CN111048526A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括基板、功能层、钝化层、黏附层以及平坦层。所述阵列基板的制备方法包括基板提供步骤、功能层制备步骤、钝化层制备步骤、黏附层制备步骤以及平坦层制备步骤。本发明的技术效果在于，增强显示面板的钝化层和平坦层之间的黏附性，提高显示面板阻隔外界水氧的能力。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器件已经逐步取代CRT显示器。
在现有的显示面板的顶栅结构(Top-gate Self-align)中，其半导体薄膜晶体管技术(Oxide TFT)中，钝化层通常采用的是硅的氧化物(SiOx)，会存在和平坦层(PLN)材料不匹配的问题，影响平坦层和钝化层之间的黏附性，导致两者脱离的风险较高，影响TFT器件的性能和阵列基板的良率。
发明内容
本发明的一个目的在于，解决现有技术的阵列基板的平坦层和钝化层容易发生脱离的技术问题。
本发明的另一个目的在于，解决现有技术的阵列基板容易被水氧影响的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括基板；功能层，设于所述基板一侧的表面；钝化层，设于所述功能层远离所述基板一侧的表面；黏附层，设于所述钝化层远离所述功能层一侧的表面；以及平坦层，设于所述黏附层远离所述钝化层一侧的表面。
进一步地，所述黏附层的密度为2.3g/cm3～3.5g/cm3。
进一步地，所述黏附层的材质包括硅的氮化物或铝的氧化物。
进一步地，所述黏附层的厚度为100埃米～5000埃米。
进一步地，所述黏附层包括：硅的氧化物层及硅的氮化物层；或，硅的氧化物层及铝的氧化物层；或，硅的氧化物层、硅的氮化物层及铝的氧化物层；或，硅的氧化物层、铝的氧化物层及铝的氧化物层。
进一步地，所述黏附层上设有通孔。
进一步地，所述阵列基板还包括像素电极层，设于所述平坦层远离所述黏附层一侧的表面，且通过所述通孔电连接至所述功能层。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。
为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：基板提供步骤，提供一基板；功能层制备步骤，在所述基板的上表面制备出功能层；钝化层制备步骤，在所述功能层的上表面制备出钝化层；黏附层制备步骤，在所述钝化层的上表面制备出黏附层；以及平坦层制备步骤，在所述黏附层的上表面制备出平坦层。
进一步地，在所述黏附层制备步骤中，在钝化层的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括硅的氮化物材料或铝的氧化物材料；在所述黏附层上开设一通孔。
本发明的技术效果在于，在钝化层与平坦层之间设置一黏附层，提高钝化层与平坦层之间的黏附性，防止钝化层与平坦层之间发生脱离；增强对外界水氧的阻隔性能，防止外界水蒸气和氧气进入阵列基板，进一步提升阵列基板的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例所述阵列基板的示意图；
图2为本发明实施例所述阵列基板的制备方法的流程图；
图3为本发明实施例所述功能层制备步骤之后的结构示意图；
图4为本发明实施例所述钝化层制备步骤之后的结构示意图；
图5为本发明实施例所述黏附层制备步骤之后的结构示意图；
图6为本发明实施例所述平坦层制备步骤之后的结构示意图。
部分组件标识如下：
1、基板；2、功能层；3、钝化层；4、黏附层；5、平坦层；6、像素电极层；
21、遮光层；22、缓冲层；23、有源层；24、栅极绝缘层；25、栅极层；26、介电层；27、源漏极层；
41、通孔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，本实施例提供一种显示面板，包括如图1所示的阵列基板，所述阵列基板包括：基板1、功能层2、钝化层3、黏附层4、平坦层5以及像素电极层6。
如图2所示，本实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括步骤S1～S6。
S1基板提供步骤，提供一基板，所述基板为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。
S2功能层制备步骤，在基板1的上表面制备出功能层2(参见图3)，所述功能层制备步骤具体包括以下步骤。
清洗玻璃基板1，在基板1的上表面沉积一层遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，通过蚀刻处理，蚀刻出图案，形成遮光层21，遮光层21的厚度为500埃米～2000埃米，遮光层21起到遮光作用。
在遮光层21及基板1的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，形成缓冲层22，起到缓冲的作用，缓冲层22的厚度为1000埃米～5000埃米。
在缓冲层22的上表面沉积一层半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)，图案化处理所述半导体材料，形成有源层23，有源层23的厚度为100埃米～1000埃米。有源层23设于遮光层21的上方，即有源层23与遮光层21相对设置，有源层23给显示面板提供电路支持。
在有源层23的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，图案化处理后，形成栅极绝缘层24，栅极绝缘层24的厚度为1000埃米～3000埃米。栅极绝缘层24与有源层23相对设置，栅极绝缘层24起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。
在栅极绝缘层24的上表面沉积一层金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。利用一道黄光，先蚀刻出栅极层25的图形，再利用栅极层25为自对准，蚀刻栅极绝缘层24，只在有栅极层25的膜层下方才有栅极绝缘层24的存在，其余地方的栅极绝缘层均被蚀刻掉，栅极层25的厚度为2000埃米～8000埃米，栅极层25与栅极绝缘层24相对设置。
在栅极层25的上方进行整面的激光处理，对于上方没有栅极绝缘层和栅极层保护的半导体层，其处理以后电阻明显降低，形成N+导体层，栅极层25下方的半导体层没有被处理到，保持半导体特性，作为TFT沟道。
在栅极层25、栅极绝缘层24、有源层23及缓冲层22的上表面沉积一层介电层26，介电层26为层间绝缘层，介电层26为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，起到绝缘作用，防止电路短路。介电层26的厚度为2000埃米～10000埃米。
采用掩膜板，曝光显影后，在有源层23及遮光层21的上方形成通孔，同时做好对遮光层21接信号的接触孔；所述通孔便于后续膜层的电性连接。
在介电层26的上表面沉积一层金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分金属材料设于所述通孔内，图案化处理后，形成源漏极层27，源漏极层27通过所述通孔电连接至有源层23，形成电路导通。源漏极层27的厚度为2000埃米～8000埃米。
S3钝化层制备步骤，在介电层26及源漏极层27的上表面沉积一层硅的氧化物材料，形成钝化层3(参见图4)，钝化层3的厚度为1000埃米～5000埃米。钝化层3起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。
S4黏附层制备步骤，在钝化层3的上表面沉积一层无机材料，形成黏附层4，黏附层4为高密度钝化层HDP(High Density Passivation layer)，其密度为2.3g/cm3～3.5g/cm3。黏附层4的厚度为100埃米～5000埃米。所述无机材料包括硅的氮化物或铝的氧化物，可为硅的氧化物层及硅的氮化物层的叠层结构或，硅的氧化物层及铝的氧化物层的叠层结构；或，硅的氧化物层、硅的氮化物层及铝的氧化物层的叠层结构；或，硅的氧化物层、铝的氧化物层及铝的氧化物层的叠层结构，需保证的是硅的氮化物或铝的氧化物必须在最上层，因为硅的氮化物或铝的氧化物是高致密的材料，在单位面积内，硅的氮化物或铝的氧化物与平坦层之间的黏附力大于现有技术中硅的氧化物与平坦层之间的黏附力，有效防止平坦层5与钝化层3的衔接处出现膜层脱离的现象。通过掩膜板进行黄光工艺处理，在黏附层4上形成通孔41，通孔41与源漏极层27的上表面相对设置(参见图5)，通孔41为像素电极层6提供通道。
S5平坦层制备步骤，在黏附层4的上表面制备出平坦层5，平坦层5使得膜层表面平整，利于像素电极层6等膜层的贴合，防止出现脱离的现象。在平坦层5上制备出另一通孔，与黏附层4上的通孔41相对设置，为像素电极层6提供通道。
S6像素电极层制备步骤，在平坦层5的上表面沉积氧化铟锡材料，填满通孔41，图案化处理后，形成像素电极层6，像素电极层6与源漏极层27电性连接，为后续发光材料的发光提供电路支持。
本实施例所述阵列基板的制备方法的技术效果在于，在钝化层与平坦层之间制备出一黏附层，提高钝化层与平坦层之间的黏附性，防止钝化层与平坦层之间发生脱离；增强对外界水氧的阻隔性能，防止外界水蒸气和氧气进入阵列基板，进一步提升阵列基板的稳定性。
在所述阵列基板中，基板1为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。
功能层2设于基板1的上表面，功能层2包括遮光层21、缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、栅极层25、介电层26以及源漏极层27。
遮光层21设于基板1的上表面，遮光层21的材质为遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，遮光层21的厚度为500埃米～2000埃米，遮光层21起到遮光作用。
缓冲层22设于遮光层21及基板1的上表面，起到缓冲的作用，缓冲层22的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，缓冲层22的厚度为1000埃米～5000埃米。
有源层23设于缓冲层22的上表面，有源层23的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)，有源层23的厚度为100埃米～1000埃米。有源层23设于遮光层21的上方，即有源层23与遮光层21相对设置，有源层23给显示面板提供电路支持。
栅极绝缘层24设于有源层23的上表面，栅极绝缘层24的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，栅极绝缘层24的厚度为1000埃米～3000埃米。栅极绝缘层24与有源层23相对设置，栅极绝缘层24起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。
栅极层25设于栅极绝缘层24的上表面，栅极层25的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。栅极层25的厚度为2000埃米～8000埃米，栅极层25与栅极绝缘层24相对设置。
介电层26设于栅极层25、栅极绝缘层24、有源层23及缓冲层22的上表面，，介电层26为层间绝缘层，介电层26的材质为为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，起到绝缘作用，防止电路短路。介电层26的厚度为2000埃米～10000埃米。在有源层23及遮光层21的上方设有通孔，所述通孔便于像素电极层6与有源层23之间的电性连接。
源漏极层27设于介电层26的上表面，源漏极层27的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分金属材料设于所述通孔内，源漏极层27通过所述通孔电连接至有源层23，形成电路导通。源漏极层27的厚度为2000埃米～8000埃米。
钝化层3设于介电层26及源漏极层27的上表面，钝化层3的材质包括硅的氧化物材料，钝化层3的厚度为1000埃米～5000埃米。钝化层3起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。
黏附层4设于钝化层3的上表面，黏附层4的材质为无机材料，黏附层4的厚度为100埃米～5000埃米。所述无机材料包括硅的氮化物或铝的氧化物，可为硅的氧化物层及硅的氮化物层的叠层结构或，硅的氧化物层及铝的氧化物层的叠层结构；或，硅的氧化物层、硅的氮化物层及铝的氧化物层的叠层结构；或，硅的氧化物层、铝的氧化物层及铝的氧化物层的叠层结构，需保证的是硅的氮化物或铝的氧化物必须在最上层，因为硅的氮化物或铝的氧化物是高致密的材料，可以与后续膜层之间形成良好的黏附性，防止出现膜层脱离的现象。黏附层4的上表面设有通孔41(参见图5)，通孔41为后续电极层提供通道。
平坦层5设于黏附层4的上表面，平坦层5使得膜层表面平整，利于后续膜层的贴合，防止出现脱离的现象。在平坦层5上设有另一通孔，与黏附层4上的通孔41相对设置(参见图6)，为像素电极层6提供通道。
像素电极层6设于平坦层5的上表面，像素电极层6的材质为氧化铟锡材料，填满通孔41，像素电极层6与源漏极层27电性连接，为后续发光材料的发光提供电路支持。
遮光层21的厚度为500埃米～2000埃米，缓冲层22的厚度为1000埃米～5000埃米，有源层23的厚度为100埃米～1000埃米，栅极绝缘层24的厚度为1000埃米～3000埃米，栅极层25的厚度为2000埃米～8000埃米，介电层26的厚度为2000埃米～10000埃米，源漏极层27的厚度为2000埃米～8000埃米，钝化层3的厚度为1000埃米～5000埃米，黏附层4的厚度为100埃米～5000埃米，阵列基板的总厚度为10000埃米～80000埃米，实现超薄显示装置的要求。
本实施例所述显示面板的技术效果在于，在钝化层与平坦层之间设置一黏附层，提高钝化层与平坦层之间的黏附性，防止钝化层与平坦层之间发生脱离；增强对外界水氧的阻隔性能，防止外界水蒸气和氧气进入阵列基板，进一步提升阵列基板的稳定性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
功能层，设于所述基板一侧的表面；
钝化层，设于所述功能层远离所述基板一侧的表面；
黏附层，设于所述钝化层远离所述功能层一侧的表面；以及
平坦层，设于所述黏附层远离所述钝化层一侧的表面。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述黏附层的密度为2.3g/cm3～3.5g/cm3。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述黏附层的材质包括硅的氮化物或铝的氧化物。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述黏附层的厚度为100埃米～5000埃米。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述黏附层包括：
硅的氧化物层及硅的氮化物层；或，
硅的氧化物层及铝的氧化物层；或，
硅的氧化物层、硅的氮化物层及铝的氧化物层；或，
硅的氧化物层、铝的氧化物层及铝的氧化物层。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述黏附层上设有通孔。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括
像素电极层，设于所述平坦层远离所述黏附层一侧的表面，且通过所述通孔电连接至所述功能层。
8.一种显示面板，包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板提供步骤，提供一基板；
功能层制备步骤，在所述基板的上表面制备出功能层；
钝化层制备步骤，在所述功能层的上表面制备出钝化层；
黏附层制备步骤，在所述钝化层的上表面制备出黏附层；以及
平坦层制备步骤，在所述黏附层的上表面制备出平坦层。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在所述黏附层制备步骤中，
在钝化层的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括硅的氮化物材料或铝的氧化物材料；
在所述黏附层上开设一通孔。
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