域PA。首先，将如下详细描述基板100上的有效区域AA的结构。基板100可由玻璃或透明塑料形成。
遮光层110和低电压线(VSS)120设置在基板100上。遮光层110减小或防止入射到稍后将描述的有源层126上的光，低电压线(VSS)120给阴极电极220施加低电压。此外，低电压线(VSS)120与辅助电极170一起降低阴极电极220的电阻。
遮光层110和低电压线(VSS)120设置在相同层中并且由相同材料形成。在这种情形中，遮光层110和低电压线(VSS)120可通过相同工艺被同时制造。
遮光层110可包括下部遮光层111和上部遮光层112。低电压线(VSS)120可包括下部低电压线(VSS)121和上部低电压线(VSS)122。下部遮光层111和下部低电压线(VSS)121可由相同材料形成，上部遮光层112和上部低电压线(VSS)122可由相同材料形成。
下部遮光层111防止上部遮光层112的下表面被腐蚀。下部低电压线(VSS)121防止上部低电压线(VSS)122的下表面被腐蚀。因此，下部遮光层111和下部低电压线(VSS)121的每一个的氧化度低于上部遮光层112和上部低电压线(VSS)122的每一个的氧化度，并且下部遮光层111和下部低电压线(VSS)121的每一个中的抗腐蚀性优于上部遮光层112和上部低电压线(VSS)122的每一个中的抗腐蚀性。例如，下部遮光层111和下部低电压线(VSS)121可由钼和钛的合金(MoTi)形成，但并不限于这些材料。
用于上部遮光层112和上部低电压线(VSS)122的材料中的电阻可低于用于下部遮光层111和下部低电压线(VSS)121的材料中的电阻。例如，上部遮光层112和上部低电压线(VSS)122可由诸如铜(Cu)之类的金属材料形成，但并不限于这种材料。为了降低低电压线(VSS)120的总电阻，上部低电压线(VSS)122的厚度优选大于下部低电压线(VSS)121的厚度，但这不是必须的。
缓冲层125设置在遮光层110和低电压线(VSS)120上。缓冲层125从有效区域AA延伸至焊盘区域PA。缓冲层125可由无机绝缘材料，例如硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、或包括硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层膜形成，但并不限于此。
包括有源层126、栅极电极130、源极电极150和漏极电极160的薄膜晶体管设置在缓冲层125上。
有源层126设置在缓冲层125上，栅极绝缘膜127设置在有源层126上，栅极电极130设置在栅极绝缘膜127上，层间绝缘层140设置在栅极电极130上，并且源极电极150、漏极电极160和辅助电极170设置在层间绝缘层140上。有源层126可由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。
栅极绝缘膜127将有源层126和栅极电极130彼此绝缘。栅极绝缘膜127和栅极电极130可具有相同的图案。栅极绝缘膜127可由无机绝缘材料，例如硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、或包括硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层膜形成，但并不限于此。
栅极电极130可包括下部栅极电极131和上部栅极电极132。下部栅极电极131防止上部栅极电极132的下表面被腐蚀。因而，下部栅极电极131的氧化度低于上部栅极电极132的氧化度，并且下部栅极电极131的抗腐蚀性优于上部栅极电极132的抗腐蚀性。例如，下部栅极电极131可由钼和钛的合金(MoTi)形成，但并不限于这些材料。用于上部栅极电极132的材料中的电阻可低于用于下部栅极电极131的材料中的电阻。例如，上部栅极电极132可由诸如铜(Cu)之类的金属材料形成，但并不限于这种材料。为了降低栅极电极130的总电阻，上部栅极电极132的厚度优选大于下部栅极电极131的厚度，但这不是必须的。
层间绝缘层140可由无机绝缘材料，例如硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、或包括硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的多层膜形成，但并不限于此。层间绝缘层140可从有效区域AA延伸至焊盘区域PA。
彼此面对的源极电极150和漏极电极160设置在层间绝缘层140上。在层间绝缘层140中具有用于暴露有源层126的一个端部区域的第一接触孔CH1和用于暴露有源层126的另一个端部区域的第二接触孔CH2。源极电极150经由第一接触孔CH1与有源层126的一个端部区域连接，漏极电极160经由第二接触孔CH2与有源层126的另一个端部区域连接。
此外，在缓冲层125和层间绝缘层140中设置有用于暴露遮光层110的第三接触孔CH3。源极电极150经由第三接触孔CH3与遮光层110连接。遮光层110由导电材料形成。如果遮光层110处于浮置状态，则其对有源层126可具有不良影响。通过遮光层110与源极电极150连接，可减小或防止对有源层126的不良影响。如果需要的话，遮光层110可与漏极电极160连接。
此外，在缓冲层125和层间绝缘层140中设置有用于暴露低电压线(VSS)120的第四接触孔CH4，辅助电极170经由第四接触孔CH4与低电压线(VSS)120连接。辅助电极170起用于将阴极电极220与低电压线(VSS)120连接的连接电极的作用。根据本发明的一个实施方式，可通过低电压线(VSS)120和辅助电极170降低阴极电极220的电阻。
源极电极150、漏极电极160和辅助电极170可设置在相同层中并且可由相同材料形成。在这种情形中，源极电极150、漏极电极160和辅助电极170可通过相同工艺被同时制造。
源极电极150可包括下部源极电极151、上部源极电极152和盖部源极电极153。漏极电极160可包括下部漏极电极161、上部漏极电极162和盖部漏极电极163。辅助电极170可包括下部辅助电极171、上部辅助电极172和盖部辅助电极173。
下部源极电极151、下部漏极电极161和下部辅助电极171可由相同材料形成。上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172可由相同材料形成。盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173可由相同材料形成。
下部源极电极151防止上部源极电极152的下表面被腐蚀。下部漏极电极161防止上部漏极电极162的下表面被腐蚀。下部辅助电极171防止上部辅助电极172的下表面被腐蚀。因此，下部源极电极151、下部漏极电极161和下部辅助电极171的每一个中的氧化度低于上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172的每一个中的氧化度。此外，下部源极电极151、下部漏极电极161和下部辅助电极171的每一个中的抗腐蚀性优于上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172的每一个中的抗腐蚀性。例如，下部源极电极151、下部漏极电极161和下部辅助电极171可由钼和钛的合金(MoTi)形成，但并不限于这些材料。
盖部源极电极153防止上部源极电极152的上表面被腐蚀。盖部漏极电极163防止上部漏极电极162的上表面被腐蚀。盖部辅助电极173防止上部辅助电极172的上表面被腐蚀。因此，盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173的每一个中的氧化度低于上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172的每一个中的氧化度。此外，盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173的每一个中的抗腐蚀性优于上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172的每一个中的抗腐蚀性。例如，盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173可由诸如ITO(氧化铟锡)之类的透明导电材料形成，但并不限于这种材料。
用于上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172的材料中的电阻可低于用于下部源极电极151、盖部源极电极153、下部漏极电极161、盖部漏极电极163、下部辅助电极171和盖部辅助电极173的材料中的电阻。例如，上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172可由诸如铜(Cu)之类的金属材料形成，但并不限于这种材料。
为了降低源极电极150的总电阻，上部源极电极152的厚度优选大于下部源极电极151和盖部源极电极153的每一个的厚度，但这不是必须的。同样，上部漏极电极162的厚度优选大于下部漏极电极161和盖部漏极电极163的每一个的厚度，但这不是必须的。此外，上部辅助电极172的厚度优选大于下部辅助电极171和盖部辅助电极173的每一个的厚度，但这不是必须的。
薄膜晶体管层的结构不限于上面的结构，就是说，薄膜晶体管层的结构可变为所属领域技术人员通常已知的各种形状。例如，附图显示了其中栅极电极130设置在有源层126上的顶栅结构，但不是必须的。就是说，可提供其中栅极电极130设置在有源层126下方的底栅结构。
钝化层175设置在源极电极150、漏极电极160和辅助电极170上，然后平坦化层178设置在钝化层175上。钝化层175保护薄膜晶体管，并且钝化层175从有效区域AA延伸至焊盘区域PA。钝化层175由无机绝缘材料，例如硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)形成，但并不限于此。
平坦化层178被设置用来将具有薄膜晶体管的基板100的上表面平坦化。平坦化层178可由有机绝缘材料，例如，压克力树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成，但并不限于这些材料。阳极电极180和屋檐结构190设置在平坦化层178上。
在钝化层175和平坦化层178中设置有用于暴露源极电极150的第五接触孔CH5，阳极电极180经由第五接触孔CH5与源极电极150连接。根据驱动模式，第五接触孔CH5可暴露漏极电极160，阳极电极180可与漏极电极160连接。
在钝化层175和平坦化层178中设置有用于暴露辅助电极170的第六接触孔CH6。屋檐结构190延伸到第六接触孔CH6的内部，其中屋檐结构190的一端与钝化层175和平坦化层178之间的界面平行地突出。更详细地说，屋檐结构190的一端(第一部分)的下表面设置在与钝化层175和平坦化层178之间的界面相同的高度处。就是说，屋檐结构190(第二部分)沿设置在第六接触孔CH6内部的平坦化层178的侧表面延伸，然而屋檐结构190不沿设置在第六接触孔CH6内部的钝化层175的侧表面延伸，由此可在屋檐结构190的一端下方制备出接触空间C。在本发明的实施方式中，第一部分的下表面与钝化层175和平坦化层178之间的界面可以是共面的。
阳极电极180和屋檐结构190(位于平坦化层178上的第三部分)可设置在相同层中并且可由相同材料形成。在这种情形中，阳极电极180和屋檐结构190可通过相同工艺被同时制造，但不是必须的。可通过去除屋檐结构190下方的平坦化层178将屋檐结构190直接形成在钝化层175上。在本发明的实施方式中，在辅助电极170与屋檐结构190的第一部分之间具有接触空间C。
阳极电极180可包括下部阳极电极181、上部阳极电极182和盖部阳极电极183。屋檐结构190可包括下部屋檐结构191、上部屋檐结构192和盖部屋檐结构193。下部阳极电极181和下部屋檐结构191可由相同材料形成。上部阳极电极182和上部屋檐结构192可由相同材料形成。盖部阳极电极183和盖部屋檐结构193可由相同材料形成。
下部阳极电极181增强平坦化层178与上部阳极电极182之间的粘合强度，并且下部阳极电极181防止上部阳极电极182的下表面被腐蚀。同样，下部屋檐结构191增强平坦化层178与上部屋檐结构192之间的粘合强度，并且下部屋檐结构191防止上部屋檐结构192的下表面被腐蚀。因此，下部阳极电极181和下部屋檐结构191的每一个中的氧化度可低于上部阳极电极182和上部屋檐结构192的每一个中的氧化度，并且下部阳极电极181和下部屋檐结构191的每一个中的抗腐蚀性可优于上部阳极电极182和上部屋檐结构192的每一个中的抗腐蚀性。例如，下部阳极电极181和下部屋檐结构191可由钼和钛的合金(MoTi)形成，但并不限于这些材料。
上部阳极电极182设置在下部阳极电极181与盖部阳极电极183之间，并且上部屋檐结构192设置在下部屋檐结构191与盖部屋檐结构193之间。用于上部阳极电极182和上部屋檐结构192的材料中的电阻可低于用于下部阳极电极181、盖部阳极电极183、下部屋檐结构191和盖部屋檐结构193的材料中的电阻。例如，上部阳极电极182和上部屋檐结构192可由诸如银(Ag)之类的金属材料形成，但并不限于这种材料。
为了降低阳极电极180的总电阻，上部阳极电极182的厚度优选大于下部阳极电极181和盖部阳极电极183的每一个的厚度，但这不是必须的。盖部阳极电极183防止上部阳极电极182的腐蚀。同样，盖部屋檐结构193防止上部屋檐结构192的腐蚀。
盖部阳极电极183和盖部屋檐结构193的每一个中的氧化度可低于上部阳极电极182和上部屋檐结构192的每一个中的氧化度，并且盖部阳极电极183和盖部屋檐结构193的每一个中的抗腐蚀性可优于上部阳极电极182和上部屋檐结构192的每一个中的抗腐蚀性。例如，盖部阳极电极183和盖部屋檐结构193可由诸如ITO(氧化铟锡)之类的透明导电材料形成，但并不限于这种材料。
同时，可在下部阳极电极181与上部阳极电极182之间附加设置诸如ITO(氧化铟锡)之类的透明导电材料的中间阳极电极，由此阳极电极180可以以四层结构形成。同样，可在下部屋檐结构191与上部屋檐结构192之间附加设置诸如ITO(氧化铟锡)之类的透明导电材料的中间屋檐结构，由此屋檐结构190可以以四层结构形成。
堤层200a、200b和200c设置在阳极电极180和屋檐结构190上，其中堤层200a、200b和200c限定出像素区域。堤层200a、200b和200c可包括第一堤部200a、第二堤部200b和第三堤部200c。
第一堤部200a覆盖阳极电极180的一端，并且第二堤部200b覆盖阳极电极180的另一端。在第一堤部200a与第二堤部200b之间的区域中，暴露出阳极电极180的上表面，在暴露出的阳极电极180的上表面的区域中发射光，由此显示图像。
第二堤部200b延伸到第六接触孔CH6的内部。更详细地说，第二堤部200b可沿设置在第六接触孔CH6内部的平坦化层178的侧表面延伸。通过第二堤部200b的一部分延伸至第六接触孔CH6的区域，阴极电极220可沿延伸的第二堤部200b很容易与辅助电极170连接。就是说，如图中所示，如果第二堤部200b的一部分延伸至第六接触孔CH6的区域，则有机发光层210和阴极电极220可按顺序沉积在延伸的第二堤部200b的上表面上，由此阴极电极220可很容易与辅助电极170的上表面接触。如果第二堤部200b不延伸至第六接触孔CH6的区域，则延伸至第六接触孔CH6的区域的阴极电极220存在断开的可能性。
在图中，第二堤部200b仅延伸至第六接触孔CH6内部的钝化层175的上表面，而不延伸至钝化层175的侧表面，但并不限于这种结构。第二堤部200b可沿第六接触孔CH6内部的钝化层175的侧表面延伸，并可延伸至辅助电极170的上表面的部分区域。
第三堤部200c设置在屋檐结构190上。堤层200a、200b和200c可由有机绝缘材料，例如聚酰亚胺树脂、压克力树脂、苯并环丁烯BCB等形成，但并不限于这些材料。
有机发光层210设置在堤层200a、200b和200c上，并且阴极电极220设置在有机发光层210上。有机发光层210在第一堤部220a与第二堤部220b之间的区域中与阳极电极180接触。此外，在有机发光层210沿第二堤部200b延伸至第六接触孔CH6的区域的同时，有机发光层210与辅助电极170的上表面的部分区域接触。因而，很容易实现阴极电极220与辅助电极170的上表面之间的接触。
在这种情形中，有机发光层210不设置在屋檐结构190下方的接触空间C中。因而，在接触空间C中暴露出辅助电极170的上表面。可通过使用具有出色笔直度的沉积材料的沉积工艺，例如蒸镀工艺制造有机发光层210。因而，在有机发光层210的沉积工艺中，有机发光层210不沉积在屋檐结构190下方的接触空间C中。
有机发光层210可包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机发光层210的结构可变为所属领域技术人员通常已知的各种形状。
阴极电极220设置在发光表面中，由此阴极电极220由具有高电阻的透明导电材料形成。为了降低阴极电极220的电阻，阴极电极220与辅助电极170连接。更详细地说，阴极电极220延伸至第六接触孔CH6的区域。尤其是，阴极电极220延伸到接触空间C的内部，并且延伸的阴极电极220与暴露的辅助电极170的上表面接触。可通过使用具有较差笔直度的沉积材料的沉积工艺，例如溅射工艺制造阴极电极220。因而，在阴极电极220的沉积工艺中，阴极电极220可沉积在接触空间C中。
根据本发明的一个实施方式，阴极电极220在屋檐结构190下方的接触空间C中与辅助电极170电连接，由此不需要相关技术的倒锥形分隔部结构。就是说，可克服与分隔部的塌陷或脱落有关的问题。
用于防止湿气渗透的封装层可附加设置在阴极电极220上。封装层可填充在接触空间C中。封装层可由所属领域技术人员通常已知的各种材料形成。
设置有用于每个像素的滤色器的对向基板可附加设置在阴极电极220上。在这种情形中，可从有机发光层210发射白色光。
下面将详细描述基板100上的焊盘区域PA的结构。
缓冲层125设置在基板100上，栅极绝缘膜127设置在缓冲层125上，信号焊盘300设置在栅极绝缘膜127上，层间绝缘层140设置在信号焊盘300上，第一焊盘电极400设置在层间绝缘层140上，并且钝化层175设置在第一焊盘电极400上。
缓冲层125自有效区域AA延伸。
焊盘区域PA中的栅极绝缘膜127对应于设置在有效区域AA中的栅极电极130的下表面上的栅极绝缘膜127。栅极绝缘膜127和信号焊盘300可具有相同的图案。
信号焊盘300可由与有效区域AA中的栅极电极130相同的材料形成。在这种情形中，信号焊盘300和栅极电极130可通过相同工艺被同时制造。
信号焊盘300可包括下部信号焊盘301和上部信号焊盘302。下部信号焊盘301由与前述下部栅极电极131相同的材料形成，下部信号焊盘301防止上部信号焊盘302的腐蚀。上部信号焊盘302由与前述上部栅极电极132相同的材料形成，上部信号焊盘302降低信号焊盘300的电阻。为了降低信号焊盘300的总电阻，上部信号焊盘302的厚度优选大于下部信号焊盘301的厚度，但这不是必须的。
层间绝缘层140自有效区域AA延伸。在层间绝缘层140中设置有第七接触孔CH7，经由第七接触孔CH7暴露出信号焊盘300。
第一焊盘电极400经由第七接触孔CH7与信号焊盘300连接。用于第一焊盘电极400的材料可与有效区域AA中的源极电极150、漏极电极160和辅助电极170的材料相同。在这种情形中，第一焊盘电极400、源极电极150、漏极电极160和辅助电极170可通过相同工艺被同时制造。
第一焊盘电极400可包括下部第一焊盘电极401、上部第一焊盘电极402和盖部第一焊盘电极403。下部第一焊盘电极401可由与前述有效区域AA中的下部源极电极151、下部漏极电极161和下部辅助电极171相同的材料形成。上部第一焊盘电极402可由与前述有效区域AA中的上部源极电极152、上部漏极电极162和上部辅助电极172相同的材料形成。盖部第一焊盘电极403可由与前述有效区域AA中的盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173相同的材料形成。下部第一焊盘电极401防止上部第一焊盘电极402的腐蚀并且还防止上部信号焊盘302的腐蚀。
上部第一焊盘电极402降低第一焊盘电极400的电阻。为了降低第一焊盘电极400的总电阻，上部第一焊盘电极402的厚度优选大于下部第一焊盘电极401和盖部第一焊盘电极403的每一个的厚度，但这不是必须的。盖部第一焊盘电极403防止上部第一焊盘电极402的腐蚀。
钝化层175自有效区域AA延伸。在钝化层175中设置有第八接触孔CH8，第一焊盘电极400经由第八接触孔CH8暴露到外部。
在这种情形中，第一焊盘电极400的侧表面被钝化层175覆盖，使得可防止第一焊盘电极400的侧表面被腐蚀。此外，即使第一焊盘电极400的上表面暴露到外部，也是具有优良抗腐蚀性的盖部第一焊盘电极403暴露到外部，从而可防止第一焊盘电极400的上表面中的腐蚀。
如图2B中所示，有效区域AA和焊盘区域PA制备在基板100上，低电压线(VSS)120从焊盘区域AA延伸至有效区域AA。
低电压线(VSS)120经由第四接触孔CH4与辅助电极170连接，并且辅助电极170与第六接触孔CH6内部的阴极电极220连接。阴极电极220形成在整个有效区域AA中。
可在每一单个像素处设置第四接触孔CH4和第六接触孔CH6，但并不限于这种结构。
图3是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光显示(OLED)装置的剖面图。图3中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置中的焊盘区域PA的结构、第六接触孔CH6区域的结构、第一焊盘电极400、源极电极150、漏极电极160和辅助电极170与图2中所示的有机发光显示装置中的那些不同。因而，在整个附图中将使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。下文中，将如下详细描述焊盘区域PA。
如图3中所示，缓冲层125设置在基板100的焊盘区域PA上，栅极绝缘膜127设置在缓冲层125上，信号焊盘300设置在栅极绝缘膜127上，层间绝缘层140设置在信号焊盘300上，第一焊盘电极400设置在层间绝缘层140上，并且第二焊盘电极500设置在第一焊盘电极400上，其中第一焊盘电极400经由第七接触孔CH7与信号焊盘300连接。
图3中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置与图2中所示的前述有机发光显示装置的一个不同之处在于，在第一焊盘电极400上不设置钝化层175。在图3中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置的情形中，第二焊盘电极500设置在第一焊盘电极400上。
第二焊盘电极500覆盖第一焊盘电极400的上表面和侧表面，由此防止第一焊盘电极400的腐蚀。就是说，上部第一焊盘电极402被第二焊盘电极500覆盖。与图2中所示的前述有机发光显示装置不同，图3中所示的有机发光显示装置包括具有下部第一焊盘电极401和上部第一焊盘电极402的第一焊盘电极400。在图3所示的有机发光显示装置中，在上部第一焊盘电极402上不需要附加的盖部第一焊盘电极403。相应地，源极电极150包括下部源极电极151和上部源极电极152，漏极电极160包括下部漏极电极161和上部漏极电极162，辅助电极170包括下部辅助电极171和上部辅助电极172。
第二焊盘电极500可由与前述有效区域AA中的下部阳极电极181和下部屋檐结构191相同的材料形成。因此，第二焊盘电极500、下部阳极电极181和下部屋檐结构191可通过相同工艺被同时制造。
此外，参照图3，第二堤部220b可沿前述第六接触孔CH6内部的钝化层175和平坦化层178的侧表面延伸至辅助电极170的上表面。因此，有机发光层210可沿第二堤部220b延伸到第六接触孔CH6的内部，并且进一步延伸至辅助电极170的上表面。结果，阴极电极220沿有机发光层210延伸到第六接触孔CH6的内部，由此阴极电极220在接触空间C中与辅助电极170连接。
图4是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置的剖面图。图4中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置中的焊盘区域PA的结构、第一焊盘电极400、源极电极150、漏极电极160和辅助电极170与图2中所示的有机发光显示装置中的那些不同。因而，在整个附图中将使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。下文中，将如下详细描述焊盘区域PA。
如图4中所示，缓冲层125设置在基板100的焊盘区域PA上，栅极绝缘膜127设置在缓冲层125上，信号焊盘300设置在栅极绝缘膜127上，层间绝缘层140设置在信号焊盘300上，第一焊盘电极400设置在层间绝缘层140上，并且第二焊盘电极500设置在第一焊盘电极400上，其中第一焊盘电极400经由第七接触孔CH7与信号焊盘300连接。
图4中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置与图2中所示的前述有机发光显示装置的一个不同之处在于，在第一焊盘电极400上不设置钝化层175。在图4中所示的根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置的情形中，第二焊盘电极500设置在第一焊盘电极400上。
第二焊盘电极500覆盖第一焊盘电极400的上表面和侧表面，由此防止第一焊盘电极400的腐蚀。就是说，上部第一焊盘电极402被第二焊盘电极500覆盖。与图2中所示的前述有机发光显示装置不同，图4中所示的有机发光显示装置包括具有下部第一焊盘电极401和上部第一焊盘电极402的第一焊盘电极400。在图4所示的有机发光显示装置中，在上部第一焊盘电极402上不需要附加的盖部第一焊盘电极403。相应地，源极电极150包括下部源极电极151和上部源极电极152，漏极电极160包括下部漏极电极161和上部漏极电极162，辅助电极170包括下部辅助电极171和上部辅助电极172。
第二焊盘电极500可由与前述有效区域AA中的阳极电极180和屋檐结构190相同的材料形成。因此，第二焊盘电极500、阳极电极180和屋檐结构190可通过相同工艺被同时制造。
第二焊盘电极500可包括下部第二焊盘电极501、上部第二焊盘电极502和盖部第二焊盘电极503。下部第二焊盘电极501可由与下部阳极电极181和下部屋檐结构191相同的材料形成，上部第二焊盘电极502可由与上部阳极电极182和上部屋檐结构192相同的材料形成，并且盖部第二焊盘电极503可由与盖部阳极电极183和盖部屋檐结构193相同的材料形成。
因此，下部第二焊盘电极501和盖部第二焊盘电极503的每一个中的氧化度可低于上部第二焊盘电极502的氧化度，并且下部第二焊盘电极501和盖部第二焊盘电极503的每一个中的抗腐蚀性可优于上部第二焊盘电极502的抗腐蚀性。此外，用于上部第二焊盘电极502的材料中的电阻可低于用于下部第二焊盘电极501和盖部第二焊盘电极503的每一个的材料中的电阻。此外，上部第二焊盘电极502的厚度可大于下部第二焊盘电极501和盖部第二焊盘电极503的每一个的厚度。
此外，钝化层175和平坦化层178可在焊盘区域PA中按顺序设置在第一焊盘电极400和第二焊盘电极500的一侧和另一侧上。焊盘区域PA的钝化层175设置在层间绝缘层140上，焊盘区域PA的平坦化层178设置在钝化层175上。设置于焊盘区域PA中的钝化层175和平坦化层178可与第一焊盘电极400和第二焊盘电极500分隔开。在设置于焊盘区域PA中的钝化层175和平坦化层178的情形中，平坦化层178相对较厚，从而防止平坦化层178的一端在制造工艺中脱落，由此使平坦化层178保留下来。
图5A到5G是图解根据本发明一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的剖面图，其涉及图2A、2B中所示的有机发光显示装置的制造方法。因此，在整个附图中将使用相同的参考标记指代相同或相似的部分，并将省略对每个元件和结构中的材料的详细描述。
首先，如图5A中所示，在基板100的有效区域AA上图案化遮光层110和低电压线(VSS)120，并且在遮光层110和低电压线(VSS)120上设置缓冲层125。还在焊盘区域PA上设置缓冲层125。
之后，在缓冲层125的有效区域AA上图案化有源层126、栅极绝缘膜127和栅极电极130。同时在缓冲层125的焊盘区域PA上图案化栅极绝缘膜127和信号焊盘300。
在栅极电极130和信号焊盘300上设置层间绝缘层140。此外，在层间绝缘层140中设置第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，由此暴露有源层126的一端和另一端。此外，在层间绝缘层140和缓冲层125中设置第三接触孔CH3和第四接触孔CH4，由此暴露遮光层110和低电压线(VSS)120。此外，在焊盘区域PA的层间绝缘层140中设置第七接触孔CH7，由此暴露信号焊盘300。
然后，在层间绝缘层140上图案化源极电极150，其中源极电极150经由第一接触孔CH1与有源层126连接并且经由第三接触孔CH3与遮光层110连接。在层间绝缘层140上图案化漏极电极160，其中漏极电极160经由第二接触孔CH2与有源层126连接。此外，在层间绝缘层140上图案化辅助电极170，其中辅助电极170经由第四接触孔CH4与低电压线(VSS)120连接。此外，在层间绝缘层140上图案化第一焊盘电极400，其中第一焊盘电极400经由第七接触孔CH7与信号焊盘300连接。
然后，如图5B中所示，在源极电极150、漏极电极160、辅助电极170和第一焊盘电极400上设置钝化层175，并且在钝化层175上图案化平坦化层178。
在源极电极150的部分区域上不设置平坦化层178。平坦化层178以下述方式设置：辅助电极170的部分区域和焊盘区域PA上的平坦化层178的厚度(t1)相对较小，并且其余区域上的平坦化层178的厚度(t2)相对较大。
然后，如图5C中所示，通过在使用平坦化层178作为掩模的情况下去除源极电极150的部分区域上的钝化层175，形成第五接触孔CH5，由此经由第五接触孔CH5暴露源极电极150。
通过灰化平坦化层178，仅在具有相对较大厚度(t2)的区域中保留平坦化层178，并且从具有相对较小厚度(t1)的区域去除平坦化层178，由此暴露辅助电极170和焊盘区域PA上的钝化层175。在这种情形中，通过从辅助电极170上的区域部分去除的平坦化层178，制备出第六接触孔CH6区域。
然后，如图5D中所示，在平坦化层178上图案化阳极电极180和屋檐结构190。阳极电极180被图案化为经由第五接触孔CH5与源极电极150连接。屋檐结构190延伸至第六接触孔CH6区域并且进一步延伸至暴露的钝化层175的上表面的部分区域。
如图5E中所示，在阳极电极180和屋檐结构190上设置堤层200。堤层200设置在有效区域AA和焊盘区域PA上。堤层200不设置在第一焊盘电极400的部分区域、阳极电极180的像素区域、以及辅助电极170的部分区域上。堤层200以下述方式设置：焊盘区域PA和第六接触孔CH6的端部区域中的堤层200的厚度(h1)相对较小，其余区域中的堤层200的厚度(h2)相对较大。
通过在使用堤层200作为掩模的情况下去除钝化层175，暴露出第一焊盘电极400和辅助电极170。在这种情形中，设置在屋檐结构190下方的钝化层175也被去除，由此制备出接触空间C。此外，在第一焊盘电极400上形成第八接触孔CH8。
之后，如图5F中所示，灰化堤层200，使得具有相对较小厚度(h1)的堤层200被去除，仅具有相对较大厚度(h2)的堤层200保留下来，由此形成第一堤部200a、第二堤部200b和第三堤部200c。
如图5G中所示，在有效区域AA中的第一堤部200a、第二堤部200b和第三堤部200c上形成有机发光层210，并且在有机发光层210上形成阴极电极220。可通过使用具有出色笔直度的沉积材料的蒸镀方法制造有机发光层210。因而，有机发光层210不沉积在屋檐结构190下方的接触空间C中。
可通过使用具有较差笔直度的沉积材料的溅射方法制造阴极电极220。因而，阴极电极220可沉积在接触空间C中。因此，阴极电极220在接触空间C中与辅助电极170连接。
图6A到6G是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的剖面图，其涉及图3中所示的有机发光显示装置的制造方法。因此，在整个附图中将使用相同的参考标记指代相同或相似的部分，并将省略对每个元件和结构中的材料的详细描述。
首先，图6A到6C的工艺与图5A到5C的工艺基本相同，由此将省略对图6A到6C的工艺的详细描述。然而，图6A的工艺与图5A的工艺的一个不同之处在于，不设置盖部第一焊盘电极403、盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173。
然后，如图6D中所示，在平坦化层178上设置包括下部层1、上部层2和盖部层3的电极层5，并且在电极层5图案化光刻胶层PR。电极层5被设置用来形成阳极电极180和屋檐结构190。
在第一焊盘电极400之外的焊盘区域PA、第六接触孔CH6区域、以及第六接触孔CH6区域的邻接区域上不设置光刻胶层PR。光刻胶层PR以下述方式设置：第一焊盘电极400上的光刻胶层PR的厚度(t1)相对较小，其余区域上的光刻胶层PR的厚度(t2)相对较大。
如图6E中所示，在使用光刻胶层PR作为掩模的情况下将电极层5图案化，由此形成阳极电极180和屋檐结构190。在这种情形中，从阳极电极180和屋檐结构190之间的区域去除电极层5和设置在电极层5下方的钝化层175，使得可形成第六接触孔CH6并暴露辅助电极170。就是说，在第六接触孔CH6内部的屋檐结构190下方制备接触空间C。此外，焊盘区域PA上的电极层5的一部分被去除。
如图6F中所示，在光刻胶层PR的灰化工艺之后使用残留的光刻胶层PR作为掩模的情况下，去除残留在焊盘区域PA中的电极层5的上部层2和盖部层3，使得可形成下部层1的第二焊盘电极500并且去除残留的光刻胶层PR。
通过灰化光刻胶层PR，具有相对较小厚度(t1)的光刻胶层PR被去除，仅具有相对较大厚度(t2)的光刻胶层PR保留下来。因而，当从焊盘区域PA去除上部层2和盖部层3时，未从有效区域AA去除阳极电极180和屋檐结构190。
然后，如图6G中所示，在阳极电极180和屋檐结构190上形成堤层200a、200b和200c，在有效区域AA中的第一堤部200a、第二堤部200b和第三堤部200c上形成有机发光层210，并且在有机发光层210上形成阴极电极220。
堤层200a、200b和200c可包括用于覆盖阳极电极180的一端的第一堤层200a、用于覆盖阳极电极180的另一端并沿第六接触孔CH6内部的钝化层175和平坦化层178的侧表面延伸至辅助电极170的上表面的部分区域的第二堤层200b、以及设置在屋檐结构190上的第三堤层200c。
有机发光层210不沉积在屋檐结构190下方的接触空间C中。阴极电极220沉积在接触空间C中并与辅助电极170连接。
图7A到7F是图解根据本发明另一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的剖面图，其涉及图4中所示的有机发光显示装置的制造方法。因此，在整个附图中将使用相同的参考标记指代相同或相似的部分，并将省略对每个元件和结构中的材料的详细描述。
首先，图7A的工艺与图5A的工艺基本相同，由此将省略对图7A的工艺的详细描述。然而，图7A的工艺与图5A的工艺的一个不同之处在于，不设置盖部第一焊盘电极403、盖部源极电极153、盖部漏极电极163和盖部辅助电极173。
然后，如图7B中所示，在源极电极150、漏极电极160、辅助电极170和第一焊盘电极400上设置钝化层175，并且在钝化层175上图案化平坦化层178。
在源极电极150的部分区域、以及第一焊盘电极400的一侧和另一侧之外的焊盘区域PA上不设置平坦化层178。平坦化层178以下述方式设置：辅助电极170的部分区域上的平坦化层178的厚度(t1)相对较小，其余区域上的坦化层178的厚度(t2)相对较大。
尤其是，如果在第一焊盘电极400的一侧和另一侧处设置具有相对较小厚度(t1)的平坦化层178，则平坦化层178可能从第一焊盘电极400的邻接区域脱落。因而，平坦化层178在第一焊盘电极400的一侧和另一侧处具有相对较大的厚度(t2)。
然后，如图7C中所示，在使用平坦化层178作为掩模的情况下，可去除源极电极150的部分区域上的钝化层175、以及焊盘区域PA的部分区域上的钝化层175。因而，在源极电极150上形成第五接触孔CH5，由此经由第五接触孔CH5暴露源极电极150，并且还暴露第一焊盘电极400的上表面和侧表面。
通过灰化平坦化层178，仅在具有相对较大厚度(t2)的区域中保留平坦化层178，并且从具有相对较小厚度(t1)的区域去除平坦化层178，由此暴露辅助电极170上的钝化层175。在这种情形中，在辅助电极170上制备第六接触孔CH6区域。
然后，如图7D中所示，在有效区域AA的平坦化层178上图案化阳极电极180和屋檐结构190。在焊盘区域PA中，在第一焊盘电极400上图案化第二焊盘电极500。
阳极电极180经由第五接触孔CH5与源极电极150连接。屋檐结构190延伸至第六接触孔CH6区域并且进一步延伸至暴露的钝化层175的上表面的部分区域。第二焊盘电极500覆盖第一焊盘电极400的上表面和侧表面。
然后，如图7E中所示，在阳极电极180和屋檐结构190上形成堤层200a、200b和200c。堤层200a、200b和200c可包括用于覆盖阳极电极180的一端的第一堤层200a、用于覆盖阳极电极180的另一端并沿第六接触孔CH6内部的平坦化层178的侧表面延伸的第二堤层200b、以及设置在屋檐结构190上的第三堤层200c。
之后，在使用堤层200a、200b和200c作为掩模的情况下，去除经由第六接触孔CH6区域暴露的钝化层175，使得可在屋檐结构190下方制备接触空间C。然后，通过灰化堤层200a、200b和200c获得图中所示的结构。
然后，如图7F中所示，在有效区域AA中的第一堤部200a、第二堤部200b和第三堤部200c上形成有机发光层210，并且在有机发光层210上形成阴极电极220。有机发光层210不沉积在屋檐结构190下方的接触空间C中，并且阴极电极220沉积在接触空间C中并与辅助电极170连接。
如上所述，已描述了根据本发明实施方式的顶部发光型有机发光显示装置，然而在保持本发明的技术特性的前提下并不限于这种类型。例如，在本发明中，可从像素区域的全部区域发射光，但不是必须的。可不从全部像素区域发射光，而是可从像素区域的部分区域发射光。就是说，可从像素区域的部分区域发射光，像素区域的其余区域可以是透明的，由此获得透明有机发光显示装置。
根据本发明，阴极电极220在屋檐结构190下方的接触空间C中与辅助电极170电连接。因而，不需要相关技术的倒锥形分隔部结构，就是说，可克服与分隔部的塌陷或脱落有关的问题。
对于所属领域的技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够对本发明作出各种修改和变化。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。
本发明包括但不限于此如下技术方案。
方案1.一种有机发光显示装置，包括：
具有有效区域和焊盘区域的基板；
位于所述基板的有效区域上的阳极电极；
在所述阳极电极上的用于限定像素区域的堤层；
位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；
位于所述有机发光层上的阴极电极；
位于所述堤层下方并且与所述阳极电极分隔开的屋檐结构；和
位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极，
其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且所述阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接。
方案2.根据方案1所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述阳极电极下方的平坦化层、以及位于所述平坦化层下方的钝化层，
其中在所述平坦化层和所述钝化层中具有暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述接触空间连接至所述接触孔。
方案3.根据方案2所述的有机发光显示装置，其中所述堤层沿所述接触孔内部的平坦化层的侧表面延伸。
方案4.根据方案3所述的有机发光显示装置，其中所述堤层沿所述接触孔内部的钝化层的侧表面延伸至所述辅助电极。
方案5、根据方案3所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光层沿所述接触孔内部的堤层延伸至所述辅助电极的上表面，并且所述阴极电极沿所述接触孔内部的有机发光层延伸至所述接触空间。
方案6、根据方案2所述的有机发光显示装置，其中所述屋檐结构沿所述接触孔内部的平坦化层的侧表面延伸，并且所述屋檐结构的一端与位于所述钝化层和所述平坦化层之间的界面平行地突出。
方案7、根据方案1所述的有机发光显示装置，其中所述屋檐结构由与所述阳极电极相同的材料形成，并且所述屋檐结构和所述阳极电极位于相同层中。
方案8、根据方案1所述的有机发光显示装置，还包括低电压线，所述低电压线位于所述辅助电极下方并且经由附加接触孔与所述辅助电极连接。
方案9、根据方案8所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述阳极电极下方并且与所述阳极电极连接的源极或漏极电极、以及位于所述源极或漏极电极下方的遮光层，
其中所述辅助电极由与所述源极或漏极电极相同的材料形成，并且所述辅助电极和所述源极或漏极电极设置在相同层中，并且
所述低电压线由与所述遮光层相同的材料形成，并且所述低电压线和所述遮光层设置在相同层中。
方案10、根据方案1所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述基板的焊盘区域上的信号焊盘；
第一焊盘电极，所述第一焊盘电极位于所述信号焊盘上并且经由附加接触孔与所述信号焊盘连接；和
钝化层，所述钝化层暴露所述第一焊盘电极的上表面的区域并且覆盖所述第一焊盘电极的侧表面，
其中所述第一焊盘电极包括位于所述信号焊盘上的下部第一焊盘电极、位于所述下部第一焊盘电极上的上部第一焊盘电极、以及位于所述上部第一焊盘电极上并暴露到外部的盖部第一焊盘电极，
其中所述下部第一焊盘电极和所述盖部第一焊盘电极的每一个的氧化度低于所述上部第一焊盘电极的氧化度，并且用于所述上部第一焊盘电极的材料的电阻低于用于所述下部第一焊盘电极和所述盖部第一焊盘电极的每一个的材料的电阻。
方案11、根据方案1所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述基板的焊盘区域上的信号焊盘；
第一焊盘电极，所述第一焊盘电极位于所述信号焊盘上并且经由附加接触孔与所述信号焊盘连接；和
第二焊盘电极，所述第二焊盘电极覆盖所述第一焊盘电极的上表面和侧表面，
其中所述第一焊盘电极包括位于所述信号焊盘上的下部第一焊盘电极、以及位于所述下部第一焊盘电极上的上部第一焊盘电极，
其中所述下部第一焊盘电极的氧化度低于所述上部第一焊盘电极的氧化度，并且所述上部第一焊盘电极的电阻低于所述下部第一焊盘电极的电阻。
方案12、根据方案11所述的有机发光显示装置，还包括位于所述焊盘区域中的钝化层和平坦化层，所述钝化层和所述平坦化层与所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分隔开。
方案13、一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上设置辅助电极；
在所述辅助电极上设置钝化层，并且在所述钝化层上设置平坦化层；
在所述平坦化层上设置阳极电极和屋檐结构；
在所述钝化层和所述平坦化层中设置接触孔，以经由所述接触孔暴露所述辅助电极；
在所述阳极电极和所述屋檐结构上设置堤层；
在所述阳极电极上设置有机发光层；和
在所述有机发光层上设置阴极电极，
其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且延伸的阴极电极与暴露的辅助电极连接。
方案14、根据方案13所述的方法，其中在设置所述阳极电极和所述屋檐结构之后进行所述堤层的设置，并且通过使用所述堤层作为掩模来执行所述辅助电极的暴露。
方案15、根据方案14所述的方法，还包括：
在所述基板上设置第一焊盘电极，其中所述第一焊盘电极的设置和所述辅助电极的设置是同时执行的，并且所述平坦化层附加地设置在所述第一焊盘电极上；以及
通过去除位于所述第一焊盘电极上的钝化层暴露所述第一焊盘电极，其中第一焊盘电极的暴露和所述辅助电极的暴露是同时执行的。
方案16、根据方案14所述的方法，还包括在所述基板上设置第一焊盘电极，其中所述第一焊盘电极的设置和所述辅助电极的设置是同时执行的，并且所述钝化层和所述平坦化层位于所述第一焊盘电极的一侧和另一侧处，并且
其中设置所述阳极电极和所述屋檐结构包括在所述第一焊盘电极上设置第二焊盘电极。
方案17、根据方案13所述的方法，其中所述阳极电极和所述屋檐结构的设置和所述辅助电极的暴露是同时执行的，并且
所述堤层的设置是在暴露所述辅助电极之后执行的。
方案18、根据方案17所述的方法，还包括：
在所述基板上设置第一焊盘电极，其中所述第一焊盘电极的设置和所述辅助电极的设置是同时执行的，并且所述阳极电极和所述屋檐结构的设置包括在所述第一焊盘电极上设置具有多个层的电极层；以及
在设置所述阳极电极和所述屋檐结构之后，通过去除所述多个层的电极层的一部分而在所述第一焊盘电极上设置第二焊盘电极。
方案19、一种有机发光显示装置，包括：
具有有效区域和焊盘区域的基板；
位于所述基板的有效区域上的阳极电极；
在所述阳极电极上的用于限定像素区域的堤层；
位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；
位于所述有机发光层上的阴极电极；
位于所述堤层下方并且具有第一部分和第二部分的屋檐结构，所述第一部分与所述基板平行，所述第二部分与所述基板不平行；
位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极；和
位于所述辅助电极与所述屋檐结构的第一部分之间的接触空间。
方案20、根据方案19所述的有机发光显示装置，还包括位于所述阳极电极下方的平坦化层、以及位于所述平坦化层下方的钝化层，
其中所述第一部分的下表面与位于所述钝化层和所述平坦化层之间的界面是共面的。

Claims (11)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的阳极电极；
位于所述阳极电极上的限定像素区域的堤层；
位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；
位于所述有机发光层上的阴极电极；
位于所述堤层下方并且与所述阳极电极分隔开的屋檐结构；
位于所述阳极电极下方的平坦化层；
位于所述平坦化层下方的钝化层；以及
位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极，
其中所述屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分与位于所述钝化层和所述平坦化层之间的界面平行地突出并且从所述第二部分的第一端延伸，并且所述第三部分设置在所述平坦化层上并且从所述第二部分的第二端延伸，以及
其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且所述阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中在所述平坦化层和所述钝化层中具有暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述接触空间连接至所述接触孔。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光层延伸至所述辅助电极的上表面，并且所述阴极电极沿所述接触孔内部的有机发光层延伸至所述接触空间。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述屋檐结构的第二部分沿所述接触孔内部的平坦化层的侧表面延伸。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述屋檐结构由与所述阳极电极相同的材料形成，并且所述屋檐结构和所述阳极电极位于相同层中。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括低电压线，所述低电压线位于所述辅助电极下方并且经由附加接触孔与所述辅助电极连接。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述阳极电极下方并且与所述阳极电极连接的源极或漏极电极、以及位于所述源极或漏极电极下方的遮光层，
其中所述辅助电极由与所述源极或漏极电极相同的材料形成，并且所述辅助电极和所述源极或漏极电极设置在相同层中，并且
所述低电压线由与所述遮光层相同的材料形成，并且所述低电压线和所述遮光层设置在相同层中。
8.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的阳极电极；
位于所述阳极电极上的限定像素区域的堤层；
位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；
位于所述有机发光层上的阴极电极；
位于所述堤层下方的屋檐结构，所述屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分与所述基板平行并且从所述第二部分的第一端延伸，所述第二部分与所述基板不平行，并且所述第三部分与所述基板平行并且从所述第二部分的第二端延伸；
位于所述屋檐结构下方并且与所述阴极电极电连接的辅助电极；以及
位于所述辅助电极和所述屋檐结构的第一部分之间的接触空间。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，还包括：
位于所述阳极电极下方的平坦化层、以及位于所述平坦化层下方的钝化层，
其中所述第一部分的下表面与位于所述钝化层和所述平坦化层之间的界面是共面的。
10.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的辅助电极；
位于所述辅助电极上的钝化层；
位于所述钝化层上的平坦化层；
位于所述平坦化层上的阳极电极和屋檐结构；
位于所述阳极电极和所述屋檐结构上的堤层；
位于所述堤层上并与所述阳极电极连接的有机发光层；以及
位于所述有机发光层上的阴极电极，
其中所述阴极电极延伸至位于所述屋檐结构下方的接触空间，并且所述阴极电极在所述接触空间中与所述辅助电极连接，
其中在所述平坦化层和所述钝化层中具有暴露所述辅助电极的接触孔，以及
其中所述接触孔在所述钝化层的水平面处的第一宽度小于所述接触孔在所述平坦化层的水平面处的第二宽度。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述屋檐结构包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分与位于所述钝化层和所述平坦化层之间的界面平行地突出并且从所述第二部分的第一端延伸，并且所述第三部分设置在所述平坦化层上并且从所述第二部分的第二端延伸。
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